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JPS5836805B2 - Image tube manufacturing method - Google Patents
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JPS5836805B2 - Image tube manufacturing method - Google Patents

Image tube manufacturing method

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Publication number
JPS5836805B2
JPS5836805B2 JP9677577A JP9677577A JPS5836805B2 JP S5836805 B2 JPS5836805 B2 JP S5836805B2 JP 9677577 A JP9677577 A JP 9677577A JP 9677577 A JP9677577 A JP 9677577A JP S5836805 B2 JPS5836805 B2 JP S5836805B2
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JP
Japan
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vacuum
sealing material
face plate
image pickup
pickup tube
Prior art date
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JP9677577A
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Japanese (ja)
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JPS5430722A (en
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常一 吉野
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は撮像管の製造方法の改良に開する。[Detailed description of the invention] The present invention is directed to an improvement in the method of manufacturing an image pickup tube.

一般に撮像管においては、有底筒状のガラスからなる真
空外囲器の開口端に、内面に透明導電層及び光導電層を
順次積層して光電変換ターゲットを形成したガラスから
なるフェースプレートが封着されている。
Generally, in an image pickup tube, a face plate made of glass with a photoelectric conversion target formed by sequentially laminating a transparent conductive layer and a photoconductive layer on the inner surface is sealed at the open end of a vacuum envelope made of glass in the shape of a cylinder with a bottom. It is worn.

ところで三硫化アンチモンを光導電層とした所謂ビジコ
ンでは、従来、フェースプレートと真空外囲器(バルブ
)の真空封止は、高純度の金属インジウムを使用し、冷
圧着によって行なわれている。
By the way, in a so-called vidicon using antimony trisulfide as a photoconductive layer, vacuum sealing between a face plate and a vacuum envelope (bulb) has conventionally been performed by cold compression bonding using high-purity metal indium.

即ち、第1図のaに示すように環状信号電極(ターゲッ
トリング)1の内面に予め金属インジウム2を装着して
おき、bに示すように金属インジウム2が所要量となる
ようにトリミングして断面円弧状の面2aを形成し、環
状信号電極1を所定位置に置く。
That is, as shown in FIG. 1a, metal indium 2 is attached in advance to the inner surface of the annular signal electrode (target ring) 1, and as shown in b, the metal indium 2 is trimmed to the required amount. A surface 2a having an arcuate cross section is formed, and the annular signal electrode 1 is placed at a predetermined position.

モしてCに示すように直ちにフェースプレート3を金属
インジウム2に冷圧着すればフェースプレート3は金属
インジウム2を介して真空外囲器4に封止される。
If the face plate 3 is immediately cold-pressed to the metal indium 2 as shown in C, the face plate 3 is sealed in the vacuum envelope 4 via the metal indium 2.

ところが上記のような封止手段によれば、冷圧着する必
要がある、フェースプレート3の封正面及び真空外囲器
4の端面の清浄度が要求される、微細な線キズ等が存在
すると真空気密の信頼性が著しく低下する、という欠点
がある。
However, according to the above sealing means, cold compression bonding is required, cleanliness is required on the sealing surface of the face plate 3 and the end surface of the vacuum envelope 4, and if there are minute line scratches, etc., the vacuum The disadvantage is that the reliability of airtightness is significantly reduced.

又、金属インジウム2は、耐湿性に対して弱く、高温多
湿で腐蝕され易いし、シリコンワニス等の防湿剤を冷圧
着後露出表面に塗布することが不可欠である。
Furthermore, the metal indium 2 has poor moisture resistance and is easily corroded by high temperature and high humidity, and it is essential to apply a moisture proofing agent such as silicone varnish to the exposed surface after cold pressing.

更に前記トリミングを容易にするため、ステンレス製或
はクロムメッキ製の環状信号電極1を使用しなければな
らず、而も金属インジウム2は非常に高価であるという
欠点もある。
Furthermore, in order to facilitate the trimming, it is necessary to use an annular signal electrode 1 made of stainless steel or chrome plating, and metal indium 2 also has the disadvantage of being very expensive.

