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JPS5911289B2 - Automatic tuning device - Google Patents
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JPS5911289B2 - Automatic tuning device - Google Patents

Automatic tuning device

Info

Publication number
JPS5911289B2
JPS5911289B2 JP7475178A JP7475178A JPS5911289B2 JP S5911289 B2 JPS5911289 B2 JP S5911289B2 JP 7475178 A JP7475178 A JP 7475178A JP 7475178 A JP7475178 A JP 7475178A JP S5911289 B2 JPS5911289 B2 JP S5911289B2
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JP
Japan
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switching element
circuit
output
level
control switch
Prior art date
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Expired
Application number
JP7475178A
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Japanese (ja)
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JPS54114003A (en
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明 若菜
治 小野
彰 佐野
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NEC Home Electronics Ltd
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
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Publication date
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  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はラジオ受信機の電子的な記憶手段を内蔵した
自動同調選局装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an automatic tuning and tuning device for a radio receiver having a built-in electronic storage means.

従来ラジオ受信機例えば自動車ラジオ受信機では機械的
に選局位置を記憶しておき次からはスイッチを押圧する
のみで選局が出来るものが一般的であった。
Conventional radio receivers, such as car radio receivers, have generally mechanically memorized the tuning position and then been able to tune in by simply pressing a switch.

しかし近年になって半導体の記憶素子が小型、軽鼠、安
価に入手出来る体勢となり、ラジオ受信機の同調選局回
路に使用されるようになって来た。
However, in recent years, semiconductor memory elements have become small, lightweight, and available at low cost, and are now being used in the tuning circuits of radio receivers.

即ち一旦記憶させておけば同調用の選局スイッチを押圧
又は触れるのみで、幾回でも記憶させておいた局を選局
出来る自動同調選局回路が考たられ又それ専用に開発さ
れた集積回路も市販されるようになった。
In other words, an automatic tuning selection circuit was devised and an integrated circuit developed specifically for this purpose, which allows you to tune into the stored station as many times as you like by simply pressing or touching the tuning switch once it has been memorized. Circuits have also become commercially available.

この発明の第1の目的は機械的な記障手段を電子的な記
憶手段に変えた自動同調選局装置を提供するにある。
A first object of the present invention is to provide an automatic tuning selection device in which mechanical recording means is replaced with electronic storage means.

この発明の第2の目的は電子的な記憶手段に一旦記憶し
ておけば次からは同調選局スイッチを一時押圧又は触れ
るのみで自動的に掃引して行き所定の周波数に同調した
ら自動的に掃引を停止する自動同調選局装置を提供する
にある。
The second object of this invention is that once the information is stored in an electronic storage means, the tuning switch can be automatically swept by pressing or touching the tuning switch for a while, and when it is tuned to a predetermined frequency, the tuning switch can be automatically swept. An object of the present invention is to provide an automatic tuning tuning device that stops sweeping.

この発明の第3の目的は従来の電子的な記憶装置を有す
る選局装置を、従来は掃引期間中押圧し続けていたもの
を瞬時押圧したのみで局を同調するまで自動的に掃引し
、同調したら自動的に掃引を停止するような制御回路を
提供するにある。
A third object of the present invention is to automatically sweep a conventional tuning device having an electronic storage device until it tunes a station by only momentarily pressing the button, which was previously pressed continuously during the sweep period. The purpose is to provide a control circuit that automatically stops the sweep when synchronized.

先ず第一にこの発明の背景となる公知技術について説明
する。
First of all, the known technology that forms the background of this invention will be explained.

第1図は、手動によるメモリを内蔵する同調選局装置の
従来例を示す概略回路構成図である。
FIG. 1 is a schematic circuit configuration diagram showing a conventional example of a tuning tuning device having a built-in manual memory.

1はラジオ受信機の前面パネルに設けられたキーボード
スイッチ又はタッチスイッチ(センサスインチ)等で構
成される選局スイッチで、ラジオ受信機を聴取及び操作
する人がこれを操作することによって受信機内に選局命
令及び受信機内に内蔵するメモリ(RAM=Randa
m AcsessMemory)75をアドレス指定
する。
1 is a tuning switch consisting of a keyboard switch or a touch switch (census inch) provided on the front panel of the radio receiver, and when the person listening to and operating the radio receiver operates this, the Channel selection command and memory built into the receiver (RAM = Randa)
m AccessMemory) 75.

選局スイッチ1の出力は例えばダイオードマトリックス
78とラッチ回路79からなる符号化千段2によってパ
イナリーコードに変換される。
The output of the tuning switch 1 is converted into a pinary code by an encoding stage 2 consisting of a diode matrix 78 and a latch circuit 79, for example.

