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JPS5844246B2 - semiconductor equipment - Google Patents
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JPS5844246B2 - semiconductor equipment - Google Patents

semiconductor equipment

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Publication number
JPS5844246B2
JPS5844246B2 JP52066926A JP6692677A JPS5844246B2 JP S5844246 B2 JPS5844246 B2 JP S5844246B2 JP 52066926 A JP52066926 A JP 52066926A JP 6692677 A JP6692677 A JP 6692677A JP S5844246 B2 JPS5844246 B2 JP S5844246B2
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constant voltage
voltage
electronic circuit
electronic
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JP52066926A
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信雄 下間
義昭 松浦
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Nippon Precision Circuits Inc
Seiko Instruments Inc
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Nippon Precision Circuits Inc
Seiko Instruments Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関し、更に詳細には電池等によっ
て供給される電圧の変動によらず安定な電圧を供給する
定電圧回路を有した半導体装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a constant voltage circuit that supplies a stable voltage regardless of fluctuations in voltage supplied by a battery or the like.

商用電力を用いない電子装置には、その電力供給源とし
て酸化銀電池等が用いられている。
Silver oxide batteries and the like are used as power supply sources for electronic devices that do not use commercial power.

酸化銀電池、あるいは水銀電池は、放電特性が極めて良
好であるため、通常かかる電池を用いた電子装置には、
供給電歪を安定化する回路を備えていないものが多い。
Silver oxide batteries or mercury batteries have extremely good discharge characteristics, so electronic devices that use such batteries usually have
Many of them do not have a circuit to stabilize the supplied electric distortion.

一方、上記した電池は放電特性が良好である反面、エネ
ルギー密度が低く、十分長時間に及ぶ使用が困難である
On the other hand, although the above-mentioned batteries have good discharge characteristics, they have low energy density and are difficult to use for a sufficiently long period of time.

かかる電池に代って、例えばエネルギー密度の高いリチ
ウム電池、あるいは太陽エネルギーを用いた太陽電池等
が提案されているが、これ等の電池は、電圧変動が比較
的大きく、また、リチウム電池においては起電力が2.
8■と高電圧である。
In place of such batteries, for example, lithium batteries with high energy density or solar batteries that use solar energy have been proposed, but these batteries have relatively large voltage fluctuations, and lithium batteries have The electromotive force is 2.
It is a high voltage of 8■.

このような高エネルギー密度の電池を用いる場合、半導
体装置に要求されることは、電池電圧によらず安定に動
作することであり、また、使用時間を長くするために、
必要以上に高い電圧で回路を動作させないことである。
When using such a high energy density battery, the semiconductor device is required to operate stably regardless of the battery voltage, and in order to extend the usage time,
Avoid operating circuits at higher voltages than necessary.

本発明は、リチウム電池等の電圧変動に対して電子回路
が安定に動作するように各電子回路に対して最適電圧を
供給する複数の定電圧回路を備えると共に、動作電圧レ
ベルの低い電子回路には、動作電圧レベルの高い電子回
路に電圧を供給する出力電圧の高い定電圧回路の出力が
供給される定電圧回路の出力を供給する構成をなし電力
の消費を低減することができる半導体装置を提供するも
ので、以下、図示した実施例に基づき、その詳細を説明
する。
The present invention includes a plurality of constant voltage circuits that supply optimal voltages to each electronic circuit so that the electronic circuit operates stably against voltage fluctuations in lithium batteries, etc. is a semiconductor device that is configured to supply the output of a constant voltage circuit with a high output voltage that supplies voltage to an electronic circuit with a high operating voltage level, and is capable of reducing power consumption. Hereinafter, the details will be explained based on the illustrated embodiments.

本発明に従う半導体装置の一実施例を示す第1図におい
て、符号1は出力電圧の高い定電圧回路で、定電圧回路
1には、リチウム電池等の電池2が接給され、電力の供
給がなされている。
In FIG. 1 showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, reference numeral 1 denotes a constant voltage circuit with a high output voltage, and a battery 2 such as a lithium battery is connected to the constant voltage circuit 1 to supply power. being done.

定電圧回路2から出力される高い定電圧は、高い動作電
圧レベルを有する電子回路3に最適電圧として供給され
ると共に、上記定電圧回路1の出力電圧に比較して出力
電圧が低い定電圧回路4に供給される。
The high constant voltage output from the constant voltage circuit 2 is supplied as an optimum voltage to the electronic circuit 3 having a high operating voltage level, and the constant voltage circuit has a lower output voltage than the output voltage of the constant voltage circuit 1. 4.

