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JPS5854495B2 - 位置合わせ方法および光学装置 - Google Patents
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JPS5854495B2 - 位置合わせ方法および光学装置 - Google Patents

位置合わせ方法および光学装置

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Publication number
JPS5854495B2
JPS5854495B2 JP50090279A JP9027975A JPS5854495B2 JP S5854495 B2 JPS5854495 B2 JP S5854495B2 JP 50090279 A JP50090279 A JP 50090279A JP 9027975 A JP9027975 A JP 9027975A JP S5854495 B2 JPS5854495 B2 JP S5854495B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photomask
sample
semiconductor wafer
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50090279A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5214369A (en
Inventor
弘 西塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5214369A publication Critical patent/JPS5214369A/ja
Publication of JPS5854495B2 publication Critical patent/JPS5854495B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明(iフォトマスク位置合わせ技術に関する。
半導体装置の製造において、半導体ウェー・・上に形成
された絶縁膜あるいは金属薄膜を選択的に除去する技術
は必須のものである。
この方法としては従来選択エツチング方法が行なわれて
おり、以下の工程を経てなされるものである。
たとうば半導体ウェーハ上に形成された被エツチング膜
上に感光性樹脂であるフォトレジストの膜を形成する。
そしてこのフォトレジスト膜上に所望のパターンが形成
されたフォトマスクを載置し、このフォトマスクを介し
て前記フォトレジスト膜に紫外線を照射する。
その後前記フォトマスクを除き、フォトレジスト膜を現
像液に浸すことにより紫外線が照射された個所あるいは
紫外線が照射されなかった個所を融解させる。
次にこのように選択的に融解がなされたフォトレジスト
膜をマスクとしてこのマスクより露出している前記被エ
ツチング膜を適当なエツチング液で溶解させた後、フォ
トレジスト膜を全て除去して終了する。
このようにして所望のパターン(フォトマスクと同バタ
ー/)通りに被エツチング膜をエツチングするのである
が、ここでフォトレジスト膜上にフォトマスクを載置す
るには正確な位置合わせが要求される。
そのために、この位置合わせは、フォトマスク面に光を
照射することにより明る〈シ、フォトレジスト膜面とフ
ォトマスク面を顕微鏡等で確認しながら行なわれる。
従来、前記光は光の強度が比較的大きく、かつフォトレ
ジスト露光の際に用いられる光と同一であるように等の
4由から水銀燈が用いられている。
しかもこの水銀燈から発する光は紫外線が含されろこと
から、フォトレジスト膜を感光させないために色フィル
ターを介することによって紫外線以外の光を用いている
つ捷り水銀燈による光は第1図に示すように波長の異な
る光かぎされており、そのうち紫外線でない部分(曲線
1で囲捷れる部分)のみを色フィルターを用いて取り出
し、この光をフォトマスクの位置合わせの際に用いてい
るのである。
しかしながら色フィルターを介して取り出した光は第1
図で示すように546.1mμ、577.0mμの波長
を有する2個の輝線がキ筐れているため、フォトマスク
を半導体ウェーバ面に近づける際に光の干渉が生じ、前
記顕微鏡等で確認する際数回の明暗を認めることができ
る。
これは第2図で示すように色フィルターを介して照射さ
れた水銀燈の光2がフォトマスク3の裏面3aと半導体
ウェー・4の表面4aとで反射することにより位相のず
れが生じた二つの平行光線になる水銀燈O光2のうち5
46.1mμの輝線の波長が半波長ずれた場合この輝線
は暗くなる。
また577.0mμの波長が半波長ずれた場合にもこの
輝線は暗くなる。
この場合二つの輝線の強度は非常に大きいので全体とし
