JPS5849009B2 - Demagnetizing device - Google Patents
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- JPS5849009B2 JPS5849009B2 JP534083A JP534083A JPS5849009B2 JP S5849009 B2 JPS5849009 B2 JP S5849009B2 JP 534083 A JP534083 A JP 534083A JP 534083 A JP534083 A JP 534083A JP S5849009 B2 JPS5849009 B2 JP S5849009B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は既に着磁(帝磁)された磁気量を減磁する減磁
装置の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement of a demagnetizing device that demagnetizes a magnetic quantity that has already been magnetized (imperial magnetism).
この種の装置は誘導円板形過電流継電器、誘導円板形電
圧継電器あるいは誘導円板形積算電力計等の制動に用い
られる永久磁石又は一般に可動線輪型電圧計あるいは電
流計の永久磁石の磁化を一定値に設定する時などにしば
しば用いられる装置である。This type of device is a permanent magnet used for braking of an induction disk overcurrent relay, an induction disk voltage relay, an induction disk integrated wattmeter, etc., or a permanent magnet of a movable ring voltmeter or ammeter. This device is often used to set magnetization to a constant value.
従来この種の減磁装置として第1図あるいは第2図に示
す如き減磁装置が提案されている。Conventionally, a demagnetizing device as shown in FIG. 1 or 2 has been proposed as this type of demagnetizing device.
第1図の減磁装置は、直流電源電圧EDが印加されて磁
束ψ1を発生させるソレノイドIa,1bと磁気回路を
構成する鉄心2とを備えた構成となっている。The demagnetizing device shown in FIG. 1 includes solenoids Ia and 1b to which a DC power supply voltage ED is applied to generate magnetic flux ψ1, and an iron core 2 forming a magnetic circuit.
又第2図の減磁装置は、交流電源電圧EAが印加されて
交番磁束φ1,φ3を発生させるソレノイド1aから成
っている。The demagnetizing device shown in FIG. 2 includes a solenoid 1a to which alternating current power supply voltage EA is applied to generate alternating magnetic fluxes φ1 and φ3.
3は永久磁石で、この永久磁石は所定の磁化以上に着磁
されており、減磁装置により最終的に目的とする磁化量
だけ着磁される。Reference numeral 3 denotes a permanent magnet, which is magnetized to a predetermined magnetization level or higher, and is finally magnetized to a desired amount of magnetization by a demagnetizing device.
次にこれらの減磁装置の動作を説明する。Next, the operation of these demagnetizing devices will be explained.
第1図に於で直流電源電圧EDがソレノイド1a,1b
に印加されるとソレノイドIa,1bの合成直流抵抗で
制限された電流■。In Figure 1, the DC power supply voltage ED is
When applied to , the current ■ is limited by the combined DC resistance of solenoids Ia and 1b.
が流れる。ソレノイドla,1bの合成巻数をTM,t
た磁気回路の合成磁気抵抗をRmとすると磁束φ1が次
式1により与えられる。flows. The combined number of turns of solenoids la and 1b is TM, t
Letting Rm be the composite magnetic resistance of the magnetic circuit, the magnetic flux φ1 is given by the following equation 1.
?鉄心の端面ば磁極N−Sとなる電磁界が生じることは
周知である。? It is well known that an electromagnetic field forming magnetic pole N-S is generated at the end face of the iron core.
今、減磁を必要とする永久磁石3を永久磁石の持つ磁極
を電磁界の磁極と反対にして電磁界に近づけると永久磁
石は減磁される。Now, when the permanent magnet 3 that requires demagnetization is brought close to the electromagnetic field with the magnetic pole of the permanent magnet opposite to the magnetic pole of the electromagnetic field, the permanent magnet will be demagnetized.
第2図に於て交流電源電圧EAがソレノイド1aに印加
されると、ソレノイド1aのインピーダンスで制限され
た電流■が流れる。In FIG. 2, when the AC power supply voltage EA is applied to the solenoid 1a, a current 2 limited by the impedance of the solenoid 1a flows.
