JPS5823930B2 - デンシビ−ムロコウソウチ - Google Patents
デンシビ−ムロコウソウチInfo
- Publication number
- JPS5823930B2 JPS5823930B2 JP50127144A JP12714475A JPS5823930B2 JP S5823930 B2 JPS5823930 B2 JP S5823930B2 JP 50127144 A JP50127144 A JP 50127144A JP 12714475 A JP12714475 A JP 12714475A JP S5823930 B2 JPS5823930 B2 JP S5823930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- electron
- distortion
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置の電子光学系において発生
する歪による影響を除去するための装置に関する。
する歪による影響を除去するための装置に関する。
微小回路を製造するためにはシリコン等を素材とするタ
ーゲットウェハ面上に電子ビームを照射して微細な加工
（露光）が行われる。
ーゲットウェハ面上に電子ビームを照射して微細な加工
（露光）が行われる。
この様なターゲツト面上のビーム露光領域は所望とする
回路を図案化したパターンとなっているが、微小回路に
含まれる回路素子の数を増加させるには前記ターゲツト
面における露光パターンを微細化するか、又は露光領域
を拡大することが必要となる。
回路を図案化したパターンとなっているが、微小回路に
含まれる回路素子の数を増加させるには前記ターゲツト
面における露光パターンを微細化するか、又は露光領域
を拡大することが必要となる。
このいずれの場合に８いても、電子ビーム加工において
発生する露光誤差をできるだけ低く抑えることが要求さ
れている。
発生する露光誤差をできるだけ低く抑えることが要求さ
れている。
第１図は、微小回路の製造等に使用される電子ビーム露
光装置の一例を示すもので、電子銃１からの電子線２に
よりターゲット３を加工するものである。
光装置の一例を示すもので、電子銃１からの電子線２に
よりターゲット３を加工するものである。
図中、電子銃から発生した電子線２は二段の電子レンズ
により平行ビームとなり投射マスク６を通過した後２段
の縮小レンズ７．８により狭い巾の平行電子ビームとし
てターゲット３を照射する。
により平行ビームとなり投射マスク６を通過した後２段
の縮小レンズ７．８により狭い巾の平行電子ビームとし
てターゲット３を照射する。
前記投射マスク６には回路を図案化したパターン状に溝
が設けられており、該溝を通過した電子線のみがターゲ
ット３に到達し、クーゲツＩ−面上に投射マスク６のパ
ターンが露光される。
が設けられており、該溝を通過した電子線のみがターゲ
ット３に到達し、クーゲツＩ−面上に投射マスク６のパ
ターンが露光される。
前記投射マスク６とターゲット３の間に縮小レンズ７．
８が設けられているのは容易に加工し得る程度の大きさ
に作成された投射マスクのパターンをターゲツト面上で
縮小するためであるが、これらの電子レンズ７．８にお
けるレンズ収差が太きいと投射マスクのパターンとター
ゲット面上に露光されるパターンの相似性を十分に保つ
ことができず大きな加工誤差を発生する原因となり、一
定の限界以上には微細なパターン露光は不可能となる。
８が設けられているのは容易に加工し得る程度の大きさ
に作成された投射マスクのパターンをターゲツト面上で
縮小するためであるが、これらの電子レンズ７．８にお
けるレンズ収差が太きいと投射マスクのパターンとター
ゲット面上に露光されるパターンの相似性を十分に保つ
ことができず大きな加工誤差を発生する原因となり、一
定の限界以上には微細なパターン露光は不可能となる。
第２図は縮小レンズ系におけるレンズ歪を説明するため
のもので、ａは投射マスク６のパターンの外周を示し、
ｂはａのマスクを用いたときにターゲット３に露光され
るパターンの外周を示す。
のもので、ａは投射マスク６のパターンの外周を示し、
ｂはａのマスクを用いたときにターゲット３に露光され
るパターンの外周を示す。
第２図から投射マスクにおける正方形のパターン外周が
レンズ収差のためターゲット上においてタル形に歪んで
露光することが分る。
レンズ収差のためターゲット上においてタル形に歪んで
露光することが分る。
又実際に用いる縮小レンズ系の種類によってはタル形歪
以外にも糸巻形歪管種々の歪が発生する。
以外にも糸巻形歪管種々の歪が発生する。
本発明はこの様なターゲツト面に露光されるパターンの
歪を予じめ測定しておき、この様な歪を打ち消す様に投
射マスクのパターン形状を予じめ補正することによりタ
ーゲツト面上に所望のパターンを露光させるものである
。
歪を予じめ測定しておき、この様な歪を打ち消す様に投
射マスクのパターン形状を予じめ補正することによりタ
ーゲツト面上に所望のパターンを露光させるものである
。
例えば第２図に示す様な歪が発生する場合には、投射マ
スクとして第３図ａにその外周を示す様な補正を加えた
パターンを有するマスクを用いれば、ターゲツト面上に
第３図すに示す様な所望とするパターンを得ることがで
きる。
スクとして第３図ａにその外周を示す様な補正を加えた
パターンを有するマスクを用いれば、ターゲツト面上に
第３図すに示す様な所望とするパターンを得ることがで
きる。
以上の実施例は電子光学系の光軸に垂直な平面内におけ
る歪を補正するものであるが、ターゲツト面上に露光さ
れるパターンの周縁部にボケを生じる様な光軸方向にお
ける歪が問題となる場合には、第４図に示す如く、光軸
９に関して投影マスク１０をわん曲させて挿入する方法
によって歪を補正することができる。
る歪を補正するものであるが、ターゲツト面上に露光さ
れるパターンの周縁部にボケを生じる様な光軸方向にお
ける歪が問題となる場合には、第４図に示す如く、光軸
９に関して投影マスク１０をわん曲させて挿入する方法
によって歪を補正することができる。
以上に詳説した如く、本発明方法により電子光学系にお
いて発生する不可避的な歪を極めて容易に除去できるの
で、電子ビーム露光装置を用いた微小回路の製造等にお
いて大きな効果を得ることができる。
いて発生する不可避的な歪を極めて容易に除去できるの
で、電子ビーム露光装置を用いた微小回路の製造等にお
