JPS583322B2 - 固体電気絶縁体の外表面の電気絶縁性を改良する方法 - Google Patents
固体電気絶縁体の外表面の電気絶縁性を改良する方法Info
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- JPS583322B2 JPS583322B2 JP54049614A JP4961479A JPS583322B2 JP S583322 B2 JPS583322 B2 JP S583322B2 JP 54049614 A JP54049614 A JP 54049614A JP 4961479 A JP4961479 A JP 4961479A JP S583322 B2 JPS583322 B2 JP S583322B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高電圧電気絶縁具、特にがいしの絶縁性を改良
する方法及び該方法によって製造される電気絶縁体に関
する。
する方法及び該方法によって製造される電気絶縁体に関
する。
高電圧電気絶縁具の分野において言われてきた問題は絶
縁具の外表面の上を伝わって流れる漏えい電流の防止の
ための適当な手段を見い出すことであった。
縁具の外表面の上を伝わって流れる漏えい電流の防止の
ための適当な手段を見い出すことであった。
この問題及び解決の初期の例はバス(Bass)に付与
されたアメリカ国特許第2428608号明細書に見い
出されるが、この特許においてはオルガノポリシロキサ
ン重合体を増粘し、これをコロナの形成を防止するため
に電気の導体と接地用導体との間の空間に満すグリース
として使用していた。
されたアメリカ国特許第2428608号明細書に見い
出されるが、この特許においてはオルガノポリシロキサ
ン重合体を増粘し、これをコロナの形成を防止するため
に電気の導体と接地用導体との間の空間に満すグリース
として使用していた。
コーピ(Kauppi)に付与されたアメリカ国特許第
2588393号はある製造製品の表面上でメチル水素
シロキサン流体とジメチルポリシロキサン高重合体との
混合物を硬化させて該製品上に被膜を形成し、不粘着性
の表面を得る方法を特許請求した。
2588393号はある製造製品の表面上でメチル水素
シロキサン流体とジメチルポリシロキサン高重合体との
混合物を硬化させて該製品上に被膜を形成し、不粘着性
の表面を得る方法を特許請求した。
タルコット(Talcott)に付与されたアメリカ国
特許第3511698号は硬質の硬化した熱硬化性のベ
ース部材の表面にシリコーンエラストマー素材の分散液
を適用、硬化させる方法を特許請求している。
特許第3511698号は硬質の硬化した熱硬化性のベ
ース部材の表面にシリコーンエラストマー素材の分散液
を適用、硬化させる方法を特許請求している。
その実施例において、タルコツトはエポキシ樹脂−ガラ
ス繊維の棒状体を厚さ0.6mmのシリコーンエラスト
マーのベースで被覆するときの該棒状体のアーク抵抗に
おける改良を説明した。
ス繊維の棒状体を厚さ0.6mmのシリコーンエラスト
マーのベースで被覆するときの該棒状体のアーク抵抗に
おける改良を説明した。
ウールマン(Uhlmann)に付与されたアメリカ国
特許第4011168号は伝送絶縁体や配電線の絶縁体
を、又変電所の絶縁管をフラッシュオーバーがら保護す
るための電気被覆剤として有用なグリース様組成物を製
造するためのシロキサン流体、鉱物質充てん剤及びシロ
キサン樹脂の組成物を特許請求している。
特許第4011168号は伝送絶縁体や配電線の絶縁体
を、又変電所の絶縁管をフラッシュオーバーがら保護す
るための電気被覆剤として有用なグリース様組成物を製
造するためのシロキサン流体、鉱物質充てん剤及びシロ
キサン樹脂の組成物を特許請求している。
伝送系統及び配電系統において用いられるつるし線の絶
縁体及びスタンドーオフ絶縁体のような高電圧絶縁具の
ための被覆剤の開発が必要であった。
縁体及びスタンドーオフ絶縁体のような高電圧絶縁具の
ための被覆剤の開発が必要であった。
それは一般ガラス又は磁器から作られる絶縁体は湿気に
さらされると電導性になる汚染物で被覆されて行くから
である。
さらされると電導性になる汚染物で被覆されて行くから
である。
この絶縁体の表面に沿ってアーク放電が連続発生すると
その絶縁体を損傷させる。
その絶縁体を損傷させる。
従来技術において開示される被覆剤は絶縁体表面に電導
性の連続被覆が形成するのを妨げるような疎水性の表面
を作ることによって前記アーク放電の発生を防ぐのを助
ける。
性の連続被覆が形成するのを妨げるような疎水性の表面
を作ることによって前記アーク放電の発生を防ぐのを助
ける。
I EEE コンファレス・ペーパー(IEEE Co
nference Paper)、71C38 EI−
25、1971年の、ニーミ(Niemi)の報文「セ
ルフープライミング・シリコーン・エラストマリツク・
コーティングズ・フォー・ハイ・ボルテージ・インシュ
レーター・ボーディーズ(Self −Primirg