又、三硫化アンチモンを使用したビジコンは、蒸着膜の
耐熱性が不活性ガス雰囲気中で170℃程度であるため
、既述のように高純度の金属インジウム2を用いた冷圧
着が従来行なわれてきたが、金属インジウム2の融点が
156゜Cであるので、排気時のベーキングが120〜
130℃の制限を受け、真空外囲器4及びフェースプレ
ート3及びその近傍の電極構体から充分なガス抜きを行
なうことができない。
In addition, for vidicon using antimony trisulfide, the heat resistance of the vapor-deposited film is about 170°C in an inert gas atmosphere, so cold compression bonding using high-purity metal indium 2 was conventionally performed as mentioned above. However, since the melting point of metal indium 2 is 156°C, the baking time during exhaust is 120°C to 120°C.
Due to the temperature limit of 130° C., gas cannot be sufficiently vented from the vacuum envelope 4, the face plate 3, and the electrode assembly in the vicinity thereof.

この発明は、上記従来の欠点を除去した撮像管の製造方
法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an image pickup tube that eliminates the above-mentioned conventional drawbacks.

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

この発明の製造方法により得られる撮像管は第2図及び
第3図に示すように構威され、第3図は第2図の要部拡
大図である。
The image pickup tube obtained by the manufacturing method of the present invention is constructed as shown in FIGS. 2 and 3, and FIG. 3 is an enlarged view of the main part of FIG. 2.

即ち、有底筒状のガラスからなる真空外囲器5の開口端
には、ガラスからなるフェースプレート6が封着されて
おり、その境界付近には環状信号電極7が取りつけられ
ている。
That is, a face plate 6 made of glass is sealed to the open end of a bottomed cylindrical vacuum envelope 5 made of glass, and an annular signal electrode 7 is attached near the boundary thereof.

そして前記フェースプレート6内面には、透明導電層8
及び光導電層9が順次形成されている。
A transparent conductive layer 8 is provided on the inner surface of the face plate 6.
and photoconductive layer 9 are sequentially formed.

これら透明導電層8と光導電層はいわゆる九電変換ター
ゲット10を構成しており、透明導電層8は前記環状信
号電極7と導通している。
The transparent conductive layer 8 and the photoconductive layer constitute a so-called Nine Electric conversion target 10, and the transparent conductive layer 8 is electrically connected to the annular signal electrode 7.

更に真空外囲器5内には、ヒータ11を内蔵した陰極1
2に対して同軸的に所定間隔をおいて第1乃至第4格子
電極13〜16が順次配設され、ヒーター11及び各電
極12〜16は、ステム5aに貫通配設された複数の導
電ピン1Tに接続されている(但し、図では便宜上接続
されていないように画いてある)。
Further, inside the vacuum envelope 5, there is a cathode 1 having a built-in heater 11.
First to fourth grid electrodes 13 to 16 are sequentially disposed coaxially with respect to the stem 5a at predetermined intervals, and the heater 11 and each electrode 12 to 16 are connected to a plurality of conductive pins penetrating the stem 5a. 1T (however, in the figure, it is shown as not being connected for convenience).

又、第1乃至第3格子電極13〜15は支持素子を介し
て絶縁棒(図示せず)に支持され、第4格子電極16は
いわゆるメッシュ電極で光導電層9に対向している。
Further, the first to third grid electrodes 13 to 15 are supported by insulating rods (not shown) via support elements, and the fourth grid electrode 16 is a so-called mesh electrode and faces the photoconductive layer 9.

ところでこの発明の製造方法により得られた撮像管にお
いても、フェースプレート6と真空外囲器5の開口端は
第3図に示すように封着材18により真空封止するが、
この封着材18が金属インジウムだと従来のような欠点
が生じる。
Incidentally, even in the image pickup tube obtained by the manufacturing method of the present invention, the open ends of the face plate 6 and the vacuum envelope 5 are vacuum-sealed with a sealing material 18 as shown in FIG.
If the sealing material 18 is made of metal indium, there will be the same drawbacks as in the prior art.

そこで、発明者の実験によれば、Pb,Snを主成分と
した封着材にsbを0.1〜10重量% , Znを0
.1〜10重量%程度添加することにより、金属酸化物
例えばガラス、セラミック、フエライト、金属酸化被膜
と非常に強く結合することが判明した。
Therefore, according to the inventor's experiments, 0.1 to 10% by weight of sb and 0% of Zn were added to the sealing material mainly composed of Pb and Sn.
.. It has been found that by adding about 1 to 10% by weight, it can bond very strongly with metal oxides such as glass, ceramics, ferrite, and metal oxide films.

そして、このような封着材の融点はPb , Snの配
合を変化させることにより、180〜3508Cの間で
変化させることが可能であり、前記光電変換ターゲット
10の耐え得る最高温度に選ぶことができる。
The melting point of such a sealing material can be varied between 180 and 3508 C by changing the composition of Pb and Sn, and can be selected to be the highest temperature that the photoelectric conversion target 10 can withstand. can.

