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JPS5852949B2 - How to manufacture ceramic parts - Google Patents
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JPS5852949B2 - How to manufacture ceramic parts - Google Patents

How to manufacture ceramic parts

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Publication number
JPS5852949B2
JPS5852949B2 JP52087513A JP8751377A JPS5852949B2 JP S5852949 B2 JPS5852949 B2 JP S5852949B2 JP 52087513 A JP52087513 A JP 52087513A JP 8751377 A JP8751377 A JP 8751377A JP S5852949 B2 JPS5852949 B2 JP S5852949B2
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silicon
aluminum
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JP52087513A
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ロランド・ジヨン・ランビイ
バ−ナ−ド・ノ−ス
アルフレツド・ジエ−ムス・テイラ−
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック製品及びその製造方法に関する。[Detailed description of the invention] TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ceramic product and a method for manufacturing the same.

本発明によると、セラミック製品の製法は、酸素と窒素
原子の全数に対するケイ素とアルミニウム原子の全数が
09735から0.77までの範囲にあり、かつ複数個
の化合物がその後の焼結工程で反応して次の一般式 %式% (式中2は、0.38〜1.5の間にある)を有する単
相セラミックをつくるようにケイ素、アルミニウム、酸
素および窒素を含有する複数個の化合物からなる第1成
分と、別の元素即ちイツトリウム、スカンジウム、セリ
ウム、ランタン及びランクニド系の諸金属の内金くとも
1つの重量百分率にして0.1乃至10%の第2成分か
ら実質的に構成される粉末混合物を形成し、少くとも1
個の上記別の元素を含有する第2相と共に上記単相セラ
ミック材料の容量で少くとも80%を含有するセラミッ
ク材料をつくるように1600℃と2000℃の間の一
定温度で加圧または非加圧の保護雰囲気内で高温を選択
するにつれて短時間を選択するように少くとも10分よ
り少くとも5時間までの範囲の時間にわたり上記混合物
を焼結する諸段階より成る。
According to the present invention, the manufacturing method of the ceramic product is such that the total number of silicon and aluminum atoms relative to the total number of oxygen and nitrogen atoms is in the range from 09735 to 0.77, and the plurality of compounds react in the subsequent sintering process. from a plurality of compounds containing silicon, aluminum, oxygen and nitrogen to produce a single phase ceramic having the following general formula %, where 2 is between 0.38 and 1.5. and a second component consisting essentially of 0.1 to 10% by weight of at least one of another element, namely yttrium, scandium, cerium, lanthanum, and ranknide metals. form a powder mixture containing at least 1
at a constant temperature between 1600° C. and 2000° C. with or without pressure to create a ceramic material containing at least 80% by volume of the single phase ceramic material together with a second phase containing another element as mentioned above. sintering the mixture in a protective atmosphere of pressure for a time ranging from at least 10 minutes to at least 5 hours, with selected short periods of time at elevated temperatures.

前節で述べた方法では、第1成分の化合物は、それら化
合物の全てのケイ素とアルミニウム原子の和を存在する
酸素と窒素原子の和によって除算し商が0.735と0
.77との間更に好しくは0.745から0.76まで
になるようにさせる。
In the method described in the previous section, the first component compounds are obtained by dividing the sum of all silicon and aluminum atoms of those compounds by the sum of oxygen and nitrogen atoms present, and the quotient is 0.735 and 0.
.. 77, more preferably between 0.745 and 0.76.

次いでこの2種の成分の混合物は保護雰囲気、好ましく
は非酸化雰囲気更に好しくは還元雰囲気内で1600℃
から2000℃までの温度にして上述の式で規定される
ケイ素アルミニウムオキシ窒化物セラミック材料の体積
で少くとも80%をつくるために十分な時間の間焼結さ
せる。
The mixture of the two components is then heated to 1600° C. in a protective atmosphere, preferably a non-oxidizing atmosphere and more preferably a reducing atmosphere.
to 2000° C. for a time sufficient to produce at least 80% by volume of the silicon aluminum oxynitride ceramic material as defined by the above formula.

この所要焼結時間は、温度を低下させるとともに増加し
従って焼結温度が2000℃の場合10分に過ぎないけ
れども焼結温度が1600℃では焼結時間に少くとも5
時間を必要とする。
This required sintering time increases with decreasing temperature, so that at a sintering temperature of 2000°C it is only 10 minutes, but at a sintering temperature of 1600°C the sintering time increases by at least 5 minutes.
It takes time.

結果として生ずるセラミック材料は、格子をアルミニウ
ムと酸素置換基を収容するように膨張させる6方晶β相
窒化ケイ素をベースとする結晶構造を有する。
The resulting ceramic material has a hexagonal β-phase silicon nitride-based crystal structure that expands the lattice to accommodate aluminum and oxygen substituents.

初期混合物の第1成分を形成する構成分は、通常窒化ケ
イ素、窒化アルミニウム、アルミナとシリカであり、上
記シリカとアルミナの一部は窒化ケイ素と窒化アルミニ
ウムそれぞれでの固有の不純物として存在している。
The components forming the first component of the initial mixture are typically silicon nitride, aluminum nitride, alumina and silica, with some of the silica and alumina being present as inherent impurities in the silicon nitride and aluminum nitride, respectively. .

しかしながら、外部から添加されたシリカを含有させて
はならない。
However, it must not contain externally added silica.

そのような添加シリカは、高温下において揮発性を有し
且つ極めて反応性に富む。
Such added silica is volatile and highly reactive at high temperatures.

したがって、本発明が目的とするセラミック製品を得る
ような高温下においては、シリカが迅速に揮発すること
によって、組成比が乱されて所望のセラミック製品を得
ることはできなくなる。
Therefore, at high temperatures at which the ceramic product aimed at by the present invention is obtained, silica quickly evaporates and the compositional ratio is disturbed, making it impossible to obtain the desired ceramic product.

また、添加シリカと窒化ケイ素粉末との混合物は流動特
性が悪く、その結果、成形に際して型への充填が不規則
になることが多く、更に、最終製品に膜が生じることも
ある。
Additionally, mixtures of added silica and silicon nitride powder have poor flow properties, which often results in irregular mold filling during molding, and may also result in films in the final product.

これに対して、窒化ケイ素中に固有の不純物として存在
するシリカは、該窒化ケイ素と強く結合しており、した
がって、別異の構成分として添加されるシリカのように
揮発性や反応性を有しないので上述のごとき問題は生じ
ない。
On the other hand, silica, which exists as an inherent impurity in silicon nitride, is strongly bonded to the silicon nitride and therefore has no volatility or reactivity, unlike silica added as a separate component. Therefore, the above-mentioned problem does not occur.

或いは、第1成分は、一般式8i6−zAlzOzN3
zに従わないケイ素アルミニウムオキシ窒化物を含
有する中間セラミックと窒化ケイ素によって限定しても
よい。
Alternatively, the first component has the general formula 8i6-zAlzOzN3
It may also be limited by intermediate ceramics containing silicon aluminum oxynitrides and silicon nitrides that do not comply with z.

好しくは中間セラミックのケイ素アルミニウムオキシ窒
化物が6方晶構造を備えかつ近似式5iA140゜Nに
従うものである。
Preferably, the intermediate ceramic silicon aluminum oxynitride has a hexagonal crystal structure and follows the approximate formula 5iA140°N.

更に、この中間セラミックは、窒化雰囲気内で1200
℃と1400℃との間までアルミナ、アルミニウムとケ
イ素を加熱しその加熱速度が発熱をほぼ防止するよう制
御されており、次いで1500℃と1800℃との間の
温度で窒化混合物を焼結して形成するのが好しい。
Additionally, this intermediate ceramic was heated to 1200°C in a nitriding atmosphere.
The alumina, aluminum and silicon are heated to between 1500°C and 1400°C, the heating rate being controlled to almost prevent exotherm, and then the nitrided mixture is sintered at a temperature between 1500°C and 1800°C. It is preferable to form.

これとは異っての中間セラミックは、1200℃と20
00℃との間の一定温度の保護雰囲気、好ましくは非酸
化雰囲気または更に好ましくは還元雰囲気内でアルミナ
、窒化アルミニウム、窒化ケイ素の粉末混合物を加熱し
て形成させてもよい。
Different intermediate ceramics are used at 1200℃ and 20℃.
The powder mixture of alumina, aluminum nitride and silicon nitride may be heated in a protective atmosphere, preferably a non-oxidizing atmosphere or more preferably a reducing atmosphere, at a constant temperature between 0.000C and formed.

上述の方法では上記混合物の第1成分に存在する化合物
の相対比率を、セラミック材料5i6−zAlzOzN
B z をつくらせるようにし、ここに2は、0.
38と1.5との間にあり、というのはこれらの制限内
の2値にすれば加圧せずに焼結を実施した時ですら高強
度を有する固有の生成物をつくることが判ったからであ
る。
In the method described above, the relative proportions of the compounds present in the first component of the mixture are determined by adjusting the relative proportions of the compounds present in the first component of the mixture.
Let B z be created, where 2 is 0.
38 and 1.5, as it has been found that binary values within these limits produce unique products with high strength even when sintering is carried out without pressure. This is because the.

