JPS589489B2 - ジキキロクタイ - Google Patents
ジキキロクタイInfo
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- JPS589489B2 JPS589489B2 JP50063247A JP6324775A JPS589489B2 JP S589489 B2 JPS589489 B2 JP S589489B2 JP 50063247 A JP50063247 A JP 50063247A JP 6324775 A JP6324775 A JP 6324775A JP S589489 B2 JPS589489 B2 JP S589489B2
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- JP
- Japan
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- acid
- magnetic
- protective layer
- parts
- layer
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に関するもので特に磁気記録層の
保護の為に設ける保護層の組成に関するものである。
保護の為に設ける保護層の組成に関するものである。
磁気記録テープ用の保護層としては、磁性層が乾燥後、
シリコン樹脂及びイソシアネート化合物を別個或いは混
合してlμm以下の厚さに塗布して乾燥させる(特公昭
48−41883号)、磁性層の上にMoS2/グラフ
ァイトの6/1〜1/3、好ましくは2/1〜1/10
割合の混合物を0.0215〜0.538mg/m2で
施す〔西ドイツ特許(DT−AS)1572438号〕
などが知られている。
シリコン樹脂及びイソシアネート化合物を別個或いは混
合してlμm以下の厚さに塗布して乾燥させる(特公昭
48−41883号)、磁性層の上にMoS2/グラフ
ァイトの6/1〜1/3、好ましくは2/1〜1/10
割合の混合物を0.0215〜0.538mg/m2で
施す〔西ドイツ特許(DT−AS)1572438号〕
などが知られている。
又、磁気カード関係の保護皮膜としては、ポリメタクリ
ル酸エステル又はその共重合体の保護膜(特開昭47−
28904号)、ニトロセルロースとイソシアネートの
混合及びポリメタクリル酸エステル共重合体の保護膜(
特開昭47−30302号)、ポリメタクリル酸エステ
ル共重合体の保護膜(特開昭47−30303号)、軟
い保護層と硬い保護層を組み合わせた重層保護膜(特開
昭47−30304号)、アセタール樹脂と熱硬化性樹
脂を含む保護層(特開昭47−24804号)などが知
られており、その他に特殊なポリマーのフイルムを磁性
層上にラミネートした形などが知られている。
ル酸エステル又はその共重合体の保護膜(特開昭47−
28904号)、ニトロセルロースとイソシアネートの
混合及びポリメタクリル酸エステル共重合体の保護膜(
特開昭47−30302号)、ポリメタクリル酸エステ
ル共重合体の保護膜(特開昭47−30303号)、軟
い保護層と硬い保護層を組み合わせた重層保護膜(特開
昭47−30304号)、アセタール樹脂と熱硬化性樹
脂を含む保護層(特開昭47−24804号)などが知
られており、その他に特殊なポリマーのフイルムを磁性
層上にラミネートした形などが知られている。
又、保護層として潤滑層と言う名のもとにポリシロキサ
ンとポリマーの縮合物を0.08〜0.8μmの厚さに
設けた保護層(米国特許 3476595号)も知られている。
ンとポリマーの縮合物を0.08〜0.8μmの厚さに
設けた保護層(米国特許 3476595号)も知られている。
以主の如き従来の磁気記録体用の保護層は下記の如き欠
点を有している。
点を有している。
■ 保護層が多層になる場合は塗布工程が複雑になり工
程数が増える。
程数が増える。
■ ポリマーのフィルムをラミネートするのは十分薄い
フイルムが必要でありラミネートする時の接着剤等の選
択の問題及び熱接着する場合均一にラミネートする事が
困難である。
フイルムが必要でありラミネートする時の接着剤等の選
択の問題及び熱接着する場合均一にラミネートする事が
困難である。
■ 保護層の中に研摩微粉子を混合した形のものはヘッ
ド摩耗が大きいことが問題となっている。
ド摩耗が大きいことが問題となっている。
■ 微粉末の無機潤滑剤等を用いる場合はくり返し使用
に際して微粉末の飛散があって好ましくなかった。
に際して微粉末の飛散があって好ましくなかった。
■ その他の公知の保護膜ではくり返し再生時の耐久性
に於て充分な強度を表らわしていない。
に於て充分な強度を表らわしていない。
特に近時コバルト含有の磁性体でHcを400〜150
00e程度に大きくしたものは加熱減磁等の現象が見ら
れるが、これらの磁性体に対しては保護膜を設けて減磁
を防止するのは有効な手段であり本発明の組成の保護膜
は前述の■憫αの欠点を補うものである。
00e程度に大きくしたものは加熱減磁等の現象が見ら
れるが、これらの磁性体に対しては保護膜を設けて減磁
を防止するのは有効な手段であり本発明の組成の保護膜
は前述の■憫αの欠点を補うものである。
本発明の目的を下記に示す。
1,耐摩耗性の優れた磁気記録媒体用の保護膜を提供す
る。
る。
2.磁性層との接着の優れた保護膜を提供する。
3,経時変化の少ない保護膜を提供する。
4.ヘッド摩耗の少ない保護膜を提供する。
5.傷のつきにくい保護膜を提供する。
6.耐熱性の優れた保護膜を提供する。
7,磁気カードを作る時加熱プレスしてもプレス盤に保
護膜が熱写りしない保護膜を提供する。
護膜が熱写りしない保護膜を提供する。
8.湿度依存性の少ない保護膜を提供する。
9.コバルト含有の磁性体を含有する磁性層の減磁を少
なくする為の保護膜を提供する。
なくする為の保護膜を提供する。
すなわち、本発明は非磁性支持体上に強磁性微粉末とバ
インダーを主成分とする磁性層を設け、更にその上に保
護膜を有する磁気記録体において前記保護膜がセルロー
ス誘導体、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂から成るこ
とを特徴とする磁気記録体である。
インダーを主成分とする磁性層を設け、更にその上に保
護膜を有する磁気記録体において前記保護膜がセルロー
ス誘導体、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂から成るこ
とを特徴とする磁気記録体である。
本発明の保護層に使用するセルロース誘導体はセルロー
スエステル及びセルロースエーテルであり、セルロース
エステルとしてはセルロースダイアセテート、セルロー
ストリアセテート、二トロセルロース、セルロースアセ
テートブチレート、ニトロセルロースアセテートなどが
、セルロースエーテルとしてはメチルセルロース、エチ
ルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセルロース
ベンジルセルロースなどが使用される。
スエステル及びセルロースエーテルであり、セルロース
エステルとしてはセルロースダイアセテート、セルロー
ストリアセテート、二トロセルロース、セルロースアセ
テートブチレート、ニトロセルロースアセテートなどが
、セルロースエーテルとしてはメチルセルロース、エチ
ルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセルロース
ベンジルセルロースなどが使用される。
又、これらの混合物も使用可能である。
セルロース誘導体の重合度は約20〜10001好まし
くは30〜500のものを使用することが好ましい。
くは30〜500のものを使用することが好ましい。
エポキシ樹月旨まエポキシ基
(−CH2−CH−CH2)を2個以上含む合成樹脂で
あり、下記の一般式〔I〕で示されるエポキシ化合物及
びその塩類と付加重合性モノマーとの共重合体である。
あり、下記の一般式〔I〕で示されるエポキシ化合物及
びその塩類と付加重合性モノマーとの共重合体である。
(式中でR1、R2及びR3はCnH2n+1(n=0
〜6の整数)、R4は炭素数2〜9の付加重合性基を有
する1価の基を示す。
〜6の整数)、R4は炭素数2〜9の付加重合性基を有
する1価の基を示す。
)具体的に上記の一般式(I)のエポキシ類含有単量体
を示すと、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾルシン型
、ビスフェノールF型(ビスフェノールの合成にあたっ
てアセトンのかわりにホルムアルデヒドを用いたもの)
テトラヒドロキシフエニルエタン型、ノボラツク型、ポ
リアルコール、ポリグリコール型、グリセリントリエー
テル型などのグリシジルエーテルないしポリオレフイン
型、エポキシ化大豆油型、脂環型等の全てのエポキシ基
類含有単量体が含有される。
を示すと、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾルシン型
、ビスフェノールF型(ビスフェノールの合成にあたっ
てアセトンのかわりにホルムアルデヒドを用いたもの)
テトラヒドロキシフエニルエタン型、ノボラツク型、ポ
リアルコール、ポリグリコール型、グリセリントリエー
テル型などのグリシジルエーテルないしポリオレフイン
型、エポキシ化大豆油型、脂環型等の全てのエポキシ基
類含有単量体が含有される。
その他、ジオレフインのモノエポキシ化物、グリシジル
アクリレート、グリシジルメタクリレート、アリールグ
リシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、p−ビ
ニルフエニルグリシジルエーテルなども利用できる。
アクリレート、グリシジルメタクリレート、アリールグ
リシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、p−ビ
ニルフエニルグリシジルエーテルなども利用できる。
これらエポキシ基は、それ単独では架橋反応を起さない
が、プロトン供与体の存在下においては開環反応によっ
て架橋結合を形成する。
が、プロトン供与体の存在下においては開環反応によっ
て架橋結合を形成する。
したがってエポキシ基の場合には、酸性触媒を使用する
か、あるいはまた、プロトン供与体官能基と組合せる必
要がある。
か、あるいはまた、プロトン供与体官能基と組合せる必
要がある。
具体的にはエポキシ基単独、エポキシ基と水酸基、また
はN−メチロール・エーテル基との組合せの架橋反応速
度は、無触媒下においては、非常に遅いが酸性触媒、例
えばp−トルエンスルホン酸の添加により著しく促進さ
れる。
はN−メチロール・エーテル基との組合せの架橋反応速
度は、無触媒下においては、非常に遅いが酸性触媒、例
えばp−トルエンスルホン酸の添加により著しく促進さ
れる。
これに対してエポキシ基とカルボキシル基を組合せた共
重合体の場合の架橋反応は無触媒においても非常に速く
、これら官能基の中でも最高の反応性を示す。
重合体の場合の架橋反応は無触媒においても非常に速く
、これら官能基の中でも最高の反応性を示す。
さらに架橋反応の速度はカルボキシル基を導入するため
の不飽和モノマーの種類によっても異なり、イタコン酸
>メタアクリル酸冫無水マレイン酸の順序となる。
の不飽和モノマーの種類によっても異なり、イタコン酸
>メタアクリル酸冫無水マレイン酸の順序となる。
この無水マレイン酸がなぜ低い架橋速度なのかも、プロ
トン保持の有無で説明できる。
トン保持の有無で説明できる。
前記の一般式(i)で示されるエポキシ樹脂は(A)エ
ピハロヒドリン類とポリヒドロキシ化合物(ポリオール
)の反応、(B)エピハロヒドリンとポリカルボン酸の
反応、または(C)ポリエンのオゾン酸化、過酸酸化な
どによって合成される。
ピハロヒドリン類とポリヒドロキシ化合物(ポリオール
)の反応、(B)エピハロヒドリンとポリカルボン酸の
反応、または(C)ポリエンのオゾン酸化、過酸酸化な
どによって合成される。
(A)及び(B)の場合のエピハロヒドリン類としては
エビクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン、エビ
ブロモヒドリンなどが使用される。
エビクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン、エビ
ブロモヒドリンなどが使用される。
(A)の場合のポリヒドロキシ化合物としてはビスフェ
ノールA(4・4′−ジオキシジフェニルプロパン) −ジアミノジフエニルプロパン、4・4′−ジオキシフ
エニルメタン(ビスフェノールF)、ジフェノール酸、
テトラヒドロキシフエニルエタン、3・3′・3″・3
′″−テトラオキシテトラフエニルエタン、レゾルシン
、レゾルシン−3−メトキシフェノール、レゾルシン−
4−エトキシフェノール、ノボラツク樹月瞠どの芳香族
ポリヒドロキシアルコール類;ジエチルアルコール、ト
リメチルアルコール、トリエチルアルコール、トリメチ
ルアルコールなどの脂肪族のジアルコール類及びトリア
ルコール類;ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレン
オキサイドなどのポリアルキレンオキサイドから成る脂
肪族ジグリコール及びトリグリコール類:グリセリン−
1・3−ジエチルエーテル、グリセリンエーテル、グリ
セリントリエチルエーテル、グリセリンメチルジエチル
エーテル、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド
などのグリセリンエーテル類などが使用される。
ノールA(4・4′−ジオキシジフェニルプロパン) −ジアミノジフエニルプロパン、4・4′−ジオキシフ
エニルメタン(ビスフェノールF)、ジフェノール酸、
テトラヒドロキシフエニルエタン、3・3′・3″・3
′″−テトラオキシテトラフエニルエタン、レゾルシン
、レゾルシン−3−メトキシフェノール、レゾルシン−
