JPS587004B2 - ゼツエンデンセンノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ゼツエンデンセンノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS587004B2 JPS587004B2 JP50021622A JP2162275A JPS587004B2 JP S587004 B2 JPS587004 B2 JP S587004B2 JP 50021622 A JP50021622 A JP 50021622A JP 2162275 A JP2162275 A JP 2162275A JP S587004 B2 JPS587004 B2 JP S587004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- reaction
- resin
- carboxyl groups
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
従来からマグネットワイヤーのような０．１ｍｍ以下の
薄肉の絶縁電線の製造においては、通常樹脂を有機溶剤
に溶解させた絶縁塗料を導体上に５〜１０回にわたって
塗布し乾燥固化せしめている。
薄肉の絶縁電線の製造においては、通常樹脂を有機溶剤
に溶解させた絶縁塗料を導体上に５〜１０回にわたって
塗布し乾燥固化せしめている。
この方法においては溶剤に溶解する樹脂ならいかなるも
のでも塗布することができ、また均一な仕上りの塗膜が
得られるため現在でも多用されているが、線速か１０ｍ
／分程度ときわめて遅く、また焼付の際に有害な有機溶
剤の廃ガスを発生するため、その改善が望まれていた。
のでも塗布することができ、また均一な仕上りの塗膜が
得られるため現在でも多用されているが、線速か１０ｍ
／分程度ときわめて遅く、また焼付の際に有害な有機溶
剤の廃ガスを発生するため、その改善が望まれていた。
また、一方通信ケーブルのコアーのような細いサイズの
電線については、押出しによる絶縁被膜の形成が行なわ
れており、この場合数１００ｍ／分の線速も可能である
が、押出しのできる樹脂が限られていた。
電線については、押出しによる絶縁被膜の形成が行なわ
れており、この場合数１００ｍ／分の線速も可能である
が、押出しのできる樹脂が限られていた。
更に、ポリエステルのような強度が高く、溶融粘度の小
さい樹脂で導体上に薄く押出し被覆する試みもなされて
いるが、この場合耐摩耗性をはじめとする機械的強度及
び耐熱劣化特性に乏しく、ＪＩＳ規格を満足させるよう
な絶縁電線は到底得られなかった。
さい樹脂で導体上に薄く押出し被覆する試みもなされて
いるが、この場合耐摩耗性をはじめとする機械的強度及
び耐熱劣化特性に乏しく、ＪＩＳ規格を満足させるよう
な絶縁電線は到底得られなかった。
本発明はかかる従来の難点を解消すべくなされたもので
、２個以上の未端カルボキシル基を有するポリエステル
系樹脂と３価以上の多価アルコールとの混合物を導体上
に押出して被覆を形成し、これを加熱反応させることを
特徴とする絶縁電線の製造方法に関するものである。
、２個以上の未端カルボキシル基を有するポリエステル
系樹脂と３価以上の多価アルコールとの混合物を導体上
に押出して被覆を形成し、これを加熱反応させることを
特徴とする絶縁電線の製造方法に関するものである。
本発明に使用する２個以上の未端カルボキシル基を有す
るポリエステル系樹脂としては、ポリエステル樹脂の他
ポリエステルイミド樹脂、ポリエステルアミドイミド樹
脂その他各種の変成ポリエステル樹脂がある。
るポリエステル系樹脂としては、ポリエステル樹脂の他
ポリエステルイミド樹脂、ポリエステルアミドイミド樹
脂その他各種の変成ポリエステル樹脂がある。
これらのポリエステル系樹脂は２個以上の未端カルボキ
シル基を有し、３価以上の多価アルコールと縮重合可能
であればいずれも使用できるが、最終の被覆にカルボキ
シル基が多量に残存すると導体が腐食され、逆に水酸基
が多量に残存した場合には被覆の耐水性が低下するので
