JPS5828827B2 - transistor inverter device - Google Patents
transistor inverter deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタインバータ装置に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor inverter device.
第1図は自在式トランジスタインバータを示し、OTは
変圧器で、入力巻線N1、出力巻線N2及び帰還巻線N
3を有する。Figure 1 shows a universal transistor inverter, where OT is a transformer, with input winding N1, output winding N2 and feedback winding N
It has 3.
Zは負荷、Trlはスイッチング用のトランジスタ、R
1はバイアス用の抵抗、C1は発振周期設定用のコンデ
ンサである。Z is the load, Trl is the switching transistor, R
1 is a bias resistor, and C1 is a capacitor for setting the oscillation cycle.
今、電源Vccより中電圧が印加されると抵抗R1を通
じてコンデンサC1には図示のような極性で充電が開始
され、抵抗R1とコンデンサC1で決定される時定数に
て該コンデンサC1が充電されて行き、その充電電圧■
c1がトランジスタTr1のB−Eオン電圧以上になれ
ば、このトランジスタTr1にベース電流IBが流れる
。Now, when a medium voltage is applied from the power supply Vcc, charging of the capacitor C1 starts with the polarity shown in the figure through the resistor R1, and the capacitor C1 is charged with a time constant determined by the resistor R1 and the capacitor C1. Go and its charging voltage■
When c1 becomes equal to or higher than the B-E on voltage of transistor Tr1, base current IB flows through this transistor Tr1.
そしてこのベース電流IBによりトランジスタTr1に
はhFE倍のコレクタ電流Icが入力巻線N1を通じて
流れる。This base current IB causes a collector current Ic times hFE to flow through the input winding N1 in the transistor Tr1.
この時、入力巻線N1と帰還巻線N3は同一鉄心上に巻
回されており、入力巻線N1にコレクタ電流Icが流れ
ると、帰還巻線N3には第2図に示す方向で電圧が発生
し、この電圧はトランジスタTr1を更にオンさせる方
向となるため正帰還となり、トランジスタTr1は急速
に飽和に達する。At this time, the input winding N1 and the feedback winding N3 are wound on the same core, and when the collector current Ic flows through the input winding N1, a voltage is applied to the feedback winding N3 in the direction shown in FIG. This voltage tends to further turn on the transistor Tr1, resulting in positive feedback, and the transistor Tr1 quickly reaches saturation.
この時、コンデンサC1は第2図の方向で充電される。At this time, capacitor C1 is charged in the direction shown in FIG.
トランジスタTr1が飽和に達すると、コレクタ電流I
cの増加が停止し、帰還巻線N3に対する誘起電圧はO
となり、″ベース電流IBがOとなるため、トランジス
タTr1はターンオフする。When the transistor Tr1 reaches saturation, the collector current I
c stops increasing, and the induced voltage on the feedback winding N3 becomes O
Since the base current IB becomes O, the transistor Tr1 is turned off.
一方コンデンサC1は前述のような方向で充電されてい
るため、この電圧Vc1がVccより放電された後、同
様の動作を繰返す。On the other hand, since the capacitor C1 is charged in the aforementioned direction, the same operation is repeated after this voltage Vc1 is discharged from Vcc.
このようにしてトランジスタTr1のスイッチング動作
に伴なうコレクタ電流Icのオン・オフにより入力巻線
N1に正弦波が発生し、負荷Zに電力を供給するのであ
るが、この時の発振周波数は、コンデンサC1による設
定よりも、むしろ入力巻線N1等の固有振動数により決
定される要素が非常に強い。In this way, a sine wave is generated in the input winding N1 by turning on and off the collector current Ic accompanying the switching operation of the transistor Tr1, and power is supplied to the load Z. At this time, the oscillation frequency is: The factor determined by the natural frequency of the input winding N1 and the like is much stronger than the setting by the capacitor C1.
以上のことを波形で整理すると第3図に示すようになる
。If the above is summarized in terms of waveforms, it will be as shown in Figure 3.
ここで負荷Zに対する電力の供給は、トランジスタTr
1のオン期間のみならず、そのオン期間に変圧器OTの
インダクタンス等に蓄えられたエネルギーによって、オ
フ時にも負荷Zへの半サイクル時の電力を分担して供給
している。Here, power is supplied to the load Z by the transistor Tr.
Not only during the ON period of 1, but also during the OFF period, the power during the half cycle is shared and supplied to the load Z by the energy stored in the inductance of the transformer OT during the ON period.
トランジスタインバータの出力制御は、トランジスタT
r1のオン期間を制御することにより可能であり、その
オン期間の制御とは、前記負荷電力またはトランスイン
ダクタンスへの蓄積電力として供給しているコレクタ電
流Icを削減してやろうとするものである。The output control of the transistor inverter is performed using the transistor T.
This is possible by controlling the on-period of r1, and the control of the on-period is intended to reduce the collector current Ic supplied as the load power or the stored power to the transformer inductance.
つまり第4図に示す斜線部を削減することである。In other words, the shaded area shown in FIG. 4 is to be eliminated.