ソレノイド1aの巻数をTa,tた磁気回路の磁気抵抗
をRaとすると交番磁束φ3が次式2により与えられ交
番電磁界がソレノイド1aの端面に生じる。When the number of turns of the solenoid 1a is Ta, and the magnetic resistance of the magnetic circuit is Ra, an alternating magnetic flux φ3 is given by the following equation 2, and an alternating electromagnetic field is generated at the end face of the solenoid 1a.
前述と同様に減磁を必要とする永久磁石3をソレノイド
1aに第2図に示す如く垂直に近づけると、交番電磁界
が永久磁石の極性と反対になっているとき永久磁石は減
磁される。Similarly to the above, when the permanent magnet 3 that requires demagnetization is brought vertically close to the solenoid 1a as shown in Figure 2, the permanent magnet will be demagnetized when the alternating electromagnetic field is opposite to the polarity of the permanent magnet. .
しかしながら、従来の減磁装置は以上のように構成され
ているので、永久磁石を所望の磁界の強さに減磁する必
要があっても、減磁装置に近づける距離等の管理が困難
であり、又減磁された永久磁石の強さをあらためて計測
せねば所望の磁界の強さになっているかどうかを知るこ
とができないなどの欠点があった。However, since conventional demagnetizing devices are configured as described above, even if it is necessary to demagnetize the permanent magnet to a desired magnetic field strength, it is difficult to manage the distance to bring the permanent magnet close to the demagnetizing device. Another disadvantage is that it is impossible to know whether the desired magnetic field strength is achieved unless the strength of the demagnetized permanent magnet is measured again.
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、磁性体の着磁の程度を磁気感応素
子を用いて検出し、これを基準値と比較し、前記磁性体
の磁化の強さを所望する任意の値に設定できる減磁装置
を提供することを目的としている。This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and it detects the degree of magnetization of the magnetic material using a magnetic sensing element, compares it with a reference value, and detects the degree of magnetization of the magnetic material. It is an object of the present invention to provide a demagnetizing device that can set the strength of magnetization to any desired value.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
?以下、第1図及び第2図と同一符号は同一或いは相当
部分を示すにつき、符号の説明は適宜省略する。? Hereinafter, the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 indicate the same or corresponding parts, and the explanation of the reference numerals will be omitted as appropriate.
第3図に於て3は所望の値に減磁される永久磁石、4は
主電極が励磁千段1への供給路に接続された半導体素子
で、この実施例ではトランジスタ4aを示している。In FIG. 3, 3 is a permanent magnet that is demagnetized to a desired value, and 4 is a semiconductor element whose main electrode is connected to the supply path to the excitation stage 1, which in this embodiment is a transistor 4a. .
6は磁気感応手段であるホール素子6aと変換回路6b
とからなる磁束検出回路、7は比較回路、8は起動スイ
ッチ、10はトランジスタ4aの制御電極(ベース)に
接続されて積分動作をするスイッチング制御回路(以下
、単に制御回路10とも略記する。Reference numeral 6 denotes a Hall element 6a and a conversion circuit 6b, which are magnetic sensing means.
7 is a comparison circuit, 8 is a starting switch, and 10 is a switching control circuit (hereinafter simply referred to as control circuit 10) connected to the control electrode (base) of transistor 4a to perform an integral operation.
)である。制御回路10はフリツプフロツプ(以下単に
F−Fとも記す)10a,トランジスタ10b,コンデ
ンサ10c,抵抗10d,10eで構成されている。). The control circuit 10 is composed of a flip-flop (hereinafter simply referred to as FF) 10a, a transistor 10b, a capacitor 10c, and resistors 10d and 10e.
更にF−F10aのリセット端子は比較回路7の出力に
接続されている。Further, the reset terminal of F-F 10a is connected to the output of comparator circuit 7.
次にこの構成の減磁装置の動作を第4図及び第5図a
”− fに示す各部の波形図を参照にして説明する。Next, the operation of the demagnetizing device with this configuration is shown in Figures 4 and 5a.
This will be explained with reference to the waveform diagram of each part shown in ``-f''.
なか、第5図a−fの各波形は第3図のa〜fの各点に
かける波形である。The waveforms a to f in FIG. 5 are the waveforms applied to the points a to f in FIG. 3.