、３価以上の多価アルコールを添加した場合において全
体としてカルボキシル基又は水酸基の一方が２０係好ま
しくは１０％程度以内の過剰となるような配合からつく
られたものであることが望ましい。
シル基を有し、３価以上の多価アルコールと縮重合可能
であればいずれも使用できるが、最終の被覆にカルボキ
シル基が多量に残存すると導体が腐食され、逆に水酸基
が多量に残存した場合には被覆の耐水性が低下するので
、３価以上の多価アルコールを添加した場合において全
体としてカルボキシル基又は水酸基の一方が２０係好ま
しくは１０％程度以内の過剰となるような配合からつく
られたものであることが望ましい。
本発明において好適するポリエステル系樹脂は、芳香族
ジカルボン酸、トリカルボン酸あるいはテトラカルボン
酸と過剰量のジオールおよびトリオールから合成された
ものである。
ジカルボン酸、トリカルボン酸あるいはテトラカルボン
酸と過剰量のジオールおよびトリオールから合成された
ものである。
このとき出発物質の分子構造中にイミド環を有する場合
には耐熱性に優れた被膜が得られる。
には耐熱性に優れた被膜が得られる。
このようなポリエステル系樹脂の製造は例えば次のよう
にして行なわれる。
にして行なわれる。
すなわち、テレフタル酸ジメチル等の芳香族カルボン酸
又はその誘導体とエチレングリコール等の第１級ジオー
ルおよび必要に応じてトリメチロールプロパン等の３価
以上のアルコールを、常温或いは加熱して６〜９時間反
応させる。
又はその誘導体とエチレングリコール等の第１級ジオー
ルおよび必要に応じてトリメチロールプロパン等の３価
以上のアルコールを、常温或いは加熱して６〜９時間反
応させる。
この際、エステル交換反応の速度を増すため、酸化鉛、
ナフテン酸鉛、酢酸亜鉛等を触媒として添加してもよく
、また、予めクレゾール、キシレノール、ソルベントナ
フサ等を加えて反応生成物の粘度を下げると共に、出発
物質の揮赦を防ぐことができる。
ナフテン酸鉛、酢酸亜鉛等を触媒として添加してもよく
、また、予めクレゾール、キシレノール、ソルベントナ
フサ等を加えて反応生成物の粘度を下げると共に、出発
物質の揮赦を防ぐことができる。
これらクレゾール等の溶剤は、反応時の加熱により反応
副成物と共に溜出してしまう。
副成物と共に溜出してしまう。
反応生成物は常温から約２５０℃までの所要最終温度に
加熱されて反応の平衡状態に運するが、この際には生成
するポリエステル樹脂をゲル化させないようにしながら
、しかもできるだけ高分子量のものが得られるように加
熱し実質的に完全に反応させる。
加熱されて反応の平衡状態に運するが、この際には生成
するポリエステル樹脂をゲル化させないようにしながら
、しかもできるだけ高分子量のものが得られるように加
熱し実質的に完全に反応させる。
本発明に使用する３価以上のアルコールとしては、グリ
セリン、トリメチロールエタン、トリエチロールメタン
、トリエチロールプロパン、トリスー２−ヒドロキシエ
チルイソシアヌレート（以下ＴＥＩＣと略称する）ジグ
リセリン等の第１級および第２級の２価および３価のア
ルコールがあり、特に反応性の点から第１級アルコール
が適している。
セリン、トリメチロールエタン、トリエチロールメタン
、トリエチロールプロパン、トリスー２−ヒドロキシエ
チルイソシアヌレート（以下ＴＥＩＣと略称する）ジグ
リセリン等の第１級および第２級の２価および３価のア
ルコールがあり、特に反応性の点から第１級アルコール
が適している。
これらの３価以上のアルコールの配合量は全アルコール
成分の５〜３０当量係であることが望ましい。
成分の５〜３０当量係であることが望ましい。
なお、これらのアルコールの添加量が可融性合成樹脂の
１０重量係以上になると押出時特にスクリューに滑べり
が生じるようになるので、多量に使用する場合にはポリ
エステル系樹脂の出発原料にその一部を使用する必要が
ある。
１０重量係以上になると押出時特にスクリューに滑べり
が生じるようになるので、多量に使用する場合にはポリ
エステル系樹脂の出発原料にその一部を使用する必要が
ある。
また本発明においては、これらの組成物中に重縮合触媒
の少量を存在させることにより加熱反応を促進させ、し
