JPS5822013B2 - キシリレンジクロライドの製造方法 - Google Patents
キシリレンジクロライドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5822013B2 JPS5822013B2 JP51141305A JP14130576A JPS5822013B2 JP S5822013 B2 JPS5822013 B2 JP S5822013B2 JP 51141305 A JP51141305 A JP 51141305A JP 14130576 A JP14130576 A JP 14130576A JP S5822013 B2 JPS5822013 B2 JP S5822013B2
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- JP
- Japan
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- xylylene dichloride
- xylene
- dichloride
- xylylene
- chlorine
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、キシ’IJレンジクロライドの製造法、。
詳しくはキシレンの核置換メチル基を塩素化して、キシ
リレンジクロライドを製造する際に、キシレンと塩素を
含む反応液に紫外線含有光を照射しつつ、液相状態で塩
素化を行なわせてキシリレンジクロライドを製造し、つ
いでこのとき固態として析出して来るキシリレンジクロ
ライドを分離し、未反応キシレン及びキシレンのメチル
基の一つのみがモノクーし化されたもの、或はメチル基
がポリクロル化されたものからなる母液を反応工程へ再
循環使用することを特徴とする、キシレンからキシリレ
ンジクロライドを製造する方法に関する。
リレンジクロライドを製造する際に、キシレンと塩素を
含む反応液に紫外線含有光を照射しつつ、液相状態で塩
素化を行なわせてキシリレンジクロライドを製造し、つ
いでこのとき固態として析出して来るキシリレンジクロ
ライドを分離し、未反応キシレン及びキシレンのメチル
基の一つのみがモノクーし化されたもの、或はメチル基
がポリクロル化されたものからなる母液を反応工程へ再
循環使用することを特徴とする、キシレンからキシリレ
ンジクロライドを製造する方法に関する。
; 目的とするキシリレンジクロライドは次の構造式で
示されるようなキシレンの2個のメチル基が各々モノハ
ロゲン化したジハロゲン化物で、(但し、式中Xは塩素
原子を表わす。
示されるようなキシレンの2個のメチル基が各々モノハ
ロゲン化したジハロゲン化物で、(但し、式中Xは塩素
原子を表わす。
)その各々の核置換メチル基に1個ずつの反応性塩素原
子を有するところから、中間原料として有用であり、ま
たこの2官能性により合成樹脂、例えばポリウレタン樹
脂等の架橋剤として、あるいはこれら自体が殺虫剤とし
て極めて有用であって、その製造に本発明の方法が適用
できるので、本発明は工業的価値が高い。
子を有するところから、中間原料として有用であり、ま
たこの2官能性により合成樹脂、例えばポリウレタン樹
脂等の架橋剤として、あるいはこれら自体が殺虫剤とし
て極めて有用であって、その製造に本発明の方法が適用
できるので、本発明は工業的価値が高い。
紫外線含有光を照射しつつアルキル芳香族炭化水素をハ
ロゲン化する方法は、OrganicSynthese
sVo14984〜986頁(1963)にO−キシレ
ンを臭素化する例が記載されている。
ロゲン化する方法は、OrganicSynthese
sVo14984〜986頁(1963)にO−キシレ
ンを臭素化する例が記載されている。
また側鎖メチル基を有する芳香族炭化水素又はそのハロ
ゲン化物とハロゲンとを光照射しつつ、且つ少くとも(
1)三弗化硼素或はその活性保有誘導体及び(2)ハロ
ゲン化アンモニウムの存在下に反応させる方法は特公昭
40−28788により或はアルカリ土類金属のハロゲ
ン化物の存在下に反応させる方法は特公昭43−825
4によりいずれも公知である。
ゲン化物とハロゲンとを光照射しつつ、且つ少くとも(
1)三弗化硼素或はその活性保有誘導体及び(2)ハロ
ゲン化アンモニウムの存在下に反応させる方法は特公昭
40−28788により或はアルカリ土類金属のハロゲ
ン化物の存在下に反応させる方法は特公昭43−825
4によりいずれも公知である。
しかしこれ等の従来の紫外線含有光の照射によるアルキ
ル芳香族炭化水素のハロゲン誘導体製造法は、本発明の
目的とするキシリレンジクロライドの製造に使用すると
、望ましくない塩素化物を併発的に形成し、キシリレン
ジクロライドへの反応の選択性が劣悪である欠点を有す
