JPS582271B2 - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS582271B2 JPS582271B2 JP4594378A JP4594378A JPS582271B2 JP S582271 B2 JPS582271 B2 JP S582271B2 JP 4594378 A JP4594378 A JP 4594378A JP 4594378 A JP4594378 A JP 4594378A JP S582271 B2 JPS582271 B2 JP S582271B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- thin plates
- thin
- laminate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスパッタリングターゲットに関する。
例えば抵抗薄膜をスパツタ装置で形成する際に用いるタ
ーゲットが抵抗材料となる金属単体又は金属化合物のみ
から成っている場合には、所望の抵抗値を得させるため
に薄膜の膜厚を極端に薄くし或いは寸法を極端に小さく
しなくてはならない。
ーゲットが抵抗材料となる金属単体又は金属化合物のみ
から成っている場合には、所望の抵抗値を得させるため
に薄膜の膜厚を極端に薄くし或いは寸法を極端に小さく
しなくてはならない。
それ故普通には金属単体又は金属化合物と絶縁物とを焼
結した焼結体をスパッタリングターゲットとしている。
結した焼結体をスパッタリングターゲットとしている。
しかしこの種のターゲットでは，例えば金属と絶縁物と
の比重差による偏析が生じることにより使用回数を重ね
る毎に形成される薄膜の抵抗値を変動するし，更に例え
ばスパッタリング面の各部で均一組成となるように焼結
されることが困難であるために一回のスパッタリングで
形成される薄膜が内部位置により抵抗値を変動する等の
欠点を避け難い。
の比重差による偏析が生じることにより使用回数を重ね
る毎に形成される薄膜の抵抗値を変動するし，更に例え
ばスパッタリング面の各部で均一組成となるように焼結
されることが困難であるために一回のスパッタリングで
形成される薄膜が内部位置により抵抗値を変動する等の
欠点を避け難い。
この発明はこのような欠点を除き改良されたもので即ち
（］）材料を異にする二種以上の薄板を積属して形成し
た積層体の，何れかの積層露出面をスパッタリング面と
することを特徴とするスパッタリングターゲット，（２
）各薄板を貫通し両端薄板に溶接された媒体により積層
体が一体となされている前記（１）項記載のスパッタリ
ングターゲット、及び（３）両端薄板に設けられたＶ字
溝に嵌合する突出縁を対向する二辺に備えた有底の係止
片により積層体が一体となされている前記（１）項記載
のスパッタリングターゲットにある。
（］）材料を異にする二種以上の薄板を積属して形成し
た積層体の，何れかの積層露出面をスパッタリング面と
することを特徴とするスパッタリングターゲット，（２
）各薄板を貫通し両端薄板に溶接された媒体により積層
体が一体となされている前記（１）項記載のスパッタリ
ングターゲット、及び（３）両端薄板に設けられたＶ字
溝に嵌合する突出縁を対向する二辺に備えた有底の係止
片により積層体が一体となされている前記（１）項記載
のスパッタリングターゲットにある。
このようなこの発明のスパッタリングターゲットは，何
れも容易安価に得られ、形成される例えば抵抗薄膜の抵
抗値を，ターゲット使用回数又はスパッタリング面内位
置に係りなく一定に得させる利点を有する。
れも容易安価に得られ、形成される例えば抵抗薄膜の抵
抗値を，ターゲット使用回数又はスパッタリング面内位
置に係りなく一定に得させる利点を有する。
以下図面に基いてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図はこの発明の実施例であるスパッタリングターゲ
ットを示し，金属単体又は金属化合物例えばタンタルの
抵抗材料薄板１と例えば二酸化ケイ素の絶縁材料薄板２
が長さＡ，巾Ｈを等しくし，厚さを抵抗材科でＤ１，絶
縁材料でＤ２として交互に高さＢだけ積層されている。
ットを示し，金属単体又は金属化合物例えばタンタルの
抵抗材料薄板１と例えば二酸化ケイ素の絶縁材料薄板２
が長さＡ，巾Ｈを等しくし，厚さを抵抗材科でＤ１，絶
縁材料でＤ２として交互に高さＢだけ積層されている。
このスパッタリングターゲットでは，積層された各薄板
１，２が露出する面をスパッタリング面３とする。
１，２が露出する面をスパッタリング面３とする。
この例のスパッタリング面盈を考慮する時，形成される
薄膜の抵抗値を位置によるバラツキを低減して形成する
ためには、 Ｄｌ、Ｄ２は共に充分小さく例えば５ｍｍ
以下とするとよい。
薄膜の抵抗値を位置によるバラツキを低減して形成する
ためには、 Ｄｌ、Ｄ２は共に充分小さく例えば５ｍｍ
以下とするとよい。
抵抗値の設定は薄板１と薄板２がそれぞれスパッタリン
グ面Ｋを占める面積化，即ち抵抗材料薄板の全面積＝Ａ
ＸＤ，Ｘ枚数と絶縁材料薄板の全面積＝ＡｘＤ２×枚数
との比で決定される。
グ面Ｋを占める面積化，即ち抵抗材料薄板の全面積＝Ａ
ＸＤ，Ｘ枚数と絶縁材料薄板の全面積＝ＡｘＤ２×枚数
との比で決定される。
この比を所望抵抗値により変えるためには厚ＤＩ ＞
Ｄ２を変更するか，又は枚数を変更すればよい。
Ｄ２を変更するか，又は枚数を変更すればよい。
工作可能の範囲で薄い厚さＤ，又はＤ２を標準化して一
定にしておくと両材料薄板の枚数比をかえることで形成
される薄膜の調整が容易になされる。