4−エトキシフェノール、ノボラツク樹月瞠どの芳香族
ポリヒドロキシアルコール類;ジエチルアルコール、ト
リメチルアルコール、トリエチルアルコール、トリメチ
ルアルコールなどの脂肪族のジアルコール類及びトリア
ルコール類;ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレン
オキサイドなどのポリアルキレンオキサイドから成る脂
肪族ジグリコール及びトリグリコール類:グリセリン−
1・3−ジエチルエーテル、グリセリンエーテル、グリ
セリントリエチルエーテル、グリセリンメチルジエチル
エーテル、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド
などのグリセリンエーテル類などが使用される。
(B)の場合のポリカルボン酸としてはアゼライン酸、
2・4−ベンゾフエノンージカルボン酸、ブラジル酸、
1・4−シクロヘキサンジカルボン酸、フマ4、グルタ
ル酸、α−ケトグルタル酸、イタコン酸、マレイン酸、
マロン酸、オクタデシルマロン酸、ピメリン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、スベリン酸、コハク
酸、テトラデカンニ酸、ウンデカンニ酸などの脂肪族ま
たは芳香族の二塩基酸類が使用される。
2・4−ベンゾフエノンージカルボン酸、ブラジル酸、
1・4−シクロヘキサンジカルボン酸、フマ4、グルタ
ル酸、α−ケトグルタル酸、イタコン酸、マレイン酸、
マロン酸、オクタデシルマロン酸、ピメリン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、スベリン酸、コハク
酸、テトラデカンニ酸、ウンデカンニ酸などの脂肪族ま
たは芳香族の二塩基酸類が使用される。
(C)の場合のポリエンとしてはビニルシクロヘキセン
、シクロヘキサンオキサイド、エポキシ化大豆油、ブタ
ジエン、ポリブタジエン、ポリプタジエンオキサイド、
1・5−へキサジエンオキサイドなどが使用される。
、シクロヘキサンオキサイド、エポキシ化大豆油、ブタ
ジエン、ポリブタジエン、ポリプタジエンオキサイド、
1・5−へキサジエンオキサイドなどが使用される。
これらのポリエンの酸化は酢酸、プロピオン酸、酪酸な
どの有機脂肪酸またはオゾンによって行なわれる。
どの有機脂肪酸またはオゾンによって行なわれる。
以上に示したエポキシ樹脂は具体的にはl−ビニル−3
−シクロヘキセンジエポキサイド、ジシクロペンタジエ
ンジエポキサイド、1・5−ヘキサジエンジエポキサイ
ド、1・7−オクタジエンジエポキサイド、ビス(3・
4−エポキシシクロヘキシルメチルオキザレート)、ビ
ス(3・4ーエポキシシクロヘキシルメチルピマレート
)、3・4−エポキシ−5−メチルシクロヘキシルメチ
ル−3・4−エポキシ−5−メチルシクロヘキサンカル
ボキシレート、エチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタ
ンジオールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジ
グリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールグリシジ
ルエーテル、ヘキサハイドロキシリレンジオールジグリ
シジルエーテル、ビスフェノールーA−ジグリシジルエ
ーテル、p−p−ジヒドロキシジフエニルエーテルジリ
シジルエーテル、ジグリシジルアニリン、エチルジグリ
シジルホスフエイト、デカンジオールジグリシジルエー
テル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ト
リエチレングリコールジグリシジルエーテル、1・4−
ビスブタンジカルバミン酸ジグリシジルエーテル、セバ
シン酸ジグリシジルエーテル、N−N−ジグリシジルー
p−メトキシアニリン、ジグリシジルブチルアミン、ジ
グリシジルエチレン尿素、キシリレンジオールジグリシ
ジルエーテル、ジヒドロキシジフエニルスルホンジグリ
シジルエーテル、p(β・β′−ジヒドロキシエトキシ
)ベンゼンジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシ
ジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルア
ラニン、エチレンオキサイドジグリシジルエーテル、次
の如きで塩基酸たとえば、アゼライン酸、2・4−ベン
ゾフエノン−ジカルボン酸、ブラシル酸、1・4−シク
ロヘキサンジカルボン酸、フマル酸、グルタル酸、α−
ケトグルタル酸、イタコン酸、マレイン酸、マロン酸、
オクタデシルマロン酸、ピメリン酸、フタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸、スベリン酸、コハク酸、テトラ
デカンニ酸、ウンデカンニ酸、などのジグリシジルエー
テルなどがある。
−シクロヘキセンジエポキサイド、ジシクロペンタジエ
ンジエポキサイド、1・5−ヘキサジエンジエポキサイ
ド、1・7−オクタジエンジエポキサイド、ビス(3・
4−エポキシシクロヘキシルメチルオキザレート)、ビ
ス(3・4ーエポキシシクロヘキシルメチルピマレート
)、3・4−エポキシ−5−メチルシクロヘキシルメチ
ル−3・4−エポキシ−5−メチルシクロヘキサンカル
ボキシレート、エチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタ
ンジオールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジ
グリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールグリシジ
ルエーテル、ヘキサハイドロキシリレンジオールジグリ
シジルエーテル、ビスフェノールーA−ジグリシジルエ
ーテル、p−p−ジヒドロキシジフエニルエーテルジリ
シジルエーテル、ジグリシジルアニリン、エチルジグリ
シジルホスフエイト、デカンジオールジグリシジルエー
テル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ト
リエチレングリコールジグリシジルエーテル、1・4−
ビスブタンジカルバミン酸ジグリシジルエーテル、セバ
シン酸ジグリシジルエーテル、N−N−ジグリシジルー
p−メトキシアニリン、ジグリシジルブチルアミン、ジ
グリシジルエチレン尿素、キシリレンジオールジグリシ
ジルエーテル、ジヒドロキシジフエニルスルホンジグリ
シジルエーテル、p(β・β′−ジヒドロキシエトキシ
)ベンゼンジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシ
ジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルア
ラニン、エチレンオキサイドジグリシジルエーテル、次
の如きで塩基酸たとえば、アゼライン酸、2・4−ベン
ゾフエノン−ジカルボン酸、ブラシル酸、1・4−シク
ロヘキサンジカルボン酸、フマル酸、グルタル酸、α−
ケトグルタル酸、イタコン酸、マレイン酸、マロン酸、
オクタデシルマロン酸、ピメリン酸、フタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸、スベリン酸、コハク酸、テトラ
デカンニ酸、ウンデカンニ酸、などのジグリシジルエー
テルなどがある。
これらの化合物についてはたとえば特開昭48−792
98号、同48−79299号、米国特許246717
1号、同2506486号、同2538072号、同2
581 464号、同2615007号、同26400
37号、同2716123号、同2841595号、同
2866767号、同2750395号、同28901
94号、同3030336号、同3053855号、同
3075999号、同3173971号、同35622
75号、同3620983号、同3746545号など
、Cohen.J.Am.Chem.Soc.、75
1733(1952)、Iwakura Makrom
ol. Chem.104 66(1967)、“Ep
oxy ResinTechnology” Inte
rscience. John Wiley&Sons
1968 New Yorkなどに述べられてい本こ
れらの化合物の中でもその反応性及び入手のし易さなど
の点から、α・ω−ジオレフインのジエポキサイドやジ
グリシジル化合物が特に好都合である。
98号、同48−79299号、米国特許246717
1号、同2506486号、同2538072号、同2
581 464号、同2615007号、同26400
37号、同2716123号、同2841595号、同
2866767号、同2750395号、同28901
94号、同3030336号、同3053855号、同
3075999号、同3173971号、同35622
75号、同3620983号、同3746545号など
、Cohen.J.Am.Chem.Soc.、75
1733(1952)、Iwakura Makrom
ol. Chem.104 66(1967)、“Ep
oxy ResinTechnology” Inte
rscience. John Wiley&Sons
1968 New Yorkなどに述べられてい本こ
れらの化合物の中でもその反応性及び入手のし易さなど
の点から、α・ω−ジオレフインのジエポキサイドやジ
グリシジル化合物が特に好都合である。
更に上記のエポキシ樹脂は付加重合性の一価の置換基を
有していることから、他の付加重合性モノマーとの共重
合体としても良い。
有していることから、他の付加重合性モノマーとの共重
合体としても良い。
付加重合性モノマーとしてはスチレン、ブタジエン、イ
ソプレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、
アクリレート、メチルアクリレート、メタアクリレート
、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレートな
どである。
ソプレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、
アクリレート、メチルアクリレート、メタアクリレート
、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレートな
どである。
特にこれらの中で好ましい組合せは、スチレンーブタジ
エンーグリシジルアクリレート、スチレンーブタジエン
ーグリシジルメタアクリレート、スチレンーブタジエン
ーアリルグリシジルエーテル、スチレンーブタジエンー
ビニルグリシジルエーテル、スチレンーイソプレンーグ
リシジルアクリレート、スチレンーイソプレン−グリシ
ジルメタアクリレート、メチルメタアクリレート−ブタ
ジエンーグリシジルアクリレイト、メチルアクリレイト
ーブタジエンーグリシジルメタアクリレイト等であるが
、この記述は範囲を限定するものではない。
エンーグリシジルアクリレート、スチレンーブタジエン
ーグリシジルメタアクリレート、スチレンーブタジエン
ーアリルグリシジルエーテル、スチレンーブタジエンー
ビニルグリシジルエーテル、スチレンーイソプレンーグ
リシジルアクリレート、スチレンーイソプレン−グリシ
ジルメタアクリレート、メチルメタアクリレート−ブタ
ジエンーグリシジルアクリレイト、メチルアクリレイト
ーブタジエンーグリシジルメタアクリレイト等であるが
、この記述は範囲を限定するものではない。
以上の(A)、(B)及び(C)のエポキシ樹脂はエポ
キシ当量が約150〜4000、好ましくは400〜1
000であり、平均分子量は約100〜4000、好ま
しくは400−1400のものが本発明において有効で
ある。
キシ当量が約150〜4000、好ましくは400〜1
000であり、平均分子量は約100〜4000、好ま
しくは400−1400のものが本発明において有効で
ある。
又、固体状の樹脂よりも液体状の樹脂の方が反応性が高
いため通合が良い。
いため通合が良い。
これらのエポキシ樹脂は多くの種類が市販されており、
例えばDow Epoxy DER321、DER33
2、DER335、DER336、DER341、DE
R431、DER438、DER434、DER732
、DER736、DER741(以上、Dow Che
mical Co,製)、ARALDITE538、G
Y250、GY0252、GY257、GY260、G
Y280、PZ820、6600、6700(以上、C
ibaGeigy A,G.製),EPON(EPIK
OTE)152、154、828、834、836、1
001、1004、1007、1009(以上、She
ll Oil Co.製)、EP201,EP206、
EP207(以上、Union Carbide Co
rp.製)などがあり、入手するのに都合が良い。
例えばDow Epoxy DER321、DER33
2、DER335、DER336、DER341、DE
R431、DER438、DER434、DER732
、DER736、DER741(以上、Dow Che
mical Co,製)、ARALDITE538、G
Y250、GY0252、GY257、GY260、G
Y280、PZ820、6600、6700(以上、C
ibaGeigy A,G.製),EPON(EPIK
OTE)152、154、828、834、836、1
001、1004、1007、1009(以上、She
ll Oil Co.製)、EP201,EP206、
EP207(以上、Union Carbide Co
rp.製)などがあり、入手するのに都合が良い。
本発明においてポリアミド樹脂とは主鎖に酸アミド結合
(−CONH−)を有する結合重合体であり、下記の(
D)、(E)及び(F)の3種の方法によって合成され
る一般式〔■〕、〔■〕及び〔IV〕の繰り返し単位を
有した樹脂である。
(−CONH−)を有する結合重合体であり、下記の(
D)、(E)及び(F)の3種の方法によって合成され
