JPS5832539B2 - light switch circuit - Google Patents
light switch circuitInfo
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- JPS5832539B2 JPS5832539B2 JP53074352A JP7435278A JPS5832539B2 JP S5832539 B2 JPS5832539 B2 JP S5832539B2 JP 53074352 A JP53074352 A JP 53074352A JP 7435278 A JP7435278 A JP 7435278A JP S5832539 B2 JPS5832539 B2 JP S5832539B2
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- switch element
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ型の第１の層と、Ｎ型の第２の層と、Ｐ型
の第３の層と、Ｎ型の第４の層とを有するＰＮＰＮ型の
半導体光スイツチ素子を用いた光スイツチ回路の改良に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a PNPN type structure having a P-type first layer, an N-type second layer, a P-type third layer, and an N-type fourth layer. This invention relates to improvements in optical switch circuits using semiconductor optical switch elements.
従来、第１図に示すように、Ｐ型のアノードとしての第
１の層１、Ｎｍの第１のゲートとしての第２の層２、Ｐ
型の第２のゲートとしての第３の層３及びＮ型のカソー
ドとしての第４の層４を有するＰＮＰＮ型の半導体光ス
イツチ素子５を有し、その第３の層３及び第４の層４間
に、抵抗６が、その両端を、第３の層３及び第４の層４
に接続して並列接続されてなる構成を有する光スイツチ
回路が提案されている。Conventionally, as shown in FIG. 1, a first layer 1 as a P type anode, a second layer 2 as a Nm first gate, a P
a PNPN type semiconductor optical switch element 5 having a third layer 3 as a second gate of the type and a fourth layer 4 as an N type cathode; 4, a resistor 6 connects both ends to the third layer 3 and the fourth layer 4.
An optical switch circuit has been proposed in which the optical switch circuit is connected in parallel to the optical switch circuit.
このような光スイツチ回路は、その半導体光スイツチ素
子５の第１及び第４の層１及び４間に、負荷７を通じて
、第１の層１側を正とする直流電源８を接続している状
態で、半導体光スイツチ素子５の第２及び第３の層２及
び３間のＰＮ接合９に、例えば発行ダイオード１０で構
成されている光源１１よりの光１２を照射すれば、これ
に基すき、半導体光スイツチ素子５０ＰＮ接合９の位置
に光電流が生じ、これが、半導体光スイツチ素子５の第
３及び第４の層３及び４間のＰＮ接合１３を通じて流れ
ることにより、半導体光スイツチ素子５が点弧し、その
第１及び第４の層１及び４間が導通状態となって、負荷
７に電源８より電流を供給するものである。In such an optical switch circuit, a DC power source 8 with the first layer 1 side positive is connected between the first and fourth layers 1 and 4 of the semiconductor optical switch element 5 through a load 7. In this state, if the PN junction 9 between the second and third layers 2 and 3 of the semiconductor optical switch element 5 is irradiated with light 12 from a light source 11 composed of, for example, a light emitting diode 10, the gap will be , a photocurrent is generated at the position of the PN junction 9 of the semiconductor optical switch element 50, and this current flows through the PN junction 13 between the third and fourth layers 3 and 4 of the semiconductor optical switch element 5, so that the semiconductor optical switch element 5 When the first and fourth layers 1 and 4 are ignited, the first and fourth layers 1 and 4 become conductive, and a current is supplied to the load 7 from the power source 8.
また、このような光スイツチ回路は、その半導体光スイ
ツチ素子５が、上述したように一旦点弧すれば、その半
導体光スイツチ素子５のＰＮ接合１３に、電源８よりの
電流が流れるので、その点弧状態が維持され、従って、
半導体光スイツチ素子５０ＰＮ接合９への、光源１１よ
りの光１２の照射により、半導体光スイッチ素′−ｆ−
５を一旦点弧して後、その光１２の照射を停＋ＬＬでも
、電源８の半導体光スイツチ素子５の第１及び第４の層
１及び４間への接続を断としない限り、負荷７に電流を
供給する。Furthermore, in such an optical switch circuit, once the semiconductor optical switch element 5 is ignited as described above, the current from the power source 8 flows through the PN junction 13 of the semiconductor optical switch element 5, so that the The ignition condition is maintained and therefore,
By irradiating the semiconductor optical switch element 50PN junction 9 with the light 12 from the light source 11, the semiconductor optical switch element '-f-
Even if the irradiation of the light 12 is stopped after the light 12 is ignited once, the load 7 is not turned off unless the connection between the first and fourth layers 1 and 4 of the semiconductor optical switch element 5 of the power source 8 is disconnected. supply current to.