又、圧力を加える真空封止の場合は封着材を融点温度ま
で上昇させる必要はなく、超音波振動や圧力により異な
るが融点より20〜30℃低い温度で真空封止が可能で
ある。
Further, in the case of vacuum sealing by applying pressure, there is no need to raise the temperature of the sealing material to its melting point, and vacuum sealing can be performed at a temperature 20 to 30° C. lower than the melting point, although this varies depending on the ultrasonic vibration and pressure.

更に封着材、フェースプレートの周辺部、真空外囲器の
開口端の温度を局部的に高くすることにより、光電変換
ターゲットの不活性ガス雰囲気中で耐え得る温度より5
0〜70℃高い融点の封着材をも使用することができる
Furthermore, by locally increasing the temperature of the sealing material, the periphery of the face plate, and the open end of the vacuum envelope, the temperature can be raised to 55% higher than the temperature that the photoelectric conversion target can withstand in the inert gas atmosphere.
A sealing material with a melting point 0 to 70°C higher can also be used.

そこで、この発明の撮像管においては、第3図に示した
封着材18として、既述のようにPb , Sn系にs
bを0.1〜10重量%Znを0.1〜10重量%添加
した光電変換ターゲットの耐え得る温度以下の融点を有
するものを用いている。
Therefore, in the image pickup tube of the present invention, as the sealing material 18 shown in FIG.
A material having a melting point below a temperature that can be withstood by a photoelectric conversion target containing 0.1 to 10% by weight of b and 0.1 to 10% by weight of Zn is used.

次に上記封着材18によりフェースプレート6と真空外
囲器5を真空封止する方法を具体的に説明する。
Next, a method for vacuum sealing the face plate 6 and the vacuum envelope 5 using the sealing material 18 will be specifically described.

〔第1の真空封止法〕 先ず上記のような封着材18を準備するが、この封着材
18は第4図a,bに示すように融点が200℃に設定
された板体を環状に打抜いたものである。
[First vacuum sealing method] First, the sealing material 18 as described above is prepared, and this sealing material 18 is made of a plate whose melting point is set to 200° C. as shown in FIG. 4a and b. It is punched out in a ring shape.

この場合、板厚tは0.05〜0.5mmが適当であり
、又、巾dは板厚tが大きいほど小さくする必要があり
、発明者の実験によれば t (ii) X d (mi) = 0.0 5〜0
. 3(mi)2の間に選ぶのが最良であった。
In this case, the appropriate plate thickness t is 0.05 to 0.5 mm, and the width d needs to be made smaller as the plate thickness t becomes larger. According to the inventor's experiments, t (ii) mi) = 0.0 5~0
.. It was best to choose between 3(mi)2.

0. 3 (in)2以上大きい場合は、封着材18が
真空外囲器5内面にはみ出し、ターゲット〜メッシュ間
の均一電界を乱し好ましくない。
0. If it is larger than 3 (in)2, the sealing material 18 will protrude into the inner surface of the vacuum envelope 5, disturbing the uniform electric field between the target and the mesh, which is not preferable.

このような心配のない他の電子管の封止の場合は、tX
dを0. 3 (it)2以上大きくしても良いのは言
う迄もない。
When sealing other electron tubes without such concerns, use tX
d to 0. 3 (it) Needless to say, it may be increased by 2 or more.

更に直径口は真空外囲器5の径、又はフェースプレート
6の径と一致させると、中心出しがやり易い。
Furthermore, if the diameter opening matches the diameter of the vacuum envelope 5 or the diameter of the face plate 6, centering will be easier.

このような封着材18を用いて真空封止を行なうが、第
5図に示すように各電極が配設された(但し図では便宜
上省略してある)真空外囲器5の開口端附近外周にセラ
ミックやガラス等からなる筒状ガイド19を取付け、前
記開口端面に上記の環状封着材18を置く。
Vacuum sealing is performed using such a sealing material 18, and as shown in FIG. A cylindrical guide 19 made of ceramic, glass, etc. is attached to the outer periphery, and the annular sealing material 18 is placed on the opening end surface.

この場合、封着材18の外径寸法は真空外囲器5外径と
同一に設定されており、ガイド19によって中心出しが
行なわれる。
In this case, the outer diameter of the sealing material 18 is set to be the same as the outer diameter of the vacuum envelope 5, and centering is performed by the guide 19.