る一般式〔■〕、〔■〕及び〔IV〕の繰り返し単位を
有した樹脂である。
(D)ジアミンとジカルボン酸の縮合:
(E)アミノ酸の縮合:
(F)ラクタムの開環:
上記の(D)〜(F)式においてR5、R6及びR8は
炭素数1〜20の2価の基:R7は炭素数1〜10の2
価の基を示す。
炭素数1〜20の2価の基:R7は炭素数1〜10の2
価の基を示す。
R5としては炭素数1〜20のアルキレンまたはアルケ
ニレン、シクロヘキサンジイル、フエニレン、トリレン
、キシリレン、ナフチレン、ビフエニリレンなどが好ま
しい。
ニレン、シクロヘキサンジイル、フエニレン、トリレン
、キシリレン、ナフチレン、ビフエニリレンなどが好ま
しい。
R6としては炭素数1〜20のアルキレンまたはアルケ
ニレン、シクロヘキサンジイル、フエニレン、トリレン
、キシリレン、ナフチレン、ビフエニリレンなどが好ま
しい。
ニレン、シクロヘキサンジイル、フエニレン、トリレン
、キシリレン、ナフチレン、ビフエニリレンなどが好ま
しい。
R7としては炭素数1〜10のアルキレン、炭素数1〜
100カルボキシル置換アルキレン、炭素数1〜10の
フエニル置換アルキレンなどが好ましい。
100カルボキシル置換アルキレン、炭素数1〜10の
フエニル置換アルキレンなどが好ましい。
R8としては炭素数1〜20のアルキレンが好ましい。
又、(D)式のジカルボン酸は無水物、エステル等でも
良く、(E)式のアミノ酸は無水物でも良い。
良く、(E)式のアミノ酸は無水物でも良い。
(D)式のジアミン類としてはメチレンジアミン、ジメ
チレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレ
ンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ペンタメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミ
ン、デカメチレンジアミン、ピペラジン、ジアミノシク
口ヘキサン、アミノシクロヘキシル)メタン、ビスf4
−アミノー1・2−メチルシクロヘキシル)メタン、o
−フエニレンジアミン、m−フエニレンジアミン、p−
フエニレンジアミン、4・4′−ジアミノビフエニル、
トリレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフチレンジ
アミンなど:ジカルボン酸類としてはマロン酸、コハク
酸、グルタール酸、アジピン酸、ピメリン酸、コハク酸
、アゼライン酸、セバシン酸、ノナンジカルボン酸、デ
カンジカルボン酸、ウンデカンジカルボン酸、ドデカン
ジカルボン酸、ヘキサデカンジカルボン酸、タプシア酸
、日本酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、ジグ
リコール酸、リンゴ酸、クエン酸、フタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸、無水マレイン酸、無水フタル酸な
どが使用される。
チレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレ
ンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ペンタメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミ
ン、デカメチレンジアミン、ピペラジン、ジアミノシク
口ヘキサン、アミノシクロヘキシル)メタン、ビスf4
−アミノー1・2−メチルシクロヘキシル)メタン、o
−フエニレンジアミン、m−フエニレンジアミン、p−
フエニレンジアミン、4・4′−ジアミノビフエニル、
トリレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフチレンジ
アミンなど:ジカルボン酸類としてはマロン酸、コハク
酸、グルタール酸、アジピン酸、ピメリン酸、コハク酸
、アゼライン酸、セバシン酸、ノナンジカルボン酸、デ
カンジカルボン酸、ウンデカンジカルボン酸、ドデカン
ジカルボン酸、ヘキサデカンジカルボン酸、タプシア酸
、日本酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、ジグ
リコール酸、リンゴ酸、クエン酸、フタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸、無水マレイン酸、無水フタル酸な
どが使用される。
(E)式のアミノ酸(アミノカルボン酸)としてはα−
アミノ酢酸、L−α−アミノプロピオン酸、L−α−ア
ミノイソバレリン酸、ε−アミノカプロン酸、L−α−
アミノイソカプロン酸、L−α−アミノ−β−フエニル
プロピオン酸、L−アミノコハク酸(アスパラギン酸)
、L−α−アミノグルタール酸(グルタミン酸)、γ−
アミノ酪酸、α−アミノ−n−アジピン酸、11−アミ
ノウンデカン酸、α−アミノ−DL−イソアミル酢酸、
α−アミノ−n−酪酸、2−アミノ−2−メチル酪酸、
α−アミノカプリン酸、α−アミノカプリツク酸、1−
アミノシクロヘキサンカルボン酸、α−アミノシクロヘ
キシル酢酸、1−アミノ−α−メチルシクロヘキサンカ
ルボン酸、アミノマロン酸エチル、β−ベンジル−L−
アスpラテート、β−ベンジル−D−アスパラテート、
γ−ベンジル−DL−グルタメートなどが使用される。
アミノ酢酸、L−α−アミノプロピオン酸、L−α−ア
ミノイソバレリン酸、ε−アミノカプロン酸、L−α−
アミノイソカプロン酸、L−α−アミノ−β−フエニル
プロピオン酸、L−アミノコハク酸(アスパラギン酸)
、L−α−アミノグルタール酸(グルタミン酸)、γ−
アミノ酪酸、α−アミノ−n−アジピン酸、11−アミ
ノウンデカン酸、α−アミノ−DL−イソアミル酢酸、
α−アミノ−n−酪酸、2−アミノ−2−メチル酪酸、
α−アミノカプリン酸、α−アミノカプリツク酸、1−
アミノシクロヘキサンカルボン酸、α−アミノシクロヘ
キシル酢酸、1−アミノ−α−メチルシクロヘキサンカ
ルボン酸、アミノマロン酸エチル、β−ベンジル−L−
アスpラテート、β−ベンジル−D−アスパラテート、
γ−ベンジル−DL−グルタメートなどが使用される。
(F)式のラクタム類としてはグリシン無水物、α−ピ
ロリドン、α−ピペリドン、γ−ブチロラクタム、δ−
バレロラクタム、ε−カプロラクタム、α−メチルカプ
ロラクタム、β−メチルカプロラクタム、γ−メチルカ
プロラクタム、δ−メチル力グロラクタム、ε−メチル
カプロラクタム、N−メチルカプロラクタム、β・r−
ジメチル力グロラクタム、γ〜エチルカプロラクタム、
γ−イソプロビルカプロラクタム、ε−イソプロビルカ
プロラクタム、r−プチルカプロラクタム、ε−エナン
トラクタム、ω−エナントラクタム、η−カブリルラク
タム、ω−カブリルラクタム、ω−ラウロラクタムなど
が使用される。
ロリドン、α−ピペリドン、γ−ブチロラクタム、δ−
バレロラクタム、ε−カプロラクタム、α−メチルカプ
ロラクタム、β−メチルカプロラクタム、γ−メチルカ
プロラクタム、δ−メチル力グロラクタム、ε−メチル
カプロラクタム、N−メチルカプロラクタム、β・r−
ジメチル力グロラクタム、γ〜エチルカプロラクタム、
γ−イソプロビルカプロラクタム、ε−イソプロビルカ
プロラクタム、r−プチルカプロラクタム、ε−エナン
トラクタム、ω−エナントラクタム、η−カブリルラク
タム、ω−カブリルラクタム、ω−ラウロラクタムなど
が使用される。
これらのポリアミドは通常ナイロンと呼ばれている。
具体的にはN−カルボキシアミノ酸無水物の重合による
ナイロン2、β−アミノピバリン酸の重合によるナイロ
ン3、α−ピロリドンの開環重合によるナイロン4、α
−ピペリドンの開環重合によるナイロン5、ε−カプ口
ラクタムの開環重合によるナイロン6、ω−アミノエナ
ント酸の重合によるナイロン7、カブリロラクタムの開
環重合によるナイロン8、ω−アミノゾニル酸からのナ
イロン9、カプリンラクタムの開環重合によるナイロン
10、11−アミノウンデカン酸からのナイロン11、
ω−ラウロラクタムの開環重合によるナイロン12、ヘ
キサメチレンジアミンとアジピン酸の縮重合によるナイ
ロン66、ヘキサメチレンジアミンとセバシン酸の縮重
合によるナイロン610などがある。
ナイロン2、β−アミノピバリン酸の重合によるナイロ
ン3、α−ピロリドンの開環重合によるナイロン4、α
−ピペリドンの開環重合によるナイロン5、ε−カプ口
ラクタムの開環重合によるナイロン6、ω−アミノエナ
ント酸の重合によるナイロン7、カブリロラクタムの開
環重合によるナイロン8、ω−アミノゾニル酸からのナ
イロン9、カプリンラクタムの開環重合によるナイロン
10、11−アミノウンデカン酸からのナイロン11、
ω−ラウロラクタムの開環重合によるナイロン12、ヘ
キサメチレンジアミンとアジピン酸の縮重合によるナイ
ロン66、ヘキサメチレンジアミンとセバシン酸の縮重
合によるナイロン610などがある。
又、これらのナイロンの共重合体、たとえばナイロン6
/66/610(共重合比:10/40/50)、ナイ
ロン66/610(比重合比45/55)なども使用で
きる3上記のポリアミド樹脂で本発明において特に有効
なものはエポキシ樹脂の硬化反応を起こし易すいもので
あり、一般式〔■〕の型でジカルボン酸の量を多くして
カルボキシル基が末端に残った型とした下記の一般式〔
VI〕(nは重合度R5及びR6は前記(n)と同じ)
のポリアミド樹脂である。
/66/610(共重合比:10/40/50)、ナイ
ロン66/610(比重合比45/55)なども使用で
きる3上記のポリアミド樹脂で本発明において特に有効
なものはエポキシ樹脂の硬化反応を起こし易すいもので
あり、一般式〔■〕の型でジカルボン酸の量を多くして
カルボキシル基が末端に残った型とした下記の一般式〔
VI〕(nは重合度R5及びR6は前記(n)と同じ)
のポリアミド樹脂である。
OH(OC−R5−CONH−R6−NH)nH〔VI
〕 更にこれらのナイロンと他のモノマーとの共重合体も使
用できる。
〕 更にこれらのナイロンと他のモノマーとの共重合体も使
用できる。
具体的には2−メチル−5一ビニルピリジン、スチレン
、メタクリル酸メチルアクリル酸ナトリウム、酢酸ビニ
ル、塩化ビニリデン、アクリロニトリルなどのビニルモ
ノマーとのグラフト共重合体;エチレンオキサイド、プ
ロピレンオキサイド、エチレンイミン、シクロオキサブ
タン、ε−カブロラクタム、エチレンスルフイド、エビ
クロルヒドリン、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水
へキサヒドロフタル酸、無水ジクロロマレイン酸、無水
ドデシルコハク酸などの開環重合性モノマーとの共重合
体などである。
、メタクリル酸メチルアクリル酸ナトリウム、酢酸ビニ
ル、塩化ビニリデン、アクリロニトリルなどのビニルモ
ノマーとのグラフト共重合体;エチレンオキサイド、プ
ロピレンオキサイド、エチレンイミン、シクロオキサブ
タン、ε−カブロラクタム、エチレンスルフイド、エビ
クロルヒドリン、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水
へキサヒドロフタル酸、無水ジクロロマレイン酸、無水
ドデシルコハク酸などの開環重合性モノマーとの共重合
体などである。
これらは通常の方法、例えばグラフト重合、アシル化、
アルキル化などによって共重合体とすることができる。
アルキル化などによって共重合体とすることができる。
これらのポリアミド樹脂の分子量は500〜10000
、好ましくは800〜7000程度である。
、好ましくは800〜7000程度である。
アミン当量では2〜400程度である。商品名としては
アミランCM1031(東レKK.)、宇部ナイロンE
A1030(宇部興産K.K.)、グリロンA1050
(ユニチカK.K.)、Plaskon 8211、8
229(AlliedChemical Corp.)
、Spencer Nylon 607(Spence
r Chemical Co.、Ltd.)、Fost
er Nylon BK40F,BK40T(Fost
er Grant Co.、Lta.)、Ultram
idBKR1144/3(BASF A.G.)、Du
rethan BK50F,BK64F(Bayer
A.G.)、Maranyl F160、Fl70(I
CILtd.)などのナイロン6:アミランCM302
1(東レK.K.)、Zytel42(E.I.Du
Pont de Nemours&Co.)、Ultr
amidAKR1183(BASF A.G.)、Ma
ranylA150M,A100E(ICI Ltd.
)、Nylatron GS(Polymer Cor
p)などのナイロン66;アミランCM2006(東レ
K.K.)、Zyte 138(E.I,Du Pon
t de Nemours&Co.)、Ultrami
d S4、84K(BASFA.G.)、Marany
lB100、B100C(ICILtd.)などのナイ
ロン610が知られている。
アミランCM1031(東レKK.)、宇部ナイロンE
A1030(宇部興産K.K.)、グリロンA1050
(ユニチカK.K.)、Plaskon 8211、8
229(AlliedChemical Corp.)
、Spencer Nylon 607(Spence
r Chemical Co.、Ltd.)、Fost
er Nylon BK40F,BK40T(Fost
er Grant Co.、Lta.)、Ultram
idBKR1144/3(BASF A.G.)、Du
rethan BK50F,BK64F(Bayer
A.G.)、Maranyl F160、Fl70(I
CILtd.)などのナイロン6:アミランCM302
1(東レK.K.)、Zytel42(E.I.Du
Pont de Nemours&Co.)、Ultr
amidAKR1183(BASF A.G.)、Ma
ranylA150M,A100E(ICI Ltd.