よってメモリ機能を有するものである。Therefore, it has a memory function.
さらに、このような光スイツチ１！１］路は、その半導
体光スイツチ素子５の第１及び策４の層１及び４間に、
なんら電源が接続されていない状態から、上述したよう
に、直流電源８を接続した場合、それに基ずく過渡電流
が、この半導体光スイツチ素子５のＰＮ接合１３を通じ
て流れ、半導体光スイツチ素子５のＰＮ接合９への光１
２の照射をしないにもかかわらず、半導体光スイツチ素
子５が点弧せんとするが、半導体光スイツチ素子５の第
３及び第４の層３及び４間に抵抗６が接続されていて、
これによって上述した過渡電流が側路されるので、これ
を回避し得る。Furthermore, such an optical switch 1!1] path is located between layers 1 and 4 of the first and fourth layers of the semiconductor optical switch element 5.
When the DC power supply 8 is connected as described above from a state in which no power supply is connected, a transient current based thereon flows through the PN junction 13 of the semiconductor optical switch element 5, and the PN junction of the semiconductor optical switch element 5 is Light 1 to Junction 9
Although the semiconductor optical switch element 5 does not ignite even though the irradiation of 2 is not performed, a resistor 6 is connected between the third and fourth layers 3 and 4 of the semiconductor optical switch element 5,
This avoids the above-mentioned transient currents, since they are bypassed.
よって、半導体光スイツチ素子５の第１及び第４の層１
及び４間に、なんら電源が接続されていない状態から、
上述したように直流電源８が接続されたとし２ても、半
導体光スイツチ素子５が誤って点弧するおそれを回避し
得るものである。Therefore, the first and fourth layers 1 of the semiconductor optical switch element 5
and 4, from the state where no power is connected,
Even if the DC power source 8 is connected as described above, the risk of the semiconductor optical switch element 5 being ignited by mistake can be avoided.
然しなから、に述した光スイツチ回路による場合、その
半導体光スイツチ素子５が、に述したような誤点弧する
おそれを回避し得るとしても、半導体光スイツチ素子５
が、そのＰＮ接合９に外部よりの光１２を受けて点弧す
る場合、その場合にＰＮ接合１３に流れる光電流の一部
が、抵抗６にて側路される。However, in the case of the optical switch circuit described above, even if the semiconductor optical switch element 5 can avoid the risk of erroneous firing as described in the above, the semiconductor optical switch element 5
However, when the PN junction 9 receives light 12 from the outside and is ignited, a part of the photocurrent flowing through the PN junction 13 is bypassed by the resistor 6.
従って、半導体光スイツチ素子５０ＰＮ接合９への外部
よりの光１２の照射を、犬なる光強度を以てなすを要す
る。Therefore, it is necessary to irradiate the semiconductor optical switch element 50PN junction 9 with the light 12 from the outside with a certain level of light intensity.
このため、外部の光源１１に大なる電力消費を要する欠
点を有し、光スイッチロ路が高感度であるとは言い得な
いものであった。Therefore, the external light source 11 has the drawback of requiring large power consumption, and the optical switching path cannot be said to have high sensitivity.
また従来、光スイツチ回路として、特開昭５１−１１１
．７６号公報に示されているように、第１図で上述した
構成において、バイポーラトランジスタを、そのコレク
タ及びソースをそれぞれ、半導体光スイツチ素子５の第
３及び第４の層３及び４間に接続して用い、そのトラン
ジスタのベースと光スイツチ素子５の第１の層１との間
にコンデンサが接続されている構成のものも提案されて
いる。Also, conventionally, as an optical switch circuit, JP-A-51-111
．． As shown in Japanese Patent Application No. 76, in the configuration described above in FIG. A structure in which a capacitor is connected between the base of the transistor and the first layer 1 of the optical switch element 5 has also been proposed.
このような光スイツチ回路によれば、高感度が得られる
、誤って点弧することがない、という特徴を有する。Such an optical switch circuit has the characteristics that high sensitivity can be obtained and there is no possibility of erroneous ignition.
