JPS5821817B2 - ＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、主として極めて薄い膜厚をもつ低雑音ＩｎＳ
ｂ薄膜素子の製造方法に関する。

ＩｎＳｂは電流磁気効果が優れておりホール素子、磁気
抵抗効果素子、などの磁気変換素子に応用されている。

このときＩｎＳｂの厚さは極めて薄いことが要求される
ため、ＩｎＳｂ膜の製造には真空蒸着法やスパッタ法な
どの物理蒸着法、あるいはＣＶＤ法などの化学蒸着法が
用いられている。

しかしこれらの方法で製造した薄膜（大略３〜０．１μ
ｍ程度の薄膜を用いている。

）は、結晶粒径が１〜２０μｍφの多結晶膜であり、ま
た多くの結晶欠陥を含む。

この結晶粒を粗大化し、かつ結晶欠陥を減少させるため
、ＩｎＳｂ膜をゾーンメルトする方法が知られている。

しかしこの方法によっても結晶粒径は０．５〜２原程度
であり、かつ結晶欠陥も除去しきれない。

このようなＩｎＳｂ膜で磁電変換素子を形成したとき、
その出力には雑音が重畳する。

その雑音の程度は例えば、ＩｎＳｂ膜厚２μｍ、素子幅
２００μｍ、のホール素子に４０００Ａ／ｄの電流を流
したとき周波数帯域１００Ｈｚ〜１０ｋＨｚ、の条件下
では、２〜１０μＶ（蒸着ＩｎＳｂ膜）、あるいは０．
８〜２μＶ（ゾーンメルトもしくは均一メルトＩｎＳｂ
膜）である。

また、このようなホール素子の出力は、ホール係数が３
００〜３５０７／Ｃ１信号磁界が１０ Ｇａｕｓｓの場
合は２．５〜２．８ｍＶ程度である。

したがって従来のゾーンメルトしたＩｎＳｂ膜のホール
素子は、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が高々６８〜７３ｄＢ
、またホール素子に１００００Ａ／ぺの電流を流したと
しても７１〜７５ｄＢであり、これ以上優れたＳ／Ｎを
得ることが困難であった。

本発明は、極めて雑音が小さく、かつ優れたＳ／Ｎを有
するホール素子を得ることを目的とし、ある種の不純物
元素を含有させるようにゾーンメルトもしくは溶融する
ＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法である。

発明者らは０．１〜３μｍ厚のＩｎＳｂ薄膜素子のＳ／
Ｎを向上させるため種々の実験を行なった結果、ｓｂ原
子が化学当量比よりも過剰に存在する条件下でＩｎＳｂ
の熱処理を行なうとＳ／Ｎが５〜６ｄＢ改善される現象
を見出した。

ここでｓｂ過剰の条件下の熱処理とは、５ｂ２０５など
のｓｂを含む物質（Ｓｂの拡散源）をＩｎＳｂ膜に接触
させてゾーンメルトもしくは溶融処理を行なう方法であ
る。

さらにこのような条件下でＣｕ ｓ Ａｕ ｓ Ａｇ
ｓＺｎ、Ｎａ、に、Ｃｄ、Ｂ、Ｌｉ、Ｃａ２Ｍｇ、Ｐｂ
、Ｂａ。

Ａｌ、Ｆｅの群より選ばれた少なくとも一者の拡散を同
時に行なうと、さらにすぐれたＳ／Ｎが得られることを
発見した。

なお、以上の元素の添加量は、その合計量として５×１
０１６〜１×１０１８ＣｒｒＬ−３、より好ましくは１
×戸７〜６×１７１７ｃｄ程度である。

この場合ｓｂは雑音低減効果が顕著であり、他元素は特
にホール係数を犬ならしめ、信号を大きくするに効果が
顕著である。

本発明はかかる知見にもとずいて高いＳ／Ｎを持つＩｎ
Ｓｂ薄膜を製造する手段を提供するものである。

以上のような元素を拡散させるには、ＩｎＳｂ膜の加熱
中に前記元素を分解放出する物質にＩｎＳｂ膜を接触さ
せ、ＩｎＳｂ膜中に拡散させれば良い。

この目的のためには、前記各元素単体をはじめ、それら
の水酸化物、酸化物あるいは上記元素を含有する熱硬化
ガラスなどこれら元素を含む無機物質（拡散源）が適当
である。

