JPS5823926B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS5823926B2 JPS5823926B2 JP52136084A JP13608477A JPS5823926B2 JP S5823926 B2 JPS5823926 B2 JP S5823926B2 JP 52136084 A JP52136084 A JP 52136084A JP 13608477 A JP13608477 A JP 13608477A JP S5823926 B2 JPS5823926 B2 JP S5823926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- furnace
- heat treatment
- outside air
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は熱処理装置、特に開管形拡散炉などの熱処理
装置に関するものである。
装置に関するものである。
半導体装置などの製造に使用する開管形拡散炉の従来例
を第１図に示しである。
を第１図に示しである。
この第１図において、１は石英ガラス管などからなるプ
ロセス管２はこのプロセス管１の外周囲に配設された磁
性管などによる均熱管、３はこの均熱管２の外周囲に同
様に配設された高周波コイルなどによるヒータであり、
熱処理に際して使用されるガスは、プロセス管１の一端
側インジエクタ１１から管内に導入され、他端側管口部
１２より排気されるようになっている。
ロセス管２はこのプロセス管１の外周囲に配設された磁
性管などによる均熱管、３はこの均熱管２の外周囲に同
様に配設された高周波コイルなどによるヒータであり、
熱処理に際して使用されるガスは、プロセス管１の一端
側インジエクタ１１から管内に導入され、他端側管口部
１２より排気されるようになっている。
しかしてこのような拡散炉においては、管口部１２の断
面積が大きい程、符号４で示した外気の廻り込み部分が
、内部に入り込むことになる。
面積が大きい程、符号４で示した外気の廻り込み部分が
、内部に入り込むことになる。
そしてこの外気の廻り込みによって、例えばシリコンウ
ェハを水蒸気雰囲気で酸化する場合には、シリコンウェ
ハの炉内位置、ウェハ上の位置により、酸化膜厚が大き
く異なるなどの悪影響を生ずる。
ェハを水蒸気雰囲気で酸化する場合には、シリコンウェ
ハの炉内位置、ウェハ上の位置により、酸化膜厚が大き
く異なるなどの悪影響を生ずる。
こ＼で前記第１図Ａ−Ａ部の炉断面内でのガスの動きは
、第２図に矢印で示したとおりであり、このようなガス
の流れは、高温の均熱部を経て加熱されたガスが低温領
域に入ると、管壁に近い部分で冷却され、このために管
壁に沿う下降流が生ずるものと考えられ、この作用に伴
って前記した外気が管内低部側により一層入り込み易く
なるのである。
、第２図に矢印で示したとおりであり、このようなガス
の流れは、高温の均熱部を経て加熱されたガスが低温領
域に入ると、管壁に近い部分で冷却され、このために管
壁に沿う下降流が生ずるものと考えられ、この作用に伴
って前記した外気が管内低部側により一層入り込み易く
なるのである。
そしてこのような管口部から管内への外気の廻り込みを
阻止するために従来は、実効的に管口部の開口面積を小
さくするエンドキャップを用いたす、外気遮蔽のための
バッフル板を用いる方法が、第３図に示したように採用
されている。
阻止するために従来は、実効的に管口部の開口面積を小
さくするエンドキャップを用いたす、外気遮蔽のための
バッフル板を用いる方法が、第３図に示したように採用
されている。
すなわち、この第３図において、５は管口部１２を閉じ
るエンドキャップ、６は管内に挿入されるバッフル板、
７は被処理物の搬入、搬出を行なうボート、８はこのボ
ート７の引出し棒である。
るエンドキャップ、６は管内に挿入されるバッフル板、
７は被処理物の搬入、搬出を行なうボート、８はこのボ
ート７の引出し棒である。
しかし乍らエンドキャップ５を用いる場合は、プロセス
管１の管口部１２に対して充分な密着を再現性よく得る
ことができず、またバッフル板６を用いる場合は、プロ
セス管１の内径にバッフル板６の直径を一杯に合わせ、
特に管内底部側とバッフル板下部側との間隙を小さくす
る必要があるが、大口径のプロセス管はど熱処理中に自
重による変形を受は易いことから、実際上この間隙を小
さくできず、外気の廻り込みを防ぎ得ないものであった
。
管１の管口部１２に対して充分な密着を再現性よく得る
ことができず、またバッフル板６を用いる場合は、プロ
セス管１の内径にバッフル板６の直径を一杯に合わせ、
特に管内底部側とバッフル板下部側との間隙を小さくす
る必要があるが、大口径のプロセス管はど熱処理中に自
重による変形を受は易いことから、実際上この間隙を小
さくできず、外気の廻り込みを防ぎ得ないものであった
。
この発明は前記した従来の開管形炉での対流作用に伴な
って、管口部炉内に生ずる外気引き込み作用を阻止する
ため、前記対流作用を妨げる案内部材を管口部炉内に設
けたものである。
って、管口部炉内に生ずる外気引き込み作用を阻止する
ため、前記対流作用を妨げる案内部材を管口部炉内に設
けたものである。
以下この発明を開管形拡散炉に適用した実施例につき、
第４図ないし第６図を参照して詳細に説明する。
第４図ないし第６図を参照して詳細に説明する。
第４図および第５図は一実施例を示しており、これら各
図において前記第１図ないし第３図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示している。
図において前記第１図ないし第３図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示している。
この実施例による開管形拡散炉では、プロセス管１の管
口部１２炉内に、所定長さに亘って石英ガラス板などの
案内板１０ａを、炉長方向に向は層状に挿入させてなる
案内部材１０を設けたものである。
口部１２炉内に、所定長さに亘って石英ガラス板などの
案内板１０ａを、炉長方向に向は層状に挿入させてなる
案内部材１０を設けたものである。
従ってこのように案内部材１０を設けであるため、管口
部１２での前記第２図に示した対流が妨げられること５
なり、上昇流によって生じていた圧力差が小さくなるこ
とから、外気の廻り込みが抑制されるものであり、また
この案内部材１０をボート７の直後にまで延長させるこ
とで、このボート７を引出す工程でも外気の廻り込みを
少なくし得られ、前記エンドキャップ５およびバッフル
板６に優る作用効果を得ることができるのである。
部１２での前記第２図に示した対流が妨げられること５
なり、上昇流によって生じていた圧力差が小さくなるこ
とから、外気の廻り込みが抑制されるものであり、また
この案内部材１０をボート７の直後にまで延長させるこ
とで、このボート７を引出す工程でも外気の廻り込みを
少なくし得られ、前記エンドキャップ５およびバッフル
板６に優る作用効果を得ることができるのである。
また第６図はこの発明の他の実施例を示しており、この
第６図からも明らかなように、前記案内部材１０として
は、同様な材質による案内管１０ｂの複数本を、炉長方
向に向は重積するように挿入させでもよく、同様な作用
効果を得られるのである。
第６図からも明らかなように、前記案内部材１０として
