Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS582450B2 - Pattern defect inspection equipment - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS582450B2 - Pattern defect inspection equipment - Google Patents

Pattern defect inspection equipment

Info

Publication number
JPS582450B2
JPS582450B2 JP49117518A JP11751874A JPS582450B2 JP S582450 B2 JPS582450 B2 JP S582450B2 JP 49117518 A JP49117518 A JP 49117518A JP 11751874 A JP11751874 A JP 11751874A JP S582450 B2 JPS582450 B2 JP S582450B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
pattern
defects
output signal
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP49117518A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5143959A (en
Inventor
内山康
粟村大吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON JIDO SEIGYO KK
Original Assignee
NIPPON JIDO SEIGYO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON JIDO SEIGYO KK filed Critical NIPPON JIDO SEIGYO KK
Priority to JP49117518A priority Critical patent/JPS582450B2/en
Publication of JPS5143959A publication Critical patent/JPS5143959A/en
Publication of JPS582450B2 publication Critical patent/JPS582450B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターンの欠陥検査装置,特に半導体集積回路
の製造に使用するホトマスクのパターンの欠陥検査装置
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a pattern defect inspection apparatus, and more particularly to a pattern defect inspection apparatus for photomasks used in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

現在集積回路を製造する工程の一つにシリコンウエハー
をホトエッチングする工程がある。
One of the current processes for manufacturing integrated circuits is the process of photo-etching silicon wafers.

すなわち、シリコンウエハー上にマスクを密着させて置
き、上方から可視光線または紫外線を照射し、ホトエッ
チングしている。
That is, a mask is placed on the silicon wafer in close contact with the silicon wafer, and visible light or ultraviolet rays are irradiated from above to perform photoetching.

このパターンを焼付けたマスクに欠陥があると集積回製
造の歩止りに大きな悪影響を受ける。
If there is a defect in the mask on which this pattern is printed, the yield of integrated circuit manufacturing will be significantly adversely affected.

このマスクは允分な平面度に磨かれたガラス板にクロム
等の金属膜を蒸着した後、所定のパターンを焼付けて形
成しているが、金属蒸着膜にピンホールがあるさ、パタ
ーンを焼付けた場合に欠陥が発生する可能性がある。
This mask is formed by depositing a metal film such as chromium on a glass plate that has been polished to a perfectly flat surface, and then baking a predetermined pattern on it. Defects may occur if

本願人は既にこのようなピンホールを自動的に高精度で
検出する装置を提案している。
The applicant has already proposed a device that automatically detects such pinholes with high precision.

しかし、金属蒸着膜にピンホールがなくてもパターンを
焼付けた後のマスクに欠陥がある場合がある。
However, even if there are no pinholes in the metal vapor deposited film, there may be defects in the mask after the pattern is baked.

本発明はパターンを焼付けた後のマスクの欠陥を検査す
る方法に関するものである。
The present invention relates to a method for inspecting a mask for defects after a pattern has been printed.

第1図は上述したような集積回路製造用のマスク1を示
す。
FIG. 1 shows a mask 1 for manufacturing integrated circuits as described above.

このマスク1には縦および横方向に延在する多数のスク
ライブライン2によって区画された多数のパターン3が
形成されている。
This mask 1 has a large number of patterns 3 defined by a large number of scribe lines 2 extending in the vertical and horizontal directions.

これらのパターン3の模様は同一である。The patterns of these patterns 3 are the same.

第2図はパターンを焼付けたマスク1のパターンの一部
分を顕微鏡で観察した像を示す。
FIG. 2 shows a microscopic image of a portion of the pattern of the mask 1 on which the pattern has been printed.

このマスク部分には欠陥はなく、完全なものとする。This mask part has no defects and is perfect.

マスク1のパターンは透明部4と不透明部5から構成さ
れている。
The pattern of the mask 1 is composed of transparent parts 4 and opaque parts 5.

第3図は欠陥を有する同じパターン部分の顕微鏡観察像
を示す。
FIG. 3 shows a microscopic image of the same pattern portion having defects.

部分A,Bは蒸着膜が残っている状態を示す。Portions A and B show the state in which the deposited film remains.