Siljcone Elastomeric Coa
tir1gs for High Voltage I
nsulator Bodies)Jはセラメツクタイ
プの絶縁体及び新しい構造の強くて軽量の合成又はプラ
スチックの絶縁体の両絶縁体を被覆するのに有用なシリ
コーンエラストマーを開示した。
nference Paper)、71C38 EI−
25、1971年の、ニーミ(Niemi)の報文「セ
ルフープライミング・シリコーン・エラストマリツク・
コーティングズ・フォー・ハイ・ボルテージ・インシュ
レーター・ボーディーズ(Self −Primirg
Siljcone Elastomeric Coa
tir1gs for High Voltage I
nsulator Bodies)Jはセラメツクタイ
プの絶縁体及び新しい構造の強くて軽量の合成又はプラ
スチックの絶縁体の両絶縁体を被覆するのに有用なシリ
コーンエラストマーを開示した。
湿気、すなわち高湿度及び汚染物にさらされるとき、漏
えい電流に対する高電圧絶縁体の抵抗性を改良する方法
は該絶縁体の表面を式 によって定義される特定のポリオルガノシロキサン流体
で被覆することから成る。
えい電流に対する高電圧絶縁体の抵抗性を改良する方法
は該絶縁体の表面を式 によって定義される特定のポリオルガノシロキサン流体
で被覆することから成る。
絶縁体表面に上記流体が存在すると高電圧における漏え
い電流に対するそれら絶縁体表面の抵抗が大きくなる。
い電流に対するそれら絶縁体表面の抵抗が大きくなる。
本発明の目的は高電圧絶縁体が電気応力下にある間に湿
気及び汚染物に付されるときのそれら絶縁体の性能を改
良することである。
気及び汚染物に付されるときのそれら絶縁体の性能を改
良することである。
本発明は固体電気絶縁体の外表面を一般式(式中、Xは
少なくとも2の平均値を有し:y及びZはそれぞれO〜
98の平均値を 有し; XとyとZの和は8〜200の値に等し く; yとZは同時にOではあり得ず; X,y及びZがそれぞれOより大きい平 均値を有するとき、X対y対Zの比は約 7対4対1であり; yが0であるとき、X対Zの比は0.3/1〜7/1で
、且つXとZの和は100 より小さい値を有し:そして ZがOであるとき、X対yの比は0.3/1〜7/1で
あり、且つXとyの和は 100より小さい値を有する) の組成物で被覆することを特徴とする前記固体電気絶縁
体の外表面の電気絶縁性を改良する方法に関する。
少なくとも2の平均値を有し:y及びZはそれぞれO〜
98の平均値を 有し; XとyとZの和は8〜200の値に等し く; yとZは同時にOではあり得ず; X,y及びZがそれぞれOより大きい平 均値を有するとき、X対y対Zの比は約 7対4対1であり; yが0であるとき、X対Zの比は0.3/1〜7/1で
、且つXとZの和は100 より小さい値を有し:そして ZがOであるとき、X対yの比は0.3/1〜7/1で
あり、且つXとyの和は 100より小さい値を有する) の組成物で被覆することを特徴とする前記固体電気絶縁
体の外表面の電気絶縁性を改良する方法に関する。
本発明の方法において有用な組成物自体はその技術分野
において公知である。
において公知である。
上記の組成物はトリメチルシロキシ、ジメチルシロキサ
ン,メチル水素シロキサン及びメチル(トリメチルシロ
キシ)シロキサンの各単位から選ばれる単位からできて
いるトリメチルシロキシ基で末端ブロツクされたポリオ
ルガノシロキサン流体である。
ン,メチル水素シロキサン及びメチル(トリメチルシロ
キシ)シロキサンの各単位から選ばれる単位からできて
いるトリメチルシロキシ基で末端ブロツクされたポリオ
ルガノシロキサン流体である。
前記3種のタイプのシロキサン単位が全部存在するとき
、前記ポリオルガノシロキサン流体は1分子当り平均8
〜200単位の前記単位とジメチルシロキサン対メチル
水素シロキサン対メチル(トリメチルシロキシ)シロキ
サンの比として平均約7対4対1の比を有している。
、前記ポリオルガノシロキサン流体は1分子当り平均8
〜200単位の前記単位とジメチルシロキサン対メチル
水素シロキサン対メチル(トリメチルシロキシ)シロキ
サンの比として平均約7対4対1の比を有している。
そのような組成物のうち好ましい態様のものは1分子当
り前記単位を平均50〜200単位有しているものであ
る。
り前記単位を平均50〜200単位有しているものであ
る。
最も好ましい組成物は分子当り平均約160単位有して
いる。
いる。
前記組成物がジメチルシロキサン単位とメチル水素シロ
キサン単位とからできているとき、前記ポリオルガノシ
ロキサン流体は該単位を1分子当り平均8〜100単位
有している。
キサン単位とからできているとき、前記ポリオルガノシ
ロキサン流体は該単位を1分子当り平均8〜100単位
有している。
このポリオルガノシロキサン流体のうちで好ましい態様
のものは前記単位を1分子尚り平均8〜25単位有して
いるものであり、そしてその最も好ましい分子鎖長は該
範囲のうち下限にある。
のものは前記単位を1分子尚り平均8〜25単位有して