しかし第4図の△Ton期間のコレクタ電流Icを削減
することは発振周波数を高めるように考えられるが、前
述した如く発振周波数は負荷Zを含む変圧器OTの固有
振動数により決定される要素が強いため、コレクタ電流
Icの通電期間がいかにあってもその繰返し周期、即ち
周波数fは第4図の如く全く変化せず、電力(入力・出
力)のみが変化する。However, reducing the collector current Ic during the ΔTon period in Fig. 4 can be considered to increase the oscillation frequency, but as mentioned above, the oscillation frequency is determined by the natural frequency of the transformer OT including the load Z. Since the collector current Ic is strong, no matter how long the collector current Ic is energized, its repetition period, that is, the frequency f, does not change at all as shown in FIG. 4, and only the power (input/output) changes.
換言すれば、発振のデユーティ−サイクルを変えようと
するものである。In other words, it attempts to change the duty cycle of oscillation.
この△Tonを必要な時に必要な量だけ設定してやれば
、目標とする電力制御が可能である。By setting this ΔTon by the necessary amount at the necessary time, it is possible to control the power as desired.
この場合、トランジスタTr1のコレクタ電流Icは、
その通電中必要なベース電流IBが流れているので、第
4図のTon−△Tonの時間でベース電流IBをカッ
トオフすれば、コレクタ電流Icを通常のオン期間より
も早くターンオフすることが可能であり、スイッチを投
入してトランジスタTr、のベースをアースすれば良い
。In this case, the collector current Ic of the transistor Tr1 is
Since the necessary base current IB is flowing during this energization, if the base current IB is cut off at the time of Ton-△Ton in Fig. 4, it is possible to turn off the collector current Ic earlier than the normal on period. Therefore, it is sufficient to turn on the switch and ground the base of the transistor Tr.
しかし実際上のコレクタ電流Icとベース電流IBは第
5図に示すような関係にあり、コレクタ電流Icの通電
期間の後半では、そのベース電流IBは極めて小である
ため、単にスイッチを投入してトランジスタTr1のベ
ース・エミッタ間を短絡するだけでは、コレクタ電流I
cはターンオフしない。However, the actual collector current Ic and base current IB have a relationship as shown in Figure 5, and in the latter half of the collector current Ic conduction period, the base current IB is extremely small, so it is difficult to simply turn on the switch. Simply shorting the base and emitter of transistor Tr1 will reduce the collector current I.
c does not turn off.
これは、この種のインバータでは、そのコレクタ電流I
cに必要とするベース電流IBはトランジスタTrI内
に蓄積されたキャリヤにより供給されているためである
。This is because in this type of inverter, its collector current I
This is because the base current IB required for c is supplied by carriers accumulated in the transistor TrI.
本発明はこのような従来の問題点に鑑み、コレクタ電流
Icを確実にターンオフに導き、インバータ出力の電力
制御を可能にしたトランジスタインバータ装置を提供す
るものであって、その第1の特徴とする処は、変圧器に
設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し、かつ
該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電圧によ
り前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス回路と
、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング素子を
トリガしてオンさせるように、該スイッチング素子にト
リガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、インバ
ータの発振周期に同期してトリガパルス発生回路を制御
する同期回路とを備えた点にあり、第2の特徴とする処
は、変圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子と
を有し、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の
発生電圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バ
イアス回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッ
チング素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチ
ング素子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回
路と、インバータの発振周期に同期してトリガパルス発
生回路を制御する同期回路と、電源電圧の変動に応答し
てトリがパルス発生回路のパルス発生周期を制御する電
源応答回路とを備えた点にあり、第3の特徴とする処は
、変圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを
有し、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発
生電圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイ
アス回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチ
ング素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチン
グ素子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路
と、インバータの発振周期に同期してトリガパルス発生
回路を制御する同期回路とを備え、トリガパルス発生回
路にパルス発生周期設定用のCR遅延回路を設け、電源
電圧の変動に応答してCR遅延回路の抵抗値を可変する
電源応答回路を設けた点にあり、第4の特徴とする処は
、変圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを
有し、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発
生電圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイ
アス回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチ
ング素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチン
グ素子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路
と、インバータの発振周期に同期してトリガパルス発生
回路を制御する同期回路と、同期回路の位相を制御する
回路とを備えた点にあり、第5の特徴とする処は、変圧
器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し、
かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電圧
により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス回
路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング素
子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング素子
にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、イ
ンバータの発振周期に同期してトリガパルス発生回路を
制御する同期回路とを備え、トリガパルス発生回路にパ
ルス発生周期設定用のCR遅延回路を設け、負荷から帰
還される信号によりCR遅延回路の抵抗値を可変する帰
還回路を設けた点にある。In view of these conventional problems, the present invention provides a transistor inverter device that reliably guides the collector current Ic to turn-off and enables power control of the inverter output. A reverse bias circuit includes a fourth winding provided in the transformer and a switching element, and reverse biases the transistor by a voltage generated in the fourth winding when the switching element is turned on; A trigger pulse generation circuit supplies a trigger pulse to the switching element so as to trigger the switching element to turn it on during an on period, and a synchronization circuit controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter. The second feature is that the transformer includes a fourth winding and a switching element, and when the switching element is turned on, the voltage generated in the fourth winding activates the transistor. a reverse bias circuit that applies a reverse bias; a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the switching element so as to trigger the switching element to turn it on during the on period of the transistor; The third feature is that it includes a synchronization circuit that controls the pulse generation circuit, and a power response circuit that controls the pulse generation period of the pulse generation circuit in response to fluctuations in the power supply voltage. a reverse bias circuit that has a fourth winding provided in a transformer and a switching element, and reverse biases the transistor by a voltage generated in the fourth winding when the switching element is on; and during the on period of the transistor. A trigger pulse generation circuit supplies a trigger pulse to the switching element so as to trigger the switching element to turn on the switching element, and a synchronization circuit controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter. The fourth feature is that the generation circuit is provided with a CR delay circuit for setting the pulse generation period, and a power supply response circuit is provided that changes the resistance value of the CR delay circuit in response to fluctuations in the power supply voltage. , a reverse bias circuit having a fourth winding provided in a transformer and a switching element, and reverse biasing the transistor by a voltage generated in the fourth winding when the switching element is turned on; and an on-period of the transistor. a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the switching element so as to trigger the switching element to turn it on; a synchronous circuit that controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter; The fifth feature is that the transformer includes a fourth winding provided in the transformer and a switching element,
and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor using a voltage generated by a fourth winding when the switching element is turned on, and a trigger pulse applied to the switching element so as to trigger and turn on the switching element during the on period of the transistor. The trigger pulse generation circuit is equipped with a trigger pulse generation circuit that supplies pulse generation, and a synchronization circuit that controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter.The trigger pulse generation circuit is equipped with a CR delay circuit for setting the pulse generation cycle, and the feedback from the load is The present invention is characterized in that a feedback circuit is provided which varies the resistance value of the CR delay circuit depending on the signal received.
