JPS5827604B2 - チヨウデンドウタイノセイホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超伝導体の製法、更に詳しくは異なる物質から
成る超伝導体の製法に関する。

本発明方法によれば、β−タングステン型Ｖ３ Ｇ ａ
の緻密な超伝導体を得ることが出来る。

従来、超伝導体の製法としては独逸国特許出願（出願番
号第１，２３４，９３９号）に、バナジウム粉末とＶ２
（）ａ粉末とを混合し、１３Ｖ＋Ｖ２Ｇａ５→５Ｖ３（
）ａの反応によって超伝導体を製造する方法が開示され
ている。

この方法によって得られる超伝導性物質は多孔質である
ことおよびこの方法はフィラメント状の超伝導体の製造
に適しないという欠点を有する。

本発明方法によればかかる欠点を克服することが出来る
。

本発明方法によれば周期律表の第ＶＢ族から選らばれる
元素（少くとも１種）またはこの元素からなる合金片（
以下第１物質と称す）に、第ｖＢ族の元素（少くとも１
種）と第１１１Ａ、ｆｆＡ族から選ばれる元素（少くと
も１種）との非超伝導性金属間化合物、またはかかる金
属間化合物と第１ＴｆＡ 、 ＩＶＡ族から選ばれる元
素（少くとも１種）との混合物（以下第２物質と称す）
を導入し、要すればこの集合体の径を縮小し、ついでこ
れを熱処理に付して、第２物質中における超伝導形成の
ために不足する第ｖＢ族元素を前記片から補給すること
によりこれらの元素から戊る超伝導層を形成せしめるこ
とが出来る。

それ故第２物質中にＶＢ族から選ばれる元素が存在しな
いか、もしくは不足量で存在していてもよい。

本発明方法において、反応促進剤を導入物質（第２物質
）中に添加することが出来る。

導入物質は緻密な粉末状物質または粉末混合物もしくは
粉末と緻密な物質の混合物であってよい。

本発明方法は前記第１物質片がバナジウム、導入物質（
第２物質）がＶ ２ Ｇ ａ ５である場合に特に効果
的である。

Ｖ３Ｇａが形成される間、１分子のＶ ２ Ｇ ａ ５
に対して必要なバナジウム１３原子は第１物質中のバナ
ジウムから提供されるので連続的■３０ａ層が形成され
る。

この層の厚さは約１０ミクロンであってよい。

熱処理は約６００℃で１５０時間を要して行う。

その他の例として、Ｎｂ３Ａｌ、Ｖ３Ｓｉ−Ｎｂ３Ｓｎ
またはＮｂ３，７６ （Ａ Ｉｏ−７３Ｇｅ□、２７
’）から戊る層を形成することも出来る。

Ｎｂ３Ａｌ 層を形成せしめるときには、たとえば緻密
なアルミニウム片をニオビウムのさや中に導入する。

Ｖ３Ｓｉ層を形成せしめるときには、粉砕したシリコン
をバナジウムのさやの中に導入することが出来、またこ
の場合、粉砕したシリコンを粉砕したＶＳ１２型で導入
することが出来るｏ Ｎｂ３．７６ （Ａ ’０．７３
Ｇｅ□、２７ ）層を形成酸せしめるときには、たと
えばアルミニウム粉末およびゲルマニウム粉末または緻
密なアルミニウムおよびゲルマニウム粉末をニオビウム
のさやの中に導入してもよい。

その他に、ＮｂＧｅ２粉末と共にＮｂＡ１３粉末、Ｎｂ
Ａｌ３粉末とゲルマニウム粉末、あるいはＮｂＧｅ２粉
末と共に緻密なアルミニウム等を導入してもよい。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 周期律表の第ＶＢ族から選ばれる元素またはこの元
   素からなる合金片（第１物質）のさやの中に、第ＶＢ族
   の元素と第１ＩＩＡ、ＩＶＡ 族から選ばれる元素との
   非超伝導性金属間化合物、またはかかる金属間化合物と
   第１ Ｉ ＩＡ、 ＩＶＡ７＄から選ばれる元素との混
   合物（第２物質）を充填し、要すればこの集合体の径を
   縮小せしめ、次いでこれを熱処理に付して両物質から元
   素の反応によって超伝導性境界層を形成せしめることを
   特徴とする異なる物質からなる超伝導体の製法。