いるものであり、そしてその最も好ましい分子鎖長は該
範囲のうち下限にある。
この好ましい態様のポリオルガノシロキサン流体はXと
yとを0.6/1〜4/1の比で有しており、そして最
も有効な組成物はジメチルシロキサ/対メチル水素シロ
キサンの比として平均約1.5/1の比を有している。
yとを0.6/1〜4/1の比で有しており、そして最
も有効な組成物はジメチルシロキサ/対メチル水素シロ
キサンの比として平均約1.5/1の比を有している。
この組成物の分子量は上記組成物を絶縁体表面上に沿っ
て流動させ、該表面を完全に被覆するのに十分低くなげ
ればならない。
て流動させ、該表面を完全に被覆するのに十分低くなげ
ればならない。
前記組成物がジメチルシロキサン単位とメチル(トリメ
チルシロキシ)シロキサン単位とからできているとき、
前記ポリオルガノシロキサン流体は該単位を1分子当り
平均8〜100単位有している。
チルシロキシ)シロキサン単位とからできているとき、
前記ポリオルガノシロキサン流体は該単位を1分子当り
平均8〜100単位有している。
このポリオルガノシロキサン流体のうちの好ましい態様
は上記単位を1分子当り平均8〜25単位有しているも
のであり、そしてその最も好ましい分子鎖長は該範囲の
うち下限にある。
は上記単位を1分子当り平均8〜25単位有しているも
のであり、そしてその最も好ましい分子鎖長は該範囲の
うち下限にある。
このポリオルガノシロキサン流体の好ましい態様はXと
Zとを0.6/1〜4/1の比で有し、そして最も有効
な組成物はジメチルシロキサン対メチル(トリメチルシ
ロキシ)シロキサンの比として平均約1.5/1の比を
有している。
Zとを0.6/1〜4/1の比で有し、そして最も有効
な組成物はジメチルシロキサン対メチル(トリメチルシ
ロキシ)シロキサンの比として平均約1.5/1の比を
有している。
この組成物の分子量は該組成物を絶縁体表面上に沿って
流動させ、該表面を完全に被覆するのに十分低くなげれ
ばならない。
流動させ、該表面を完全に被覆するのに十分低くなげれ
ばならない。
本発明の方法において有用な組成物はこの技術分野にお
いて周知である酸接触重合法と平衝法によって合成する
ことができる。
いて周知である酸接触重合法と平衝法によって合成する
ことができる。
この組成物はポリジメチルシクロシロキサン、ポリメチ
ル水素シクロシロキサン、ポリメチル(トリメチルシロ
キシ)シクロシロキサン及びヘキサメチルジシロキサン
の適当な組合せを酸と混合し、これら成分を一緒に重合
及び平衝を起させるのに十分長い時間攪拌することによ
って合成することができる。
ル水素シクロシロキサン、ポリメチル(トリメチルシロ
キシ)シクロシロキサン及びヘキサメチルジシロキサン
の適当な組合せを酸と混合し、これら成分を一緒に重合
及び平衝を起させるのに十分長い時間攪拌することによ
って合成することができる。
この場合酸触媒は次に酸性炭酸ナトリウムで中和するこ
とができる。
とができる。
得られた混合物は次にf過されて塩が除去され、そして
本発明において使用するための重合体生成物が回収され
る。
本発明において使用するための重合体生成物が回収され
る。
ポリジメチルシクロシロキサン、ポリメチル水素シクロ
シロキサン及びヘキサメチルジシロキサンはこの技術分
野において周知の化合物である。
シロキサン及びヘキサメチルジシロキサンはこの技術分
野において周知の化合物である。
ポリメチル(トリメチルシロキシ)シクロシロキサンは
次の、テトラメチルテトラ水素シクロテトラシロキサン
の水利を起させてテトラメチルテトラヒドロキシシクロ
テトラシロキサンを生成させる反応と、次にヘキサメチ
ルジシロキサンでシリル化してテトラメチルテトラキス
(トリメチルシロキシ)シクロテトラシロキサンを生成
させる反応の二段反応によって合成することができる。
次の、テトラメチルテトラ水素シクロテトラシロキサン
の水利を起させてテトラメチルテトラヒドロキシシクロ
テトラシロキサンを生成させる反応と、次にヘキサメチ
ルジシロキサンでシリル化してテトラメチルテトラキス
(トリメチルシロキシ)シクロテトラシロキサンを生成
させる反応の二段反応によって合成することができる。
この合成法の説明は後記実施例9にある。
本発明において有用な組成物は個々の分子種である必要
はなく、例えば該組成物は前記のようにして製造される
ポリオルガノシロキサンの混合物であることができる。
はなく、例えば該組成物は前記のようにして製造される
ポリオルガノシロキサンの混合物であることができる。
係るポリオルガノシロキサン混合物はほとんどが線状分
子であるランダム共重合体を含有していると思われるが
、環状分子も平衝量で含まれているだろう。
子であるランダム共重合体を含有していると思われるが
、環状分子も平衝量で含まれているだろう。
本明細書に記載される組成物は特定の分子種と共に、あ
る製造法から得られる各種分子種の混合物も包含するこ
とが埋解されるだろう。
る製造法から得られる各種分子種の混合物も包含するこ
とが埋解されるだろう。
固体の電気絶縁体の外表面は前記のポリオルガノシロキ
サン流体の薄い連続被膜で被覆される。