以下、図示の実施例について本発明を詳述すると、本発
明では、コレクタ電流Icを確実にターンオフに導く手
段として第6図に示す如く構成している。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiment. In the present invention, as a means for surely guiding the collector current Ic to turn-off, it is constructed as shown in FIG.
即ち、トランジスタインバータ1の変圧器OTに、帰還
巻線N3に連続してなる第4巻線N4を設けると共に、
スイッチング素子としてのトランジスタT r2 、
T r3をダーリントン続し、これらによって逆バイア
ス回路2を構威し、第4巻線N4に発生している電圧を
トランジスタTr2゜Tr3のオン時に、トランジスタ
Tr1のベース・エミッタ間に印加して逆電流を流すこ
とにより、該トランジスタTr、をオフさせ、コレクタ
電流Icをターンオフさせるのである。That is, the transformer OT of the transistor inverter 1 is provided with a fourth winding N4 continuous to the feedback winding N3, and
Transistor T r2 as a switching element,
Tr3 is connected to Darlington, and these constitute a reverse bias circuit 2, and the voltage generated in the fourth winding N4 is applied between the base and emitter of the transistor Tr1 when transistors Tr2 and Tr3 are turned on, and is reverse biased. By flowing current, the transistor Tr is turned off and the collector current Ic is turned off.
この時のタイミングは前述した第4図のTon−△To
nの時間に設定しなければならず、またこの△Tonは
Ton以内で可変しなくては意味がないので、単安定マ
ルチバイブレーク3から戊るトリガパルス発生回路を付
加し、そのトリガパルスにより逆バイアス回路2のタイ
ミングを制御する。The timing at this time is Ton-△To in Figure 4 mentioned above.
It must be set at a time of n, and this △Ton has no meaning unless it is varied within Ton. Therefore, a trigger pulse generation circuit from the monostable multi-bi break 3 is added, and the trigger pulse generates the reverse. Controls the timing of the bias circuit 2.
単安定マルチバイブレーク3については今更記述する必
要もないが、次のように動作する。There is no need to describe the monostable multi-bibreak 3 any further, but it operates as follows.
通常の安定状態においては、Vccより抵抗R2を通じ
てトランジスタTr4にベース電流が流れ、該トランジ
スタTr4はオン状態にある。In a normal stable state, a base current flows from Vcc through the resistor R2 to the transistor Tr4, and the transistor Tr4 is in an on state.
この時、そのコレクタ電圧はOであり、トランジスタT
r5はベース電圧がOであるためオフ状態にある。At this time, its collector voltage is O, and the transistor T
Since the base voltage of r5 is O, it is in an off state.
今トランジスタTr4のトリガ点aに負電位のトリガを
与えると、該トランジスタTr4はオフし、コレクタ電
圧が上昇するので、今度はトランジスタTr5がオンし
、非安定側に移行する。Now, when a negative potential trigger is applied to the trigger point a of the transistor Tr4, the transistor Tr4 is turned off and the collector voltage rises, so the transistor Tr5 is turned on this time, shifting to the unstable side.
この後、トランジスタTr4のベースは抵抗R2を通じ
てVcc につながれているので、CR遅延回路4の抵
抗R2及びコンデンサC2で決定される時間でトランジ
スタTr4のベース電位が上がり、該トランジスタTr
4がオンして最初と同じ状態になる。After this, since the base of the transistor Tr4 is connected to Vcc through the resistor R2, the base potential of the transistor Tr4 rises in a time determined by the resistor R2 and capacitor C2 of the CR delay circuit 4, and the base potential of the transistor Tr4 increases.
4 is turned on and the state is the same as the beginning.
即ち、これをトランジスタTr5のコレクタ電圧で見る
と第7図のようになり、同期回路5として次のような構
成を採用することにより、インバータ1の発振周波数に
容易に同期させることができる。That is, when viewed in terms of the collector voltage of the transistor Tr5, it becomes as shown in FIG. 7, and by adopting the following configuration as the synchronous circuit 5, synchronization with the oscillation frequency of the inverter 1 can be easily achieved.
