JPS5824864B2 - ジキバブルキオクソウチノ バイアスジカイセイギヨホウシキ - Google Patents
ジキバブルキオクソウチノ バイアスジカイセイギヨホウシキInfo
- Publication number
- JPS5824864B2 JPS5824864B2 JP50063870A JP6387075A JPS5824864B2 JP S5824864 B2 JPS5824864 B2 JP S5824864B2 JP 50063870 A JP50063870 A JP 50063870A JP 6387075 A JP6387075 A JP 6387075A JP S5824864 B2 JPS5824864 B2 JP S5824864B2
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- Japan
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- magnetic field
- bias
- bubble
- bias magnetic
- temperature
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブル記憶装置におけるバイアス磁界の
制御方式に関するものである。
制御方式に関するものである。
従来、磁気バブル記憶装置においては、第１図に示す構
成によりバブル記憶素子に対するバイアス磁界を発生さ
せ、また、その強度を調整していた。
成によりバブル記憶素子に対するバイアス磁界を発生さ
せ、また、その強度を調整していた。
即ち、第１図の２および２′がバイアス磁界発生用の永
久磁石であり、これら永久磁石で発生した磁界はヨーク
板４，４′で矢印の平行磁界５となり、磁気バブル記憶
素子１０面に垂直に印加される。
久磁石であり、これら永久磁石で発生した磁界はヨーク
板４，４′で矢印の平行磁界５となり、磁気バブル記憶
素子１０面に垂直に印加される。
また、永久磁石２，２′とヨーク板４０間にはスペーサ
３が挿入されており、該スペーサ３の厚さを変えること
によって磁気バブル記憶素子１に与えるバイアス磁界の
強度を調整する。
３が挿入されており、該スペーサ３の厚さを変えること
によって磁気バブル記憶素子１に与えるバイアス磁界の
強度を調整する。
ところで、磁気バブル記憶装置には、上記のバイアス磁
界の他に、磁気バブル記憶素子１０面に平行な磁界方向
を持つ回転磁界がパズルを駆動させるために与えられて
おり、装置は、これら回転磁界強度とバイアス磁界強度
の成る領域に対して動作可能となる。
界の他に、磁気バブル記憶素子１０面に平行な磁界方向
を持つ回転磁界がパズルを駆動させるために与えられて
おり、装置は、これら回転磁界強度とバイアス磁界強度
の成る領域に対して動作可能となる。
これを第２図に示す。第２図は回転磁界強度を横軸、バ
イアス磁界強度を縦軸に表わしたもので、領域１１は動
作可能、領域１２は動作不可能である。
イアス磁界強度を縦軸に表わしたもので、領域１１は動
作可能、領域１２は動作不可能である。
この図で、例えば回転磁界強度ＨＲ，を一定にしておく
と、バイアス磁界の動作可能領域はＨａとＨｂの間とな
る。
と、バイアス磁界の動作可能領域はＨａとＨｂの間とな
る。
このバイアス磁界強度の境界ＨａとＨｂの温度変化に対
応する軌跡を調べると、第３図に示す様に、動作可能領
域１１は磁気バブル記憶素子の周囲温度が高くなるにつ
れて下降する傾向を示す。
応する軌跡を調べると、第３図に示す様に、動作可能領
域１１は磁気バブル記憶素子の周囲温度が高くなるにつ
れて下降する傾向を示す。
この特性は磁気バブル媒体である磁性ガーネットの特性
によりきまると考えられる。
によりきまると考えられる。
このことから、磁気バブル記憶素子の動作余裕度を最も
広（とるためには、動作可能領域の中心の軌跡１３と同
じバイアス強度に、バイアス磁界強度を温度に対応して
変化させねばならない。
広（とるためには、動作可能領域の中心の軌跡１３と同
じバイアス強度に、バイアス磁界強度を温度に対応して
変化させねばならない。
第１図で説明したように、従来はバイアス磁界発生用永
久磁石とヨーク板の間にスペーサを入れ、その厚さを変
えることによって前記磁石とヨーク板の間隙を変え、バ
イアス磁界の強度を変化させていた。
久磁石とヨーク板の間にスペーサを入れ、その厚さを変
えることによって前記磁石とヨーク板の間隙を変え、バ
イアス磁界の強度を変化させていた。
しかし、この方法では、微調整カ難しく、均一な磁界範
囲が磁気回路の大きさに対して比較的狭いこと、および
バイアス磁界を調整すると均一な磁界分布が変化するこ
と、また、バイアス磁界を装置組み立て後、任意に調整
することが困難であること等の欠点がある。
囲が磁気回路の大きさに対して比較的狭いこと、および