サン流体の薄い連続被膜で被覆される。
この外表面は浸漬、はけ塗り、噴霧あるいは他の任意の
そのような方法で前記ポリオルガノシロキサン流体で被
覆することができる。
そのような方法で前記ポリオルガノシロキサン流体で被
覆することができる。
使用される流体の量は前記表面が連続塗被膜で完全に被
覆される限り臨界的でない。
覆される限り臨界的でない。
しかし、最良の結果を得るためには前記ポリオルガノシ
ロキサン流体が絶縁体表面から正に滴下し始めるように
十分な量のポリオルガノシロキサン流体が適用されるべ
きである。
ロキサン流体が絶縁体表面から正に滴下し始めるように
十分な量のポリオルガノシロキサン流体が適用されるべ
きである。
追加の流体は全て流れ去るだけであるので無駄となるだ
ろう。
ろう。
絶縁体表面に残っている流体の正確な量は使用される流
体の粘度に依存する。
体の粘度に依存する。
被覆されるべき電気絶縁体は従来技術において記述され
る任意のもの、すなわち公知のものであることかでき、
これにはシリコーンゴムの硬化した被膜で被覆されてい
るものも包含される。
る任意のもの、すなわち公知のものであることかでき、
これにはシリコーンゴムの硬化した被膜で被覆されてい
るものも包含される。
本発明の方法によって製造される電気絶縁体は漏えい電
流がかなりの水準に達せしめられる前に高電圧に耐える
能力を持ち、その能力によって観察される破壊に対して
改良された抵抗性を持っている。
流がかなりの水準に達せしめられる前に高電圧に耐える
能力を持ち、その能力によって観察される破壊に対して
改良された抵抗性を持っている。
絶縁体の表面に渚って過度の漏えい電流が流れると、そ
れはその絶縁体の突発的破壊を引き起し得る。
れはその絶縁体の突発的破壊を引き起し得る。
絶縁体が屋外で用いられるとき、絶縁体表面は大気中の
ほこりやごみで汚染されるようになり得る。
ほこりやごみで汚染されるようになり得る。
海からの塩のような多くの汚染物は絶縁体表面が雨や霧
、あるいは露によってぬらされるとき、絶縁体表面に電
導件被膜を形成し得る。
、あるいは露によってぬらされるとき、絶縁体表面に電
導件被膜を形成し得る。
電導性被膜が形成されると、漏えい電流が絶縁体表面上
を沿って付勢された電導体から該絶縁体の接地端まで流
れる。
を沿って付勢された電導体から該絶縁体の接地端まで流
れる。
この電流はその結果として起る水分の蒸発により局所加
熱を引き起し、遂いには「乾燥帯」を形成させる。
熱を引き起し、遂いには「乾燥帯」を形成させる。
この「乾燥帯」は前記被膜が水分を失われているために
最早電導性ではなくなっている区域である。
最早電導性ではなくなっている区域である。
この[乾燥帯」を横断する電気応力は往々にして空気一
絶縁界面の破壊応力を超え、このため電気アークが形成
される。
絶縁界面の破壊応力を超え、このため電気アークが形成
される。
アーク温度は極めて高く、しばしば2000℃又はそれ
以上の温度に達する。
以上の温度に達する。
このため生成した熱はその絶縁体の表面に相当の影響を
及ぼし得る。
及ぼし得る。
絶縁体表面が磁器製である場合、前記の局所加熱はその
脆い材料の不均一な熱膨張のためにクランキングを引き
起し得る。
脆い材料の不均一な熱膨張のためにクランキングを引き
起し得る。
係るクラツキングは絶縁体を完全な機械的破壊にまで導
き得る。
き得る。
絶縁体表面が有機樹脂又はエラストマーである場合、前
記の局所加熱は絶縁体表面に浸蝕を引き起し、結局絶縁
体を破壊に導き得る。
記の局所加熱は絶縁体表面に浸蝕を引き起し、結局絶縁
体を破壊に導き得る。
前記の局所加熱は又絶縁体表面を炭素化させ、かくして
その絶縁性をそこなわしめ、そして過度に高い漏えい電
流を導き得る。
その絶縁性をそこなわしめ、そして過度に高い漏えい電
流を導き得る。
本発明の方法の目的は絶縁体表面上における主導性被膜
の初期形成を防ぎ、あるいは抑制し、それによって上記
で検討したような結果となるのを防止し、あるいは抑制
することである。
の初期形成を防ぎ、あるいは抑制し、それによって上記
で検討したような結果となるのを防止し、あるいは抑制
することである。
本発明の方法を更に説明するために実施例を示すが、次
の実施例は単なる説明のためのものであって、添付特許
請求の範囲に正し《記述される本発明を限定するものと
解すべきではない。
の実施例は単なる説明のためのものであって、添付特許
請求の範囲に正し《記述される本発明を限定するものと
解すべきではない。
実施例1
本実施例は高電圧の漏えい電流に対して抵抗性であるこ
とが知られているシリコーンエラストマー被覆絶縁体に
よって代表されるごとき技術状態の典形的なものである
。
とが知られているシリコーンエラストマー被覆絶縁体に
よって代表されるごとき技術状態の典形的なものである
。
試験用絶縁体試料の調製
直径20〜25mm及び長さ20cmのガラス管にポリ
ジメチルシロキサン、ビニル基含有メチルシロキサン樹
脂、シリカ充填剤、メチル水素シロキサン及び白金含有
触媒から成る組成物をはげ塗りによって被覆して略0.