すなわち、第3図の半導体素子4に第5図aに示す直流
電源電圧Eを印加し、次に第3図の起動スイッチ8が閉
じられると制御回路10のフリツプフロツプ10aがセ
ットされ、その出力が第5図bに示す如くEVからVに
なりトランジスタ10bが、カットオフとなり、これに
伴ない抵抗10dを介してコンデンサ10cは第5図C
のように充電されていく。That is, when the DC power supply voltage E shown in FIG. 5a is applied to the semiconductor element 4 shown in FIG. 3, and the starting switch 8 shown in FIG. As shown in FIG. 5B, the voltage changes from EV to V, and the transistor 10b becomes cut-off, and as a result, the capacitor 10c is turned off via the resistor 10d as shown in FIG. 5C.
It will be charged like this.
このコンデンサ10cの充電電圧Ecaはトランジスタ
4aのベースに与えられるため、トランジスタ4aのエ
ミツタ電圧EDも第5図dに示すようにコンデンサ10
cの充電電圧Ecaと同様に上がっていく。Since the charging voltage Eca of the capacitor 10c is applied to the base of the transistor 4a, the emitter voltage ED of the transistor 4a is also applied to the capacitor 10 as shown in FIG.
It increases in the same way as the charging voltage Eca of c.
今、半導体素子4に接続されたソレノイド1aの直流抵
抗をRとすると半導体素子4の出力電流IDは上述の実
施例からも明らかなように、
となる。Now, assuming that the DC resistance of the solenoid 1a connected to the semiconductor element 4 is R, the output current ID of the semiconductor element 4 is as follows, as is clear from the above embodiments.
ここにらは半導体素子4の出力電圧 従ってソレノイド1aには上式で与えられる電流■。Here is the output voltage of semiconductor element 4 Therefore, the current given to the solenoid 1a by the above equation is ■.
が流れソノノイド1aによって磁束φ3が第5図dに示
すEDの波形に比例して発生する。flows, and a magnetic flux φ3 is generated by the sononoid 1a in proportion to the waveform of ED shown in FIG. 5d.
従って前記ソレノイド1aの磁界が持つ磁極と相反する
方向に減磁される永久磁石3を置キ、更に永久磁石3の
磁界内の磁束Bに挿入されたホール素子6aは第4図に
示すように、一面に定電流■oを流すと残りの一面より
次式の電圧VHを発生する。Therefore, a permanent magnet 3 that is demagnetized in a direction opposite to the magnetic pole of the magnetic field of the solenoid 1a is placed, and a Hall element 6a inserted into the magnetic flux B in the magnetic field of the permanent magnet 3 is arranged as shown in FIG. , when a constant current ■o is passed through one surface, a voltage VH of the following equation is generated from the remaining surface.
ここにKはホール素子によって定1る定数で積感度であ
る。Here, K is a constant constant by the Hall element and is the product sensitivity.
つ1りホール素子6aで発生した電圧は変換回路6bで
適当な電圧に増巾され、この増巾された電圧E。The voltage generated by the single Hall element 6a is amplified to an appropriate voltage by the conversion circuit 6b, and this amplified voltage E is obtained.
は第5図eに示す波形となって比較回路7のinput
端子の一方に印加されるわけである。becomes the waveform shown in FIG. 5e, and the input of the comparator circuit 7
It is applied to one of the terminals.
この比較回路7の他のinput端子には直流電圧を可
変抵抗器Rpによって分圧された基準電圧ERが印加さ
れている。A reference voltage ER, which is a DC voltage divided by a variable resistor Rp, is applied to the other input terminal of the comparison circuit 7.
制御回路10が起動した直前では第5図eに示されるよ
うに変換回路6bの出力電圧E。Immediately before the control circuit 10 is activated, the output voltage E of the conversion circuit 6b is as shown in FIG. 5e.
は基準電圧ERより犬であるが、半導体素子4によって
ソレノイド1aに発生される磁束φ3が大きくなると永
久磁石3は減磁され磁束φ2は減少しホール素子6aの
出力電圧が低下して基準電圧ERの方が大きくなる。is smaller than the reference voltage ER, but when the magnetic flux φ3 generated in the solenoid 1a by the semiconductor element 4 increases, the permanent magnet 3 is demagnetized, the magnetic flux φ2 decreases, the output voltage of the Hall element 6a decreases, and the reference voltage ER increases. becomes larger.