またスイッチング素子用のトランジスタTr2.Tr3
のタイミングは、トランジスタTr、が再びオフする電
圧を利用すれは良く、それはCR遅延回路4の抵抗R2
及びコンデンサC2の値を可変することにより、その時
間をも変化させることができる。In addition, transistor Tr2 for switching element. Tr3
It is best to use the voltage at which the transistor Tr is turned off again for the timing of the resistor R2 of the CR delay circuit 4.
By varying the value of the capacitor C2, the time can also be varied.
単安定マルチバイブレーク3のトリガ時には、そのトラ
ンジスタTr4のベースにVccの一電位よりも更に低
い電位が必要であり、そのための特別な回路を付加せず
かつ変圧器OTの1次2次絶縁を守るとすれば、1次側
の回路から検出する必要がある。At the time of triggering the monostable multi-by-break 3, the base of the transistor Tr4 needs to have a potential even lower than the one potential of Vcc, so there is no need to add a special circuit for that, and the primary and secondary insulation of the transformer OT is protected. If so, it is necessary to detect it from the primary side circuit.
それには例えば入力巻線N1、コンデンサC1等の電圧
を利用することが考えられるが、この図例ではコンデン
サC1の充電電圧■c1を利用している。For this purpose, for example, the voltage of the input winding N1, the capacitor C1, etc. may be used, but in this example, the charging voltage c1 of the capacitor C1 is used.
コレクタ電圧に対するコンデンサ電圧■c1の位相は第
8図の如くであり、必要とする負電圧はコレクタ電流I
cの立上がり時から後にある。The phase of the capacitor voltage c1 with respect to the collector voltage is as shown in Figure 8, and the required negative voltage is the collector current I
It is after the rise of c.
コレクタ電流Icを削減するための電圧はトランジスタ
Tr5のコレクタ電圧を利用するので、第8図の如くコ
ンデンサ電圧■c1のO■、即チコレクタ電流Icの立
上がり時にトランジスタTr5がオンすれば都合が良い
が、実際には第9図に示す如くコンデンサ電圧Vc1に
対してトランジスタTr5のオンが若干遅れるため、ト
ランジスタTr1のコレクタ電流がこれによって削減さ
れてしまい、コレクタ電流Ic波形の異常または異常発
振の要因となってしまう。Since the voltage for reducing the collector current Ic uses the collector voltage of the transistor Tr5, it is convenient if the transistor Tr5 turns on when the capacitor voltage c1 rises, that is, when the collector current Ic rises, as shown in Fig. 8. In reality, as shown in FIG. 9, the turn-on of the transistor Tr5 is delayed a little with respect to the capacitor voltage Vc1, and this reduces the collector current of the transistor Tr1, which may cause an abnormality in the collector current Ic waveform or abnormal oscillation. turn into.
従ってコレクタ電流Icの立上がり以前にトランジスタ
Tr5をオンし、単安定マルチバイブレーク3を非安定
側に導いてやらなければならず、そのためにはコンデン
サ電圧V C1の十電位側を利用して単安定マルチバイ
ブレータ3への十トリガを得なければならない。Therefore, it is necessary to turn on the transistor Tr5 before the rise of the collector current Ic and lead the monostable multi-bi break 3 to the non-stable side. To do this, the monostable multi-bi break 3 must be guided to the non-stable side by using the ten potential side of the capacitor voltage V C1. I have to get a ten trigger to vibrator 3.
そこで第6図に示す如くコンデンサ電圧■c1の+電位
で動作するトランジスタTr6を設け、かつ単安定マル
チバイブレータ3の一電圧を予め抵抗R3にて実際のV
ccHよりも高電圧に設定して同期回路5を構成し、ト
ランジスタTr6にてトランジスタTr4のトリガ点(
ベース)をVccmに接続させることにより、コンデン
サ電圧Vc、(−t−)によるトリガが可能になる。Therefore, as shown in FIG. 6, a transistor Tr6 that operates at the +potential of the capacitor voltage c1 is provided, and one voltage of the monostable multivibrator 3 is applied in advance to the actual V
The synchronous circuit 5 is configured by setting the voltage to be higher than ccH, and the trigger point of the transistor Tr4 (
By connecting the base) to Vccm, triggering by the capacitor voltage Vc, (-t-) is possible.
この結果、第10図の如く単安定マルチバイブレーク3
の非安定側ヘノ移行、つまりトランジスタTr5のオン
はコレクタ電流Icの立上がり点よりも前になり、コレ
クタ電流Icに対して何ら影響はなくなる。As a result, as shown in Figure 10, the monostable multi-bi break 3
The transition to the unstable side, that is, the turning on of the transistor Tr5 occurs before the rising point of the collector current Ic, and there is no effect on the collector current Ic.
次にトランジスタTr5のコレクタ電圧を利用して逆バ
イアス回路2をトリガするのであるが、このコレクタ電
圧を直接使用すると、単安定マルチバイブレーク3のイ
ンピーダンスが高く、所定のバイアスは得られ難いので
、2個のトランジスタT r2 、 T r3を前述の
如くダーリントン接続してhFEを高め、動作を確実に
している。Next, the collector voltage of the transistor Tr5 is used to trigger the reverse bias circuit 2, but if this collector voltage is used directly, the impedance of the monostable multi-bi break 3 is high and it is difficult to obtain the desired bias. The transistors T r2 and T r3 are connected in Darlington as described above to increase hFE and ensure reliable operation.