部分Aにおいては本来離間していなければならないラン
ド間が継ってしまっている。
In part A, lands that should originally be separated are connected.

一方、部分Bにおける残存蒸着膜は空間にあるので、場
合によっては集積回路の不良の原因にはならないかも知
れない。
On the other hand, since the remaining deposited film in portion B is in space, it may not cause a defect in the integrated circuit depending on the case.

部分Cにおいてはランドの一部が欠けている。In part C, part of the land is missing.

しかしランドが切れるところまではいっていないので集
積回路の不良の原因にならないかも知れない。
However, since the land has not reached the point where it breaks, it may not cause a defect in the integrated circuit.

部分Dにおいてはランドは完全に切れてしまっており、
不良の原因となる。
In part D, the land is completely cut off,
This may cause defects.

従来、上述したようなマスクパターンの欠陥を検査する
方法としては次のようなものがある。
Conventionally, there are the following methods for inspecting defects in mask patterns as described above.

(1)顕微鏡の目視により欠陥を見付ける。 (1) Find defects by visual inspection using a microscope.

一般にパターンは直角な輪郭で画かれているが、欠陥は
第3図にも示すように不規則な形状をしている場合が多
いので、欠陥を発見することができる。
Generally, a pattern is drawn with a right-angled outline, but since defects often have an irregular shape as shown in FIG. 3, defects can be detected.

しかし、この方法は多犬の時間と労力を要し、誤りが多
く、マスクにある多数のパターンを検査する方法として
はきわめて不適当である。
However, this method is time-consuming and error-prone, making it extremely unsuitable for inspecting the large number of patterns on a mask.

(2)第4図に示すように、検査すべきマスク6の他に
完全なパターンを有する見本マスク7を準備し、これら
2つのマスク6および7の像を顕微鏡8により重畳して
観察する。
(2) As shown in FIG. 4, in addition to the mask 6 to be inspected, a sample mask 7 having a complete pattern is prepared, and the images of these two masks 6 and 7 are superimposed and observed using a microscope 8.

この際、被検査マスク6の像は赤色像とし、見本マスク
7の像は、これと補色関係にある緑色像とする。
At this time, the image of the mask 6 to be inspected is a red image, and the image of the sample mask 7 is a green image having a complementary color relationship therewith.

このために、赤色光源9を設け、それから放射される赤
色光線で被検査マスク6を照射し、このマスクを透過し
た光を、対物レンズ10、ミラー11、ハーフミラー1
2および接眼レンズ13を介して観察眼14に入射させ
る。
For this purpose, a red light source 9 is provided, and the mask 6 to be inspected is irradiated with red light rays emitted from the red light source 9.
2 and the eyepiece 13 to enter the observing eye 14 .

一方見本マスク7は縁色光源15で照射し、このマスク
を透過した光を対物レンズ16、ミラー17、ハーフミ
ラー18および接眼レンズ13を介して観察眼14に入
射させる。
On the other hand, the sample mask 7 is illuminated by an edge-colored light source 15, and the light transmitted through this mask is made to enter the observation eye 14 via the objective lens 16, mirror 17, half mirror 18, and eyepiece 13.

このような装置で、例えば第1図に示すような欠陥のな
い見本マスク7と、第2図に示すような欠陥のある被検
査マスク6とを観察すると、部分AおよびBにおいては
見本マスク7からの緑色光しか来ないので緑色に見える
When observing, for example, a sample mask 7 without defects as shown in FIG. 1 and a defective mask 6 to be inspected as shown in FIG. It looks green because only green light comes from it.

一方、部分CおよびDにおいては被検査マスク6からの
赤色光しかこないので赤色に見える。
On the other hand, parts C and D only receive red light from the mask 6 to be inspected, so they appear red.

また、これらの部分A,B,C,D以外の透明部4では
見本マスク7からの緑色光と、被検査マスク6からの赤
色光との双方が来るので白色に見え、不透明部5では当
然黒く見える。
In addition, the transparent part 4 other than these parts A, B, C, and D receives both the green light from the sample mask 7 and the red light from the mask to be inspected 6, so it appears white, and the opaque part 5 naturally Looks black.