然１−７ながら、コンデンサの容量のために、光スィッ
チ５が非点弧状態、即ち遮断状態であるにもかかわらず
、その光スイツチ素子の両端が交流信号的に測路される
という不都合を右する。However, due to the capacitance of the capacitor, even though the optical switch 5 is in a non-ignition state, that is, in a cut-off state, both ends of the optical switch element are inconveniently routed in the form of an AC signal. Right.
よって、本発明は、−上述したような欠点及び不都合の
ない、第１図で上述した光スイツチ回路に比し、十分高
感度である、新規な、光スイツチ回路を提案せんとする
もので、以下、本発明の実施例を詳述するところにより
明らかとなるであろう。Therefore, the present invention seeks to propose a novel optical switch circuit which is sufficiently sensitive compared to the optical switch circuit described above in FIG. 1, without the drawbacks and disadvantages mentioned above; It will become clear from the detailed description of the embodiments of the present invention below.
第２図は、本発明の第１の実施例を示し、第１図との対
応部分には同一符号を付し詳細説明は省略するが、第１
図で１７．述した構成において、次の事項を除いて、第
１図の場合と同様の構成を有する。FIG. 2 shows a first embodiment of the present invention, and parts corresponding to those in FIG.
Figure 17. The configuration described above has the same configuration as in FIG. 1 except for the following points.
抵抗６が省略され、然しなから、半導体光スイツチ素子
５の第３及び第４の層３及び４間に、ソース及びドレイ
ン間の内部抵抗がゲート及びソース間にゲート側を正と
するバイアス電圧が印加されていない場合、比較的小な
る値を呈しているも、印加されている場合、比較的大な
る値を呈している特性を有するＰチャンネル接合型、Ｐ
チャンネルテプレツションＭＯ８型等の電界効果型半導
体素子２１が、そのソース及びドレインを夫々第３及び
第４の層３及び４に接続して並列接続されている。The resistor 6 is omitted, but the internal resistance between the source and the drain is applied between the third and fourth layers 3 and 4 of the semiconductor optical switch device 5, and the bias voltage with the gate side being positive is applied between the gate and the source. A P-channel junction type, which has the characteristic that it exhibits a relatively small value when no voltage is applied, and a relatively large value when it is applied.
A field effect semiconductor element 21, such as a channel depression MO8 type, is connected in parallel with its source and drain connected to the third and fourth layers 3 and 4, respectively.
また、電界効果型半導体素子２１のゲート及びソース間
に、例えば光電池２２で構成された光の照射を受けて起
電力を発生する半導体光電源回路２３が接続され、然し
て、この半導体光電源回路２３の光電池２２が、光源１
１よりの光１２の照射を受けるようになされている。Further, between the gate and the source of the field-effect semiconductor element 21, a semiconductor optical power supply circuit 23, which is composed of, for example, a photovoltaic cell 22 and generates an electromotive force when irradiated with light, is connected. The photocell 22 of the light source 1
It is configured to receive irradiation of light 12 from 1.
この場合、電界効果型半導体素子２１のゲート及びソー
ス間に、比較的大なる抵抗２４を接続し置くを町とする
。In this case, a relatively large resistor 24 is connected between the gate and source of the field effect semiconductor element 21.
以りが、本発明による光スイツチ回路の一例構成である
。The following is an example configuration of the optical switch circuit according to the present invention.
このような構成によれば、第１図の場合と同様に、半導
体光スイッチ素ｆ−５の第１及び第４の層１及び４間に
、負荷７を通じて直流電源８を接続（−でいる状態で、
光源１１よりの光１２を、半導体光スイツチ素子５０Ｐ
Ｎ接合９に照射すれば、それに基すき、半導体光スイツ
チ素子５のＰＮ接合９の位置に光電流が生じ、これが半
導体光スイツチ素子５のＰＮ接合１３を通じて流れるこ
とにより、半導体光スイツチ素子５が点弧し、その第・
１及び第４の層１及び４間が導通状態となって、負荷７
に電源８より電流を供給する。According to such a configuration, as in the case of FIG. 1, a DC power supply 8 is connected (- In the state
The light 12 from the light source 11 is transferred to the semiconductor optical switch element 50P.
