JPS5841591B2 - 磁気バブルメモリ用パタ−ン転写マスクの欠陥修正方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ用パターン転写マスクの欠陥
修正方法に関し、特に磁気バブルの転送パターンを形成
するときに用いるパターン作製用転写マスクの欠陥修正
方法に関するものである。

一般に磁気バブルメモリは、非磁性のＧ−Ｇ−Ｇ（ガド
リウム・ガリウム・ガーネット）結晶等の基板上にエピ
タキシャル成長させた磁性薄膜単結晶表面上にハードバ
ブル「異常バブル）抑制のためのパーマロイ等の軟強磁
性体（ハードバブル抑制膜）が蒸着等の方法で積層され
、さらにその上面には磁気バブル制御用回路としての磁
気バブル発生回路、磁気バブル転送回路等の薄膜層およ
び上記回路群の配線層からなる導体層が各々の層間に二
酸化シリコン膜（Ｓ １０２ ）の絶縁層を介在させて
構成されている。

そして、この軟強磁性体薄膜パターンに磁気バブルを発
生、転送などをさせることによって所望の情報の書き込
み、記憶および読み出し等を行なっている。

ここで、上記非磁性体の基板上に磁気バブルを転送させ
る微細なパターンの作製は、まず、微細パターンのパタ
ーン転写マスク例えばホトマスクを作り、次にこのホト
マスクを用いてホトリソグラフィー技術によって行なっ
ている。

したがって、基板上に形成される微細パターンは、ホト
マスク上に作製した微細パターンと同一形状のものにな
る。

そして、上記ホトマスクは、次のようにして作製する。

すなわち、まず作りたい微細パターンの１０倍の大きさ
のパターンを作成する。

このパターンは、レチクルパターンと呼ばれ、パターン
。

ジェネレータと称する装置を用いて作られる。

次に、このレチクルパターンをホトレピータと称する装
置にかけることにより目的とするホトマスクが作られる
。

ここで、ホトレピータはレチクル上のパターンを１０分
の１に縮小し、実寸大の微細パターンをホトマスク上に
繰返し配列形成する。

第１図はメジャーマイナ一方式の転送パターン、特にマ
イナーループの転送パターン作製用ホトマスクの一例を
示す要部拡大平面図である。

同図において、１はホトマスクであり、このホトマスク
１の表面にはＴパターン２ａ、Ｉパターン２ｂからなる
微細なＴＩパターン２が順次所定の配列に並設されて転
送ループが形成されている。

このように形成された転送パターン作製用ホトマスクは
、パターン作成時に微細なＴＩパターン２のループ上に
同図に円形状に示したように不要な残存欠陥３が生ずる
と、この転送ループのパターンを欠陥ループとして処理
できず、これによってチップ不良が発生する。

これはチップ完成時チツブをメモリ動作させると、上記
残存欠陥３から意図しない磁気バブルが発生することが
あり、メモリ動作不良となるためである。

つまり、ホトマスク１上に上記残存欠陥３があると、確
実にウェーハ上に転写されることになる。

したがって、従来では、上記残存欠陥を修正するには、
一般的に公知な技術であるスポット露光あるいはレーザ
ービーム等により正常パターンになるべく近づけるよう
な修正方法を採用していた。

したがって、第１図に示したような不要残存欠陥３をス
ポット露光で修正する場合には、同図にイ〜ルの記号で
示した１１個所の領域に１回づつ最低１１回のスポット
露光操作を行なっていた。

このためにその不要残存欠陥３の修正に多くの時間を要
するなどの欠点を有していた。

また、現状でもＴパターン２ａと■パターン２ｂとの隙
間は約１．３μ扉有し、これをスポット露光により正確
に修正するのは極めて困難であった。

また仮に隙間が切れたとしても、第２図に記号Ａで示し
たように隙間が広がり磁気バブルの転送マージン不良と
なる。

また、同図に記号Ｂで示したように、隙間が切れずに繋
がっているような場合は同じく転送不良となる。

したがって、不要残存欠陥３に修正を施してもほとんど
のチップは特性不良となってしまう。

さらには、今後磁気バブル径が約１μｍ以下となった場
合、Ｔパターン２ａと■パターン２ｂ間の隙間は約０．
５μ扉程度となり、その修正は全く不可能となってしま
うなどの欠点を有している。