次に内面に光電交換ターゲット10が蒸着形成されてい
る(第2図参照、第5図では便宜上省略)フェースプレ
ート6を封着材18の上に置き、真空外囲器5下端の排
気孔20から不活性ガス例えばN2, Ar , He
等を送り、光電変換ターゲット10の近傍を不活性ガス
で置換する。
Next, the face plate 6 on which the photoelectric exchange target 10 is vapor-deposited on the inner surface (see FIG. 2, omitted in FIG. 5 for convenience) is placed on the sealing material 18, and the exhaust hole 20 at the lower end of the vacuum envelope 5 is placed on the sealing material 18. to inert gas such as N2, Ar, He
etc. to replace the vicinity of the photoelectric conversion target 10 with an inert gas.

次にセラミック等で作られた押し板21をフェースプレ
ート6の上に載せ、この押し板21に鋼球22を介して
加圧機23により圧力Fを加える。
Next, a press plate 21 made of ceramic or the like is placed on the face plate 6, and a pressure F is applied to the press plate 21 via a steel ball 22 by a pressurizer 23.

尚、鋼球22は封止面に均一に力を加える働きをする。Note that the steel balls 22 serve to uniformly apply force to the sealing surface.

前記圧力Fは20〜200kg/cntの範囲が適当で
あり、圧力が小さいと真空封止が不完全になり、圧力が
大きいと真空外囲器5を破損する恐れがある。
The pressure F is suitably in the range of 20 to 200 kg/cnt; if the pressure is low, the vacuum sealing will be incomplete, and if the pressure is high, the vacuum envelope 5 may be damaged.

次にガイド19の外方に設けてある高周波加熱コイル2
4に通電し、封着材18、フェースプレート6の周辺部
、真空外囲器5の開口端の温度が、光電変換ターゲット
が不活性ガス雰囲気中で耐え得る温度以下の160〜1
80’Cとなるように加温する。
Next, the high frequency heating coil 2 provided outside the guide 19
4 is energized, and the temperature of the sealing material 18, the peripheral part of the face plate 6, and the open end of the vacuum envelope 5 is 160 to 1, which is below the temperature that the photoelectric conversion target can withstand in an inert gas atmosphere.
Heat to 80'C.

このとき加圧が大きいほど低温でよいことは言う迄もな
いが、実験によれば1700Cで60k9 / caの
条件が最良であった。
It goes without saying that the higher the pressure, the better the lower temperature, but according to experiments, the best conditions were 1700C and 60k9/ca.

又、昇温に要する時間は5秒より短かいとフェースプレ
ート6や真空外囲器5の急熱による破損の恐れがあるの
で、10秒以上とすることが望ましく、封止終了後、1
50℃以下の温度で取外すことができる。
In addition, if the time required for heating up is shorter than 5 seconds, there is a risk of damage to the face plate 6 and vacuum envelope 5 due to rapid heating, so it is desirable to set the time to 10 seconds or more.
Can be removed at temperatures below 50°C.

〔第2の真空封止法〕 第1の真空封止法と同様であるが、加圧機23で加える
圧力を0.2〜20kg/crAとし、更に加圧機23
に超音波振動を加えることにより真空封止を行なう。
[Second vacuum sealing method] It is the same as the first vacuum sealing method, but the pressure applied by the pressure machine 23 is 0.2 to 20 kg/crA, and the pressure applied by the pressure machine 23 is
Vacuum sealing is performed by applying ultrasonic vibration to.

〔第3の真空封止法〕 先ず用いる封着材は、その外形は第4図a,bと同様で
あるが、第1の真空封止法の場合とは異なり融点が18
5℃に設定された板体を環状に打抜いたものである。
[Third vacuum sealing method] First, the sealing material used has the same external shape as shown in Figure 4 a and b, but unlike the first vacuum sealing method, its melting point is 18
This is an annular punch cut out of a plate set at 5°C.

そしてこのような封着材を用いて真空封止を行なうが、
第6図aに示すように真空外囲器5の開口端附近の外側
に、筒状にして一端を内側に折曲げた折曲部25aを有
し且つヒーター26が埋設された金属性ガイド25を配
設する。
Vacuum sealing is performed using such a sealing material, but
As shown in FIG. 6a, a metal guide 25 has a cylindrical bent part 25a with one end bent inward on the outside near the open end of the vacuum envelope 5, and a heater 26 is embedded therein. to be placed.