これに反し、若し上記z値を0.38以下に低速させる
と、この材料は加圧せずに焼結するため異なったものに
なるとともに2値を1.5以上に増加させるならばこの
生成物の強度を低下させる。
On the other hand, if the z value is slowed to below 0.38, the material becomes different because it is sintered without being pressurized, and if the z value is increased to 1.5 or above, this material becomes different. Reduces the strength of the product.

なお、第1成分の化合物の相対比率は、0.735と0
.77との間の上述の原子比率にさせるようにする。
Note that the relative ratio of the first component compound is 0.735 and 0.
.. The above-mentioned atomic ratio is between 77 and 77.

というのは若しこの比率が0.735以下に低下すると
、この混合物が余りに酸素に富むものになることが判っ
たからである。
It has been found that if this ratio falls below 0.735, the mixture becomes too oxygen rich.

このため焼結中過剰量のガラスをつくる結果になり、こ
の生成物の高温強度特性へ悪影響を及ぼすのみならず、
また低温強度特性へも悪影響を与えることが判った。
This results in the production of an excessive amount of glass during sintering, which not only has a negative impact on the high temperature strength properties of this product, but also
It was also found that it had an adverse effect on low temperature strength properties.

さらに、このガラスを以下に詳述するその後の熱処理に
よって除去できないことが判った。
Furthermore, it was found that this glass could not be removed by subsequent heat treatment as detailed below.

これとは対照的に、上記原子比率が0.77を超過する
と、酸素の存在が不十分となりこの生成物の結合を行な
わせるに必要なガラスを形成することができない。
In contrast, when the atomic ratio exceeds 0.77, insufficient oxygen is present to form the glass necessary to effect the bonding of the product.

0.735から0177までの許容原子比率以内では、
この比率が0.745と0.76との間にあるとき最良
の結果が得られることが判明しており、実際の比率は製
品の使用目的に応じて種々変化させる。
Within the allowable atomic ratio from 0.735 to 0177,
It has been found that best results are obtained when this ratio is between 0.745 and 0.76, with the actual ratio varying depending on the intended use of the product.

従って上記原子比率が0.745と0.75との間にあ
るならば、その最終生成物は比較的に高いガラス含有量
となりそのため低温特性が良好となるが、しかし高温時
に強度が著しく低減する。
Therefore, if the above atomic ratio is between 0.745 and 0.75, the final product will have a relatively high glass content and therefore good low temperature properties, but the strength will be significantly reduced at high temperatures. .

これに反して原子比率が0.75と0.76との間にあ
れば、最終生成物が比較的低いガラス含有量となり、従
って低温強度が高含有ガラス材料よりも低くなるけれど
も、1370℃の高温度まで強度が殆ど変らず即ち低減
せず、また実際上場合によっては温度の増加につれて強
度が増加することが判明した。
On the other hand, if the atomic ratio is between 0.75 and 0.76, the final product will have a relatively low glass content and therefore a low temperature strength lower than that of high content glass materials, but It has been found that up to high temperatures the strength changes little or does not decrease, and in fact in some cases increases with increasing temperature.

出発混合物中第2成分に対する重量で0.1から10多
までの許容範囲はこの焼結済生成物での満足なガラス含
有量を供するという根拠に基づいて選択される。
A tolerance range of 0.1 to 10% by weight relative to the second component in the starting mixture is selected on the basis of providing a satisfactory glass content in the sintered product.

第2成分として選択される元素は、セリウム、イツトリ
ウム、スカンジウム、ランタンまたはランタニイド系列
の1つであり、というのはこれらは高い耐火性酸化物を
有し、それら酸化物は、シリカとアルミナと共に高融点
ガラスをつくり、このため低融点ガラスで使用できるよ
りも高い温度でこの生成物を使用できる。
The elements chosen as the second component are cerium, yttrium, scandium, lanthanum or one of the lanthanide series, since they have highly refractory oxides, which together with silica and alumina are highly Creates a melting point glass, which allows the product to be used at higher temperatures than can be used with lower melting point glasses.

第2成分として選択される元素のうち、イツトリウムが
好しく、というのは焼結混合物のイツトリアの存在は、
加圧しないでも高強度の生成物にすることが判ったから
である。
Among the elements selected as the second component, yttrium is preferred, since the presence of yttrium in the sintered mixture
This is because it was found that a product with high strength can be produced even without applying pressure.

上述の方法を実施することにより、イツトリウム、スカ
ンジウム、セリウム、ランタンまたはランタニイド系列
の元素を含むガラス相と共に上述の式に従うケイ素アル
ミニウムオキシ窒化物の体積で少くとも80%を含有す
る焼結済セラミック生成物を形成する結果となることが
理解されるであろう。
By carrying out the method described above, a sintered ceramic is produced containing at least 80% by volume of silicon aluminum oxynitride according to the formula described above together with a glass phase containing elements of the yttrium, scandium, cerium, lanthanum or lanthanide series. It will be understood that this results in the formation of objects.

上述の如く、ガラス相の存在は、焼結済生成物の結合を
助けるが、最終成分の高温特性を低減させる傾向がある
As mentioned above, the presence of a glass phase helps bond the sintered product, but tends to reduce the high temperature properties of the final component.

しかしながら焼結済生成物のガラス相の量は、この生成
物にガラスの融点の200℃以内まで(即ちイツトリウ
ムガラスの場合1400℃まで)生成物の温度を上昇さ
せる最終熱処理プロセスを施し、次いでこの生成物を冷
却し通常金属アルミニウムざくろ石を含有するセラミッ
ク相へ少くともガラスの部分を結晶化させることによっ
て減少させることができるのが判った。
However, the amount of glass phase in the sintered product is determined by subjecting this product to a final heat treatment process that raises the temperature of the product to within 200°C of the melting point of the glass (i.e. up to 1400°C in the case of yttrium glass) and then It has been found that this product can be reduced by cooling and crystallizing at least a portion of the glass into a ceramic phase, usually containing metallic aluminum garnet.

このようにして焼結作業を助ける際にガラスの有利な特
性を使用することができるとともに、同時にこの最終生
成物の特性への上記ガラスの有害作用を減殺即ち除去さ
せる。
In this way, the advantageous properties of the glass can be used in aiding the sintering operation, while at the same time reducing or eliminating the detrimental effects of the glass on the properties of the final product.

同様な作用は、焼結作業によって得られる生成物の冷却
を制御することによって達成されるので、所望結晶化を
直接行なうことが出来る。
A similar effect can be achieved by controlling the cooling of the product obtained by the sintering operation, so that the desired crystallization can be effected directly.

別の元素がイツトリウムであるとき、結晶化は、焼結温
度から毎時70℃と90℃との間の速度で1300℃な
いし1500℃の保持温度まで冷却した後4時間ないし
6時間保持し、次いで室温まで放冷させることによって
好適に行なうこと出出来る。
When the other element is yttrium, the crystallization is carried out by cooling from the sintering temperature at a rate between 70°C and 90°C per hour to a holding temperature of 1300°C to 1500°C and then holding for 4 to 6 hours. This can be carried out suitably by allowing it to cool to room temperature.

次に実施例を参照して本発明を更に詳細に説明する。Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

焼結済セラミック生成物の破壊平均値を示すこれら実施
例では、引用した値が多数の断面0.3Cm平方の研磨
サンプル(試料)に3点湾曲試験を施して得られたもの
であることが判る筈である。
In these examples showing fracture average values for sintered ceramic products, it is clear that the values quoted were obtained by subjecting a number of polished samples with a cross section of 0.3 cm square to three-point bending tests. You should understand.

即ち、上記試験は、約20 wit (374吋)隔置
せる両ナイフェツジ付支持体で支持させながら、それら
支持体の中点で各サンプルに負荷することから成る。
That is, the test consisted of loading each sample at the midpoint of the two knife supports while supporting them approximately 20 wit (374 inches) apart.

各サンプルを破壊させるに要する荷重(ロ)と、破壊係
数(MR)との関係は次式で表わされるへ ここにl−支持体間のスハン g−重力による加速度 す−荷重に直交方向のサンプルの幅 d−荷重の方向のサンプルの深さ 平均値は被試験サンプルの数から計算される。
The relationship between the load (b) required to break each sample and the rupture modulus (MR) is expressed by the following equation: where l - Suhan between the supports g - Acceleration due to gravity g - Sample in the direction perpendicular to the load The width d - the average depth of the samples in the direction of the load is calculated from the number of samples tested.

ワイブル(Weibull)係数は上記平均値に1.2
だけ乗算しかつ標準偏差によって除算したものである。
The Weibull coefficient is 1.2 to the above average value.
and divided by the standard deviation.