)、Nylatron GS(Polymer Cor
p)などのナイロン66;アミランCM2006(東レ
K.K.)、Zyte 138(E.I,Du Pon
t de Nemours&Co.)、Ultrami
d S4、84K(BASFA.G.)、Marany
lB100、B100C(ICILtd.)などのナイ
ロン610が知られている。
その他のポリアミド樹脂としてはトーマイド(Tohm
ide、富士化成工業K.K,)、ヒタマイド(Hit
amide、日立化成工業K.K,)、バーサミド(V
arsamide, General Mills I
nc.)などが知られている。
ide、富士化成工業K.K,)、ヒタマイド(Hit
amide、日立化成工業K.K,)、バーサミド(V
arsamide, General Mills I
nc.)などが知られている。
これらのポリアミド樹脂については福本修編、プラスチ
ック材料講座(16)、「ポリアミド樹脂」昭和45年
7月25日、日刊工業新聞社発行:村橋、井本、谷編集
、「合成高分子V」11〜186頁、昭和46年6月1
5日、朝倉書店発行:米国特許21.30497号;2
130523号:2149273号;2158064号
; 2223493号;2249627号: 2534347号;2540352号: 2715620号;2756221号; 2939862号;2994693号: 3012994号;3133956号; 3188228号;3193475号; 3193483号;3197443号; 3226362号;3242134号; 3247167号;3299009号; 3328352号;3354123号等に記載されてい
る。
ック材料講座(16)、「ポリアミド樹脂」昭和45年
7月25日、日刊工業新聞社発行:村橋、井本、谷編集
、「合成高分子V」11〜186頁、昭和46年6月1
5日、朝倉書店発行:米国特許21.30497号;2
130523号:2149273号;2158064号
; 2223493号;2249627号: 2534347号;2540352号: 2715620号;2756221号; 2939862号;2994693号: 3012994号;3133956号; 3188228号;3193475号; 3193483号;3197443号; 3226362号;3242134号; 3247167号;3299009号; 3328352号;3354123号等に記載されてい
る。
又、上記のポリアミド樹脂と類似の方法で合成される。
ポリアミドイミド樹脂も使用可能である。ポリアミドイ
ミド樹脂は末端にアミン基を有する低分子量のポリアミ
、ドと酸無水物の反応による方法:末端にアミン基を有
する低分子量のポリアミド酸と二塩基性クロリドの反応
による方法;トリメリット酸誘導体とジアミンの反応に
よる方法等によって得られる。
ミド樹脂は末端にアミン基を有する低分子量のポリアミ
、ドと酸無水物の反応による方法:末端にアミン基を有
する低分子量のポリアミド酸と二塩基性クロリドの反応
による方法;トリメリット酸誘導体とジアミンの反応に
よる方法等によって得られる。
酸無水物又はこの誘導体としてはピロメリット酸無水物
、ピロメリット酸−1・4−ジメチルエステル、ピロメ
リット酸テトラメチルエステル、ピロメリット酸エチル
エステノ瓢2・3・6・7−ナフタリンテトラカルボン
酸ジ無水物、3・3′・4・4′−ビフエニルテトラカ
ルボン酸ジ無水物、1・2・5・6−ナフタリンテトラ
カルボン酸ジ無水物、2・2′・3・3′−ビフエニル
テトラカルボン酸ジ無水物、2・/・6・6′−ビフエ
ニルテトラカルボン酸ジ無水物等が:ジアミン類は前記
の芳香族ジアミンが使用される。
、ピロメリット酸−1・4−ジメチルエステル、ピロメ
リット酸テトラメチルエステル、ピロメリット酸エチル
エステノ瓢2・3・6・7−ナフタリンテトラカルボン
酸ジ無水物、3・3′・4・4′−ビフエニルテトラカ
ルボン酸ジ無水物、1・2・5・6−ナフタリンテトラ
カルボン酸ジ無水物、2・2′・3・3′−ビフエニル
テトラカルボン酸ジ無水物、2・/・6・6′−ビフエ
ニルテトラカルボン酸ジ無水物等が:ジアミン類は前記
の芳香族ジアミンが使用される。
ポリアミド酸の合成溶媒としてはジメチルフォルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ジメチルメトキシアセトア
ミド、N−メチル力グロラクタム、ジメチルスルホン、
テトラメチレンスルホン、N一アセチルー2−ピロリド
ンなどが使用される。
ド、ジメチルアセトアミド、ジメチルメトキシアセトア
ミド、N−メチル力グロラクタム、ジメチルスルホン、
テトラメチレンスルホン、N一アセチルー2−ピロリド
ンなどが使用される。
上記のポリアミドイミドについてはG,M.Bower
et al“Journal of Polymer
Science,”A−1、3135頁(1903年発
行):米国特許2421024号:英国特許57085
8号;フランス特許386617号:ベルギー特許65
0979号等に記載がある。
et al“Journal of Polymer
Science,”A−1、3135頁(1903年発
行):米国特許2421024号:英国特許57085
8号;フランス特許386617号:ベルギー特許65
0979号等に記載がある。
以上に説明した本発明の保護層に使用するセルロース誘
導体、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂の混合割合はセ
ルロース誘導体と(エポキシ樹脂およびポリアミド樹脂
の重量比)が約20/80〜80/20、好ましくは4
0/60〜70/30であり、エポキシ樹脂とポリアミ
ド樹脂の配合割合はエポキシ樹脂のエポキシ尚量とポリ
アミド樹脂のアミン轟量が約10/90〜90/10好
ましくは40/60〜90/10とするのが良い。
導体、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂の混合割合はセ
ルロース誘導体と(エポキシ樹脂およびポリアミド樹脂
の重量比)が約20/80〜80/20、好ましくは4
0/60〜70/30であり、エポキシ樹脂とポリアミ
ド樹脂の配合割合はエポキシ樹脂のエポキシ尚量とポリ
アミド樹脂のアミン轟量が約10/90〜90/10好
ましくは40/60〜90/10とするのが良い。
セルロース誘導体の量が多くなり過ぎると、一般に磁性
層との密着が悪くなり場合によりピンホール、塗布ムラ
等が出来易く好ましくない。
層との密着が悪くなり場合によりピンホール、塗布ムラ
等が出来易く好ましくない。
又、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂が多くなり過ぎる
と磁気カードを作る時、加熱プレス等の工程に於て保護
膜が艶板(鏡面化したプレス板でステンレス板や硬質ク
ロムメッキ板が使用される。
と磁気カードを作る時、加熱プレス等の工程に於て保護
膜が艶板(鏡面化したプレス板でステンレス板や硬質ク
ロムメッキ板が使用される。
)に熱によりはりつく現象が見られ好ましくない。
又エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂が多くなり過ぎると
、塗布液の状態でのポットライフが短くなり好ましくな
い。
、塗布液の状態でのポットライフが短くなり好ましくな
い。
エポキシ当量とアミン当量の割合は50/50が標準で
あるが、エポキシ当量が多い方が硬く、傷のつきにくい
、耐久性の優れた保護膜が出来る。
あるが、エポキシ当量が多い方が硬く、傷のつきにくい
、耐久性の優れた保護膜が出来る。
保護膜の厚味としては約0.1μm〜8μmが有効であ
るが、使用する範囲は0.5μm〜4μm、好ましい範
囲は1.5μm〜3μmである。
るが、使用する範囲は0.5μm〜4μm、好ましい範
囲は1.5μm〜3μmである。
厚味が薄いと再生出力的には有利になるが保護膜として
の機能が果せなく耐久性の点で弱くなって来る。
の機能が果せなく耐久性の点で弱くなって来る。
保護膜の厚味が大きすぎると当然ながら間隙損失が大き
くなることは磁気記録の原理からよく窺い知る所である
。
くなることは磁気記録の原理からよく窺い知る所である
。
本発明の磁気記録体は非磁性支持体上に磁性層を塗布、
乾燥し、その上に保護層を塗布、乾燥する通常の工程に
よる方法と仮の一時的支持体を使用した転写型の工程に
よって製造する方法のどちらでも良いが、後者の方が好
ましいようである。
乾燥し、その上に保護層を塗布、乾燥する通常の工程に
よる方法と仮の一時的支持体を使用した転写型の工程に
よって製造する方法のどちらでも良いが、後者の方が好
ましいようである。
転写型の場合は第1図に示す如く、一時的支持体1の上
に保護層2を塗布、乾燥し、更にその上に磁性層3を塗
布、乾燥する。
に保護層2を塗布、乾燥し、更にその上に磁性層3を塗
布、乾燥する。
これを加熱、加圧または接着剤により磁性層3と保護層
2を永久支持体4の上に転写する工程による製造法であ
る。
2を永久支持体4の上に転写する工程による製造法であ
る。
第2図に製造された転写型磁気記録体の層構成を示す。
上記の転写型の工程とすることにより、通常の工程にお
いて保護層の塗布溶媒により、磁性層表面が膨潤、溶解
して表面性が悪化することや、磁気特性が低下すると云
う欠点を防止することができ、又、塗布溶媒を選択する
煩わしさもなくなる。
いて保護層の塗布溶媒により、磁性層表面が膨潤、溶解
して表面性が悪化することや、磁気特性が低下すると云
う欠点を防止することができ、又、塗布溶媒を選択する
煩わしさもなくなる。
磁気テープ、磁気シート、磁気ディスクなどの場合は転
写後に細断または切断するが、磁気カードの如く、磁性
層が永久支持体上の全面に必要としない場合は、転写前
の第1図の状態で細断または切断し、永久支持体上の必
要とする個所のみへ磁性層及び保護層を転写する。
写後に細断または切断するが、磁気カードの如く、磁性
層が永久支持体上の全面に必要としない場合は、転写前
の第1図の状態で細断または切断し、永久支持体上の必
要とする個所のみへ磁性層及び保護層を転写する。
第3図は磁気カードを製造する場合の転写工程を示すも
のであり、永久支持体が重層構造の場合を示すものであ
る。
のであり、永久支持体が重層構造の場合を示すものであ
る。
永久支持体は硬質塩化ビニルシ一ト5、及び塩化ビニル
コアシート6を重ねたものであり、これらを重ね合わせ
、磁性層3と保護層2を転写する際に同時に加熱、加圧
、または接着剤により成形される。
コアシート6を重ねたものであり、これらを重ね合わせ
、磁性層3と保護層2を転写する際に同時に加熱、加圧
、または接着剤により成形される。
本発明の保護層には磁性層に添加されている潤滑剤、研
磨剤、帯電防止剤を添加しても良く、これらの添加剤を
分散するための分散剤が添加されても良い。
磨剤、帯電防止剤を添加しても良く、これらの添加剤を
分散するための分散剤が添加されても良い。
分散剤としてはカプリル酸、カブリン酸、ラウリン酸、
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリ塔酸、オレイン
酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン酸、ステアロ
ール酸等の炭素数12〜18個の脂肪酸(R1COOH
,R1は炭素数11〜17個のアルキル基);前記の脂
肪酸のアルカリ金属(Li,Na,K等)またはアルカ
リ士類金属(Mg,Ca,Ba)から成る金属石鹸:レ
シチン等が使用される。
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリ塔酸、オレイン
酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン酸、ステアロ
ール酸等の炭素数12〜18個の脂肪酸(R1COOH
,R1は炭素数11〜17個のアルキル基);前記の脂
肪酸のアルカリ金属(Li,Na,K等)またはアルカ
リ士類金属(Mg,Ca,Ba)から成る金属石鹸:レ
シチン等が使用される。
この他に炭素数12以上の高級アルコール、およびこれ
らの他に硫酸エステル等も使用可能である。
らの他に硫酸エステル等も使用可能である。
これらの分散剤は結合剤100重量部に対して1〜20
重量部の範囲で添加される。
重量部の範囲で添加される。
例としては、特公昭39−28369号、同44−17
945号、同48−15001号、米国特許33879
93号:同3470021号等に記載がある。
945号、同48−15001号、米国特許33879
93号:同3470021号等に記載がある。
潤滑剤としてはシリコンオイル、カーボンフラック、グ
ラファイト、カーボンブラックグラフトポリマー、二硫
化モリブデン、二硫化タングステン、炭素数12〜16
個の一塩基性脂肪酸と炭素数3〜12個の一価のアルコ
ールからなる脂肪酸エステル類、炭素数17個以上の一
塩基性脂肪酸と該脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が2
1〜23個と成る一価のアルコールから成る脂肪酸エス
テル等が使用できる。
ラファイト、カーボンブラックグラフトポリマー、二硫
化モリブデン、二硫化タングステン、炭素数12〜16
個の一塩基性脂肪酸と炭素数3〜12個の一価のアルコ
ールからなる脂肪酸エステル類、炭素数17個以上の一
塩基性脂肪酸と該脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が2
1〜23個と成る一価のアルコールから成る脂肪酸エス
テル等が使用できる。
これらの潤滑剤は結合剤100重量部に対して0.2〜
20重量部の範囲で添加される。
20重量部の範囲で添加される。
これらについては特公昭43−23889号公報、特願
昭42−28647号、特願昭43−81543号等の
明細書、米国特許3470021号:同3492235
号;同3497411号;同3523086号:同36
25760号:同3630772号;同3634253
号:同3642539号;同3687725号;“IB
M TechnicalDisclosure Bul
letin”Vol.9、No.7、Page779(
1966年12月):“ “ELEKTRONIK”1961年、No.12、P
age 380等に記載されている。
昭42−28647号、特願昭43−81543号等の
明細書、米国特許3470021号:同3492235
号;同3497411号;同3523086号:同36
25760号:同3630772号;同3634253
号:同3642539号;同3687725号;“IB
M TechnicalDisclosure Bul
letin”Vol.9、No.7、Page779(
1966年12月):“ “ELEKTRONIK”1961年、No.12、P
age 380等に記載されている。
研磨剤としては一般に使用される材料で溶融アルミナ、
炭化ケイ素酸化クロム、コランダム、人造コランダム、
ダイアモンド、人造ダイアモンド、ザクロ石、エメリー
(主成分:コランダムと磁鉄鉱)等が使用される。
炭化ケイ素酸化クロム、コランダム、人造コランダム、
ダイアモンド、人造ダイアモンド、ザクロ石、エメリー
(主成分:コランダムと磁鉄鉱)等が使用される。
これらの研磨剤は平均粒子径が0.05〜5μの大きさ
のものが使用され、特に好ましくは0.1〜2μである
。
のものが使用され、特に好ましくは0.1〜2μである
。
これらの研磨剤は結合剤100重量部に対して7〜20
重量部の範囲で添加される。
重量部の範囲で添加される。
これらについては特願昭48−26749号明細書、米
国特許3007807号;同3041196号、同32
93066号:同3630910号、同3687725
号;英国特許1145349号;西ドイツ特許(DT−
PS)853211号に記載されている。
国特許3007807号;同3041196号、同32
93066号:同3630910号、同3687725
号;英国特許1145349号;西ドイツ特許(DT−
PS)853211号に記載されている。
帯電防止剤としてはグラファイト、カーボンブラック、
導伝性カーボンブラック、カーボンブラックグラフトポ
リマーなどの導電性粉末:サポニンなどの天然界面活性
剤;アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシド
ール系などのノニオン界面活性剤;高級アルキルアミン
類、第4級アンモニウム塩類、ピリジンその他の複素環