次にこのガイド25の折曲部25aに環状信号電極7を
設置すると共に真空外囲器5の開口端面に封着材18を
置く。
Next, the annular signal electrode 7 is installed on the bent portion 25a of the guide 25, and a sealing material 18 is placed on the open end surface of the vacuum envelope 5.

次に内面に光電変換ターゲット10が蒸着されている(
第2図参照、第6図では便宜上省略)フェースプレート
6を封着材18の上に置き、真空外囲器5下端の排気孔
(図示せず)から不活性ガス例えばN2 * Ar t
He等を送り、光電変換ターゲットの近傍を不活性ガ
ス置換する。
Next, a photoelectric conversion target 10 is deposited on the inner surface (
(See Fig. 2, omitted in Fig. 6 for convenience) Place the face plate 6 on the sealing material 18, and inject an inert gas, for example, N2*Ar t, from the exhaust hole (not shown) at the lower end of the vacuum envelope 5.
He or the like is sent to replace the vicinity of the photoelectric conversion target with inert gas.

次いでフェースプレート6の上にヒーター27を埋設し
た押し板28を載せ、この押し板28に鋼球29を介し
て加圧機30により圧力Fを加える。
Next, a push plate 28 in which a heater 27 is embedded is placed on the face plate 6, and a pressure F is applied to this push plate 28 by a pressurizer 30 via a steel ball 29.

圧力Fは2 0 〜2 0 0kg/crAの範囲が適
当である。
The appropriate pressure F is in the range of 20 to 200 kg/crA.

次に各ヒーター26.27に通電し、フェースプレート
6の周辺部、封着材18、真空体囲器5の開口端の温度
が、光電変換ターゲットが不活性ガス雰囲気中で耐え得
る温度以下の160〜170℃となるように加温する。
Next, the heaters 26 and 27 are energized to ensure that the temperatures at the periphery of the face plate 6, the sealing material 18, and the open end of the vacuum envelope 5 are below the temperature that the photoelectric conversion target can withstand in an inert gas atmosphere. Heat to 160-170°C.

この場合、ヒーター26 .27を予め100℃程度に
予備加熱しておくことにより、昇温時間は20〜40秒
とすることができる。
In this case, the heater 26. By preheating No. 27 to about 100° C., the heating time can be set to 20 to 40 seconds.

こうして真空封着を行なうが、このとき一部軟化した封
着材18はフェースプレート6と真空外囲器5開口端面
との間に拡がり、その一部が真空外囲器5の外側にはみ
出し、環状信号電極7を固定する。
Vacuum sealing is performed in this way, but at this time, the partially softened sealing material 18 spreads between the face plate 6 and the open end surface of the vacuum envelope 5, and a part of it protrudes outside the vacuum envelope 5. The annular signal electrode 7 is fixed.

この場合、より強固に固定するには、第6図bに示すよ
うに環状信号電極7の内面の中央近くに山形又は凹形の
溝31を1〜数個設け、この溝31にはみ出した封着材
18を導くようにすればよい。
In this case, in order to secure the fixation more firmly, one or more chevron-shaped or concave grooves 31 are provided near the center of the inner surface of the annular signal electrode 7, as shown in FIG. What is necessary is to guide the material 18.

尚、上記の押し板28はフェースプレート6側が平坦で
あるが、その中央部をフェースプレート6と接触しない
ような凹状に形成したり、或いは押し板28の周辺部に
ヒーターを埋設してフェースプレート6中央部の温度上
昇を軽減するようにしてもよい。
The push plate 28 described above is flat on the face plate 6 side, but the center part may be formed into a concave shape so as not to come into contact with the face plate 6, or a heater may be embedded in the periphery of the push plate 28 to make the face plate 6. The temperature rise in the central portion may be reduced.

〔第4の真空封止法〕 第3の真空封止法と同様であるが、加圧機30で加える
圧力を0.2〜20kg/ciとし、且つ超音波振動を
加えることにより真空封止を行なう。
[Fourth vacuum sealing method] This is the same as the third vacuum sealing method, but the pressure applied by the pressure machine 30 is 0.2 to 20 kg/ci, and the vacuum sealing is performed by applying ultrasonic vibration. Let's do it.

〔第5の真空封止法〕 第3及び第4の真空封止法において、ヒーター26.2
7の代りに真鍮等の金属体を埋設し、高周波コイルで加
熱する。
[Fifth vacuum sealing method] In the third and fourth vacuum sealing methods, the heater 26.2
Instead of 7, a metal body such as brass is buried and heated with a high frequency coil.

