JPS587059B2 - ハクマク ノ トクセイケンサホウ - Google Patents
ハクマク ノ トクセイケンサホウInfo
- Publication number
- JPS587059B2 JPS587059B2 JP49102419A JP10241974A JPS587059B2 JP S587059 B2 JPS587059 B2 JP S587059B2 JP 49102419 A JP49102419 A JP 49102419A JP 10241974 A JP10241974 A JP 10241974A JP S587059 B2 JPS587059 B2 JP S587059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- barrier
- kensahou
- hakumaku
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
近時各種の電子回路、或いは回路素子として、薄膜技術
が広く用いられる。
が広く用いられる。
例えば半導体装置に於ては、半導体基体上に、薄膜素子
に於ては、絶縁基体等の上に抵抗体薄膜、金属薄膜、絶
縁薄膜などが形成される。
に於ては、絶縁基体等の上に抵抗体薄膜、金属薄膜、絶
縁薄膜などが形成される。
本発明は、このような各種薄膜に於てその特性を検査す
る場合に適用して好適な薄膜の特性検査法を提供するも
のである。
る場合に適用して好適な薄膜の特性検査法を提供するも
のである。
第１図を参照して本発明を説明するに、本発明に於ては
、半導体基体１を用意し、その一主面１ａ上に特性の検
査を行わんとする薄膜、例えば、金属薄膜、抵抗体薄膜
、ガラス薄膜等の薄膜２を被着形成する。
、半導体基体１を用意し、その一主面１ａ上に特性の検
査を行わんとする薄膜、例えば、金属薄膜、抵抗体薄膜
、ガラス薄膜等の薄膜２を被着形成する。
半導体基体１には、少くとも薄膜２が形成された部分の
全域に亘って薄膜２に沿って即ち面１ａに沿って非オー
ム性障壁例えば、ＰＮ接合Ｊ或いはショットキ障壁を形
成する。
全域に亘って薄膜２に沿って即ち面１ａに沿って非オー
ム性障壁例えば、ＰＮ接合Ｊ或いはショットキ障壁を形
成する。
例えば、基体１がＮ形の半導体基体より成る場合、その
一主面１ａに面してＰ形の領域３を例えば、拡散、エビ
タキシャル成長等によって形成しＰＮ接合Ｊを形成する
。
一主面１ａに面してＰ形の領域３を例えば、拡散、エビ
タキシャル成長等によって形成しＰＮ接合Ｊを形成する
。
この場合、薄膜２をＰ形領域３上に形成する。そして、
この基体１の薄膜２に対し、薄膜２の上方より荷電粒子
ビーム例えば電子ビーム４を、走査形電子顕微鏡に於け
ると同様に所要のエネルギを以って衝撃する如く加速さ
せると共に、このビーム４を水平・垂直偏向手段５によ
って偏向して少くとも被検査薄膜２の特性を検査せんと
する部分の全域に亘って順次走査させる。
この基体１の薄膜２に対し、薄膜２の上方より荷電粒子
ビーム例えば電子ビーム４を、走査形電子顕微鏡に於け
ると同様に所要のエネルギを以って衝撃する如く加速さ
せると共に、このビーム４を水平・垂直偏向手段５によ
って偏向して少くとも被検査薄膜２の特性を検査せんと
する部分の全域に亘って順次走査させる。
６は電子ビーム４の発射源即ち電子銃である。
又、Ｐ形領域３と基体１のＮ形の領域とに夫々電極７及
び８をオーミツクに被着し、之等電極７及び８を増巾器
９の入力端に接続し、増巾器９の出力を陰極線管１０に
供給し、これにより陰極線管１０のビーム１２の輝度変
調を行う。
び８をオーミツクに被着し、之等電極７及び８を増巾器
９の入力端に接続し、増巾器９の出力を陰極線管１０に
供給し、これにより陰極線管１０のビーム１２の輝度変
調を行う。
１１は、陰極線管１０のビーム１２の水平垂直偏向手段
で、この偏向手段１１は、薄膜２への荷電粒子ビーム４
の偏向手段５と同期して作動し、ビーム４の薄膜２への
走査と同期して陰極線管１０の螢光面１３上を走査する
ようになす。
で、この偏向手段１１は、薄膜２への荷電粒子ビーム４
の偏向手段５と同期して作動し、ビーム４の薄膜２への
走査と同期して陰極線管１０の螢光面１３上を走査する
ようになす。
かくしてビーム４の照射エネルギを適当に選定すれば、
薄膜２を通過して基体１に達した荷電粒子この例では電
子によってホールと電子の対が発生する。
薄膜２を通過して基体１に達した荷電粒子この例では電
子によってホールと電子の対が発生する。
そして、之等ホールと電子の拡散距離内に障壁例えばＰ
Ｎ接合Ｊが存在すれば、之によってホールと電子さが分
離されＰＮ接合Ｊの両側には起電力が発生し、両電極７
及び８間に発生したホールと電子の量に応じた起電力信
号がとり出される。
Ｎ接合Ｊが存在すれば、之によってホールと電子さが分
離されＰＮ接合Ｊの両側には起電力が発生し、両電極７
及び８間に発生したホールと電子の量に応じた起電力信
号がとり出される。
そして、この信号は、増巾器９によって増巾されて陰極
線管１０に与えられ、この信号に応じてビーム１２が輝
度変調されるので、陰極線管１０の螢光面１３上に光学
像が得られる。
線管１０に与えられ、この信号に応じてビーム１２が輝
度変調されるので、陰極線管１０の螢光面１３上に光学
像が得られる。
そして、この場合、薄膜２に粒界が存在すれば、この部
分に於ては、ビーム４の粒子例えば電子が此処で薄膜２
の粒子と粒子との間即ち粒界で散乱してこの薄膜２を通
過しにく５なるので、この部分下の基体１に発生するホ
ール・電子の対は少くなり、起電力は小さくなる。
分に於ては、ビーム４の粒子例えば電子が此処で薄膜２
の粒子と粒子との間即ち粒界で散乱してこの薄膜２を通
過しにく５なるので、この部分下の基体１に発生するホ
ール・電子の対は少くなり、起電力は小さくなる。
したがって薄膜２の各部の状態に応じて電極７及び８間