たがって製造線速を向上させることができる。
の少量を存在させることにより加熱反応を促進させ、し
たがって製造線速を向上させることができる。
このような触媒としては、ナフテン酸鉛、ナフテン酸亜
鉛等も使用し得るが特にチタンキレート化合物が好適し
ている。
鉛等も使用し得るが特にチタンキレート化合物が好適し
ている。
本発明に使用するチタンキレート化合物としては、トリ
エタノールアミンチタネート（ＴＥＡＴ）、乳酸安定化
ＴＥＡＴ，ＴＥＡＴにオレイン酸、ステアリン酸、リノ
ール酸を附加したもの、オキシレングリコールチクネー
ト（ＯＧＴ）、テトライソプ口ピルチクネート（ＴＩＰ
Ｔ）、テトラブチルチクネート（ＴＥＴ）、テトラー２
−エチルへキシルチクネート（ＴＥＨＴ）等がある。
エタノールアミンチタネート（ＴＥＡＴ）、乳酸安定化
ＴＥＡＴ，ＴＥＡＴにオレイン酸、ステアリン酸、リノ
ール酸を附加したもの、オキシレングリコールチクネー
ト（ＯＧＴ）、テトライソプ口ピルチクネート（ＴＩＰ
Ｔ）、テトラブチルチクネート（ＴＥＴ）、テトラー２
−エチルへキシルチクネート（ＴＥＨＴ）等がある。
これらのチタンキレート化合物は、３価以上の多価アル
コールと共に合成樹脂の粉末に添加し、均一に混合して
使用される。
コールと共に合成樹脂の粉末に添加し、均一に混合して
使用される。
なお、チタンキレート化合物は水やアルコールに可溶性
であるから、ポリエステル系樹脂とテトラカルボン酸等
との混合物のみを導体上に押出し被覆し、被覆が熱いう
ちにこれらの溶液中に挿通して加熱反応させるようにし
てもよい。
であるから、ポリエステル系樹脂とテトラカルボン酸等
との混合物のみを導体上に押出し被覆し、被覆が熱いう
ちにこれらの溶液中に挿通して加熱反応させるようにし
てもよい。
この場合チタンキレート化合物は被覆内に浸透し、特に
表面近傍の架橋反応を促進する。
表面近傍の架橋反応を促進する。
なお、チタンキレート化合物の水溶液中にアミン類を添
加しておけば加熱反応段階において被覆分子中の過剰の
カルボキシル基と反応して活性力ルボキシル基をマスク
するから遊離のカルボキシル基に起因する被覆の腐食性
を除去することができる。
加しておけば加熱反応段階において被覆分子中の過剰の
カルボキシル基と反応して活性力ルボキシル基をマスク
するから遊離のカルボキシル基に起因する被覆の腐食性
を除去することができる。
このようなアミン類としては、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アミノア
ルコール、モルフオリン、Ｎ−メチルモルフオリン等が
ある。
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アミノア
ルコール、モルフオリン、Ｎ−メチルモルフオリン等が
ある。
本発明を実施するにあたっては、まずポリエステル系樹
脂、３価以上の多価アルコール、チタンキレート化合物
を充分に混合し、これを通常のスクリュータイプの押出
機に供給して常法により導体上へ押出被覆する。
脂、３価以上の多価アルコール、チタンキレート化合物
を充分に混合し、これを通常のスクリュータイプの押出
機に供給して常法により導体上へ押出被覆する。
次に押出された絶縁電線は３５０〜４５０℃の焼付炉中
に通され、この段階で被覆中の多価アルコールはポリエ
ステル系樹脂中の未端カルボキシル基と反応し、樹脂分
子中に架橋構造を形成し、被覆を不融不溶のものとする
。
に通され、この段階で被覆中の多価アルコールはポリエ
ステル系樹脂中の未端カルボキシル基と反応し、樹脂分
子中に架橋構造を形成し、被覆を不融不溶のものとする
。
なお、押出時にチタンキレート化合物の如き重合触媒を
添加しない場合には、押出後焼付炉へ入る過程で被覆の
表面へ重合触媒溶液が塗布される。
添加しない場合には、押出後焼付炉へ入る過程で被覆の
表面へ重合触媒溶液が塗布される。
重合触媒はテトラカルボン酸とポリエステル系樹脂の重
縮合触媒として作用する。
縮合触媒として作用する。
本発明によれば従来塗装焼付作業により１０〜２０ｍ／
分程度の線速で製造されていた絶縁電線とほゾ同等の特