類、ホスホニウム又はスルホニウム類などのカチオン界
面活性剤;カルボン酸、スルホン酸、燐酸、硫酸エステ
ル基、燐酸エステル基等の酸性基を含むアニオン界面活
性剤;アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコ
ールの硫酸または燐酸エステル類等の両性活性剤などが
使用される。
導伝性カーボンブラック、カーボンブラックグラフトポ
リマーなどの導電性粉末:サポニンなどの天然界面活性
剤;アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシド
ール系などのノニオン界面活性剤;高級アルキルアミン
類、第4級アンモニウム塩類、ピリジンその他の複素環
類、ホスホニウム又はスルホニウム類などのカチオン界
面活性剤;カルボン酸、スルホン酸、燐酸、硫酸エステ
ル基、燐酸エステル基等の酸性基を含むアニオン界面活
性剤;アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコ
ールの硫酸または燐酸エステル類等の両性活性剤などが
使用される。
これら帯電防止剤として使用し得る界面活性剤化合物例
の一部は米国特許2271623号、同2240472
号、同2288226号、同2676122号、同26
76924号、同2676975号、同2691566
号、同2727860号、同2730498号、同27
42379号、同2739891号、同3068101
号、同3158484号、同3201253号、同32
10191号、同3294540号、同3415649
号、同3441413号、同3442654号、同34
75174号、同3545974号、西ドイツ特許公開
(OLS)1942665号、英国特許1077317
号、同1198450号等をはじめ、小田良平他著「界
面活性剤の合成とその応用」(槙書店1964年版);
A.W.ベイリ著「サーフエス アクティブ エージエ
ンツ」(インターサイエンスパブリケーションインコー
ポレテイド1958年版);T,P.シスリー著「エン
サイクロペディア オブ サーフエス アクテイヴ エ
ージエンツ、第2巻」(ケミカルパブリッシュカンパニ
ー1964年版):「界面活性剤便覧」第6刷(産業図
書株式会社、昭和41年12月20日)などの成書に記
載されている。
の一部は米国特許2271623号、同2240472
号、同2288226号、同2676122号、同26
76924号、同2676975号、同2691566
号、同2727860号、同2730498号、同27
42379号、同2739891号、同3068101
号、同3158484号、同3201253号、同32
10191号、同3294540号、同3415649
号、同3441413号、同3442654号、同34
75174号、同3545974号、西ドイツ特許公開
(OLS)1942665号、英国特許1077317
号、同1198450号等をはじめ、小田良平他著「界
面活性剤の合成とその応用」(槙書店1964年版);
A.W.ベイリ著「サーフエス アクティブ エージエ
ンツ」(インターサイエンスパブリケーションインコー
ポレテイド1958年版);T,P.シスリー著「エン
サイクロペディア オブ サーフエス アクテイヴ エ
ージエンツ、第2巻」(ケミカルパブリッシュカンパニ
ー1964年版):「界面活性剤便覧」第6刷(産業図
書株式会社、昭和41年12月20日)などの成書に記
載されている。
これらの界面活性剤は単独または混合して添加してもよ
い。
い。
これらは帯電防止剤として用いられるものであるが、時
としてその他の目的、たとえば分散、磁気特性の改良、
潤滑性の改良、塗布助剤として適用される場合もある。
としてその他の目的、たとえば分散、磁気特性の改良、
潤滑性の改良、塗布助剤として適用される場合もある。
保護層の塗布の際に使用する有機溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系:メタノール、エタノール
、プロパノール、ブタノール等のアルコール系;酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリ
コールモノエチルエーテル等のエステル系;エーテル、
グリコールジメチルエーテル、クリコールモノエチルエ
ーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系:ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等のタール系(芳香族炭化水素
);メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化
炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロ
ルベンゼン等の塩素化炭化水素等のものが使用される。
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系:メタノール、エタノール
、プロパノール、ブタノール等のアルコール系;酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリ
コールモノエチルエーテル等のエステル系;エーテル、
グリコールジメチルエーテル、クリコールモノエチルエ
ーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系:ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等のタール系(芳香族炭化水素
);メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化
炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロ
ルベンゼン等の塩素化炭化水素等のものが使用される。
本発明の保護層は前記の組成で一時的支持体上に塗布、
乾燥することによって得られる。
乾燥することによって得られる。
又、転写の際に一時的支持体と保護層の間の剥離性を良
くするために、この間に離型剤を設けても良い。
くするために、この間に離型剤を設けても良い。
離型剤としてはワックス、シリコンオイル、シリコン樹
脂、弗素オイル、ポリメタクリル酸エステルまたはその
共重合体、ポリカーボネート、セルロース誘導体(ニト
ロセルロース、セルロースグロピオネート、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレート等)等の
樹脂が使用され、これらの樹脂中に二硫化タングステン
、二硫化モリブデン、グラファイト等が混合されていて
も良い。
脂、弗素オイル、ポリメタクリル酸エステルまたはその
共重合体、ポリカーボネート、セルロース誘導体(ニト
ロセルロース、セルロースグロピオネート、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレート等)等の
樹脂が使用され、これらの樹脂中に二硫化タングステン
、二硫化モリブデン、グラファイト等が混合されていて
も良い。
これらの例としては特開昭47−30303号、同47
−30305号等に記載されている。
−30305号等に記載されている。
しかし、本発明の保護層中に離型剤としてこれらのもの
を添加しておけば、離型層は設けなくても良い。
を添加しておけば、離型層は設けなくても良い。
又、転写型の磁気記録体を製造する場合、磁性層の接着
性を良くするために、接着剤層を設けても良い。
性を良くするために、接着剤層を設けても良い。
接着剤層は一時的支持体上に保護層、磁気記録層を設け
た上に設けられ、転写後は永久支持体、接着剤層、磁性
層、保護層の順に積層されることになる。
た上に設けられ、転写後は永久支持体、接着剤層、磁性
層、保護層の順に積層されることになる。
接着剤としては塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、エチレ
ン酢酸ビニル共重合体、アクリル酸エステルアクリロニ
トリル共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニトリ
ル共重合体、ポリ酢酸ビニル、シエラツクエステル等が
使用される。
ン酢酸ビニル共重合体、アクリル酸エステルアクリロニ
トリル共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニトリ
ル共重合体、ポリ酢酸ビニル、シエラツクエステル等が
使用される。
これらの例としては特開昭47−28904号公報、特
開昭47−30303号公報等に記載されている。
開昭47−30303号公報等に記載されている。
前記の離型剤及び接着剤は磁気記録層のバインダーであ
る熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂または反芯型樹脂の種類
により任意のものを選択することは当業者において容易
に実施できるものである。
る熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂または反芯型樹脂の種類
により任意のものを選択することは当業者において容易
に実施できるものである。
又、離型剤及び接着剤のための塗布溶媒も前記の本発明
の保護層の有機溶媒と同様なものが使用できこれも当業
者において容易に実施できるものである。
の保護層の有機溶媒と同様なものが使用できこれも当業
者において容易に実施できるものである。
前記の一時的支持体としてはポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−2・6−ナフタレート等のポリエス
テル類、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロ
ーストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック
などが使用される。
ト、ポリエチレン−2・6−ナフタレート等のポリエス
テル類、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロ
ーストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック
などが使用される。
本発明に使用する磁性塗料の製法に関しては特べ昭35
−15、39−26794号、43−186号、47−
28043号、47−28045号、47−28046
号、47−28048号、47−31445号、48−
11162号、48−21331号、48−33683
号、ソ連特許明細書308033号等の公報等にくわし
く述べられている。
−15、39−26794号、43−186号、47−
28043号、47−28045号、47−28046
号、47−28048号、47−31445号、48−
11162号、48−21331号、48−33683
号、ソ連特許明細書308033号等の公報等にくわし
く述べられている。
これらに記載されている磁気塗料は強磁性体粉末、バイ
ンダー、塗布溶媒を主成分とし、この他に分散剤、帯電
防止剤等の添加剤を含む場合もある。
ンダー、塗布溶媒を主成分とし、この他に分散剤、帯電
防止剤等の添加剤を含む場合もある。
本発明に使用されるバインダーとしては従来公知の熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂やこれらの混合
物が使用される。
塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂やこれらの混合
物が使用される。
本発明に使用する強磁性微粉末としては、r−Fe2O
3、Co含有のr−Fe2O3、Fe3O4,Co含有
のFe3O4、r−Fe203とFe3O4のベルトラ
イド化合物(FeOx、1.33<x<1.50)、C
o含有のr−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化
合物(FeOx、1.33<x<1.50)、CrO2
、Co−Ni−P合金、Co−Ni−Fe合金、Co−
Ni−Fe−B合金、Fe−Ni−Zn合金、Fe−M
n−Zn合金、F6−Co−Ni−P合金、Ni−Co
合金等、公知の強磁性微粉末が使用でき、具体的には、
特公昭44−14090号、同45−18372号、同
47−22062号、同47−22513号、同46−
28466号、同46−38755号、同47−428
6号、同47−12422号、同47−17284号、
同47−18509号、同47−18573号、同39
−10307号、同48−39639号、米国特許30
26215号:同3031341号:同3100194
号:同3242005号:同3389014号;英国特
許752659号;同782762号;同100732
3号;フランス特許1107654号;西ドイツ公開特
許OLS1281334号等に記載されている。
3、Co含有のr−Fe2O3、Fe3O4,Co含有
のFe3O4、r−Fe203とFe3O4のベルトラ
イド化合物(FeOx、1.33<x<1.50)、C
o含有のr−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化
合物(FeOx、1.33<x<1.50)、CrO2
、Co−Ni−P合金、Co−Ni−Fe合金、Co−
Ni−Fe−B合金、Fe−Ni−Zn合金、Fe−M
n−Zn合金、F6−Co−Ni−P合金、Ni−Co
合金等、公知の強磁性微粉末が使用でき、具体的には、
特公昭44−14090号、同45−18372号、同
47−22062号、同47−22513号、同46−
28466号、同46−38755号、同47−428
6号、同47−12422号、同47−17284号、
同47−18509号、同47−18573号、同39
−10307号、同48−39639号、米国特許30
26215号:同3031341号:同3100194
号:同3242005号:同3389014号;英国特
許752659号;同782762号;同100732
3号;フランス特許1107654号;西ドイツ公開特
許OLS1281334号等に記載されている。
これらの強磁性微粉末の粒子サイズは約0.2〜1ミク
ロンの長さで、長さ/巾の比は1/1〜20/1程度で
ある。
ロンの長さで、長さ/巾の比は1/1〜20/1程度で
ある。
熱可塑性樹脂として軟化温度が150℃以下、平均分子
量が10000〜200000、重合度が約200〜2
000程度のもので、例えば塩化ビニル酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル
アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステルアクリ
ロニトリル共重合体、アクリル酸エステル塩化ビニリデ
ン、共重合体、アクリル酸エステルスチレン共重合体、
メタクリル酸エステルアクリロニトリル共重合体、メタ
クリル酸エステル塩化ビニリデン共重合体、メタクリル
酸エステルスチレン共重合体、ウレタンエラストマー、
ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデンアクリロニトリル共重
合体、ブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリアミ
ド樹月毘ポリビニルブチラール、セルロース誘導体(セ
ルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテ
ート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオ
ネート、ニトロセルロース等) エ塔共重合体、ポリエステル樹脂、クロロビニルエーテ
ルアクリル酸エステル共重合体、アミン樹脂、各種の合
成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの混合物等が使用さ
れる。
量が10000〜200000、重合度が約200〜2
000程度のもので、例えば塩化ビニル酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル
アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステルアクリ
ロニトリル共重合体、アクリル酸エステル塩化ビニリデ
ン、共重合体、アクリル酸エステルスチレン共重合体、
メタクリル酸エステルアクリロニトリル共重合体、メタ
クリル酸エステル塩化ビニリデン共重合体、メタクリル
酸エステルスチレン共重合体、ウレタンエラストマー、
ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデンアクリロニトリル共重
合体、ブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリアミ
ド樹月毘ポリビニルブチラール、セルロース誘導体(セ
ルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテ
ート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオ
ネート、ニトロセルロース等) エ塔共重合体、ポリエステル樹脂、クロロビニルエーテ
ルアクリル酸エステル共重合体、アミン樹脂、各種の合
成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの混合物等が使用さ
れる。
これらの樹脂の例示は特公昭37−6877号、39−
12528号、39−19282号、40−5349号
、40−20907号、41−9463号、41−14
059号、41−16985号、42−6428号、4
2−11621号、43−4623号、43−1520
6号、44−2889号、44一17947号、44−
18232号、45−14020号、45−14500
号、47−18573号、47−22063号、47−
22064号、47−22068号、47−22069
号、47−22070号、48−27886号、米国特
許3144352号;同3419420号:同3499
789号:同3713887号に記載されている。
12528号、39−19282号、40−5349号
、40−20907号、41−9463号、41−14
059号、41−16985号、42−6428号、4
2−11621号、43−4623号、43−1520
6号、44−2889号、44一17947号、44−
18232号、45−14020号、45−14500
号、47−18573号、47−22063号、47−
22064号、47−22068号、47−22069
号、47−22070号、48−27886号、米国特
許3144352号;同3419420号:同3499
789号:同3713887号に記載されている。
熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては塗布液の状態では
200000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に加熱
することにより、縮合、付加等の反応により分子量は無
限大のものとなる。
200000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に加熱
することにより、縮合、付加等の反応により分子量は無
限大のものとなる。
又、これらの樹脂のなかで、樹脂が熱分解するまでの間
に軟化又は溶融しないものが好ましい。
に軟化又は溶融しないものが好ましい。
具体的には例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、高分子
量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混
合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレ
ポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソ
シアネートの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分
子量グリコール/高分子量ジオール/トリフエニルメタ
ントリイソシアネートの混合物、ポリアミン樹脂及びこ
れらの混合物等である。
ウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、高分子
量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混
合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレ
ポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソ
シアネートの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分
子量グリコール/高分子量ジオール/トリフエニルメタ
ントリイソシアネートの混合物、ポリアミン樹脂及びこ
れらの混合物等である。
これらの樹脂の例示は特公昭39−8103号、40−
9779号、41−7192号、41−8016号、4
1−14275号、42一18179号、43−120
81号、44−28023号、45−14501号、4
5−24902号、46−13103号、47−220
65号、47−22066号、47−22067号、4
7−22072号、47−22073号、47−280
45号、47−28048号、47−28922号、米
国特許3144353号:同3320090号:同34
37510号;同3597273号:同3781210
号;同3781211号に記載されている。
9779号、41−7192号、41−8016号、4
1−14275号、42一18179号、43−120
81号、44−28023号、45−14501号、4
5−24902号、46−13103号、47−220
65号、47−22066号、47−22067号、4
7−22072号、47−22073号、47−280
45号、47−28048号、47−28922号、米
国特許3144353号:同3320090号:同34
37510号;同3597273号:同3781210
号;同3781211号に記載されている。
これらの結合剤の単独又は組合わされたものが使われ、
他に添加剤が加えられる。
他に添加剤が加えられる。
強磁性粉末と結合剤との混合割合は重量比で強磁性粉末
100重量部に対して結合剤10〜400重量部、好ま
しくは30〜200重量部の範囲で使用される。
100重量部に対して結合剤10〜400重量部、好ま
しくは30〜200重量部の範囲で使用される。
磁気記録層には、前記のバインダー、強磁性微粉末の他
に添加剤とし前記の分散剤、帯電防止剤等が加えられて
もよい。
に添加剤とし前記の分散剤、帯電防止剤等が加えられて
もよい。
磁気記録層の形成は上記の組成で有機溶媒に溶解し、塗
布溶液として前記の保護層上に塗布する。
布溶液として前記の保護層上に塗布する。
磁性粉末及び前述のバインダー、分散剤、帯電防止剤、
溶剤等は混練されて磁性塗料とされる。
溶剤等は混練されて磁性塗料とされる。
混練にあたっては、磁性粉末及び上述の各成分は全て同
時に、あるいは個々順次に混線機に投入される。
時に、あるいは個々順次に混線機に投入される。
たとえばまず分散剤を含む溶剤中に磁性粉末を加え所定
の時間混練し、しかるのちに残りの各成分を加え混線を
つづけて磁性塗料とする方法などがある。
の時間混練し、しかるのちに残りの各成分を加え混線を
つづけて磁性塗料とする方法などがある。
混線分散にあたっては各種の混練機が使用される。
例えば二本ロールミル、三本ロールミル、ポールミル、
ペプルミル インダー ラー分散機、高速ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイ
スパー、ニーダー、高速ミキサー、ホモジナイザー、超
音波分散機などである。
ペプルミル インダー ラー分散機、高速ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイ
スパー、ニーダー、高速ミキサー、ホモジナイザー、超
音波分散機などである。
混練分散に関する技術は、T.C.PATTON著の゜
Paint Flow and Pigment Di
spersion(1964年、J hon Wi l
ey & S ons社発行)に述べられている。
Paint Flow and Pigment Di
spersion(1964年、J hon Wi l
ey & S ons社発行)に述べられている。
又米国特許第2581414号、同2855156号に
も述べられている。
も述べられている。
保護層上へ前記の磁気記録層を塗布する方法としてはエ
アードクターコート、ブレードコート、エアナイフコー
ト、スクイズコート、含浸コート、1) ート、グラビアコート、キスコート、キャストコート、
スプレイコート等が利用でき、その他の方法も可能であ
り、これらの具体的説明は朝倉書店発行の「コーティン
グ工学」253頁〜277頁(昭和46.3.20発行
)に詳細に記載されている。
アードクターコート、ブレードコート、エアナイフコー
ト、スクイズコート、含浸コート、1) ート、グラビアコート、キスコート、キャストコート、
スプレイコート等が利用でき、その他の方法も可能であ
り、これらの具体的説明は朝倉書店発行の「コーティン
グ工学」253頁〜277頁(昭和46.3.20発行
)に詳細に記載されている。
この様な方法により、保護層上に塗布された磁性層は必
要により層中の磁性粉末を配向させる処理を施したのち
、形成した磁性層を乾燥する。
要により層中の磁性粉末を配向させる処理を施したのち
、形成した磁性層を乾燥する。
又必要により表面平滑化加工を施したり、所望の形状に
裁断したりした後、保護層、磁性層を転写して本発明の
磁気記録体を製造する。
裁断したりした後、保護層、磁性層を転写して本発明の
磁気記録体を製造する。
この場合、配向磁場は交流または直流で約500〜20
00ガウス程度であり、乾燥温度は約50〜100℃程
度、乾燥時間は約3〜10分間程度である。
00ガウス程度であり、乾燥温度は約50〜100℃程
度、乾燥時間は約3〜10分間程度である。
磁性粉末の配向方法は下記の特許中にも述べられている
。
。
例えば、米国特許1949840号;
2796359号;3001891号:
3172776号;3416949号:
3473960号;3681138号:特公昭32−3
427号;39−28368号:4〇一23624号;
40−23625号:41−13181号;48−13
043号:48−3 97 22号などである。
427号;39−28368号:4〇一23624号;
40−23625号:41−13181号;48−13
043号:48−3 97 22号などである。
本発明の磁気記録体は永久的な支持体に転写後に記録体
として使用される。
として使用される。
本発明の磁気記録体を転写する永久的な支持体はポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレン−2・6−ナフタ
レート等のポリエステル類、ポリプロ リアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチックシ一ト
又はフイルム;塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリ
ロニトリル、スチロール、ABS樹脂、グラスファイバ
ー入のポリエステル樹脂等の樹脂板の他に、アルミニウ
ム、銅等の金属板、ガラス板等も使用できる。
チレンテレフタレート、ポリエチレン−2・6−ナフタ
レート等のポリエステル類、ポリプロ リアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチックシ一ト
又はフイルム;塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリ
ロニトリル、スチロール、ABS樹脂、グラスファイバ
ー入のポリエステル樹脂等の樹脂板の他に、アルミニウ
ム、銅等の金属板、ガラス板等も使用できる。
この永久的な支持体の厚みはフイルム、シート状の場合
は約3〜100μm程度好ましくは5〜50μmであり
、ディスク・カード状の場合は0.5〜10mm程度で
あり、ドラム状の場合は円筒状とし、使用するレコーダ
ーに応じてその型は決められる。
は約3〜100μm程度好ましくは5〜50μmであり
、ディスク・カード状の場合は0.5〜10mm程度で
あり、ドラム状の場合は円筒状とし、使用するレコーダ
ーに応じてその型は決められる。
上記の永久支持体は、テープ、シート状の場合は帯電防
止、記録信号の転写防止等の目的で、磁性層を設けた側
の反対の面がいわゆるバツクコー(backcoat)
されていてもよい。
止、記録信号の転写防止等の目的で、磁性層を設けた側
の反対の面がいわゆるバツクコー(backcoat)
されていてもよい。
バックコートに関しては、例えば、米国特許28044
01号、同3293066号、同3617378号、同
3062676号、同3734772号、同34765
96号、同2643048号、同2803556号、同
2887462号、同2923642号、同29974
51号、同3007892号、同3041196号、同
3115420号、同3166688号等に示されてい
る。
01号、同3293066号、同3617378号、同
3062676号、同3734772号、同34765
96号、同2643048号、同2803556号、同
2887462号、同2923642号、同29974
51号、同3007892号、同3041196号、同
3115420号、同3166688号等に示されてい
る。
加熱、加圧による転写の際の転写温度は約60〜180
℃、好ましくは110〜150℃で、転写厚力は約5〜
50kg/cm2、好ましくは10〜30kg/cm2
で行なわれる。
℃、好ましくは110〜150℃で、転写厚力は約5〜
50kg/cm2、好ましくは10〜30kg/cm2
で行なわれる。
一般に転写処理の時間は約3〜30分、好ましくは5〜
15分間である。
15分間である。
本発明による効果及び利点を下記に示す。
■ 耐摩耗性の優れた磁気記録媒体を作ることができる
。
。
■ 仮の支持体の上に本発明の保護膜を最初に塗布し、
未乾のまま、又は乾燥させた後、磁性塗布液を塗布でき
る。
未乾のまま、又は乾燥させた後、磁性塗布液を塗布でき
る。
■ ■の方法により作った磁気記録媒体は別の永久支持
体上に場合により接着剤を介して磁性層を転写させるこ
とができる。
体上に場合により接着剤を介して磁性層を転写させるこ
とができる。
■ ■の方法に於ては、保護膜は仮の支持体からの剥れ
を良くする為の離型層であり、永久支持体への転写後は
そのまま保護膜の役目を果すことができる。
を良くする為の離型層であり、永久支持体への転写後は
そのまま保護膜の役目を果すことができる。
■ 磁気記録層と磁気ヘッドが直接々触する記録再生方
式に於て、コバルト含有する微粒子ベルドライド酸化鉄
磁材を使用した場合に減磁が極めて少なくなる。
式に於て、コバルト含有する微粒子ベルドライド酸化鉄
磁材を使用した場合に減磁が極めて少なくなる。
■ ■の方法を採用することにより磁気記録層転写型の
磁気記録体、例えば身分証明書、磁気鍵、磁気通帳、磁
気伝票、売上票、小荷物札、キップ類、定期券、キャッ
シュテイスペンサーカード等に特に利用価値がある。
磁気記録体、例えば身分証明書、磁気鍵、磁気通帳、磁
気伝票、売上票、小荷物札、キップ類、定期券、キャッ
シュテイスペンサーカード等に特に利用価値がある。
以下に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
ここに示す成分、割合、操作順序等は、本発明の精神か
ら逸脱しない範囲において変更しうるものであることは
本業界に携わるものにとっては容易に理解されることで
ある。
ら逸脱しない範囲において変更しうるものであることは
本業界に携わるものにとっては容易に理解されることで
ある。
従って、本発明は、下記の実施例に制限されるべきでは
ない。
ない。
尚、下記の実施例においては部はすべて重量部を示す。
実施例 1
〔保護層塗布液PC−1)
ニトロセルロース(RS−1/2) 70部エポキシ
樹脂(エポキシ当量: 20部470、平均分子
量:900、エ ピクロルヒドリンとビスフエノー ルAの反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量: 10部85、平