すなわち、欠陥部分は緑色または赤色に見え、欠陥のな
い部分は白または黒く見えるので比較的欠陥を簡単に見
付けることができる。
That is, defective parts appear green or red, and non-defective parts appear white or black, making it relatively easy to find defects.

第1図に示すように集積回路製造用マスクには多数の同
一パターンが形成されており、これらを順次に検査する
ためには、被検査マスク6と見本マスク7とを同一の移
動台19に載せ、この移動台19を微動させながら順次
に検査して行く必要がある。
As shown in FIG. 1, a large number of identical patterns are formed on a mask for manufacturing integrated circuits, and in order to sequentially inspect these patterns, the mask to be inspected 6 and the sample mask 7 are placed on the same moving table 19. It is necessary to carry out the inspection one by one while moving the moving table 19 slightly.

このように見本マスク7を用い、その像と被検査マスク
6の像とを重ね合わせて観察する場合には、2つの像の
重ね合わせをきわめて精密に行なう必要があり、この重
ね合わせに誤差があると正確な検査を行なうことは不可
能となる。
In this way, when using the sample mask 7 and observing the image of the sample mask 7 by superimposing it on the image of the mask to be inspected 6, it is necessary to superimpose the two images extremely precisely, and there is no error in this superposition. If this happens, it will be impossible to perform an accurate test.

特に、2つのマスク6および7を1つの移動台19に載
せるとき、これらマスク6および7を移動台19のXお
よびYの移動方向に精密に整列させる必要があり、この
整列に誤差があると、移動台19の移動と共に2つのマ
スクの像の重ね合わせに誤差が生ずることになる。
In particular, when two masks 6 and 7 are placed on one moving table 19, it is necessary to precisely align these masks 6 and 7 in the X and Y movement directions of the moving table 19, and if there is an error in this alignment, As the movable stage 19 moves, an error occurs in the superposition of the two mask images.

また移動台19のガタも重ね合わせ誤差に大きく影響す
ることになる。
Furthermore, the backlash of the movable table 19 also has a large effect on the overlay error.

また、この方法では目視であるため観察者の疲労は避け
られず人的誤差も混入されると共に検査に長時間を要す
る欠点がある。
Furthermore, since this method uses visual inspection, fatigue of the observer is unavoidable, human error is introduced, and the inspection requires a long time.

(3)欠陥のない見本マスクのパターンに対応した電気
信号を記憶素子、磁気テープ等の記録媒体に電子計算機
等を利用して予じめ記憶させておく。
(3) An electric signal corresponding to the pattern of the defect-free sample mask is stored in advance in a recording medium such as a storage element or a magnetic tape using a computer or the like.

次に顕微鏡テレビカメラ等を使用して被検査マスクを撮
像して映像信号を取出し、この映像信号を予じめ記憶せ
しめた情報信号と比較し、欠陥を見付ける。
Next, using a microscope television camera or the like, the mask to be inspected is imaged to extract a video signal, and this video signal is compared with a pre-stored information signal to find defects.

この方法は、人間の眼を使用しないで自動的に欠陥を発
見することができる利点がある反面、装置がきわめて大
型、複雑となり、きわめて高価となる。
Although this method has the advantage of being able to automatically discover defects without using the human eye, it requires an extremely large and complicated device, and is extremely expensive.

このような欠点を除去するために、2つのパターンの同
一部分の像を1台の撮像管の受光面に重ね合わせて結像
し、撮像管の出力映像信号の振幅を検出して欠陥を検出
する方法を本願人は考えたが、この方法では欠陥部分は
映像信号中において中間調として現われ、この中間調を
振幅リミツター等を用いて検出することになるが、映像
信号の振幅の変動が大きいためこの検出の精度は余り高
くならない。
In order to eliminate such defects, the images of the same part of the two patterns are superimposed on the light-receiving surface of one image pickup tube, and defects are detected by detecting the amplitude of the image signal output from the image pickup tube. The applicant considered a method to do this, but in this method, the defective part appears as a halftone in the video signal, and this halftone is detected using an amplitude limiter, etc., but the amplitude of the video signal fluctuates greatly. Therefore, the accuracy of this detection is not very high.