本発明の第1例では、焼結セラミック材料は、第1成分
を有する出発混合物からつくり、上記第1成分は、2ミ
クロンの平均粒子径を有しかつ固有不純物としてシリカ
の4重量多と共にα一相材料の899重量部含有する窒
化ケイ素粉末の92重量部と、6ミクロンの平均粒子径
を有しかつ固有不純物としてアルミナの6重量多を含む
8006H型としてコラホーライト(Koch −L
ight )によって市販されている窒化アルミニウム
粉末の5重量部、および0.05ミクロンの平均粒子径
を有しB型式としてライン(Line)によって供給さ
れるアルミナ粉末の3重量部から成る。
In a first embodiment of the present invention, a sintered ceramic material is made from a starting mixture having a first component, said first component having an average particle size of 2 microns and with a 4% weight of silica as an inherent impurity. Koch-L as type 8006H contains 92 parts by weight of silicon nitride powder containing 899 parts by weight of one-phase material and 6 parts by weight of alumina as an inherent impurity with an average particle size of 6 microns.
5 parts by weight of an aluminum nitride powder, commercially available from Co., Ltd., and 3 parts by weight of an alumina powder, supplied by Line as type B, having an average particle size of 0.05 microns.

従って、不純物を許容してこの混合物の第1成分の実際
の組成は窒化ケイ素88.32重量部、窒化アルミニウ
ム4.7重量部、アルミナ3.3重量部、シリカ3.6
8重量部である。
Therefore, allowing for impurities, the actual composition of the first component of this mixture is 88.32 parts by weight silicon nitride, 4.7 parts by weight aluminum nitride, 3.3 parts by weight alumina, and 3.6 parts by weight silica.
It is 8 parts by weight.

それ故第1成分の各100gについて窒化ケイ素によっ
て供与されるケイ素53.068gと、シリカによって
供与される別の1.721gがあるので、全ケイ素含有
量は54.789g即ち1.950グラム原子である。
Therefore for every 100 g of the first component there is 53.068 g of silicon donated by silicon nitride and another 1.721 g donated by silica, so the total silicon content is 54.789 g or 1.950 g atoms. be.

この方法を他の元素に対して繰り返えし、第1成分がア
ルミニウムの0.179グラム原子、窒素2.633グ
ラム原子および酸素0.220グラム原子を含有させる
よう7こするのは容易である。
It is easy to repeat this method for other elements and adjust the first component to contain 0.179 gram atoms of aluminum, 2.633 gram atoms of nitrogen, and 0.220 gram atoms of oxygen. be.

窒素と酸素の原子の全数に対するケイ素とアルミニウム
の原子の全数の比率は0.746である。
The ratio of the total number of silicon and aluminum atoms to the total number of nitrogen and oxygen atoms is 0.746.

更に、この混合物は1ミクロンのオーダの粒子径を有す
るレアー アース プロダクツ リミテッド(Rare
Earth Products Lim1ted)に
よって発売されているイツトリア粉末の6重量部を第2
成分として含む。
Additionally, this mixture is manufactured by Rare Earth Products Limited (Rare Earth Products Limited) with particle sizes on the order of 1 micron.
6 parts by weight of Ittria powder sold by Earth Products Limited)
Contains as an ingredient.

上述の混合物をつくるため所要量の出発材料は、担体液
体としてイソプロピルアルコールを用いてコロイドミル
にかけ、この操作を6回繰返した後得られた混合物を1
50ミクロンのメツシュサイズを有する篩を使用して篩
分けした。
The required amount of starting material to make the above mixture is colloid milled using isopropyl alcohol as carrier liquid and after repeating this operation 6 times the resulting mixture is
Sieving was performed using a sieve with a mesh size of 50 microns.

篩分けの後、この混合物をゴム袋の中で約140 ox
、/、、2(20,000p、s、i )に冷間等圧プ
レスして1.6g/cIrL3の加工密度を有する予備
成形物をつくる。
After sieving, the mixture was heated to about 140 ox in a rubber bag.
, /, , 2 (20,000 p, s, i) to produce a preform with a working density of 1.6 g/cIrL3.

次いで得られた予備成形物には、窒化ホウ素の50重量
条と共にシリカの保護表面コーティングを施こし、この
コーティングは厚さが約0.25〜0.5朋(0,01
〜0.02吋)である。
The resulting preform is then provided with a protective surface coating of silica with a 50 weight strip of boron nitride, the coating having a thickness of about 0.25 to 0.5 mm (0.01 mm).
~0.02 inch).

この被覆材料は、コロジオンの5ないし10容量条を有
するイソ−ブチル−メチル−ケトンの混合物の懸濁物と
して上記予備成形物へ塗布し、この懸濁物は固形物40
0重量部含有する。
The coating material is applied to the preform as a suspension of a mixture of iso-butyl-methyl-ketone with 5 to 10 volumes of collodion;
Contains 0 parts by weight.

それからコーティング済の予備成形物を、黒鉛るつぼに
入れた粉末窒化ホウ素保護媒体の中に埋め込んで加圧せ
ず80分に亘って1880℃の焼結温度へ加熱する。
The coated preform is then embedded in a powdered boron nitride protective medium in a graphite crucible and heated to a sintering temperature of 1880° C. for 80 minutes without pressure.

次いでこの予備成形物を更に60分間この温度に保持し
、冷却して黒鉛るつぼから取り出した後25°での平均
破壊係数750MNm−2、密度3.152およびワイ
ブル係数14を有することが判った。
The preform was then held at this temperature for a further 60 minutes and after cooling and removal from the graphite crucible was found to have an average modulus of rupture at 25° of 750 MN m@-2, a density of 3.152 and a Weibull modulus of 14.

さらに、この焼結作業中の重量損失はわずかに0.4%
であり、最終生成物が次式に従う単相化合物を90容量
φ以上含むことが判明した。
Furthermore, the weight loss during this sintering operation is only 0.4%.
It was found that the final product contained more than 90 volumes φ of a single phase compound according to the following formula.

Si6−zAlzN3−zOz ここに2は約0.5に等しい。Si6-zAlzN3-zOz Here 2 is equal to approximately 0.5.

第1サンプルの生成物の平均破壊係数を1255℃で測
定し、379MNm ”に減少したことが判った。
The average rupture modulus of the product of the first sample was measured at 1255°C and was found to have decreased to 379 MNm''.

77MNm−2の荷重で1225℃の材料のクリープ測
定により、この生成物が1時間にクリープが0.05%
に増加することが判る。
Creep measurements of the material at 1225°C under a load of 77 MN m-2 revealed that this product had a creep rate of 0.05% in 1 hour.
It can be seen that there is an increase in

このことは分散ガラス相の存在を示している。This indicates the presence of a dispersed glass phase.

同様に第1サンプルの生成物を黒鉛るつぼの中に埋め込
んで、加圧することなく更に60分に亘って1400℃
の温度まで加熱することによって2次熱処理を行った。
Similarly, the product of the first sample was embedded in a graphite crucible and heated to 1400°C for another 60 minutes without applying pressure.
A secondary heat treatment was performed by heating to a temperature of .

この焼結生成物をそれから更に5時間この温度に保持し
た後、冷却した。
The sintered product was then held at this temperature for a further 5 hours and then cooled.

黒鉛るつぼからこの熱処理生成物を取り出すに当って2
5℃で平均破壊係数705MNm ”とワイブル係数1
1とを有するが、しかし77MNm ”の荷重を負荷し
たときこの生成物が0.05%のクリープを受けるのに
、11時間を要する程1227℃でのクリープが改良さ
れた。
In taking out this heat-treated product from the graphite crucible, 2
Average rupture coefficient 705MNm” and Weibull coefficient 1 at 5°C
1, but the creep at 1227°C was so improved that it took 11 hours for the product to undergo 0.05% creep when loaded with 77 MNm''.

熱処理生成物のX線回折分析試験の結果は、z = 0
.5を有する上記一般式の単相セラミックに、5容量多
に相当するイツトリウムアルミニウムざくろ石(3Y2
0s 5A120g )が添加されていることが示され
ている。
The result of the X-ray diffraction analysis test of the heat-treated product is z = 0
.. In addition to the single phase ceramic of the above general formula having 5, yttrium aluminum garnet (3Y2
0s 5A (120 g) was added.

同様にクリープ値から初期サンプルの大部分のガラスが
この熱処理中結晶化されて、小量のガラスがなお残って
はいるが、イツトリウムアルミニウムざくろ石を形成し
ていることが判る。
Similarly, the creep values indicate that most of the glass in the initial sample was crystallized during this heat treatment, forming yttrium aluminum garnet, although a small amount of glass still remained.

第2例では、第1例と出発材料及び処理方法が同様であ
るが、しかし初期混合物の第1i分の組成が窒化ケイ素
92重量部、窒化アルミニウム6重量部およびアルミナ
2重量部にされており、そのため窒素と酸素に対するケ
イ素とアルミニウムの原子比率が0.75となっている
In the second example, the starting materials and treatment methods are similar to those in the first example, but the composition of the 1st part of the initial mixture is 92 parts by weight of silicon nitride, 6 parts by weight of aluminum nitride, and 2 parts by weight of alumina. Therefore, the atomic ratio of silicon and aluminum to nitrogen and oxygen is 0.75.

前述の如くこの混合物の第2成分は、イツトリアの6重
量部によって構成される。
As mentioned above, the second component of this mixture is constituted by 6 parts by weight of Ittria.

この焼結生成物は、25℃での平均破壊係数564MN
m−2、密度3.175およびワイブル係数16を有し
、焼結中の重量損失が0.44%であった。
This sintered product has an average modulus of rupture of 564 MN at 25°C.
m-2, density 3.175 and Weibull coefficient 16, with a weight loss during sintering of 0.44%.

