JPS5836038B2 - カチオン界面活性剤およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特殊なカチオン界面活性剤とその製造方法、及
びそのミセル触媒、相間移動触媒的用途に関するもので
ある。

更に詳述すれば、本発明のカチオン界面活性剤は炭素数
合計６〜２４の長鎖アルキレン基もしくはポリオキシア
ルキレン基の両末端に窒素原子を配し、かつ、少なくと
もその一方が第四級アンモニウム構造を呈しているもの
であり、また、２個の窒素原子のうちの少なくとも一方
に、少なくとも１個のヒドロキシフエネチル基が連絡し
ている特殊なカチオン界面活性剤であり、特に、アルカ
リ金属水酸化物もしくはアルカリ士類金属水酸化物の水
溶液を用いる加水分解、脱酸または抽出操作を行う化学
及び物理変化工程において触媒的にその変化を促進しう
る薬剤となりうるものである。

第四級アンモニウム塩を主体とする窒素原子１個からな
るカチオン界面活性剤がミセル触媒もしくは相間移動触
媒として有効であるということは古くから知られており
、また、それらのカチオン界面活性剤についても構造及
び製造方法は公知のものである。

しかしながら、本発明のカチオン界面活性剤のようにα
，ω一型の二親水基構造のものは知られていず、まして
、Ｎ一及び／もしくはＮ′−ヒドロキシフエネチル置換
されたα，ω一型の二親水基構造からなるカチオン界面
活性剤が界面に集まりやすい性質を有し、そのために、
良好で、かつ、逸脱性の少ないミセル触媒及び相間移動
触媒となるということについては全く知られていなかっ
た。

本発明者らは種々研究の結果 （１）分子中に少なくとも１個のＮＨ基を持つＮ−及び
／もしくはＮ′−アルキル、Ｎ一及び／もしくはＮ′−
アリール、Ｎ一及び／もしくはＮ′−アルキルアリール
、Ｎ一及び／もしくはＮ′−アリールアルキル、Ｎ一及
び／もしくはＮ′−アルキルアリールアルキル、Ｎ一及
び／もしくはＮ／−ヒドロキシアルキル及び／もしくは
Ｎ一及び／モシ＜はＮ′−ヒドロキシポリオキシアルキ
ル置換（ただし、置換基１個当たりの炭素数は１〜８）
もしくはＮ一及びＮ′無置換α，ω−アルキレンジアミ
ンもしくはα，ω−ポリオキシアルキレンジアミン（た
だし、アルキレン基もしくはポリオキシアルキレン基の
合計炭素数は６〜２４）の．１種もしくは２種以上１モ
ルに対してスチレンオキシド１〜４モルを反応させた後
、少なくとも１個の窒素原子が四級化できるような反応
モル比によりアルキルハライド、ヒドロキシアルキルハ
ライド、ヒドロキシポリオキシアルキルハライド、エポ
キシアルキルハライドもしくは無機酸のアルキルエステ
ル（ただし、アルキル基の炭素数は２〜８）の１種もし
くは２種以上１〜５モルを反応させるか、またはホルム
アルデヒド、エチレンカーポネートアルキレンオキシド
（ただし、アルキレン基の炭素数は２〜８）の１種もし
くは２種以上ｌ〜１２モルを反応させ、続いて：アルキ
ルハライド、ヒドロキシアルキルハライド、ヒドロキシ
ポリオキシアルキルハライド、エポキシアルキルハライ
ドもしくは無機酸のアルキルエステル（ただし、アルキ
ル基の炭素数は１〜８）の１種もしくは２種以上１〜４
モルを反応させるか、または、有機酸もしくは無機酸及
びそのアルキルエステルの１種もしくは２種以上１〜２
モルを反応させ、続いて、ホルムアルデヒド、エチレン
カーボネート、アルキレンオキシド（ただし、アルキレ
ン基の炭素数は２〜８）の１種もしくは２種以上１〜２
０モルを反応させるか、あるいは（１１）分子中に少な
くとも１個のヒドロキシフエネチル基を持つＮ−アルキ
ル、Ｎ−アリール、Ｎ−アルキルアリール、Ｎ−アリー
ルアルキル、Ｎ−アルキルアリールアルキル、Ｎ−ヒド
ロキシアルキル、Ｎ−ヒドロキシポリオキシアルキル及
び／もしくは一Ｎ−エポキシアルキル置換（ただし、置
換基１個当たりの炭素数は１〜８）アミンの１種もしく
は２種以上１〜２モルと、Ｎ−アルキル、Ｎ−アリール
、Ｎ−アルキルアリール、Ｎ−アリールアルキル、Ｎ−
アルキルアリールアルキル、Ｎ−ヒドロキシアルキル、
Ｎ−ヒドロキシポリオキシアルキル及び／もしくはＮ一
エポキシアルキル置換（ただし、置換基１個当たりの炭
素数は１〜８）アミンの１種もしくは２種以上１モル以
下との組合せよりなる合計２モルに対してアルキレンジ
ハライドもしくはポリオキシアルキレンジハライド（た
だし、アルキレン基もしくはポリオキシアルキレン基の
合計炭素数は６〜２４）の１種もしくは２種以上１モル
を反応させるか、または、続いて、アルキルハライド、
ヒドロキシアルキルハライド、ヒドロキシポリオキシア
ルキルハライド、エポキシアルキルハライドもしくは無
機酸のアルキルエステル（ただし、アルキル基の炭素数
は１〜８）の１種もしくは２種以上１〜５モルを反応さ
せるか、または、続いて、ホルムアルデヒド、エチレン
カーボネート、アルキレンオキシド（ただし、アルキレ
ン基の炭素数は２〜８）の１種もしくは２種以上１〜２
０モルを反応させることにより、一般式■で表わされる （ただし、式中、Ｒ，は水素、または炭素数１〜８のア
ルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリール
アルキル基、アルキルアリールアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基、ヒドロキシポリオキシアルキル基もしくは
エポキシアルキル基、Ｒ２ ＋ Ｒ３ １ Ｒ５ ｒ
Ｒ６及びＲ７は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基
、アルキルアリール基、アリーリアルキル基、アルキル
アリールアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキ
シポリオキシアルキル基もしくはエポキシアルキル基、
Ｒ４は炭素数合計６〜２４のアルキレン基もしくはポリ
オキシアルキレン基、ｍ＝Ｏまたは１、ｎ＝１または２
であり、かつＲ， ｌ Ｒ２Ｊ Ｒ３， Ｒ５， Ｒ６
及びＲ７のうちのいずれか一つがヒドロキシフエネチル
基である。