均分子量:6000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの 縮合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 1000部(773
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−2) エチルセルロース〔エトキシ含有量: 55部49%、
5wt%トルエン/エタノ ール(8/20)溶液の粘度(25 ℃):46cps〕 エポキシ樹脂(エポキシ当量: 35部2400
、平均分子量:3700、 エピクロルヒドリンとビスフエノー ルAの反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン消量: 10部300、
平均分子量:1000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの縮 合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 750部(7/3
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−3) セルロースアセテートブチレート 55部(ブチリ
ル含有量37wt.%、アセ チル含有量13wt.%、セルロース 残基中の水酸基含有量2wt,%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 20部350、
平均分子量:200、エビ クロルヒドリンビスフェノールFの 反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量:85、 25部平均分
子量:6000、重合性脂肪 酸とエチレンジアミンの縮合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 750部(773
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−4) ニトロセルロース(RS−172) 40部エポキシ
樹脂(エポキシ当量: 35部350、平均分子
量:200、エピ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量: 25部300、
平均分子量:1000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの縮 合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 500部(7/3
重量比)混合溶剤 上記の保護層塗布液PC−1〜PC−4をそれぞれ、厚
味20μmのポリエチレンテレフタレートフイルムから
成る一時的支持体上に乾燥厚味22μmとなるようにド
クターコート法により塗布し、乾燥した。
樹脂(エポキシ当量: 20部470、平均分子
量:900、エ ピクロルヒドリンとビスフエノー ルAの反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量: 10部85、平
均分子量:6000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの 縮合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 1000部(773
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−2) エチルセルロース〔エトキシ含有量: 55部49%、
5wt%トルエン/エタノ ール(8/20)溶液の粘度(25 ℃):46cps〕 エポキシ樹脂(エポキシ当量: 35部2400
、平均分子量:3700、 エピクロルヒドリンとビスフエノー ルAの反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン消量: 10部300、
平均分子量:1000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの縮 合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 750部(7/3
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−3) セルロースアセテートブチレート 55部(ブチリ
ル含有量37wt.%、アセ チル含有量13wt.%、セルロース 残基中の水酸基含有量2wt,%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 20部350、
平均分子量:200、エビ クロルヒドリンビスフェノールFの 反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量:85、 25部平均分
子量:6000、重合性脂肪 酸とエチレンジアミンの縮合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 750部(773
重量比)混合溶剤 〔保護層塗布液PC−4) ニトロセルロース(RS−172) 40部エポキシ
樹脂(エポキシ当量: 35部350、平均分子
量:200、エピ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン当量: 25部300、
平均分子量:1000、重 合性脂肪酸とエチレンジアミンの縮 合生成物) メチルエチルケトン/キシレン 500部(7/3
重量比)混合溶剤 上記の保護層塗布液PC−1〜PC−4をそれぞれ、厚
味20μmのポリエチレンテレフタレートフイルムから
成る一時的支持体上に乾燥厚味22μmとなるようにド
クターコート法により塗布し、乾燥した。
それぞれサンプル1〜4とする。〔磁性塗布液A〕
Co含有マグネタイト(Co量:2 100部ato
mic%、HC:6500e) 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(共 25部重合比
: 80/20重量比、平均重 合度:550) レシチン 1部ジブチ
ルフタレート 5部酢酸ブチル/
トルエン(8/2重量 230部比)混合溶剤 前記のサンプル1〜4の保護層の上にボールミルで充分
に混練分散した上記の磁性塗布液Aを、乾燥厚味13μ
mとなるように塗布、乾燥した。
mic%、HC:6500e) 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(共 25部重合比
: 80/20重量比、平均重 合度:550) レシチン 1部ジブチ
ルフタレート 5部酢酸ブチル/
トルエン(8/2重量 230部比)混合溶剤 前記のサンプル1〜4の保護層の上にボールミルで充分
に混練分散した上記の磁性塗布液Aを、乾燥厚味13μ
mとなるように塗布、乾燥した。
得られた4種の広幅シートをそれぞれ6.5mm幅にス
リットした後、約150℃、10秒の加熱により磁性層
及び保護層を厚味0.1mmの硬質塩化ビニルシ一ト上
に転写した。
リットした後、約150℃、10秒の加熱により磁性層
及び保護層を厚味0.1mmの硬質塩化ビニルシ一ト上
に転写した。
これを第3図に示す如く厚味0.28μmの塩化ビニル
コアシ一トと積層して、130℃、20分、25kg/
cm2で加熱プレスし、一体成型として規格寸法に打ち
抜いて、キャッシュデイスペンサーカードとした。
コアシ一トと積層して、130℃、20分、25kg/
cm2で加熱プレスし、一体成型として規格寸法に打ち
抜いて、キャッシュデイスペンサーカードとした。
それぞれサンプル1〜4とする。
一方、保護層塗布液を使用せずに、直接ポリエチレンテ
レフタレートフイルム上に磁性塗布液Aを設け、上記サ
ンプル1〜4と同様にして得られた比較用キャッシュデ
イスペンサーカードをサンプル5とする。
レフタレートフイルム上に磁性塗布液Aを設け、上記サ
ンプル1〜4と同様にして得られた比較用キャッシュデ
イスペンサーカードをサンプル5とする。
これらのサンプル1〜5を磁気カードレコーダーを用い
て耐摩耗性及び耐減磁性を測定し、第1表にその結果を
示す。
て耐摩耗性及び耐減磁性を測定し、第1表にその結果を
示す。
(Cf,1):耐摩耗性
磁気カードレコーダーの磁気ヘッドを模疑ヘッドとし、
ヘッド圧280gとして、往復1000回のヘッドパス
を繰り返した後の各サンプルの表面状態で比較した。
ヘッド圧280gとして、往復1000回のヘッドパス
を繰り返した後の各サンプルの表面状態で比較した。
これは表面の損傷の状態を見るもので、良好な耐摩耗性
のあるものは最初に記録した信号カー感度の低下をきた
さないばかりか、磁性層のキズのつき方が極めて少なく
良好な状態を保つものであり、反応に耐摩耗性の劣るも
のは、最初に記録した信号の感度が低下したり、出力波
形が乱れたりする程度に磁性層にキズてついてくる。
のあるものは最初に記録した信号カー感度の低下をきた
さないばかりか、磁性層のキズのつき方が極めて少なく
良好な状態を保つものであり、反応に耐摩耗性の劣るも
のは、最初に記録した信号の感度が低下したり、出力波
形が乱れたりする程度に磁性層にキズてついてくる。
はなはだしい時には、保護層はもとより磁性層もはずれ
てしまう。
てしまう。
(Cf.2):耐減磁性
上記と同様にして往復1000回のへッドパスを繰り返
した後の感度低下をdBで示す。
した後の感度低下をdBで示す。
比較用サンプルは推定値。
減磁には特にCoを含有した磁性体がヘッドと接触摺動
する事により発生した熱により加熱減磁するものと、耐
摩耗性の劣る保護層と磁性層の為に磁性層自身がけずれ
落ちて減磁するものとがあり、いずれも初期感度に比べ
て試験機でテスト後には感度が低くなっている。
する事により発生した熱により加熱減磁するものと、耐
摩耗性の劣る保護層と磁性層の為に磁性層自身がけずれ
落ちて減磁するものとがあり、いずれも初期感度に比べ
て試験機でテスト後には感度が低くなっている。
実施例 2
厚味20μmのポリエチレン−2・6−ナフタレートフ
イルムの一時的支持体上に、実施例1の保護層塗布液P
C−2を乾燥厚味2.5μmとなるようにドクターコー
ト方法により塗布、乾燥した。
イルムの一時的支持体上に、実施例1の保護層塗布液P
C−2を乾燥厚味2.5μmとなるようにドクターコー
ト方法により塗布、乾燥した。
これに下記の磁性塗布液Bをボールミルで充分に混練分
散し、乾燥厚味13μmとなるように塗布、乾燥した。
散し、乾燥厚味13μmとなるように塗布、乾燥した。
Co含有マグネタイト(Co量:2 100部atom
ic%、Hc:6500e) 塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体 25部(共重合
比: 80/20重量比、平 均重合度350) レシチン 1部ジブチル
フタレート 5部酢酸ブチル/トル
エン(8/2重量 250部比)混合溶剤 得られた広幅シートを6.5mm幅にスリットし、実施
例1と同じ工程によりキャッシュデイスペンサーカード
を得た。
ic%、Hc:6500e) 塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体 25部(共重合
比: 80/20重量比、平 均重合度350) レシチン 1部ジブチル
フタレート 5部酢酸ブチル/トル
エン(8/2重量 250部比)混合溶剤 得られた広幅シートを6.5mm幅にスリットし、実施
例1と同じ工程によりキャッシュデイスペンサーカード
を得た。
サンプル6とする。
厚味20μmのポリエチレン−2・6一ナフタレートフ
イルムの一時的支持体上に保護層を設けずに直接に磁性
塗布液Bを乾燥厚味13μmとなるように塗布、乾燥し
た。
イルムの一時的支持体上に保護層を設けずに直接に磁性
塗布液Bを乾燥厚味13μmとなるように塗布、乾燥し
た。
得られた広幅シートを6.5mm幅にスリットし、実施
例1と同じ工程によりキャッシュデイスペンサーカード
を得た。
例1と同じ工程によりキャッシュデイスペンサーカード
を得た。
サンプル7とする。
厚味20μmのポリエチレン−2・6−ナフタレートフ
イルムの一時的支持体上にメチルメタクリレートをアセ
トンを溶剤として乾燥厚味1.2μmとなるように塗布
、乾燥し、更にこの上に保護層塗布液PC−2を乾燥厚
味1.2μmとなるように塗布、乾燥した。
イルムの一時的支持体上にメチルメタクリレートをアセ
トンを溶剤として乾燥厚味1.2μmとなるように塗布
、乾燥し、更にこの上に保護層塗布液PC−2を乾燥厚
味1.2μmとなるように塗布、乾燥した。
この上に磁性塗布液Bを乾燥厚味14μmとなるように
塗布、乾燥し、得られた広幅シートを6.5u幅にスリ
ットし、実施例1と同じ工程によりキャッシュデイスペ
ンサーカードを得た。
塗布、乾燥し、得られた広幅シートを6.5u幅にスリ
ットし、実施例1と同じ工程によりキャッシュデイスペ
ンサーカードを得た。
サンプル8とする。実施例1と同様なテストを行ない第
2表にその結果を示す。
2表にその結果を示す。
(cf.3):メチルメタクリレートは表面硬度が小さ
い為か600回位から出力波形の乱れが異常に大きくな
り、良好な耐摩耗性があったとは、言えない状態であっ
た。
い為か600回位から出力波形の乱れが異常に大きくな
り、良好な耐摩耗性があったとは、言えない状態であっ
た。
上記の実施例l及び2は主にキャッシュデイスペンサー
用カードとして保護膜の効果をサンプル1、2、3、4
、6(本発明)とサンプル5、7、8(比較用)とをく
らべたものである。
用カードとして保護膜の効果をサンプル1、2、3、4
、6(本発明)とサンプル5、7、8(比較用)とをく
らべたものである。
本発明から成る保護層を設けたキャッシュデイスペンサ
ー用カードは模疑ヘッドを装着し、ヘッド圧280グと
した。
ー用カードは模疑ヘッドを装着し、ヘッド圧280グと
した。
カード試験機で耐久性が1000回迄持続され、かつ、
良好な耐摩耗性と耐減磁性を示したのに対して、比較例
はいずれも280〜350回位走行させた時点で走行性
が不良になってきて330〜450回走行した所で停止
してしまっている。
良好な耐摩耗性と耐減磁性を示したのに対して、比較例
はいずれも280〜350回位走行させた時点で走行性
が不良になってきて330〜450回走行した所で停止
してしまっている。
又、サンプル8では600回位から出力波形が異常に大
きくなり、耐摩耗性の点で充分ではないことが確認され
た。
きくなり、耐摩耗性の点で充分ではないことが確認され
た。
この様に本発明から成る保護層をもうけたものはセルロ
ース誘導体とエポキシ樹脂、ポリアミド化合物が微妙に
有効に作用し合って極めて優れた保護皮膜を形成してい
ることが判明した。
ース誘導体とエポキシ樹脂、ポリアミド化合物が微妙に
有効に作用し合って極めて優れた保護皮膜を形成してい
ることが判明した。
実施例 3
下記の下塗液を厚味20μmのポリアミドフイルム上に
乾繰厚味が0.7μmとなるように塗布、乾燥した(下
塗層については特公昭47−22071号参照)。
乾繰厚味が0.7μmとなるように塗布、乾燥した(下
塗層については特公昭47−22071号参照)。
無定形ポリエステル(テレフタル 90部酸、エチ
レングリコール、トリエ チレングリコールのターポリマー、 軟化点65℃) ポリカーボネート 10部メチレ
ンクロライド 2000部上記、下塗膜を
設けたポリアミドフイルム上に下記の磁性塗布液Cをボ
ールミル中で充分に混練、分散した後、乾燥厚味が11
μmとなるように塗布、乾燥した。
レングリコール、トリエ チレングリコールのターポリマー、 軟化点65℃) ポリカーボネート 10部メチレ
ンクロライド 2000部上記、下塗膜を
設けたポリアミドフイルム上に下記の磁性塗布液Cをボ
ールミル中で充分に混練、分散した後、乾燥厚味が11
μmとなるように塗布、乾燥した。
Co含有マグネタイト(Co量:2 100部atom
ic%、Hc:6500e) 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(共 11部重合比:
87/13wt.%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 13部470、
平均分子量:900、エビ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン価:300、 5部平均分子