この生成物のX線回折分析は、6容量優に相当する量の
イツ) IJウムケイ素デアルミニウムオキシ窒化物Y
2SiA105N)と共にz = 0.5を有する上記
一般式の単相セラミックが90容量饅以上存在すること
を示している。
X-ray diffraction analysis of this product revealed an amount equivalent to well over 6 volumes of IJum silicon dealuminum oxynitride Y
2SiA105N) and the above general formula having z = 0.5 exist with a capacity of 90 or more.

荷重77MNm ”と1227℃でのこの材料に関する
クリープ測定はこの生成物が32時間で0.05優のク
リープに到達することが判り、従って第1サンプルに較
べてガラスの量が減少していることを観察できる。
Creep measurements on this material at a load of 77 MNm'' and 1227°C show that the product reaches a creep of over 0.05 in 32 hours, thus reducing the amount of glass compared to the first sample. can be observed.

この第2サンプルの生成物に前例における如く再加熱処
理を行ないかつ同一条件にした。
This second sample of product was reheated and subjected to the same conditions as in the previous example.

かくして形成される生成物は、25℃での平均破壊係数
709MNm ”とワイブル係数8を有し、1227℃
で77MNm ”の荷重を負荷したクリープ試験では
、この生成物は40時間で0.05%のクリープに達し
たことから更にガラスの量が減少したことが判る。
The product thus formed has an average modulus of rupture of 709 MNm'' at 25 °C and a Weibull coefficient of 8 and a
In a creep test under a load of 77 MNm'', the product reached 0.05% creep in 40 hours, indicating further reduction in the amount of glass.

熱処理生成物のX線回折分析の結果は、z==0.5の
上述の一般式の単相セラミックの他に2容量優に相当す
る量のイツトリウムケイ素アルミニウムオキシ窒化物と
共に3容量優に相当する量のイツトリウムアルミニウム
ざくろ石の存在を示した。
The results of X-ray diffraction analysis of the heat-treated product show that in addition to the single-phase ceramic of the above general formula with z==0.5, there is also an amount of yttrium silicon aluminum oxynitride that is equivalent to more than 2 volumes, as well as more than 3 volumes. It showed the presence of a corresponding amount of yztrium aluminum garnet.

第3例では第1例の出発材料と処理方法が再び反復され
るが、しかし初期混合物の第1成分の組成は、窒化ケイ
素92重量饅、窒化アルミニウム7重量部とアルミナ1
重量部にされておりこのため上記原子比率が0.753
となっている。
In the third example, the starting materials and processing method of the first example are again repeated, but the composition of the first component of the initial mixture is 92 parts by weight of silicon nitride, 7 parts by weight of aluminum nitride, and 1 part by weight of alumina.
It is expressed as parts by weight, so the above atomic ratio is 0.753.
It becomes.

この混合物は、更に、第2成分としてイツトリア6重量
部を含有する。
The mixture further contains 6 parts by weight of ittria as a second component.

得られた生成物は、密度3.141゜25℃での平均破
壊係数520MNm ”およびワイブル係数15を有し
ており、温度を1225℃まで昇温するとき、平均破壊
係数は608MNm−2まで90する。
The obtained product has a density of 3.141°, an average rupture coefficient of 520 MN m'' at 25 °C and a Weibull coefficient of 15, and when increasing the temperature to 1225 °C, the average rupture coefficient of 90 to 608 MN m do.

荷重77MNm−2、温度1227℃でのクリープ測定
の結果、8.5時間でこの材料のクリープが0.05%
?こ達し、従って、少量の分散ガラス相の存在を示して
いる。
As a result of creep measurement at a load of 77 MN m-2 and a temperature of 1227°C, the creep of this material was 0.05% in 8.5 hours.
? was reached, thus indicating the presence of a small amount of dispersed glass phase.

X線回折分析の結果は、この材料が2が約0.5に等し
い上記一般式に従う単相化合物を90容量多以上含有し
ていることを示している。
The results of X-ray diffraction analysis show that this material contains more than 90 volumes of single-phase compounds according to the general formula above, where 2 equals about 0.5.

また、5容量多に相当する量のイツトリウムケイ素アル
ミニウムオキシ窒化物の存在を示している。
It also shows the presence of yttrium silicon aluminum oxynitride in an amount equivalent to 5 volumes.

上記ガラス相の結晶化を行ないまた同時にイツトリウム
ケイ素アルミニウムオキシ窒化物をイツトリウムアルミ
ニウムざくろ石へ転換させ従って高温特性を改良するた
め、第3例の生成物を同一条件を使用して第1例の場合
のように再加熱サイクルを施した。
The product of Example 3 was converted to Example 1 using the same conditions in order to crystallize the glassy phase and at the same time convert the yttrium silicon aluminum oxynitride to yttrium aluminum garnet, thus improving the high temperature properties. A reheat cycle was applied as in the case.

このようにして形成される生成物は、ワイブル係数が1
1であり、平均破壊係数は室温で618MNm ”、1
225℃で602MNm ”を有することが判った。
The product thus formed has a Weibull coefficient of 1
1, and the average rupture modulus is 618 MNm'' at room temperature, 1
It was found to have a temperature of 602 MNm'' at 225°C.

更に荷重77MNm ”と1227℃でのクリープ試験
結果は、この生成物が70時間で0.05%のクリープ
に達しガラス相の著しい減量を示している。
Furthermore, creep test results at a load of 77 MN m'' and 1227° C. show that the product reaches a creep of 0.05% in 70 hours, indicating a significant weight loss of the glass phase.

熱処理生成物のX線回折分析の結果は、4容量優に相当
する量のイツトリウムアルミニウムざくろ石と共に2が
約0.5の上述の一般式に従う単相セラミックが90容
量係以上存在していることを示す。
The results of X-ray diffraction analysis of the heat-treated product indicate the presence of more than 90 volumes of single-phase ceramic according to the above general formula where 2 is about 0.5, along with an amount of yztrium aluminum garnet equivalent to well over 4 volumes. Show that.

また2容量多に相当する量のα−ボラストナイト(α−
Wo l I a−stsnite)と同様な構造を有
する一定の相が示される。
In addition, an amount of α-bolastonite (α-
A phase with a structure similar to that of Wol Ia-stsnite) is shown.

本発明の第4例では、温度処理工程を変えた他は第3例
と同様に行なった。
The fourth example of the present invention was carried out in the same manner as the third example except that the temperature treatment step was changed.

かくして、冷却した予備成形物を1.5時間以上に亘っ
て1880℃に加熱し、この温度で1時間保持した。
The cooled preform was then heated to 1880° C. over 1.5 hours and held at this temperature for 1 hour.

焼結生成物を17分間以上で1400℃迄冷却し、この
温度で5時間保持した後、室温迄冷却した。
The sintered product was cooled to 1400° C. over 17 minutes, held at this temperature for 5 hours, and then cooled to room temperature.

窒化ホウ素の保護媒体から取出した後、生成物をX−線
回折分析を行なった結果、z = 0.5の上述の一般
式に従う単相セラミックが90容量饅以上及び8容量優
に相当するイツトリウムアルミニウムざくろ石を含有す
ることが判った。
After removal from the boron nitride protective medium, X-ray diffraction analysis of the product revealed that the single-phase ceramic according to the above general formula with z = 0.5 corresponds to more than 90 volumes and more than 8 volumes. It was found to contain thorium aluminum garnet.

1225℃および1370℃での平均破壊係数がそれぞ
れ622MNlTl−2および605MNm ”である
のに対し、25℃での平均破壊係数535MNm−2、
ワイブル係数9であった。
The average rupture modulus at 1225 °C and 1370 °C is 622 MNlTl-2 and 605 MNm” respectively, whereas the average rupture coefficient at 25 °C is 535 MN m−2,
The Weibull coefficient was 9.

荷重77MNm ”、1227℃でクリープ試験の結
果、この材料は120分後においても0.05%のクリ
ープに達せず、このことは生成物中には殆どガラス相が
ないことを示している。
A creep test at 1227 DEG C. under a load of 77 MN m'' showed that the material did not reach a creep of 0.05% even after 120 minutes, indicating that there was almost no glass phase in the product.

本発明の第4例から、第二セラミック相を生成せしめる
には、二次的加熱処理サイクルを必要とするような生成
物を得るよりは、むしろ混合物の焼結温度からの冷却段
階を制御することがより効果的であることが理解されよ
う。
From the fourth example of the present invention, it can be seen that the formation of the second ceramic phase involves a controlled cooling step of the mixture from the sintering temperature, rather than obtaining a product that requires a secondary heat treatment cycle. It will be understood that this is more effective.

本発明の第5例では第2例の出発組成に第4例の焼結及
び冷却処理を行なった。
In the fifth example of the present invention, the starting composition of the second example was subjected to the sintering and cooling treatment of the fourth example.

次いでX線回折分析にかけた結果は、この生成物が7容
量饅に相当する量のイツトリウムアルミニウムざくろ石
と共にz = 0.5にした上記一般式の単相セラミッ
クを90容量俸以上を含有していることを示している。
Subsequent X-ray diffraction analysis showed that the product contained more than 90 volumes of a single-phase ceramic of the above general formula with z = 0.5 together with an amount of yztrium aluminum garnet corresponding to 7 volumes. It shows that

25℃での平均破壊係数は、ワイブル係数1.4で55
5MNm ”となることが判った。
The average modulus of rupture at 25°C is 55 with a Weibull coefficient of 1.4.
5MNm''.

