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JPS582357B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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JPS582357B2 - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

Info

Publication number
JPS582357B2
JPS582357B2 JP99577A JP99577A JPS582357B2 JP S582357 B2 JPS582357 B2 JP S582357B2 JP 99577 A JP99577 A JP 99577A JP 99577 A JP99577 A JP 99577A JP S582357 B2 JPS582357 B2 JP S582357B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
treatment furnace
inert gas
furnace tube
outside air
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP99577A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5385774A (en
Inventor
大森雅司
大倉五佐雄
浜正治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP99577A priority Critical patent/JPS582357B2/ja
Publication of JPS5385774A publication Critical patent/JPS5385774A/ja
Publication of JPS582357B2 publication Critical patent/JPS582357B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は酸化あるいは不純物拡散等高温熱処理を必要
とする製造方法に用いる熱処理装置に関するものである
以下半導体装置の製造方法を例にとり説明する。
従来の熱処理装置の一例として熱処理炉の断面を第1図
に示す。
この図で、1は熱処理炉管、2は熱処理すべきウエハの
挿入口、3は前記挿入口2の開閉を行うための蓋体、4
は前記熱処理炉管1を加熱するヒータである。
このような装置は従来、半導体装置の製造において、例
えば酸化工程、不純物拡散工程等高温熱処理に広く使わ
れている。
熱処理を行うに当り、蓋体3をはずしウエハを出し入れ
するが、この時の挿入速度および引出し速度は製造され
る半導体装置の特性を左右するものできわめて重要であ
る。
すなわち、挿入速度および引出し速度が早い場合には、
ウエハに歪が発生して、p−n接合の逆方向飽和電流が
増大したり、あるいはバイポーラトランジスタにおいて
はhFEが低下する等の特性の劣化、および歩留りの低
下を来すことが多い。
また挿入速度および引出し速度が遅い場合には、上述し
た速い場合とは異なった不都合が生じる。
第2図aは上述した熱処理炉における熱処理炉管1の挿
入口2近傍の温度分布図であり、第2図bは外部空気の
侵入状態を示す図で、第2図aの横軸と第2図bの横軸
は対応させてある。
蓋体3を取りはずしたときの外部空気は、熱処理炉管1
の挿入口2から内部に50〜70cmも侵入し、均熱帯
の一部にも到達している。
ウエハの挿入速度が遅いときには、外気雰囲気中で昇温
されるため、外気中の酸素や、水蒸気により不必要に酸
化されることになる。
したがって、酸化膜形成を目的とする熱処理工程におい
ては、形成される酸化膜が不均一となり、また不純物拡
散を目的とする熱処理工程においては、拡散される不純
物が不均一となる欠点がある。
またウエハの引出し速度が遅い場合には、外気中の酸素
雰囲気中で低温熱処理を行うのと等価となり、不必要な
酸化嘆の生成が起ると同時に、シリコンとシリコン酸化
膜の界面に存在する表面準位密度を増大させることにな
る。
特にMOSの電界効果トランジスタにおいては、この表
面準位密度は、しきい値電圧に直接影響を与えるが、こ
の状態を第3図に示す。
すなわち、第3図中、aはウエハの引出し速度が60c
m/secの場合のしきい値電圧の分布を示し、bは同
じく0.1cm/secの場合のしきい値電圧の分布を
示している。
したがって、上記aの場合は、ウエハが比較的急激に冷
却されるため、上記表面準位密度の数は少なく、かつ、
ばらつきも少ない。
またbの場合は、ウエハが除々に冷却されるため、外気
中の酸素が影響して表面準位密度の数が増大し、かつ、
ばらつきが多くなっている。
これらのことから半導体装置の製造における熱処理時の
挿入速度および引出し速度は高温部への外気の侵入をお
さえた状態で低速で行うことが必要であることがわかる
ところで、外気の侵入を防ぐ方法として第4図に示す方
法が考えられる。
この方法においては、熱処理炉管1の挿入口2の近傍に
不活性ガス(窒素、アルゴン等)流出口5を設ける方法
であり、挿入および引出し時に不活性ガス流出口5より
不活性ガスを吹出し、ガスカーテン6を作ることにより
外気を遮へいするものである。
しかし、この方法においては熱処理炉管1に不活性ガス
流出口5がつけられているため、熱処理炉管1の取りは
ずしゃ洗浄の際不活性ガス流出口5を破損することが多
いという不都合がある。
この発明は、上述のような不都合を解決するためになさ
れたもので、その一実施例を第5図に示す。
この図で、7はパージ管で熱処理炉管1にすり合せ等の
方法で取り付けられており、このパージ管7の一部に不
活性ガス流出口5を設け、この部分より不活性ガスを吹
き出すよう構成されている。
このような構成をとることにより、熱処理炉管1の取り
はずし、洗浄の際にパージ管7を取りはずすことができ
、不活性ガス流出口5を破損することを防ぐことができ
る。
なお、不活性ガス流出口5は複数個設けることにより、
外気の侵入をより完全に防止しうろことができることは
言うまでもない。
またパージ管7の他端はすり合せ等により第2図に示す
ような蓋体3を取り付けるようにしてもよい。
以上説明したように、この発明は熱処理炉管の出口にパ
ージ管を設け、こゝから不活性ガスを流出せしめてガス
カーテンを作るようにしたので、ウエハの出し入れによ
って熱処理炉管内に外気の侵入するのが少なくなる。
しかもパージ管に不活性ガス流出口を設けたので、熱処
理炉管を取りはずす際も不活性ガス流出口を破損するこ
とがない利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の熱処理炉の断面図、第2図a,bは熱処
理炉内の温度分布と外気雰囲気の侵入状態を示す特性図
、第3図はウエハの引出し速度が速い場合と遅い場合の
しきい値電界の分布図、第4図は外気の侵入を防止する
ため考えられた従来の方法を示す断面図、第5図はこの
発明の一実施例を示す断面図である。 図中、1は熱処理炉管、2は挿入口、3は蓋体、4はヒ
ータ、5は不活性ガス流出口、6はガスカーテン、7は
パージ管である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 熱処理炉管の出口にガスカーテンを作るための不活
    性ガス流出口をもったパージ管を取り付けたことを特徴
    とする熱処理装置。
JP99577A 1977-01-08 1977-01-08 熱処理装置 Expired JPS582357B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99577A JPS582357B2 (ja) 1977-01-08 1977-01-08 熱処理装置

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JP99577A JPS582357B2 (ja) 1977-01-08 1977-01-08 熱処理装置

Publications (2)

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JPS5385774A JPS5385774A (en) 1978-07-28
JPS582357B2 true JPS582357B2 (ja) 1983-01-17

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ID=11489168

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JP99577A Expired JPS582357B2 (ja) 1977-01-08 1977-01-08 熱処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57206032A (en) * 1981-06-15 1982-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd Device for manufacturing semiconductor

Also Published As

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JPS5385774A (en) 1978-07-28

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