このとき比較回路7の出力out putは今1でOで
あったのが第5図fに示す如く、EVを出力する。At this time, the output of the comparison circuit 7, which was 1 and O, now outputs EV as shown in FIG. 5f.
この電圧により制御回路10のフリツプフロツプ10a
がリセットされ、制御回路10のトランジスタ10bの
ベースに電圧が印加されトランジスタ10bはオンとな
り、コンデンサ10cの充電電圧も第5図Cの如く零と
なる。This voltage causes the flip-flop 10a of the control circuit 10 to
is reset, a voltage is applied to the base of the transistor 10b of the control circuit 10, the transistor 10b is turned on, and the charging voltage of the capacitor 10c also becomes zero as shown in FIG. 5C.
従ってソレノイド1aに流れる■。Therefore, ■ flows to solenoid 1a.
が零となり磁束φ3も零となり永久磁石3の減磁は完了
する。becomes zero, the magnetic flux φ3 also becomes zero, and the demagnetization of the permanent magnet 3 is completed.
次に第6図に従って磁束検出回路6の具体的な詳細を、
又第7図に従って比較回路7の具体的な詳細を説明する
。Next, specific details of the magnetic flux detection circuit 6 are explained according to FIG.
Further, specific details of the comparator circuit 7 will be explained according to FIG.
第6図に示される磁束検出回路6はホール素子6aと変
換回路6bとからなり、この変換回路6bは可変抵抗6
b1,固定抵抗6b2〜6b5、演算増巾器6b6等で
構成される。The magnetic flux detection circuit 6 shown in FIG. 6 consists of a Hall element 6a and a conversion circuit 6b, and this conversion circuit 6b has a variable resistance 6.
b1, fixed resistors 6b2 to 6b5, an operational amplifier 6b6, and the like.
P,Nは直流のプラス、マイナス電源電圧端子を示す。P and N indicate DC plus and minus power supply voltage terminals.
上記の構成でホール素子6aに可変抵抗6blで制限さ
れた電流■。In the above configuration, the current ■ is limited by the variable resistor 6bl in the Hall element 6a.
が通電され、磁束Bの中にホール素子6aを置くと前述
3式によりホール素子6aは電圧VHを発生させる。When energized and the Hall element 6a is placed in the magnetic flux B, the Hall element 6a generates a voltage VH according to the above-mentioned equation 3.
演算増巾器6b6と抵抗6b2〜6b5で作られた差動
増巾回路(変換回路6b)はホール素子6aの電圧1を
下記4式により適当な電圧Voutに増巾することがで
きる。A differential amplification circuit (conversion circuit 6b) made up of an operational amplifier 6b6 and resistors 6b2 to 6b5 can amplify the voltage 1 of the Hall element 6a to an appropriate voltage Vout using the following four equations.
?し、曳一抵抗6b3の値=抵抗6b5の値RB 一抵
抗6b2の値=抵抗6b4の値比較回路7については第
7図に示すようにトランジスタ7T1〜7T3、固定抵
抗7R1〜7R4で構成されている。? The value of the drag resistor 6b3 = the value of the resistor 6b5 RB - the value of the resistor 6b2 = the value of the resistor 6b4 As shown in FIG. 7, the comparison circuit 7 is composed of transistors 7T1 to 7T3 and fixed resistors 7R1 to 7R4. There is.
上記の構成で比較回路70基準電圧入力端子REFに電
圧ER、比較電圧入力端子in put KECが印加
された場合、ER<Eoであるとトランジスタ7T2は
オンとなりトランジスタ7T1はカットオフされトラン
ジスタ7T1のコレクタ電圧はPとなりこのためトラン
ジスタ7T3はオフとなり出力電圧Vou tはVとな
る。In the above configuration, when the voltage ER and the comparison voltage input terminal input KEC are applied to the reference voltage input terminal REF of the comparison circuit 70, if ER<Eo, the transistor 7T2 is turned on, the transistor 7T1 is cut off, and the collector of the transistor 7T1 is turned on. The voltage becomes P, so the transistor 7T3 is turned off, and the output voltage Vout becomes V.