この欠点を避けるために2台の撮像管を用い、2つのパ
ターンの同一部分の像をそれぞれの撮像管の受光面に結
像し、2つの撮像管の出力信号を、一方の信号の位相を
反転した後混合し、欠陥に対応した信号だけを選択的に
取出す方法を考えた。
In order to avoid this drawback, two image pickup tubes are used, images of the same portion of the two patterns are focused on the light receiving surface of each image pickup tube, and the output signals of the two image pickup tubes are adjusted by changing the phase of one signal. We devised a method to selectively extract only the signal corresponding to the defect by inverting and then mixing.

この方法では、電気回路部分における欠陥の検出処理の
精度は1台の撮像管を用いる場合に比べて遥かに高くす
ることができる。
With this method, the accuracy of defect detection processing in the electric circuit portion can be made much higher than when a single image pickup tube is used.

しかし、2台の撮像管の動作を完全に一致させることは
きわめて困難である。
However, it is extremely difficult to completely match the operations of the two image pickup tubes.

更に、上述したように撮像管を用いる場合には、残像効
果のためマスクを載せた移動台を間欠的に送る必要があ
り、このため移動台の駆動機構がきわめて複雑となる。
Furthermore, when an image pickup tube is used as described above, it is necessary to intermittently move the movable stage on which the mask is placed due to the afterimage effect, which makes the drive mechanism for the movable stage extremely complicated.

更に撮像管の動作速度は遅いから、1視野を検査するの
に70〜100mS程度の時間が掛かり、多数のパター
ンを検査するには比較的長時間を要することになる。
Furthermore, since the operating speed of the image pickup tube is slow, it takes about 70 to 100 mS to inspect one field of view, and it takes a relatively long time to inspect a large number of patterns.

本発明者はさらに上述した欠点を除去し、簡単な構成に
よってパターンの欠陥を正確かつ高速に検査することが
できる装置として第5図に示すようなパターン欠陥検査
装置を考えた。
The inventor further devised a pattern defect inspection apparatus as shown in FIG. 5 as an apparatus capable of eliminating the above-mentioned drawbacks and inspecting pattern defects accurately and at high speed with a simple configuration.

第5図において検査マスク20と欠陥のない完全な見本
マスク21とを1個の移動台22上に載せる。
In FIG. 5, an inspection mask 20 and a complete sample mask 21 without defects are placed on one moving table 22. In FIG.

更にフライングスポットブラウン管23を設け、そのフ
ライングスポットにより形成される走査ラスターの像を
レンズ24、ハーフミラー25、ミラー26およびレン
ズ27を介して被検査マスク20上に結像させると共に
レンズ24、ハーフミラー28、ミラー29およびレン
ズ30を介して見本マスク21上に結像させる。
Furthermore, a flying spot cathode ray tube 23 is provided, and a scanning raster image formed by the flying spot is formed on the mask 20 to be inspected via a lens 24, a half mirror 25, a mirror 26, and a lens 27. 28, a mirror 29, and a lens 30 to form an image on the sample mask 21.

被検査マスク21を透過した光を光電管31で受光し、
見本マスク21を透過した光を光電管32で受光する。
The light transmitted through the mask 21 to be inspected is received by the phototube 31,
The light transmitted through the sample mask 21 is received by a phototube 32.

この場合被検査マスク20のパターンのラスク像が投影
される部分を、見本マスク21のパターンのラスク像が
投影される部分と一致させる。
In this case, the portion onto which the rask image of the pattern of the mask to be inspected 20 is projected is made to coincide with the portion onto which the rask image of the pattern of the sample mask 21 is projected.

したがって被検査マスク20に欠陥がない場合には、両
光電管31および32から供給される映像信号は完全に
一致したものとなり、被検査マスク20に欠陥がある場
合には両信号は相違したものとなる。
Therefore, if there is no defect in the mask 20 to be inspected, the video signals supplied from both phototubes 31 and 32 will be completely consistent, but if there is a defect in the mask 20 to be inspected, the two signals will be different. Become.

