JPS5840328B2 - コウブンシエレクトレツトノセイゾウホウ - Google Patents
コウブンシエレクトレツトノセイゾウホウInfo
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- JPS5840328B2 JPS5840328B2 JP14721475A JP14721475A JPS5840328B2 JP S5840328 B2 JPS5840328 B2 JP S5840328B2 JP 14721475 A JP14721475 A JP 14721475A JP 14721475 A JP14721475 A JP 14721475A JP S5840328 B2 JPS5840328 B2 JP S5840328B2
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- electret
- polarization
- temperature
- polymer
- noseizouhou
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Links
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Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子エレクトレットの製造法に関する。
高分子エレクトレットとは、周知のように、高分子を誘
電体とし、特殊な分極処理により永久的にその内部に電
荷を残留するものを称している。
電体とし、特殊な分極処理により永久的にその内部に電
荷を残留するものを称している。
高分子材料を特に用いる利点は、一般に高分子材料が可
撓性に富みフィルム化し易いことから、機械−電気変換
素子として形状の上で効果的に用いることが可能な点に
ある。
撓性に富みフィルム化し易いことから、機械−電気変換
素子として形状の上で効果的に用いることが可能な点に
ある。
高分子エレクトレットは、実際すでにエレクトレットマ
イクロホン、エレクトレットヘッドホンとして実用化さ
れている。
イクロホン、エレクトレットヘッドホンとして実用化さ
れている。
エレクトレットに用いられる高分子材料は、フッ化エチ
レン−プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン等の高分子
である。
レン−プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン等の高分子
である。
エレクトレットの性能は、表面電荷密度とその安定性で
評価する。
評価する。
表面電荷密度は高い程良く、しかも長期間、電荷を保持
したまま安定することが望ましい。
したまま安定することが望ましい。
表面電荷密度は分極条件により決定され、その分極条件
は、用いる高分子材料の種類により異なる。
は、用いる高分子材料の種類により異なる。
高分子をエレクトレット化する方法は、熱エレクトレツ
ト法、ラジオエレクトレット法等、考えられているが、
熱エレクトレツト法が通常用いられている。
ト法、ラジオエレクトレット法等、考えられているが、
熱エレクトレツト法が通常用いられている。
高分子の熱エレクトレットの製造方法は、使用する高分
子フィルムを２つの平板電極ではさみ、直流電圧（■Ｐ
：分極電圧と称す）を印加したまま、ある温度（Ｔｐ：
分極温度と称す）まで昇温し、ある時間（ｔＰ：分極時
間と称す）その温度に保持した後降温して、電圧を取り
除くという方法が一般である。
子フィルムを２つの平板電極ではさみ、直流電圧（■Ｐ
：分極電圧と称す）を印加したまま、ある温度（Ｔｐ：
分極温度と称す）まで昇温し、ある時間（ｔＰ：分極時
間と称す）その温度に保持した後降温して、電圧を取り
除くという方法が一般である。
この操作により、高分子フィルム中に永久的に電荷が保
持され、エレクトレットを得る。
持され、エレクトレットを得る。
ゆえに熱エレクトレツト方法ではエレクトレットの表面
電荷密度は、ＶＰ、ＴＰそしてｔ、の３つの条件により
左右される。
電荷密度は、ＶＰ、ＴＰそしてｔ、の３つの条件により
左右される。
本発明は、使用する高分子材料として、ポリ（３，３−
ビス（クロロメチル）オキサシクロブタン〕を主成分と
する材料に限り、そのエレクトレット化条件の内の分極
温度に関するものである。
ビス（クロロメチル）オキサシクロブタン〕を主成分と
する材料に限り、そのエレクトレット化条件の内の分極
温度に関するものである。
本発明者は、ポリ〔３，３ビス（クロロメチル）オキサ
シクロブタン〕のフィルムを同一の分極電圧で、同一の
分極時間エレクトレット化する場合、分極温度が７０’
Ｃ〜１４５°Ｃの範囲と、１４５°Ｃ以上の範囲では、
保持される表面電荷密度が異なることを見い出した。
シクロブタン〕のフィルムを同一の分極電圧で、同一の
分極時間エレクトレット化する場合、分極温度が７０’
Ｃ〜１４５°Ｃの範囲と、１４５°Ｃ以上の範囲では、
保持される表面電荷密度が異なることを見い出した。
すなわち、７０℃〜１４５℃では、表面電荷密度が大き