次にER>Eoどなるとトランジスタ7T1がオンとな
りトランジスタ7T2はカットオフされる。Next, when ER>Eo, the transistor 7T1 is turned on and the transistor 7T2 is cut off.
このトランジスタ7T1がオンすることによりトランジ
スタ7T1のコレクタ電位が下がり、トランジスタ7T
3より点線の■3が流れることができトランジスタ7T
3はオンとなり出力端子VoutはほぽP電圧となる。By turning on this transistor 7T1, the collector potential of the transistor 7T1 decreases, and the transistor 7T
The dotted line ■3 can flow from transistor 7T than 3.
3 is turned on, and the output terminal Vout becomes almost P voltage.
以上のように構成することにより磁束検出回路6、比較
回路7は簡単に得ることができる。By configuring as described above, the magnetic flux detection circuit 6 and the comparison circuit 7 can be easily obtained.
なあ・上記実施例では制御回路10としてコンデンサ1
0cと抵抗10dとからなる積分回路を有する構成とし
たので、コンデンサ10cの充電特性を利用することに
より変換回路6bの出力を第5図eに示すように滑らか
な波形とすることがでキ、例えば機械的な構成によりス
ライダツクの抵抗値を変化させる方式に比べ、簡単な構
戒で滑らかな減磁を達成しつる利点がある。Hey, in the above embodiment, the capacitor 1 is used as the control circuit 10.
0c and a resistor 10d, the output of the conversion circuit 6b can be made into a smooth waveform as shown in FIG. 5e by utilizing the charging characteristics of the capacitor 10c. For example, compared to a method in which the resistance value of the slider is changed using a mechanical structure, this method has the advantage of achieving smooth demagnetization with a simple arrangement.
更に、上記実施例では直流電源電圧を半導体素子4に与
えたが、交流電源電圧を直流変換回路に与え、交流電源
電圧を直流電源電圧に一旦変換しこれを半導体素子4に
与えてもよい。Further, in the above embodiment, the DC power supply voltage is applied to the semiconductor element 4, but the AC power supply voltage may be applied to a DC conversion circuit to convert the AC power supply voltage into a DC power supply voltage, and then apply this to the semiconductor element 4.
第8図、第9図に従ってこの発明の更に他の実施例を説
明する。Still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9.
第8図にあ・いて3は減磁される永久磁石、4は半導体
素子で、この実施例では双方向性サイリスタ4bを示し
ている。In FIG. 8, 3 is a permanent magnet to be demagnetized, and 4 is a semiconductor element, which in this embodiment is a bidirectional thyristor 4b.
10は位相制御回路(以下、単に制御回路10とも略記
する)でフリツプフロツプ10a,積分団路10f,合
成回路10g,波形整形回路10h、ゲート回路10i
で構成されている。10 is a phase control circuit (hereinafter simply referred to as control circuit 10), which includes a flip-flop 10a, an integrating circuit 10f, a synthesis circuit 10g, a waveform shaping circuit 10h, and a gate circuit 10i.
It consists of
尚ゲート回路10iの?力は双方向サイリスタ4bのゲ
ートに接続されてあ・り、又、波形整形回路10hは比
較回路、微分回路等から構成されている。What about the gate circuit 10i? The power is connected to the gate of the bidirectional thyristor 4b, and the waveform shaping circuit 10h is composed of a comparison circuit, a differentiation circuit, and the like.
次にこの減磁装置の動作を第9図に示す各部の波形図を
参照にして説明する。Next, the operation of this demagnetizing device will be explained with reference to the waveform diagram of each part shown in FIG.
第8図の半導体素子4に第9図aに示す交流電源電圧を
印加する。An AC power supply voltage shown in FIG. 9a is applied to the semiconductor element 4 shown in FIG. 8.
次に第8図の起動スイッチ8が閉じられると、制御回路
10のフリップフロップ10aが第9図bに示すように
セットされ、出力がEVとなる。Next, when the starting switch 8 shown in FIG. 8 is closed, the flip-flop 10a of the control circuit 10 is set as shown in FIG. 9b, and the output becomes EV.