いて大きな効果を得ることができる。
第１図は電子ビーム露光装置を示す略図、第２図は第１
図の装置において発生する歪を説明するための略図、第
３図及び第４図は本発明の詳細な説明するための略図で
ある。 １・・・・・・電子銃、３・・・・・・ターゲットウェ
ハ、４゜５．６，７．８・・・・・・電子レンズ、９・
・・・・・光軸、１０・・・・・・投射マスク。
図の装置において発生する歪を説明するための略図、第
３図及び第４図は本発明の詳細な説明するための略図で
ある。 １・・・・・・電子銃、３・・・・・・ターゲットウェ
ハ、４゜５．６，７．８・・・・・・電子レンズ、９・
・・・・・光軸、１０・・・・・・投射マスク。
Claims (1)
- １ 露光すべきパターンを有したマスクに電子線を照射
し、該マスクを透過した電子線を電子レンズにより縮小
結像してターゲット上に投射するようになした装置にお
いて、前記マスクのパターンは電子レンズを含む電子光
学系のもつ歪を補正するような形状となしたことを特徴
とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50127144A JPS5823930B2 (ja) | 1975-10-22 | 1975-10-22 | デンシビ−ムロコウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50127144A JPS5823930B2 (ja) | 1975-10-22 | 1975-10-22 | デンシビ−ムロコウソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5251873A JPS5251873A (en) | 1977-04-26 |
| JPS5823930B2 true JPS5823930B2 (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=14952696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50127144A Expired JPS5823930B2 (ja) | 1975-10-22 | 1975-10-22 | デンシビ−ムロコウソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823930B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178726A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | パタ−ン転写用マスクの製造方法 |
| JPH0715874B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
-
1975
- 1975-10-22 JP JP50127144A patent/JPS5823930B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5251873A (en) | 1977-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0536595A (ja) | 電子線露光方法 | |
| US20020119380A1 (en) | Method of manufacturing photomasks by plasma etching with resist stripped | |
| JPH0536585A (ja) | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH09288991A5 (ja) | ||
| US20060008712A1 (en) | Exposure method, mask fabrication method, fabrication method of semiconductor device, and exposure apparatus | |
| JPS5823930B2 (ja) | デンシビ−ムロコウソウチ | |
| JPS6030131A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| US6573514B2 (en) | Method for aligning electron beam projection lithography tool | |
| JPH11176720A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3247700B2 (ja) | 走査形投影電子線描画装置および方法 | |
| JP2001118765A (ja) | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH01191416A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2888228B2 (ja) | 荷電粒子線用部分一括マスクの構造 | |
| JP2687256B2 (ja) | Ｘ線マスク作成方法 | |
| JPS62247528A (ja) | 半導体製造装置の露光装置 | |
| JP3455103B2 (ja) | パターン描画装置 | |
| JPH0542808B2 (ja) | ||
| JPH0729811A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH04367213A (ja) | 投影型露光装置 | |
| JPS60167328A (ja) | 露光方法 | |
| JPS62217616A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0217628A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US20040247692A1 (en) | Method for fabricating aspherical lens | |
| JPH01278020A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH05188318A (ja) | レーザ加工用光学装置 |