）第四級アンモニウム構造を持つカチオン界面活性剤を
製部するという発明にまず到達した。

ここで、（ｉ）の製造方法における出発原料のα，ω−
アルキレンジアミン及びα，ω−ポリオキシアルキレン
ジアミンとしては、例えば、ヘキシレンジアミン、オク
チレンジアミン、デシレンジアミン、ウンデシレンジア
ミン、ヘキサデシレンジアミン、オクタデシレンジアミ
ン、テトラコシレンジアミン、トリオキシエチレンジア
ミン、テトラオキシエチレンジアミン、ペンタオキシエ
チレンジアミン、ヘキサオキシエチレンジアミン、ヘプ
タオキシエチレンジアミン、オクタオキシエチレンジア
ミン、トリオキシプロピレンジアミン、テトラオキシプ
ロピレンジアミン、ペンタオキシプロピレンジアミン、
ヘキサオキシプロピレンジアミン、ヘプタオキシプロピ
レンジアミン、オクタオキシエチレンジアミン及びその
各種Ｎ一及び／もしくはＮ′一置換体等が挙げられ、ま
た、（１ｌ）の製造方法におけるモノアミンとしてはＮ
ーメチルアミン、Ｎ一エチルアミン、Ｎ−プロビルアミ
ン、Ｎ−プチルアミン、Ｎ−ヘキシルアミン、Ｎ−シク
ロヘキシルアミン、Ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ペンジル
アミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、アニリン、Ｎ−ヒ
ドロキシエチルアミン、Ｎ−ヒドロキシプロビルアミン
、Ｎ−ヒドロキシブチルアミン、Ｎ−ヒドロキシヘキシ
ルアミン、Ｎ−ヒドロキシオクチルアミン、Ｎ−ヒドロ
キシフエネチルアミン、Ｎ−ヒドロキシエトキシエチル
アミン、Ｎ−ヒドロキシジ（エトキシ）エチルアミン、
Ｎ−ヒドロキシトリ（エトキシ）エチルアミン、Ｎ−ヒ
ドロキシプロポキシプロビルアミン、Ｎ−グリシジルア
ミン及びそのスチレンオキシド付加体等が挙げられ、ア
ルキレンジハライド及びポリオキシアノレキレンジハラ
イドとしては、１，６−ジクロロヘキサン、ｌ，６−ジ
ブロモヘキサン、１，８ージクロ口オクタン、１，８−
ジブロモオクタン）１，１０−ジクロロデカン、１，１
０−ジブロモデカン、１．１２−ジクロロドデカン、１
，２−ジブロモドデカン、１，１６−ジクロロヘキサデ
カン、１．１６−ジブロモヘキサデカン、１，１８−ジ
クロロオクタデカン、１．１８−ジブロモオクタデカン
、１．２４−ジクロロテトラコサン、１．２４−ジブロ
モテトラコサン、クロロエチルオキシエチルークロロエ
チルーエーテル、プロモエチルオキシエチル＝ブロモエ
チルーエーテル、クロロエチルジオキシエチレン＝クロ
ロエチル＝エーテル、フロモエチルジオキシエチレンー
ブロモエチルーエーテル、クロロエチルトリオキシエチ
レン＝クロロエチルーエーテル、プロモエチルトリオキ
シエチレン＝ブロモエチルーエーテル、クロロエチルテ
トラオキシエチレン＝クロロエチルーエーテル、プロモ
エチルテトラオキシエチレン＝ブロモエチル＝エーテル
、クロロエチルペンクオキシエチレン＝クロ口エチルー
エーテル、ブロモエチルペンタオキシエチレン＝ブロモ
エチル＝エーテル、クロロエチルへキサオキシエチレン
＝クロロエチルーエーテル、ブロモエチルへキサオキシ
エチレン＝ブロモエチル＝エーテル、クロロプロピルオ
キシプロビル＝クロロプロピルニエーテル、プロモプロ
ピルオキシプロピループロモプロピルーエーテル、クロ
ロプロビルジオキシプロピレン＝クロロプ口ピルーエー
テル、プロモプロビルジオキシプロピレン＝ブロモプロ
ビルエーテル、クロロプ口ピルトリオキシプロピレンニ
クロロプロビル＝エーテル、プロモプロピルトリオキシ
プロピレン＝ブロモプ口ピルニエーテル、クロロプロビ
ルテトラオキシプロピレン＝クロロプロビル＝エーテル
、プロモプロビルテトラオキシプロピレン＝ブロモプロ
ビルーエーテル、クロロプロビルペンタオキシプロピレ
ン＝クロロプロビルーエーテル、プロモプロピルペンタ
オキシプロピレン＝ブロモプロピルーエーテル、クロロ
プロビルへキサオキシプロピレン＝クロロプロビルエー
テル、プロモプロビルへキサオキシプロピレンニブロモ
プロピルーエーテルなどが挙げられる。

また、アルキルハライド、ヒドロキシアルキルハライド
、ヒドロキシポリオキミアルキルハライド及びエポキシ
アルキルハライドとしてはメチルクロリド、メチルブロ
ミド、ペンジルクロリド、メチルベンジルクロリド、エ
チレンクロルヒドリン、エチレンブロムヒドリン、モノ
クロロエトキシエチルアルコール、モノブロモエトキシ
エチルアルコール、モノクロロエトキシエチル＝ヒドロ
キシエチルニエーテル、モノブロモエトキシエチルーヒ
ドロキシエチルーエーテル、モノクロロエトキシエチル
＝ヒドロキシエトキシエチル＝エーテル、モノブロモエ
トキシエチルーヒドロキシエトキシエチル＝エーテル、
エビクロルヒドリン、エピブロムヒドリンなどが挙げら
れ、更に、アルキレンオキシドとしてはスチレンオキシ
ドの外にエチレンオキシド、プロピレンオキシド、プチ
レンオキシド、ヘキセンオキシド、オクテンオキシドな
どが挙げられる。

なお、本発明のカチオン界面活性剤の製造方法において
、アルキレンオキシドによる四級化反応を行わせるため
の活性水素供与剤として用いる有機酸ならびに無機酸は
特に限定されないが、酢酸、プロピオン酸、ラク酸、シ
ュウ酸、塩酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、リン酸、亜リン酸
、次亜リン酸、過塩素酸、ヘキサフルオロケイ酸、パラ
トルエンスルホン酸などは容易に用いられうる。

更に本発明のカチオン界面活性剤の製造方法を詳述すれ
ば、α，ω−アルキレンジアミンもしくはα，ω−ポリ
オキシアルキレンジアミンとスチレンオキシドとの間の
反応は、反応温度１００〜２５０°Ｃ１好ましくは１５
０〜２００℃、圧力、常圧〜１０ｋｇ／ｃｙａ，好まし
くは２．５〜５ゆ／一において、無触媒で進行するが、
この際、反応溶媒として無極性または有極性溶媒を添加
していてもよい。

また、アルキルハライド、ヒドロキシアルキルハライド
、ヒドロキシポリオキシアルキルハライト、エポキシア
ルキルハライドならびに無機酸のアルキルエステルの窒
素原子への攻撃反応は、反応温度３０〜２００°Ｃ１好
ましくは５０〜１５０°Ｃ１圧力、常圧〜１ ０ ｋｇ
／ｃｒＡ，好ましくは２．５ 〜５ｋｇ／一で進行する
。

この場合も特に触媒を使用しないでよいが、溶媒の添加
は反応の進行を速める点で効果がある。

有機酸及び無機酸の窒素原子への攻撃反応は、常圧で常
温〜１００℃、好ましくは４０〜ｓｏ’ｃで進行し、こ
の場合にも、溶媒の添加は反応の進行を速める点で効果
がある。

また、活性水素に対するホルマリン、エチレンカーボネ
ート及びアルキレンオキシドの付加反応は、反応温度５
０〜２５０゜Ｃ１好ましくは８０〜２００℃、圧力、常
圧〜１５１ｙ／ｉ、好ましくは２，５〜５ゆ／一におい
て進行するが、この場合、酸及びアルカリ触媒の使用と
反応溶媒の添加は更に反応進行を速める。

一方、モノアミンとアルキレンジハライドもしくはポリ
オキシアルキレンジハライドとの間の反応は、反応温度
５０〜２５０℃、好ましくは１００〜２００゜Ｃ，圧力
、常圧〜１０ｋ！９／ｉ、好ましくは３〜７ｋｇ／ｃｒ
Ａにおいて進行するが、この場合、触媒は必要ないが反
応溶媒の添加は反応の進行に寄与する。

なお、本発明のカチオン界面活性剤が有利に製造される
ことは、全アミン価の減衰状況をみることと合せて、生
成物のＩＲスペクトル図において第四級アンモニウムの
骨格振動の吸収帯を確認することによってなされる。

次に、本発明者らは、本発明によって造られたカチオン
界面活性剤が、特にアルカリ金属水酸化物もしくはアル
カリ土類金属水酸化物の水溶液を用いる系において、ミ
セル触媒もしくは相間移動触媒としての作用を示し、著
しく工程の合理化促進に寄与しうるという発明にも到達
した。