制御回路10の積分回路10fはこのフリツプフロツプ
10aのセット信号(第9図bを参照)により第9図C
に示すようにプラスとマイナスに積分出力C, , C
2を合成回路10gに送出する。The integrator circuit 10f of the control circuit 10 uses the set signal (see FIG. 9b) of the flip-flop 10a to operate as shown in FIG.
As shown in the figure, the positive and negative integral outputs C, , C
2 is sent to the synthesis circuit 10g.
一方合成回路10gには交流電源電圧が供給されている
ので第9図dK示すように積分回路10fの出力C1,
C2との交点d0〜d5 が得られる。On the other hand, since the AC power supply voltage is supplied to the combining circuit 10g, the output C1 of the integrating circuit 10f, as shown in FIG.
Intersection points d0 to d5 with C2 are obtained.
この交点d1〜d,のみを波形整形回路10hで第9図
eに示す出力を取う出す。Only these intersection points d1 to d are output by the waveform shaping circuit 10h as shown in FIG. 9e.
この出力の大きさは1ち1ちであるため、その出力をゲ
ート回路10iに送出し、適当な大きさにして規格化し
前記半導体素子4の双方向性サイリスタ4aに与える(
第9図f参照),,,半導体素子4Kは第9図のaの交
流電圧が印加されているので、第9図gの電流■。Since the magnitude of this output is unique, the output is sent to the gate circuit 10i, normalized to an appropriate size, and applied to the bidirectional thyristor 4a of the semiconductor element 4 (
(see FIG. 9f),...Since the alternating current voltage of FIG. 9a is applied to the semiconductor element 4K, the current of FIG. 9g is .
がソレノイド1aに流れる。flows to solenoid 1a.
ソレノイド1aはこの電流により交番磁束φ3を発生さ
せる。The solenoid 1a generates an alternating magnetic flux φ3 using this current.
ソレノイド1aの交番磁束内に減磁される永久磁石3の
磁界内の磁束Bに挿入されたホール素子6aは所定の電
圧1を発生し、この発生した電圧は変換回路6で適当な
出力電圧に増巾され第9図hのE。The Hall element 6a inserted into the magnetic flux B within the magnetic field of the permanent magnet 3, which is demagnetized within the alternating magnetic flux of the solenoid 1a, generates a predetermined voltage 1, and this generated voltage is converted into an appropriate output voltage by the conversion circuit 6. Enlarged E in Figure 9h.
どなって比較回路Iのin put端子に印加される。The signal is applied to the input terminal of the comparison circuit I.
この比較回路7の他のin put端子には直流電圧を
可変抵抗器RPによって分圧された基準電圧ERが印加
されている。A reference voltage ER, which is a DC voltage divided by a variable resistor RP, is applied to the other input terminal of the comparison circuit 7.
半導体素子4が起動した直前では第9図hの如く磁束検
出回路の出力電圧式は基準電圧なより大であるが半導体
素子4によってソレノイド1aに発生される磁束φ3が
大きくなると永久磁石3は減磁され磁束φ2は減少しホ
ール素子6aの出力電圧職が低下して基準電圧ERo方
が大きくなる。Just before the semiconductor element 4 starts up, the output voltage equation of the magnetic flux detection circuit is higher than the reference voltage as shown in FIG. The magnetized magnetic flux φ2 decreases, the output voltage of the Hall element 6a decreases, and the reference voltage ERo increases.
このとき比較回路7の出力out putは今オでVで
あったのが第9図iに示す如く、EVを出力する。At this time, the output of the comparison circuit 7, which was V at the current time, outputs EV as shown in FIG. 9i.
この電圧によ9ノリツプフロツプ10aはリセットされ
、積分出力を零にする。This voltage resets the 9-rip flop 10a and makes the integral output zero.
従って、ゲート回路10iもゲートを閉じ半導体素子4
の出力電流■。Therefore, the gate circuit 10i also closes the gate and the semiconductor element 4
■ Output current.
も零となり磁束φ3も零となり永久磁石30減磁は完了
する。becomes zero, the magnetic flux φ3 also becomes zero, and the demagnetization of the permanent magnet 30 is completed.