〔第6の真空封止法〕 先ず用いる封着材は、第7図a,bに示すように融点が
180〜200℃に設定された板体を環状に打抜いたも
のであるが、上記の封着材18とは少し異なり対向する
位置に2個の突出片32a,32bを設けている。
[Sixth Vacuum Sealing Method] First, the sealing material used is a plate whose melting point is set at 180 to 200°C, as shown in FIG. Slightly different from the sealing material 18, two protruding pieces 32a and 32b are provided at opposing positions.

そして板厚t1巾d1直径Dは上記封着材18と同様で
あるが、突出片32a,32bの巾Wは2d程度、長さ
tはd以上に設定されている。
The plate thickness t1 width d1 diameter D is the same as that of the sealing material 18, but the width W of the protruding pieces 32a, 32b is set to about 2d, and the length t is set to d or more.

このような封着材32を用いて真空封止を行なうが、第
8図に示すように各電極が配設された(但し図では便宜
上省略してある真空゛外囲器5の開口端の外周に一面が
開口端面と同一になるように例えばセラミックからなる
第1の筒状ガイド33を取付け、このガイド33及び前
記開口端面に上記の封着材32を置く。
Vacuum sealing is performed using such a sealing material 32, and each electrode is arranged as shown in FIG. A first cylindrical guide 33 made of, for example, ceramic is attached to the outer periphery so that one side is flush with the opening end surface, and the sealing material 32 is placed on this guide 33 and the opening end surface.

更に第2の筒状ガイド34を載せる。Furthermore, a second cylindrical guide 34 is placed.

このとき封着材32の2個の突出片3 2 a t 3
2 bは両ガイド33,34の外に露出するようにな
っている。
At this time, the two protruding pieces 3 2 a t 3 of the sealing material 32
2b is exposed outside both guides 33 and 34.

次に内面に九電変換ターゲット(図示せず)が蒸着形成
されたフェースプレート6を封着材32の上に置き、真
空外囲器5の下端の排気孔20から不活性ガス例えばN
2 , Ar , He等を送り、光電変換ターゲッ゛
トの近傍を不活性ガス置換する次にセラミック等で作ら
れた押し板35をフェースプレート6の上に載せ、この
押し板35に鋼球36を介して加圧機37により圧力F
を加える。
Next, the face plate 6 on which a nine-density conversion target (not shown) is vapor-deposited on the inner surface is placed on the sealing material 32, and an inert gas, for example, N
2, Ar, He, etc. are sent to replace the vicinity of the photoelectric conversion target with an inert gas. Next, a push plate 35 made of ceramic or the like is placed on the face plate 6, and a steel ball 36 is placed on this push plate 35. Pressure F is applied by pressurizer 37 via
Add.

この圧力Fは20〜2 0 0 k9/ crrtの範
囲が適当である。
This pressure F is suitably in the range of 20 to 200 k9/crrt.

続いてガイド33,34から露出している封着材32の
突出片3 2 a t 3 2 bに電流供給端子38
.39を接続して通電する。
Next, a current supply terminal 38 is connected to the protruding pieces 3 2 a t 3 2 b of the sealing material 32 exposed from the guides 33 and 34.
.. 39 and turn on the power.

そして封着材32、フェースプレート6の周辺部、真空
外囲器5の開口端附近の温度が160−180℃となる
寸前まで通電し、最高温度が165〜185℃となるよ
うにする。
Then, electricity is applied until the temperatures near the sealing material 32, the face plate 6, and the open end of the vacuum envelope 5 reach 160-180°C, so that the maximum temperature becomes 165-185°C.

尚、昇温時間は5秒以内であるとフェースプレート6や
真空外囲器5を破損する恐れがあるので、10秒以上を
要するように電流を予め設定しておく。
Note that if the heating time is less than 5 seconds, there is a risk of damaging the face plate 6 and the vacuum envelope 5, so the current is set in advance so that the heating time is 10 seconds or more.

そして封止終了後、150℃以下の温度で取出すことが
できる。
After the sealing is completed, it can be taken out at a temperature of 150° C. or lower.