アルカリ金属水酸化物もしくはアルカリ土類金属水酸化
物の水溶液が使用される工業的な具体例としては、例え
ば、ポリエステル繊維のジョーゼット加工、シルケット
加工のように、繊維の分子の一部をアルカリで加水分解
するもの、また、ブタジエンの誘導体である３，４−ジ
クロロブテン−１をアルカリで処理して脱塩酸し、２−
クロロブタジエンに転換させるもの、１，１，２−トリ
クロロエタン、または１，２−ジクロロエタンをアルカ
リで処理して脱塩酸し、それぞれ、塩化ビニリテン、ま
たは塩化ビニルとするもの、あるいは、パルプをアルカ
リで蒸解して、リグニン分を除去するものなど、化学変
化及び物理変化工程として重要なものが多いが、ここで
本研究のカチオン界面活性剤は水相、非水相のどちらに
も片寄らず、界面に集まりやすい性質を有しているので
、上述の各工程においてより少量の添加で触媒機能を発
揮するばかりでなく、使用後の廃水中への逸散が少なく
、したがって、工程中にあっては連続触媒としての働き
をなし、一方で、廃水の有機炭素量を増加させないとい
う環境保全上の長所を持つということが分かった。

以下、実施例を示す。実施例 １ かきまぜ器、温度計、気体流入管、滴下ロート及びコン
デンサーを連結するアダプターを付属させた五ツロフラ
スコに、ウンデシレンジアミン１８６．：ｌ（１モル）
を仕込み、１７０℃に昇温した後、約２時間を要してス
チレンオキシド２４ｏ．２．９（２モル）を滴下し、更
に１７０〜１８０℃、常圧〜２１＜ｇ／ｃｒＡの温度及
び圧力条件で１時間反応させ、エポキシ酸素が０．１％
以下になるまで熟成した。

次に、内温を１２５℃まで下げた後、１２５〜１３５℃
、常圧〜４ｋ！９／ｃｒ？Ｌの温度及び圧力条件で約１
時間を要してエチレンオキシド４４．１ｇ（１モル）を
導入し、内圧が常圧にもどるまで、更に１時間熟成し、
中間生戒物であるＮ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ，
Ｎ’−ジ（２−ヒドロキシフエネチル）ウンデシレンジ
アミンを得た。

（第１図）。続いて、エチレングリコール５７１．６ｇ
を添加して、内容物を希釈し、９０〜９５℃、常圧〜４
ｋ９／一の温度及び圧力条件で約５時間を要してメチル
クロリド１ ０ １ ｇ（２モル）を導入し、内圧が常
圧にもどるまで、更に１時間熟成して目的物の（メチル
＝２−ヒドロキシフエネチル）アミノウンデシル＝メチ
ル＝２−ヒドロキシエチル−２−ヒドロキシスチリルー
アンモニウムークロリドの塩酸中和物を合成した。

（第２図）。生成物のアミン価 ０．１２（理論値Ｏ）
ＩＲスペクトル分析による第四級窒素の 吸収帯の確認（第２図） １１６０（１１７７１−’
実施例 ２ 実施例１と同様の装置に、ウンデシレンジアミン１８６
．：ｌ（１モル）とスチレンオキシド２４０．２９（２
モル）を仕込み、１８０〜２００’Ｃ，常圧〜５ｋｇ／
ｃＩ１ｌの温度および圧力条件で２時間反応させた。

次に、内温を１４０℃まで冷却し、エチレンオキシド８
８．１（１モル）を２時間を要して導入し、さらに１時
間、１４０〜１４５℃、３〜４ｋｇ／一の温度及び圧力
条件で熟或した。

続いて、ジオキサン６１５．７ｇを添加した後、９０〜
９５゜Ｃ１常圧〜４ ｋ！９／ｃｒＡの温度及び圧力条
件で５時間を要してメチルクロリド１０１ｇ（２モル）
を導入してカチオン化を行い、目的物の１，１１−ジ（
メチル＝２−ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネ
チルーアンモニウム）ウンデカンージクロリドを合成し
た。

生成物のアミン価 １．１０（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ｃｗｔ−’ 実施例 ３ 実施例１と同様にして、ウンデシレンジアミン１８６．
：ｌ（１モル）に対してスチレンオキシド２４０．２ｇ
（２モル）とエチレンオキシド４４．１ ｇ（１モル）
を付加させた後、ブチルアルコール７２３．８９を添加
して内容物を希釈した。

次に、ペンジルクロリド２５３．２．９（２モル）を投
入し、常圧下、１２５〜１３０℃にて約１５時間を要し
てカチオン化を行い、目的物の（ベンジル＝２−ヒドロ
キシフエネチル）アミノウンデシル＝ベンジル＝２−ヒ
ドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモニ
ウム＝クロリド・塩酸塩を合威した。

生戒物のアミン価 ０．５５（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ５ｍ−１ 実施例 ４ 実施例２と同様にして、ウンデシレンジアミン１８６．
３．！９（１モル）に対してスチレンオキシド２４ｏ．
２ｇ（２モル）とエチレンオキシド９８．２ｇ（１モル
）を付加させた後、ブチルアルコール７６７．’ｌを添
加して内容物を希釈した。

次に、ベンジルクロリド２５３．２．ｙ（２モル）を投
入し、常圧下、１２５〜１３０℃にて約２０時間を要し
てカチオン化を行い、目的物の１，１１−ジ（ベンジル
ー２−ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチルー
アンモニウム）ウンデカン＝ジクロリドを合成した。

生戒物のアミン化 ０．６７（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１６５ｃｒＩＬ’ 実施例 ５ 実施例１と同様の装置に、Ｎ，Ｎ’−トＩＪオクチルへ
キサメチレンジアミン４５２．９ｇ（１モル）を仕込み
、次いで、スチレンオキシド１２０．１９（１モル）を
滴下した後、１８０〜２００’Ｃ．常圧〜５ｋｇ／一の
温度及び圧力条件で４時間反応させた。

次いで、モノブロモエトキシエチルニヒドロキシエトキ
シエチル＝エーテル２５７．１．９（１モル）を投入し
、１４０〜１５０℃、４〜５ｋｇ／一の温度及び圧力条
件で約２０時間を要してカチオン化を行い、（ヘキシル
−２−ヒドロキシフエネチル）アミンへキシル＝ジヘキ
シルーヒドロキシエチノレジオキシエチレンオキシエチ
ノレ＝アンモニウムーブロミドを合威した。

生成物のアミン価 ２ ２ ０．３ （理論値２１８．
２）第四級窒素のＩＲスペクトル吸収帝 １ １ ６ ２ｃａ−’ 実施例 ６ 実施例１と同様の装置に、Ｎ−ジメチル、Ｎ’−メチル
ベンジルオクタオキシエチレンジアミン３７８．６．９
（１モル）とスチレンオキシドｉ ２ ｏ．ｉｇ（１モ
ル）を仕込み、１９０〜２００℃、常圧〜５ｋｇ／一の
温度及び圧力条件で４時間反応させた。

次いで、イソプロビルアルコール６２５ｇを添加した後
、常圧下、７０〜７５℃にて１時間を要してジメチル硫
酸１２６．：ｌ（１モル）を滴下し、更に、同条件のも
とで１時間熟成させてカチオン化を行い、（メチルベン
ジルー２−ヒドロキシフエネチル）アミンエチルへキサ
オキシエチレンオキシエチルニトリメチルーアンモニウ
ム＝メチルサレファートを合戒した。

生戒物のアミン化 ９０．０（理論値８９．８）第四級
窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ２ｃｒｔｔ−’ 実施例 ７ 実施例１と同様の装置に、Ｎ−ジフエニル、Ｎ′ヒドロ
キシエチルオククオキシプロピレンジアミン６９２．９
ｇ（１モル）とスチレンオキシド１２０．１ｇ（１モル
）を仕込み、１４０〜１５０℃、常圧〜２ｋｇ／ｃｒＡ
の温度及び圧力条件で２時間反応させた。

次いで、エチレングリコール９０５．５ｇを添加した後
、更に、エピクロルヒドリン９２．５ｇ（１モル）を仕
込み、常圧下、１２０〜１２５°Ｃにて６時間を要して
カチオン化を行い、ジフエニルアミノプ口ピルへキサオ
キシプロピレンオキシプロビル−２−ヒドロキシエチル
−２−ヒドロキシフエネチルーグリンジル＝アンモニウ
ムークロリドを合成した。

