JPS5835339B2 - ホウデントウ オヨビソノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ホウデントウ オヨビソノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5835339B2 JPS5835339B2 JP14285975A JP14285975A JPS5835339B2 JP S5835339 B2 JPS5835339 B2 JP S5835339B2 JP 14285975 A JP14285975 A JP 14285975A JP 14285975 A JP14285975 A JP 14285975A JP S5835339 B2 JPS5835339 B2 JP S5835339B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust pipe
- arc tube
- discharge lamp
- tube
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一対の電極を発光管内に封着した放電灯の製
造方法に関する。
造方法に関する。
水銀灯やメタルハライドランプ等の放電灯は、一般に石
英で形成された発光管内に一対の電極を封着した構造に
なっている。
英で形成された発光管内に一対の電極を封着した構造に
なっている。
この放電灯の製造に於いて、発光管に接続された排気管
を溶断(チップオフ)する工程がある。
を溶断(チップオフ)する工程がある。
排気管の溶断は、従来酸水素バーナーを使用して行なわ
れていた。
れていた。
石英で形成された発光8は、二酸化硅素の不規則網目構
造を有しており、酸水素バーナーにより生じた水素原子
は容易に透過する。
造を有しており、酸水素バーナーにより生じた水素原子
は容易に透過する。
また一部の水素原子は、二酸化硅素の網目構造中に入り
溶解する。
溶解する。
高温で処理された石英管中で水素は、
5i02 + 1 / 2 H2こSi”+0”−0H
−の反応を起こす。
−の反応を起こす。
こうして石英管中に水酸基が多量に蓄積すると、放電灯
の点灯時に水素、水を放出し、放電開始電圧Vsが著し
く上昇したり、あるいは放電灯の寿命が低下する欠点が
ある。
の点灯時に水素、水を放出し、放電開始電圧Vsが著し
く上昇したり、あるいは放電灯の寿命が低下する欠点が
ある。
例えば内容量201rLlの発行管に接続された排気管
を、水素6117而n、酸素21/minの流量比の酸
水素バーナーにより約10〜15秒の時間で溶断(チッ
プオフ)して、その後発光管を点灯時の温度600〜9
(70℃に加熱して、1000秒以内に発光管内に放出
される水素量を測定した。
を、水素6117而n、酸素21/minの流量比の酸
水素バーナーにより約10〜15秒の時間で溶断(チッ
プオフ)して、その後発光管を点灯時の温度600〜9
(70℃に加熱して、1000秒以内に発光管内に放出
される水素量を測定した。
その結果、発行管内の水素量が約Q、 Q 5 tor
r程度に達することを確認した。
r程度に達することを確認した。
ところで、このように発行管内に水酸基の形で溶解した
水素のほとんどは、真空中、高温で長時間処理すること
により、発行管外に放出することができる。
水素のほとんどは、真空中、高温で長時間処理すること
により、発行管外に放出することができる。
第1図は厚さ25i、の石英製発光管を真空中1050
℃で加熱した場合に、各加熱時間における発光スペクト
ルの波長とその透過度の関係を示す特性図である。
℃で加熱した場合に、各加熱時間における発光スペクト
ルの波長とその透過度の関係を示す特性図である。
この特性図から発光管を85時間以上加熱すれば、水酸
基の存在による発光スペクトルの吸収がほとんど無くな
ることが理解できる。
基の存在による発光スペクトルの吸収がほとんど無くな
ることが理解できる。
ところで、このように85時間以上の長時間にわたって
発光管を加熱することは、放電灯の製造に長時間を要す
ることになり、作業能率を低下させ実用上難点となる。
発光管を加熱することは、放電灯の製造に長時間を要す
ることになり、作業能率を低下させ実用上難点となる。
長時間加熱処理しないで放電灯を点灯すると、600℃
〜700℃の温度で水素あるいは水が徐々に発光管内に
放出されて、放電灯の始動電圧Vsを上昇させ、寿命を
低下なせてしまう。
〜700℃の温度で水素あるいは水が徐々に発光管内に
放出されて、放電灯の始動電圧Vsを上昇させ、寿命を
低下なせてしまう。
又、排気管の溶断(チップオフ)に使用される酸水素バ
ーナーは、水素が爆発し易い物質であるところから、そ
の使用には危険を伴い、その為溶断には熟練者を必要と
する欠点があった。
ーナーは、水素が爆発し易い物質であるところから、そ
の使用には危険を伴い、その為溶断には熟練者を必要と
する欠点があった。
本発明は上記欠点を除くためになされたものでその目的
は放電開始電圧が低く、寿命を向上させた放電灯の製造
方法を提供するものである。
は放電開始電圧が低く、寿命を向上させた放電灯の製造
方法を提供するものである。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第2図は本発明に係る発光管の具体例を示している。
石英で形成された発光管1内には、一対の主電極2,3
及び一対の補助電極4,5が配設されている。
及び一対の補助電極4,5が配設されている。
主電極2,3は、ピンチシール6.7に封着した金属箔
8,9を介して導出線10゜11に接続されている。