バイアス磁界を調整すると均一な磁界分布が変化するこ
と、また、バイアス磁界を装置組み立て後、任意に調整
することが困難であること等の欠点がある。
本発明は斜上の欠点を除去するため、微調整用スペーサ
の代りに電磁石を用い、磁気バブル素子の周囲温度を検
出して電磁石の励磁電流を制御し、もって磁気バブル記
憶素子に与えられるバイアス磁界の強度を温度に対応し
て変化させ、温度変化に即応して装置の動作余裕度領域
を広げるに最適なバイアス磁界制御方式を提供すること
にある。
の代りに電磁石を用い、磁気バブル素子の周囲温度を検
出して電磁石の励磁電流を制御し、もって磁気バブル記
憶素子に与えられるバイアス磁界の強度を温度に対応し
て変化させ、温度変化に即応して装置の動作余裕度領域
を広げるに最適なバイアス磁界制御方式を提供すること
にある。
第４図に本発明の一実施例を示す。
図において、磁気バブル記憶素子１、バイアス磁界発生
用の永久磁石２，２′、ヨーク板４，４′の構成は第１
図の場合と同じであるが、ヨーク板４，４′にはスペー
サの代りに電磁石４Ｌ４１’が取り付けられており、一
方、磁気バブル記憶素子１の周囲には熱電対などの感温
素子４２が配置されている。
用の永久磁石２，２′、ヨーク板４，４′の構成は第１
図の場合と同じであるが、ヨーク板４，４′にはスペー
サの代りに電磁石４Ｌ４１’が取り付けられており、一
方、磁気バブル記憶素子１の周囲には熱電対などの感温
素子４２が配置されている。
４３は電磁石４Ｌ４１’に励磁電流を与えるための電流
供給回路、４４は熱電対４２からの出力電圧を増幅し、
磁気バブル記憶素子１の周囲温度に応じて電流供給回路
４３の出力電流を制御するための制御回路である。
供給回路、４４は熱電対４２からの出力電圧を増幅し、
磁気バブル記憶素子１の周囲温度に応じて電流供給回路
４３の出力電流を制御するための制御回路である。
第４図の動作は次の通りである。
まず、磁気バブル記憶素子１の周囲温度を熱電対４２で
検出する。
検出する。
そして、この周囲温度に応じて、磁気バブル記憶素子１
に対するバイアス磁界が第３図の磁界強度の軌跡１３と
同じ磁界強度になるように電磁石４１．４１’の磁界強
度を制御する。
に対するバイアス磁界が第３図の磁界強度の軌跡１３と
同じ磁界強度になるように電磁石４１．４１’の磁界強
度を制御する。
これは、熱電対４２で検出された出力電圧に対応して、
制御回路４４が電流供給回路４３を制御し、電磁石４Ｌ
４１’の励磁電流を変化させることで行なわれる。
制御回路４４が電流供給回路４３を制御し、電磁石４Ｌ
４１’の励磁電流を変化させることで行なわれる。
制御回路４４の構成は、種々考えられるが、いずれにし
ても、温度に対応してバイアス磁界強度が動作可能領域
の中心点上を描く軌跡となる様に動作せしめればよい。
ても、温度に対応してバイアス磁界強度が動作可能領域
の中心点上を描く軌跡となる様に動作せしめればよい。
このようにして、温度変化に対応して、バイアス磁界強
度５は磁気バブル記憶装置のバイアス磁界動作可能領域
中の最適値を追跡していくことになるのである。
度５は磁気バブル記憶装置のバイアス磁界動作可能領域
中の最適値を追跡していくことになるのである。
なお、熱電対４２は他の感温素子でも良い。
また、場合によっては永久磁石２，２′を除去し、バイ
アス磁界を全て電磁石４Ｌ４１’で受けもたせることも
可能である。
アス磁界を全て電磁石４Ｌ４１’で受けもたせることも
可能である。
以上説明したように、本発明によれば、磁気バブル記憶
素子の周囲温度を検出し、その温度に対応して微調整用
補助バイアス電磁石の強さを制御してバイアス磁界の強
さを変化させ、常に磁気バブル記憶素子のバイアス磁界
特性の動作可能領域の丁度中心付近の磁界強度に保ち、
バイアス磁界を周囲温度変化に即応させているため、バ
ブル記憶素子の温度特性による動作余裕度領域の変化の
影響を取り除ける利点がある。
素子の周囲温度を検出し、その温度に対応して微調整用
補助バイアス電磁石の強さを制御してバイアス磁界の強
さを変化させ、常に磁気バブル記憶素子のバイアス磁界
特性の動作可能領域の丁度中心付近の磁界強度に保ち、
バイアス磁界を周囲温度変化に即応させているため、バ
ブル記憶素子の温度特性による動作余裕度領域の変化の
影響を取り除ける利点がある。
第１図は磁気バブル記憶装置におけるバイアス磁界制御
方式の従来例を示す図、第２図は回転磁界とバイアス磁
界の組み合わせの動作可能領域を説明する図、第３図は
磁気バブル記憶素子の周囲温度とバイアス磁界強度の組
み合わせの動作可能領域を説明する図、第４図は本発明
方式の一実施例を示す図である。 １・・・・・・磁気バブル記憶素子、２・・・・・・バ
イアス磁界発生用永久磁石、３・・・・・・スペーサ、
４，４′・・・・・・ヨーク板、５・・・・・・バイア
ス磁界、４Ｌ４１’・・・・・・電磁石、４２・・・・