なお、単体を接触させる方法としては蒸着法、イオンイ
ンプランテーションなどによることもできる。

更に第２の方法として蒸着などで形成されたＩｎ ｓｂ
多結晶薄膜の表面もしくは裏面に、上記元素を含む物質
を接触させ、しかるのちゾーンメルトもしくは溶融処理
を施す方法である。

このとき所定元素を拡散する方法として先に述べた物質
を接触させる方法、あるいは溶融Ｉｎ５ｂの表面張力に
よる丸まりを防ぐための保護膜（通常Ｉｎ２０３）膜が
用いられる）に所定元素を含有させる方法でも良い。

以下、本発明の実施態様を示すと次の通りである。

（１）蒸着法により形成したＩｎＳｂ膜をゾーンメルト
法あるいは溶融法で処理した後、所定温度でｓｂを放出
し、ＩｎＳｂ膜中に拡散せしむる拡散源を接触させ、Ｉ
ｎ５ｂの融点以下の温度で加熱拡散処理を施すことを特
徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。

（２）蒸着法により形成したＩｎＳｂ多結晶薄膜にｓｂ
拡散源を接触させ、しかる後ゾーンメルトあるいは溶融
処理を施すことを特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造
法。

（３）蒸着法により形成したＩｎ５ｂ多結晶薄膜をゾー
ンメルト法あるいは溶融法で処理した後、ｓｂの拡散源
とＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｋ。

Ｃｄ、Ｂ、Ｌｉ 、ｃａ２ＭｇｙＰｂ、Ｂａ、ＡＬＦｅ
の拡散源のうちから選んだ少なくとも１種とを該ＩｎＳ
ｂ多結晶薄膜に接触させ、ＩｎＳｂの融点以下の温度で
加熱拡散処理を施すことを特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄
膜の製造法。

（４）蒸着法により形成されたＩｎＳｂ多結晶薄膜に、
ｓｂの拡散源と、第（３）項に示すｓｂを除く元素φ拡
散源のうちから選んだ少なくとも１種とを接触させ、し
かる後ゾーンメルトもしくは溶融処理を施すことを特徴
とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。

（５）上記第（１）項〜第（４）項記載のＩｎＳｂ多結
晶薄膜の製造法において、上記蒸着により形成するＩｎ
５ｂ多結晶薄膜の膜厚を０．１〜３μｍとすることを特
徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。

（６）上記第け）項、もしくは第（３）項記載のＩｎＳ
ｂ多結晶薄膜の製造法において、上記加熱拡散処理は２
５０〜４０００Ｇ（より好ましくは３００〜４００℃）
の温度で１分以上行なうことを特徴とするＩｎＳｂ多結
晶薄膜の製造法。

（７）上記第け）項、第（２）項、第（３）項あるいは
第（４）項のＩｎ５ｂ多結晶薄膜の製造法において、前
記Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎａ 、Ｋｐ’ＬｉｓＣａｓＭｇ
ｐＢａ ｓＡｌ、Ｆｅの拡散源として、これらの水酸化
物を用いることを特徴とするＩｎＳｂ薄膜の製造法。

（８）上記第（１）項、第（２）項、第（３）項あるい
は第（４）項のＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法において、
上記Ｓｂ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ２Ｍｇ、Ｐｂ
、Ａｌ。

Ｆｅの拡散源として、これら元素の単体を用いることを
特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。

（９）上記第（１）項、第（２）項、第（３）項あるむ
）は第（４）項のＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法において
、上記Ｓｂ、Ｂの拡散源として、これら元素を含む熱硬
化ガラスを用いることを特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜
の製造法。