る。
ル芳香族炭化水素のハロゲン誘導体製造法は、本発明の
目的とするキシリレンジクロライドの製造に使用すると
、望ましくない塩素化物を併発的に形成し、キシリレン
ジクロライドへの反応の選択性が劣悪である欠点を有す
る。
しかも望ましくない塩素化物は、目的とするキシリレン
ジクロライドと物性が極めて類似しているので塩素化反
応で生成したこれ等の混合物から目的とするキシリレン
ジクロライドのみを分離するのは実用上極めて困難であ
る。
ジクロライドと物性が極めて類似しているので塩素化反
応で生成したこれ等の混合物から目的とするキシリレン
ジクロライドのみを分離するのは実用上極めて困難であ
る。
例えば、これら塩素化物の沸点は極めて接近しているの
で蒸溜による分離取得が極めて困難であり、かつキシリ
レンジクロライドの融点が高いので蒸溜中に晶出して蒸
溜装置のパイプを閉塞する等の困難が起る。
で蒸溜による分離取得が極めて困難であり、かつキシリ
レンジクロライドの融点が高いので蒸溜中に晶出して蒸
溜装置のパイプを閉塞する等の困難が起る。
またp−キシリレンクロライドとp−クロルメチルベン
ザルジクロライドとは共晶物を形成するので晶析法によ
る分離は難しい。
ザルジクロライドとは共晶物を形成するので晶析法によ
る分離は難しい。
従って上記公知の方法によって、キシリレンジクロライ
ドを反応工程に於いて生成させても、これらの塩素化物
の混合物からキシリレンジクロライドのみを経済的に分
離する事が従来から工業上の障害であった。
ドを反応工程に於いて生成させても、これらの塩素化物
の混合物からキシリレンジクロライドのみを経済的に分
離する事が従来から工業上の障害であった。
本発明の目的は前記キシリレンジクロライドの分離取得
の困難を解決する為の、またその収率を向上させた製造
方法を提供することにある。
の困難を解決する為の、またその収率を向上させた製造
方法を提供することにある。
換言すれば、望ましくない塩素化物の生成を最小限度に
とどめ、極めて純度の高いキシリレンジクロライドを反
応液から固態の形で収率良く経済的に分離取得し、かつ
原料であるキシレン及び塩。
とどめ、極めて純度の高いキシリレンジクロライドを反
応液から固態の形で収率良く経済的に分離取得し、かつ
原料であるキシレン及び塩。
素の消費原単位を改善する為のキシリレンジクロライド
の製造法を提供する事である。
の製造法を提供する事である。
発明者等はこの課題達成のために、紫外線含有光を照射
しつつ液相状態で、キシレンに塩素を作用させれば、目
的物のキシリレンジクロライドは。
しつつ液相状態で、キシレンに塩素を作用させれば、目
的物のキシリレンジクロライドは。
メタンの塩素化物である溶剤への溶解度が、小さいため
固態として析出し、未反応キシレン、そのモノクロル化
物、1個のメチル基が2個以上の塩素で置換されたポリ
クロル化メチル基を有するもの等の望ましくない塩素化
物は固態析出をしない・で溶液の状態で存在する事を見
出した。
固態として析出し、未反応キシレン、そのモノクロル化
物、1個のメチル基が2個以上の塩素で置換されたポリ
クロル化メチル基を有するもの等の望ましくない塩素化
物は固態析出をしない・で溶液の状態で存在する事を見
出した。
この場合、目的とするキシリレンジクロライドは反応液
から固態析出と言う簡易な手段により分離され、取得さ
れたキシリレンジクロライドはほとんど不純物を含有し
ないことが判明した。
から固態析出と言う簡易な手段により分離され、取得さ
れたキシリレンジクロライドはほとんど不純物を含有し
ないことが判明した。
更に、上記のキシリレンジクロライドを分離した後の析
出母液は未反応キシレンが主成分であり、飽和に近く溶
解したキシリレンジクロライドと望ましくない塩素化物
を含有するものであるが、該母液はそのまま反応器へ再
循環し、原料として反応器へ新らしく装入されるキシレ
ンと共に繰返し塩素化に供することができる。
出母液は未反応キシレンが主成分であり、飽和に近く溶
解したキシリレンジクロライドと望ましくない塩素化物
を含有するものであるが、該母液はそのまま反応器へ再
循環し、原料として反応器へ新らしく装入されるキシレ
ンと共に繰返し塩素化に供することができる。
上記母液を再循環すれば反応器における望ましくない塩
素化物の生成が抑制されるので、新らたに装入したキシ
レンに作用させる塩素の装入量は過剰とならぬ様に、目
的とするキシリレンジクロライドが生成するに必要な化
学的当量だけ加えれハ良い。
素化物の生成が抑制されるので、新らたに装入したキシ
レンに作用させる塩素の装入量は過剰とならぬ様に、目
的とするキシリレンジクロライドが生成するに必要な化
学的当量だけ加えれハ良い。
キシリレンジクロライドは生成するに従って飽和に近い
状態にある反応液から固態の形ではぼ定量的に取得され