生或物のアミン価 ６４．１（理論値６２．０）第四級
窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ２ｃｍ−’ 実施例 ８ 実施例１と同様の装置に、Ｎ ， Ｎ’−ジ（２−ヒド
ロキシエチル）テトラコシレンジアミン４５６．８ｇ（
１モル）トスチレンオキシド１２０．１ｉ１モル）を仕
込み、１８０〜１９０℃、常圧〜３ｋ９／一の温度及び
圧力条件で３時間反応させた。

次いで、エチレンカーボネート８８．１ｇ（１モル）を
仕込み、１２０〜１３０℃、常圧〜２ゆ／一の温度及び
圧力条件で２時間反応させた後、エチレングリコール１
１５３ｇを添加して内容物を希釈し、常圧下、５０〜６
００Ｃにて３５％塩酸水溶液２０８．６ｇ（２モル相当
分）を２時間を要して滴下した。

次に、３７％ホルマリン水溶液１６２．３ｇ（２モル相
当分）を添加して、常圧下、７０〜８０℃にて５時間を
要して四級化を行い、■−（ヒドロキシメチル−２−ヒ
ドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチル）アンモニ
ウム−２４− ｛ヒドロキシメチルージ（２−ヒドロキ
シエチル）｝アンモニウムテトラコサン＝ジクロリドを
合成した。

生威物のアミン価 ０（理論値Ｏ） 第四級窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ｃｒｒＬ−’ 実施例 ９ 実施例１と同様の装置に、オクタデシレンジアミン２８
４．５ｇ（１モル）とスチレンオキシド１２０．１ｇ（
１モル）を仕込み、１８０〜１９０°Ｃ１常圧〜３ｋｇ
／一の温度及び圧力条件で３時間反応させた。

次いで、次亜リン酸１３：ｌ（２モル）を仕込み、７０
〜８０℃で１時間、中和反応を行った後、三フツ化ホウ
素二エーテラート０．５ｇを添加し、１００〜１２０℃
、常圧〜４ｋｇ／ＣｉＬの温度及び圧力条件で６時間を
要してエチレンオキシド８８２ｇ（２０モル）を導入し
、更に、同条件で１時間熟成を行って、１−｛ジ（ヒド
ロキシポリエチレンオキシエチル）＝２−ヒドロキシフ
エネチル｝アンモニウム−１８−｛トリ（ヒドロキシポ
リエチレンオキシエチル）｝アンモニウムオクタデカン
＝ジハイポホスファイトを合成した。

生戒物のアミン価 １．６０（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ＣｒｆＬ−’ 実施例 １０ 実施例１と同様の装置に、ウンデシレンジアミン１８６
．３ｇ（ｌモル）を仕込み、１７０〜１８０℃、常圧〜
２ １ｇ ／ｃｒｉＬの温度および圧力条件で３時間を
要してスチレンオキシド１２０．１ｇ（１モル）を導入
し、更に、同条件で１時間熟成した。

次いで、炭酸ナトリウム０．６ｇを添加し、１００〜１
３０℃、常圧〜５ゆ／一の温度及び圧力条件で６時間を
要してプロピレンオキシド６９７．２ｇ（１２モル）を
導入し、更に、同条件で１時間熟戒を行った。

次に、メチルセロソルブ１２５３．６ｇを添加して内容
物を希釈した後、エチレンブロモヒドリン２５０．９（
２モル）を仕込み、常圧下、１２０〜１３０℃で２０時
間を要してカチオン化を行い、１−（ヒドロキシポリプ
ロピレンオキシプ口ピル−２−ヒドロキシエチル−２−
ヒドロキシフエネチル）アンモニウム−１１−｛ジ（ヒ
ドロキシポリプロピレンオキシプロビル）＝２−ヒドロ
キシエチル｝アンモニウムウンデカン＝ジブロミドを合
成した。

生或物のアミン価 １．８５（理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１６０ｍ’ 実施例 １１ 実施例１と同様の装置に、Ｎ，Ｎ’−ジベンジルトリオ
キシエチレンジアミン３４４．！Ｉｌｌ（１モル）を仕
込み、■８０〜１９０℃、常圧〜５ｋｇ／ｃＩ１ｌの温
度及び圧力条件で３時間を要してスチレンオキシド１２
０．］Ｊ（１モル）を反応させた。

次にジオキサン８９７．２．！？を添加して内容物を希
釈した後、トルエンスルホン酸３４４．４ｇ（２モル）
を投入して、常圧下、７０〜８０℃で１時間、中和反応
を行った後、同条件で１０時間を要してエチレンオキシ
ド８８．２ｇ（２モル）を導入し、更に、１時間熟成さ
せて四級化を行い、（ベンジル＝２−ヒドロキシフエネ
チル）アミノエトキシエトキシエチル＝ペンジルージ（
２−ヒドロキシエチル）＝アンモニウムートルエンスル
ホナートのトルエンスルホン酸中和物を合戒した。

生戒物のアミン価 ０．９７（理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１６５ｆｆｉ−１ 実施例 １２ 実施例１と同様の装置に、Ｎ−ジフエニル、Ｎ′一ヒド
ロキシエチルオクタオキシエチレンジアミン５８０．’
ｌ（１モル）とスチレンオキシド１２０．１ｇ（１モル
）を仕込み、１９０〜２００℃、常圧〜５ ｋｇ／ｃｒ
？ｉの温度及び圧力条件で４時間反応させた。

次に、ブチルアルコール５００！９を添加して内容物を
希釈した後、常圧下、５０〜６０℃にて２時間を要して
６２％硝酸水溶液２０３．：ｌ（２モル）を滴下し、続
いて、８０〜９０’Ｃにて２時間を要してプロピレンオ
キシド５８．ＩＪ（１モル）を導入し、更に、同条件で
１時間熟戒させて四級化を行い、ジフエニルアミノエチ
ノレへキサオキシエチレンオキシエチノレ＝２−ヒドロ
キシエチル−２−ヒドロキシプロビル＝２ヒドロキシフ
エネチノレ＝アンモニウム＝ナイトラートの硝酸中和物
を合成した。

生戒物のアミン価 ０（理論値０） 第四級窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ３ｍ−１ 実施例 １３ 実施例１と同様の装置に、ヘキサメチレンジアミン１１
６．２ｇ（１モル）を仕込み、常圧下、１７０〜１８０
℃において約３時間を要してスチレンオキシド４８０．
４＆（４モル）を滴下し、同温度で常圧〜５−／一の圧
力範囲内で更に２時間反応させた。

次に、エチルアルコール７８６．５ｇを添加して内容物
を希釈した後、７０〜８０℃、常圧〜２ゆ／一で３時間
を要してメチルブロミド１８９．９ｇ（２モル）を導入
し、更に同条件で１時間熟成させてカチオン化を行い、
１，６−ジ｛メチル＝ジ（２−ヒドロキシフエネチル）
＝アンモニウム｝ヘキサン＝ジブロミドを合成した。

生成物のアミン価 １．８６（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ５ｍ−’ 実施例 １４ 実施例１と同様の装置に、メチル＝２−ヒドロキシエチ
ル−２−ヒドロキシフエネチル＝アミン３９０．５ｇ（
２モル）と１，１２−ジクロロドデカン２３９．２ｇ（
１モル）を仕込み、更に、ブチルアルコール６３０ｇを
添加した後、１４０〜１５０℃、３〜５ｋｇ／Ｃｒ？Ｌ
の温度及び圧力条件で３０時間を要してカチオン化を行
い、１．１２−シ（メチル＝２−ヒドロキシエチル−２
−ヒドロキシフエネチルーアンモニウム）ドデカン＝ジ
クロリドを合成した。

生成物のアミン価 ２．６８（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ｃｒｎ−’ 実施例 １５ 実施例１と同様の装置に、ベンジル＝２−ヒドロキシエ
チル＝２−ヒドロキシフエネチル＝アミン５４２．７ｇ
（２モル）と１，１２−ジブロモドデカン３２８．ＩＪ
（１モル）を仕込み、更に、エチレングリコール８７０
ｇを添加した後、１５０〜１６０℃、５〜６ ｋｇ／ｃ
ｕｔの温度及び圧力条件で４０時間を要してカチオン化
を行い、１．１２−シ（ベンジル＝２−ヒドロキシエチ
ル＝２−ヒドロキシフエネチノレ＝アンモニウム）ドデ
カン＝ジブロミドを合成した。