以上の構成でトランジスタTr1のコレクタ電流Icを
削減し、インバータ1の出力制御が達成できるが、単安
定マルチバイブレータ3のトランジスタTrsのオン期
間を制御すれば定電力化が可能である。With the above configuration, the collector current Ic of the transistor Tr1 can be reduced and the output control of the inverter 1 can be achieved, but if the on period of the transistor Trs of the monostable multivibrator 3 is controlled, the power can be made constant.
この場合、オン期間は前述の如<CR遅延回路4の抵抗
R2とコンデンサC2との時定数により決定するので、
その倒れかを変化させれば良いが、電気的には抵抗R2
の変化が容易である。In this case, the on period is determined by the time constant of the resistor R2 and capacitor C2 of the CR delay circuit 4, as described above.
All you have to do is change the degree of inclination, but electrically the resistance R2
is easy to change.
また検出要因としては第6図に示す電源電圧、第11図
に示す負荷出力の変動を利用することが妥当である。Furthermore, it is appropriate to use the power supply voltage shown in FIG. 6 and the load output fluctuation shown in FIG. 11 as detection factors.
第6図は電源電圧の変動に応答する電源応答回路6を利
用したものであり、電源応答回路6はトランジスタTr
7、抵抗R3及びツェナーダイオードZDにより構成さ
れている。FIG. 6 uses a power response circuit 6 that responds to fluctuations in power supply voltage, and the power response circuit 6 is a transistor Tr.
7. It is composed of a resistor R3 and a Zener diode ZD.
従ってこの構成によれば、見かけ上の抵抗R2はツェナ
ーダイオードZDをその必要とする電圧に設定した時、
第12図に示すような特性を示し、トランジスタTr、
のオン期間はT字0.7RCとなるため、第18図の如
<Vccが上昇するとT即ちトランジスタTr1のオン
期間が短かくなり定電力化が達成できる。Therefore, according to this configuration, when the Zener diode ZD is set to the required voltage, the apparent resistance R2 is
It exhibits characteristics as shown in FIG. 12, and the transistor Tr,
Since the on-period of T is 0.7RC, as shown in FIG. 18, when <Vcc increases, T, that is, the on-period of the transistor Tr1 becomes shorter, and a constant power can be achieved.
第11図は負荷出力を帰還する帰還回路7を利用したも
のであって、この帰還回路7はトランジスタTr、抵抗
R4、変圧器T、整流回路S等から成る。FIG. 11 uses a feedback circuit 7 for feeding back the load output, and this feedback circuit 7 is composed of a transistor Tr, a resistor R4, a transformer T, a rectifier circuit S, and the like.
なお第6図の場合、電源電圧に応答するように構成して
いるので、同期回路5へのトリガ点をコンデンサ電圧V
c1の一定とし、このトリガ電圧を一定とすれば、電源
電圧が変動した時、コンデンサ電圧vc1の変化により
トリガ点は第14図の如く△を間で移動することによっ
て定電力性を発揮する。In the case of FIG. 6, since it is configured to respond to the power supply voltage, the trigger point to the synchronous circuit 5 is set to the capacitor voltage V.
If c1 is constant and this trigger voltage is constant, when the power supply voltage fluctuates, the trigger point moves between Δ as shown in FIG. 14 due to changes in capacitor voltage vc1, thereby exhibiting constant power property.
しかし、電源の変動幅による△tの変化は極めて少なく
満足なコレクタ電流Icの削減率は望めない。However, the change in Δt due to the fluctuation width of the power supply is extremely small, and a satisfactory reduction rate of the collector current Ic cannot be expected.
そこで第6図或いは第11図に示す如くトリガパルス発
生回路にCR遅延回路4を介装し、このCR遅延回路4
の周期を電源応答回路6或いは帰還回路7からの出力で
、必要とするコレクタ電流Ic削減範囲全域を制御する
構成としており、このようにすれば更に良好な定電力性
が得られる。Therefore, as shown in FIG. 6 or FIG. 11, a CR delay circuit 4 is interposed in the trigger pulse generation circuit, and this CR delay circuit 4
The cycle is controlled by the output from the power supply response circuit 6 or the feedback circuit 7 over the entire required collector current Ic reduction range, and by doing so, even better constant power performance can be obtained.
トリガパルス発生回路、即ち単安定マルチバイブレータ
3への同期回路5は、トランジスタTr6と抵抗R5に
より設定された該トランジスタTr6のオン電圧に対す
るコンデンサ電圧■c1によって該トランジスタTr6
を駆動するものであって、このトランジスタTr6のオ
ン電圧は常に一定であるため、第15図の如くコンデン
サ電圧■c1に対してトリガ点は全く変化しない。The trigger pulse generation circuit, that is, the synchronization circuit 5 for the monostable multivibrator 3, uses the capacitor voltage ■c1 for the on-voltage of the transistor Tr6 set by the transistor Tr6 and the resistor R5 to generate the transistor Tr6.
Since the on-voltage of this transistor Tr6 is always constant, the trigger point does not change at all with respect to the capacitor voltage c1 as shown in FIG.
また制御は単安定マルチバイフレーク3の非安定側周期
Tを変化させることであった。Moreover, the control was to change the period T of the non-stable side of the monostable multi-bi flake 3.