、一方望ましくない塩素化物は反応液中に溶解しており
、その濃度を概ね一定に維持することが可能であり、従
ってその生成を殆んど回避しうろことが判明した。
状態にある反応液から固態の形ではぼ定量的に取得され
、一方望ましくない塩素化物は反応液中に溶解しており
、その濃度を概ね一定に維持することが可能であり、従
ってその生成を殆んど回避しうろことが判明した。
本発明はキシレンと塩素とから、キシリレンジクロライ
ドを製造する際に、溶剤の存在下で液相に於いて、紫外
線含有光を照射しつ5キシレンに塩素を作用させ塩化水
素及びキシリレンジクロライドを形成せしめたのち、固
態として析出してくる該キシリレンジクロライドを分離
し、且つ未反応キシレン、及び該キシリレンジクロライ
ド以外の、モノクロル化物とポリクロルメチル化物を塩
素化反応工程へ再循環使用することを特徴とする、キシ
リレンジクロライドを製造する方法である。
ドを製造する際に、溶剤の存在下で液相に於いて、紫外
線含有光を照射しつ5キシレンに塩素を作用させ塩化水
素及びキシリレンジクロライドを形成せしめたのち、固
態として析出してくる該キシリレンジクロライドを分離
し、且つ未反応キシレン、及び該キシリレンジクロライ
ド以外の、モノクロル化物とポリクロルメチル化物を塩
素化反応工程へ再循環使用することを特徴とする、キシ
リレンジクロライドを製造する方法である。
本発明に用いるキシレンは0−キシレン、m−キシレン
、p−キシレン、などである。
、p−キシレン、などである。
次に本発明では、塩素を用いる。
反応工程に於ける塩素の供給量は、キシレンをキシリレ
ンジクロライドとするに必要な化学的当量以下にすれば
本発明の効果は良く発揮される。
ンジクロライドとするに必要な化学的当量以下にすれば
本発明の効果は良く発揮される。
本発明の方法は必ずしも溶剤を用いなくとも可能である
が、溶剤を用いれば効果的である。
が、溶剤を用いれば効果的である。
本発明に用いられる溶剤はメタンの塩素化物である。
例えば四塩化炭素、クロロホルム、特に四塩化炭素が効
果的である。
果的である。
ここに言う紫外線含有光の照射は、自然光、水銀アーク
ランプ、水素放電管、閃光放電ランプ等のこの分野で通
常使用される光源より発する紫外線含有光の照射であれ
ば、特に光源の種類により限定されない。
ランプ、水素放電管、閃光放電ランプ等のこの分野で通
常使用される光源より発する紫外線含有光の照射であれ
ば、特に光源の種類により限定されない。
又本発明で適用する反応温度は通常O′C乃至溶剤を使
用した反応溶液の沸点以下の温度までが適用可能である
。
用した反応溶液の沸点以下の温度までが適用可能である
。
例えば、10℃〜30℃が好適である。
又本発明におけるキシリレンジクロライドの分離取得に
は涙過、遠心分離、沈降濃縮等、通常の化学工業で用い
られる方法が用いられる。
は涙過、遠心分離、沈降濃縮等、通常の化学工業で用い
られる方法が用いられる。
以上述べた様に本発明の方法は得られたキシリレンジク
ロライドの純度が高く、且つ望ましくない塩素化物の生
成を最小限度にとどめる利点を併せ有するのでキシリレ
ンジクロライドの収率が改善される。
ロライドの純度が高く、且つ望ましくない塩素化物の生
成を最小限度にとどめる利点を併せ有するのでキシリレ
ンジクロライドの収率が改善される。
次に本発明を実施例により説明するが本発明の範囲はこ
れにより限定されるものではない。
れにより限定されるものではない。
実施例 1
p−キシレン40.6g、四塩化炭素240gの反応液
を20℃に保持して100Wの高圧水銀アークランプに
よる紫外線照射下に塩素ガス45.3gを導入した。
を20℃に保持して100Wの高圧水銀アークランプに
よる紫外線照射下に塩素ガス45.3gを導入した。
反応開始後しばらくしてp−キシリレンジクロライドの
結晶が析出した反応液はスラリー状となった。
結晶が析出した反応液はスラリー状となった。
反応終了後ガスクロマトグラフィーによる分析の結果、
未反応p−キシレン23・69.p−キシリレンジクロ
ライド30.7g、望ましくないハロゲン誘導体7.8
gの生成を認めた。
未反応p−キシレン23・69.p−キシリレンジクロ
ライド30.7g、望ましくないハロゲン誘導体7.8
gの生成を認めた。
p−キシリレンジクロライドの収率は45,9係であっ
た。
た。
この反応液から炉別して得られたp −キシリレンジク
ロライドの結晶は222gでありガスクロマトグラフィ
ーより求めた純度は94係であった。
ロライドの結晶は222gでありガスクロマトグラフィ
ーより求めた純度は94係であった。
次に本発明の方法を適用するため、上記戸別により得ら
れたp−キシレン0.5,9、α−クロロ−p−キシレ
ン23.6g、p−キシリレンジクロライド9.8!!