したがって、本発明の目的は上記の欠点を除去するため
になされたものであり、上記不要残存欠陥を正確にかつ
短時間に修正できるようにした磁気バブルメモリ用パタ
ーン転写マスクの欠陥修正方法を提供することにある。

このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ用パターン転写マスクの欠陥修正方法は、不要
残存欠陥を有するループを欠陥ループとして処理される
ことを前提として従来とは発想を異にした方法で修正す
るものである。

すなわち、不要残存部を含むその周辺を全て除去するよ
うにしたものである。

以下、図面を用いて本発明による磁気バブルメモリ用パ
ターン転写マスクの欠陥修正方法について詳細に説明す
る。

第３図ａ、ｂは本発明による磁気バブルメモリ用パター
ン転写マスクの欠陥修正方法、特にホトマスクの欠陥修
正方法の一例を説明するためのホトマスクの要部平面図
であり、第１図と同記号は同一要素となるのでその説明
は省略する。

同図ａにおいて、まず、パターン転写マスクとしてホト
マスク上面の転送パターン上に発生した不要残存欠陥３
を含むその外周を点線の枠で囲った範囲に公知の技術で
あるスポット露光法により除去する。

この場合、除去した後の転送ループのパターンは同図す
に示したようになる。

このとき、該転送ループとその両側の転送ループ、合計
３本の転送ループが欠陥ループとなるが、チップ不良と
はならず、この３本の転送ループを欠陥ループとして処
理し、使用不能の状態にさせたものである。

このような欠陥修正方法によれば、従来最低１１回行な
う必要があったスポット露光を１回で済ませることがで
きるとともに、スポットの合わせが粗くても良いので、
その修正時間を大幅に短縮させることができる。

ここで、上記メジャーマイナ一方式の転送ループにおい
て、マイナーループは所定の転送ループ数に対して欠陥
ループを生じた場合の予備として複数個の同様の転送ル
ープが形成されているため、この予備のループを欠陥ル
ープの代りに使用できるので実用上は全く問題とならな
い。

なお、上記欠陥修正方法は、単純シフト型の転送パター
ンに使用することができないが、この単純シフト型にお
いて特に多数個の単純シフト型のループを有し、リダン
ダンシーがある場合には適用できる。

なお、上記実施例においては、マスクパターンとしてＴ
Ｉパターンを用いた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、ＹＩパターン、シェフ
ロンパターンあるいはハーフディスクパターン等を用い
た転送パターンに適用しても前述と全く同様の効果が得
られる。

また、サブミクロンバブル用のマスクの場合、１ビツト
は約４μ扉角に対しその隙間は約０．５μ扉程度である
ため、正常パターンに近づける修正方法は全く不可能で
あり、上記実施例と同様の方法で修正を行なうことがで
きる。

また、上記実施例においては、パターン転写マスクとし
てホトマスクを用いた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、電子線あるいはＸ線
を用いる他の転写用マスクを用いても前述と同様の効果
が得られる。

以上説明したように本発明による磁気バブルメモリチッ
プ用パターン転写マスクの欠陥修正方法によれば、パタ
ーン上に発生した不要残存欠陥の修正時間を大幅に短縮
させることができるとともに、その修正を確実に行なえ
るため、転送マージンの不良に伴なって発生する緒特性
の不良が皆無となり、信頼性を大幅に向上させることが
できる。

さらには、転送ループの高密度化にともなうパターン間
の隙間が約１μｍ以下と小さくなったとき、その欠陥に
対する修正が極めて容易に行なうことができるなどの優
れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリチップの転送パターン作成用
ホトマスクの一例を示す要部拡大平面図、第２図は従来
の方法でホトマスク上のパターンを修正した一例を示す
要部拡大平面図、第３図ａ。 ｂは本発明による磁気バブルメモリチップ用パターン転
写マスクの欠陥修正方法特にホトマスクの欠陥修正方法
の一例を説明するためのホトマスクの要部拡大平面図で
ある。 １・・・・・・ホトマスク、２ａ・・・・・・Ｔパター
ン、２ｂ・・・・・・Ｉパターン、２・・・・・・ＴＩ
パターン、３・・・・・・残存欠陥。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気バブル転送用パターンが形成されたパターン転
   写マスクにおいて、前記転送パターン上の不要残存欠陥
   を修正するとき、前記残存欠陥を含むその周辺部を全部
   除去するようにしたことを特徴とする磁気バブルメモリ
   用パターン転写マスクの欠陥修正方法。