ラッチ回路79は選局スイッチ1から操作者が手を離し
ても所定の周波数を示すパイナリーコードを保持する。
The latch circuit 79 holds the pinary code indicating a predetermined frequency even if the operator releases the tuning switch 1.

符号化千段2は上述のようにダイオードやトランジスタ
を組合せて回路構成することも出来るが、例えばテキサ
スインツルメント社の16ピンNDual−in−Ii
ne Packageに収められた8CHの入カセン
サと4ピットバイナリー出力をもつSN29791Nと
いう商品名の集積回路を使用することにより回路構成を
単純化出来る。
Encoding stage 2 can be configured by combining diodes and transistors as described above, but for example, Texas Instruments' 16-pin NDual-in-Ii
The circuit configuration can be simplified by using an integrated circuit with the trade name SN29791N, which has an 8CH input sensor and a 4-pit binary output, which is housed in the ne Package.

パイナリーコードはバラクタダイオードを使用したチュ
ーナ部69へ掃引電圧を供給する掃引電圧発生器77へ
印加される。
The pinary code is applied to a sweep voltage generator 77 that supplies a sweep voltage to a tuner section 69 using a varactor diode.

掃引電圧発生器77の中には半導体のメモIJ(RAM
)75があって、予め書き込まれた電圧を、入力される
パイナリーコードに従って読み出し、バラクタダイオー
ドを使用したチューナ部69に送出して、選択された所
定の周波数を有する局に同調させる。
Inside the sweep voltage generator 77 is a semiconductor memory IJ (RAM).
) 75, the pre-written voltage is read out according to the input pinary code, and sent to a tuner section 69 using a varactor diode to tune to a station having a selected predetermined frequency.

また掃引電圧を高い方から低い方へ、低い方から高い方
へスイッチを押圧している間だけ連続的に変化させるた
めの第1の制御スイッチ19Aを有する。
It also has a first control switch 19A for continuously changing the sweep voltage from high to low and from low to high only while the switch is pressed.

選局スイッチ1は複数個の選局スイッチ11+12t1
−3 ,・・・1−nを備え、n個の局を選局或いは記
憶出来るようになっている。
Tuning switch 1 is a plurality of tuning switches 11+12t1
-3, . . . 1-n, and can select or store n stations.

前述のSN29791Nなる集積回路を使えば最大限8
局を選択及び記憶出来る。
If you use the above-mentioned integrated circuit SN29791N, up to 8
Stations can be selected and stored.

即ち選局スイッチ1−,を瞬時押圧後、前記第1の制御
スイッチ19Aを押圧している間だけ動作させ手を放し
、それによって掃引電圧が停止した時に、チューナ部6
9のバラクタダイオードに与えられる電圧が前記メモリ
75に記憶される。
That is, after momentarily pressing the tuning switch 1-, the first control switch 19A is operated only while being pressed and released, and when the sweep voltage is thereby stopped, the tuner section 6
The voltage applied to the varactor diode 9 is stored in the memory 75.

丁度局に同調すると同時に第1の制御スイッチ19Aを
放し前記掃引電圧を停止させれば、その局が記憶される
If the first control switch 19A is released to stop the sweep voltage at the same time as tuning to a station, that station is memorized.

次に選局スイッチの中の1−2を瞬時タッチした後前記
第1の制御スイッチ19Aを再び動作させ停止させると
その点の周波数(局があれば局が)が記憶される。
Next, when one of the channel selection switches 1-2 is momentarily touched and the first control switch 19A is operated and stopped again, the frequency at that point (the station, if any) is stored.

同様にしてSN29791Nを使えば最大8局まで記憶
させることが出来る。
Similarly, if you use SN29791N, you can store up to 8 stations.

そして次からは前記選局スイッチ1を任意に選択し押圧
するのみで記憶した局の選局電圧が読み出されチューナ
部69のバラクタダイオードへ印加される。
From then on, simply by arbitrarily selecting and pressing the tuning switch 1, the stored tuning voltage of the station is read out and applied to the varactor diode of the tuner section 69.

第2図は第1図に示さ?る選局スイッチ1とダイオード
マトリックス7Bの具体的回路例?示す。
Is Figure 2 shown in Figure 1? A specific circuit example of the tuning switch 1 and diode matrix 7B? show.

選局スイッチ1は20個(1−1 .1−2 ,・・・
1−2o)の選局スイッチ1を備え、20個の周波数(
又は局)を選局出来るようになっている。
There are 20 channel selection switches 1 (1-1, 1-2,...
1-2o), and 20 frequencies (
or a station).

