JPS5853800B2 - 盗難防止システム用の標識 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は盗難防止システムおよびそれに使用する標識（
マーカ、以下同じ）に関する。

特に、本発明は、盗難防止システムの感度および信頼性
を向上させる、延性のある非晶質金属製標識を提供する
。

書籍、衣料品、電気器具等の品物が小売店および公共の
施設から盗まれることがあり、これは深刻な問題となっ
ている。

盗まれた品物を補充するための費用および図書館のよう
な施設によって行なわれる活動（サービス）が受ける損
害は毎年６０億ドルを越えており、益々増大している。

盗難防止のために採用されているシステムは、一般に、
検出すべき対象に取り付けられた標識要素および探索領
域（質問領域−ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｉｏｎｚｏｎｅ、
）を通り過ぎたときに標識から発生した信号を感知す
る装置から構成される。

このような盗難検出システムつまり盗難防止システムに
みられる主な問題点の１つは、標識からの信号の劣化を
防止することが難かしいことである。

標識が壊われたりあるいは曲げられたならば、そのとき
の標識からの信号は消失してしまうかあるいはその同一
性を示す特性を害するまで変化してしまうことがある。

標識のこのような曲げおよび破壊は、標識の製造過程で
、および引き続いてみられる従業員および顧客による商
品取扱いの過程でたまたま起こるか、あるいは品物を盗
もうとして故意に行なわれる。

本発明は以上のような問題の解決を図るものである。

要約すれば、本発明は、付与された磁場の下で同一性を
示す信号を発生させ得る非晶質の強磁性金属標識を提供
する。

この標識は、それを取り付けた品物の製造および商品の
取扱いの過程での破壊に抗し、またたわんだときつまり
曲げられたときにも信号の同一性を確保する。

さらに、本発明は探索領域内での標識が取り付けられて
いる品物の存在に応答する磁気検出システムを提供する
。

このシステムは探索領域を規定する手段を備えている。

この探索領域内には磁場発生のための手段が設けられて
いる。

磁性非晶質金属標識は探索領域を通過するようにした品
物に取り付ける。

この標識は、強磁性非晶質金属材料から成る長く伸びた
延性ス） ＩＪツブから構成され、この材料はそのとき
の磁場の周波数の高調波である周波数の磁場を発生させ
得る。

そのような周波数は標識に信号の同一性を与える一定の
トーン（ｔｏｎｅ ）をもっている。

標識が介在するときに探索領域の近傍で生じる高調波に
よる磁界の変化を選定トーンで検出するように検出手段
が設けられている。

この標識は、たわまされたときでもつまり曲げられたと
きでも信号の同一性を確保している。

そのため、本発明に係る盗難防止システムは、標識をた
わませたり曲げたりすることによって信号の劣化が生じ
るようなシステムと比較して、その動作の信頼性が高い
。

本発明については、その好適具体化例および添付図面に
ついての以下の詳細な説明を参照することによって、よ
り完全に理解され、またその他の利益も明らかとなろう
。

ここで第１図および第２図について説明すると、図中、
探索領域内に品物が存在するとこれに応答する磁気盗難
防止システム１０を示す。

このシステム１０は探索領域１２を規制する手段を備え
ている。

磁界発生手段１４を設けてこの探索領域１２内に磁界を
発生させる。

探索領域を通過するようにした品物１９には標識１６を
取り付ける。

この標識は強磁性の非晶質金属から成る長く伸びた延性
ス） ＩＪツブ１８であり、入射磁界つまりそのときの
磁界の周波数の高調波である周波数の磁界を生じさせる
ことができる。

そのような周波数は標識に信号の同一性を与える選定ト
ーンをもっている。

検出手段２０は、標識１６が介在することによって探索
領域１２の近傍に生じた高調波の磁場の変化を選定トー
ンで検出するように配置されている。

比表的には、システム１０は、店の出口２６に通じる通
路の両側に設けた一対のコイル装置２２゜２４を含む。

警報装置２８を含む検出回路は出口２６の近くのキャビ
ネ３０内に収容されている。

衣料品、電気器具、書籍等の品物（商品）１９は店内に
陳列されている。

それぞれの品物１９には本発明に従って構成した標識１
６を取り付ける。

標識１６は、一般に活性状態にある、長く伸びた延性の
ある強磁性非晶質ストリップ１８を含む。

この標識１６が活性状態にある場合、探索領域１２を構
成するコイル装置２２，２４の間に品物１９が置かれる
と、キャビネ３０から書報が発せられることになる。

このようにして、システム１０によって、許可を受けな
いであるいは不当に店から品物１９が持ち出されるのを
防止する。

キャッシュレジスタ３６０近くの勘定台には失活装置３
８が置かれている。

この失活装置はワイヤ４０によってキャッシュレジスタ
３６に電気的に接続されている。

正しく代金の支払われた品物（商品）１９は失活装置３
８の開口部４２内に入れられ、そこで探索領域１２のコ
イル装置２２゜２４によって発生するのと同様な磁界を
標識１６にかげる。