〔第7の真空封止法〕 第6の真空封止法と同様であるが、加圧機37で加える
圧力を0.2〜20kg/cIrLとし、更に加圧機3
7に超音波振動を加えることにより真空封止を行なう。
[Seventh vacuum sealing method] It is the same as the sixth vacuum sealing method, but the pressure applied by the pressure machine 37 is set to 0.2 to 20 kg/cIrL, and the pressure applied by the pressure machine 37 is
Vacuum sealing is performed by applying ultrasonic vibration to 7.

〔第8の真空封止法〕 上記の各真空封止法では高周波加熱コイル24やブロッ
クヒーターである金属性ガイド25、押し板28を用い
ているが、この第8の真空封止法では加熱手段としてレ
ーザー光線を用いて行なう。
[Eighth Vacuum Sealing Method] Each of the above vacuum sealing methods uses a high frequency heating coil 24, a metal guide 25 which is a block heater, and a push plate 28, but in this eighth vacuum sealing method, heating This is carried out using a laser beam.

即ち、フェースプレート6、真空外囲器5、封着材18
を回転し乍らレーザー光線を封着材18に当てて加熱す
る力\或いは鏡を配置しこの鏡にレーヂー光線を反射さ
せて封着材18に当て加熱すればよい。
That is, the face plate 6, the vacuum envelope 5, the sealing material 18
While rotating the sealing material 18, a laser beam may be applied to heat the sealing material 18, or a mirror may be provided and the laser beam may be reflected from the mirror and the laser beam may be applied to the sealing material 18 to heat it.

この発明の撮像管の製造方法は上記構成及び図示のよう
に構威され、光電変換ターゲット10の耐え得る温度以
下の融点を有するPb , Sn系にSb , Znを
添加した封着材18.32を用いてフエースプレート6
と真空外囲器5の真空封止を行なっているので、従来の
欠点を除去することができる。
The method for manufacturing an image pickup tube of the present invention has the above-mentioned structure and as shown in the drawings, and uses a sealing material 18.32 in which Sb and Zn are added to a Pb and Sn system having a melting point below the temperature that the photoelectric conversion target 10 can withstand. Face plate 6 using
Since the vacuum envelope 5 is vacuum-sealed, the drawbacks of the conventional method can be eliminated.

即ち、この発明では冷圧着ではないが、従来の金属イン
ジウムと異なり封着材18は安価である。
That is, although the present invention does not use cold compression bonding, the sealing material 18 is inexpensive unlike conventional metal indium.

又、環状信号電極7は必ずしも必要ではなく、更にフェ
ースプレート6や真空外囲器5から充分な加熱によるガ
ス抜きが可能である。
Further, the annular signal electrode 7 is not necessarily necessary, and gas can be removed from the face plate 6 and the vacuum envelope 5 by sufficient heating.

而もこの発明では加圧封着時間が短く、この結果、光導
電層9の劣化が避けられ、信頼性が著しく向上する。
Moreover, in the present invention, the pressure sealing time is short, and as a result, deterioration of the photoconductive layer 9 is avoided, and reliability is significantly improved.

又、従来の金属インジウム2を用いて封止した場合は、
この金属インジウム2がフェースプレート3の可成りの
面積まで拡散していたが、この発明では封着材18の拡
散面積は非常に少なく極めて有効である。
In addition, when sealed using conventional metal indium 2,
This metal indium 2 was diffused to a considerable area of the face plate 3, but in the present invention, the diffusion area of the sealing material 18 is very small and is extremely effective.

更に真空封正における雰囲気は、必ずしも不活性ガス雰
囲気でなくてもよいが、不活性ガス雰囲気の場合、不活
性ガスでターゲットを保護することによって更に高い融
点を有する封着材も使える。
Further, the atmosphere in vacuum sealing does not necessarily have to be an inert gas atmosphere, but in the case of an inert gas atmosphere, a sealing material having a higher melting point can be used by protecting the target with an inert gas.

或いは全面加熱を可能にし、装置及び作業の簡略化がで
きる。
Alternatively, the entire surface can be heated, and the equipment and work can be simplified.