そして選局スイッチ1の一方の電極は共通接続され正の
直流電圧端子80に接続されていて、例えば選局スイッ
チ1の中の1−8に指を触れると選局スイッチ1が閉じ
、指が触れている期間t1、にダイオードマトリックス
78を経てコード出力端子20,21,22,23,8
1,82には第3図に示すような出力が現われる。
One electrode of the tuning switch 1 is commonly connected and connected to a positive DC voltage terminal 80. For example, when a finger touches 1-8 in the tuning switch 1, the tuning switch 1 closes; During the touching period t1, the code output terminals 20, 21, 22, 23, 8 pass through the diode matrix 78.
1 and 82, an output as shown in FIG. 3 appears.

この場合t1、+t2が選局されている期間であり、t
33は次に選局スイッチ1の中の1−,oを閉じた場合
の期間を示す。
In this case, t1 and +t2 are the periods during which the channel is selected, and t
33 indicates the period when the channels 1- and o in the channel selection switch 1 are closed next.

第4図は第1図におけるラッチ回路79の具体的回路例
で、10個のナンド回路N11t N12t−, N1
9,N2oを主体とするラッチ回路構成により第2図に
示したダイオードマトリックス18の出力に対して5本
の端子A−Eに2° ,2l,22,23,24とパイ
ナリーコード化されたホールド出力を第5図に示すよう
に送出する。
FIG. 4 is a specific circuit example of the latch circuit 79 in FIG. 1, which includes 10 NAND circuits N11t N12t-, N1
With the latch circuit configuration mainly consisting of 9 and N2o, the output of the diode matrix 18 shown in Fig. 2 is pinally coded as 2°, 2l, 22, 23, 24 at the five terminals A-E. The hold output is sent out as shown in FIG.

このパイナリーコードにより20個の周波数を与えるス
イッチポジションがコード化され、このコード化された
信号を入力として予め記憶されている各周波数の選局電
圧が読み出されチューナ部69に与えられ選局される。
The switch positions that provide 20 frequencies are encoded by this pinary code, and with this encoded signal as input, the pre-stored tuning voltage for each frequency is read out and applied to the tuner section 69 for tuning. be done.

次に掃引電圧発生千段77の構成要素であるD−A変換
手段3及び積分回路8について説明する。
Next, the D-A conversion means 3 and the integration circuit 8, which are the constituent elements of the sweep voltage generation stage 77, will be explained.

積分回路8はD−A変換手段3の出力に現われる一定周
期でかつデューテイサイクルの変化する矩形波を積分し
デューテイサイクルに対応した電圧を発生するものであ
る。
The integrating circuit 8 integrates the rectangular wave appearing in the output of the DA converting means 3 with a constant period and varying duty cycle, and generates a voltage corresponding to the duty cycle.

第6図は第1図のD−A変換手段3の基本的な回路構成
を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing the basic circuit configuration of the DA converting means 3 of FIG. 1.

この図で75はランダムアクセスメモリで構成されるス
テーションメモリと称するメモリ(RAM)であり、A
−Eの5ラインで入力されるパイナリーコードを20ラ
インの信号に変換し、これにより予め書き込まれている
各周波数に対応する局の電圧を記憶し、又は出力として
読み出すように動作する。
In this figure, 75 is a memory (RAM) called station memory consisting of random access memory, and A
-E converts the pinary code input on 5 lines into a 20-line signal, thereby storing the pre-written station voltage corresponding to each frequency or reading it out as an output.

読み出された出力はデータ比較器からなる矩形波発生器
83に与えられる。
The read output is given to a rectangular wave generator 83 consisting of a data comparator.

この矩形波発生器83にはクロツク発振器5からクロッ
ク入力端子32及びパイナリーカウンタ72を経てクロ
ツクパルスが印加されており、メモリ(RAM)75の
出力によってこのパルスを計数する。
A clock pulse is applied to this rectangular wave generator 83 from the clock oscillator 5 via the clock input terminal 32 and the pinary counter 72, and this pulse is counted by the output of the memory (RAM) 75.

計数動作によって矩形波発生器83より得られる出力は
一定周期をもちデューテイサイクル(fd=t/T)が
メモリ75の出力によって選ばれる矩形波となり、デュ
ーテイサイクル(fd)はメモリ75の出力或いはプロ
グラム発生器76の出力によって0から1まで可変する
が、ここでは20個の選局スイッチ1によって選択され
る周波数が20個であるから20段階に可変される。
The output obtained from the rectangular wave generator 83 by the counting operation becomes a rectangular wave with a constant period and a duty cycle (fd=t/T) selected by the output of the memory 75, and the duty cycle (fd) is determined by the output of the memory 75. Alternatively, it is varied from 0 to 1 depending on the output of the program generator 76, but here, since there are 20 frequencies selected by the 20 channel selection switches 1, it is varied in 20 steps.