したがって、一力の光電管の出力信号の位相を反転して
他方の光電管の出力信号と混合すると、パターンの一致
する部分での信号レベルは零となるが、欠陥の部分では
これに対応した電気信号が残り、この信号により欠陥の
大きさ、種類等を検出することができる。
Therefore, if the phase of the output signal of one phototube is reversed and mixed with the output signal of the other phototube, the signal level will be zero at the matching part of the pattern, but the corresponding electrical signal will be at the defective part. remains, and this signal can be used to detect the size, type, etc. of the defect.

このようなパターン欠陥検査装置では被検査マスク20
と見本マスク21とを1つの移動台22に載せて、Xお
よびY方向に移動させるようにしたため、両マスクを移
動方向に精密に整列させる必要があり、正しく整列され
ていなかったり、移動台22にガタがあると、移動台2
2の移動と共に被検査マスク20のパターンの走査され
る部分と、見本マスク21のパターンの走査される部分
とが相違し、欠陥の検出を正確に行なうことができなく
なる。
In such a pattern defect inspection apparatus, the mask to be inspected 20
and the sample mask 21 are placed on one moving table 22 and moved in the X and Y directions, so it is necessary to precisely align both masks in the moving direction. If there is any play, move the moving platform 2.
2, the scanned portion of the pattern of the mask to be inspected 20 and the scanned portion of the pattern of the sample mask 21 become different, making it impossible to accurately detect defects.

また、欠陥のない完全な見本マスクを必らず準備しなけ
ればならない欠点もある。
Another drawback is that a complete sample mask without any defects must be prepared.

本発明の目的は上述した総ての欠点を除去し、見本マス
クを用いずにパターンの欠陥を高精度に検出することが
できるパターン欠陥検査装置を提供せんとするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate all of the above-mentioned drawbacks and to provide a pattern defect inspection apparatus that can detect pattern defects with high precision without using a sample mask.

本発明は、半導体集積回路の製造に用いるホトマスクの
ように多数の同一模様のパターンを一定のピッチで互い
に隣接して形成した試料のパターンの欠陥を検査するた
めに、走査光スポットを発生する装置と、前記走査光ス
ポットを、同一試料中の互いに接近した2つの同一模様
のパターンの同一部分に同時に照射する光学系と、これ
ら2つのパターンの透過光または反射光を各別に受光す
る2つの受光装置と、これら2つの受光装置の一方から
の出力信号の位相を反転する回路と、この位相を反転し
た一方の出力信号と、他方の受光装置からの位相を反転
しない出力信号とを混合する回路とを具えることを特徴
とするものである。
The present invention is an apparatus that generates a scanning light spot in order to inspect for defects in patterns of a sample in which a large number of identical patterns are formed adjacent to each other at a constant pitch, such as a photomask used in the manufacture of semiconductor integrated circuits. an optical system that simultaneously irradiates the scanning light spot onto the same portion of two identical patterns that are close to each other in the same sample; and two light receivers that separately receive the transmitted light or reflected light of these two patterns. a circuit that inverts the phase of an output signal from one of these two light receiving devices, and a circuit that mixes one output signal with the phase inverted and an output signal from the other light receiving device whose phase is not inverted. It is characterized by having the following.

以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第6図は本発明によるパターンの欠陥検査装置の他の例
を示す。
FIG. 6 shows another example of the pattern defect inspection apparatus according to the present invention.

本例の素子において、第5図に示す素子と同一のものに
は同−の符号を付けて示す。
In the elements of this example, the same elements as those shown in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.

本例では移動台22上には被検査マスク20のみを載せ
る。
In this example, only the mask 20 to be inspected is placed on the movable table 22.

フライングスポットブラウン管23のラスター像をレン
ズ24および27を介して被検査マスク20の或るパタ
ーン20Aの部分に結像すると共にレンズ24および3
0を介して、前記のパターン20Aの近くに位置するパ
ターン20Bの同一部分に結像させる。
A raster image of the flying spot cathode ray tube 23 is focused on a certain pattern 20A of the mask 20 to be inspected via lenses 24 and 27, and the lenses 24 and 3
0 to the same portion of the pattern 20B located near the pattern 20A.

この際、両パターン20Aおよび20Bの同一部分を走
査することができるように調整ハンドル33および34
を設け、両レンズ27および30の光軸間の間隔を調整
できるようにする。
At this time, adjustment handles 33 and 34 are adjusted so that the same portions of both patterns 20A and 20B can be scanned.
is provided so that the distance between the optical axes of both lenses 27 and 30 can be adjusted.