以上説明したようにこの発明によれば、実用的価値大な
る撮像の製造方法管を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an imaging manufacturing method having great practical value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a,b,cは従来の撮像管における要部の組立工
程(真空封止工程)を示す断面図、第2図はこの発明の
一実施例に係る撮像管を示す断面図、第3図は第2図の
要部を拡大して示した断面図、第4図a,bはこの発明
の撮像管の製造方法におけるフェースプレートと真空外
囲器との真空封正に用いる封着材の一例を示す平面図と
断面図、第5図はこの発明の撮像管の製造方法における
フェースプレートと真空外囲器との真空封止法の1例を
示す断面図、第6図a,bは同じく他の例を示す断面図
、第7図は封着材の他の例を示す平面図、第8図は第7
図の封着材を用いたときのフェースプレートと真空外囲
器との真空封止法を示す断面図である。 5・・・・・・真空外囲器、6・・・・・・フェースプ
レート、7・・・・・・環状信号電極、8・・・・・・
透明導電層、9・・・・・・光導電層、10・・・・・
・光電変換ターゲット、18,32・・・・・・封着材
、24・・・・・・高周波加熱コイル、25・・・・・
・金属性ガイド(ブロックヒーター)、28・・・・・
・押し板(ブロックヒーター)。
1a, b, and c are cross-sectional views showing the assembly process (vacuum sealing process) of the main parts of a conventional image pickup tube; FIG. 2 is a cross-sectional view showing an image pickup tube according to an embodiment of the present invention; FIG. 3 is an enlarged sectional view of the main part of FIG. 2, and FIGS. 4a and 4b are seals used for vacuum sealing between the face plate and the vacuum envelope in the method for manufacturing an image pickup tube of the present invention. A plan view and a cross-sectional view showing an example of the material, FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the vacuum sealing method for the face plate and the vacuum envelope in the method of manufacturing an image pickup tube of the present invention, and FIGS. b is a sectional view showing another example, FIG. 7 is a plan view showing another example of the sealing material, and FIG. 8 is a sectional view showing another example of the sealing material.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of vacuum sealing a face plate and a vacuum envelope when using the sealing material shown in the figure. 5... Vacuum envelope, 6... Face plate, 7... Annular signal electrode, 8...
Transparent conductive layer, 9...Photoconductive layer, 10...
・Photoelectric conversion target, 18, 32...Sealing material, 24...High frequency heating coil, 25...
・Metallic guide (block heater), 28...
・Push plate (block heater).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 内面に光電変換ターゲットを形威したフェースプレ
ートを、筒状真空外囲器の開口端に真空封止してなる撮
像管において、Pb,Sn系にSb,Znを添加した環
状の封着材を、前記真空外囲器の開口端面と前記フェー
スプレートの間に挾持して圧力を加え乍ら前記封着材の
融点よりも低い温度に加熱して前記フェースプレートと
真空外囲器を真空封止することを特徴とする撮像管の製
造方法。 2 超音波振動を与え乍ら加熱する特許請求の範囲第1
項記載の撮像管の製造方法。 3 上記の加熱は高周波誘導加熱である特許請求の範囲
第1項記載の撮像管の製造方法。 4 上記加熱はブロックヒーターによる加熱である特許
請求の範囲第1項記載の撮像管の製造方法,5 上記封
着材に対向した2個以上の突出片を設け、この突出片に
通電加熱する特許請求の範囲第1項記載の撮像管の製造
方法。 6 超音波振動を与え乍ら加熱する特許請求の範囲第5
項記載の撮像管の製造方法。 7 上記フェースプレートと真空外囲器を不活性ガス雰
囲気中で真空封止した特許請求の範囲第1項記載の撮像
管の製造方法。
[Claims] 1. In an image pickup tube formed by vacuum-sealing a face plate with a photoelectric conversion target formed on the inner surface at the open end of a cylindrical vacuum envelope, Sb and Zn are added to the Pb and Sn system. The annular sealing material is sandwiched between the open end surface of the vacuum envelope and the face plate, and while applying pressure, it is heated to a temperature lower than the melting point of the sealing material, so that the face plate and the vacuum A method for manufacturing an image pickup tube, characterized in that the envelope is sealed in vacuum. 2 Claim 1 of heating while applying ultrasonic vibrations
A method for manufacturing an image pickup tube as described in Section 1. 3. The method of manufacturing an image pickup tube according to claim 1, wherein the heating is high-frequency induction heating. 4. A method for manufacturing an image pickup tube according to claim 1, wherein the heating is performed by a block heater; 5. A patent for providing two or more protruding pieces facing the sealing material, and heating the protruding pieces by energizing them. A method for manufacturing an image pickup tube according to claim 1. 6 Claim 5 of heating while applying ultrasonic vibrations
A method for manufacturing an image pickup tube as described in Section 1. 7. The method of manufacturing an image pickup tube according to claim 1, wherein the face plate and the vacuum envelope are vacuum-sealed in an inert gas atmosphere.
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