1225℃での破壊係数は、574MNm ”まで増加
することが判った。
The rupture modulus at 1225°C was found to increase to 574 MNm''.

本発明の第6例のでは、第1例の出発組成に第4例の焼
結及び冷却処理を行なった。
In the sixth example of the present invention, the starting composition of the first example was subjected to the sintering and cooling treatment of the fourth example.

この生成物のX線回折分析の結果は、5容量優に相当す
る量のイツトリウムアルミニウムざくろ石と共に2=0
.5の上記一般式の単相セラミックを90容量饅以上を
含んでいることを示している。
X-ray diffraction analysis of this product revealed that 2=0
.. This indicates that the single-phase ceramic of the above general formula of No. 5 contains 90 or more volumes.

25℃で測定される平均破壊係数は、ワイブル係数13
で651MNm ”になることが判った。
The average modulus of rupture measured at 25°C is the Weibull coefficient of 13
It turned out that the amount was 651 MNm.

上述の例ではいずれも、出発混合物の第1成分における
酸素と窒素原子の全数に対するアルミニウムとケイ素原
子の全数の比率が0.747またはこれ以上となってお
り、またこの焼結セラミック生成物の熱処理の結果、結
晶化によりガラス相が減少して生成物の高温特性が改良
されたことが判る。
In all of the above examples, the ratio of the total number of aluminum and silicon atoms to the total number of oxygen and nitrogen atoms in the first component of the starting mixture is 0.747 or greater, and the heat treatment of the sintered ceramic product The results show that crystallization reduces the glass phase and improves the high temperature properties of the product.

更に熱処理による高温特性は上記原子比率が増加するに
つれて向上する他に、熱処理を行なわない場合にも向上
することも認められる。
Furthermore, it is recognized that the high-temperature properties due to heat treatment not only improve as the above-mentioned atomic ratio increases, but also improve when no heat treatment is performed.

対照的なものとして、第7例では、第1例の方法を繰返
えし、出発混合物の第2成分を再びイツトリア6重量部
とし、一方策1成分の窒化ケイ素、窒化アルミニウムお
よびアルミナをそれぞれ92:4:4とした。
In contrast, in Example 7, the method of Example 1 is repeated, with the second component of the starting mixture again being 6 parts by weight of ittria, while the first components of silicon nitride, aluminum nitride and alumina are each The ratio was set to 92:4:4.

従って、上記原子比率は0.745である。Therefore, the above atomic ratio is 0.745.

焼結後、この生成物をX線分析した結果、2約0.5で
上記一般式の単相セラミックを90容量多以上を含有し
、残部はガラスであることが明らかとなった。
After sintering, X-ray analysis of the product revealed that it contained more than 90 volumes of single-phase ceramic of the above general formula with a ratio of about 0.5 to 2, with the remainder being glass.

室温でのこの生成物の破壊係数は、ワイブル係数14で
733MNm−2,1225℃での破壊係数は、274
MNm ”であった。
The rupture modulus of this product at room temperature is 733 MN m-2 with a Weibull coefficient of 14, and the rupture modulus at 1225 °C is 274
MNm”.

荷重77MNm ”、1227℃でのクリープは0.7
時間で0.05%に達した。
Load 77MNm'', creep at 1227℃ is 0.7
It reached 0.05% in hours.

この生成物を、5時間1400℃の温度で加熱して第1
例の熱処理を行ない、次いで放冷することによりイツト
リウムアルミニウムざくろ石が若干形成された。
This product was heated at a temperature of 1400°C for 5 hours to
By carrying out the heat treatment as in the example and then allowing it to cool, some yttrium aluminum garnet was formed.

しかし、ガラス含有量が高いため、生成物の高温特性に
対する熱処理の効果は殆どない。
However, due to the high glass content, heat treatment has little effect on the high temperature properties of the product.

このセラミック生成物のケイ素アルミニウムオキシ窒化
物の2値を変えたときの効果を説明するため、第8例で
は2値0.38のケイ素アルミニウムオキシ窒化物を含
有する生成物を調製した。
To illustrate the effect of varying the binary value of silicon aluminum oxynitride in this ceramic product, a product containing silicon aluminum oxynitride with a binary value of 0.38 was prepared in an eighth example.

この生成物の出発材料は窒化ケイ素94重量部、窒化ア
ルミニウム6重量部およびイツトリアの6重量部から放
る。
The starting materials for this product are 94 parts by weight of silicon nitride, 6 parts by weight of aluminum nitride and 6 parts by weight of ittria.

従って、窒化ケイ素と窒化アルミニウムによって構成さ
れる混合物の第1成分は、上記原子比率が0.75であ
る。
Therefore, the first component of the mixture composed of silicon nitride and aluminum nitride has the above atomic ratio of 0.75.

この混合物を第1例と同様に行ない、1880℃で焼結
の後に得られた生成物は25℃での破壊係数が520M
Nm −2ワイブル係数8であり所望のケイ素アルミニ
ウムオキシ窒化物を80容量饅以上含有することが判っ
た。
This mixture was worked up as in the first example and the product obtained after sintering at 1880°C had a rupture modulus of 520 M at 25°C.
It was found that the Nm -2 Weibull coefficient was 8, and that the desired silicon aluminum oxynitride was contained in an amount of 80 volumes or more.

第9例では、1.5の2値でケイ素アルミニウムオキシ
窒化物の80容量多以上を含むセラミック生成物を調製
した。
In Example 9, a ceramic product containing more than 80 volumes of silicon aluminum oxynitride with a binary value of 1.5 was prepared.

出発混合物は窒化ケイ素70.6重量部、窒化アルミニ
ウム16.35重量部、シリカ6重量部およびアルミナ
7.05重量部によって構成され、上記原子比率0.7
5であり、更にイツトリア7重量部を含む。
The starting mixture was composed of 70.6 parts by weight of silicon nitride, 16.35 parts by weight of aluminum nitride, 6 parts by weight of silica and 7.05 parts by weight of alumina, with the above atomic ratio of 0.7.
5 and further contains 7 parts by weight of ittria.

第1例と同様に焼結処理を行ない、得られた生成物は密
度3,15.25℃での破壊係数550MNm ”、
ワイブル係数10であり焼結中の重量損失は1.5俤で
あった。
The sintering process was carried out in the same manner as in the first example, and the resulting product had a density of 3, a rupture coefficient of 550 MNm at 15.25°C,
The Weibull coefficient was 10 and the weight loss during sintering was 1.5 pounds.

本発明の第10例では約20ミクロンの粒子径を有する
アメリカ アルミニウム会社(Aluminum Co
、□f Ameria)によって市販されているアル
ミニウム42重量部、3ミクロンの平均粒子径を有する
ユニオンカーバイド株式会社(Union Carbi
de Lim1ted)によって供給されるケイ素14
重量部および0.05ミクロンの公称粒子径を有しかつ
B型としてリング(L i nde )によって発売さ
れているアルミナ44重量部から成る混合物をアルミナ
ボートの中へ導入し次いで窒化炉内で加熱した。
In a tenth example of the invention, Aluminum Co. has a particle size of about 20 microns.
42 parts by weight of aluminum, commercially available from Union Carbide Co., Ltd.
silicon-14 supplied by de Limlted)
A mixture consisting of parts by weight and 44 parts by weight of alumina having a nominal particle size of 0.05 microns and marketed by Linde as Type B was introduced into an alumina boat and then heated in a nitriding furnace. did.

該炉に供給された窒化雰囲気は、窒素64%、水素6%
およびアルゴン30%から成り、窒化中、反応混合物お
よび炉壁にそれぞれ熱電対を設けて注意深く温度を制御
して温度上のオーバランを防止した。
The nitriding atmosphere supplied to the furnace was 64% nitrogen and 6% hydrogen.
and 30% argon, and the temperature was carefully controlled during the nitriding by thermocouples in the reaction mixture and in the furnace wall, respectively, to prevent temperature overrun.

特にそれら熱電対によって記録される温度を比較しかつ
若し混合物の温度が炉壁の温度以上になるときは、混合
物の温度が炉壁の温度以下に降下するまで、窒化雰囲気
の供給を停止する。
In particular, compare the temperatures recorded by these thermocouples and, if the temperature of the mixture is above the temperature of the furnace wall, stop supplying the nitriding atmosphere until the temperature of the mixture falls below the temperature of the furnace wall. .

