JPS5836457B2 - micro high ongen - Google Patents
micro high ongenInfo
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- JPS5836457B2 JPS5836457B2 JP50129223A JP12922375A JPS5836457B2 JP S5836457 B2 JPS5836457 B2 JP S5836457B2 JP 50129223 A JP50129223 A JP 50129223A JP 12922375 A JP12922375 A JP 12922375A JP S5836457 B2 JPS5836457 B2 JP S5836457B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明はマイクロ波放電形イオン源の改良に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to improvements in microwave discharge ion sources.
従来のマイクロ波放電形イオン源においてはマイクロ波
発振器が放電箱と直流電気的につながっていた。In conventional microwave discharge ion sources, a microwave oscillator is electrically connected to a discharge box.
イオン源では一般に放電箱を正または負の高電位に保持
して使用するためこのような従来のイオン源ではマイク
ロ波発振器およびマイクロ波伝送線路も放電箱と同じ高
電位に保持する必要があった。In ion sources, the discharge box is generally held at a high potential, either positive or negative, so in conventional ion sources, the microwave oscillator and microwave transmission line had to be held at the same high potential as the discharge box. .
このため、マイクロ波発振器用電源も同電位に保持しな
ければならないので、絶縁対策が困難であった。For this reason, the power supply for the microwave oscillator must also be maintained at the same potential, making it difficult to take measures for insulation.
本発明はマイクロ波伝送回路の中間、つまりマイクロ波
発振回路と放電箱の間にマイクロ波に対するチョーク構
造を設置することにより、従来技術における上述した欠
点をなくしたものである。The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks of the prior art by installing a choke structure for microwaves in the middle of the microwave transmission circuit, that is, between the microwave oscillation circuit and the discharge box.
第1図は従来のマイクロ波イオン源の1例を示したもの
で、放電箱は同軸形になっている。FIG. 1 shows an example of a conventional microwave ion source, in which the discharge box is coaxial.
図からわかるようにマイクロ波発振器1およびマイクロ
波発振器用電源8は、導波管2と同軸線路3を介して放
電箱4に直7電気的につながっている。As can be seen from the figure, the microwave oscillator 1 and the microwave oscillator power source 8 are directly electrically connected to the discharge box 4 via the waveguide 2 and the coaxial line 3.
5は放電箱4内に磁界を発生させる電磁コイル、6はイ
オン引出しレンズ、7はイオンビーム、29はマイクロ
波を通し、かつ真空を保つための絶縁物である。5 is an electromagnetic coil that generates a magnetic field in the discharge box 4; 6 is an ion extraction lens; 7 is an ion beam; and 29 is an insulator that allows microwaves to pass through and maintains a vacuum.
なおこの図ではマイクロ波伝送線路としては導波管2と
同軸線路3を接続したものを用いたが、導波管2または
同軸線路のみでも同様のことが可能なことは明らかであ
る。In this figure, a microwave transmission line in which a waveguide 2 and a coaxial line 3 are connected is used, but it is clear that the same thing can be done using only the waveguide 2 or a coaxial line.
また、イオン引出しレンズ6を設置しなければプラズマ
源として用いられることも明らかである。It is also clear that if the ion extraction lens 6 is not installed, it can be used as a plasma source.
第2図は本発明に用いる導波管用チョーク構造を説明す
る図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a waveguide choke structure used in the present invention.
9はチョークフランジ、10はフランジで11は絶縁物
である。9 is a choke flange, 10 is a flange, and 11 is an insulator.
この図においてA−B問およびB−C間の距離はそれぞ
れ波長の一である。In this figure, the distances between A and B and between B and C are each one wavelength.
したがってA点からこの間隙に入ったマイクロ波はB点
を通りC点で反射されて戻ってくる。Therefore, the microwave that enters this gap from point A passes through point B, is reflected at point C, and returns.
このときこの反射波と入力波が干渉し合って定在波がで
きるが、B−C間が波長の1 の長さであるために、B
点では壁面電流がゼロとなる。At this time, this reflected wave and the input wave interfere with each other to form a standing wave, but since the length between B and C is one wavelength, B
At the point, the wall current becomes zero.
したがってB点のすきまから外にマイクロ波がもれるこ
とはない。Therefore, microwaves will not leak out from the gap at point B.
またA−C間の距離は波長の半分であるからA点におい
てこの間隙をみたインピーダンスはゼロとなるので、マ
イクロ波的にはこの間隙は無いのと同じことになる。Also, since the distance between A and C is half the wavelength, the impedance seen through this gap at point A is zero, so from a microwave perspective, it is the same as if this gap does not exist.
第1図の導波管2の中間にこのようなチョーク構造を用
いることによりマイクロ波発振器1およびその電源8を
大地電位で使用することが可能となる。By using such a choke structure in the middle of the waveguide 2 shown in FIG. 1, it becomes possible to use the microwave oscillator 1 and its power supply 8 at ground potential.