8,9を介して導出線10゜11に接続されている。
補助電極4,5は、ピンチシール6.7に封着した金属
箔12.13を介して導出線14.15に接続されてい
る。
箔12.13を介して導出線14.15に接続されてい
る。
発光管1壁には、図示しない排気管を溶断(チップオフ
)してできたチップオフ部16がある。
)してできたチップオフ部16がある。
そして、発光管1の内部に存在する水酸基の総量は、1
000ppI11以下に設定されている。
000ppI11以下に設定されている。
従って、従来の発光管と比べて放電開始電圧Vsを約2
0%低くし、寿命を向上させることができる。
0%低くし、寿命を向上させることができる。
次に本発明による放電灯の製造方法について説明する。
第3図はこの放電灯の製造方法に使用する装置の一実施
例を示している。
例を示している。
発光管1に接続された排気管20を溶断(チップオフ)
して発光管1を封じる工程に於いて、排気管20を固定
した状態で発光管1内を排気する。
して発光管1を封じる工程に於いて、排気管20を固定
した状態で発光管1内を排気する。
そして発光管1をその軸を中心として回転させ且つ図の
下方へ引きながら、800ワツトから30キロワツトの
キセノンランプの集光束を排気管20の根幹部に照射す
る。
下方へ引きながら、800ワツトから30キロワツトの
キセノンランプの集光束を排気管20の根幹部に照射す
る。
第3図では、発光管1を挟んで左右両側に配置した一対
のキセノンランプ22.23から発生した光線を欄内状
又は欄内放物線状の反射面を有する反射鏡24,25で
反射して、高密度の光ビーム束lこ集光して排気管20
に照射している。
のキセノンランプ22.23から発生した光線を欄内状
又は欄内放物線状の反射面を有する反射鏡24,25で
反射して、高密度の光ビーム束lこ集光して排気管20
に照射している。
このビーム束12の照射方向と排気管20の軸に垂直な
平面のなす角度は、第4図に示すように零度から10度
が望ましい。
平面のなす角度は、第4図に示すように零度から10度
が望ましい。
これはチップオフ部16に十分な肉温めをする為である
。
。
使用される反射鏡24.25は、その表面がアルミニウ
ム、銀、マグネシア等の光を反射しやすい物質で被覆さ
れた反射面を有している。
ム、銀、マグネシア等の光を反射しやすい物質で被覆さ
れた反射面を有している。
第3図において、キセノンランプ22.23及び反射鏡
24.25は、光線が集光する焦点位置を排気管20に
一致させる為、自在に移動できるものが望ましい。
24.25は、光線が集光する焦点位置を排気管20に
一致させる為、自在に移動できるものが望ましい。
第5図から第8図はキセノンランプの集光束によって排
気管20が溶断される過程を示している。
気管20が溶断される過程を示している。
溶断する前、円筒状であった排気管20(第5図)は高
密度の光ビーム束によって溶融されて排気管20の中心
に向かって突出した形状となり(第6図)、やがて排気
管20は溶融した石英ガラスにより封止されて(第7図
)、二つの部分に溶断される(第8図)。
密度の光ビーム束によって溶融されて排気管20の中心
に向かって突出した形状となり(第6図)、やがて排気
管20は溶融した石英ガラスにより封止されて(第7図
)、二つの部分に溶断される(第8図)。
キセノンランプ22.23から得られる集光束の密度が
比較的小さい場合には、第9図に示すように排気管20
の外周面に高融点金属部材26を被覆して、この部材2
6を介して排気管20壁に光を照射すれば容易に溶断す
ることができる。
比較的小さい場合には、第9図に示すように排気管20
の外周面に高融点金属部材26を被覆して、この部材2
6を介して排気管20壁に光を照射すれば容易に溶断す
ることができる。
高融点金属部材26としては、チタン、ニッケル、モリ
ブデン、イリジウム等の金属を使用し、それを厚さ1m
m1以下の箔にして排気管20に被覆しあるいは蒸着す
る。
ブデン、イリジウム等の金属を使用し、それを厚さ1m
m1以下の箔にして排気管20に被覆しあるいは蒸着す
る。
このように排気管20の溶断を従来の酸水素バーナーに
代えてキセノンランプの高密度集光束を用いて行なえば
11発光管1中に水素が溶解して水酸基が生ずる恐れが
ない。
代えてキセノンランプの高密度集光束を用いて行なえば
11発光管1中に水素が溶解して水酸基が生ずる恐れが
ない。
尚、上述した実施例では発光管として石英を用いた場合
を示したが、その他石英と同様な性質を有するガラス、
セラミックス等を用いた場合でも本発明を適用すること
が可能である。
を示したが、その他石英と同様な性質を有するガラス、
セラミックス等を用いた場合でも本発明を適用すること
が可能である。
以上詳述した本発明による放電灯では、発光管中に存在
する水酸基の総量を100OPP以下としているので、
従来の放電灯と比べて放電開始電圧の上昇を十分に抑制
することができ、長寿命とすることができる。
する水酸基の総量を100OPP以下としているので、
従来の放電灯と比べて放電開始電圧の上昇を十分に抑制
することができ、長寿命とすることができる。
又、本発明による放電灯の製造方法では発光管に接続さ
れた排気管を溶断して前記発光管を封じる工程に於いて
、前記発光管をその軸を中心として回転させつつ、前記
排気管に前記排気管の軸に垂直な平面に対して零度から
10度傾斜させたキセノンランプの集光束を照射して前
記排気管を溶断している。
れた排気管を溶断して前記発光管を封じる工程に於いて
、前記発光管をその軸を中心として回転させつつ、前記
排気管に前記排気管の軸に垂直な平面に対して零度から