最小程度の中断で窒化を進行させるスケジュールは次の
通りである: (a)500℃まで100℃/時の加熱速度で昇温し、
24時間保持する、 (b)500℃から600℃まで上記速度で昇温し7時
間保持する、 (c)600℃から1000℃まで上記速度で昇温し、
24時間保持する、 (d)1000℃から1100℃まで上記速度で昇温し
、18時間保持する、 (e)1100℃から1200℃まで上記速度で昇温し
、5時間保持する、 (f) 更に1300℃まで上記速度で昇温し、20
時間保持し、 (g) なお更に1350℃まで上記速度で昇温し、
6時間保持する。
The schedule for nitriding to proceed with minimal interruption is as follows: (a) Raise the temperature to 500°C at a heating rate of 100°C/hour;
Hold for 24 hours, (b) Raise the temperature from 500°C to 600°C at the above rate and hold for 7 hours, (c) Raise the temperature from 600°C to 1000°C at the above rate,
Hold for 24 hours, (d) Raise the temperature from 1000°C to 1100°C at the above rate and hold for 18 hours, (e) Raise the temperature from 1100°C to 1200°C at the above rate and hold for 5 hours, (f) The temperature was further increased to 1300°C at the above rate, and the temperature was increased to 20°C.
(g) Further raise the temperature to 1350°C at the above rate,
Hold for 6 hours.

上記刃口熱処理を完了した後、窒化済混合物を、アルゴ
ン雰囲気の炉内で冷却し、次いで炉から取り出す。
After completing the edge heat treatment, the nitrided mixture is cooled in a furnace with an argon atmosphere, and then taken out from the furnace.

それからこの材料を粗砕しかつ500ミクロン以下の粒
子径になるまで粉砕し然る後に約1000Kp/Cl1
2(15000ps i )で冷間等圧プレスシテヘレ
ットに成型し、次いでこのペレットヲ黒鉛るつぼの中へ
導入し、窒化ホウ素粉末中に埋め込みその後の焼結作業
に対する保護雰囲気を形成する。
This material is then coarsely crushed and ground to a particle size of less than 500 microns, after which approximately 1000 Kp/Cl1
2 (15000 ps i ), the pellet is then introduced into a graphite crucible and embedded in boron nitride powder to form a protective atmosphere for subsequent sintering operations.

次いでるつぼの温度を、室温から1500〜2000℃
好しくは1800℃まで1時間半で上昇させ、それから
1時間この温度に保持する。
Next, the temperature of the crucible is increased from room temperature to 1500-2000℃.
Preferably, the temperature is raised to 1800° C. for 1.5 hours and then maintained at this temperature for 1 hour.

若干の未転換酸化物は別として、得られた焼結生成物は
6方晶構造を有しかつ近似式5iA1402N4に従う
ケイ素アルミニウムオキシ窒化物を有する単相ケイ素ア
ルミニウムオキシ窒化物からほぼ完全に構成される。
Apart from some unconverted oxides, the sintered product obtained consists almost entirely of a single phase silicon aluminum oxynitride with a hexagonal structure and according to the approximate formula 5iA1402N4. Ru.

従って本材料は6方晶β−相窒化ケイ素格子をベースと
する単相化合物とは異なるセラミック相を構成し、上記
化合物は本発明のセラミック生成物の主要成分を形成し
ている。
The material thus constitutes a ceramic phase distinct from the single-phase compound based on a hexagonal β-phase silicon nitride lattice, said compound forming the main component of the ceramic product of the invention.

便宜上、この附加的セラミック相を以後15R相と称す
る一方6方晶β一相窒化ケイ素格子をベースとする化合
物は参照記号β′によって示しである。
For convenience, this additional ceramic phase is hereinafter referred to as the 15R phase, while compounds based on a hexagonal β single-phase silicon nitride lattice are designated by the reference symbol β'.

黒鉛るつぼから取り出した後、15R焼結生成物を粗砕
し、次いで7ミクロンの平均粒子径に微粉砕した。
After removal from the graphite crucible, the 15R sintered product was coarsely ground and then finely ground to an average particle size of 7 microns.

それから15R生成物の12重量部を、第1例の窒化ケ
イ素粉末88重量部と混合し、窒素と酸素との原子数に
対するケイ素とアルミニウム原子数の比率が0.747
である第1成分をつくる。
Then 12 parts by weight of the 15R product were mixed with 88 parts by weight of the silicon nitride powder of the first example, so that the ratio of the number of silicon to aluminum atoms to the number of nitrogen and oxygen atoms was 0.747.
Create the first component.

次いで第1例のイツトリア6重量をこの第1成分へ添加
し、その後この第1例の焼結方法を繰り返えし最終生成
物を調製した。
Six weights of ittria from Example 1 were then added to this first component and the sintering process of Example 1 was then repeated to prepare the final product.

この生成物は25℃での平均破壊係数767MNm ”
、密度3.201とワイブル係数13であった。
This product has an average rupture coefficient of 767 MNm at 25°C.
, the density was 3.201 and the Weibull coefficient was 13.

この生成物の調製中の重量損失は4.18%になること
が判った。
The weight loss during preparation of this product was found to be 4.18%.

更に最終焼結作業中、判明したことは15R材料と、窒
化ケイ素は2値が0.5の所望β一相に転化され、窒化
ケイ素は、この最終生成物を900重量部上形成し、イ
ツトリアを含む第2相がわずかに存在していたことであ
る。
Furthermore, during the final sintering operation, it was found that with the 15R material, the silicon nitride was converted to the desired β monophase with a binary value of 0.5, and that the silicon nitride formed over 900 parts by weight of this final product; There was a slight amount of second phase containing .

第10例の変形として、第10例の方法と同様であるが
、イツ小リアの比率を変えて、最終焼結処理を行なった
As a modification of the 10th example, the final sintering process was carried out in the same manner as in the 10th example, but with a different ratio of microorganisms.

なお窒化ケイ素と15R生成物は前述と同様に残存して
いる。
Note that silicon nitride and 15R products remain as before.

これらの結果を要**約して次表に示した。These results are summarized and shown in the following table.

上記表から強度は、イツトリアの含有量が100重量部
近づきかつガラス含量が過剰になるにつれて下降するこ
とが判る。
It can be seen from the above table that the strength decreases as the ittria content approaches 100 parts by weight and the glass content becomes excessive.

第11例では、前述の例の15R粉末14.25重量部
を第1例の窒化ケイ素粉末85.75重量部と混合し第
1成分をつくり、この成分では上記原子比率が0.75
であり、更に第1例のイツトリア粉末7重量部をこの第
1成分に添加した。
In the eleventh example, 14.25 parts by weight of the 15R powder from the previous example was mixed with 85.75 parts by weight of the silicon nitride powder from the first example to form a first component, in which the atomic ratio was 0.75.
Further, 7 parts by weight of the ittria powder of Example 1 was added to this first component.

次いで第1例の焼結方法を反復し、その予備成形物を1
時間1840℃の焼結温度に保持した後室温まで放冷し
最終生成物を調製した。
The sintering method of the first example is then repeated and the preform is
After maintaining the sintering temperature at 1840° C. for a period of time, the final product was prepared by cooling to room temperature.

この生成物は25℃での平均破壊係数810MNm ”
、密度3.208であり、この生成物の重量損失は2%
であった。
This product has an average rupture coefficient of 810 MNm at 25°C.
, density 3.208 and the weight loss of this product is 2%
Met.

最終焼結作業中判ったことは15R材料と窒化ケイ素と
は2値0.6の所望β′相材料まで転換され、窒化ケイ
素は、90容量多以上の最終生成物を構成していること
である。
During the final sintering operation, it was found that the 15R material and silicon nitride were converted to the desired β' phase material with a binary value of 0.6, and that the silicon nitride comprised more than 90 volumes of the final product. be.

透過式電子顕微鏡試験の結果は、この生成物が10容量
多程度のガラス相を含むことを示している。
Transmission electron microscopy results show that the product contains more than 10 volumes of glass phase.

第11例の変形として窒化ケイ素、15R材料とイツト
リアの2次的等圧プレス予備成形物に第4例の焼結処理
を施した。
As a variation of Example 11, secondary isopress preforms of silicon nitride, 15R material and Ittria were subjected to the sintering process of Example 4.

X線試験の結果、得られた生成物は焼結中ガラス生成物
の部分的転換によってつくられるイツトリウムアルミニ
ウムざくろ石を1.5容量多と、z = 0.6の上記
一般式の膨張せるβ相セラミック化合物を90容量多以
上含むことを示している。
As a result of the X-ray test, the obtained product was found to have 1.5 volumes of yttrium aluminum garnet, which is made by partial conversion of the glass product during sintering, and expands according to the above general formula with z = 0.6. This indicates that it contains more than 90 volumes of β-phase ceramic compound.

25℃での平均破壊係数534MNm ”、密度3.2
39であった。
Average modulus of rupture at 25°C 534MNm”, density 3.2
It was 39.

第12例のでは、15Rと第10例の窒化ケイ素粉末を
再び使用するが、しかしこの場合15R粉末15.75
重量部を窒化ケイ素粉末84.25重量部と混合し、上
記原子比率0.752を有する第1成分をつくる。
In the twelfth example, 15R and the silicon nitride powder of the tenth example are again used, but in this case the 15R powder 15.75
Parts by weight are mixed with 84.25 parts by weight of silicon nitride powder to form a first component having the above atomic ratio of 0.752.

前述のイツトリア粉末7重量部をこの混合物へ添加し、
次いで第10例の処理を施した。
Adding 7 parts by weight of the aforementioned Ittria powder to this mixture;
Then, the treatment of Example 10 was performed.

室温まで冷却後保護雰囲気から取り出し、この生成物の
X線分析を行なった。
After cooling to room temperature, it was removed from the protective atmosphere and the product was subjected to X-ray analysis.

