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JPS585528B2 - Parallel connection circuit of transistors - Google Patents
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JPS585528B2 - Parallel connection circuit of transistors - Google Patents

Parallel connection circuit of transistors

Info

Publication number
JPS585528B2
JPS585528B2 JP6965078A JP6965078A JPS585528B2 JP S585528 B2 JPS585528 B2 JP S585528B2 JP 6965078 A JP6965078 A JP 6965078A JP 6965078 A JP6965078 A JP 6965078A JP S585528 B2 JPS585528 B2 JP S585528B2
Authority
JP
Japan
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transistors
transistor
current
time
parallel connection
Prior art date
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Expired
Application number
JP6965078A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS54160159A (en
Inventor
古畑昌一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPS54160159A publication Critical patent/JPS54160159A/en
Publication of JPS585528B2 publication Critical patent/JPS585528B2/en
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12Modifications for increasing the maximum permissible switched current

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、互いに並列接続された複数個のトランジスタ
を備えたトランジスタ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor circuit including a plurality of transistors connected in parallel to each other.

チョツパやインバータなどの静止形電力変換装置におい
て個々の変換弁としてトランジスタを使用する場合、個
々の変換弁を互いに並列接続された複数個のトランジス
タで構成することによって装置の電流容量を増大するこ
とができる。
When using transistors as individual conversion valves in static power conversion devices such as choppers and inverters, it is possible to increase the current capacity of the device by configuring each conversion valve with multiple transistors connected in parallel with each other. can.

この場合、同じ並列個数において全体の電流容量をでき
るだけ大きくするためには、トランジスタに均等に電流
を分担させなければならない。
In this case, in order to maximize the overall current capacity with the same number of parallel transistors, the transistors must share the current equally.

すべてのトランジスタが完全に飽和状態にあるときの電
流分担に関しては、同一規格のトランジスタならば多少
の特性がばらついていても、問題になるほどの電流分担
のアンバランスは一般に生じない。
Regarding current sharing when all transistors are in a completely saturated state, if the transistors are of the same standard, even if there are some variations in characteristics, an imbalance in current sharing that would become a problem generally does not occur.

また、トランジスタがオンへ移行する際には、回路イン
ダクタンスのために全体の電流が急激に大きな値に上昇
し得ないのでトランジスタを短時間過制御するなどして
オン時間の短縮をはかりさえすれば、特定のトランジス
タに過大な電流が集中することはない。
Also, when the transistor turns on, the overall current cannot rise rapidly to a large value due to the circuit inductance, so it is only necessary to shorten the on time by over-controlling the transistor for a short time. , excessive current will not be concentrated in a particular transistor.

ところが、大きな負荷電流を流している状態でトランジ
スタをオフさせるときには、この大きな負荷電流は回路
インダクタンスのために急には減少しないため、オフ時
間の長いトランジスタに電流が集中する。
However, when a transistor is turned off while a large load current is flowing, this large load current does not suddenly decrease due to circuit inductance, so the current concentrates on the transistor that has a long off time.

一般に同じ規格のトランジスタであってもオフ時間特性
にはかなりのばらつきがあり、このために従来では個々
のトランジスタの能力を十分に発揮させることができず
、装置全体の電流容量を増大するという目的が十分に果
たせなかった。
In general, even transistors of the same standard have considerable variation in off-time characteristics, and for this reason, conventional methods have been unable to fully utilize the capabilities of individual transistors, and the aim was to increase the current capacity of the entire device. was not fully accomplished.

本発明の目的は、個々のトランジスタのオフ時間特性の
ばらつきを簡単な手段で補償して特定のトランジスタに
過大な電流が集中するのを避けることにある。
An object of the present invention is to compensate for variations in off-time characteristics of individual transistors by simple means to avoid excessive current concentration in a particular transistor.

この目的は、本発明によれば、複数個の並列接続された
トランジスタのそれぞれのエミツタ側に抵抗を直列に挿
入接続すると共にベースを一括接続し、かつ各トランジ
スタのベース・エミツタ間にそれぞれコンデンサを接続
することによって達成される。
According to the present invention, a resistor is inserted and connected in series to the emitter side of each of a plurality of transistors connected in parallel, and the bases are connected together, and a capacitor is connected between the base and emitter of each transistor. This is achieved by connecting.

図は本発明の実施例を示す電気回路図である。The figure is an electrical circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

n個のトランジスタT1〜Tnのそれぞれのエミツタに
抵抗R1〜Rnを接続したものを互いに並列に接続し、
かつベース・エミツタ間にコンデンサC1〜Cnを個々
に接続する。
Resistors R1 to Rn are connected to the emitters of n transistors T1 to Tn, which are connected in parallel to each other,
Further, capacitors C1 to Cn are individually connected between the base and emitter.

トランジスタT1〜Tnを駆動するために1つの補助ト
ランジスタTBを共通として共にダーリントン接続する
One auxiliary transistor TB is connected together in Darlington to drive the transistors T1 to Tn.

ここで、説明の簡単化のために2つのトランジスタT1
,T2が並列接続されているものとする。
Here, to simplify the explanation, two transistors T1
, T2 are connected in parallel.

