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JPS5838009B2 - Input/output isolated signal transmission circuit - Google Patents
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JPS5838009B2 - Input/output isolated signal transmission circuit - Google Patents

Input/output isolated signal transmission circuit

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Publication number
JPS5838009B2
JPS5838009B2 JP11921276A JP11921276A JPS5838009B2 JP S5838009 B2 JPS5838009 B2 JP S5838009B2 JP 11921276 A JP11921276 A JP 11921276A JP 11921276 A JP11921276 A JP 11921276A JP S5838009 B2 JPS5838009 B2 JP S5838009B2
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JP
Japan
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input
signal transmission
resistor
semiconductor switch
transmission circuit
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JP11921276A
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和男 加藤
隆志 佐瀬
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/38One-way transmission networks, i.e. unilines

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、耐ノイズ特性が改善された入出力絶縁型信号
伝送回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an input/output isolated signal transmission circuit with improved noise resistance.

従来、ホトカプラを用いた信号伝送回路が実用に供され
ているが、かかる信号伝送回路の特長は入出力間を電位
的に分離又は絶縁しうる点にある。
Conventionally, signal transmission circuits using photocouplers have been put into practical use, and the feature of such signal transmission circuits is that input and output can be electrically separated or insulated.

しかるに、従来のホトカプラ使用の信号伝送回路は、入
力側にノイズが加わった場合、入力電流で駆動される発
光素子が不所望に発光するため、出力側の受光素子から
誤った出力が取出されるという問題点を含んでいる. 本発明の目的は、かかる問題点を解決し、耐ノイズ特性
が改善された新規な信号伝送回路を提供することにある
However, in conventional signal transmission circuits using photocouplers, when noise is added to the input side, the light emitting element driven by the input current emits light undesirably, resulting in an incorrect output being taken out from the light receiving element on the output side. It includes the problem. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve these problems and provide a novel signal transmission circuit with improved noise resistance.

本発明の特徴の1つは、ホトカプラの発光素子に並列に
常閉型半導体スイッチを接続しておいて信号レベルより
低い入力電流をバイパスさせるとともに、信号レベル相
当の入力電流を検出してその検出信号で前記半導体スイ
ッチをオフするようにした点にある。
One of the features of the present invention is that a normally closed semiconductor switch is connected in parallel to the light emitting element of the photocoupler to bypass the input current lower than the signal level, and to detect the input current equivalent to the signal level. The semiconductor switch is turned off by a signal.

このようにすると、伝送されるべき信号レベル相当の入
力電流がほとんどすべて発光素子に切換って流れるので
、信号伝達効率をそこなうことなく耐ノイズ特性を向上
させうる。
In this way, almost all of the input current corresponding to the signal level to be transmitted is switched to the light emitting element, so that the noise resistance can be improved without impairing the signal transmission efficiency.

以下、図面に示す好ましい実施例について本発明を詳述
する。
The invention will now be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the drawings.

第1図は、本発明の一実施例によるデイジタル入力信号
伝送回路の回路構或図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a digital input signal transmission circuit according to an embodiment of the present invention.

第1図において、1,2が入力端子であり、3,4が出
力端子である。
In FIG. 1, 1 and 2 are input terminals, and 3 and 4 are output terminals.

入力端子1,2には長距離接続線Aを介して交流電源1
0,接点20からなる信号源が接続されている。
AC power supply 1 is connected to input terminals 1 and 2 via long-distance connection line A.
0, a signal source consisting of contacts 20 is connected.

また、入力端子1,2にはコンデンサ15,抵抗16か
らなる限流インピーダンスを介して全波整流回路30が
接続されている。
Further, a full-wave rectifier circuit 30 is connected to the input terminals 1 and 2 via a current-limiting impedance composed of a capacitor 15 and a resistor 16.

そして、全波整流回路30の出力側には抵抗31,コン
デンサ32からなる平滑回路、電流検出用抵抗45を介
してホトカプラ50の入力側発光ダイオード51が接続
されている。
A light emitting diode 51 on the input side of a photocoupler 50 is connected to the output side of the full-wave rectifier circuit 30 via a smoothing circuit consisting of a resistor 31 and a capacitor 32, and a current detection resistor 45.

さらに、発光ダイオード51の両端には半導体スイッチ
40のソース電極41とドレイン電極42とがそれぞれ
接続され、抵抗31,コンデンサ32からなる平滑回路
と抵抗45との接続点には半導体スイッチ40のゲート
電極43が接続されている。
Further, a source electrode 41 and a drain electrode 42 of a semiconductor switch 40 are connected to both ends of the light emitting diode 51, respectively, and a gate electrode of the semiconductor switch 40 is connected to a connection point between a smoothing circuit consisting of a resistor 31 and a capacitor 32 and a resistor 45. 43 is connected.