定にしておくと両材料薄板の枚数比をかえることで形成
される薄膜の調整が容易になされる。
第１図の例は積層体４が二種の薄板で形成されているけ
れども，互に材料を異にする例えば三種の薄板で形成さ
れていてもよく，同様に用いられて薄膜を得ることがで
きる。
れども，互に材料を異にする例えば三種の薄板で形成さ
れていてもよく，同様に用いられて薄膜を得ることがで
きる。
第２図は長さが大で、第１図の例のように一枚の薄板で
は工作上得難い場合に長さＡ１，Ａ２及びＡ３の各薄板
積層郡を一体にして使用に供するようにしたスパッタリ
ングターゲット４′を示す。
は工作上得難い場合に長さＡ１，Ａ２及びＡ３の各薄板
積層郡を一体にして使用に供するようにしたスパッタリ
ングターゲット４′を示す。
薄板積層体は，薄板のそれぞれに第３図に示すような開
孔５１，５２を設け，これ等各開孔を貫通ずる例えば何
れかの薄板と同一材料から成る棒体６１，６２を用いて
これを嵌挿し，積層体両端薄板にこの棒体を溶接するこ
とによって一体となされている。
孔５１，５２を設け，これ等各開孔を貫通ずる例えば何
れかの薄板と同一材料から成る棒体６１，６２を用いて
これを嵌挿し，積層体両端薄板にこの棒体を溶接するこ
とによって一体となされている。
或いは又第４図に示すように両端薄板７１ ，７２に例
えばＶ字溝８１，８２を設けた積層体１を，このＶ字溝
に嵌合する断面Ｖ字突出縁９１，９２を対向する二辺の
内側に備えた有底の係止片１０で一体に構成してもよい
。
えばＶ字溝８１，８２を設けた積層体１を，このＶ字溝
に嵌合する断面Ｖ字突出縁９１，９２を対向する二辺の
内側に備えた有底の係止片１０で一体に構成してもよい
。
係止片も何れか薄板と同一材料で形成する。
或いは係止片の代りに細線を用い結束して一体にしても
よい。
よい。
この発明の積層体からなるスパツタリングターゲットは
使用を重ねた時，物質による減少率が異る場合には解体
して消耗した薄板を交換出来，得られる薄膜の性状を一
定に図ることができる利点もある。
使用を重ねた時，物質による減少率が異る場合には解体
して消耗した薄板を交換出来，得られる薄膜の性状を一
定に図ることができる利点もある。
第１図，第２図及び第４図は何れもこの発明の実施例を
示すスパッタリングターゲットに係る斜視図、第３図は
同じく開孔を設けられている薄板を示す斜視図である。 Ｌ２，７１，７２・・・・・・薄板、４，４′，ｅ・・
・・・・積層体，盈・・・・・・スパッタリング面、６
１，６２・・・・・・棒体、８１，８２・・・・・・ｖ
字溝，１０・・・・・・係止片。
示すスパッタリングターゲットに係る斜視図、第３図は
同じく開孔を設けられている薄板を示す斜視図である。 Ｌ２，７１，７２・・・・・・薄板、４，４′，ｅ・・
・・・・積層体，盈・・・・・・スパッタリング面、６
１，６２・・・・・・棒体、８１，８２・・・・・・ｖ
字溝，１０・・・・・・係止片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 材料を異にする二種以上の薄板を積層して形成した
積層体の，積層された各薄板が露出する面をスパッタリ
ング面とすることを特徴とするスパッタリングターゲッ
ト。 ２ 各薄板を貫通し両端薄板に溶接された棒体により積
層体が一体となされていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のスパッタリングターゲット。 ３ 両端薄板に設けられたＶ字溝に嵌合する突出縁を対
向する二辺に備えた有底の係止片により積層体が一体と
なされていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594378A JPS582271B2 (ja) | 1978-04-20 | 1978-04-20 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594378A JPS582271B2 (ja) | 1978-04-20 | 1978-04-20 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54138877A JPS54138877A (en) | 1979-10-27 |
| JPS582271B2 true JPS582271B2 (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=12733347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4594378A Expired JPS582271B2 (ja) | 1978-04-20 | 1978-04-20 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582271B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4595482A (en) * | 1984-05-17 | 1986-06-17 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
-
1978
- 1978-04-20 JP JP4594378A patent/JPS582271B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54138877A (en) | 1979-10-27 |
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