これに対し前記Tを常に一定とし、単安定マルチバイブ
レーク3のトリガ点を移動させた場合も、インバータ1
の出力制御が可能である。On the other hand, even when T is always constant and the trigger point of the monostable multi-bi break 3 is moved, the inverter 1
output control is possible.
第16図はトランジスタTr6のベースに可変抵抗VR
を接続し、コンデンサ電圧■c1によるトランジスタT
r6のオン位相を変化させるものである。Figure 16 shows a variable resistor VR at the base of the transistor Tr6.
, and the transistor T due to the capacitor voltage ■c1
This changes the on-phase of r6.
第17図及び第18図はフォトカプラーFCを利用した
ものであって、第17図は電源電圧の変動に応答させる
ようにし、第18図は変圧器T2、整流回路82等によ
り負荷変動を帰還させるようにしており、これらによれ
ば、出力制御は勿論のこと、定電力化も達成できる。Figures 17 and 18 use a photocoupler FC, and Figure 17 responds to fluctuations in power supply voltage, while Figure 18 uses transformer T2, rectifier circuit 82, etc. to feedback load fluctuations. According to these, not only output control but also constant power can be achieved.
つまり、同期回路5の位相を調整するようにしたもので
あり、この位相調整によっても目的の達成が可能である
。In other words, the phase of the synchronization circuit 5 is adjusted, and the purpose can also be achieved by this phase adjustment.
CR遅延回路4の遅延周期は抵抗R2とコンデンサC2
との時定数にて決定され、抵抗R2を一定として電源電
圧が変化すれば、コンデンサC2の充電周期が変化する
。The delay period of CR delay circuit 4 is determined by resistor R2 and capacitor C2.
The charging cycle of the capacitor C2 changes if the power supply voltage changes with the resistor R2 constant.
このためコンデンサC2の充電特性は第19図に示す点
線のような変化を示すが、この変化は必要とするコレク
タ電流Icの削減範囲をカバーできる程、CR遅延回路
4の周期を制御できない。Therefore, the charging characteristic of the capacitor C2 shows a change as shown by the dotted line in FIG. 19, but this change cannot control the period of the CR delay circuit 4 to the extent that it can cover the required reduction range of the collector current Ic.
従って第6図に示すようにトランジスタTr7、ツェナ
ーダイオードZD等の非線型素子をCR遅延回路4の抵
抗R2に接続すれば、コンデンサC2の充電特性は第1
9図に示す実線のような変化を呈し、電源変動による遅
延時間の変化が大きくなり、定電力として良好な特性が
得られる。Therefore, if nonlinear elements such as the transistor Tr7 and the Zener diode ZD are connected to the resistor R2 of the CR delay circuit 4 as shown in FIG.
The change is shown as the solid line shown in FIG. 9, and the change in delay time due to power supply fluctuation becomes large, and good characteristics are obtained as a constant power.
即ち、CR遅延回路4の抵抗R2に非線型素子を付加し
たものであり、これによれば、電源変動に対する遅延時
間の変化が大きくなり、非常に良好な定電力性を得るこ
とができる。That is, a non-linear element is added to the resistor R2 of the CR delay circuit 4. According to this, the change in delay time with respect to fluctuations in the power supply becomes large, and very good constant power performance can be obtained.
また第11図の如<CR遅延回路4の抵抗R2にトラン
ジスタTr8を接続し、これを負荷Zより帰還される信
号によって制御するようにすれば、電源電圧による負荷
変動、電源電圧一定時における負荷の変動に対しても十
分応答でき、定電力性の効果が更に良好になる。In addition, as shown in FIG. 11, if a transistor Tr8 is connected to the resistor R2 of the CR delay circuit 4 and it is controlled by a signal fed back from the load Z, the load fluctuation due to the power supply voltage, and the load when the power supply voltage is constant. It can respond sufficiently to fluctuations in the current, and the constant power effect becomes even better.
以上各実施例に詳述したように第1発明によれば、変圧
器に設けられた第4巻線を有し、かつトランジスタのオ
ン時に該第4巻線の発生電圧により前記トランジスタを
逆バイアスする逆バイアス回路を設け、これをトリがパ
ルス発生回路、同期回路を介してインバータに同期して
制御し、出力電流を削減するようにしているので、イン
バータの出力を任意に制御する。As described in detail in each of the embodiments above, according to the first invention, the transformer has a fourth winding, and when the transistor is turned on, the transistor is reverse biased by the voltage generated in the fourth winding. A reverse bias circuit is provided, and this is controlled in synchronization with the inverter via a pulse generation circuit and a synchronization circuit to reduce the output current, so the output of the inverter can be arbitrarily controlled.
ことができる。第2発明によれば、電源電圧の変動に応
答してトリガパルス発生回路のパルス発生周期を制御す
る電源応答回路を設けているので、第1発明による電力
制御の他に、電源電圧が変動した場合にも出力電力の変
動を防止でき出力電力の定電力化が可能となる。be able to. According to the second invention, since the power supply response circuit is provided to control the pulse generation period of the trigger pulse generation circuit in response to fluctuations in the power supply voltage, in addition to the power control according to the first invention, the power supply voltage fluctuates. Even in such cases, fluctuations in output power can be prevented and output power can be made constant.