定電圧回路4の出力は動作電圧レベルの低い電子回路5
に最適電圧として供給される。
The output of the constant voltage circuit 4 is an electronic circuit 5 with a low operating voltage level.
is supplied as the optimum voltage.

第2図は第1図における定電モ回路1およびその出力重
臣が供給される電子回路3の一具体例を示す回路図で、
定電圧回路1は、ゲートが接地されたPチャネルMOS
トランジスタ(以下、P−MO8Tと称する)6と、P
−MO8T 6のドレインにソースが接続されたP−M
O8T7と、P−MO8Tγのドレインおよびゲートに
ドレインとゲートが共通接続されたNチャネルMOSト
ランジスタ(以下、N−MO8Tと称する)8と、N−
MO8T8のソースにアノー肋S接続されると共に、カ
ソードが接地されたダイオード9と、P−MO8T6の
ドレインおよびP−MO8T7のソースにベースが接続
されたバイポーラ型のトランジスタ(以下、単にトラン
ジスタと称する)10とから構成され、P−MO8T6
のソースおよびトランジスタ10のコレクタには電池2
から電圧が供給されている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific example of the constant voltage motor circuit 1 in FIG. 1 and the electronic circuit 3 to which its output chief is supplied.
The constant voltage circuit 1 is a P-channel MOS whose gate is grounded.
Transistor (hereinafter referred to as P-MO8T) 6 and P
-P-M whose source is connected to the drain of MO8T 6
O8T7, an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as N-MO8T) 8 whose drain and gate are commonly connected to the drain and gate of P-MO8Tγ, and N-
A diode 9 whose cathode is connected to the source of MO8T8 and whose cathode is grounded, and a bipolar transistor (hereinafter simply referred to as a transistor) whose base is connected to the drain of P-MO8T6 and the source of P-MO8T7. 10, P-MO8T6
A battery 2 is connected to the source of the transistor 10 and the collector of the transistor 10.
Voltage is supplied from.

一方、動作電圧レベルが電子回路5に比較して高い電子
回路3は、例えば図示のように、P−MO8TI 1.
12とN−MO8T13.14とから戊るインバータ1
5から構成されている。
On the other hand, the electronic circuit 3 whose operating voltage level is higher than that of the electronic circuit 5 is, for example, as shown in the figure, P-MO8TI 1.
Inverter 1 from 12 and N-MO8T13.14
It consists of 5.

かかる構成をなした定電圧回路1は、P−MO8T7、
N−MO8T8、ダイオード9によって所定の基準電圧
を発生し、トランジスタ10によって、インバータ15
に定電圧を供給する。
The constant voltage circuit 1 having such a configuration includes P-MO8T7,
A predetermined reference voltage is generated by N-MO8T8 and diode 9, and inverter 15 is generated by transistor 10.
Supply constant voltage to.

またインパーク15は、上記定電圧が供給されて所定の
動作を行なう。
Further, the impark 15 is supplied with the above-mentioned constant voltage and performs a predetermined operation.

尚、定電圧回路1を構成する各素子6〜10および電子
回路3を構成するインバータ15は同一基板に形成され
るものである。
Incidentally, each of the elements 6 to 10 constituting the constant voltage circuit 1 and the inverter 15 constituting the electronic circuit 3 are formed on the same substrate.

従って、P−MO8T7とP−MO8T12およびN−
MO8T8とN−MO8T13の各スレッショルド電圧
を等しくすることができ最小の電力でインバータ15を
動作させるための最適な動作電圧を定電圧回路1が電子
回路3に供給することができる。
Therefore, P-MO8T7 and P-MO8T12 and N-
The threshold voltages of MO8T8 and N-MO8T13 can be made equal, and constant voltage circuit 1 can supply electronic circuit 3 with the optimum operating voltage for operating inverter 15 with minimum power.

第3図は第1図における定電圧回路4と、電子回路5の
一具体例を示す回路図で、定電圧回路4は、第2図に示
した定電圧回路1と同様の回路構成をなしている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of the constant voltage circuit 4 and the electronic circuit 5 in FIG. 1. The constant voltage circuit 4 has the same circuit configuration as the constant voltage circuit 1 shown in FIG. ing.