生成物のアミン価 ２．９１（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ｃｒｎ−’ 実施例 １６ 実施例１と同様の装置にベンジル−２−ヒドロキシエチ
ル＝２−ヒドロキシフェネチル＝アミン５４２．７ｇ（
２モル）とクロロエチルテトラオキシエチレン＝クロロ
エチルーエーテル３１９．２ｇ（１モル）を仕込み、更
に、ジ（メトキシェチノレ）＝エーテル８６２ｇを添加
した後、１５０〜１５５℃、常圧〜３ ｋｇ／ｃｖｔの
温度及び圧カ条件で２０時間を要してカチオン化を行い
、１，１７−ジ（ベンジル＝２−ヒドロキシェチル＝２
−ヒドロキシフエネチル＝アンモニウム）へキサオキシ
エチレン＝ジクロリドを合成した。

生或物のアミン価 ０．４２（理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ２ｃｒｒＬ−” 実施例 １７ 実施例１と同様の装置、ジ（２−ヒドロキシエチル）＝
２−ヒドロキシフエネチル＝アミン４５０．６ｇ（２モ
ル）とクロロエチルテトラオキシエチレン＝クロロエチ
ル＝エーテル３１９．２，９（１モル）を仕込み、１６
０〜１７０℃、常圧〜３ｋｇ／ＣｒＩｔの温度及び圧力
条件で２０時間を要してカチオン化を行い、１，１７−
ジ ジ（２−ヒドロキシエチル）＝２−ヒドロキシフエ
ネチルニアンモニウム｝へキサオキシエチレン＝ジクロ
リドを合或した。

生成物のアミン価 ０．１３（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ２ｃｒｎ−’ 実施例 １８ 実施例１と同様の装置に、ベンジル−２−ヒドロキシフ
エネチルーアミン４５４．６ｇ（２モル）と１，１２−
ジブロモドデカン３２８．１ｇ（１モル）を仕込み、更
に、エチレングリコール８２６．８ｇを添加した後、１
６０〜１７０℃、４〜６ｋｇ７譜の温度及び圧力条件で
３０時間を要してカチオン化を行った。

しかる後、９０〜１００℃、常圧〜４ ｋｇ／一の温度
及び圧力条件で１時間を要してエチレンオキシド４４．
ｌ’（１モル）を導入し、更に、同条件で１時間熟威さ
せて四級化を行い、（ベンジル−２−ヒドロキシフエネ
チル）アミノドデシル＝ベンジル＝２−ヒドロキシエチ
ル＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモニウムーブロミ
ドリ臭化水素酸中和物を合威した。

生成物のアミン価 ２．０５（理論値ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１６５ｍ−１ 実施例 １９ 実施例１と同様の装置に、２−ヒドロキシエチル−２−
ヒドロキシフェネチルニアミン３６２．５ｇ（２モル）
とクロロエチルエトラオキシエチレンニクロロエチルニ
エーテル３１９．２ｇ（１モノ０を仕込み、１６０〜１
７０℃、３〜５ｋｇ／ｃｒｔｔの温度及び圧力条件で２
５時間を要してカチオン化を行った。

しかる後、９０〜１００℃、２〜４ｋｇ／ｃｒ？ｔの温
度及び圧力条件で１時間を要してエチレンオキシド４４
．１ｇ（１モル）を導入し、更｛こ、同温度で１時間熟
或させて四級化を行い、（２−ヒドロキシエチル−２−
ヒドロキシフェネチル）アミノエチルテトラオキシエチ
レンオキシエチルージ（２−ヒドロキシエチル）＝２−
ヒドロキシフェネチルニアンモニウム＝クロリドの塩酸
中和物を合成した。

生成物のアミン価 ０．３７（理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１６ｌの−１ 実施例 ２０ 実施例１と同様の装置に、フエニル−２−ヒドロキシフ
エネチルーアミン４２６．６ｇ（２モル）とジクロロヘ
キサン１５５．（１（１モル）を仕込み、更（こ、ジ（
メトキシエチル）＝エーテル６３０ｇを添加した後、１
４０〜１４５℃、５ 〜６ ｋｙ／ｉの温度及び圧力条
件で４０時間反応させ、次いで、水酸化ナトリウム４０
ｇ（１モル）を添加シｆ．Ｊ、１００〜１１０゜Ｃ１常
圧〜５ｋｙ／ｃｒ？ｉ−の温度及び圧力条件で３時間を
要してメチルクロリド５０．５９（１モル）を導入して
カチオン化を行い、（フェニル−２−ヒドロキシフェネ
チル）アミノへキシルーメチル＝フェニル−２−ヒドロ
キシフェネチル＝アンモニウムークロリドの塩酸中和物
を合成した。

生戒物のアミン価 ２．２３（理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ５ＣｒｆＬ−１ 実施例 ２１ 実施例１と同様の装置に、メチルニヒドロキシエトキシ
エチル−２−ヒドロキシフェネチルアミン３９０．５ｇ
（２モル）と１，２４−ジブロモテトラコサン４９６．
５ｇ（１モル）を仕込み、更に、エチレングリコール８
８７ｇを添加した後、１６０〜１７０’Ｃ１３〜６ｋｇ
／７の温度及び圧カ条件で３０時間を要してカチオン化
を行い、１．２４−ジ（メチルーヒドロキシェトキシエ
チル−２−ヒドロキシフエネチルアンモニウム）テトラ
コサンを合成した。

生或物のアミン価 ２．８９←理論値０）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ｃｒｎ−’ 実施例 ２２ 実施例１と同様の装置｛こ、２−ヒドロキシェチルージ
（２−ヒドロキシフェネチル）アミン３０１．４ｇ（１
モル）とジメチル＝メチルベンジルアミン１４９．２．
９（１モル）とクロロエトキシエチルーク口口エチルー
エーテル１７３．ｏｉｌモル）とエチレンクリコール６
２ ３．６ ．Ｉ仕込ミ、１５０〜１６０°Ｃ１常圧
〜５ｋｇ／ｉの温度及び圧力条件で２０時間を要してカ
チオン化を行い、■−｛２−ヒドロキシエチルージ（２
−ヒドロキシフエネチル）アンモニウム）−８−（ジメ
チルメチルベンジルアンモニウム｝トリオキシエチレン
＝ジクロリドを合或した。

生或物のアミン価 １．１Ｂ理論値０） 第四級窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ４ｃｒｒＬ−１ 実施例 ２３ 実施例１と同様の装置に、オクチルージ（２ヒドロキシ
フエネチル）アミン３６９．６９（１モル）とオクチル
アミン１２９．３ｇ（１モル）とプロモプロビルへキサ
オキシプロピレン＝ブロモプロビルーエーテル７５５．
３．１７（１モル）を仕込み、１４０〜１５０℃、３〜
５ｋｇ／歴の温度及び圧力条件で２０時間反応させた。

次いで、オクテンオキシド２５６．４．９（２モル）を
添加し、１５０〜１６０°Ｃ１５〜６ゆ／ｃＴＬの温度
及び圧力条件で１０時間を要して四級化を行い、１−｛
オクチル＝ジ（２−ヒドロキシフエネチル）アンモニウ
ムー２３｛オクチルージ（２−ヒドロキシオクチノ０ア
ンモニウム｝オクタオキシプロピレン＝ジブロミドを合
或した。

生戒物のアミン価 １．２０（理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １１７０ＣｒｒＬ−１ 実施例 ２４ 実施例１と同様の装置に、ブチルー２−ヒドロキシフエ
ネチル＝アミン３８６．６ｇ（２モル）とプロモエチル
テトラオキシエチレン＝ブロモエチルーエーテル４０８
．１ｇ（１モル）を仕込み、更に、ジ（メトキシエチル
）ニエーテル９２１ｇを添加した後、１４０−１５０℃
、３〜５ｋｇ／ｃｒｉＬの温度及び圧力条件で３０時間
反応させ、次いで、水酸化カリウム１１２．２ｇ（２モ
ル）を添加した後、常圧下、８０〜８５℃にて１時間を
要してジメチル硫酸１２６．３．９（１モル）を滴下し
、更Ｏこ、同条件のもとて１時間を要してカチオン化を
行い、（ブチルニ２−ヒドロキシフエネチル）アミノエ
チルテトラオキシエチレンオキシエチルーメチル＝ブチ
ル−２−ヒドロキシフエネチル＝アンモニウム＝メチル
サルファ−トを合威した。

