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JPS5825268B2 - EL display panel - Google Patents
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JPS5825268B2 - EL display panel - Google Patents

EL display panel

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Publication number
JPS5825268B2
JPS5825268B2 JP53023845A JP2384578A JPS5825268B2 JP S5825268 B2 JPS5825268 B2 JP S5825268B2 JP 53023845 A JP53023845 A JP 53023845A JP 2384578 A JP2384578 A JP 2384578A JP S5825268 B2 JPS5825268 B2 JP S5825268B2
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JP
Japan
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film
thin film
circuit board
display
light
Prior art date
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Expired
Application number
JP53023845A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS54116198A (en
Inventor
安田修平
金谷吉晴
松本功
大場敏弘
大谷修基
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS5825268B2 publication Critical patent/JPS5825268B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依ってEL (Electro Lum1nescene )発光を
呈する薄膜EL素子を使用したEL表示装置に対して有
効な技術となるEL表示パネルの構造に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the structure of an EL display panel, which is an effective technique for an EL display device using a thin film EL element that emits EL (Electro Luminescence) light upon application of an alternating electric field. be.

従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/cm程度)を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.
1〜2.0wt%のMn (あるいはCu、Al、Br
等)をドープしたZnS、Zn5e等の半導体発光層を
Y2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチした
三層構造ZnS :Mn(又はZn5e :Mn)EL
素子が開発され、発光諸特性の向上が確かめられている
Conventionally, for AC-operated thin film EL elements, a high electric field (about 106 V/cm) is regularly applied to the light emitting layer to improve dielectric strength, luminous efficiency, stability of operation, etc.
1 to 2.0 wt% Mn (or Cu, Al, Br
ZnS:Mn (or Zn5e:Mn) EL has a three-layer structure in which a semiconductor light emitting layer doped with ZnS, Zn5e, etc.) is sandwiched between dielectric thin films such as Y2O3, TiO2, etc.
Elements have been developed and improvements in various light-emitting characteristics have been confirmed.

この薄1ELi子は数KHz の交流電界印加によって
高輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有して
いる。
This thin 1EL Li element emits high-intensity light upon application of an alternating current electric field of several KHz, and has the characteristics of long life.

またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を昇圧
していく過程と高電圧側より降圧していく過程で、同じ
印加電圧に対して発光輝度が異なるといったヒステリシ
ス特性を有していることが発見され、そしてこのヒステ
リシス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する
過程に於いて、光、電界ζ熱等が付与されると薄膜EL
素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起され、
光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度
が高くなった状態に留まるといったメモリー現象が存在
することが知られている。
It was also discovered that the light emission of this thin film EL element has a hysteresis characteristic in which the luminance of the light emitted by the same applied voltage differs in the process of increasing the applied voltage and in the process of decreasing the voltage from the high voltage side. In the process of increasing the applied voltage to a thin film EL element having hysteresis characteristics, when light, electric field ζ heat, etc. are applied, the thin film EL element
The element is excited to a state of luminescence brightness corresponding to its intensity,
It is known that there is a memory phenomenon in which the luminance remains in a high state even if light, electric field, heat, etc. are removed and the state is returned to its original state.

そしてこのメモリー現象を有効に活用して薄膜EL素子
をメモリー素子に利用する薄膜EL素子応用技術が現在
産業界で研究開発中である。
A thin film EL device application technology that effectively utilizes this memory phenomenon to utilize a thin film EL device as a memory device is currently being researched and developed in the industry.

薄膜EL素子の1例としてZn:Mn薄膜EL素子の基
本的構造を第1図に示す。
FIG. 1 shows the basic structure of a Zn:Mn thin film EL device as an example of a thin film EL device.

第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上にIn2O3、SnO□等の透明電
極2、さらにその上に積層してY2O3、TiO2、A
l2O3、S i 3 N4、SiO2等からなる第1
の誘電体層3がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等に
より重畳形成されている。
The structure of a thin film EL element will be explained in detail based on FIG. 1. A transparent electrode 2 such as In2O3, SnO
The first layer consists of l2O3, Si3N4, SiO2, etc.
A dielectric layer 3 is formed in an overlapping manner by sputtering, electron beam evaporation, or the like.

第1の誘電体層3上にはZnS:Mn 焼結ペレット
を電子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層
4が形成されている。
A ZnS light emitting layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets.