10度傾斜させたキセノンランプの集光束を照射して前
記排気管を溶断している。
従って、従来の酸水素バーナーを使用した溶断に比べて
発光管中の水酸基の総量を0.4〜i、opp11@度
に低下させることができ、点灯時の発光管内への水素、
水等の放出量を少なくすることができる。
発光管中の水酸基の総量を0.4〜i、opp11@度
に低下させることができ、点灯時の発光管内への水素、
水等の放出量を少なくすることができる。
そして、放電開始電圧Vsをio〜20%低く抑制する
ことができる。
ことができる。
又、排気管とそれを溶断する熱源としてのキセノンラン
プとは非接 であるから、熱源として酸水素バーナ−、
プラズマアークを使用した場合のように排気管の溶断時
に発光管内に不純物が混入することがない。
プとは非接 であるから、熱源として酸水素バーナ−、
プラズマアークを使用した場合のように排気管の溶断時
に発光管内に不純物が混入することがない。
使田されるキセノンランプは、集光束の強さの設定が容
易であり、熟練者を要しない利点がある。
易であり、熟練者を要しない利点がある。
そして、発光管のチップオフ部の形状が均一化できるの
で量産工程への組み込みが容易である。
で量産工程への組み込みが容易である。
さらに、従来の酸水素バーナーと異なり排気管の溶断を
真空中で行なうことができる。
真空中で行なうことができる。
ただし、排気管の溶断は、発光管内の圧力と同程度かそ
れ以上の圧力雰囲気中で処理した方が発光管内への不純
物の吸込みを少なくすることができる。
れ以上の圧力雰囲気中で処理した方が発光管内への不純
物の吸込みを少なくすることができる。
第1図は発光管の加熱時間を変化させた場合のスペクト
ル波長とその透過度の関係を示す特性図、第2図は本発
明に係る放電灯の具体例を示す正面図、第3図は本発明
に係る放電灯の製造方法に使用される装置の一実施例を
示す配置図、第4図は第2図の放電灯の側面を拡大して
示す側面図、第5図から第8図は本発明に係る放電灯の
製造方法により排気管が溶断される過程を示す過程図、
第9図は本発明に係る放電灯の製造方法において排気管
に対してなされる処理の一例を示す縦断面図である。 1・・・・・・発光管、2,3・・・・・・主電極、2
0・・・・・・排気管、22,23・・・・・・キセノ
ンランプ、24゜25・・・・・・反射鏡。
ル波長とその透過度の関係を示す特性図、第2図は本発
明に係る放電灯の具体例を示す正面図、第3図は本発明
に係る放電灯の製造方法に使用される装置の一実施例を
示す配置図、第4図は第2図の放電灯の側面を拡大して
示す側面図、第5図から第8図は本発明に係る放電灯の
製造方法により排気管が溶断される過程を示す過程図、
第9図は本発明に係る放電灯の製造方法において排気管
に対してなされる処理の一例を示す縦断面図である。 1・・・・・・発光管、2,3・・・・・・主電極、2
0・・・・・・排気管、22,23・・・・・・キセノ
ンランプ、24゜25・・・・・・反射鏡。
Claims (1)
- 1 発行管に接続された排気管を溶断して前記発光管を
封じる工程に於いて、前記発光管をその軸を中心として
回転させつつ、前記排気管に前記排気管の軸と垂直な平
面に対して零度から10度傾斜させたキセノンランプの
集光束を照射して前記排気管を溶断する放電灯の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14285975A JPS5835339B2 (ja) | 1975-12-03 | 1975-12-03 | ホウデントウ オヨビソノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14285975A JPS5835339B2 (ja) | 1975-12-03 | 1975-12-03 | ホウデントウ オヨビソノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5268772A JPS5268772A (en) | 1977-06-07 |
| JPS5835339B2 true JPS5835339B2 (ja) | 1983-08-02 |
Family
ID=15325264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14285975A Expired JPS5835339B2 (ja) | 1975-12-03 | 1975-12-03 | ホウデントウ オヨビソノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835339B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108161A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Xenon-mercury arc lamp |
| JPS56130070A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-12 | Ushio Inc | High-pressure electric-discharge lamp |
-
1975
- 1975-12-03 JP JP14285975A patent/JPS5835339B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5268772A (en) | 1977-06-07 |
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