本例によれば、同時に観察されるパターン20Aおよび
20Bは互いにきわめて接近しているため、移動台22
のガタには影響されない。
According to this example, since the patterns 20A and 20B observed at the same time are very close to each other, the moving stage 22
It is not affected by the looseness of the

第6図に示す光電管31および32の出力信号の処理方
法の一例を第7図に示し、その動作を第8図の信号波形
を参照して説明する。
An example of a method for processing the output signals of the phototubes 31 and 32 shown in FIG. 6 is shown in FIG. 7, and its operation will be explained with reference to the signal waveforms in FIG. 8.

第8図aはパターン20Aからの光を受光する一方の光
電管31の出力信号波形を示し、第8図bはパターン2
0Bからの光を受光する他方の光電管32の出力信号波
形を示す。
FIG. 8a shows the output signal waveform of one phototube 31 receiving light from pattern 20A, and FIG. 8b shows the output signal waveform of pattern 20A.
The output signal waveform of the other phototube 32 receiving light from 0B is shown.

今一方のパターン20Aには欠陥はなく、完全なもので
あるが、他方のパターン20Bには欠陥があるものとす
る。
Now, it is assumed that one pattern 20A has no defects and is perfect, but the other pattern 20B has a defect.

第8図bに示す信号中のパルスBは第3図に示す部分B
のような欠陥を示し、パルスDは部分Dのような欠陥を
示す。
Pulse B in the signal shown in Figure 8b is part B of the signal shown in Figure 3.
Pulse D shows a defect like part D.

一方の光電管31の出力信号増幅器35で増幅した信号
(第8図C)と、他方の光電管32の出力信号を増幅器
36で増幅し,位相反転器37で位相反転した信号(第
8図d)とを共にミキサー38に供給する。
The signal amplified by the output signal amplifier 35 of one phototube 31 (FIG. 8C) and the signal amplified by the amplifier 36 and phase inverted by the phase inverter 37 of the output signal of the other phototube 32 (FIG. 8D) Both are supplied to the mixer 38.

ミキサー38の出力は第8図eに示すようなものとなる
The output of the mixer 38 is as shown in FIG. 8e.

すなわち、両パターン20Aおよび20Bの一致した部
分では信号レベルはOであり、欠陥の部分だけにパルス
B′およびびが現われることになる。
That is, the signal level is O in the matched portions of both patterns 20A and 20B, and the pulse B' and pulse appear only in the defective portion.

しかも、これらの欠陥は極性が反対のパルスとして現わ
れるので、これをスライサー39に通した後、欠陥検出
処理回路40に供給し、処理する。
Furthermore, since these defects appear as pulses of opposite polarity, the pulses are passed through the slicer 39 and then supplied to the defect detection processing circuit 40 for processing.

更にミキサー38の出力信号をスイッチ41を経てモニ
ター42にも供給し、2つのパターン20Aおよび20
Bの重なり具合を観察する。
Furthermore, the output signal of the mixer 38 is also supplied to the monitor 42 via the switch 41, and the two patterns 20A and 20
Observe how B overlaps.

すなわち、使用者はモニター42に映出されるパターン
20Aと20Bとの重なり合いを観察しながらハンドル
33および34を調整し、2つのパターンを完全に一致
させる。
That is, the user adjusts the handles 33 and 34 while observing the overlap between the patterns 20A and 20B displayed on the monitor 42, so that the two patterns perfectly match.

また、一方のパターンの像を詳細に観察するために、ス
イッチ41を経て増幅器35または36の出力信号をモ
ニター42に供給し、一方のパターンの像をモニター4
2上に映出するようにする。
In addition, in order to observe the image of one pattern in detail, the output signal of the amplifier 35 or 36 is supplied to the monitor 42 via the switch 41, and the image of one pattern is displayed on the monitor 42.
2. Make it appear on the screen.