失活装置３８は、標識１６によって発生した高調波信号
に応答してガウス回路を活性化するようにした検出回路
を備えている。

このガウス回路は、標識１６を失活状態に置くことにな
る大きな磁界をこの標識１６にかげる。

失活した標識１６が貼付された品物１９は、探索領域１
２を通ってもキャビネ３０内の警報２８はならない。

標識１６を一緒にした本発明に係る盗難防止システムは
、（１）探索領域において所定の磁界を発生させ、そし
て（２）この探索領域内に標識が介在することによって
その近傍に発生した磁界の変化を選定した高調波周波数
で検出できるシステムであればいずれであってもよい。

そのようなシステムは典型的には導電コイルを通して発
振器および増幅器から変電流（ｖａｒｙｉｎｇ ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ）を送る手段を
含む。

前記の導電コイルは変化する＊＊磁界を発生させ得るフ
レームアンテナを構成する。

このようなアンテナの構成例は１９３４年５月４日発行
のフランス国特許第７６３６８１号に開示されており、
その内容はここに本文の１部として採用する。

本発明の好適具体化例によれば、強磁性の非晶質金属製
の標識が与えられる。

この標識は、本質的に式： ％式％ （ただし、Ｚは鉄およびコバルトの少なくとも１種、Ｔ
はニッケル、モリブデン、バナジウム、クロム、銅およ
びそれらの混合物から戒る群から選んだものであり、Ａ
はホウ素、リン、炭素、ケイ素、窒素、ゲルマニウムお
よびアルミニウムの少なくとも１種、Ｘは約２０−１０
０原子％、およびＭは約７０−８５原子％である） から成る組成をもった、長く伸びた延性ストリップの形
態にある。

本発明の範囲内にある強磁性非晶質体標識組成物の例は
次の第■表に示す。

非晶質金属合金であっても、本発明に係る磁気盗難防止
システム用の標識として使用するのが不適当であること
が判明した具体的な非晶質金属合金を次の第■表に３つ
の例として示す。

本発明に係る強磁性の非晶質金属標識は、ガラス質金属
製造の分野で良く知られている金属合金急冷法（例えば
米国特許第３８５６５１３号参照）によって、少なくと
も約り０５℃／秒の速度で望所組成の溶融体を冷却する
ことによって製造される。

各組成物の純度はいずれも通常の商業的実施に際してみ
られる程度である。

連続リボン、ワイヤ、シートその他を製造するためには
多くの方法が利用可能である。

一般的には、まず特定の組成を選び、所望割合の所要元
素の粉末、粒子を溶解し、均一化し、次いでこの溶融合
金を例えば高速回転金属シリンダのような冷却面上で急
冷する。

このような急冷条件では、準安定相である均質な延性材
料が得られる。

この準安定相材料はガラス質であり、したがって長範囲
の規則性はない。

ガラス質金属のＸ−線回折パターンは、無機酸化物ガラ
スの場合にみられるものと似た、幅をもって拡がったも
のである。

そのようなガラス質合金は少なくとも５０％がガラス質
であって、十分に延性であって、その後の処理、例えば
リボン状合金から複雑な形状の標識を打ち抜いても、標
識にみられる信号の同一性は伺ら損われない。

好ましくはガラス質金属の標識はすぐれた延性を得るた
めには少な（とも８０％がガラス質でなげればならない
。

準安定相は各構成元素の固溶体であってもよい。

本発明に係る標識の場合、そのような準安定固溶体相は
、結晶合金の製造技術上採用されている従来の技術では
通常製造されない。

このような固溶体合金のＸ−線回折パターンには、結晶
合金の特徴である鋭いピークがみられるとともに、結晶
体の望ましい微細結晶粒寸法のため、そのピークが多少
幅広くなっている。