When the N-junction 9 is irradiated, a photocurrent is generated at the PN junction 9 of the semiconductor optical switch element 5, and this flows through the PN junction 13 of the semiconductor optical switch element 5. Ignition and the first
The first and fourth layers 1 and 4 are in a conductive state, and the load 7
A current is supplied from the power supply 8 to
また、このように半導体光スイツチ素子５が一旦点弧す
れば、その点弧状態が維持され、よって半導体光スイツ
チ素子５０ＰＮ接合９への光１２の照射により半導体光
スイツチ素子５を一旦点弧して後、その光１２の照射を
停止しても、電源８０半導体光スイッチ素子５の第１及
び第４の層１゜４間への接続を断としない限り、負荷γ
に電流を供給するものである。Moreover, once the semiconductor optical switch element 5 is ignited in this manner, the ignition state is maintained, and therefore, the semiconductor optical switch element 5 is once ignited by irradiating the light 12 to the semiconductor optical switch element 50PN junction 9. Even if the irradiation of the light 12 is stopped after the irradiation of the light 12, the load γ remains as long as the connection between the first and fourth layers 1.4 of the power source 80 and the semiconductor optical switch element 5 is disconnected.
It supplies current to the
また、このように第２図に示す光スイツチ回路によれば
、半導体光スイツチ素子５の第１及び第４の層１，４間
に、何等電源が接続されていない状態から、上述したよ
うに、直流電源を接続した場合、それに基ずく過渡電流
が、この半導体光スイツチ素子５のＰＮ接合１３を通じ
て流れ、半導体光スイツチ素子５０ＰＮ接合９への光１
２の照射をしないにもかかわらず、半導体光スイツチ素
子５が点弧せんとするが、半導体光スイツチ素子５の第
３及び第４の層３及び４間に、電界効果型半導体素子２
１が接続されており、これによって、上述した過渡電流
が側路されるので、これが回避される。Furthermore, according to the optical switch circuit shown in FIG. , when a DC power supply is connected, a transient current based thereon flows through the PN junction 13 of the semiconductor optical switch element 5, and the light 1 to the semiconductor optical switch element 50 to the PN junction 9 is
Although the semiconductor optical switch element 5 does not ignite even though the semiconductor optical switch element 5 is not irradiated, the field effect semiconductor element 2
1 is connected, which bypasses the above-mentioned transient currents and thus avoids this.
よって、半導体光スイツチ素子５の第１及び第４の層１
及び４間に１、何等電源が接続されていない状態から、
上述したように、直流電源８が接続されるとしても、半
導体光スイツチ素子５が誤って点弧するおそれを回避し
得るものである。Therefore, the first and fourth layers 1 of the semiconductor optical switch element 5
1 between 4 and 4, from a state where no power is connected,
As described above, even if the DC power supply 8 is connected, the possibility that the semiconductor optical switch element 5 will be ignited by mistake can be avoided.
また、半導体光スイツチ素子５が、そのＰＮ接合９に外
部よりの光１２を受けて点弧する場合、その場合に、Ｐ
Ｎ接合１３に流れる光電流の一部が、電界効果型半導体
素子２１を通じて側路されんとするが、この場合、充電
源回路２３０両端に、そのゲート側を正とする電圧が生
じ、然して、これが電界効果型半導体素子２１に、バイ
アス電圧として与えられ、その電界効果型半導体素子２
１のソース及びドレイン間の抵抗が十分大となり、この
ため、この場合に生ずる光電流が、電界効果型半導体素
子２１を通じて実質的に側路されることはない。Further, when the semiconductor optical switch element 5 receives light 12 from the outside at its PN junction 9 and is ignited, in that case, the P
It is assumed that a part of the photocurrent flowing through the N-junction 13 is diverted through the field-effect semiconductor element 21, but in this case, a voltage is generated across the charge source circuit 230 with the gate side being positive, and thus, This is applied to the field effect semiconductor element 21 as a bias voltage, and the field effect semiconductor element 2
The resistance between the source and drain of the transistor 1 is sufficiently large, so that the photocurrent generated in this case is not substantially bypassed through the field effect semiconductor element 21.
従って光電流の実質的な全てが、ＰＮ接合１３を通り、
よって光源１１よりの光１２の強度が比較的小であって
も、半導体光スイツチ素子５を確実に点弧せしめ得るも
のである。Therefore, substantially all of the photocurrent passes through the PN junction 13,
Therefore, even if the intensity of the light 12 from the light source 11 is relatively low, the semiconductor optical switch element 5 can be reliably ignited.