性を有する絶縁電線を１００ｍ／分以上の線速で製造す
ることができる。
分程度の線速で製造されていた絶縁電線とほゾ同等の特
性を有する絶縁電線を１００ｍ／分以上の線速で製造す
ることができる。
特に本発明においては、３価以上の多価アルコールが押
出時の潤滑剤としての作用をするので、押出時の早期架
橋（ヤケ）のようなトラブルは全くなく、また平滑な被
覆が形成されて従来の塗装焼付時に生じていた発泡、外
観不良等も殆んど生じない。
出時の潤滑剤としての作用をするので、押出時の早期架
橋（ヤケ）のようなトラブルは全くなく、また平滑な被
覆が形成されて従来の塗装焼付時に生じていた発泡、外
観不良等も殆んど生じない。
次に実施例について記載する。
実施例１
テレフクル酸ジメチル１１６５．２ｇ（６モル）、エチ
レングリコール３１０．４ｇ（５モル）、ＴＨＥＩＣ１
３０．６ｇ（０．５モル）をソルベントナフサ１５０ｇ
およびナフテン酸鉛３ｇと共に三つ口フラスコに入れ、
副生ずるメタノール等をソルベントナフサと共に溜出さ
せながら１７０℃で５時間反応させ、次いで減圧にしな
がら２２０℃でさらに２時間反応させた。
レングリコール３１０．４ｇ（５モル）、ＴＨＥＩＣ１
３０．６ｇ（０．５モル）をソルベントナフサ１５０ｇ
およびナフテン酸鉛３ｇと共に三つ口フラスコに入れ、
副生ずるメタノール等をソルベントナフサと共に溜出さ
せながら１７０℃で５時間反応させ、次いで減圧にしな
がら２２０℃でさらに２時間反応させた。
しかる後、反応温度を１７０℃に下げ３・３′・４・４
′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物０．１モ
ルを徐々に添加し、完全に溶解するまで反応させた。
′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物０．１モ
ルを徐々に添加し、完全に溶解するまで反応させた。
反応終了後、生成物を室温で冷却し、得られた軟化点約
５６℃の淡褐色の樹脂をボールミルで１００メッシュ以
下の粉末状とした。
５６℃の淡褐色の樹脂をボールミルで１００メッシュ以
下の粉末状とした。
こうして得られた粉末状ポリエステル樹脂に６７ｇ（０
．５モル）のトリメチロールプ０パンと１２ｇのＴＥＡ
Ｔを加温しながら均一に混合し、この混合樹脂を通常の
スクリュータイプの押出機に供給し、スクリュー内温度
１５０〜２００℃１ダイス温度２３０℃の条件で直径１
．Ｏｍｍの軟銅線上に肉厚５０μとなるよう押出し、こ
れを４５０℃の焼付炉中に挿通して絶縁電線を得た。
．５モル）のトリメチロールプ０パンと１２ｇのＴＥＡ
Ｔを加温しながら均一に混合し、この混合樹脂を通常の
スクリュータイプの押出機に供給し、スクリュー内温度
１５０〜２００℃１ダイス温度２３０℃の条件で直径１
．Ｏｍｍの軟銅線上に肉厚５０μとなるよう押出し、こ
れを４５０℃の焼付炉中に挿通して絶縁電線を得た。
この絶縁電線についての試験結果は次のとおりであった
。
。
ビンホール（個／５ｍ） ０自己径
巻付 良耐摩耗性（回）
〔荷重７００ｇ） ４５破壊電圧（ＫＶ）
１３．４軟化温度〔１点交叉８０
０ｇ荷重〕（℃） ３１０実施例２ テレフクル酸ジメチル４モル、エチレングリコール６モ
ルをソルベントナフサ１５０ｇおよびナフテン酸鉛３ｇ
と共に三つ口フラスコに入れ、１７０℃で６時間、さら
に２３０℃に温度を上げて３時間反応させた。
巻付 良耐摩耗性（回）
〔荷重７００ｇ） ４５破壊電圧（ＫＶ）
１３．４軟化温度〔１点交叉８０
０ｇ荷重〕（℃） ３１０実施例２ テレフクル酸ジメチル４モル、エチレングリコール６モ
ルをソルベントナフサ１５０ｇおよびナフテン酸鉛３ｇ
と共に三つ口フラスコに入れ、１７０℃で６時間、さら
に２３０℃に温度を上げて３時間反応させた。
しかる後反応温度を１７０℃に下げ、３・３′・４・４
′−ベンヅフエノンテトラカルボン酸二無水物１．７５
モルを徐々に添加し、完全に溶解したところで反応系を
急冷し、得られた樹脂をボールミルで１００メッシュ以
下の粉末とした。
′−ベンヅフエノンテトラカルボン酸二無水物１．７５
モルを徐々に添加し、完全に溶解したところで反応系を