００）上記第（１）項、第（２）項、第（３）項あるい
は第（４）項のＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法において、
上記ｓｂの拡散源として、その酸化物を用いることを特
徴とするＩｎ５ｂ多結晶薄膜の製造法。

以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。

実施例 １ 本実施例は、まずＩｎＳｂ膜にｓｂのみをドープしたと
きの効果について述べる。

表面を極めて清浄化したダウコーニング社の７０５９ガ
ラス基板上に、ＩｎＳｂを三温度蒸着法により蒸着した
後、真空中で５５０°Ｃの加熱温度で１時間の均一メル
トを行なった。

しかる後パフ研磨によってＩｎＳｂ膜表面を平坦に仕上
げた。

このときＩｎＳｂの厚さは０．５〜２μｍとした。

かかるＩｎＳｂ膜表面をＫＯＨもしくは王水系の希釈液
によって化学エツチングし、表面に付着した汚染物質を
除去した。

このように形成した均一メル）ＩｎＳｂ膜の表面に熱分
解によってｓｂを放出し、ＩｎＳｂ中に拡散せしめるよ
うな化合物を被着した。

そのようなｓｂの拡散源となる化合物としては例えば５
ｂ２０５゜５ｂ２０５・Ｈ２０ｓ Ｓｂ ２０５・２Ｈ
２０，５ｂ２０５・３Ｈ２０゜５ｂ（ＯＨ）３，５ｂ（
ＯＨ）５・ＸＨ２Ｏ、などがあ句本実施例では５ｂ２０
．の水溶液中もしくはアルコール溶液中に浸漬する方法
を用いた。

該溶液中にＩｎ５ｂ膜浸漬し、その後乾燥することによ
り５ｂ２０５を被着したＩｎＳｂ膜を１０”Ｔｏｒｒ真
空炉中で２００〜５００℃の温度範囲で１分から２時間
の加熱処理を行なった。

このようにｓｂ原子を拡散処理したＩｎＳｂ膜をホトエ
ツチング法によって幅２００μｍのホール素子を形成し
、１００００Ａ／（１７７！の電流密度、１０ Ｇａｕ
ｓｓの磁界と周波数帯域１００Ｈｚ〜１０ｋＨｚの条件
下で、ホール出力および雑音を評価した。

その結果、２５０〜４５００Ｃの温度範囲で１分以上の
加熱処理で従来とほぼ同等以上の効果を得ることが出来
、特に３００〜４００℃で１時間程度の加熱処理がＳ／
Ｎの向上が最も著しかった。

第１表はかかるｓｂ原子をそれぞれの温度で１時間の拡
散処理したＩｎＳｂ膜厚２μｍのホール素子の場合に得
られた雑音およびＳ／Ｎである。

この実施例から明らかな如く、ＩｎＳｂ膜中にｓｂ原子
を供給しつつ加熱処理したＩｎＳｂ膜の雑音は減少して
Ｓ／Ｎは極めて改善された。

上記した他の拡散源とｓｂ拡散源とによっても同様の処
理により、類似の効果を奏することができる。

実施例 ２ 本実施例は、Ｉｎ５ｂの融点以下の温度でＩｎＳｂにｓ
ｂと他の不純物元素を同時にドープする固相拡散法につ
いて述べる。

表面を鏡面仕上げしたＮｉ−Ｚｎ系フェライト上にスパ
ッタリングによりダウコーニング社の７０５９ガラス膜
を形成した基板上に、ＩｎＳｂを三温度蒸着法により蒸
着し、その表面にＩｎ２Ｏ３保護膜を形成した後、ゾー
ンメルト処理を行なった。