1mmの塗被膜を得た。
ジメチルシロキサン、ビニル基含有メチルシロキサン樹
脂、シリカ充填剤、メチル水素シロキサン及び白金含有
触媒から成る組成物をはげ塗りによって被覆して略0.
1mmの塗被膜を得た。
前記ガラス管をまっすぐに立てて前記被覆剤を流動させ
、清めらかで均一な塗被膜とした後、炉中で150℃に
おいて4時間硬化させ、硬化したシリコーンゴム表面を
持つ絶縁体を得た。
、清めらかで均一な塗被膜とした後、炉中で150℃に
おいて4時間硬化させ、硬化したシリコーンゴム表面を
持つ絶縁体を得た。
これを以下においては試験用絶縁体と称する。
試験操作
試料はプロシーデイングス・エレブンス・EI・コンフ
ァレンス(Procedings 11th EI C
onference)、1973年9月号、報文番号7
3CH0 777 3EI−35の報文「テスト・メソ
ツズ・ユースフル・イン・セレクテイング・マテリアル
ズ・フォー・アウトドア・ハイ・ボルテージ・インシュ
レーション(Test Methods Useful
in Selecting Materials f
or Out−door High Voltage
Insulation)」においてアール・ジイー・ニ
ーミ(R.G.Niemi)及びティー・オーベツク(
T.Orbeck)が記述している装置と操作を用いて
試験した。
ァレンス(Procedings 11th EI C
onference)、1973年9月号、報文番号7
3CH0 777 3EI−35の報文「テスト・メソ
ツズ・ユースフル・イン・セレクテイング・マテリアル
ズ・フォー・アウトドア・ハイ・ボルテージ・インシュ
レーション(Test Methods Useful
in Selecting Materials f
or Out−door High Voltage
Insulation)」においてアール・ジイー・ニ
ーミ(R.G.Niemi)及びティー・オーベツク(
T.Orbeck)が記述している装置と操作を用いて
試験した。
この試験のための霧はNaC1を1l当り2.52含有
する水道水から生成させた。
する水道水から生成させた。
標準的な試験操作を次の通りであった。
試験体を霧室に入れ、該試験体に電極を15.2cm離
して接続した。
して接続した。
次に、前記霧室を密封し、それで霧を発生させた。
霧が定常状態に達したら(約10分)、電圧を期待され
た破壊水準より低い3キロボルト(KV)の水準で印加
した。
た破壊水準より低い3キロボルト(KV)の水準で印加
した。
漏えい電流の水準を周期的に記録し、そして電圧の水準
を1時間経過毎に3KVの増分で上げた。
を1時間経過毎に3KVの増分で上げた。
破壊点は漏えい電流が100ミリアンペアに達した時間
における電圧水準であった。
における電圧水準であった。
漏えい電流が100ミリアンペアの水準に達したとき、
電圧試験用変圧器上のリレーは外れた。
電圧試験用変圧器上のリレーは外れた。
全ての場合共、試験体は破壊を引き起こす水準以下の電
圧において少なくとも1時間試験した。
圧において少なくとも1時間試験した。
前記の硬化したシリコーンゴム表面を持つ試験用絶縁体
は前記二−ミ等の操作によって試験するどき15KVの
電圧水準において破壊した。
は前記二−ミ等の操作によって試験するどき15KVの
電圧水準において破壊した。
この絶縁体を本発明を証明するための対照例とした。
実施例2
約0.03Pa’s(30cp)の粘度を有するトリメ
チルシロキシ基で末端プロツクされたポリメチル水素シ
ロキサン流体を実施例1に記載したようにして調製した
試験用絶縁体に被覆した。
チルシロキシ基で末端プロツクされたポリメチル水素シ
ロキサン流体を実施例1に記載したようにして調製した
試験用絶縁体に被覆した。
前記流体を前記ガラス管の硬化したポリジオルガノシロ
キサンの表面の上に該流体が該表面上に沿って流動し、
滑らかな連続塗被膜となるのに十分な量ではげ塗りした
。
キサンの表面の上に該流体が該表面上に沿って流動し、
滑らかな連続塗被膜となるのに十分な量ではげ塗りした
。
前記流体で被覆された試験用絶縁体を次に実施例1に記
載したようにして試験した。
載したようにして試験した。
この試料は21KVにおいて破壊した。
二回反復試料は18KVにおいて破壊した。
この流体組成物は本発明の範囲外のものであって、比較
のために示されるものである。
のために示されるものである。
実施例3
実施例2の流体を粘度が0.05Pa’s(50cp)
のトリメチルシロキシ基で末端ブロツクされたポリジメ
チルシロキサン流体に代えた。
のトリメチルシロキシ基で末端ブロツクされたポリジメ
チルシロキサン流体に代えた。
実施例1の操作によって試験したとき、この試料は24
KVで破壊した。
KVで破壊した。
この流体組成物は本発明の範囲外のものであって、比較
のために示されるものである。
のために示されるものである。
実施例4
平均式
(式中、X対yの比は約0.67であり、そしてXとy
の和は約9の平均値であった) の組成を持つ流体を6個の試験用絶縁体に実施例2に記
載したようにして被覆し、そして実施例1に記載した操
作によって試験した。
の和は約9の平均値であった) の組成を持つ流体を6個の試験用絶縁体に実施例2に記