て大きな明暗の変化となる。
この位相のずれは前記フォトマスク3と半導体ウェー・
4との隙間tの長さにより変るために、明暗が交互に生
ずるのである。
したがってマスク位置合わせを顕微鏡で確認する際、上
述した明暗が生ずるために誤認を招くおそれがあった。
これは作業者が目視で確認する場合はもちろん、フォト
センサを使用した場合も同様のことがいえる。
それ数本発明はこのような欠点を除いたもので、半導体
ウェーバ上にフォトマスクを位置合わせする際、光の干
渉による明暗を除去したフォトマスク位置合わせ技術を
提供するものである。
以下実施例を用いて説明する。
第3図は本発明によるフォトマスク位置合わせ方法に用
いる装置の一実施例を示す簡略構成図である。
同図に卦いて水銀澄11があり、この前方には水銀燈1
1から発する水を平行光線にするために凸し/ズ12が
配置されている。
またこの凸レンズ12のさらに前方には凸レンズ12を
通過して得られた平行光線を下方へ方向変換させるため
の・・−フミン−1S装廼己置されている。
そして前記・・−フミラー13の下方には凸レンズ14
が配置されても・す、前記・・−フミラー13により反
射された平行光線は凸し/ズ14により集光されるよう
になっている。
さらに前記凸レンズ14の下方にはフォトマスク15が
固定されており、またこの下方には半導体ウェー・・1
6が配置され、この半導体ウェーバ16は来示しない機
構で上下方向およびX軸Y軸方向ならびにθ軸方向へ移
動できるようになっている。
一方、前記ハーフミラ−13の上方には前記フォトマス
ク15および半導体ウェー・16から反射され・・−フ
ミラー13を通過した光を方向変換するために反射鏡1
7が配置され、捷たこの反射鏡17によって方向変換さ
れた光の進行方向には本発明の要旨であるバンドパスフ
ィルター18が配置されている。
そしてこのバンドパスフィルター18の後方には凸レン
ズ19およびフォトセンサ20か配置され、前記バンド
パスフィルター18を通過した光を凸レンズ19により
集光し、この集光した光を前記フオトセ/す20がとら
えるようにしている。
さらにこのフオトセ/す20はコンピュータ21に接続
されてフォトセンサ20からの信号を基にして前記半導
体ウェー・・16をX軸Y@およびθ軸方向へ移動する
機構(図示しない)を操作するようになっている。
ここで本発明の要旨であるバンドパスフィルター18は
ガラス板内にこのガラスと屈折率の異なる材料からなる
薄い層が幾重にも重なって構成されており、これらの層
により水銀燈内にiすれている複数個の輝線を反射させ
、第4図のグラフで示すように曲線30で囲豊れた部分
の光のみを通過させるようになっている。
このような構成にも・いて、1ず、固定されたフォトマ
スク15の下方に半導体ウェー・・16を配置し、水銀
燈11を点灯させる。
水銀燈11の光は凸レンズ12を通過することにより平
行光線となりその後−・−フミラー13で方向変換され
凸し/ズ14により集光された状態で前記フォトマスク
15の表面および半導体ウェー・・160表面を照射す
る。
そして前記半導体ウェー・・16を若干上昇させてフォ
トマスク15に密着させる。
このトキの状態は、フォトマスク15の表面ふ゛よび半
導体ウェー・・の表面16で反射された光を凸レンズ1
4、・・−フミラー13、反射鏡17、バンドパスフィ
ルター18.凸レンズ19を介してフオトセ/す20が
とらえ、このフオトセ/す20から発せられる信号がコ
ンピュータ21に送られることによって判断される。
その後やはり前記フォトセンサ20が受ける光によって
発する信号に基づいてコンピュータ21が前記半導体ウ
ェー・・16を若干下降させてフォトマスク15からは
なして図示しない機構によりX軸方向Y軸方向およびθ
軸方向に移動させて位置合わせな行なう。
次に前記半導体ウェー・・16を若干上昇させてフォト
マスク15に密着させ前回同様の方法でフォトセンサ2
0が受ける光による信号に基づいてコンピュータ21が
位置合せ精度を判断して合格の場合位置合せが完了する
従来、水銀燈から発する光から紫外線以外の光をとりだ
し、この光によってフォトマスクド半導体ウェーバの位
置合わせを行なっていた。
したがってこの光には波長546.1mμ、 577
.0mμの2つの輝線がキ壕れているため特に半導体つ
ニー・・をフォトマスクに密着させる段階で干渉作用が
生じその結果明暗がくり返し生じた。
それ数本実施例のようにするとバンドパスフィルタ18
により前記輝線をとり除くことができるので、明暗の生
じない一定の強度を有する光が、フォトセンサに送られ
る。
したがってフォトセンサからは正確な相号がコンピュー
タ21に送られるので、位置合せに誤認が生ずることは
なくなる。
本実施例では一枚のパンドパスフイルターを用い、これ
により紫外線でなくかつ輝線が3筐れない光をとり出し
ているが、第5図で示すように従来の色フィルタと、輝