一方、出力端子3,4にはホトカプラ50の出力側受光
トランジスタ52が接続されている。
On the other hand, an output-side light-receiving transistor 52 of a photocoupler 50 is connected to the output terminals 3 and 4.

さらに、受光トランジスタ52のコレクタ(出力端子3
の接続点)は抵抗60を介して直流電源接続端子5に接
続されている。
Furthermore, the collector of the light receiving transistor 52 (output terminal 3
) is connected to the DC power supply connection terminal 5 via a resistor 60.

ここで、常時閉特性を有する半導体スイッチ40として
使用されるのは、デプレツション形の接合形電界効果ト
ランジスタであり、その特性の一例は、第2図に示され
ている。
Here, a depletion type junction field effect transistor is used as the semiconductor switch 40 having normally closed characteristics, and an example of its characteristics is shown in FIG.

第2図に?すような、ゲート゜ソース間電圧vGSがO
vでドレイン・ソース間抵抗RDSが数+Ω以下、4〜
5■で数100kΩ以上の抵抗値を示すスイッチ特性を
有する電界効果トランジスタを使用しうる,次に、以上
にような構成における第1図の回路の動作を説明する。
In figure 2? If the gate-source voltage vGS is O
V, the drain-source resistance RDS is several +Ω or less, 4~
A field effect transistor having switching characteristics exhibiting a resistance value of several hundreds of kΩ or more can be used.Next, the operation of the circuit shown in FIG. 1 in the above configuration will be explained.

まず、接点20が”開″状態で交流電源10の交流電圧
が入力端子1,2に印加されないとき(信号源が開信号
状態のとき)は、半導体スイッチ40のゲート電圧Vi
(抵抗45の両端の電圧)はほぼOなので、発光ダイオ
ード51は駆動(発光)されない状態にある。
First, when the contact 20 is in the "open" state and the AC voltage of the AC power supply 10 is not applied to the input terminals 1 and 2 (when the signal source is in the open signal state), the gate voltage Vi of the semiconductor switch 40 is
(The voltage across the resistor 45) is approximately O, so the light emitting diode 51 is not driven (emit light).

このような状態にあるとき、信号源側入力回路二線間に
発生する誘導ノイズ等が入力端子1,2に加わると、こ
のノイズ(交流)電圧はコンデンサ15,抵抗16から
なる限流インピーダンスを介して全波整流回路30で整
流され、抵抗31とコンデンサ32で平滑される。
In such a state, if inductive noise, etc. generated between the two lines of the input circuit on the signal source side is applied to the input terminals 1 and 2, this noise (AC) voltage will exceed the current limiting impedance consisting of the capacitor 15 and resistor 16. The signal is then rectified by a full-wave rectifier circuit 30 and smoothed by a resistor 31 and a capacitor 32.

そして、この平滑電圧により抵抗45を介して入力電流
Ii が流れるが、この入力電流のために抵抗45に
発生する電圧降下に等しいゲート電圧Vi が半導体ス
イッチ40のゲートスレツショホルド電圧Vtより低い
ならば、発光ダイオード51の両端は半導体スイッチ4
0のソースードレイン間の低いオン抵抗により短絡され
た状態を維持し、入力電流Iiは半導体スイッチ40に
よりバイパスされるため発光ダイオード51には流れず
、従って、ノイズによりホトカプラ50が誤動作して不
所望のノイズ伝送がなされることはなくなる。
This smoothed voltage causes an input current Ii to flow through the resistor 45, but if the gate voltage Vi, which is equal to the voltage drop generated across the resistor 45 due to this input current, is lower than the gate threshold voltage Vt of the semiconductor switch 40, then For example, both ends of the light emitting diode 51 are connected to the semiconductor switch 4.
The input current Ii is bypassed by the semiconductor switch 40 and therefore does not flow to the light emitting diode 51. Therefore, the photocoupler 50 malfunctions due to noise and fails. The desired noise transmission will no longer occur.

次に、接点20が”閉”状態となり、交流電圧が入力端
子1,2に印加されたとき(信号源が閉信号状態のとき
)には、ゲート電圧Viがスレッショホルド電圧Vtを
こえるので、半導体スイッチ40のソースードレイン間
はオフ状態(高抵抗状態)となり、抵抗45を介して流
れる入力電流Iiは半導体スイッチ40から発光ダイオ
ード51へ切換って流れる。
Next, when the contact 20 is in the "closed" state and AC voltage is applied to the input terminals 1 and 2 (when the signal source is in the closed signal state), the gate voltage Vi exceeds the threshold voltage Vt, so the semiconductor The source and drain of the switch 40 is in an off state (high resistance state), and the input current Ii flowing through the resistor 45 is switched from the semiconductor switch 40 to the light emitting diode 51 and flows.