および望ましくないハロゲン誘導体7.8g及び四塩化
炭素からなる母液340yに新しくp−キシレン669
gを添加し、上記の方法にて再度塩素ガス75.1gを
導入し塩素化を行なった。
れたp−キシレン0.5,9、α−クロロ−p−キシレ
ン23.6g、p−キシリレンジクロライド9.8!!
および望ましくないハロゲン誘導体7.8g及び四塩化
炭素からなる母液340yに新しくp−キシレン669
gを添加し、上記の方法にて再度塩素ガス75.1gを
導入し塩素化を行なった。
反応終了後未反応p−キシレン0.6g1α−り四ロー
p−キシレン60.2g、p−キシリレンジクロライド
668g、望ましくないハロゲン誘導体9.6gの存在
を認めた。
p−キシレン60.2g、p−キシリレンジクロライド
668g、望ましくないハロゲン誘導体9.6gの存在
を認めた。
この反応液から炉別して得られたp−キシリレンジクロ
ライドは58.8gであり純度は96係であった。
ライドは58.8gであり純度は96係であった。
p −キシリレンジクロライドのp−キシレンに対する
58.8 x O,96x 106.2 収率は□xlOO=51..2 175.07 x 67.4 係であった。
58.8 x O,96x 106.2 収率は□xlOO=51..2 175.07 x 67.4 係であった。
実施例 2
0−キシレン65g、四塩化炭素250gの反応液を2
0℃に保持して100Wの高圧水銀アークランプによる
紫外線照射下に塩素ガス59.9gを導入した。
0℃に保持して100Wの高圧水銀アークランプによる
紫外線照射下に塩素ガス59.9gを導入した。
反応終了後ガスクロマトグラフィーによる分析の結果、
α−り四ロー〇−キシレン38.9g、0−キシリレン
ジクロライド37.5 g、望ましくないハロゲン誘導
体7.9gの生成を認めた。
α−り四ロー〇−キシレン38.9g、0−キシリレン
ジクロライド37.5 g、望ましくないハロゲン誘導
体7.9gの生成を認めた。
つぎに戸別により得られたα−クロロ−o −キシレン
360g、0−キシリレンジクロライド12.5g、望
ましくないハロゲン誘導体7.5g及び四塩化炭素から
なる母液292gに新たに〇−キシレン50.1.9を
添加し実施例1の方法にて再度塩素ガス61.5.9を
導入し塩素化を行なった。
360g、0−キシリレンジクロライド12.5g、望
ましくないハロゲン誘導体7.5g及び四塩化炭素から
なる母液292gに新たに〇−キシレン50.1.9を
添加し実施例1の方法にて再度塩素ガス61.5.9を
導入し塩素化を行なった。
反応終了後、α−クロロ−〇−キシレノ39.7g、0
−キシリレンジクロライド63.6g、望ましくないハ
ロゲン誘導体27.1 iの存在を認めた。
−キシリレンジクロライド63.6g、望ましくないハ
ロゲン誘導体27.1 iの存在を認めた。
この反応液から戸別して得られた0−キシリレンジクロ
ライドは47.5 gであり、純度は96チであった。
ライドは47.5 gであり、純度は96チであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 キシレンと塩素とから、キシリレンジクロライドを
製造する際に、メタンの塩素化物を溶剤と4して液相に
於いて紫外線含有光を照射しつ5前記キシレンに塩素を
作用させ、塩化水素及びキシリレンジクロライドを形成
せしめたのち、固態として析出してくる該キシリレンジ
クロライドを分離し、且つ未反応キシレン、及び該キシ
リレンジク。 ロライド以外の、モノクロル化物とポリクロル化物をハ
ロゲン化反応工程へ再循環使用することを特徴とする、
キシリレンジクロライドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141305A JPS5822013B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | キシリレンジクロライドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141305A JPS5822013B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | キシリレンジクロライドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5365830A JPS5365830A (en) | 1978-06-12 |
| JPS5822013B2 true JPS5822013B2 (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=15288790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51141305A Expired JPS5822013B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | キシリレンジクロライドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822013B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221505A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-01 | 三菱電機株式会社 | 閉鎖配電盤のしや断器の取替方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343939B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1978-11-24 |
-
1976
- 1976-11-26 JP JP51141305A patent/JPS5822013B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221505A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-01 | 三菱電機株式会社 | 閉鎖配電盤のしや断器の取替方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5365830A (en) | 1978-06-12 |
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