く、１４５°Ｃ以上では温度が高くなるにつれて表面電
荷密度が減少する。
く、１４５°Ｃ以上では温度が高くなるにつれて表面電
荷密度が減少する。
ちなみに図面に表面電位と分極温度との関係を示す。
この分極条件は、ｖＰが５００ボルト、ｉｐは２時間で
あり、使用したポＩＪ （３、３−ビス（クロロメチル
）オキサシクロブタン〕のフィルム厚さはｉｏｏμｍで
ある。
あり、使用したポＩＪ （３、３−ビス（クロロメチル
）オキサシクロブタン〕のフィルム厚さはｉｏｏμｍで
ある。
この現象の原因は不明であるが、１４５°Ｃ近傍でポリ
（３，３−ビス（クロロメチル）オキサシクロブタン〕
の結晶がβ型からγ型に転位することに関連しているも
のと思われる。
（３，３−ビス（クロロメチル）オキサシクロブタン〕
の結晶がβ型からγ型に転位することに関連しているも
のと思われる。
以上のようにポリ〔３，３−ビス（クロロメチルル）オ
キサシクロブタン〕をエレクトレット化する条件の内分
極温度が７０°Ｃ〜１４５℃の範囲で高い表面電荷密度
をもつエレクトレットを得ることが可能である。
キサシクロブタン〕をエレクトレット化する条件の内分
極温度が７０°Ｃ〜１４５℃の範囲で高い表面電荷密度
をもつエレクトレットを得ることが可能である。
この効果は、分極電圧、分極時間の岡崎間に依存しない
。
。
またフィルムの厚さ、用いる材料の形状に限定はない。
なお７０℃以下では分極時間に長時間を要し、実用的で
ない。
ない。
次に本発明の実施例について説明する。
１００μｍ厚さのポリ〔３，３−ビス（クロロメチル）
オキサシクロブタン〕（ベントン；バーキュレス・パウ
ダー社の商品名）のフィルムを直径７ｃｒ／Ｌの平板電
極間にはさみ、直流電圧５００ボルトを印加し、急速に
１１５°Ｃまで昇温し、２時間保持した後、室温（約２
５°Ｃ）まで除冷する。
オキサシクロブタン〕（ベントン；バーキュレス・パウ
ダー社の商品名）のフィルムを直径７ｃｒ／Ｌの平板電
極間にはさみ、直流電圧５００ボルトを印加し、急速に
１１５°Ｃまで昇温し、２時間保持した後、室温（約２
５°Ｃ）まで除冷する。
このエレクトレットの表面電位は６１０ボルトであった
。
。
また同様の条件で１５８℃で分極したものは表面電位が
４４０ボルトであった。
４４０ボルトであった。
以上のように本発明の製造法によれば、表面電荷密度の
大きい安定性のよいエレクトレットを得ることができる
ものである。
大きい安定性のよいエレクトレットを得ることができる
ものである。
図面はエレクトレットの分極温度に対する表面電位の特
性図である。
性図である。
Claims (1)
- １ ポＩＪ （３、３−ビス（クロロメチル）オキサシ
クロブタン〕の熱エレクトレットのエレクトレット化条
件において、分極温度が７０°Ｃ〜１４５℃の範囲内で
あることを特徴とする高分子エレクトレットの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14721475A JPS5840328B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | コウブンシエレクトレツトノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14721475A JPS5840328B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | コウブンシエレクトレツトノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5270397A JPS5270397A (en) | 1977-06-11 |
| JPS5840328B2 true JPS5840328B2 (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=15425140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14721475A Expired JPS5840328B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | コウブンシエレクトレツトノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840328B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192527U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-16 |
-
1975
- 1975-12-09 JP JP14721475A patent/JPS5840328B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192527U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5270397A (en) | 1977-06-11 |
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