この時蒸着用のZnS:Mn焼結ペレットには活性物質
となるMnが目的に応じた濃度に設定されたペレットが
使用される。
At this time, the ZnS:Mn sintered pellets used for vapor deposition are pellets in which Mn, which is an active substance, is set at a concentration depending on the purpose.

Zn8層4上には第1の誘電体層3と同様の材質から成
る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にAI等か
ら成る背面電極6が蒸着形成されている6透明電極2と
背面電極6は交流電源7に接続され。
A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the Zn8 layer 4, and a transparent electrode 6 on which a back electrode 6 made of AI or the like is formed by vapor deposition. 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7.

薄膜EL素子が駆動される。The thin film EL element is driven.

電極2,6間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4
0両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧が誘起される
ことになり、従ってZnS発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励起
されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。
When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the ZnS light emitting layer 4
The above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4. Therefore, the electric field generated in the ZnS light emitting layer 4 excites electrons into the conduction band and accelerates them to obtain sufficient energy. , directly excites the Mn luminescent center, and emits yellow light when the excited Mn luminescent center returns to the ground state.

即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4中の発光
センターであるZnサイトに入ったMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850人をピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。
That is, when the electrons accelerated by a high electric field excite the electrons of the Mn atoms that have entered the Zn site, which is the luminescent center in the ZnS luminescent layer 4, and fall to the ground state, the electrons emit light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5,850 N. Exhibits strong luminescence.

上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。
The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, still images, moving images, etc. in computer output display terminal equipment and various other display devices that contain characters and figures. It can be used as a means of displaying images, etc.

第2図に従来より実施されている薄膜ELパネルの1例
を示す。
FIG. 2 shows an example of a conventional thin film EL panel.

この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置が
パネルの1絵素に相当する。
This thin film EL panel adopts a matrix electrode structure in which the transparent electrode 2 and the back electrode 6 shown in FIG. The crossing position corresponds to one picture element on the panel when viewed from a plan view.

第2図に基いて説明すると、ガラス基板1上に平行配列
された透明電極2、第1の誘電体層3、ZnS発光層4
が順次積層され、ZnS発光層4上にはSi3N4膜5
aとSi3N4膜5a上に重畳されたAl2O3膜5b
とから成る第2の誘電体層が2層構造で積層され、更に
上記透明電極2と直交する方向に平行配列された背面電
極6が第2の誘電体層上に設けられ、薄膜EL素子が構
成されている。
To explain based on FIG. 2, transparent electrodes 2, a first dielectric layer 3, and a ZnS light emitting layer 4 are arranged in parallel on a glass substrate 1.
are sequentially laminated, and a Si3N4 film 5 is formed on the ZnS light emitting layer 4.
a and the Al2O3 film 5b superimposed on the Si3N4 film 5a.
A second dielectric layer consisting of is laminated in a two-layer structure, and furthermore, a back electrode 6 arranged in parallel in a direction orthogonal to the transparent electrode 2 is provided on the second dielectric layer, and a thin film EL element is formed. It is configured.

この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1と背面
ガラス板80周縁部は接着固定され、外囲器が構成され
ている。
In order to seal this thin film EL element, the glass substrate 1 and the peripheral edge of the back glass plate 80 are adhesively fixed to form an envelope.

外囲器内には薄膜EL素子が内蔵されるとともにシリコ
ンオイル等の絶縁用液体9が封入されている。
A thin film EL element is built into the envelope, and an insulating liquid 9 such as silicone oil is sealed therein.

また透明電極2及び背面電極6のリート苅子部10はガ
ラネ基板1と背面ガラス板8の接合部を介して外囲器外
部へ延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気ン的
に接続されている。
Furthermore, the lead edge portions 10 of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 are extended to the outside of the envelope via the joint between the glass panel board 1 and the back glass plate 8, and are connected to a drive control circuit (not shown) and an electrical connection. connected.

透明電極2及び背面電極6を介して交流電圧を印加する
とガラス基板1の前面より絵素単位の発光表示が実行さ
れる。
When an alternating current voltage is applied through the transparent electrode 2 and the back electrode 6, a light emitting display is performed on a pixel-by-pixel basis from the front surface of the glass substrate 1.

薄膜ELパネルは従来のブラウン管(CRT)と比較し
て動作電圧が低く、同じ平面型テイスプ;レイ・デバイ
スであるプラズマディスプレイパネル(FDP)と比較
すれば重量や強度面で優れており、液晶(LCD)に比
べて動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの
利点を有している。
Thin-film EL panels have a lower operating voltage than conventional cathode ray tubes (CRTs), and are superior in weight and strength to plasma display panels (FDPs), which are similar flat display devices. It has many advantages over LCDs, such as a wider operating temperature range and faster response speed.