この実施例ではソレノイド1aを交流励磁しているので
、永久磁石3を減磁するにあたり、その極性について考
慮する必要がなく作業が簡単である。In this embodiment, since the solenoid 1a is excited with alternating current, there is no need to consider the polarity when demagnetizing the permanent magnet 3, which simplifies the work.
なp上記実施例では半導体素子4に双方向性サイリスク
を使用したが、代りにサイリスクあるいはトランジスタ
等の半導体素子を用いてもよい。In the above embodiment, a bidirectional silicon element was used as the semiconductor element 4, but a semiconductor element such as a silicon element or a transistor may be used instead.
又、位相制御回路はフリツプフロツプ10a、合成回路
10g、積分回路10f,波形整形回路10h、ゲート
回路10iで構成したが合成回路10gの変りに比較回
路を用いて構成してもよい。Furthermore, although the phase control circuit is constructed of the flip-flop 10a, the synthesis circuit 10g, the integration circuit 10f, the waveform shaping circuit 10h, and the gate circuit 10i, it may be constructed using a comparison circuit instead of the synthesis circuit 10g.
更に磁束検出回路6の出力に表示回路を設けて減磁の状
態を見れるようにしてもよい。Furthermore, a display circuit may be provided at the output of the magnetic flux detection circuit 6 so that the state of demagnetization can be seen.
以上のように、この発明によれば減磁を必要とする既着
磁の磁性体の磁束を磁気感応手段を用いて検出し、減磁
させる量を徐々に零から太キくシ、更に比較回路で前記
磁性体の磁束を基準値と比較し、減磁を制御するように
構成したので磁性体の着磁の程度を一定に簡単にてき寸
た精度の高いものが得られる効果がある。As described above, according to the present invention, the magnetic flux of a magnetized magnetic body that requires demagnetization is detected using a magnetically sensitive means, the amount of demagnetization is gradually increased from zero, and further comparison is made. Since the circuit is configured to compare the magnetic flux of the magnetic body with a reference value and control demagnetization, there is an effect that the degree of magnetization of the magnetic body can be easily and precisely maintained at a constant level.
第1図、第2図は従来の減磁装置のブロック図、第3図
は本発明に係る減磁装置の一実施例を示すブロック図、
第4図はホール素子の原理を示す図第5図a − fは
第3図に示したものの各部の動作波形図、第6図は磁束
検出回路の詳細を示す回路図、第7図は比較回路の詳細
を示す回路図、第8図は本発明に係る減磁装置の他の実
施例を示すブロック図、第9図a〜iは第8図に示した
ものの各部の動作波形図である。
図に釦いて、EAは交流電源、Eは直流電源、1は励磁
手段、3は永久磁石、4は半導体素子、6は磁束検出回
路、6aはホール素子、6bは弯換回路、7は比較回路
、8は起動用スイッチ、10は制御回路、Cはコンデン
サ、Rは抵抗である。
尚、図中同一符号は同一或いは相当部分を示す。1 and 2 are block diagrams of a conventional demagnetizing device, and FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of a demagnetizing device according to the present invention,
Figure 4 shows the principle of the Hall element. Figures 5 a - f are operational waveform diagrams of each part shown in Figure 3. Figure 6 is a circuit diagram showing details of the magnetic flux detection circuit. Figure 7 is a comparison. FIG. 8 is a block diagram showing another embodiment of the demagnetizing device according to the present invention, and FIGS. 9 a to 9 i are operation waveform diagrams of each part of the circuit shown in FIG. 8. . In the figure, EA is an AC power supply, E is a DC power supply, 1 is an excitation means, 3 is a permanent magnet, 4 is a semiconductor element, 6 is a magnetic flux detection circuit, 6a is a Hall element, 6b is a converter circuit, and 7 is a comparison 8 is a starting switch, 10 is a control circuit, C is a capacitor, and R is a resistor. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
定値に着磁する装置において、電源、この電源により励
磁され、上記磁性体の磁化力を減磁する磁界を発生する
励磁手段、この励磁手段と前記電源との間に主電極が接
続された半導体素子、この半導体素子の制御電極に信号
を印加して上記励磁手段が発生する磁界の強さを零から
除々に増加するように上記励磁手段への給電量を制御す
る制御回路、前記磁性体の着磁量に応動するように配設
された磁気感応手段を有し、この磁気感応手段の出力を
検出することにより上記磁性体の着磁量を検出する検出
回路、釦よびこの検出回路の検出値を基準値と比較し、
検出値が基準値になった時に上記励磁手段への給電を停
止する信号を上記制御回路に供給する比較回路を備えた
減磁装置。 2 検出回路は磁気感応手段としてホール素子を有し、
かつこのホール素子の出力を増巾する変換回路とからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の減磁装
置。 3 制御回路は、比較回路の出力と始動信号とを入力と
する論理回路と、この論理回路の出力側に設けられた積
分回路とからなり、この積分回路の出力は半導体素子の
制御電極に導かれるよう構成されてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項1たは第2項記載の減磁装置。 4 制御回路は、比較回路の出力と始動信号とを入力と
する論理回路と、この論理回路の出力側に設けられた積
分回路と、電源の出力と前記積分回路の出力とを合成す
る合成回路と、この合成回路の合成結果に基づき、半導
体素子の導通タイミングを与えるタイミング信号を送出