このような準安定材料は、前述のような条件下で製造し
た場合、延性を示す。

本発明に係る標識は、ホイル（またはリボン）の形状で
作られるのが有利であり、その材料がガラス質であって
もあるいは固溶体であっても、鋳造のまＳで盗難防止用
装置に使用することができる。

あるいは、ガラス質金属合金のホイルは、熱処理によっ
て、好ましくは微細結晶粒の結晶相とし、複雑な形状に
標識を打抜こうとする場合に、金型寿命をより長くする
ことができる。

一部結晶性であって一部ガラス質である標識は、第２図
に示す型式の失活装置３８によって非感応性（ｄｅｓｅ
ｎｓｉｔｉｚｅｄ ）とするのに特に適する。

全部が非晶質である強磁性の標識ス） ＩＪツブには１
もしくはそれ以上の小さな磁化要素４４を設けてもよい
。

このような磁化要素４４は、ストリップ１８の保持する
保磁力より大ぎな保磁力をもった強磁性物質の結晶体か
ら作られる。

さらに、完全に非晶質である標識ストリップは、スポッ
ト溶接をし、干渉性のあるいは非干渉性の輻射線、帯電
粒子ビーム、直火、加熱ワイヤ等で熱処理をして、磁化
要素４４を一体的に取り付ける。

また、そのような磁化要素４４は、ストリップ１８の冷
却速度を選択的に変えることによって、鋳造時にストリ
ップ１８と一体化させてもよい。

冷却速度を変えるには、溝の設けられている冷却面上で
合金を冷却するかあるいは冷却時に部分的に結晶化を行
なうようにした加熱部を備えた冷却面上で合金を急冷す
る。

あるいは、鋳造時に部分的に結晶化するような合金を選
んでもよい。

リボンの厚さを鋳造時に変えて、ストリップ１８の一部
に結晶性の領域を生じさせてもよい。

磁化要素４４の永久磁化を行なうと、その透磁率は実質
上減少する。

そのような磁化に伴なう磁界は、ストリップ１８を偏倚
させ（バイアスを与え）、それによって、探索領域１２
に残っている磁界に対する応答を変える。

活性化された状態ではス） ＩＪツブ１８は偏倚されて
おらず、そのためストリップ１８の透磁率の大きい状態
が磁界発生手段１４によって加えられた磁界に顕著な作
用を及ぼす。

標識１６は磁化要素４４によって失活されてストリップ
の有効透磁率を減少させる。

透磁率が低下すると磁界に及ぼす標識１６の効果が著し
く小さくなり、そのため、標識１６はその信号の同一性
を失なう（例えば、標識１６は磁界をひずませたりある
いはその形を変えたりすることが余りできなくなる）。

このような条件の下では、盗難防止の対策を行なった品
物１９は警報２８を発することなく探索領域１２を通り
抜けできる。

本発明に係る強磁性非晶質標識は著しく延性である。

ここに゛延性である”とは、ストリップ１８を、破壊す
ることなく、ホイル厚さの１０倍程度の小さな半径にま
で丸く曲げることができることを意味する。

そのように標識を曲げても、探索用の磁界をかげたとき
に、標識から発生する磁気高調波はほとんどあるいは全
く劣化を受けない。

その結果、本発明による標識は、（１）製造時（例えば
、切断、打抜き、あるいはその他の手段でストリップ１
８を所望の長さおよび形状に成形するとき）、および、
所望によりオン／オフ標識とするために硬質磁気チップ
を付けるとき、（２）商品１９に標識１６を取り付ける
とき、（３）従業員および顧客によって品物１９が取扱
われるとき、および（４）システム１０の裏をかくため
に信号を破壊しようとするときに、たわませられたり曲
げられたりするにもかかわらず、信号の同一性を確保し
ている。

標識１６による高調波の発生は、そのときの磁界（入射
磁界）に対する標識１６の非線型磁化応答によって引き
起こされる。

パーマロイ、スーパーマロイ等のような高透磁率−低保
磁力材料は、磁界強度がその材料を飽和させるに十分な
だけ強い場合、入射磁界の振幅幅領域においてそのよう
な非線型応答をする。

強磁性の非晶質材料は著しく大きな振幅領域（比較的低
い磁界から飽和に近づくより高い磁界）にわたって非線
型の磁化応答をする。

強磁性非晶質材料の有する非線型磁化応答を示すさらに
追加の振幅領域は、標識１６によって発生させられた高
調波の大きさ、つまりその信号強度を増大させる。

このような特徴のためより低い磁界の使用ができ、偽の
警報がなるのをなくし、そしてシステム１０の盗難検出
の信頼性を高める。

以下の実施例は本発明をより完全に理解してもらうため
に示すものである。

本発明の原理および実施操作を説明するために示す以下
の特定の方法、条件、材料および得られたデータは例示
のものであって、本発明がそれらによって制限されるべ
きものではない。