よって、第２図で上述した本発明の一例構成によれば、
半導体光スイツチ素子５０ＰＮ接合９への外部よりの光
１２の照射を、犬なる光強度で行う要なしに、従って、
外部の光源１１に犬なる電力消費を要することなしに、
光スイツチ回路としての機能を得ることができる大なる
特徴を有する。Therefore, according to the exemplary configuration of the present invention described above in FIG.
Therefore, there is no need to irradiate the semiconductor optical switch element 50PN junction 9 with the light 12 from the outside at a certain light intensity.
without requiring significant power consumption for the external light source 11.
It has the great feature of being able to function as an optical switch circuit.
また、光スイツチ回路が高感度であると言い得るもので
ある。It can also be said that the optical switch circuit has high sensitivity.
このことは、半導体光スイツチ素子５の第１及び第４の
層１及び４間に、何等電源が接続されていない状態から
、それら層１及び４間に、直流電源８が接続された場合
に生ずる過渡電流は、これを側路するが、半導体光スイ
ツチ素子５が、そのＰＮ接合に外部より光１２を受けて
点弧する場合に、ＰＮ接合１３を通じて流れる光電流を
側路させない手段として、半導体光スイツチ素子５０層
３及び４にそれぞれ接続されるソース及びドレイン間の
内部抵抗が、ゲート及びソース間にバイアス電圧が印加
された場合、十分大なる値を呈するという電界効果型半
導体素子２１を用いているので、なおさらである。This is true when the DC power source 8 is connected between the first and fourth layers 1 and 4 of the semiconductor optical switch device 5, from a state where no power source is connected between them. The generated transient current is bypassed, but when the semiconductor optical switch element 5 receives light 12 from the outside at its PN junction and is ignited, as a means to prevent the photocurrent flowing through the PN junction 13 from being bypassed. The field effect semiconductor device 21 is such that the internal resistance between the source and drain connected to the layers 3 and 4 of the semiconductor optical switch device 50 takes on a sufficiently large value when a bias voltage is applied between the gate and the source. This is especially true since it is used.
また、図示のように、電界効果型半導体素子２１のベー
ス及びソース間に、抵抗２４が接続されている場合、そ
の値を適当に選定することによって、一般に、入力イン
ピーダンスが犬である電界効果型半導体素子２１の、そ
の入力インピーダンスを適度に低下せしめることができ
る。Further, as shown in the figure, when a resistor 24 is connected between the base and the source of the field effect type semiconductor element 21, by appropriately selecting its value, a field effect type semiconductor element whose input impedance is generally The input impedance of the semiconductor element 21 can be appropriately reduced.
このため、電界効果型半導体素子２１０入カインピーダ
ンスが大である場合、それに誘起され易い雑音電圧によ
って、半導体光スイツチ素子５に光１２が照射されてい
ない場合に、電界効果型半導体素子２１のソース及びド
レイン間の内部抵抗が犬となって、上述した過渡電流の
側路効果が失われんとするのを、有効に回避し得るもの
である。Therefore, when the input impedance of the field-effect semiconductor element 210 is large, the noise voltage that is easily induced therein causes the source of the field-effect semiconductor element 21 to This can effectively prevent the above-mentioned transient current bypass effect from being lost due to the increase in internal resistance between the drain and the drain.
また、第２図に示す本発明による光スイツチ回路によれ
ば、素子５の第１及び第３の層１及び３間に、冒頭で上
述した特開昭５１−１１１７６号公報に示されている光
スイツチ回路のように、コンデンサカ接続されていない
ので、そのコンデンサが接続されていることによる、冒
頭で上述した、不都合がないものである。Furthermore, according to the optical switch circuit according to the present invention shown in FIG. Unlike an optical switch circuit, a capacitor is not connected, so there is no inconvenience mentioned at the beginning due to the capacitor being connected.
なお、上述においては電界効果型半導体素子２１が、Ｐ
チャンネル型である場合につき述べたが、第３図に示す
ように、その電界効果型半導体素子２１をＮチャンネル
型とし、これに応じて、そのドレイン及びソースを、そ
れぞれ光スイツチ素子５の第３及び第４の層３及び４に
接続し、また光電源回路２を、半導体光スイツチ素子５
のゲート及びドレイン間に接続している構成にしても、
また、上述において、その電界効果型半導体素子２１の
ソースがドレイン ドレインがソースと読替えられた構
成にしても、第２図で上述したのと同様の作用効果が得
られることは、明らかであろう。Note that in the above description, the field effect semiconductor element 21 is P
As described above, the field-effect semiconductor element 21 is of the N-channel type, as shown in FIG. and the fourth layer 3 and 4, and the optical power supply circuit 2 is connected to the semiconductor optical switch element 5.