載したようにして被覆し、そして実施例1に記載した操
作によって試験した。
この試料は平均29.5KVにおいて破壊した。
実施例5
式
の一連の組成物を次の一般式操作によって合成した。
冷却器、温度計及び攪拌機を備えた250mlの丸底三
つ口フラスコに第■表に示す量のポリジメチルシクロシ
ロキサン、ポリメチル水素シクロシロキサン及びヘキサ
メチルジシロキサンを加えた。
つ口フラスコに第■表に示す量のポリジメチルシクロシ
ロキサン、ポリメチル水素シクロシロキサン及びヘキサ
メチルジシロキサンを加えた。
重合触媒として酸を添加した。この溶液を室温で24時
間攪拌し、重合及び平衝にさせ、次いでこの組成物を気
一液クロマトグラフイー法を用いて検証した。
間攪拌し、重合及び平衝にさせ、次いでこの組成物を気
一液クロマトグラフイー法を用いて検証した。
前記触媒をー0.52のNaHCO3で中和し、そして
0.5時間攪拌した。
0.5時間攪拌した。
次にこの溶液に沢過助剤を混合し、そして焼結ガラス漏
斗を通して減圧f過した。
斗を通して減圧f過した。
実施例5の各組成物を試験用絶縁体に実施例2に記載し
たようにして適用し、そして実施例1に記載したように
して試験した。
たようにして適用し、そして実施例1に記載したように
して試験した。
破壊電圧は第■表に示す通りであった。
実験番号A,E及びFは本発明の範囲外であって、比較
のために示されるものである。
のために示されるものである。
実施例6
実施例5、実験番号Cの組成物に類似しているが、より
高粘度の組成物を、3907のポリジメチルシクロシロ
キサン、710.4fのポリメチル水素シクロシロキサ
ン及び16.2@のヘキサメチルジシロキサンを用い、
実施例5に記載した操作によって合成した。
高粘度の組成物を、3907のポリジメチルシクロシロ
キサン、710.4fのポリメチル水素シクロシロキサ
ン及び16.2@のヘキサメチルジシロキサンを用い、
実施例5に記載した操作によって合成した。
重合、平衝及び中和後、その重合体のf過前に残留環状
化合物をス}リツピンクした。
化合物をス}リツピンクした。
沢過された重合体は約0.4Pa″s(400cp)の
粘度を持っていた。
粘度を持っていた。
この重合体の平均鎖長は160単位であった。
この流体の分子量は本発明の範囲外で、比較のために示
されるものである。
されるものである。
上記重合体を次に実施例2のように試験用絶縁体に被覆
した。
した。
これは21KVの水準において破壊した。
実施例7
前記実施例6の重合体を次に100重量部の量で1.7
部のテトラメチルジビニルジシロキサン及び2部の有機
過酸化物と混合した。
部のテトラメチルジビニルジシロキサン及び2部の有機
過酸化物と混合した。
各試料を実施例2のようにして調製し、次いで炉内で1
50℃において16時間加熱して前記触媒接触させた重
合体を硬化させた。
50℃において16時間加熱して前記触媒接触させた重
合体を硬化させた。
実施例1のようにして試験すると、21KVにおいてた
った0.18時間で破壊した。
った0.18時間で破壊した。
該電圧は選択された開始電圧である。15KVで開始す
る繰り返し試験では0.3時間で破壊した。
る繰り返し試験では0.3時間で破壊した。
この実施例は比較のために示されるものである。
実施例8
式
の一連の組成物を次の操作によって合成した。
1lの三つ口フラスコに27の中和された炭素上パジジ
ウムの触媒、457の次亜リン酸ナトリウムと水酸化ナ
トリウムとの緩衝溶液及び300mlのジオキサンを加
えた。
ウムの触媒、457の次亜リン酸ナトリウムと水酸化ナ
トリウムとの緩衝溶液及び300mlのジオキサンを加
えた。
このフラスコを23℃の一定温度の油浴に一部浸漬して
反応中の発熱温度を制御した。
反応中の発熱温度を制御した。
次に、各場合共30gの実施例5、実験番号B−Fの適
当な組成物を3時間急速に攪拌しながら添加した。
当な組成物を3時間急速に攪拌しながら添加した。
触媒を次に沢別して反応を停止させた。
生成物を核磁気共鳴法を用いて分析した。
この時点では、上記生成物は式の溶媒溶液であった。
第二段階において、2lの三つ口フラスコに攪拌機と加
熱マントルを取り付けた。
熱マントルを取り付けた。
このフラスコに300m/のインプロビルアルコール、
150mlの37.2%塩酸、300fの破砕氷及び2
00mlのへキサメチルジシロキサンの混合物を加えた
。
150mlの37.2%塩酸、300fの破砕氷及び2
00mlのへキサメチルジシロキサンの混合物を加えた
。
次いで、各実験共前記段階1の生成物を攪拌しながら添
加した。
加した。
攪拌1時間後、この混合物を更に1時間かけて50℃の
温度まで加熱した。
温度まで加熱した。
この混合物を分液漏斗に移し、その上層を蒸留水で3回
洗った。
洗った。
この上層を次に蒸留し、過剰のへキサメチルジシロキサ
ンと溶媒を除去した。
ンと溶媒を除去した。
残渣を戸別して最終組成物を得た。前記最終組成物の各
々を試験用絶縁体に実施例2に記載したようにして適用
し、そして実施例1に記載の操作によって試験した。
々を試験用絶縁体に実施例2に記載したようにして適用
し、そして実施例1に記載の操作によって試験した。
破壊電圧は第■表に示す通りであった。