本実施例のように同一の被検査マスク中の2つのパター
ンを比較するのは、マスクには同一模様の多数のパター
ンがあり、これらパターンに全く同じ欠陥が存在する確
率はきわめて少ないため、見本マスクを用いなくとも十
分正確に欠陥を検出することができるという事実に基く
ものである。
The reason for comparing two patterns in the same mask to be inspected as in this example is because there are many patterns with the same pattern on the mask, and the probability that these patterns will have exactly the same defect is extremely small. This is based on the fact that defects can be detected with sufficient accuracy even without the use of a mask.

しかし、このような方法では、第1図に示すマスク1の
周辺のパターンの比較回数が少なくなるから、必らずし
も正確な検査とはならないが、一般に集積回路の製造に
おいて使用されるのは第1図において破線円43で囲ん
だパターンだけであるから、余り問題とならない。
However, with this method, the number of comparisons of the patterns around the mask 1 shown in FIG. Since this is only the pattern surrounded by the broken line circle 43 in FIG. 1, it does not pose much of a problem.

本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、幾
多の変形が可能である。
The present invention is not limited to the above-mentioned example, but can be modified in many ways.

例えば上述した例では集積回路製透用ホトマスクのパタ
ーンの欠陥を検出したが、他のパターンの欠陥を検出で
きることは勿論である。
For example, in the above-mentioned example, a defect in the pattern of a transparent photomask made of an integrated circuit was detected, but it is of course possible to detect defects in other patterns.

また、上述した例ではフライングスポットブラウン管を
使用したが、例えば振動反射鏡を用いた装置のように他
の形式の走査光発生装置をも用いることができる。
Furthermore, although a flying spot cathode ray tube is used in the above-mentioned example, other types of scanning light generating devices may also be used, such as a device using a vibrating reflector.

更に第6図に示す例では2個置きのパターンを同時に観
察するようにしたが、隣接したパターン或いは1個置き
のパターン等、任意のパターンを検査することもできる
Further, in the example shown in FIG. 6, every second pattern is observed at the same time, but it is also possible to inspect any pattern, such as adjacent patterns or every other pattern.

ただし、2つのパターンの間隔が余リ長くなると移動台
のガタの影響が出てくるから光学系の配置を考慮してで
きるだけ接近したパターンを選択するのが好適である。
However, if the distance between the two patterns becomes too long, the influence of play in the moving table will appear, so it is preferable to select patterns that are as close as possible, taking into consideration the arrangement of the optical system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明パターンの欠陥検査装置によって検査す
るのが好適な集積回路製造用ホトマスクの構成を示す平
面図、第2図は欠陥のないパターンの一部分の顕微鏡観
察像を示す図、第3図は欠陥のあるパターンの周一部分
の顕微鏡観察像を示す図、第4図は従来のホトマスクパ
ターンの欠陥検査装置の一例の構成を示す線図、第5図
は本発明の範囲には含まれないが、本発明に到る過程に
おいて本発明者が試作したパターンの欠陥検査装置の構
成を示す線図、第6図は本発明パターン欠陥検出装置の
一例の構成を示す図、第7図は同じくその信号処理回路
部分の一例の構成を示す回路図、第8図は同じくその動
作を説明するための信号波形図である。 20,21・・・・・・マスク、20A,20B・・・
・・・パターン、22・・・・・・移動台、23・・・
・・・フライングスポットブラウン管、24。 27,30・・・・・・レンズ、3L32・・・・・・
光電管、35,36・・・・・・増幅器、37・・・・
・・位相反転器、38・・・・・・ミキサー、39・・
・・・・スライサー、40・・・・・・信号処理回路、
41・・・・・・スイッチ、42・・・・・・モニター
FIG. 1 is a plan view showing the structure of a photomask for integrated circuit manufacturing suitable for inspection by the pattern defect inspection apparatus of the present invention, FIG. 2 is a view showing a microscopic image of a portion of a pattern without defects, and FIG. The figure shows a microscopic observation image of a circumferential portion of a defective pattern, FIG. 4 is a diagram showing the configuration of an example of a conventional photomask pattern defect inspection apparatus, and FIG. 5 is not included in the scope of the present invention. However, in the process of arriving at the present invention, the present inventors prototyped a diagram showing the configuration of a pattern defect inspection device, and FIG. Similarly, FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of an example of the signal processing circuit portion, and FIG. 8 is a signal waveform diagram for explaining the operation thereof. 20, 21...Mask, 20A, 20B...
...Pattern, 22...Moving table, 23...
...Flying spot cathode ray tube, 24. 27,30...Lens, 3L32...
Phototube, 35, 36...Amplifier, 37...
...Phase inverter, 38...Mixer, 39...
... Slicer, 40 ... Signal processing circuit,
41...Switch, 42...Monitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体集積回路の製造に用いるホトマスクのように
多数の同一模様のパターンを一定のピッチで互いに隣接
して形成した試料のパターンの欠陥を検査するために,
走査光スポットを発生する装置と、前記走査光スポット
を、同一試料中の互いに接近した2つの同一模様のパタ
ーンの同一部分に同時に照射する光学系と、これら2つ
のパターンの透過光または反射光を各別に受光する2つ
の受光装置と、これら2つの受光装置の一方からの出力
信号の位相を反転する回路と、この位相を反転した一方
の出力信号と、他方の受光装置からの位相を反転しない
出力信号とを混合する回路とを具えることを特徴とする
パターンの欠陥検査装置。
1. In order to inspect for defects in the pattern of a sample in which many identical patterns are formed adjacent to each other at a constant pitch, such as a photomask used in the manufacture of semiconductor integrated circuits,
A device that generates a scanning light spot; an optical system that simultaneously irradiates the scanning light spot onto the same portion of two identical patterns close to each other in the same sample; Two light receiving devices that each receive light separately, a circuit that inverts the phase of the output signal from one of these two light receiving devices, and one output signal whose phase is inverted and the phase of the output signal from the other light receiving device is not inverted. A pattern defect inspection device characterized by comprising a circuit for mixing an output signal.
JP49117518A 1974-10-12 1974-10-12 Pattern defect inspection equipment Expired JPS582450B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49117518A JPS582450B2 (en) 1974-10-12 1974-10-12 Pattern defect inspection equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49117518A JPS582450B2 (en) 1974-10-12 1974-10-12 Pattern defect inspection equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5143959A JPS5143959A (en) 1976-04-15
JPS582450B2 true JPS582450B2 (en) 1983-01-17