急冷し、得られた樹脂をボールミルで１００メッシュ以
下の粉末とした。
次にこの粉末を加温しながらトリメチロールプロパン１
モルを混合し、この混合樹脂を実施例１と同様に押出し
、ＴＥＡＴの水溶液中を通した後これを４５０℃の焼付
炉中に挿通して絶縁電線を得た。
モルを混合し、この混合樹脂を実施例１と同様に押出し
、ＴＥＡＴの水溶液中を通した後これを４５０℃の焼付
炉中に挿通して絶縁電線を得た。
この絶縁電線についての試験結果を下に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２個以上の未端カルボキシル基を有するポリエステ
ル系樹脂と３価以上の多価アルコールとの混合物を導体
上に押出して被覆を形成し、これを加熱反応させること
を特徴とする絶縁電線の製造方法。 ２ ２個以上の未端力ルボキシル基を有するポリエステ
ル系樹脂と３価以上の多価アルコールとの混合物を導体
上に押出して被覆を形成し、これを加熱反応させるにあ
たり、前記被覆内の少くとも表面近傍に、樹脂分に対し
て０．０１〜５％（Ｔｉ分換算ノのチタンキレート化合
物を存在させることを特徴とする絶縁電線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50021622A JPS587004B2 (ja) | 1975-02-21 | 1975-02-21 | ゼツエンデンセンノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50021622A JPS587004B2 (ja) | 1975-02-21 | 1975-02-21 | ゼツエンデンセンノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5196072A JPS5196072A (en) | 1976-08-23 |
| JPS587004B2 true JPS587004B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=12060148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50021622A Expired JPS587004B2 (ja) | 1975-02-21 | 1975-02-21 | ゼツエンデンセンノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587004B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081420U (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-06 | 大阪瓦斯株式会社 | パルス燃焼装置 |
| US11325125B2 (en) | 2017-04-23 | 2022-05-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Particle separation |
-
1975
- 1975-02-21 JP JP50021622A patent/JPS587004B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081420U (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-06 | 大阪瓦斯株式会社 | パルス燃焼装置 |
| US11325125B2 (en) | 2017-04-23 | 2022-05-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Particle separation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5196072A (en) | 1976-08-23 |
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