・・感温素子、４３・・・・・・電流供給回路、４４・
・・・・・制御回路。
方式の従来例を示す図、第２図は回転磁界とバイアス磁
界の組み合わせの動作可能領域を説明する図、第３図は
磁気バブル記憶素子の周囲温度とバイアス磁界強度の組
み合わせの動作可能領域を説明する図、第４図は本発明
方式の一実施例を示す図である。 １・・・・・・磁気バブル記憶素子、２・・・・・・バ
イアス磁界発生用永久磁石、３・・・・・・スペーサ、
４，４′・・・・・・ヨーク板、５・・・・・・バイア
ス磁界、４Ｌ４１’・・・・・・電磁石、４２・・・・
・・感温素子、４３・・・・・・電流供給回路、４４・
・・・・・制御回路。
Claims (1)
- １ 磁気バブル記憶素子に与えるバイアス磁界の一部又
は全部を電磁石で受けもたせると共に、前記磁気バブル
記憶素子の周囲に感温素子を配置し前記感温素子の出力
に対応して前記電磁石の励磁電流を変化せしめ、磁気バ
ブル記憶素子の周囲温度に対応してバイアス磁界を制御
することを特徴とした磁気バブル記憶装置のバイアス磁
界制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50063870A JPS5824864B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキバブルキオクソウチノ バイアスジカイセイギヨホウシキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50063870A JPS5824864B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキバブルキオクソウチノ バイアスジカイセイギヨホウシキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51139219A JPS51139219A (en) | 1976-12-01 |
| JPS5824864B2 true JPS5824864B2 (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=13241755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50063870A Expired JPS5824864B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキバブルキオクソウチノ バイアスジカイセイギヨホウシキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824864B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931150B2 (ja) * | 1975-05-30 | 1984-07-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルモジユ−ル |
| JPS5931149B2 (ja) * | 1975-05-30 | 1984-07-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ温度検出法 |
| JPS5243329A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-05 | Hitachi Ltd | Bias magnetic field adjustment mechanism |
| JPS545334A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS55146684A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-15 | Nec Corp | Magnetic bubble detector |
| JPS55163681A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
| EP0147968A3 (en) * | 1983-12-23 | 1986-09-17 | General Motors Corporation | Temperature compensated magnetic bubble memory |
-
1975
- 1975-05-27 JP JP50063870A patent/JPS5824864B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51139219A (en) | 1976-12-01 |
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