また純固体マトリックス型パネルであるためν動作寿命
が長く、そのアドレスの正確さとともにコンピューター
等の入出力表示手段として非常に有効なものである。
Furthermore, since it is a pure solid matrix type panel, it has a long operating life, and its address accuracy makes it very effective as an input/output display means for computers and the like.

従来、FDP等の表示パネルに於いては、表示用セルを
プリント基板等に装着固定し、このブリ・ント基板と独
立して駆動回路、制御回路等を構成する回路基板その他
の回路実装手段を配設し、表示用セルと回路及び操作部
を連結することにより表示装置を構成していた。
Conventionally, in display panels such as FDPs, display cells are attached and fixed to a printed circuit board, etc., and circuit boards and other circuit mounting means that configure drive circuits, control circuits, etc. are installed independently of this printed circuit board. A display device was constructed by connecting the display cell, circuit, and operation section.

一方、表示装置類に対する小型軽量化、低コス1ト化、
信頼性の改善等は、産業界より課せられた重要な開発課
題の1つであり、EL表示パネルについてもこれらの課
題を有効に解決する新たな技術の改良が切望されていた
On the other hand, it is possible to reduce the size and weight of display devices, reduce costs,
Improving reliability is one of the important development issues imposed by the industry, and there has been a strong desire for new technological improvements that can effectively solve these issues for EL display panels.

本発明は上記現状に鑑み、EL表示パネルを両面プリン
ト基板の片側主面上に装着固定し、駆動回路、制御回路
その他の回路等を両面プリント基板の反対側主面上に塔
載することにより、信頼性の向上、及び基板両面の有効
活用に基く小型薄型化、低コスト化を計った新規有用な
EL表示パネルの実装技術を提供することを目的とする
ものである。
In view of the above-mentioned current situation, the present invention has been developed by mounting and fixing an EL display panel on one main surface of a double-sided printed circuit board, and mounting a drive circuit, a control circuit, and other circuits on the opposite main surface of the double-sided printed circuit board. The object of the present invention is to provide a new and useful mounting technology for an EL display panel that improves reliability and achieves smaller size, thinner thickness, and lower cost by effectively utilizing both sides of the substrate.

以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳細
に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail according to embodiments with reference to the drawings.

第3図は本発明の1実施例の説明に供するマトワックス
電極構造薄膜ELパネルの要部構成断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a thin film EL panel with a matwax electrode structure for explaining one embodiment of the present invention.

パイレックス等の耐熱ガラスから成るガラス基板1上に
第2図同様帯状成形された透明電極2が平行配列され、
その上に第1の誘電体層3、ZnS発光層4が積層され
ている。
Transparent electrodes 2 formed into strips as in FIG. 2 are arranged in parallel on a glass substrate 1 made of heat-resistant glass such as Pyrex.
A first dielectric layer 3 and a ZnS light emitting layer 4 are laminated thereon.

またZnS発光層4上にはSi3N4膜5a、Al2O
3膜5bから成る2層構造の第2の誘電体層が堆積され
ている。
Further, on the ZnS light emitting layer 4, a Si3N4 film 5a, an Al2O
A second dielectric layer with a two-layer structure consisting of three films 5b is deposited.

第2の誘電体層を構成するAl2O3膜5b上には背面
電極の光反射を防止するため、A1203−X膜11が
多段積層されている。
On the Al2O3 film 5b constituting the second dielectric layer, A1203-X films 11 are laminated in multiple stages to prevent light reflection from the back electrode.

A1203−X膜11はAl2O3の酸素原子が脱落し
たものでアルミニウムに近似した特性を呈する酸化アル
ミナである。
The A1203-X film 11 is made of Al2O3 from which oxygen atoms have been removed, and is alumina oxide exhibiting characteristics similar to aluminum.

A1203−X膜11の形成はA1□03膜5b土に数
回の分割蒸着によって多層膜を積層することにより行な
り。
The A1203-X film 11 was formed by laminating a multilayer film on the A1□03 film 5b by several times of divided vapor deposition.

本実施例はこの多層膜を3層構造としている。In this embodiment, this multilayer film has a three-layer structure.