今、補助トランジスタTBが図示されていないベースド
ライブ回路によって導通させられていて、両トランジス
タT1,T2は飽和状態にあって、負荷電流ILのうち
それぞれ部分電流I1,■2を分担して流しているもの
とする(■1 IL/2 ■2)。
Now, the auxiliary transistor TB is made conductive by a base drive circuit (not shown), and both transistors T1 and T2 are in a saturated state, so that they share partial currents I1 and 2 of the load current IL, respectively. (■1 IL/2 ■2)

このような状態において、補助トランジスタTBがペー
ス電流を断たれてオフしたとすると、オフ時間の短い方
のトランジスタ、例えばT1の電流は■1から減少して
ゆく。
In such a state, if the auxiliary transistor TB is turned off by cutting off the pace current, the current of the transistor with a shorter off time, for example T1, decreases from 1.

これに対してオフ時間の長い方のトランジスタT2の電
流は■2から増加してゆくつまり、全電流■Lは急には
減少しないため、トランジスタT1の電流が減少した分
だけトランジスタT2の電流が増加する。
On the other hand, the current of the transistor T2, which has a longer off-time, increases from ■2. In other words, the total current ■L does not suddenly decrease, so the current of the transistor T2 increases by the amount that the current of the transistor T1 decreases. To increase.

各トランジスタT1,T2のエミツタ側に挿入された抵
抗R1,R2にはそれぞれの電流に比例した電圧降下が
生じるため、両者のエミツタ電位に差が生じる。
Since a voltage drop occurs in the resistors R1 and R2 inserted on the emitter side of each transistor T1 and T2 in proportion to their respective currents, a difference occurs in their emitter potentials.

つまり、トランジスタT2のエミツタ電位がトランジス
タT1のエミツタ電位より高くなる。
That is, the emitter potential of the transistor T2 becomes higher than the emitter potential of the transistor T1.

この電位差によってコンデンサC2および共通ベースラ
インを介してトランジスタT1にベース電流が供給され
る。
This potential difference supplies base current to transistor T1 via capacitor C2 and the common base line.

これによってトランジスタT2のオフ時間が結果的に長
びかされ、トランジスタT2の電流の増加が抑制される
As a result, the off-time of the transistor T2 is lengthened, and an increase in the current of the transistor T2 is suppressed.

各トランジスタのエミツタ側の抵抗はオフ時間のばらつ
きを補償するための電圧(すなわち上記電位差)を生じ
させるのに役立ち、各トラランジスタのベース・エミツ
タ間に接続されたコンデンサはその補償電圧によって先
にオフする方のトランジスタにベース電流を供給するた
めの回路を形成するのに役立つ。
The resistor on the emitter side of each transistor serves to generate a voltage (i.e., the above potential difference) to compensate for variations in off-time, and the capacitor connected between the base and emitter of each transistor is It helps form a circuit to supply base current to the transistor that is turned off.

このようにして、本発明によれば、個々のトランジスタ
の単独の状態でのオフ時間のうち最も長いオフ時間もし
くはそれ以上のオフ時間に揃えて、電流アンバランスを
抑制しながら全体のトランジスタをオフさせることがで
きる。
In this way, according to the present invention, all transistors are turned off while suppressing current imbalance by aligning with the longest off time or longer off time among the off times of individual transistors in a single state. can be done.

例えばオフ時間にてμsecの差のある2つのトランジ
スタに関して、それぞれが約5OAの電流を流している
状態からオフさせた場合、R1=R2=10mΩ,C1
=C2=0.1μFの条件下でオフ時間の長い方のトラ
ンジスタの過渡的な電流増大分は1%(すなわち50A
×0.01=0.5A)にすぎずコンデンサC1,C2
を除いた場合に比べて1/10以下であることが実験的
に確かめられた。
For example, when two transistors with a difference in off time of μsec are turned off from a state in which each current is approximately 5 OA, R1=R2=10 mΩ, C1
=C2=0.1μF, the transient current increase of the transistor with longer off time is 1% (i.e. 50A)
×0.01=0.5A) and capacitors C1 and C2
It was experimentally confirmed that this is 1/10 or less compared to the case where .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本発明の実施例を示すトランジスタを並列に接続し
たものの電気回路図である。 T1〜Tn:トランジスタ、C1〜Cn:コンデンサ、
R1〜Rn:抵抗、TB:補助トランジスタ。
The figure is an electrical circuit diagram showing an embodiment of the present invention in which transistors are connected in parallel. T1-Tn: Transistor, C1-Cn: Capacitor,
R1 to Rn: resistance, TB: auxiliary transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 複数個の並列接続されたトランジスタのそれぞれの
エミツタ側に抵抗を直列に挿入接続すると共にベースを
一括接続し、かつ各トランジスタのベース・エミツタ間
にそれぞれコンデンサを接続したことを特徴とするトラ
ンジスタの並列接続回路。
1. A transistor characterized in that a resistor is connected in series to the emitter side of each of a plurality of transistors connected in parallel, the bases are connected together, and a capacitor is connected between the base and emitter of each transistor. Parallel connection circuit.
JP6965078A 1978-06-09 1978-06-09 Parallel connection circuit of transistors Expired JPS585528B2 (en)

Priority Applications (1)

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JP6965078A JPS585528B2 (en) 1978-06-09 1978-06-09 Parallel connection circuit of transistors

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JP6965078A JPS585528B2 (en) 1978-06-09 1978-06-09 Parallel connection circuit of transistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54160159A JPS54160159A (en) 1979-12-18
JPS585528B2 true JPS585528B2 (en) 1983-01-31

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ID=13408918

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JP6965078A Expired JPS585528B2 (en) 1978-06-09 1978-06-09 Parallel connection circuit of transistors

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356408A (en) * 1980-08-01 1982-10-26 Sundstrand Corporation Drive circuit for parallel non-matched semiconductors

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JPS54160159A (en) 1979-12-18

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