に信号が得られ、之が増巾器９によって増巾されて陰極
線管１０に与えられるので、薄膜２の粒界云い換えれば
粒子の大きさ等に応じた光学像が螢光面１３に映出され
る。
に信号が得られ、之が増巾器９によって増巾されて陰極
線管１０に与えられるので、薄膜２の粒界云い換えれば
粒子の大きさ等に応じた光学像が螢光面１３に映出され
る。
尚、薄膜２の粒界の存在即ち粒子状態のみならず、薄膜
２のピンホール、空洞、厚みむら、基体１への接触状態
等によっても起電力の発生状態が異ってくるので、この
部分を検知することが，でき、ひいては薄膜２の特性を
知ることができることになる。
２のピンホール、空洞、厚みむら、基体１への接触状態
等によっても起電力の発生状態が異ってくるので、この
部分を検知することが，でき、ひいては薄膜２の特性を
知ることができることになる。
したがって例えば半導体装置等の製造に於で形成される
薄膜がその後の製造工程の例えば熱処理工程でどのよう
な影響を受けるか知り度い場合などに於で同様の薄膜を
予め基体１上にも形成し、置き、この状態で第１図に説
明した本発明方法によってその特性を知り置き、その後
、この基体１を半導体装置等の製造工程に於ける上記熱
処理工程を同時に経るようになし、その後、第１図に説
明した本発明方法によってこの薄膜の特性を検査すれば
、この薄膜がこの熱処理でどのような影響を受けるかを
検査することができる。
薄膜がその後の製造工程の例えば熱処理工程でどのよう
な影響を受けるか知り度い場合などに於で同様の薄膜を
予め基体１上にも形成し、置き、この状態で第１図に説
明した本発明方法によってその特性を知り置き、その後
、この基体１を半導体装置等の製造工程に於ける上記熱
処理工程を同時に経るようになし、その後、第１図に説
明した本発明方法によってこの薄膜の特性を検査すれば
、この薄膜がこの熱処理でどのような影響を受けるかを
検査することができる。
尚、上述した例では、基体１に非オーム性障壁としてＰ
Ｎ接合Ｊを形成した場合であるが、之をショットキ障壁
より構成することもできる。
Ｎ接合Ｊを形成した場合であるが、之をショットキ障壁
より構成することもできる。
例えば、被検査薄膜２が基体１に対しショットキ障壁を
形成し得る金属である場合は、その被着によって形成さ
れるショットキ障壁を非オーム性障壁として用いれば良
い。
形成し得る金属である場合は、その被着によって形成さ
れるショットキ障壁を非オーム性障壁として用いれば良
い。
図は本発明による薄膜の特性検査法を実施する装置の一
例の構成図である。 １は半導体基体、２は被検査薄膜、ＪはＰＮ接合、７及
び８はその電極、９は増巾器、１０は陰極線管、１１は
その偏向手段、４は荷電粒子ビーム、６はその発射源、
５はその偏向手段である。
例の構成図である。 １は半導体基体、２は被検査薄膜、ＪはＰＮ接合、７及
び８はその電極、９は増巾器、１０は陰極線管、１１は
その偏向手段、４は荷電粒子ビーム、６はその発射源、
５はその偏向手段である。
Claims (1)
- １ 半導体基体上に被検査薄膜を被着し、非オーム性障
壁を上記被検査薄膜に沿って形成し、上記薄膜上より荷
電粒子ビームを走査して、その走査位置に応じて上記非
オーム性障壁に生ずる起電力信号によって上記被検査薄
膜の特性を検査する薄膜の特性検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49102419A JPS587059B2 (ja) | 1974-09-05 | 1974-09-05 | ハクマク ノ トクセイケンサホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49102419A JPS587059B2 (ja) | 1974-09-05 | 1974-09-05 | ハクマク ノ トクセイケンサホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5129083A JPS5129083A (en) | 1976-03-11 |
| JPS587059B2 true JPS587059B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14326914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49102419A Expired JPS587059B2 (ja) | 1974-09-05 | 1974-09-05 | ハクマク ノ トクセイケンサホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587059B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845304A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 連続真空焼結炉 |
| JPS59155941A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 電子ビーム検査方法および装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2165812B1 (ja) * | 1971-12-29 | 1974-06-07 | Ibm France | |
| JPS5120256B2 (ja) * | 1972-11-17 | 1976-06-23 |
-
1974
- 1974-09-05 JP JP49102419A patent/JPS587059B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5129083A (en) | 1976-03-11 |
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