量: 1000、アジピン酸 とエチレンジアミンの縮合生成物) カーボンブラック 12部レシチン
3部クロミウムセスキ
オキサイド 4部(Cr2O3、平均粒径:
0.4μm) メチルイソブチルケトン/メチルエ 260部チルケ
トン(1/1重量比)混合溶 剤 この広巾磁気フイルム上に実施例1の保護層塗布液PC
−1を乾燥厚味2μmとなるように塗布、乾燥した後、
直径230mm、円状に切り抜き、磁気シートとした。
ic%、Hc:6500e) 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(共 11部重合比:
87/13wt.%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 13部470、
平均分子量:900、エビ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン価:300、 5部平均分子
量: 1000、アジピン酸 とエチレンジアミンの縮合生成物) カーボンブラック 12部レシチン
3部クロミウムセスキ
オキサイド 4部(Cr2O3、平均粒径:
0.4μm) メチルイソブチルケトン/メチルエ 260部チルケ
トン(1/1重量比)混合溶 剤 この広巾磁気フイルム上に実施例1の保護層塗布液PC
−1を乾燥厚味2μmとなるように塗布、乾燥した後、
直径230mm、円状に切り抜き、磁気シートとした。
これをサンプル9とする。
サンプル9において保護層塗布液PC−1を設けずに得
られた磁気シートをサンプル10とする。
られた磁気シートをサンプル10とする。
上記2種のサンプル(メモリー用磁気シート)を磁気シ
ートレコーダーを使用して耐摩耗性及び耐減磁性を測定
し、第3表に示す。
ートレコーダーを使用して耐摩耗性及び耐減磁性を測定
し、第3表に示す。
(cf.4):耐摩耗性
磁気シートレコーダーにより、500時間(25℃、6
0%RH)の連続使用後の各サンプルの表面状態で比較
した。
0%RH)の連続使用後の各サンプルの表面状態で比較
した。
(cf.5):耐減磁性
上記と同様にして500時間経過後の感度低下をdBで
示す。
示す。
比較用サンプルは測定不可能となった。
実施例 4
実施例3と同様な工程で保護層塗布液PC−3を用いて
磁気シートを製造した。
磁気シートを製造した。
サンプル11とする。
サンプル11において保護層塗布液PC−3の代りに下
記の保護層塗布液を使用して実施例3と同様な工程で磁
気シートを製造した。
記の保護層塗布液を使用して実施例3と同様な工程で磁
気シートを製造した。
サンプル12とする。
セルロースアセテートブチレート 55部(ブチリ
ル含有量37wt.%、アセ チル含有量13wt,%、セルロース 残基中の水酸基含有量2wt.%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 20部350、
平均分子量:200、エピ クロルヒドリンビスフェノールFの 反応生成物) メチルエチルケトン/キシレン 560部(7/3
重量比)混合溶剤 上記の2種のサンプルについて実施例3と同様に耐摩耗
性及び耐減磁性を測定し、第4表にその結果を示す。
ル含有量37wt.%、アセ チル含有量13wt,%、セルロース 残基中の水酸基含有量2wt.%) エポキシ樹脂(エポキシ当量: 20部350、
平均分子量:200、エピ クロルヒドリンビスフェノールFの 反応生成物) メチルエチルケトン/キシレン 560部(7/3
重量比)混合溶剤 上記の2種のサンプルについて実施例3と同様に耐摩耗
性及び耐減磁性を測定し、第4表にその結果を示す。
(cf,4)、(cf.5):第3表と同じ上記の実施
例3及び4においては磁気シートとしてメモリー磁気シ
ートに保護層を設けたものであるが、サンプル9、11
(本発明)とサンプル10、12(比較用)とを比べる
と耐久性の点で極めて優れていることが判る。
例3及び4においては磁気シートとしてメモリー磁気シ
ートに保護層を設けたものであるが、サンプル9、11
(本発明)とサンプル10、12(比較用)とを比べる
と耐久性の点で極めて優れていることが判る。
即ち、本発明の実施例から成る保護層を設けたもの(サ
ンプル9及び11)は500時間の耐久性がある事は勿
論のこと、500時間後の出力の低下が−0.8〜−1
.9dBであり、保護層がないものは再生時間が8時間
であったり(サンプル10)、3成分の内の1つが不足
したものは数分(2分以内)で削れ、再生不能の状態と
なった(サンプル12)。
ンプル9及び11)は500時間の耐久性がある事は勿
論のこと、500時間後の出力の低下が−0.8〜−1
.9dBであり、保護層がないものは再生時間が8時間
であったり(サンプル10)、3成分の内の1つが不足
したものは数分(2分以内)で削れ、再生不能の状態と
なった(サンプル12)。
以上の結果から、保護膜としてはセルロース誘導体とエ
ポキシ樹脂、ポリアミド樹脂の3成分を少くとも含有し
ていることが必要であることが判明する。
ポキシ樹脂、ポリアミド樹脂の3成分を少くとも含有し
ていることが必要であることが判明する。
実施例1〜4は本発明の一部の実施例を示すものである
が、更に上記3成分を本質的に含有していれば第4成分
として、これら総体バインダーの15%以内の含有量で
あれば他の樹脂を混合することができ、その結果につい
ては何ら変ることがないことも判明している。
が、更に上記3成分を本質的に含有していれば第4成分
として、これら総体バインダーの15%以内の含有量で
あれば他の樹脂を混合することができ、その結果につい
ては何ら変ることがないことも判明している。
又、実施例1、2ではキャッシュテイスペンサーカード
、実施例3、4では磁気シート用の例を示したが、いず
れの場合でも保護層としての効果が良好であることが認
められたが、本発明の保護層は硬化して固い被覆膜とな
るため、支持体が固い場合、すなわち、磁気カードとし
た場合の方が効果が太きいようである。
、実施例3、4では磁気シート用の例を示したが、いず
れの場合でも保護層としての効果が良好であることが認
められたが、本発明の保護層は硬化して固い被覆膜とな
るため、支持体が固い場合、すなわち、磁気カードとし
た場合の方が効果が太きいようである。
更に、使用する強磁性微粉末としてはベルトライド酸化
鉄が好ましく、特に好ましくはCo含有のベルトライド
酸化鉄が良いことも判明した。
鉄が好ましく、特に好ましくはCo含有のベルトライド
酸化鉄が良いことも判明した。
実施例 5
下記の下塗液を厚味20μmのポリアミドフイルム上に
乾燥厚味が0.7μmとなるように塗布、乾燥した(下
塗層については特公昭47一22071号参照)。
乾燥厚味が0.7μmとなるように塗布、乾燥した(下
塗層については特公昭47一22071号参照)。
無定形ポリエステル(テレフタル 90部酸、エチ
レングリコール、トリエ チレングリコールのターポリマー、 軟化点65℃) ポリカーボネート 10部メチレン
クロライド 2000部上記、下塗層を設
けたボリアミドフイルム上に下記の磁性塗布液Dをボー
ルミル中で充分に混練、分散した後、乾燥厚味が11μ
mとなるように塗布、乾燥した。
レングリコール、トリエ チレングリコールのターポリマー、 軟化点65℃) ポリカーボネート 10部メチレン
クロライド 2000部上記、下塗層を設
けたボリアミドフイルム上に下記の磁性塗布液Dをボー
ルミル中で充分に混練、分散した後、乾燥厚味が11μ
mとなるように塗布、乾燥した。
Co含有マグネタイト(Co量:2 100部atom
ic%、Hc:6500e) ニトロセルロース(RS−1/2) 11部エポキ
シ樹脂(エポキシ当量: 13部470、平均分
子量:900、エビ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン価:300、 5部平均分子
量:1000、アジピン酸 とエチレンジアミンの縮合生成物) カーボンブラック 12部レシチン
3部クロミウムセスキ
オキサイド 4部(Cr2O3、平均粒径:
0.4μm メチルイソブチルケトン/メチルエ 260部チルケト
ン(1/1重量比)混合溶 剤 この広巾磁気フイルム上に実施例1の保護層塗布液PC
−1を乾燥厚味2μmとなるように塗布、乾燥した後、
直径230mm、円状に切り抜き、磁気シートとした。
ic%、Hc:6500e) ニトロセルロース(RS−1/2) 11部エポキ
シ樹脂(エポキシ当量: 13部470、平均分
子量:900、エビ クロルヒドリンとビスフェノールA の反応生成物) ポリアミド樹脂(アミン価:300、 5部平均分子
量:1000、アジピン酸 とエチレンジアミンの縮合生成物) カーボンブラック 12部レシチン
3部クロミウムセスキ
オキサイド 4部(Cr2O3、平均粒径:
0.4μm メチルイソブチルケトン/メチルエ 260部チルケト
ン(1/1重量比)混合溶 剤 この広巾磁気フイルム上に実施例1の保護層塗布液PC
−1を乾燥厚味2μmとなるように塗布、乾燥した後、
直径230mm、円状に切り抜き、磁気シートとした。
これをサンプル13とする。
サンプル9において保護層塗布液PC−1を設けずに得
られた磁気シートをザンプル14とする。
られた磁気シートをザンプル14とする。
上記2種のサンプル(メモリー用磁気シート)を磁気シ
ートレコーダーを使用して耐摩耗性及び耐減磁性を測定
し、第5表に示す。
ートレコーダーを使用して耐摩耗性及び耐減磁性を測定
し、第5表に示す。
(cf.4):耐摩耗性
磁気シートレコーダーにより、500時間(25℃、6
0%RH)の連続使用後の各サンプル表面状態で比較し
た。
0%RH)の連続使用後の各サンプル表面状態で比較し
た。
(cf.5):耐減磁性
上記と同様にして500時間経過後の感度低下をdBで
示す。
示す。
比較用サンプルは測定不可能となった。
以上の如く、セルロース誘導体、エポキシ樹脂及びポリ
アミド樹脂の組み合せを、磁性層中のみに用いた場合(
サンプル14)と保護層としても用いた場合(サンプル
13)では耐摩耗性、耐減碍性に於いて顕著な効果の相
違が見られ、保護層として用いた場合は特に有効である
ことが判る。
アミド樹脂の組み合せを、磁性層中のみに用いた場合(
サンプル14)と保護層としても用いた場合(サンプル
13)では耐摩耗性、耐減碍性に於いて顕著な効果の相
違が見られ、保護層として用いた場合は特に有効である
ことが判る。
本発明は以下に示す実施態様を含むものである。
(1)特許請求の範囲において、保護層のセルロース誘
導体と(エポキシ樹脂およびポリアミド樹脂)の重量比
が約20/80〜80/20であり、且つ、エボキシ樹
脂のエポキシ消量とポリアミド樹脂のアミン当量の比が
約10/90〜90/10である磁気記録体。
導体と(エポキシ樹脂およびポリアミド樹脂)の重量比
が約20/80〜80/20であり、且つ、エボキシ樹
脂のエポキシ消量とポリアミド樹脂のアミン当量の比が
約10/90〜90/10である磁気記録体。
(11)上記(I)において、セルロース誘導体の重合
度が約20〜1000である磁気記録体。
度が約20〜1000である磁気記録体。
(iii)上記(i)において、エポキシ樹脂のエポキ
シ尚量が約150〜4000であり、且つ、平均分子量
が約100〜4000である磁気記録体。
シ尚量が約150〜4000であり、且つ、平均分子量
が約100〜4000である磁気記録体。
(iV)上言(i)において、ポリアミド樹脂のアミン
当量が約2〜400であり、且つ平均分子量が約500
〜10000である磁気記録体。
当量が約2〜400であり、且つ平均分子量が約500
〜10000である磁気記録体。
(v)上記(i)において保護層の乾燥厚味が約0.1
〜8μmである磁気記録体。
〜8μmである磁気記録体。
(vi)特許請求の範囲において、磁気記録体が非磁性
支持体上に強磁性微粉末とバインダーを主成分として含
む磁性塗布液を塗布、乾燥して少なくとも一層の磁気記
録層を設け、その上にセルロース誘導体、エポキシ樹脂
及びポリアミド樹脂を主成分とする保護層塗布液を塗布
、乾燥して保護層を設けた磁気記録体。
支持体上に強磁性微粉末とバインダーを主成分として含
む磁性塗布液を塗布、乾燥して少なくとも一層の磁気記
録層を設け、その上にセルロース誘導体、エポキシ樹脂
及びポリアミド樹脂を主成分とする保護層塗布液を塗布
、乾燥して保護層を設けた磁気記録体。
(vii)上記(VDにおいて非磁性支持体と磁気記録
層の間に下塗層を設けた磁気記録体。
層の間に下塗層を設けた磁気記録体。
(viii)上記(vi)において磁気記録体が磁気シ
ートであるもの。
ートであるもの。
(ix)特許請求の範囲において、磁気記録体が一時的
非磁性支持体上にセルロース誘導体、エポキシ樹脂及び
ポリアミド樹脂を主成分とする保護層塗布液を塗布、乾
燥して保護層を設け、その上に強磁性微粉末とバインダ
ーを主成分として含む磁性塗布液を塗布、乾燥して少な
くとも一層の磁気記録層を設けた後、上記磁気記録層及
び保護層を加熱、加圧により永久支持体上に転写して設
けた磁気記録体。
非磁性支持体上にセルロース誘導体、エポキシ樹脂及び
ポリアミド樹脂を主成分とする保護層塗布液を塗布、乾
燥して保護層を設け、その上に強磁性微粉末とバインダ
ーを主成分として含む磁性塗布液を塗布、乾燥して少な
くとも一層の磁気記録層を設けた後、上記磁気記録層及
び保護層を加熱、加圧により永久支持体上に転写して設
けた磁気記録体。
(x)上記(ix)において磁気記録体が磁気カードで
あるもの。
あるもの。
第1図は転写前の、第2図は転写後の磁気記録体の拡大
断面図であり、1は一時的支持体、2は保護層、3は磁
性層、4は永久支持体を示す。 第3図は、本発明の保護層を磁気カードに使用した場合
の一工程を示すものであり、2は保護層、3は磁性層、
5は硬質塩化ビニルシ一ト、6は塩化ビニルコアシート
を示す。
断面図であり、1は一時的支持体、2は保護層、3は磁
性層、4は永久支持体を示す。 第3図は、本発明の保護層を磁気カードに使用した場合
の一工程を示すものであり、2は保護層、3は磁性層、
5は硬質塩化ビニルシ一ト、6は塩化ビニルコアシート
を示す。
Claims (1)
- 1 非磁性支持体上に強磁性微粉末とバインダーを主成
分とする磁性層を設け、更にその上に保護層を有する磁
気記録体において、前記保護層がセルロース誘導体、エ
ポキシ樹脂及びポリアミド樹脂から成ることを特徴とす
る磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50063247A JPS589489B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキキロクタイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50063247A JPS589489B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキキロクタイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51138408A JPS51138408A (en) | 1976-11-30 |
| JPS589489B2 true JPS589489B2 (ja) | 1983-02-21 |
Family
ID=13223709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50063247A Expired JPS589489B2 (ja) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | ジキキロクタイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589489B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5962400B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-03 | 大日本印刷株式会社 | 保護層転写シート |
-
1975
- 1975-05-27 JP JP50063247A patent/JPS589489B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51138408A (en) | 1976-11-30 |
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