即ち、Al2O3膜5b上に150 ’Cの温度で膜厚
10λ〜50λ程度の第1段層を真空蒸着し、酸素リー
クした後、その表面を酸化させる。
That is, a first layer having a thickness of about 10λ to 50λ is vacuum-deposited on the Al2O3 film 5b at a temperature of 150'C, and after oxygen leaks, the surface is oxidized.

次に第1段層上に第2段層を同様にして真空蒸着するが
膜厚は第1段層よりも厚くする。
Next, a second layer is vacuum-deposited on the first layer in the same manner, but the film thickness is made thicker than that of the first layer.

更に酸素リーク工程を経て第3段層を第2段層上に同様
に真空蒸着する。
Furthermore, a third stage layer is similarly vacuum-deposited on the second stage layer through an oxygen leak process.

上記多層膜から成るAl203−X膜11上にAI金属
層を150℃以上の温度で膜厚1000〜10000λ
に制御しながら蒸着して背面電極13とする。
An AI metal layer is formed on the Al203-X film 11 consisting of the above multilayer film at a temperature of 150°C or higher to a film thickness of 1000 to 10000λ.
The back electrode 13 is formed by vapor deposition under controlled conditions.

背面電極13はA12o3膜5b上に全面積層されたA
1203−X膜11及びAI金属層を所定のパターン形
状に従ってエツチングすることにより帯状に平行配列さ
れる。
The back electrode 13 is an A layered over the entire area on the A12o3 film 5b.
By etching the 1203-X film 11 and the AI metal layer according to a predetermined pattern shape, they are arranged in parallel strips.

この時、同時にA1203−x膜11もエツチング加工
されるがAl2O3膜5bはエツチングされないで残存
する。
At this time, the A1203-x film 11 is also etched at the same time, but the Al2O3 film 5b remains without being etched.

多層膜から成るA1203−x膜11の介在により、E
Lパネル内に侵入した光は、このAl2O3膜11で吸
収され、従って背面電極13より反射される反射光は大
幅に減少する。
Due to the interposition of the A1203-x film 11 consisting of a multilayer film, E
The light that has entered the L panel is absorbed by this Al2O3 film 11, and therefore the amount of light reflected from the back electrode 13 is significantly reduced.

このため、ガラス基板1側より肉眼観察した場合、背面
電極13は黒色化された背景となる。
Therefore, when observed with the naked eye from the glass substrate 1 side, the back electrode 13 becomes a black background.

上記構成から成る薄膜EL素子はガラス基板1上に載置
された皿状の背面ガラス板8で構成される外囲器内にシ
リコンオイル等の絶縁用液体9とともに封入されている
The thin film EL element having the above structure is sealed together with an insulating liquid 9 such as silicone oil in an envelope made of a dish-shaped rear glass plate 8 placed on a glass substrate 1.

また透明電極2、背面電極13はその端部がリン青銅板
、銅−ベリリウム合金板等から成るリート電子100片
端と接続され、リード端子10を介して給電される。
Further, the ends of the transparent electrode 2 and the back electrode 13 are connected to one end of a REIT electronic 100 made of a phosphor bronze plate, a copper-beryllium alloy plate, etc., and power is supplied through the lead terminal 10.

リード端子10は外囲器外部で第1の回路基板14方向
に折曲され、その他端は第1の回路基板14と電気的及
び機械的に接続される。
The lead terminal 10 is bent toward the first circuit board 14 outside the envelope, and the other end is electrically and mechanically connected to the first circuit board 14.

リート電子10は1本実施例ではフィルムリード線を使
用している。
In this embodiment, the REIT electronic 10 uses a film lead wire.

薄膜EL素子を内蔵した外囲器はこのリード端子10に
より第1の回路基板14に対し一定距離を隔てた浮遊状
態で弾性的に支承されている。
The envelope containing the thin film EL element is elastically supported by the lead terminals 10 in a floating state with respect to the first circuit board 14 at a certain distance.

リード端子10の接続は両面プリント基板から成る第7
1の回路基板14上に被着された銅箔等に直接半田付け
、ロウ付は等の処理を施こすことにより行なう。
The connection of the lead terminal 10 is made using a seventh terminal made of a double-sided printed circuit board.
This is done by directly soldering, brazing, etc. to the copper foil or the like deposited on the circuit board 14 of 1.

第1の回路基板14の外囲器設置側主面上には黒色ビニ
ール等から成る背景膜15が被覆され、薄膜EL素子に
対する表示用背景色が構成さ5れている。
A background film 15 made of black vinyl or the like is coated on the main surface of the first circuit board 14 on the side where the envelope is installed, and forms a display background color for the thin film EL element.