第3発明によれば、トリガパルス発生回路にパルス発生
周期設定用のCR遅延回路を備え、電源応答回路でCR
遅延回路の抵抗値を変えるようにしているので、電源電
圧の変動に対するCR遅延回路の遅延時間の変化が大き
くなり、非常に良好な定電力性を得ることができる。According to the third invention, the trigger pulse generation circuit includes a CR delay circuit for setting the pulse generation cycle, and the power response circuit
Since the resistance value of the delay circuit is changed, the change in the delay time of the CR delay circuit with respect to fluctuations in the power supply voltage becomes large, and very good constant power performance can be obtained.
第4発明によれば、同期回路の位相を制御する回路を備
えているので、この位相制御によっても定電力化を遠戚
できる。According to the fourth aspect of the invention, since a circuit for controlling the phase of the synchronous circuit is provided, it is possible to achieve constant power even by this phase control.
第5発明によれば、・負荷から帰還される信号によって
CR遅延回路の抵抗値を可変する帰還回路を備えている
ので、電源電圧による負荷変動は勿論のこと、電源電圧
一定時における負荷の変動に対しても十分応答でき、定
電力性の効果が更に良好になる。According to the fifth invention, since the feedback circuit is provided to vary the resistance value of the CR delay circuit according to the signal fed back from the load, it is possible to handle not only load fluctuations due to power supply voltage but also load fluctuations when the power supply voltage is constant. It is possible to respond sufficiently to the current, and the effect of constant power property becomes even better.
第1図及び第2図は原理説明用回路図、第3図乃至第5
図は波形図、第6図は本発明の一実施例を示す回路図、
第7図乃至第10図、第12図乃至第15図、第19図
は特性図、第11図、第16図乃至第18図は他の実施
例を示す回路図である。
1・・・・・・トランジスタインバータ、OT・・・・
・・変圧器、N4・・・・・・第4巻線、2・・・・・
・逆バイアス回路、3・・・・・・単安定マルチバイブ
レータ、4・・・・・・CR遅延回路、5・・・・・・
同期回路、6・・・・・・電源応答回路、7・・・・・
・帰還回路。Figures 1 and 2 are circuit diagrams for explaining the principle, Figures 3 to 5
The figure is a waveform diagram, and FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
7 to 10, 12 to 15, and 19 are characteristic diagrams, and FIG. 11, 16 to 18 are circuit diagrams showing other embodiments. 1...Transistor inverter, OT...
...Transformer, N4...4th winding, 2...
・Reverse bias circuit, 3... Monostable multivibrator, 4... CR delay circuit, 5...
Synchronous circuit, 6...Power response circuit, 7...
・Feedback circuit.
Claims (1)
巻線及び正帰還用の帰還巻線を有する変圧器とを備え、
前記トランジスタのベースを前記帰還回線を介してバイ
アス用抵抗と発振周期設定用コンデンサとの接続点に接
続した自励式トランジスタインバータにおいて、前記変
圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し
、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電
圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス
回路と、前記1−ランジスタのオン期間中にスイッチン
グ素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング
素子にl−IJガパルスを供給するトリガパルス発生回
路と、インバータの発振周期に同期してトリガパルス発
生回路を制御する同期回路とを備えたことを特徴とする
トランジスタインバータ装置。 2 スイッチング用のトランジスタと、入力巻線、出力
巻線及び正帰還用の帰還巻線を有する変圧器とを備え、
前記トランジスタのベースを前記帰還巻線を介してバイ
アス用抵抗と発振周期設定用コンデンサとの接続点に接
続した自励式トランジスタインバータにおいて、前記変
圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し
、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電
圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス
回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング
素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング素
子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、
インバータの発振周期に同期してトリガパルス発生回路
を制御する同期回路と、電源電圧の変動に応答してトリ
ガパルス発生回路のパルス発生周期を制御する電源応答
回路とを備えたことを特徴とするトランジスタインバー
タ装置。 3 スイッチング用のトランジスタと、入力巻線、出力
巻線及び正帰還用の帰還巻線を有する変圧器とを備え、
前記トランジスタのベースを前記帰還巻線を介してバイ
アス用抵抗と発振周期設定用コンデンサとの接続点に接
続した自励式トランジスクインバータにおいて、前記変
圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し
、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電
圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス
回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング
素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング素
子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、
インバータの発振周期に同期してトリがパルス発生回路
を制御する同期回路とを備え、トリガパルス発生回路に
パルス発生周期設定用のCR遅延回路を設け、電源電圧
の変動に応答してCR遅延回路の抵抗値を可変する電源
応答回路を設けたことを特徴とするトランジスタインバ
ータ装置。 4 特許請求の範囲第3項記載のトランジスタインバー
タ装置において、電源応答回路は非線形素子を備え、こ
の非線形素子をCR遅延回路の抵抗に並列に接続したこ
とを特徴とするトランジスタインバータ装置。 5 スイッチング用のトランジスタと、入力巻線、出力
巻線及び正帰還用の帰還巻線を有する変圧器とを備え、
前記トランジスタのベースを前記帰還巻線を介してバイ
アス用抵抗と発振周期設定用コンデンサとの接続点に接
続した自励式トランジスタインバータにおいて、前記変
圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し
、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電
圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス
回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング
素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング素
子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、
インバータの発振周期に同期してトリガパルス発生回路
を制御する同期回路と、同期回路の位相を制御する回路
とを備えたことを特徴とするトランジスタインバータ装
置。 6 スイッチング用のトランジスタと、入力巻線、出力
巻線及び正帰還用の帰還巻線を有する変圧器とを備え、
前記トランジスタのベースを前記帰還巻線を介してバイ
アス用抵抗と発振周期設定用コンデンサとの接続点に接
続した自励式トランジスタインバータにおいて、前記変
圧器に設けられた第4巻線とスイッチング素子とを有し
、かつ該スイッチング素子のオン時に第4巻線の発生電
圧により前記トランジスタを逆バイアスする逆バイアス
回路と、前記トランジスタのオン期間中にスイッチング
素子をトリガしてオンさせるように、該スイッチング素
子にトリガパルスを供給するトリガパルス発生回路と、
インバータの発振周期に同期してトリガパルス発生回路
を制御する同期回路とを備え、トリガパルス発生回路に
パルス発生周期設定用のCR遅延回路を設け、負荷から
帰還される信号によりCR遅延回路の抵抗値を可変する
帰還回路を設けたことを特徴とするトランジスタインバ
ータ装置。[Claims] 1. A transformer comprising a switching transistor, an input winding, an output winding, and a feedback winding for positive feedback,
A self-commutated transistor inverter in which the base of the transistor is connected to a connection point between a bias resistor and an oscillation period setting capacitor via the feedback line, and includes a fourth winding provided in the transformer and a switching element. and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor by a voltage generated by a fourth winding when the switching element is turned on; A transistor inverter device comprising: a trigger pulse generation circuit that supplies an l-IJ pulse to an element; and a synchronization circuit that controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with an oscillation cycle of an inverter. 2. Equipped with a transistor for switching, a transformer having an input winding, an output winding, and a feedback winding for positive feedback,