実施例 強磁性材料の長く伸びたストリップを試験装置としてＧ
ａｙｌｏｒｄ −Ｍａｇｎａｖｏｘ Ｓｅｃｕｒｉｔｙ
Ｓｙｓｔａｍ ０ＭＸ−５２６Ｃを使い試験した。

ストリップの組成および大きさは次の通り。

このＧｏｙｌｏｒｄ−Ｍａｇｎｉｖｏｘ型の装置は、探
索領域１２の中心部でＯ，ＯＳエルステッド、この領域
の内壁の近傍で０．２エルステツドというように増大し
た磁界を、この探索領域１２に与えた。

この盗難防止装置は８ＫＨｚ の周波数で動作させてい
る。

ストリップ１〜５をそれぞれ２回づつ壁に平行な探索領
域に通した。

これらのストリップは次いでたわませて劣化させた状態
で前と同様に探索領域を通した。

結果を次に表でまとめて示す。以上、本発明の詳細な説
明してきたが、当業者には直ちに理解されるように、そ
の細部については多くの変更、修正が行なわれるのであ
って、それらはいずれも特許請求の範囲によって限定さ
れる本発明の範囲内のものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を組込んだ磁気盗難防止システムのブ
ロック図；第２図は、第１図に示すシステムを代表的な
店頭に装備したときの略式説明図；第３図は、第１図に
示すシステムに使用できる標識の斜視図；および第４図
は、第１図に示すシステムに使用できる減感性の標識の
斜視図である。 １０：盗難防止システム、１２：探索領域、１４：磁場
発生手段、１６：標識、１８ニストリツプ、１９：品物
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 探索領域内に加えられた入射磁界に対して高調波関
   係にあり、標識に信号の同一性を与える選定されたトー
   ンを有するように関係づけられた周波数で磁界を発生さ
   せるようにした磁気利用の盗難防止システム用の標識に
   おいて、該標識は、（ａ） 強磁性の非晶質材料から
   成る細長く伸びた延性のあるストリップであり、そして （ｂ） たわんでも或いは曲げられても信号の同一性
   を確保していること、 を特徴とする前記標識。 ２、特許請求の範囲第１項記載の標識において、該標識
   は、本質的に、式：（ＺｘＴｌ−Ｘ）ＭＡｌ −Ｍから
   成る組成を有し、ここでＺは鉄及びコバルトの少なくと
   も１種、Ｔはニッケル、モリブデン、バナジウム、クロ
   ム及び銅並びにそれらの混合物から成る群から選んだも
   の、Ａはホウ素、リン、炭素、ケイ素、窒素、ゲルマニ
   ウム及びアルミニウムの少なくとも１種であり、Ｘは約
   ２０−１００原子％、そしてＭは約７０−８５原子％で
   あることを特徴とする前記標識。 ３ 探索領域内に加えられた入射磁界に対して高調波関
   係にあり、標識に信号の同一性を与える選択されたトー
   ンを有するように関係づけられた周波数で磁界を発生さ
   せるようにした磁気利用の盗難防止システム用の標識に
   おいて、該標識は、（ａ） 強磁性の非晶質材料から
   成る細長く伸びた延性のあるス） ＩＪツブであって、
   たわんでも或いは曲げられても信号の同一性を確保して
   いる前記ストリップと、 （ｂ）・前記非晶質材料の保磁力より大きな保磁力を有
   する、前記ストリップと一体化した少なくとも１つの磁
   化部分と、 より成ることを特徴とする前記標識。 ４ 特許請求の範囲第３項記載の標識において、前記磁
   化部分は、磁化されることによって前記ストリップを偶
   奇させて、前記標識から発生した磁界の振幅を減少させ
   ることを特徴とする前記標識。 ５ 特許請求の範囲第３項の標識において、前記磁化部
   分は、前記材料の結晶領域より成ることを特徴とする前
   記標識。 ６ 特許請求の範囲第４項記載の標識において、前記標
   識から発生した磁界の振幅の前記減少によって、該標識
   が信号の同一性を失うことになることを特徴とする前記
   標識。