JPS5826658B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS5826658B2 JPS5826658B2 JP3614076A JP3614076A JPS5826658B2 JP S5826658 B2 JPS5826658 B2 JP S5826658B2 JP 3614076 A JP3614076 A JP 3614076A JP 3614076 A JP3614076 A JP 3614076A JP S5826658 B2 JPS5826658 B2 JP S5826658B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- phase growth
- reaction
- lamps
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相成長装置、特に低い反応温度条件下でも気
相成長反応を行わしめることのできる気相成長装置に関
するものである。
相成長反応を行わしめることのできる気相成長装置に関
するものである。
周知のように、気相成長装置はＩＣあるいはＬＳＩ等を
製造する際用いられるウェーハ等の処理装置の１つであ
り、常圧又は減圧条件の下で、反応管中に反応ガスを流
通し、管内に配置したウェーハ等の表面に薄膜を成長さ
せる装置である。
製造する際用いられるウェーハ等の処理装置の１つであ
り、常圧又は減圧条件の下で、反応管中に反応ガスを流
通し、管内に配置したウェーハ等の表面に薄膜を成長さ
せる装置である。
このような処理に際しては、反応管は抵抗加熱炉のよう
な加熱装置によって加熱される。
な加熱装置によって加熱される。
この加熱は、使用する反応ガスの種類によって異るけれ
ども、通常４００〜１，０００℃という高範囲の温度で
行われる。
ども、通常４００〜１，０００℃という高範囲の温度で
行われる。
したがって例えばアルミニウムや金のようにシリコン基
板と共融する融点の低い金属を配線材料として用いた半
導体基板の表面に薄膜を気相成長させようとしても、そ
れは技術的に実現することができないことがある。
板と共融する融点の低い金属を配線材料として用いた半
導体基板の表面に薄膜を気相成長させようとしても、そ
れは技術的に実現することができないことがある。
このような問題は、気相成長反応を低温で行うことがで
きるならば、勿論解消されるが、従来一般に用いられて
いる抵抗加熱炉を用いた気相成長装置では非常に難かし
い。
きるならば、勿論解消されるが、従来一般に用いられて
いる抵抗加熱炉を用いた気相成長装置では非常に難かし
い。
本発明の目的は気相成長反応をより低温で行わしめるこ
とのできる気相成長装置を提供しようとするものである
。
とのできる気相成長装置を提供しようとするものである
。
このような目的に沿って、本発明は従来の抵抗加熱炉に
よる加熱方式を赤外線ランプによる加熱方式に変え、か
つこれに紫外線照射を併用することにより、反応ガスを
励起させ反応温度を低下させることを企図している。
よる加熱方式を赤外線ランプによる加熱方式に変え、か
つこれに紫外線照射を併用することにより、反応ガスを
励起させ反応温度を低下させることを企図している。
即ち、本発明に係る気相成長装置は、気相成長反応を行
うための反応管の外周に沿って、赤外線ランプと紫外線
ランプとを交互に配列し、全体を反射板でカバーしたこ
とを特徴としている。
うための反応管の外周に沿って、赤外線ランプと紫外線
ランプとを交互に配列し、全体を反射板でカバーしたこ
とを特徴としている。
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。
第１図は本発明に係る気相成長装置の一例を示す縦断説
明図、第２図は第１図のＸ−Ｘ矢視断面図であって、特
に赤外線ランプ及び紫外線ランプの配列状態を説明する
ための図である。
明図、第２図は第１図のＸ−Ｘ矢視断面図であって、特
に赤外線ランプ及び紫外線ランプの配列状態を説明する
ための図である。
これらの図において、１は反応管であり、これは赤外線
及び紫外線を透過することのできる材料、例えば石英か
らつくられている。
及び紫外線を透過することのできる材料、例えば石英か
らつくられている。
反応管１はその両端部に反応ガスの導入口１ａと排出口
１ｂを有する。
１ｂを有する。
排出口１ｂには、ロータリーポンプのような真空ポンプ
（図示されず）が接続され、反応ガスを吸引しながらそ
れを反応管内に流通せしめている。
（図示されず）が接続され、反応ガスを吸引しながらそ
れを反応管内に流通せしめている。
反応管１には、その外周に沿って赤外線ランプ２と紫外
線ランプ３とが交互に配置されている。
線ランプ３とが交互に配置されている。
両ランプ２，３を交互に配置するのは、反応管内に置い
た処理基板４及び反応管内の反応ガスに、赤外線及び紫
外線を均一に照射するためである。
た処理基板４及び反応管内の反応ガスに、赤外線及び紫
外線を均一に照射するためである。
赤外線の照射量の制御は、そのランプに印加する電力量
を調節したり或は点燈すべきランプ数を電源スィッチＯ
Ｎ、ＯＦＦで制御することによって行われる。
を調節したり或は点燈すべきランプ数を電源スィッチＯ
Ｎ、ＯＦＦで制御することによって行われる。
また、紫外線の照射量の制御も同様に行なう。
赤外線の照射効率を向上するため、両ランプ２゜３のラ
ンプ群は反射板５によって囲まれている。
ンプ群は反射板５によって囲まれている。
反射板５は、例えば金属板に金、銀又はアルミニウムを
蒸着させてつくられている。
蒸着させてつくられている。
反射板５と反応管１とによって規定された空間領域内に
、空気又は窒素ガス等の冷却媒体を導入するため、反射
板５には冷却ガス導入口５ａが設けられている。
、空気又は窒素ガス等の冷却媒体を導入するため、反射