生或物のアミン価 ６７、３（理論値６６．８）第四級
窒素のＩＲスペクトル吸収帯 １１６０Ｃ／ｒＬ一’ 実施例 ２５ 実施例１と同様の装置に、シクロヘキシル−２−ヒドロ
キシプ口ピル−２−ヒドロキシフエネチル＝アミン２７
７．４（１モル）とジ（２−ヒドロキシエチル）アミン
１０５、１ｇ（１モル）と１，１２一ジブロモドデカン
３２８．１．！９（１モル）とジ（メトキシエチル）＝
エーテル１２１０ｇを仕込み、１４０〜１５０°Ｃ，
３〜５ｋｇ／一の温度および圧力条件で３０時間を要し
てカチオン化を行った。

次に、３７％ホルマリン水溶液８１．２ｇ（１モル相当
分）を添加して、常圧下、７０〜８０℃にて５時間を要
して四級化を行い、１−（シクロへキシル＝２−ヒドロ
キシプロピル−２−ヒドロキシフエネチル）アンモニウ
ム−１２（ヒドロキシメチルージ（２−ヒドロキシエチ
ル）｝アンモニウムドデカン＝ジブロミドを合戒した。

生成物のアミン価 １．１２０理論値Ｏ）第四級窒素の
ＩＲスペクトル吸収帯 １ １ ６ ０ＣｒｒＬ一’ 実施例 ２６ 実施例１と同様の装置に、メチルベンジル＝２−ヒドロ
キシフエネチルーアミン４８２．１（２モル）とプロモ
エチルテトラオキシエチレン＝ブロモエチルーエーテル
４０８．ｉ（１モル）ヲ仕込み、１５０〜１６０００１
３〜６ｋｇ／ｃ１？Ｌの温度及び圧力条件で２５時間反
応させた。

次いで、水酸化ナトリウムｓｏ．９（２モル）を添加し
た後、常圧下、９０〜９５℃にて３時間を要してエピク
ロ口ヒドリン１８５ｇ（２モル）を滴下し、更に、同条
件のもとでｌ時間を要して四級化を行い、１，１７−ジ
（メチルベンジル−２−ヒドロキシフエネチル＝グリシ
ジル）アンモニウム二へキサオキシエチレン＝ジブロミ
ドを合戒した。

生或物のアミン価 ０．４１（ｌ理論値０）第四級窒素
のＩＲスペクトル吸収帯 １１６５ｃｒＩｌ−’ 実施例 ２７ 実施例１と同様の装置に、２−エチルヘキシル２−ヒド
ロキシフエネチルーアミン５２２．８ｇ（２モル）とプ
ロモエトキシへキシループロモエチルーエーテル３３２
．１．９（１モル）を仕込み、１５０〜１６０℃、３〜
５ｋｇ／ｃｒｊ．の温度及び圧力条件で３０時間反応さ
せた。

次いで、エチレンカーボネートｓ ｓ． ｉ ｇ（ ｉ
モル）を仕込み、１２０〜１３０°Ｃ１常圧〜３ｋｇ／
一の温度及び圧力条件で２時間反応させて、四級化を行
い、（２−エチルへキシル−２−ヒドロキシフエネチル
）アミノエトキシヘキシル−２−エチルへキシル−２−
ヒドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモ
ニウムーブロミドの臭化水素酸中和物を合成した。

生或物のアミン価 ０．８８（理論値０）第四級窒素（
Ｊ）ＩＲスペクトル吸収帯 １１６０ｃＩｒＬ−” 実施例 ２８ 以下に、本発明のカチオン界面活性剤のアルカリ水溶液
中のポリエステルの加水分解反応（こ対する促進性を示
す。

表１に、実施例１〜２７で合成したカチオン界面活性剤
を加水分解促進剤として使用した時のポリエステルタフ
タの減量率を測定した結果を示した。

なお、試験方法は次のとおりである。

■）試験条注 試布；ポリエステル（ポリエチレンテレ フタラート）タフタ 浴比； １ ： １００ （但し、処理浴は１％ＮａＯＨ 水 溶液の中に各試験量のカチオン界 面活性剤を添加したものである。

）処理温度；９５℃一定 処理液の回転速度；３０ｒｐＩＩｌ ２）試験装置 辻井染機■製カラーマスターＨＤ− 型を使用した。

３）減量率の算定 次の計算式に従った。

実施例 ２９ 以下に、本発明のカチオン界面活性剤のアルカリ水溶液
中における有機塩素化合物の脱塩酸反応に対する促進性
を示す。

反応としては、３，４一ジクロロブテン−１から２−ク
ロロブタジエンを合或するものを取扱った。

試験方法は次（υとおりである。

１）試験条件 反応モル比及び仕込み割合； ■“’Ｐ ｂ ｌ− Ｔ ｆ３・４ −’）’７ ｏｏ
７゛ｉ７−１１ ０・５ｍｏｌ６２゜５ｇ トルエン ９４ｇ ■ 水相として「水酸化ナトリウム 上水 ７８ｇ ０．５５ｍｏｌ ２２ｇ ■ 反応促進剤として 実施例１〜２７で合成したカチ
オン界面活性 剤各試験量を添加。

反応温度；５０℃一定 かきまぜ速度；１２０Ｏｒ！）Ｉｎ ２）試験装置 かきまぜ器、温度計、滴下漏斗、還流コンデンサー付き
四ツ目フラスコ ３）２−クロロブタジエン生戒率の算定 シリコンＤＣ−５５０を担体とするカラムを使用して、
８０℃定温ガスクロマト分析を行い、測定チャート上に
得られた３，４−ジクロロブテン−１と２−クロロブタ
ジエンのピーク面積比を基にして算定した。

表２に、試験結果を示す。

実施例 ３０ 実施例２９と同様に、３，４−ジクロロブテン−１から
２−クロロブタジエンを合或する反応について本発明の
カチオン界面活性剤の促進性を示す。

水相としては、水酸化バリウムの懸濁液を使用した。

試験方法は次のとおりである。１）試験条件 反応モル比及び仕込み割合 ■ 有機相として ３，４−ジクロロブテン０．５ｍｏ
１ ６ ２．５ ｇ キシレン ６２．５ｇ ■ 水相として 水酸化バリウム（ただし、８分子をも
つもの） ０．３ ｍｏ１ ９ ４．７ ｇ 水 ４０５．３ｇ ■ 反応促進剤として 本発明のカチオン界面活性剤各
試験量を添加。

反応温度；５０’Ｃ一定 かきまぜ速度；１５０Ｃ）ｒｌ）ｍ ２）試験装置 実施例２９と同様のものを使用した。

３）２−クロロブタジエン生成率の算定 実施例２９と同様にして行った。

表３に、試験結果を示す。

実施例 ３１ 実施例２９と同様に、３，４−ジクロロブテン−１から
２−クロロブタジエンを合戒する反応について本発明の
カチオン界面活性剤の促進性を示す。

有機相としては、３，４−ジクロロブテン１だけを使用
した。

試験方法は次のとおりである。１）試験条件 反応モル比及び仕込み割合 ■ 有機相として ３，４−ジクロ口ブテンー１
０．５ｍｏ１ ６２．５ｇ ■ 水相として 水酸化ナ｝ ＩＪウム ０．５５ｍｏｌ ２２９ 水 ７８ｇ ■ 反応促進剤として 本発明のカチオン界面活性剤各
試１験量を添加。