In a self-commutated transistor inverter in which the base of the transistor is connected to a connection point between a bias resistor and an oscillation period setting capacitor via the feedback winding, a fourth winding provided on the transformer and a switching element are connected. and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor by a voltage generated by a fourth winding when the switching element is on, and a reverse bias circuit that triggers the switching element to turn on the switching element during the on period of the transistor. a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the
It is characterized by comprising a synchronization circuit that controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter, and a power response circuit that controls the pulse generation cycle of the trigger pulse generation circuit in response to fluctuations in the power supply voltage. Transistor inverter device. 3 comprising a transistor for switching, a transformer having an input winding, an output winding and a feedback winding for positive feedback,
In a self-commutated transistor inverter in which the base of the transistor is connected to a connection point between a bias resistor and an oscillation period setting capacitor via the feedback winding, a fourth winding provided in the transformer and a switching element are connected. and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor by a voltage generated by a fourth winding when the switching element is turned on; a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the element;
The trigger pulse generation circuit is equipped with a synchronization circuit that controls the pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter, and the trigger pulse generation circuit is provided with a CR delay circuit for setting the pulse generation cycle, and the CR delay circuit responds to fluctuations in the power supply voltage. A transistor inverter device comprising a power supply response circuit that varies the resistance value of the transistor. 4. The transistor inverter device according to claim 3, wherein the power response circuit includes a nonlinear element, and the nonlinear element is connected in parallel to the resistor of the CR delay circuit. 5 comprising a transistor for switching, a transformer having an input winding, an output winding, and a feedback winding for positive feedback,
In a self-commutated transistor inverter in which the base of the transistor is connected to a connection point between a bias resistor and an oscillation period setting capacitor via the feedback winding, a fourth winding provided on the transformer and a switching element are connected. and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor by a voltage generated by a fourth winding when the switching element is on, and a reverse bias circuit that triggers the switching element to turn on the switching element during the on period of the transistor. a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the
A transistor inverter device comprising: a synchronous circuit that controls a trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter; and a circuit that controls the phase of the synchronous circuit. 6. Equipped with a switching transistor, a transformer having an input winding, an output winding, and a feedback winding for positive feedback,
In a self-commutated transistor inverter in which the base of the transistor is connected to a connection point between a bias resistor and an oscillation period setting capacitor via the feedback winding, a fourth winding provided on the transformer and a switching element are connected. and a reverse bias circuit that reverse biases the transistor by a voltage generated by a fourth winding when the switching element is on, and a reverse bias circuit that triggers the switching element to turn on the switching element during the on period of the transistor. a trigger pulse generation circuit that supplies a trigger pulse to the
It is equipped with a synchronization circuit that controls the trigger pulse generation circuit in synchronization with the oscillation cycle of the inverter, and a CR delay circuit for setting the pulse generation cycle is provided in the trigger pulse generation circuit, and the resistance of the CR delay circuit is determined by the signal fed back from the load. A transistor inverter device characterized by being provided with a feedback circuit that varies a value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52037800A JPS5828827B2 (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | transistor inverter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52037800A JPS5828827B2 (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | transistor inverter device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53122722A JPS53122722A (en) | 1978-10-26 |
| JPS5828827B2 true JPS5828827B2 (en) | 1983-06-18 |
Family
ID=12507572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52037800A Expired JPS5828827B2 (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | transistor inverter device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828827B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863083A (en) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | Self-oscillation type high-voltage power source |
| JPS6051476A (en) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Electric Equip Corp | One-transistor type inverter |
-
1977
- 1977-03-31 JP JP52037800A patent/JPS5828827B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53122722A (en) | 1978-10-26 |
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