Family

ID=14713739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP49117518A Expired JPS582450B2 (en) 1974-10-12 1974-10-12 Pattern defect inspection equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS582450B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS567053U (en) * 1979-06-27 1981-01-22
JP2790284B2 (en) * 1988-06-03 1998-08-27 大日本印刷株式会社 Inspection method of periodic pattern
JP4574871B2 (en) * 2001-01-25 2010-11-04 日東光学株式会社 Alignment device and assembly device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4997648A (en) * 1973-01-18 1974-09-14

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5143959A (en) 1976-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4218142A (en) Mask analysis
US7133548B2 (en) Method and apparatus for reticle inspection using aerial imaging
US4247203A (en) Automatic photomask inspection system and apparatus
US4845558A (en) Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4202631A (en) Apparatus for detecting defects in patterns
US4209257A (en) Apparatus for detecting defects in patterns
KR100532268B1 (en) Lens test device and test sheet
US4123170A (en) Apparatus for detecting defects in patterns
US6219442B1 (en) Apparatus and method for measuring distortion of a visible pattern on a substrate by viewing predetermined portions thereof
JPS5925212B2 (en) Method for automatically positioning an object surface and/or image surface in an optical reproduction machine
US4443096A (en) On machine reticle inspection device
US3555172A (en) Television system for checking mask registration
JPS582450B2 (en) Pattern defect inspection equipment
JPH02216407A (en) Substrate inspection device
JPS6196644A (en) Visual inspection equipment
JP3644311B2 (en) Projection lens inspection apparatus and projection lens inspection method
JPH0522176B2 (en)
JPS5856330A (en) Exposing device in contracted manner
JPS58151544A (en) Defect inspecting device by dark view field
JPS6048683B2 (en) Object surface condition inspection method and inspection device
JP2022047966A (en) Photomask blank, method for producing photomask blank, learning method and method for inspecting photomask blank
JPS58204344A (en) Defect inspection device for pattern
GB2076533A (en) Mask Analysis
GB2060876A (en) Testing photomasks
JPH03189544A (en) Substrate inspecting device