すなわち、P−MO8T16 。17、N−MO8T1
8.19、トランジスタ20とから構成されている。
That is, P-MO8T16. 17, N-MO8T1
8.19 and a transistor 20.

定電圧回路1を構成する各素子16〜20のスレッショ
ルド電圧は、例えばイオンインプランテーション等を用
いて定電圧回路1の各素子6〜10に比較して低く設定
されている。
The threshold voltage of each of the elements 16 to 20 constituting the constant voltage circuit 1 is set lower than that of each of the elements 6 to 10 of the constant voltage circuit 1 using, for example, ion implantation.

また、電子回路5は、P−MO8T21.22、N−M
O8T23.24から戊るインバータ25と、その入出
力側に接続されるN−MO8T26と、抵抗27、水晶
振動子28、コンデンサ29,30とから構成された発
振回路31を備えている。
Moreover, the electronic circuit 5 is P-MO8T21.22, N-M
The oscillation circuit 31 includes an inverter 25 connected to the O8T23, 24, an N-MO8T26 connected to its input/output side, a resistor 27, a crystal oscillator 28, and capacitors 29, 30.

上記インバータ25を構成するP−MO8T21.22
.N−MO8T23 。
P-MO8T21.22 constituting the above inverter 25
.. N-MO8T23.

24およびN−MO8T26のスレッショルド電圧は、
定電圧回路4の各素子16〜20のスレッショルド電圧
と等しく設計されている。
The threshold voltage of 24 and N-MO8T26 is
It is designed to be equal to the threshold voltage of each element 16 to 20 of the constant voltage circuit 4.

このため、定電圧回路1から供給される電圧によって定
電圧回路4からは、上記電圧より更に低く、かつ、発振
回路31の動作電圧に近い定電圧が出力される。
Therefore, the voltage supplied from the constant voltage circuit 1 causes the constant voltage circuit 4 to output a constant voltage that is lower than the above voltage and close to the operating voltage of the oscillation circuit 31.

従って、発振回路31には、二重に安定化された電圧が
供給されるため、発振回路31は電池電圧の変動によら
ず極めて安定な動作を行なう。
Therefore, since the oscillation circuit 31 is supplied with a doubly stabilized voltage, the oscillation circuit 31 performs extremely stable operation regardless of fluctuations in battery voltage.

また、定電圧回路1の出力を用いて更に低い電圧を出力
する定電圧回路4を備えた構成をなしているため、電池
電圧を用いて、各々異なる定電圧を得る定電圧回路を備
える方式に比較して不要な電力の消費、すなわち各定電
圧回路自身の電力消費を低減させることができる。
In addition, since the configuration includes a constant voltage circuit 4 that outputs an even lower voltage using the output of the constant voltage circuit 1, it is possible to use a system that includes constant voltage circuits that each obtain a different constant voltage using the battery voltage. In comparison, unnecessary power consumption, that is, power consumption of each constant voltage circuit itself can be reduced.

尚、定電圧回路1に電子回路3の他に定電圧回路4およ
び電子回路5を負荷回路として接続するため、定電圧回
路1のトランジスタ10の電流増幅率を高くすることが
望まれるが、そのためには、例えばトランジスタ10の
コレクタ領域の不純物濃度を高くしてペースコレクタ間
の空乏層容量を少なくしたり、あるいはベース領域の不
純物濃度を低くしてベース領域におけるキャリアのライ
フタイムを長くすることによって実現できる。
In addition, in addition to the electronic circuit 3, the constant voltage circuit 4 and the electronic circuit 5 are connected to the constant voltage circuit 1 as load circuits, so it is desirable to increase the current amplification factor of the transistor 10 of the constant voltage circuit 1. For example, by increasing the impurity concentration in the collector region of the transistor 10 to reduce the depletion layer capacitance between the pace collectors, or by decreasing the impurity concentration in the base region to lengthen the lifetime of carriers in the base region. realizable.

また、これはトランジスタ20についても同様に実施で
きる。
Further, this can be implemented similarly for the transistor 20.

以上、本発明に従う半導体装置の一実施例を図示して、
その詳細を説明してきたが、例えば第4図に示すように
構成することもできる。
An embodiment of the semiconductor device according to the present invention has been illustrated above,
Although the details have been explained above, it is also possible to configure it as shown in FIG. 4, for example.