線のみをとり除くか又は輝線のみの透過率を大巾に小さ
くするパ/ドカントフィルター(図中曲線40の下方の
光を通過させるフィルター)を組み合わせたものを用い
ても本発明の目的は達成される。
捷た本実施例ではフオトセ/す、コンピュータを用いて
自動化した場合を述べているが、作業者が目視でマスク
位置合わせをする場合においても本発明を応用できるこ
とはいう筐でもない。
さらに本友施例ではバンドパスフィルター18をフォト
センサの前方に配置しているが、水銀燈の前方を始め水
銀燈から発する光の光路部のいかなる個所に配置しても
よいことはもちろんである。
以上述べたように本溌朋によるフォトマスク位置合わせ
方法によれば、半導体ウェー・・上にフォトマスクを位
置合わせする除光の干渉による明暗を除去できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は水銀燈の光の輝線分布を示すグラフで、前記光
に色フィルターを介した場合を説明するグラフ、第2図
はフォトマスクと半導体ウェー・を重ね1合光の干渉作
用が生ずることを説明する断面図、第3図は本発明によ
るフォトマスク位置合わせ方法に用いる装置の一実施例
を示す簡略構成図、第4図および第5図は水銀燈の光の
輝線分布を示すグラフで、前記光に本発明の要旨である
フィルターを介した場合を説明するグラフである。 3.15・・・・・・フォトマスク、4,16・・・・
・イ導体ウェーバ、11・・−・・水銀燈、12,14
,19・・・・・・凸レンズ、13・・・・・・ハーフ
ミラ−17・・・・・・反射鏡、18・・・−・・バン
ドパスフィルター、20・・・・・・フォトセンサ、2
1・・・・・・コンピュータ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 輝線を有する光源により試料を照射し、前記試料に
    より反射した光を受光することにより試料とフォトマス
    クとを位置合せする方法であって、前記光源からの光の
    うち、紫外線以外の光であってかつ前記輝線が大幅に減
    少された光を用いて、前記試料と前記フォトマスクとの
    位置合せをすることを特徴とする位置合わせ方法。 2 輝線を有する光源と、光学的レンズ系と、フォトマ
    スクの固定手段と、前記フォトマスクに対し試料の位置
    を移動できる機構を有する試料の配置手段と、前記試料
    により反射された光を受光する受光手段とを有する装置
    であって、前記輝線を有する光源と前記試料の配置手段
    との間の光路部捷たは前記試料の配置手段と前記受光手
    段との間の光路部に、紫外線以外の光を通過させかつ輝
    線の透過率を大幅に小さくするフィルタが介在している
    ことを特徴とする光学装置。
JP50090279A 1975-07-25 1975-07-25 位置合わせ方法および光学装置 Expired JPS5854495B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP50090279A JPS5854495B2 (ja) 1975-07-25 1975-07-25 位置合わせ方法および光学装置

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Publication Number Publication Date
JPS5214369A JPS5214369A (en) 1977-02-03
JPS5854495B2 true JPS5854495B2 (ja) 1983-12-05

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ID=13994066

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JP50090279A Expired JPS5854495B2 (ja) 1975-07-25 1975-07-25 位置合わせ方法および光学装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115995U (ja) * 1984-01-06 1985-08-06 三和機材株式会社 管埋設装置におけるオ−ガ−スクリユ−

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115995U (ja) * 1984-01-06 1985-08-06 三和機材株式会社 管埋設装置におけるオ−ガ−スクリユ−

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JPS5214369A (en) 1977-02-03

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