また、この背景膜15は背面電極130間隙を透過した
光を吸収する作用をする。
Further, the background film 15 functions to absorb light transmitted through the gap between the back electrodes 130.

第1の回路基板14の他面側にはダイオード・アレイ等
の集積回路他IC,LSI等の電子部品16が基板14
面に取り付けられた部品コネクター16′フを介してD
I P (Dualln Line Packa
ge )法により搭載され、あるいは高耐圧MO8IC
16“、トランジスタ・ゲー)IC等が実装されて薄膜
EL素子の駆動回路が構成されている。
On the other side of the first circuit board 14, integrated circuits such as a diode array, and electronic components 16 such as ICs and LSIs are mounted on the board 14.
D via the component connector 16' mounted on the surface.
I P (Dual Line Packa)
ge ) method or high voltage MO8IC
16", transistor/game) IC, etc. are mounted to constitute a drive circuit for the thin film EL element.

また電子部品はその接続端子を両面プリント基板に貫通
挿i人し、EL表示パネル取付側より半田等によって直
接接続することもできる。
Furthermore, the connection terminals of the electronic components can be inserted through the double-sided printed circuit board and directly connected by soldering or the like from the EL display panel mounting side.

第1の回路基板14と平行に対向配置された第2の回路
基板17上には同様に各種の電子部品16が搭載され、
駆動回路、制御回路、その他の回路が構成されている。
Various electronic components 16 are similarly mounted on a second circuit board 17 arranged parallel to and opposite to the first circuit board 14.
A drive circuit, a control circuit, and other circuits are configured.

フ第1の回路基板14と第2の回路基板17との電気的
接続は基板周縁の互いに対向する主面上に設けられたコ
ネクタ一端子18,19を機械的に嵌合することによっ
て行なわれる。
Electrical connection between the first circuit board 14 and the second circuit board 17 is performed by mechanically fitting connector terminals 18 and 19 provided on the main surfaces facing each other at the periphery of the board. .

回路基板は2層以上の多層基板とすることも当然に可能
である。
Naturally, the circuit board can also be a multilayer board with two or more layers.

1各回路基板間の機械的接続は基板隅部に設けられたビ
ス孔に取付ビス20を挿入固定することにより行なわれ
、各回路基板は一体的に連結される。
1. Mechanical connection between each circuit board is performed by inserting and fixing mounting screws 20 into screw holes provided at the corners of the board, and each circuit board is integrally connected.

以上により回路基板上に搭載され、回路基板と一体化さ
れた薄膜ELパネルが構成されている。
As described above, a thin film EL panel mounted on the circuit board and integrated with the circuit board is constructed.

ン 情報処理用としてこの薄膜ELパネルヲ使用スる場
合、駆動回路は走査用駆動回路、データー用駆動回路及
びゲート回路が必要となるが各駆動回路をそれぞれ各別
に分類して各回路基板に搭載すれば回路構成の簡素化、
整列化を計ることができる。
When using this thin-film EL panel for information processing, a scanning drive circuit, a data drive circuit, and a gate circuit are required, but each drive circuit must be classified separately and mounted on each circuit board. For example, simplification of circuit configuration,
You can measure alignment.

制御回路、駆動回路等を介してリード端子10より透明
電極2及び背面電極13に電圧を印加するとガラス基板
1よりZnS 発光層4のEL全発光基く絵素単位の表
示が実行される。
When a voltage is applied to the transparent electrode 2 and the back electrode 13 from the lead terminal 10 via the control circuit, drive circuit, etc., display is performed in pixel units based on the EL total emission of the ZnS light emitting layer 4 from the glass substrate 1.

この時ガラス基板1より素子内部へ侵入した外部光は背
面電極13に到達する前に誘電体層5bと背面電極13
間に介在する光吸収用のA120a−x膜11で吸収さ
れるため、反射光としてガラス基板1より外部へ出射さ
れることがなく、良好な表示品位が維持される。
At this time, external light that has entered the inside of the element from the glass substrate 1 passes through the dielectric layer 5b and the back electrode 13 before reaching the back electrode 13.
Since the light is absorbed by the light-absorbing A120a-x film 11 interposed therebetween, it is not emitted to the outside from the glass substrate 1 as reflected light, and good display quality is maintained.