Even if the configuration is connected between the gate and drain of
Furthermore, in the above description, it is clear that even if the source of the field effect semiconductor element 21 is replaced with the drain and the drain is replaced with the source, the same effect as described above with reference to FIG. 2 can be obtained. .
第１図は、従来の光スイツチ回路を示す接続図である。
第２図及び第３図は、それぞれ本発明による光スイツチ
回路の実施例を示す接続図である。
１．２，３，４・・・・・・Ｐ、Ｎ、Ｐ及びＮ層、５・
・・・・・半導体光スイツチ素子、７・・・・・・負荷
、８・・・・・・直流電源、９，１３・・・・・・ＰＮ
接合、２１・・・・−・電界効果型半導体素子、２２・
・・・・・光電池、２３・・・・・・半導体充電源回路
、２４・・・・・・抵抗。FIG. 1 is a connection diagram showing a conventional optical switch circuit. 2 and 3 are connection diagrams showing embodiments of the optical switch circuit according to the present invention, respectively. 1.2, 3, 4...P, N, P and N layer, 5.
... Semiconductor optical switch element, 7 ... Load, 8 ... DC power supply, 9, 13 ... PN
Junction, 21... Field effect semiconductor element, 22.
...Photovoltaic cell, 23...Semiconductor charging source circuit, 24...Resistor.
Claims (1)
の層と、Ｎ型の第４の層とを有するＰＮＰＮ型の半導体
光スイツチ素子を用いた光スイツチ回路において、 上記半導体光スイツチ素子の第３及び第４の層間に、ソ
ース及びドレイン間の内部抵抗がゲート及びソース（ま
たはドレイン）間に所定のバイアス電圧が印加されてい
ない場合比較的小なる値を呈しているが、印加されてい
る場合比較的大なる値を呈している特性を有する電界効
果型半導体素子が、そのソース（またはドレイン）及び
ドレイン（またはソース）を上記第３及び第４の層に接
続して並列接続され、 上記電界効果型半導体素子のゲート及びソース（・また
はドレインン間に、上記半導体光スイツチ素子が光の照
射を受けるときに光の照射を受けて起電力を発生する半
導体光源回路が、当該半導体光源回路の両端で上記所定
のバイアス電圧が得られるように接続されていることを
特徴とする光スイツチ回路。[Claims] 1. A P-type first layer, an N-type second layer, and a P-type third layer.
In an optical switch circuit using a PNPN type semiconductor optical switch element having a layer of An electric field that has the characteristic that the resistance exhibits a relatively small value when a predetermined bias voltage is not applied between the gate and the source (or drain), but exhibits a relatively large value when a predetermined bias voltage is applied. An effective semiconductor element is connected in parallel with its source (or drain) and drain (or source) connected to the third and fourth layers, and between the gate and source (or drain) of the field effect semiconductor element. A semiconductor light source circuit that generates an electromotive force upon irradiation of light when the semiconductor optical switch element is irradiated with light is connected such that the predetermined bias voltage is obtained at both ends of the semiconductor light source circuit. An optical switch circuit characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53074352A JPS5832539B2 (en) | 1978-06-20 | 1978-06-20 | light switch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53074352A JPS5832539B2 (en) | 1978-06-20 | 1978-06-20 | light switch circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS551732A JPS551732A (en) | 1980-01-08 |
| JPS5832539B2 true JPS5832539B2 (en) | 1983-07-13 |
Family
ID=13544638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53074352A Expired JPS5832539B2 (en) | 1978-06-20 | 1978-06-20 | light switch circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832539B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183128A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Hitachi Ltd | Optically driven electronic switch |
| US4419586A (en) * | 1981-08-27 | 1983-12-06 | Motorola, Inc. | Solid-state relay and regulator |
| US5027020A (en) * | 1989-10-10 | 1991-06-25 | Teledyne Industries, Inc. | Zero voltage switching AC relay circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929006B2 (en) * | 1974-07-19 | 1984-07-17 | 株式会社日立製作所 | photosensitive semiconductor switch |
-
1978
- 1978-06-20 JP JP53074352A patent/JPS5832539B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS551732A (en) | 1980-01-08 |
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