反応温度；６０℃一定 かきまぜ速度；１２００ｒｌ）ｍ ２）試験装置 実施例２９と同様のものを使用した。

３）２−クロロブタジエン生我率の算定 実施例２９と同様にして行った。

４）水相中のＴＯＣの測定 東レ（株）製ＴＯＣ自動分析装置ＴＯＣ−Ｈ６型を用い
て、測定した。

表４に試験結果を示す。

実施例 ３２ 以下に、本発明のカチオン界面活性剤のアルカリパルス
製造工程における歩留向上性を示す。

試験方法及び結果は次のとおりである。

１）試験方法 広葉樹チップ７００ｇを４４オートクレープに詰め、水
酸化ナトリウム１５．５％からなる蒸解液を加え、更に
、実施例１〜２７で合威したカチオン界面活性剤を各試
験量添加した後、１５５℃で７５分間蒸解した。

２）結果 表５に、試験結果を示した。

以上により、本発明のＮ一及び／もしくはＮ′ヒドロキ
シフエネチル置換Ｎ ， Ｎ’一長鎖アルキレン型カチ
オン界面活性剤が他種のカチオン界面活性剤に比較して
、著しく触媒活性が良好であることが判明したが、同時
に、アルカリ液中への逸散が少ないこともＴＯＣの測定
結果から認められ、このことから、工程中消耗度のより
低いものとして産業有益性が増すとともに、環境汚染へ
の影響も少ないという長所が加味される。