以上詳説した如く、本発明によれば、EL表示パネルが
両面プリント基板に装着され、この両面プリント基板は
そのまま駆動回路搭載用基板として活用されるため、E
L表示パネルの部品実装密度が高くなりパネル内空間の
有効利用に基<EL表示パネルの小型薄型化を達成する
ことができる。
As explained in detail above, according to the present invention, an EL display panel is mounted on a double-sided printed circuit board, and this double-sided printed circuit board is used as it is as a board for mounting a drive circuit.
The component mounting density of the L display panel is increased, and the space within the panel is effectively utilized, making it possible to make the EL display panel smaller and thinner.

同時にコスト低減にも大きく寄与する。At the same time, it greatly contributes to cost reduction.

またEL表示パネルの外囲器外部に延設された接続用の
リード端子はプリント基板上で駆動回路等に直接接続さ
れるため、多芯コネクタ等の使用は不要となり、信頼性
が向上する。
Furthermore, since the connection lead terminals extending outside the envelope of the EL display panel are directly connected to the drive circuit or the like on the printed circuit board, the use of multi-core connectors or the like becomes unnecessary, improving reliability.

更にEL素子を搭載した両面基板のEL素子搭載面には
EL素子の背面領域に相当する部分に黒色の背景膜が被
覆され、光吸収機能が構成されている。
Further, on the EL element mounting surface of the double-sided substrate on which the EL element is mounted, a portion corresponding to the back area of the EL element is coated with a black background film to provide a light absorption function.

この両面基板は駆動回路部品を多数搭載しているため、
各部品間を結線する印刷配線パターン、部品と配線との
半田付けあるいは配線種別を識別するための色模様等の
如く雑多な色彩や模様を有している。
This double-sided board is equipped with many drive circuit components, so
They have miscellaneous colors and patterns, such as printed wiring patterns for connecting each component, color patterns for soldering between components and wiring, and color patterns for identifying the type of wiring.

一方、EL素子の背面電極は帯状に成形されて平行に配
列されているため、この配列間隙を介して光が透過する
On the other hand, since the back electrodes of the EL element are formed into strips and arranged in parallel, light passes through the gaps between the arrangements.

黒色の背景膜はこの光を吸収して背面電極の配列間隙を
介して両面基板の色彩や模様が観察者に見えることを防
止する作用を有するものであり、表示品位の向上に寄与
する。
The black background film has the function of absorbing this light and preventing the color and pattern of the double-sided substrate from being seen by the viewer through the arrangement gap of the back electrodes, contributing to improvement of display quality.

尚、上記実施例はマトリックス型電極構造の黄)色落膜
ELパネルについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、セグメント型電極構造、その他につ
いても、また、緑色、赤色等の薄膜ELパネルについて
も当然に適用可能であり発光層、電極層等を多段形成し
た多色薄膜ELパネルにも応用できる。
Although the above embodiment describes a yellow (yellow) color epidural EL panel with a matrix type electrode structure, the present invention is not limited to this, and segment type electrode structures and others can also be used with green, red, etc. Of course, the present invention can also be applied to thin film EL panels such as the above, and can also be applied to multicolor thin film EL panels in which light emitting layers, electrode layers, etc. are formed in multiple stages.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の薄膜EL素子の基本的構造を示す断面構
成図である。 第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部断面構
成図である。 第3図□は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパ
ネルの要部断面構成図である。
FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram showing the basic structure of a conventional thin film EL element. FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram of essential parts showing an example of a conventional thin film EL panel. FIG. 3 □ is a cross-sectional configuration diagram of a main part of a thin film EL panel for explaining one embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 一方の主面上に駆動回路を構成する複数の電子部品
を配設しかつ相互に結線して成る両面基板の他方の主面
上にEL表示素子を搭載したEL表示パネルに於いて、
前記EL表示素子を透過した光を吸収する黒色系背景膜
を前記両面基板の前記EL表示素子搭載面に被覆し、前
記両面基板の結線模様を遮蔽したことを特徴とするEI
、表示パネル。
1. In an EL display panel in which an EL display element is mounted on the other main surface of a double-sided substrate formed by disposing a plurality of electronic components constituting a drive circuit on one main surface and interconnecting them,
EI characterized in that the EL display element mounting surface of the double-sided substrate is coated with a black background film that absorbs light transmitted through the EL display element, thereby shielding the wiring pattern of the double-sided substrate.
, display panel.
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JPS5248460A (en) * 1975-10-16 1977-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Preset timer
JPS52135771A (en) * 1976-05-10 1977-11-14 Seiko Instr & Electronics Ltd Portable electronic device

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