すなわち、3個の動作電圧レベルの異なる電子回路32
.33゜34に対して、各々定電圧回路35,36,3
7を備え、定電圧回路35では、電池38の電池型EV
That is, three electronic circuits 32 with different operating voltage levels
.. For 33°34, constant voltage circuits 35, 36, 3, respectively.
7, and in the constant voltage circuit 35, the battery type EV of the battery 38
.

が供給され、第1の定電EV、を出力し電子回路32に
供給すると共に定電圧回路36に供給する。
is supplied, and outputs a first constant voltage EV, which is supplied to the electronic circuit 32 and also supplied to the constant voltage circuit 36.

定電圧回路36は、第2の定電圧■2を出力し、電子回
路33と、定電圧回路37に供給する。
The constant voltage circuit 36 outputs a second constant voltage (2) and supplies it to the electronic circuit 33 and the constant voltage circuit 37.

定電圧回路37は、第3の定電rIEV3を出力し、電
子回路34に供給する。
The constant voltage circuit 37 outputs the third constant voltage rIEV3 and supplies it to the electronic circuit 34.

尚、上記各電正は、 ■o〉■1 〉■2〉■3 で示すような関係になっていることは理解され得よう。In addition, each of the above-mentioned densho is ■o〉■1 〉■2〉■3 It can be understood that the relationship is as shown in .

また、第5図は、更に他の実施例を示す図で、電池39
の電EV1oが供給される定電圧回路40を備えている
Further, FIG. 5 is a diagram showing still another embodiment, in which the battery 39
It is equipped with a constant voltage circuit 40 to which electric power EV1o is supplied.

定電圧回路40から出力される定電EV11は、電子回
路41と、定電圧回路42゜43に供給され、定電圧回
路42で出力される定電圧■12は電子回路44に、定
電圧回路43から出力される定電E V 13は電子回
路、45に各々供給される。
The constant voltage EV11 outputted from the constant voltage circuit 40 is supplied to the electronic circuit 41 and the constant voltage circuits 42 and 43, and the constant voltage 12 outputted from the constant voltage circuit 42 is supplied to the electronic circuit 44 and the constant voltage circuit 43. The constant voltage E V 13 outputted from is supplied to the electronic circuit 45, respectively.

図示の実施例では、電子回路44 、45の動作電圧レ
ベルが接近してる場合に特に効果的であることは理解さ
れ得よう。
It will be appreciated that the illustrated embodiment is particularly advantageous if the operating voltage levels of the electronic circuits 44, 45 are close.

以上、図示した実施例に基づき本発明の詳細な説明して
きたが、本発明は図示の実施例に限定されるものではな
く、種々の変更あるいは改良がなされ得るものである。
Although the present invention has been described above in detail based on the illustrated embodiments, the present invention is not limited to the illustrated embodiments, and various changes and improvements can be made.

例えば実施例ではMOSトランジスタとバイポーラトラ
ンジスタとダイオードによって定電圧回路1,4を構成
しているが、必要に応じてすべての素子をMOSトラン
ジスタ、あるいはバイポーラトランジスタとすることも
でき、また、電子回路としても発振回路31あるいはイ
ンバータ15に限らず他のゲート回路やフリップフロッ
プ回路1.駆動回路等が含まれるものである。
For example, in the embodiment, the constant voltage circuits 1 and 4 are composed of MOS transistors, bipolar transistors, and diodes, but if necessary, all the elements can be MOS transistors or bipolar transistors. It is not limited to the oscillation circuit 31 or the inverter 15, but also other gate circuits and flip-flop circuits 1. This includes a drive circuit, etc.

また、基準電歪を発生する場合にスレッショルド重臣を
用いているが、スレッショルド重上のコントロールモ、
イオンインプランテーションに限らず、ゲート膜厚を変
化させたり、Pウェルの濃度を変えることによって行な
え、また、他のツェナ電正を発生する素子を用いてもよ
い。
In addition, when generating reference electrostriction, a threshold controller is used, but a control module above the threshold,
This is not limited to ion implantation, and can be performed by changing the gate film thickness or the concentration of the P well, or other elements that generate Zener electrons may be used.