しかる後Ｉｎ２Ｏ３をパフ研磨によって除去して、Ｉｎ
５ｂ膜表面を平坦に仕上げた。

このときＩｎＳｂの厚さは０．５〜３μｍとした。

かかるＩｎ５ｂ膜表面を実施例１と同じように化学エツ
チングし、表面に付着した汚染物を除去した。

このように形成したゾーンメル）ＩｎＳｂ膜の表面にｓ
ｂおよび所定の不純物元素の拡散源を被着した。

これを実現する方法はいろいろ考えられるが、ｓｂにつ
いては本実施例においては５ｂ２０５を塗布する方法、
すなわち実施例１で述べた方法を用いた。

他の不純物元素についてもＣｕ ｚ Ｎａ ｓＫ、Ｌｔ
ｓＣａｔＭｇｓＢａｔＡｌｓＺｎｔＦｅについては同様
に拡散源となる化合物を被着させる方法を用いた。

化合物としてはそれぞれ、Ｃｕ （Ｏ島。ＮａＯＨ，Ｋ
ＯＨ，ＬｉＯＨ，Ｃａ（ＯＨ）２．Ｍｇ（ＯＨ）２゜Ｂ
ａ（ＯＨ）２．Ａｌ（ＯＨ）３．Ｚｎ（ＯＨ）２．Ｆｅ
（ＯＨ）ｓ、などがある。

ｓｂ化合物とこれらの化合物の水溶液中もしくはアルコ
ール溶液中に上記ＩｎＳｂ膜を浸漬し、その後乾燥した
。

また化合物の入手が困難な元素、例えばＡｕ 、Ａｇ
、Ｃｄ 、Ｐｂ、に２いては蒸着法によって直接ＩｎＳ
ｂ膜表面に数１０〜数１００λ被着した後、上記のｓｂ
化合物を被着した。

さらにＢなどの元素はスピンオン・ガラス（エマルジト
ン社製熱硬化ガラス）として市販されているｓｂとＢの
元素原子を含有する熱硬化ガラスを塗布する方法で行な
った。

以上のような方法でｓｂおよび不純物元素の拡散源を被
着したＩｎＳｂ膜を１Ｏ−ＩＴｏｒｒの真空炉中で加熱
処理を行なった。

このようにしてｓｂと不純物元素を拡散処理したＩｎＳ
ｂ膜をホトエッチ１ング法によって幅２００μｍのホー
ル素子を形成し、実施例１と同じ条件下で、ホール出力
および雑音を評価した。

その結果、ｓｂ原子とその他のいずれの元素原子の組合
せにおいても実施例１と同じ加熱条件で良く、特に３０
０〜４００℃で１時間程度の加熱処理がＳ／Ｎの向上が
最も著しかった。

第２表はかかる固相拡散法によってＩｎＳｂ膜厚２μｍ
のホール素子の場合に得られたＳ／Ｎである。

表２に示すように、ｓｂ原子とその他の原子をドープし
たＩｎＳｂ膜は、ｓｂの供給なしで不純物を拡散した場
合に得られるＳ／Ｈの最大値、すなわち７９〜８０ ｄ
Ｂよりもさらに大きなＳ／Ｎが得られた。

上記実施例は、１Ｏ−１Ｔｏｒｒの雰囲気中でＩｎＳｂ
を拡散処理したが、不活性ガス中で処理してもよく、ま
たあらかじめＩｎＳｂ膜表面に適当な保護膜を被覆すれ
ば大気中で行なってもよい。

またＩｎＳｂ膜表面にｓｂ元素およびその他の不純物元
素を含有する材料を接触させて固有拡散を行なったが、
所望の不純物元素をドープした基板材料を用いるか、あ
らかじめｓｂ元素とその他の不純物元素を被着した基板
の上にＩｎＳｂ膜を形成し、しかる後ゾーンメルトもし
くは溶融処理をし拡散処理を施してもよい。

以上、ＩｎＳｂ膜の表面または裏面にｓｂ元素原子およ
びその他の所望の不純物元素を接触させ、適当な加熱処
理によってＩｎＳｂ膜中に固相拡散させる方法である。

この方法は、ｓｂ原子およびその他の不純物元素の拡散
量を加熱温度および加熱時間で制御できる利点がある。

実施例 ３ 実施例２と同じようにフェライト上にダウコーニング社
の７０５９ガラス膜を被着した基板上に三温度法で化学
当量組成のＩｎＳｂを２μｍ堆積した。

しかる後、拡散すべき元素の１つであるｓｂをさらに０
．１μｍ蒸着して、ＩｎＳｂとｓｂの重ね膜にした。

その後、一方の不純物元素がＮａもしくはＫの場合、Ｎ
ａ ＯＨもしくはＫＯＨの１０係アルコール溶液中に
浸漬し乾燥後、■ｎ２０３の保護膜を形成してゾーンメ
ルト処理を行なった。