実験番号E及びFは本発明の範囲外のものであって、比
較のために示されるものである。
較のために示されるものである。
実施例 9
A.式
の組成物を次の操作によって合成した。
250mlの三つ口フラスコに環流冷却器、温度計、攪
拌機及び加熱マントルを取り付けた。
拌機及び加熱マントルを取り付けた。
このフラスコに63.9gのポリジメチルシクロシロキ
サン、35.19のポリメチル水素シクロシロキサシ、
19.47の 及び1.67のへキサメチルジシロキサンの混合物を入
れた。
サン、35.19のポリメチル水素シクロシロキサシ、
19.47の 及び1.67のへキサメチルジシロキサンの混合物を入
れた。
この混合物を攪拌し、そして酸触媒を加えた。
この混合物を3時間攪拌しながら65℃まで加熱した。
次に、加熱を中止し、その混合物を0.5時間攪拌しな
がら57のNaHCOaで中和した。
がら57のNaHCOaで中和した。
この混合物を沢過し、そして未反応の環状物質を減圧下
(1330Pa(0.0131気圧)〕で170℃まで
加熱することによってストリツピングし、最終重合体組
成物を得た。
(1330Pa(0.0131気圧)〕で170℃まで
加熱することによってストリツピングし、最終重合体組
成物を得た。
ゲル透過クロマトグラフィーによる分析でこの重合体は
160単位のシロキサン単位から成っていることが示さ
れた。
160単位のシロキサン単位から成っていることが示さ
れた。
前記合成において使用した
は次のようにして製造した。
段階1:5lの三つ口フラスコに162の中和された炭
素上パラジウム触媒、3607の緩衝溶液(0.65g
のNaH2PO4−u2o、39.8mlの0.IN
NaOH及び960モルの水を混合することによって調
製)及び2320fのジオキサンを加えた。
素上パラジウム触媒、3607の緩衝溶液(0.65g
のNaH2PO4−u2o、39.8mlの0.IN
NaOH及び960モルの水を混合することによって調
製)及び2320fのジオキサンを加えた。
この混合物を攪拌し、そして2407のテトラメチルテ
トラ水素シクロテトラシロキサンを2時間にわたって添
加した。
トラ水素シクロテトラシロキサンを2時間にわたって添
加した。
攪拌を更に4時間続げた後、この混合物を沢過して触媒
を除去した。
を除去した。
段階2:12lの三つ口フラスコK1200mlのイソ
プロビルアルコール、450mlの37%塩酸、120
0gの破砕氷及び800mlのへキサメチルジシロキサ
ンを加えた。
プロビルアルコール、450mlの37%塩酸、120
0gの破砕氷及び800mlのへキサメチルジシロキサ
ンを加えた。
攪拌機を作動開始し、このフラスコに前記段階1の混合
物を滴下漏斗から20分間にわたって添加した。
物を滴下漏斗から20分間にわたって添加した。
添加後、その混合物の温度を1時間で50℃まで昇温さ
せた。
せた。
この混合物は2層を形成した。これら両層を分離し、そ
してその上層を水で3回洗い、次いで洗浄した上層から
過剰のへキサメチルジシロキサン(370m1)を蒸留
した。
してその上層を水で3回洗い、次いで洗浄した上層から
過剰のへキサメチルジシロキサン(370m1)を蒸留
した。
この上層を分別蒸留すると、800Pa
(0.0079気圧)の圧力において142〜144℃
の沸点を有する生成物が得られた。
の沸点を有する生成物が得られた。
この生成物は質量分析法一GLCで確認すると式の構造
を有していた。
を有していた。
B,10gのAで合成した組成物を16滴のテトラメチ
ルジビニルジシロキサン及び白金含有触媒と混合した。
ルジビニルジシロキサン及び白金含有触媒と混合した。
この重合体を試験用絶縁体の表面にはげ塗りした後、該
重合体を室温で硬化させた。
重合体を室温で硬化させた。
この硬化重合体の使用は本発明の範囲外であって、比較
のために示されるものである。
のために示されるものである。
C.52のAで合成した組成物を24.6滴の、分子量
が571のジメチルビニルシロキシ基で末端ブロツクさ
れたポリジメチルシロキサン及び15滴の2・5−ジメ
チル−2・5−ジー(t一プチルパーオキシ)ヘキサン
触媒と混合した。
が571のジメチルビニルシロキシ基で末端ブロツクさ
れたポリジメチルシロキサン及び15滴の2・5−ジメ
チル−2・5−ジー(t一プチルパーオキシ)ヘキサン
触媒と混合した。
この触媒接触させた混合物を試験用絶縁体の表面にはけ
塗りした後、該混合物を200℃で15分間硬化させた
。
塗りした後、該混合物を200℃で15分間硬化させた
。
D.Aで合成した組成物を実施例2に記載の方法によっ
て試験用絶縁体上にはげ塗りした。
て試験用絶縁体上にはげ塗りした。
E.Aで合成した組成物を試験用絶縁体上にはけ塗りし
、次いでコバルト60源からのγ一線にさらすことによ
って硬化させた。
、次いでコバルト60源からのγ一線にさらすことによ
って硬化させた。
この硬化重合体の使用は本発明の範囲外であって、比較
のために示されるものである。
のために示されるものである。
前記の被覆された試験用絶縁体の各々を次に実施例1に
記載したようにして試験した。
記載したようにして試験した。
結果は第■表に示す通りであった。