第3図は、この電流切換動作を示すもので、ゲート電圧
Viがスレッショホルド電圧Vtに等しくなるまでは、
破線Aに示すように半導体スイッチ40を介して入力電
流Iiが流れるが、ゲート電圧ViがVtをこえると、
実線B,Cに示すように入力電流Iiは発光ダイオード
51を駆動し、これを発光させる。
FIG. 3 shows this current switching operation. Until the gate voltage Vi becomes equal to the threshold voltage Vt,
As shown by the broken line A, the input current Ii flows through the semiconductor switch 40, but when the gate voltage Vi exceeds Vt,
As shown by solid lines B and C, the input current Ii drives the light emitting diode 51, causing it to emit light.

入力電流Iiがどのようなレベルに達したときに半導体
スイッチ40から発光素子51へ電流を切換えるかにつ
いては、伝送したくないノイズレベルを考慮して抵抗4
5の値やスイッチ40のスレツショホルド値を種々選定
することにより適宜定めうるものである。
Regarding the level at which the input current Ii reaches to switch the current from the semiconductor switch 40 to the light emitting element 51, the resistor 4 is selected in consideration of the noise level that is not desired to be transmitted.
It can be determined as appropriate by selecting various values of 5 and the threshold value of the switch 40.

以上のように、本発明によれば、信号源側入力回路の二
線間に誘導するノイズや直流側のノイズに対して、半導
体スイッチ40をオフに要する入力電流Iiのレベルを
適宜設定することにより十分対処することができ、ノイ
ズを阻止し有用な信号のみを効率的に伝送することが可
能になる。
As described above, according to the present invention, the level of the input current Ii required to turn off the semiconductor switch 40 can be appropriately set with respect to the noise induced between the two lines of the signal source side input circuit and the noise on the DC side. This makes it possible to block noise and efficiently transmit only useful signals.

本発明は上記した実施例に限定されず、種々変形して実
施しえるものである。
The present invention is not limited to the embodiments described above, but can be implemented with various modifications.

例えば、半導体スイッチとしては、デプレツションモー
ドのPチャンネル接合形電界効果トランジスタを例示し
たが、その他これと同効を奏する絶縁ゲート型電界効果
トランジスタなどのスイッチ素子を使用することもでき
る。
For example, although a depletion mode P-channel junction field effect transistor has been exemplified as the semiconductor switch, other switch elements such as an insulated gate field effect transistor having the same effect as this may also be used.

また、電流検出用の素子として抵抗を用いる例を示した
が、ツエナーダイオードのような定電圧素子を用いるこ
ともできる。
Further, although an example is shown in which a resistor is used as a current detection element, a constant voltage element such as a Zener diode may also be used.

さらに、限流インピーダンスとして抵抗とコンデンサの
直列回路を例示したが、抵抗のみを用いてもよい。
Furthermore, although a series circuit of a resistor and a capacitor is illustrated as the current limiting impedance, only a resistor may be used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例によるデジタル入力信号伝
送回路を示す回路図、第2図は、第1図の回路で使用さ
れる半導体スイッチの制御電圧(■Gs)対抵抗( R
.DS )特性を示すグラフ、第3図は、第1図の回路
の動作を説明するための電圧(Vi)一電流(Ii)特
性図である。 符号の説明、1,2・・・・・・入力端子、3,4・・
・・・・出力端子、10・・・・・・交流電源、15,
16・・・・・・限流用のコンデンサ及び抵抗、20・
・・・・・接点、30・・・・・・全波整流回路、31
,32・・・・・・平滑用の抵抗及びコンデンサ、4
0・・・・・・半導体スイッチ、45・・・・・・電流
検出用抵抗、50・・・・・・ホトカプラ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a digital input signal transmission circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the control voltage (Gs) versus resistance (R) of the semiconductor switch used in the circuit of FIG.
.. FIG. 3 is a graph showing voltage (Vi) vs. current (Ii) characteristics for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 1. Explanation of symbols, 1, 2... Input terminal, 3, 4...
...Output terminal, 10...AC power supply, 15,
16... Current limiting capacitor and resistor, 20.
...Contact, 30...Full-wave rectifier circuit, 31
, 32... Smoothing resistor and capacitor, 4
0...Semiconductor switch, 45...Resistor for current detection, 50...Photocoupler.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ホトカプラを用いた入出力絶縁型信号伝送回路にお
いて、前記ホトカプラの発光素子に並列に常閉型半導体
スイッチを接続するとともに該発光素子の駆動電流が所
定レベルをこえたとき前記半導体スアツチがオフ状態と
されるように構成したことを特徴とする入出力絶縁型信
号伝送回路。
1. In an input/output isolated signal transmission circuit using a photocoupler, a normally closed semiconductor switch is connected in parallel to the light emitting element of the photocoupler, and when the drive current of the light emitting element exceeds a predetermined level, the semiconductor switch is turned off. An input/output isolated signal transmission circuit characterized in that it is configured to have the following characteristics.
JP11921276A 1976-10-04 1976-10-04 Input/output isolated signal transmission circuit Expired JPS5838009B2 (en)

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