このゾーンメルトにおいてＩｎＳｂ膜は溶融するため、
ＩｎＳｂ膜表面の不純物原子のＮａあるいは一旦ＩｎＳ
ｂ中にとりこまれて１０２０ＣｒｒＬ−３以上の濃度と
なる。

しかしゾーンメルトは不純物の偏析効果があるため、ゾ
ーンメルトを繰返すことで５Ｘ１０１６□〜１×１０１
８．−３の適当な濃度にまで純化できる。

このようにして得られたＩｎＳｂ膜のＳ／Ｎを、実施例
２と同様な方法で評価した結果、実施例２で得た第２表
と同様な結果が得られた。

この方法は、ゾーンメルトの繰返しによって不純物濃度
を制御するものであるが、Ｃｕ ｚ Ａｕ、Ａｇｔなど
の元素の場合はＩｎＳｂ膜に被着する量、例えば不純物
材料の蒸着膜厚を制御することで、１回のゾーンメルト
で所望の不純物濃度を得ることができた。

［また、実施例２で述べた如き、所望の不純物元素をド
ープした基板を用いても良いことは勿論である。

なお、ｓｂ原子の供給法としては、本実施例で述べた外
部から供給する方法の他にＩｎＳｂ蒸着膜、形成の際に
化学当量比よりもｓｂ過剰な膜（溶融時にｓｂが析出し
ない程度が好ましい。

）をあらかじめ形成する方法がある。

このような膜について、ｓｂをのぞく不純物元素原子を
拡散させるＩｎＳｂ薄膜として用いると類似の結果を得
ることができ；た。

以上説明した如く、ＣｕｓＡｕｓＡｇｓＺｎｓＮａ ５
ＫｓＣａ、Ｂ、Ｌｔ＊Ｃａ＊Ｍｇ、ＰｂｔＢａ、ＡＣＦ
ｅ−の１種または２種以上の元素原子にｓｂ原子を供給
しつつ拡散を行なった多結晶ＩｎＳｂ膜は、雑音が小さ
くなり、ＲＨの増大とあいまってＳ／Ｎが極めて優れて
いることを見出した。