は、同様な材質による案内管１０ｂの複数本を、炉長方
向に向は重積するように挿入させでもよく、同様な作用
効果を得られるのである。
以上詳述したようにこの発明によるときは、管口部炉内
に対流作用を妨げるための案内部材を設けるだけの極め
て簡単な手段により、管口部に生じていた外気の廻り込
みを充分に阻止することができるものであり、従来のよ
うにエンドギヤラスバッフル板にみられるような欠点を
改善できるほか、この発明での案内部材をボートローダ
と併用させることにより完全自動化システムを導入し得
て、■バッチ当りの処理量を増加でき、均一な拡散、酸
化処理などを容易に実行できるなどの特長を有するもの
である。
に対流作用を妨げるための案内部材を設けるだけの極め
て簡単な手段により、管口部に生じていた外気の廻り込
みを充分に阻止することができるものであり、従来のよ
うにエンドギヤラスバッフル板にみられるような欠点を
改善できるほか、この発明での案内部材をボートローダ
と併用させることにより完全自動化システムを導入し得
て、■バッチ当りの処理量を増加でき、均一な拡散、酸
化処理などを容易に実行できるなどの特長を有するもの
である。
第１図は通常の開管形拡散炉の構成を示す概要図、第２
図は同上Ａ−Ａ′線部でのガスの流れを示す説明図、第
３図は外気の廻り込みを抑制するための従来の手段を適
用した開管形拡散炉の構成を示す概要図、第４図はこの
発明を開管形拡散炉に適用した場合の一実施例による構
成を示す概要図、第５図は同上要部の斜視図、第６図は
同上能の実施例を示す斜視図である。 １・・・・・・プロセス管、２・・・・・・均熱管、３
・・・・・・ヒータ、７・・・・・・ボート、８・・・
・・・引出し棒、１０・・・・・・案内部材、１０ａ・
・・・・・案内板、１０ｂ・・・・・・案内管。
図は同上Ａ−Ａ′線部でのガスの流れを示す説明図、第
３図は外気の廻り込みを抑制するための従来の手段を適
用した開管形拡散炉の構成を示す概要図、第４図はこの
発明を開管形拡散炉に適用した場合の一実施例による構
成を示す概要図、第５図は同上要部の斜視図、第６図は
同上能の実施例を示す斜視図である。 １・・・・・・プロセス管、２・・・・・・均熱管、３
・・・・・・ヒータ、７・・・・・・ボート、８・・・
・・・引出し棒、１０・・・・・・案内部材、１０ａ・
・・・・・案内板、１０ｂ・・・・・・案内管。
Claims (1)
- １ 開管形炉において、外部に開口する管口部内に、同
前口部炉内の対流作用を妨げる複数の案内部材を炉長方
向に向は層状に設けたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52136084A JPS5823926B2 (ja) | 1977-11-11 | 1977-11-11 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52136084A JPS5823926B2 (ja) | 1977-11-11 | 1977-11-11 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5469061A JPS5469061A (en) | 1979-06-02 |
| JPS5823926B2 true JPS5823926B2 (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=15166866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52136084A Expired JPS5823926B2 (ja) | 1977-11-11 | 1977-11-11 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823926B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422870B2 (ja) * | 1974-03-12 | 1979-08-09 |
-
1977
- 1977-11-11 JP JP52136084A patent/JPS5823926B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5469061A (en) | 1979-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4129090A (en) | Apparatus for diffusion into semiconductor wafers | |
| JPH047093B2 (ja) | ||
| JPS5823926B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS62206826A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPS5923464B2 (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| DE69110029T2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern und Verfahren zur Kontrolle der thermischen Behandlung von Wafers. | |
| US3948696A (en) | Method of diffusion into semiconductor wafers | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPS6223085Y2 (ja) | ||
| JPH04134816A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02909Y2 (ja) | ||
| JP2601083Y2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPS5918673Y2 (ja) | 半導体装置用熱処理炉 | |
| JPH0783002B2 (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPS6366928A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH07326579A (ja) | 縦型反応炉 | |
| JPS63124517A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0737829A (ja) | 半導体製造装置及びその制御方法 | |
| JPH01258418A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| KR19980056101A (ko) | 수평형 퍼니스에서의 반도체 제조 방법 | |
| JPH01321638A (ja) | 熱処理管 | |
| JPH07161655A (ja) | 熱処理装置用均熱管 | |
| JPH05234922A (ja) | ウエハ熱処理装置及びその方法 | |
| JPS6386511A (ja) | 半導体装置製造装置 | |
| JPS6134934A (ja) | シリコンウエハの装填方法 |