板５には冷却ガス導入口５ａが設けられている。
この空間領域内を冷却するのはランプ２，３のシーリン
グ部の破損を防止するためである。
グ部の破損を防止するためである。
本発明に係る気相成長装置は、上記のような構成を有す
るので、反応管内に導入された反応ガスは紫外線の照射
を受ける。
るので、反応管内に導入された反応ガスは紫外線の照射
を受ける。
この結果、その成分である反応物質は励起され、低い反
応温度でも化学反応を進行させることができる。
応温度でも化学反応を進行させることができる。
次に、本発明の装置を用いて、実際に気相成長させた実
施例について説明する。
施例について説明する。
この実施例では、反応ガスとしてＳｉＨ４を使って、シ
リコンウェーハの表面に多結晶シリコンの薄膜を気相成
長させた。
リコンウェーハの表面に多結晶シリコンの薄膜を気相成
長させた。
この結果、紫外線の照射を行わない場合、成長反応を円
滑に行わせるためには、ウェーハは約７００℃の温度以
上に加熱させなければならなかった。
滑に行わせるためには、ウェーハは約７００℃の温度以
上に加熱させなければならなかった。
一方、４００Ｗの水銀蒸気ランプを３本点燈させて紫外
線を照射しながら成長反応を行った場合、赤外ランプは
ＩＫＷの３本を用いるが、入力電力は低くウェーハを僅
か１００℃位に加熱するだけで反応が円滑に進行した。
線を照射しながら成長反応を行った場合、赤外ランプは
ＩＫＷの３本を用いるが、入力電力は低くウェーハを僅
か１００℃位に加熱するだけで反応が円滑に進行した。
第１図は本発明に係る気相成長装置の一例を示す縦断面
説明図、第２図は第１図のＸ−Ｘ矢視断面図であって、
特に赤外線ランプ及び紫外線ランプの配列状態を説明す
るための図である。 符号の説明、１・・・・・・反応管、２・・・・・・赤
外線ランプ、３・・・・・・紫外線ランプ、５・・・・
・・反射板。
説明図、第２図は第１図のＸ−Ｘ矢視断面図であって、
特に赤外線ランプ及び紫外線ランプの配列状態を説明す
るための図である。 符号の説明、１・・・・・・反応管、２・・・・・・赤
外線ランプ、３・・・・・・紫外線ランプ、５・・・・
・・反射板。
Claims (1)
- １ 気相成長反応を行うための反応管の外周に沿って、
赤外線ランプと紫外線ランプとを交互に配置１ル、全体
を反射板でカバーした構造の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3614076A JPS5826658B2 (ja) | 1976-04-02 | 1976-04-02 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3614076A JPS5826658B2 (ja) | 1976-04-02 | 1976-04-02 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52120681A JPS52120681A (en) | 1977-10-11 |
| JPS5826658B2 true JPS5826658B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=12461470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3614076A Expired JPS5826658B2 (ja) | 1976-04-02 | 1976-04-02 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826658B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224554A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 酸素ガス濃淡電池用素子 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS5996719A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 薄膜半導体の製造方法 |
| JPS59129770A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
| JPS59188913A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPS6061720U (ja) * | 1983-10-01 | 1985-04-30 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線照射装置 |
| JPS60241217A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Nec Corp | 縦型紫外光照射気相成長装置 |
| JPH0740552B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1995-05-01 | 三井東圧化学株式会社 | 半導体薄膜の製法 |
-
1976
- 1976-04-02 JP JP3614076A patent/JPS5826658B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224554A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 酸素ガス濃淡電池用素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52120681A (en) | 1977-10-11 |
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