本発明は−ＰＥＭ効果による光電変換素子の製法として
用いることは任意であるが、特に低信号用薄膜感磁素子
の製造上有益である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 蒸着法により形成したＩｎＳｂ多結晶薄膜にゾーン
   メルトもしくは溶融処理を施した後、該薄膜をｓｂ拡散
   源に接触させ、ＩｎＳｂの融点以下の温度で加熱処理を
   施すことを特徴とするＩ ｎｓｂ多結晶薄膜の製造法。 ２ 前記ＩｎＳｂ多結晶薄膜の膜厚を０．１〜３μｍと
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＩｎ
   Ｓｂ多結晶薄膜の製造法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載のＩｎＳｂ
   多結晶の製造法において、前記加熱処理は２５０〜４０
   ０℃の温度で１分以上行なうことを特徴とするＩｎＳｂ
   多結晶薄膜の製造法。 ４ 特許請求の範囲第１項または第２項記載のＩｎＳｂ
   多結晶薄膜の製造法において、前記加熱処理は３００〜
   ４００°Ｃの温度で１分以上行なうことを特徴とするＩ
   ｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。 ５ 前記ｓｂ拡散源として、ｓｂの酸化物、ｓｂの水酸
   化物、もしくはｓｂを含有する熱硬化ガラスの少なくと
   も一者を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第３項のいずれかに記載のＩｎ５ｂ多結晶薄膜の
   製造法。 ６ 蒸着法により形成したＩｎＳｂ多結晶薄膜にｓｂ拡
   散源を接触させ、ゾーンメルトもしくは溶融処理を施す
   ことを特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜；の製造法。 ７ 前記ＩｎＳｂ多結晶薄膜の膜厚を０．１〜３μｍと
   することを特徴とする特許言責求の範囲第６項記載のＩ
   ｎ５ｂ多結晶薄膜の製造法。 ８ 蒸着法により形成したＩｎＳｂ多結晶薄膜にゾ−ン
   メルトもしくは溶融処理を施した後、該薄膜をｓｂ拡散
   源とＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｋ。 Ｃｄ、Ｂ、Ｌｉ 、Ｃａ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂａ、Ａｌ。 Ｆｅの群より選ばれた少なくとも一者の元素を含む拡散
   源とに接触させ、Ｉｎ５ｂの融点以下の温度ｉで加熱処
   理を施すことを特徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法
   。 ９ 前記ＩｎＳｂ多結晶薄膜の膜厚を０．１〜３μｍと
   することを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のＩｎ
   Ｓｂ多結晶薄膜の製造法。 ７１０特許請求の範囲第８項または９項記載のＩｎＳｂ
   多結晶薄膜の製造法において、前記加熱処理は２５０〜
   ４００℃の温度で１分以上行なうことを特徴とするＩｎ
   Ｓｂ多結晶薄膜の製造法。 １１ 特許請求の範囲第８項または第９項記載の５ Ｉ
   ｎＳｂ多結晶薄膜の製造法において、前記加熱処理は３
   ００〜４００°Ｃの温度で１分以上行なうことを特徴と
   するＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。 １２前記ｓｂ拡散源として、ｓｂの単体、ｓｂの酸化物
   、ｓｂの水酸化物、もしくはｓｂを含有する熱硬化ガラ
   スの少なくとも一者を用いることを特徴とする特許請求
   の範囲第８項ないし第１１項のいずれかに記載のＩｎ５
   ｂ多結晶薄膜の製造法。 １３前記Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎａ、に、Ｌｉ 、Ｃａ、Ｍｇ、
   ＢａＡｌ、Ｆｅの拡散源として、これらの水酸化物を用
   いることを特徴とする特許請求の範囲第９項ないし第１
   ２項のいずれかに記載のＩｎ５ｂ多結晶薄膜の製造法。 １４前記Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ
   。 Ａｌ）Ｆｅの拡散源として、これら元素の単体を用いる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第８項ないし第１２項
   のいずれかに記載のＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。 １５蒸着法により形成したＩｎＳｂ多結晶薄膜にｓｂ拡
   散源とＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎａ、に、Ｃｄ。 Ｂ、Ｌｉ 、Ｃａ２Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂａ、Ａｌ５Ｆｅの群
   より選ばれた少なくとも一者の元素を含む拡散源とを接
   触させ、ゾーンメルトもしくは溶融処理を施すことを特
   徴とするＩｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。 １６前記ＩｎＳｂ多結晶薄膜の膜厚を０．１〜３μｍと
   することを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載のＩ
   ｎＳｂ多結晶薄膜の製造法。 １７前記Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎａ、に、Ｌｉ、Ｃａ９Ｍｇ。 Ｂａ、Ａｌ、Ｆｅの拡散源として、これら元素の水酸化
   物を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１５項な
   いし第１６項のいずれかに記載のＩｎＳｂ多結晶薄膜の
   製造法。 １８ その表面にＩｎＳｂ多結晶薄膜を形成する基板と
   してＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎａ、に、Ｃｄ、Ｂ。 ＬｉｐＣａｔＭｇ、Ｐｂ、Ｂａ、Ａｌ、Ｆｅの群より選
   ばれた少なくとも一者の元素をドープした基板を用い前
   記元素の拡散源となすことを特徴とする特許請求の範囲
   第１５項ないし第１６項のいずれかに記載のＩｎＳｂ多
   結晶薄膜の製造法。