する波形整形回路と、この波形整形回路からの出力に基
づき所定の振中値の出面を前記半導体素子の制御電極に
導通制御信号として与えるゲート回路とからなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項1たは第2項記載の減
磁装置。[Scope of Claims] 1. A device for demagnetizing a pre-magnetized magnetic body to a predetermined value by demagnetizing it to a predetermined value; an excitation means for generating a magnetic field, a semiconductor element having a main electrode connected between the excitation means and the power source, and a signal applied to a control electrode of the semiconductor element to control the strength of the magnetic field generated by the excitation means; A control circuit for controlling the amount of power supplied to the excitation means so as to gradually increase from zero, a magnetically sensitive means arranged to respond to the amount of magnetization of the magnetic body, and an output of the magnetically sensitive means. A detection circuit that detects the amount of magnetization of the magnetic material by detecting a button, and a detection value of this detection circuit is compared with a reference value,
A demagnetizing device comprising a comparison circuit that supplies a signal to the control circuit to stop power supply to the excitation means when the detected value reaches a reference value. 2. The detection circuit has a Hall element as a magnetic sensing means,
The demagnetizing device according to claim 1, further comprising a conversion circuit for amplifying the output of the Hall element. 3. The control circuit consists of a logic circuit that receives the output of the comparison circuit and the start signal as input, and an integration circuit provided on the output side of this logic circuit, and the output of this integration circuit is led to the control electrode of the semiconductor element. 3. A demagnetizing device according to claim 1, wherein the demagnetizing device is configured such that the demagnetizing device is configured to 4. The control circuit includes a logic circuit that receives the output of the comparison circuit and the start signal as input, an integration circuit provided on the output side of this logic circuit, and a synthesis circuit that synthesizes the output of the power supply and the output of the integration circuit. and a waveform shaping circuit that sends out a timing signal that provides the conduction timing of the semiconductor element based on the synthesis result of this synthesis circuit, and a waveform shaping circuit that controls the output surface of a predetermined midpoint value based on the output from this waveform shaping circuit. 3. The demagnetizing device according to claim 1, further comprising a gate circuit that provides a conduction control signal to the electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP534083A JPS5849009B2 (en) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | Demagnetizing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP534083A JPS5849009B2 (en) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | Demagnetizing device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333380A Division JPS5821809B2 (en) | 1980-02-05 | 1980-02-05 | Demagnetizing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130510A JPS58130510A (en) | 1983-08-04 |
| JPS5849009B2 true JPS5849009B2 (en) | 1983-11-01 |
Family
ID=11608489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP534083A Expired JPS5849009B2 (en) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | Demagnetizing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849009B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050092395A1 (en) | 2002-02-15 | 2005-05-05 | Masaaki Aoki | Magnetic field generator and its manufacturing method |
-
1983
- 1983-01-18 JP JP534083A patent/JPS5849009B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58130510A (en) | 1983-08-04 |
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