第3図は本発明の別の実施例を示すもので、同軸線路に
チョーク構造をほどこしたものである。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which a choke structure is applied to the coaxial line.
外導体は導波管の場合と同じようなチョーク構造になっ
ている。The outer conductor has a choke structure similar to that of a waveguide.
内導体のD−E間の距離は波長の一である。The distance between D and E of the inner conductor is one wavelength.
この場合の内導体はマイクロ波的に4
は短絡で直流電気的には絶縁となるので上の場合と同様
の効果が得られる。In this case, the inner conductor 4 is short-circuited in terms of microwaves and insulated in terms of DC electricity, so the same effect as in the above case can be obtained.
同図において、左側が放電室4、右側がマイクロ波発振
器側である。In the figure, the left side is the discharge chamber 4, and the right side is the microwave oscillator side.
本実施例において、絶縁物11は真空シール(第1図の
絶縁物29)をかねている。In this embodiment, the insulator 11 also serves as a vacuum seal (insulator 29 in FIG. 1).
しかし、上記絶縁物11とは別個に他の絶縁物を上記絶
縁物11より左側に設置してもよい。However, separate from the insulator 11, another insulator may be installed on the left side of the insulator 11.
イオン源を数10KV以上の高圧で使う場合には第2図
や第3図のような1段の絶縁では耐圧がたりなくなるこ
とがある。When the ion source is used at a high voltage of several tens of kilovolts or more, one stage of insulation as shown in FIGS. 2 and 3 may not be sufficient to withstand the voltage.
第4図はこのような場合にも絶縁耐圧を持たせるため、
2段にした場合の実施例を示すものである。Figure 4 shows that in order to maintain dielectric strength even in such a case,
This shows an example of a two-stage structure.
12.13は抵抗器で、各部分に一定の比率の電位を与
えるためのものである。12 and 13 are resistors, which are used to apply a fixed ratio of potential to each part.
第4図はチョーク構造を2段にした場合であったが、そ
の段数をふやしてやれば100KV以上の圧力にも耐え
られるようにすることが可能である。Although FIG. 4 shows a case where the choke structure has two stages, it is possible to withstand pressures of 100 KV or more by increasing the number of stages.
第1図は従来のマイクロ波イオン源の概略を示す図、第
2,3および4図は本発明の実施例を示す図である。
図中、1・・・・・・マイクロ波発振器、2・・・・・
・導波管、3・・・・・・同軸線路、4・・・・・・放
電箱、5・・・・・・電磁コイル、6・・・・・・イオ
ン引出しレンズ系、7・・・・・・イオンビーム、8・
・・・・・マイクロ波発振用電源、9・・・・・・チョ
ークフランジ、10・・・・・・フランジ、11・・・
・・・絶縁物円板、12.13・・・・・・抵抗器。FIG. 1 is a diagram showing an outline of a conventional microwave ion source, and FIGS. 2, 3, and 4 are diagrams showing embodiments of the present invention. In the figure, 1... microwave oscillator, 2...
・Waveguide, 3... Coaxial line, 4... Discharge box, 5... Electromagnetic coil, 6... Ion extraction lens system, 7... ...Ion beam, 8.
...Microwave oscillation power supply, 9...Choke flange, 10...Flange, 11...
...Insulator disk, 12.13...Resistor.
Claims (1)
箱からなるマイクロ波放電形イオン源において、上記マ
イクロ波伝送回路の中間にチョーク構造を設けることに
より、上記マイクロ波発振器と上記放電箱との間を直流
的には電気絶縁し、かつマイクロ波的には短絡してなる
ことを特徴とするマイクロ波イオン源。1. In a microwave discharge type ion source consisting of a microwave oscillator, a microwave transmission circuit, and a discharge box, a choke structure is provided in the middle of the microwave transmission circuit, so that direct current flows between the microwave oscillator and the discharge box. A microwave ion source characterized by being electrically insulated and short-circuited from a microwave perspective.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50129223A JPS5836457B2 (en) | 1975-10-29 | 1975-10-29 | micro high ongen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50129223A JPS5836457B2 (en) | 1975-10-29 | 1975-10-29 | micro high ongen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5254900A JPS5254900A (en) | 1977-05-04 |
| JPS5836457B2 true JPS5836457B2 (en) | 1983-08-09 |
Family
ID=15004178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50129223A Expired JPS5836457B2 (en) | 1975-10-29 | 1975-10-29 | micro high ongen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836457B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214600A (en) * | 1990-01-17 | 1991-09-19 | Nippon Koshuha Kk | Microwave heated plasma reaction device |
| JP7209293B2 (en) * | 2019-05-17 | 2023-01-20 | 三菱重工機械システム株式会社 | accelerating cavity |
-
1975
- 1975-10-29 JP JP50129223A patent/JPS5836457B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5254900A (en) | 1977-05-04 |
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