上述したように、本発明に従う半導体装置は、出力重上
の低い定電圧回路に、出力重上の高い定電圧回路の出力
重臣を供給する構成をなしているため、低い電正で動作
する電子回路の供給電歪が二重に安定化され、電池電歪
の変動によらず安定となり、リチウム電池、あるいは太
陽電池等の利用が容易であり、また、各動作重上を出力
するために電池から直接電力供給を受ける複数の定電圧
回路を備えたものに比較して、低い定電圧を出力する定
電圧回路自身で消費される不要電力を低減することがで
きる等、電圧に動作の安定度が左右される電子回路の採
用が容易になると共に比較的放電特性の悪い電力源を用
いることが可能となり、十分に所期の目的を達成し得、
実施上多大な効果を奏する。
As described above, the semiconductor device according to the present invention has a configuration in which the output of the constant voltage circuit with a higher output load is supplied to a constant voltage circuit with a lower output load. The electrostriction supplied to the circuit is doubly stabilized, making it stable regardless of fluctuations in battery electrostriction, making it easy to use lithium batteries or solar cells. Compared to a device with multiple constant voltage circuits that receive power directly from It becomes easier to adopt electronic circuits that are influenced by electrical discharge characteristics, and it also becomes possible to use power sources with relatively poor discharge characteristics, so that the intended purpose can be fully achieved.
It has a great effect on implementation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に従う半導体装置の一実施例を示すブロ
ック図、第2図は第1図における1つの定電圧回路およ
び電子回路の一具体例を示す回路図、第3図は第1図に
おける他の定電圧回路および電子回路の具体例を示す回
路図、第4図は本発明に従う他の実施例を示すブロック
図、第5図は同半導体装置の更に他の実施例を示すブロ
ック図である。 1.4,35,36,37,40,42,43・・・定
電圧回路、2,3B、39・・・電池、3,5゜32.
33,34,41.44.45・・・電子回路、6〜8
・・・定電圧回路1の一部を構成するMOSトランジス
タ、15・・・電子回路3を構成するインバータ、31
・・・電子回路5に含まれる発振回路。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific example of one constant voltage circuit and an electronic circuit in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment according to the present invention, and FIG. 5 is a block diagram showing still another embodiment of the semiconductor device. It is. 1.4, 35, 36, 37, 40, 42, 43...constant voltage circuit, 2,3B, 39...battery, 3,5°32.
33, 34, 41.44.45...Electronic circuit, 6-8
... MOS transistor forming part of constant voltage circuit 1, 15... Inverter forming part of electronic circuit 3, 31
...An oscillation circuit included in the electronic circuit 5.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電源に接続された第1定電正回路1と、この第1定
電玉回路1に接続された第1電子回路3と、この第1定
電正回路1の出力を入力し第1定電圧回路1よりも低い
定電圧を出力するための第2定電圧回路4と、この第2
定電圧回路4に接続され第1電子回路1よりも低い電圧
で作動し第2定電正回路4と同じスレッショルド電圧で
作動する第2電子回路5と、第1定電正回路1に設けら
れた31固のMOSトランジスタ6.7および8、ダイ
オード9およびスイッチング素子としてのバイポーラト
ランジスタ10と、この第1電子回路3に設けられた前
記バイポーラトランジスタ10から電圧供給を受けるM
OSインバータ15と、第2定電正回路4に設けられた
3個のMOSトランジスタ16,17および18、ダイ
オード19およびスイッチング素子としてのバイポーラ
トランジスタ20と第2電子回路5に設けられたMOS
トランジスタよりなる発振回路31とを備え、前記イン
バータ15は前記発振回路31よりも高い電圧で作動す
るように構成されていることを特徴とする半導体装置。
1 A first constant voltage positive circuit 1 connected to a power source, a first electronic circuit 3 connected to this first constant voltage circuit 1, and an output of this first constant voltage positive circuit 1 are inputted to the first constant voltage positive circuit 1. a second constant voltage circuit 4 for outputting a constant voltage lower than that of the voltage circuit 1;
A second electronic circuit 5 connected to the constant voltage circuit 4 and operated at a voltage lower than that of the first electronic circuit 1 and operated at the same threshold voltage as the second constant voltage positive circuit 4; MOS transistors 6, 7 and 8, a diode 9, and a bipolar transistor 10 as a switching element;
The OS inverter 15, the three MOS transistors 16, 17, and 18 provided in the second constant voltage positive circuit 4, the diode 19, the bipolar transistor 20 as a switching element, and the MOS provided in the second electronic circuit 5.
An oscillation circuit 31 made of a transistor, and the inverter 15 is configured to operate at a higher voltage than the oscillation circuit 31.
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