これらの被覆絶縁体は、その組成物が最も高い破壊電圧
を与えるには低粘度流体でなげればならないことを示し
ている。
を与えるには低粘度流体でなげればならないことを示し
ている。
第■表
破壊
絶縁体 硬 化 W
B 有 19
C 有 21
破壊
絶縁体 硬 化 W
D 無 30
E 有 21
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 固体電気絶縁体の外表面を一般式 (式中、Xは少なくとも2の平均値を有し:y及び2は
それぞれ0〜98の平均値を 有し: XとyとZの和は8〜200の値に等しく:yとZは同
時にOではあり得ず; X,y及びZがそれぞれOより大きい平 均値を有するとき、X対y対Zの比は約 7対4対1であり: yがoであるとき、X対Zの比は0.3/1〜7/1で
且つXとZの和は100よ り小さい値を有し;そして ZがOであるとき、X対yの比は0.3/1〜7/1で
あり、且つXとyの和は 100より小さい値を有する) の組成物で被覆することを特徴とする前記固体電気絶縁
体の外表面の電気絶縁性を改良する方法。 2x,y及びZが約7対4対1の比であり、且つXとy
とZの和が50〜200である上記特許請求の範囲第1
項に記載の方法。 3 Zがゼロであり、又X及びyが0.6/1〜4/1
の比であり、そしてXとyの和が8〜25である上記特
許請求の範囲第1項に記載の方法。 4 yがゼロであり、又X及びZが0.6/1〜4/1
の比であり、そしてXとZの和が8〜25である上記特
許請求の範囲第1項に記載の方法。 5 前記固体の電気絶縁体の外表面が硬化したエラスト
マーである上記特許請求の範囲第1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/901,053 US4177322A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Method of improving high voltage insulating devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54143900A JPS54143900A (en) | 1979-11-09 |
| JPS583322B2 true JPS583322B2 (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=25413527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54049614A Expired JPS583322B2 (ja) | 1978-04-28 | 1979-04-21 | 固体電気絶縁体の外表面の電気絶縁性を改良する方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4177322A (ja) |
| JP (1) | JPS583322B2 (ja) |
| AU (1) | AU523291B2 (ja) |
| BR (1) | BR7902591A (ja) |
| CA (1) | CA1121668A (ja) |
| DE (1) | DE2915874C3 (ja) |
| FR (1) | FR2424614A1 (ja) |
| GB (1) | GB2020492B (ja) |
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-
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- 1979-04-21 JP JP54049614A patent/JPS583322B2/ja not_active Expired
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- 1979-04-27 BR BR7902591A patent/BR7902591A/pt unknown
- 1979-04-27 AU AU46555/79A patent/AU523291B2/en not_active Expired
- 1979-04-30 GB GB7914986A patent/GB2020492B/en not_active Expired
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| GB2020492B (en) | 1982-06-09 |
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| BR7902591A (pt) | 1979-10-30 |
| DE2915874A1 (de) | 1979-10-31 |
| GB2020492A (en) | 1979-11-14 |
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| DE2915874B2 (de) | 1980-06-04 |
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