その結果1容量優に相当する少量のイツトリウムアルミ
ニウムざくろ石と共にz=0.7のβ′生成物90容量
多以上含むことが判った。
As a result, it was found to contain more than 90 volumes of the β' product with z=0.7, along with a small amount of yttrium aluminum garnet, equivalent to just over 1 volume.

密度が3.221であったのに対し、室温での破壊係数
は630MNm ”であった。
The density was 3.221, while the rupture modulus at room temperature was 630 MNm''.

本発明の第13例では第12例の方法を反復するが、第
1成分は窒化ケイ素82.75重量部と粉砕15R材料
1725重量部から成り、上記原子比率が0.754で
ある。
A thirteenth example of the invention repeats the method of the twelfth example, but the first component consists of 82.75 parts by weight of silicon nitride and 1725 parts by weight of ground 15R material, the atomic ratio being 0.754.

更に、イツトリア7重量部を出発混合物に添加した。Additionally, 7 parts by weight of ittria were added to the starting mixture.

焼結生成物のX線分析の結果、1.5容量優に相当する
量のイツトリウムアルミニウムざくろ石、2容量優に相
当する量のイツトリウムケイ素アルミニウムオキシ窒化
物及びz=0.8のβ′を90容量饅以上を含むことが
判った。
X-ray analysis of the sintered product revealed an amount of yttrium aluminum garnet in an amount equivalent to over 1.5 volumes, an amount of yttrium silicon aluminum oxynitride in an amount equivalent to over 2 volumes, and β with z = 0.8. ' was found to contain more than 90 volumes of rice cake.

室温での破壊係数が570MNm−2、密度が3.20
0であった。
Fracture modulus at room temperature is 570MNm-2, density is 3.20
It was 0.

第13例の変形として、第13例で予備成形された最終
混合物を第4例の焼結方法即ち焼結段階からの冷却を制
御する方法で行なった。
As a variation of Example 13, the final mixture preformed in Example 13 was sintered using the sintering method of Example 4, namely controlled cooling from the sintering stage.

得られた生成物を室温まで冷却して保護雰囲気から取り
出し、X線分析の結果、5.5容量優に相当する量のイ
ツトリウムアルミニウムざくろ石、及び2=0.8のβ
′を90容量多以上含有することが判った。
The resulting product was cooled to room temperature and removed from the protective atmosphere, and X-ray analysis revealed an amount of yttrium aluminum garnet corresponding to well over 5.5 volumes and a β of 2=0.8.
' was found to contain more than 90 volumes of '.

室温での破壊係数577MNm ”、密度値が3.23
0であった。
Destruction coefficient at room temperature is 577 MNm”, density value is 3.23
It was 0.

荷重77MNm ”、温度1227℃で測定されたこの
生成物のクリープの測定値は、8時間で0.1%のクリ
ープを示し、ガラス相0存在を示している。
Creep measurements of this product, measured at a load of 77 MN m'' and a temperature of 1227° C., show a creep of 0.1% in 8 hours, indicating the presence of zero glass phase.

本発明の第14例では、前記2例の方法を繰り返えすが
、予備成形混合物には、窒化ケイ素81.25重量部、
粉砕15R18,75重量部およびイツトリア7重量部
を含有し、窒化ケイ素と15Hにより構成される第1成
分の酸素と窒素原子の数に対するアルミニウムとケイ素
の数の比率は0.756である。
In a fourteenth example of the invention, the method of the previous two examples is repeated, but the preform mixture contains 81.25 parts by weight of silicon nitride;
The ratio of the number of aluminum and silicon to the number of oxygen and nitrogen atoms in the first component, which contains 18.75 parts by weight of pulverized 15R and 7 parts by weight of ittria and is composed of silicon nitride and 15H, is 0.756.

第1例の焼結方法による生成物のX線分析の結果、4容
量饅に相当する量のイツトリウムケイ素アルミニウムオ
キシ窒化物及び2値0.9のβ′を90容量多以上含有
していることを示している。
As a result of X-ray analysis of the product obtained by the sintering method of the first example, it was found that it contained yttrium silicon aluminum oxynitride in an amount equivalent to 4 volumes and more than 90 volumes of β' with a binary value of 0.9. It is shown that.

本生成物の室温での破壊係数は520MNm ”、密度
は3.188であった。
The product had a rupture modulus of 520 MNm'' and a density of 3.188 at room temperature.

第4例の変形として得られる生成物のX線回折分析の結
果、7容量饅に相当する量のイツトリウムアルミニウム
ざくろ石とβ′の90容量多以上のものの存在を示して
いる。
X-ray diffraction analysis of the product obtained as a variant of the fourth example shows the presence of 7 volumes of yttrium aluminum garnet and more than 90 volumes of β'.

この生成物の室温での破壊係数が543MNm−2、密
度が3.179であるのに対し、荷重77MNm ”、
温度1227℃で測定されるクリープは、48時で0.
12%であり、前例よりもガラス相の存在が少ないこと
を示す。
The rupture coefficient of this product at room temperature is 543 MN m-2, the density is 3.179, while the load is 77 MN m'',
The creep measured at a temperature of 1227°C is 0.48 hours.
12%, indicating that there is less glass phase than in the previous example.

第45例では、第4例の変形方法を反復し、前例の予備
成形混合と同様の予備成形混合であるが、第1成分が窒
化ケイ素79.75重量部と粉砕15B材料20.25
重量部から戒り、上記原子比率は、0.758となって
いる。
In the 45th example, the modification method of the 4th example is repeated, and the preform mixture is similar to the preform mixture of the previous example, but the first component is 79.75 parts by weight of silicon nitride and 20.25 parts by weight of crushed 15B material.
Based on parts by weight, the above atomic ratio is 0.758.

得られた生成物のX線回折分析の結果は、1容量俸程度
のイツトリウムケイ素アルミニウムオキシ窒化物、8容
量優に相当する量のイツトリウムアルミニウムざくろ石
及びz−=1のβ′が90容量多以上の存在を示してい
る。
The results of X-ray diffraction analysis of the obtained product revealed that about 1 volume of yttrium silicon aluminum oxynitride, yttrium aluminum garnet in an amount equivalent to more than 8 volumes, and β' of z-=1 was 90. This indicates the presence of more than a large amount of capacity.

室温での破壊係数は500MNm ”、密度は3.22
4であった。
The modulus of rupture at room temperature is 500MNm'', the density is 3.22
It was 4.

1227℃と荷重77MNm−2でのクリープの値は4
8時間経過して0.023%であり、従ってこの生成物
中のガラス含有量は無視できる程度であることが判る。
The creep value at 1227℃ and load 77MNm-2 is 4.
0.023% after 8 hours, thus indicating that the glass content in this product is negligible.

第16例では、前例の方法を反復するが、混合物の第1
成分は窒化ケイ素78.25重量部、粉砕15R21,
75重量部から成り、上記原子比率は0.76となって
いる。
In the 16th example, the previous method is repeated, but the first part of the mixture
Ingredients: 78.25 parts by weight of silicon nitride, crushed 15R21,
It consists of 75 parts by weight, and the above atomic ratio is 0.76.

更にイツトリア7重量部がこの混合物に添加されている
Additionally, 7 parts by weight of Ittria were added to this mixture.

この生成物のX線分析結果は、8.5容量多のイツトリ
ウムアルミニウムざくろ石少量(約1容量%)のケイ酸
イツトリウム及び2値二1.1のβ′が90容量舜以上
の存在を示している。
X-ray analysis of this product revealed the presence of 8.5 volumes of yttrium aluminum garnet, a small amount (approximately 1% by volume) of yttrium silicate, and more than 90 volumes of β' with a binary value of 21.1. It shows.

室温での破壊係数501MNm ”密度3.198であ
り、強度と密度値の低下は、この生成物が専らセラミッ
ク相から成ることを示している。
The rupture modulus at room temperature is 501 MNm'' and the density is 3.198, indicating that the product consists exclusively of ceramic phases.

1227℃と77MNm−2のクリープは48時間経っ
て0.019%であった。
The creep at 1227° C. and 77 MN m −2 was 0.019% after 48 hours.

第13から第16例までの場合焼結方法を変形したもの
であるが注目すべきことは、15R/窒化ケイ素の上記
原子比率が増加するにつれて、ガラス相が漸次減少する
ことによりイツトリウムアルミニウムざくろ石が漸進的
に増加し、従ってこの生成物の高温特性が改良されるこ
とである。
The cases from the 13th to the 16th examples are modified sintering methods, but it should be noted that as the atomic ratio of 15R/silicon nitride increases, the glass phase gradually decreases, resulting in yttrium aluminum pomegranate. The stone is progressively increased and thus the high temperature properties of this product are improved.

上述の例では、イツトリアを焼結混合物の第2成分とし
て使用した場合について説明したが、スカンジウム、セ
リウム、ランタンおよびランタニドの諸金属元素の酸化
物を用いても同様の結果が得られる。
Although the above example describes the use of yttria as the second component of the sintering mixture, similar results can be obtained using oxides of the metallic elements scandium, cerium, lanthanum and lanthanides.

また、上述の例では焼結処理を加圧しないで行なったが
、必要に応じて加圧することもできる。
Further, in the above example, the sintering process was performed without applying pressure, but it is also possible to apply pressure if necessary.