なお、本発明のカチオン界面活性剤は、その使用工程中
、所望により他の添加剤と併用される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１における中間生戒物であるＮ−ヒド
ロキシエチル、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ヒドロキシフエネチ
ル）ウンデシレンジアミンのＩＲスペクトル図であり、
１，２及び３はともにベンゼン核の存在を示す吸収帯で
ある。 第２図は、実施例１の最終生成物である（メチル−２−
ヒドロキシフエネチル）アミノウンデシル＝メチル−２
−ヒドロキシエチル−２−ヒドロキシスチリルーアンモ
ニウムークロリドの塩酸中和物のＩＲスペクトル図であ
り、４は第４級窒素の吸収帯である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式Ｉ （ただし、式中、Ｒ１は水素、または炭素数１〜８のア
   ルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリール
   アルキル基、アルキルアリールアルキル基、ヒドロキシ
   アルキル基、ヒドロキシポリオキシアルキル基もしくは
   エポキシアルキル基、Ｒ２，Ｒ３， Ｒ， ， Ｒ６及
   びＲ７は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基、アル
   キルアリール基、アリールアルキル基、アルキルアリー
   ルアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシポリ
   オキシアルキル基もしくはエポキシアルキル基、Ｒ４は
   炭素数合計６〜２４のアルキレン基もしくはポリオキシ
   アルキレン基、ｍ＝０または１、ｎ二１または２であり
   、かつ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６及びＲ７のうち
   のいずれか一つはヒドロキシフエネチル基である）で表
   わされる第四級アンモニウム構造を持つカチオン界面活
   性剤。 ２ 一般式■で表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が（メチル−２−ヒドロキシフエ
   ネチル）アミノウンデシル＝メチル２−ヒドロキシエチ
   ル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモニウム＝クロリ
   ドの塩酸中和物である特許請求の範囲第１項に記載のカ
   チオン界面活性剤。 ３ 一般式１で表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤がｌ，１１−ジ（メチル＝２−ヒ
   ドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモニ
   ウム）ウンデカン＝ジクロリドである特許請求の範囲第
   １項に記載のカチオン界面活性剤。 ４ 一般式Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が（ベンジル＝２−ヒトロキシフ
   エネチル）アミノウンデシル＝ベンジルー２−ヒドロキ
   シエチル−２−ヒドロキシフエネチル＝アンモニウム＝
   クロリドの塩酸中和物である特許請求の範囲第１項に記
   載のカチオン界面活性剤。 ５ 一般弐〇で表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が１，１１−ジ（ベンジルー２−
   ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチル＝アンモ
   ニウム）ウンデカン＝ジクロリドである特許請求の範囲
   第１項に記載のカチオン界面活性剤。 ６ 一般式■で表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が１，１２−ジ（メチル−２−ヒ
   ドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチル＝アンモニ
   ウム）ドデカン＝ジクロリドである特許請求の範囲第１
   項に記載のカチオン界面活性剤。 ７ 一般式Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が１，１２−ジ（ベンジル＝２−
   ヒドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモ
   ニウム）ドデカン＝ジブロミドである特許請求の範囲第
   １項に記載のカチオン界面活性剤。 ８ 一般式Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が１，１７−ジ（ペンジノレニ２
   −ヒドロキシエチノレ＝２−ヒドロキシフエネチノレー
   アンモニウム）へキサオキシエチレンージクロリドであ
   る特許請求の範囲第１項に記載のカチオン界面活性剤。 ９ 一般式Ｉで表４わされる第四級アンモニウム構造を
   持つカチオン界面活性剤が１，１７−ジ｛ジ（２−ヒド
   ロキシエチル）＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモニ
   ウム｝ヘキサオキシエチレンジクロリドである特許請求
   の範囲第１項に記載のカチオン界面活性剤。 １〇一般式Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を持
   つカチオン界面活性剤が（ベンジルー２一ヒドロキシフ
   エネチル）アミノドデシルーベンジルー２−ヒドロキシ
   エチル＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモニウムーブ
   ロミドの臭化水素酸中和物である特許請求の範囲第１項
   に記載のカチオン界面活性剤。 １１ 一般式Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を
   持つカチオン界面活性剤が（２−ヒドロキシエチル−２
   −ヒドロキシフエネチル）アミノエチルテトラオキシエ
   チレンオキシエチルニジ（２一ピドロキシエチル）＝２
   −ヒドロキシフエネチル＝アンモニウムークロリドの塩
   酸中和物である特許請求の範囲第１項に記載のカチオン
   界面活性剤。 １２分子中に少なくとも１個のＮＨ基を持つＮ−及び／
   もしくはＮ′−アルキル、Ｎ一及び／もしくはＮ′−ア
   リール、Ｎ一及び／もしくはＮ′−アルキルアリール、
   Ｎ一及び／もしくはＮ′−アリールアルキル、Ｎ一及び
   ／もしくはＮ′−アルキルアリールアルキル、Ｎ一及び
   ／もしくはＮ′−ヒドロキシアルキル及び／もしくはＮ
   一及び／もしくはＮ／ −ヒドロキシポリオキシアルキ
   ル置換（ただし、置換基１個当たりの炭素数は１〜８）
   もしくはＮ−及びＮ′一無置換α，ω−アルキレンジア
   ミンもしくはα，ω−ポリオキシアルキレンジアミン（
   ただし、アルキレン基もしくはポリオキシアルキレン基
   の合計炭素数は６〜２４）の１種もしくは２種以上１モ
   ルに対してスチレンオキシド１〜４モルを反応させた後
   少なくとも１個の窒素原子が四級化できるような反応モ
   ル比によりアルキルハライド、ヒドロキシアルキルハラ
   イド、ヒドロキシポリオキシアルキルハライド、エポキ
   シアルキルハライドもしくは無機酸のアルキルエステル
   （ただし、アルキル基の炭素は１〜８）の１種もしくは
   ２種以上１〜５モルを反応させるか、またはホルムアル
   デヒド、エチレンカーボネート、アルキレンオキシド（
   ただし、アルキレン基の炭素数は２〜８）の１種もしく
   は２種以上１〜１２モルを反応させ、続いて、アルキル
   ハライド、ヒドキシアルキルハライド、ヒドロキシポリ
   オキシアルキルハライド、エポキシアルキルハライドも
   し《は無機塩のアルキルエステル（ただし、アルキル基
   の炭素数は１〜８）の１種もしくは２種以上１〜４モル
   を反応させるか、または、有機酸もしくは無機酸及びそ
   のアルキルエステルの１種もしくは２種以上１〜２モル
   を反応させ、続いて、ホルムアルデヒド、エチレンカー
   ボネート、アルキレンオキシド（ただし、アルキレン基
   の炭素数は２〜８）の１種もしくは２種以上１〜２０モ
   ルを反応させることによる、一般式Ｉで表わされる第四
   級アンモニウム構造 （ただし、式中、Ｒ１は水素、または炭素数１〜８のア
   ルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリール
   アルキル基、アルキルアリールアルキル基、ヒドロキシ
   アルキル基、ヒドロキシポリオキシアルキル基もしくは
   エポキシアルキル基、Ｒ２，Ｒ３， Ｒ， ， Ｒ６及
   びＲ７は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基、アル
   キルアリール基、アリールアルキル基、アルキルアリー
   ルアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシポリ
   オキシアルキル基もしくはエポキシアルキル基、Ｒ４は
   炭素数合計６〜２４のアルキレン基もしくはポリオキシ
   アルキレン基、ｍ−Ｏまたは１、ｎ二ｌまたは２であり
   、かつ、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒａ ， Ｒ５ ， Ｒ６及
   びＲ７のうちのいずれか一つはヒドロキシフエネチル基
   である。 ）を持つカチオン界面活性剤の製造方法。１３ ウンデ
   シレンジアミン１モルとスチレンオキシド２モルとエチ
   レンオキシド１モルとメチルクロリド２モルとを反応さ
   せ、（メチル＝２−ヒドロキシフエネチル）アミノウン
   デシル＝メチル＝２−ヒドロキシエチル−２−ヒドロキ
   シフエネチルーアンモニウムニクロリド・塩酸塩を得る
   特許請求の範囲第１２項に記載のカチオン界面活性剤の
   製造方法。 １４ ウンデシレンジアミン１モルとスチレンオキシド
   ２モルとエチレンオキシド２モルとメチルクロリド２モ
   ルとを反応させ、１，１１−ジ（メチル−２−ヒドロキ
   シエチル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモニウム）
   ウンデカン＝ジクロリドを得る特許請求の範囲第１２項
   に記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 １５ ウンデシレンジアミン１モルとスチレンオキシ
   ド２モルとエチレンオキシド１モルとペンジルクロリド
   ２モルとを反応させ、（ベンジル−２−ヒドロキシフエ
   ネチル）アミノウンデシルーベンジル−２−ヒドロキシ
   エチル−２−ヒドロキシフエネチル＝アンモニウム＝ク
   ロリド・塩酸塩を得る特許請求の範囲第１２項に記載の
   カチオン界面活性剤の製造方法。 １６ ウンデシレンジアミン１モルとスチレンオキシド
   ２モルとエチレンオキシド２モルとペンジルクロリド２
   モルとを反応させ、１．１１−ジ（ベンジルー２−ヒド
   ロキシエチル−２−ヒドロキシフエネチルーアンモニウ
   ム）ウンデカン＝ジクロリドを得る特許請求の範囲第１
   ２項に記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 １７分子中に少なくとも１個のヒドロキシフエネチル基
   を持つＮ−アルキル、Ｎ−アリール、Ｎ一アルキルアリ
   ール、Ｎ−アリールアルキル、Ｎ−アルキルアリールア
   ルキル、Ｎ−ヒドロキシアルキル、Ｎ−ヒドロキシポリ
   オキシアルキル及び／もしくはＮ一エポキシアルキル置
   換（ただし、置換基１個当たりの炭素数は１〜８）アミ
   ンの１種もしくは２種以上１〜２モルと、Ｎ−アルキル
   、Ｎ−アリール、Ｎ−アルキルアリール、Ｎ−アリール
   アルキル、Ｎ−アルキルアリールアルキル、Ｎ−ヒドロ
   キシアルキル、Ｎ−ヒドロキシポリオキシアルキル及び
   ／もしくはＮ一エポキシアルキル置換（ただし、置換基
   １個当たりの炭素数は１〜８）アミンの１種もしくは２
   種以上１モル以下との組合せよりなる合計２モルに対し
   てアルキレンジハライドもしくはポリオキシアルキレン
   ジハライド（ただし、アルキレン基もしくはポリオキシ
   アルキレン基の合計炭素数は６〜２４）の１種もしくは
   ２種以上１モルを反応させるか、または、続いてアルキ
   ルハライド、ヒドロキシアルキルハライド、ヒドロキシ
   ポリオキシアルキルハライド、エポキシアルキルハライ
   ドもしくは無機酸のアルキルエステル（ただし、アルキ
   ル基の炭素数は１〜８）の１種もしくは２種以上１〜５
   モルを反応させるか、または、続いて、ホルムアルデヒ
   ド、エチレンカーボネート、アルキレンオキシド（ただ
   し、アルキレン基の炭素数は２〜８）の１種もしくは２
   種以上１〜２０モルを反応させることによる下記一般式
   Ｉで表わされる第四級アンモニウム構造を持つカチオン
   界面活性剤の製造方法。 （ただし、式中、Ｒ１は水素、または炭素数１〜８のア
   ルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリール
   アルキル基、アルキルアリールアルキル基、ヒドロキシ
   アルキル基、ヒドロキシポリオキシアルキル基もしくは
   エポキシアルキル基、Ｒ２，Ｒ３， Ｒ５， Ｒ６及び
   Ｒ７は炭素数１〜８のアルキル基、゜アリール基、アル
   キルアリール基、アリールアルキル基、アルキルアリー
   ルアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシポリ
   オキシアルキル基もしくはエポキシアルキル基、Ｒ４は
   炭素数合計６〜２４のアルキレン基もしくはポリオキシ
   アルキレン基、ｍ＝Ｏまたは１、ｎ−１または２であり
   、かつ、Ｒ１ ，Ｒ２ ｙ Ｒ３ ，Ｒ５ ｔ Ｒ６お
   よびＲ７のうちのいずれか一つはヒドロキシフエネチル
   基である。 ）。１８ メチル＝２−ヒドロキシエチル＝２−ヒド
   ロキシフエネチルーアミン２モルと１．１２−ジクロロ
   ドデカン１モルとを反応させ、１．１２−ジ（メチル＝
   ２ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチル＝アン
   モニウム）ドデカンニジクロリドを得る特許請求の範囲
   第１７項に記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 １９ベンジル−２−ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシ
   フエネチルーアミン２モルと１，１２−ジブロモドデカ
   ン１モルとを反応させ、１．１２一ジ（ベンジルー２−
   ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモ
   ニウム）ドデカン＝ジブロミドを得る特許請求の範囲第
   １７項に記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 ２０ベンジル＝２−ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシ
   フエネチルーアミン２モルとクロロエチルテトラオキシ
   エチレン＝クロロエチルーエーテル１モルとを反応させ
   、ｌ，１７−ジ（ベンジル＝２−ヒドロキシエチル＝２
   −ヒドロキシフエネチル＝アンモニウム）へキサオキシ
   エチレン＝ジクロリドを得る特許請求の範囲第１７項に
   記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 ２１ ジ（２−ヒドロキシエチル）＝２−ヒドロキシ
   フエネチル＝アミン２モルとクロロエチルテトラオキシ
   エチレン＝クロロエチルーエーテル１モルとを反応させ
   、１．１７−ジ｛ジ（２−ヒドロキシエチル）＝２−ヒ
   ドロキシフエネチルーアンモニウム｝へキサオキシエチ
   レン＝ジクロリドを得る特許請求の範囲第１７項に記載
   のカチオン界面活性剤の製造方法。 ２２ ベンジル＝２−ヒドロキシフエネチルーアミン２
   モノレと１，１２−ジフ゛ロモドデカンｌモノレとエチ
   レンオキシド１モルとを反応させ、（ベンジル−２−ヒ
   ドロキシフエネチル）アミノドデシル＝ベンジル＝２−
   ヒドロキシエチル＝２−ヒドロキシフエネチルーアンモ
   ニウム＝ブロミドの臭化水素酸中和物を得る特許請求の
   範囲第１７項に記載のカチオン界面活性剤の製造方法。 ２３ ２−ヒドロキシエチル−２−ヒドロキシフエネ
   チルーアミン２モルとクロロエチルテトラオキシエチレ
   ン＝クロロエチルーエーテル１モルとエチレンオキシド
   １モルとを反応させ、（２−ヒドロキシエチル＝２−ヒ
   ドロキシフエネチル）アミノエチルテトラオキシエチレ
   ンオキシエチルージ（２−ヒドロキシエチル）＝２−ヒ
   ドロキシフエネチルーアンモニウムニクロリドの塩酸中
   和物を得る特許請求の範囲第１７項に記載のカチオン界
   面活性剤の製造方法。