しかしながら注意すべきことは加圧せずに得られる強度
、密度およびクリープの数値が良好な熱間プレスセラミ
ックで得られるものと匹敵できるものである点である。
However, it should be noted that the strength, density and creep values obtained without pressing are comparable to those obtained with good hot pressed ceramics.

これらの例の場合焼結作業に対する保護雰囲気およびそ
の後の熱処理は黒鉛るつぼ内で粉末窒化ホウ素の中にそ
れらサンプルを埋め込んで行なったが、これらサンプル
は、窒素の如きガス状保護雰囲気内で焼結させることが
出来る。
In these examples, the protective atmosphere for the sintering operation and subsequent heat treatment was done by embedding the samples in powdered boron nitride in a graphite crucible; I can do it.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 セラミック製品を製造する方法であって:第1成分
と第2成分とから成る粉末混合物を形成する工程から成
り、ここで、前記第1成分は、窒化ケイ素、窒化アルミ
ニウムおよびアルミナから成るが添加されたシリカは含
まず、且つ、該第1成分中の酸素原子と窒素原子との全
数に対するケイ素原子とアルミニウム原子の比が0.7
35から0.77までの範囲にあり、更に、前記窒化ケ
イ素、窒化アルミニウムおよびアルミナは、それらが後
続の焼結工程において互いに反応して、一般式8式% (式中、2は0.38から1.5の間にある)に従う単
相セラミック物質を生成するような割合にあり、また、
前記第2成分は、前記原子とは別異の原子、すなわち、
イツトリウム、スカンジウム、セリウム、ランタンおよ
びランタニド系諸金属のうちの少なくとも1つの原子の
酸化物から成り、且つ、0.1から10重量俤の間の量
にあり;更に、温度が高くなるに従って時間が短かくな
るように1600℃から2000℃の間の温度下に少な
くとも10分間から少なくとも5時間までの時間にわた
り、加圧下または非加圧下において保護雰囲気内で、前
記混合物を焼結して、前記単相セラミック物質を少なく
とも80体積多含有し、且つ、前記少なくとも1つの別
異の原子から成る第2の相を含有する生成物を生ぜしめ
る工程から成ることを特徴とする前記セラミック製品を
製造する方法。 2 六方晶β一相窒化ケイ素格子をベースとするが単位
格子の寸法が拡大している結晶構造を有し、且つ、一般
式 %式% (式中、2は0.38から1.5の間にある)に従う単
相ケイ素アルミニウムオキシ窒化物を含有するセラミッ
ク製品を製造する方法であって:第1成分と第2成分と
から成る粉末混合物を形成する工程から成り、ここで、
前記第1成分は、窒化ケイ素と、前記一般式には従わな
いケイ素アルミニラムオキシ窒化物とから構成され、そ
れらの構成分は、該第1成分中の酸素原子と窒素原子と
の全数に対するケイ素原子とアルミニウム原子との全数
が0.735から0.77までの範囲にあり、且つ、そ
れらの構成分が後続の焼結工程において互いに反応して
前記一般式に従うケイ素アルミニウムオキシ窒化物を生
成するような割合にあり、また、前記第2成分は、前記
原子とは別異の原子、すなわち、イツトリウム、スカン
ジウム、セリウム、ランタンおよびランタニド系諸金属
のうちの少なくとも1つの原子の酸化物から成り、且つ
、0.1から10重量俸の間の量にあり;更に、温度が
高くなるに従って時間が短かくなるように1600℃か
ら2000℃の間の温度下に少なくとも10分間から少
なくとも5時間までの時間にわたり、加圧下または非加
圧下において保護雰囲気内で、前記混合物を焼結して、
前記単相ケイ素アルミニウムオキシ窒化物を少なくとも
80体積饅含有し、且つ、前記中なくとも1つの別異の
原子から成る第2の相を含有する生成物を生せしめる工
程から成ることを特徴とする前記セラミック製品を製造
する方法。
[Claims] 1. A method for manufacturing a ceramic product, comprising: forming a powder mixture comprising a first component and a second component, wherein the first component is silicon nitride, aluminum nitride, and alumina but does not contain added silica, and the ratio of silicon atoms to aluminum atoms to the total number of oxygen atoms and nitrogen atoms in the first component is 0.7.
35 to 0.77, and furthermore, the silicon nitride, aluminum nitride and alumina react with each other in the subsequent sintering step so that the silicon nitride, aluminum nitride and alumina react with each other in the general formula 8% and 1.5), and
The second component is an atom different from the atom, that is,
consisting of an oxide of at least one atom of yttrium, scandium, cerium, lanthanum and lanthanide metals, and in an amount between 0.1 and 10 wt. Sintering the mixture at a temperature between 1600° C. and 2000° C. for a period of at least 10 minutes up to at least 5 hours, under pressure or without pressure, in a protective atmosphere to sinter the monomer. A method for producing a ceramic article, characterized in that it comprises the step of producing a product containing at least 80 volumes of phase ceramic material and containing a second phase consisting of said at least one different atom. . 2 It has a crystal structure based on a hexagonal β single-phase silicon nitride lattice, but the dimensions of the unit cell are enlarged, and has the general formula % formula % (where 2 is from 0.38 to 1.5). 1. A method of manufacturing a ceramic article containing a single-phase silicon aluminum oxynitride according to the method (between) comprising: forming a powder mixture comprising a first component and a second component;
The first component is composed of silicon nitride and silicon aluminum oxynitride that does not follow the general formula, and these components are silicon nitride based on the total number of oxygen atoms and nitrogen atoms in the first component. The total number of atoms and aluminum atoms is in the range from 0.735 to 0.77, and the components react with each other in a subsequent sintering step to form a silicon aluminum oxynitride according to the general formula above. The second component is composed of an oxide of at least one atom of yttrium, scandium, cerium, lanthanum, and lanthanide metals, and in an amount between 0.1 and 10% by weight; furthermore, at a temperature between 1600°C and 2000°C for at least 10 minutes up to at least 5 hours, with the time decreasing as the temperature increases. sintering the mixture in a protective atmosphere under pressure or non-pressure for a period of time;
forming a product containing at least 80 volumes of said single phase silicon aluminum oxynitride and containing a second phase consisting of at least one different atom in said single phase silicon aluminum oxynitride. A method of manufacturing the ceramic product.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0283750U (en) * 1988-12-16 1990-06-28
JP2008175385A (en) * 2006-12-22 2008-07-31 Ntn Corp Universal coupling, torque transmission member for universal coupling, and its manufacturing method
JP2008180364A (en) * 2006-12-20 2008-08-07 Ntn Corp Rolling bearing, hub unit, rolling member and its manufacturing method
US8376624B2 (en) 2007-06-27 2013-02-19 Ntn Corporation Rolling contact member and rolling bearing
US9103382B2 (en) 2006-12-20 2015-08-11 Ntn Corporation Rolling bearing, hub unit, rolling contact member, universal joint, torque transmission member for universal joint, and method of producing the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5835950B2 (en) * 1980-03-12 1983-08-05 科学技術庁無機材質研究所長 Production method of α-sialon sintered body
JPS5823346B2 (en) * 1980-06-11 1983-05-14 科学技術庁無機材質研究所長 Production method of α-sialon sintered body
JPS5855375A (en) * 1981-09-28 1983-04-01 日本特殊陶業株式会社 Silicon nitride composite sintered body and manufacture
MX158265A (en) * 1982-02-22 1989-01-18 Kennametal Inc IMPROVED METHOD TO PRODUCE A COMPOSITION OF A CERAMIC MATERIAL AND RESULTING PRODUCT
ATE21096T1 (en) * 1983-02-26 1986-08-15 Lucas Cookson Syalon Limited CERAMIC SILICON ALUMINUM OXYNITRIDE PRODUCT AND PROCESS OF MANUFACTURE.
JPH0650354B2 (en) * 1986-04-30 1994-06-29 株式会社日立製作所 Control rod for fast breeder reactor
JPH0712693B2 (en) * 1986-09-22 1995-02-15 三菱マテリアル株式会社 Sputtering target material for forming a protective layer on a thermal recording head
DE19941020B4 (en) * 1999-08-28 2007-07-19 Ferro Gmbh Bright noble metal preparation for high temperature firing and process for the production of bright noble metal decors

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210462B2 (en) * 1973-11-30 1977-03-24
JPS566392B2 (en) * 1974-04-01 1981-02-10

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0283750U (en) * 1988-12-16 1990-06-28
JP2008180364A (en) * 2006-12-20 2008-08-07 Ntn Corp Rolling bearing, hub unit, rolling member and its manufacturing method
US9103382B2 (en) 2006-12-20 2015-08-11 Ntn Corporation Rolling bearing, hub unit, rolling contact member, universal joint, torque transmission member for universal joint, and method of producing the same
JP2008175385A (en) * 2006-12-22 2008-07-31 Ntn Corp Universal coupling, torque transmission member for universal coupling, and its manufacturing method
US8376624B2 (en) 2007-06-27 2013-02-19 Ntn Corporation Rolling contact member and rolling bearing

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Publication number Publication date
JPS5314717A (en) 1978-02-09

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