一方、第1の制御スイッチ19Aによってプログラム発
生器76を駆動しメモリ75へ書き込み及び読み出しが
出来るように第1の制御スイッチ19Aを押圧している
間ブリセツタブルアツプダウンカウンタ73を高い方又
は低い方へ計数することによりデューテイサイクルを連
続的に0から1へ、1からOへと変化させることが出来
る。
On the other hand, while the first control switch 19A is pressed so that the program generator 76 can be driven by the first control switch 19A and the program generator 76 can be written to and read from the memory 75, the presettable up-down counter 73 is set to a higher or lower value. By counting in the opposite direction, the duty cycle can be changed continuously from 0 to 1 and from 1 to O.

伺プログラム発生器76はクロツクパルスを基準信号と
して動作している。
The program generator 76 operates using a clock pulse as a reference signal.

次にこの発明の一実施例である自動同調選局装置につい
て図面に従って順次詳細に説明する。
Next, an automatic tuning tuning device which is an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第7図はこの発明の一実施例の回路構成図である。FIG. 7 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

1は一時的なトリガ信号を発生する複数個の選局スイッ
チであり、押圧している間のみオンするスイッチ又は触
れた時のみオンするセンサスインチ群であり、記憶する
ためのスイッチと選局するためのスイッチを兼用するも
のである。
1 is a plurality of channel selection switches that generate temporary trigger signals, and is a switch that is turned on only while being pressed or a sensor switch group that is turned on only when touched; It also serves as a switch for

そしてこのスイッチ電極の一端はオンした時のみ各々の
スイッチに共通に接続された端子をアースするように接
続されている。
One end of this switch electrode is connected to ground the terminal commonly connected to each switch only when turned on.

他端は符号化手段2のセンサ入力端子1B,11,12
,13,14,15,16,17に接続されている。
The other end is the sensor input terminal 1B, 11, 12 of the encoding means 2.
, 13, 14, 15, 16, and 17.

20,21 ,22,23はコード出力端子で第8図に
示すように例えばこの符号化千段2の入力端子18のみ
を「L」レベルにするとそれに応じて2進化コードがコ
ード出力端子20,21 ,22,23に出力される。
20, 21, 22, and 23 are code output terminals, and as shown in FIG. 21, 22, and 23.

即ち18がrLJレベル、11,12,13,14,1
5,16,17が全て「H」レベルの時コード出力端子
は第8図に示すように20.21.22が「L」レベル
、23がrHJレベルトナル。
That is, 18 is the rLJ level, 11, 12, 13, 14, 1
When signals 5, 16, and 17 are all at the "H" level, the code output terminals 20, 21, and 22 are at the "L" level, and 23 is at the rHJ level tonal, as shown in FIG.

符号化手段2は従来例で述べたようにダイオードや抵抗
、コンデンサで回路を設計することも出来るがこの発明
の実施例ではテキサスインツルメント社の集積回路SN
29791Nを使って回路設計を簡略化している。
Although the encoding means 2 can be designed with a diode, a resistor, and a capacitor as described in the conventional example, in the embodiment of the present invention, the circuit is designed using an integrated circuit SN manufactured by Texas Instruments.
29791N is used to simplify the circuit design.

3はD−A変換手段でありこの回路も符号化手段2と同
様抵抗やコンデンサを使って回路設計することが出来る
ことは勿論であるが、この実施例ではテキサスインッル
メント社の集積回路SN76721Nを使った回路例を
示した。
3 is a D-A conversion means, and it goes without saying that this circuit can be designed using resistors and capacitors like the encoding means 2, but in this embodiment, the integrated circuit SN76721N from Texas Instruments is used. An example of the circuit used is shown.

第9図はSN76721Nの等化回路である。FIG. 9 shows the equalization circuit of SN76721N.

これは第6図に示すD−A変換手段3とほぼ同じもので
あるので異なる点のみを説明する。
Since this is almost the same as the DA converting means 3 shown in FIG. 6, only the different points will be explained.

74のデータ比較器は第6図の矩形波発生器83に対応
するものである。
The data comparator 74 corresponds to the rectangular wave generator 83 in FIG.

メモリ75のメモリ保持端子34及び35を具備してい
るがこのメモリ保持端子34.35に第7図に示すよう
に直流0.5Vを外部にあるメモリ保持回路4を介して
印加することにより電源を切った時にメモリ75の記憶
内容を消さないようになっている。
The memory 75 is equipped with memory holding terminals 34 and 35, and as shown in FIG. The contents of the memory 75 are not erased when the power is turned off.

其他は全く前に説明したD−A変換千段3と同じもので
ある。
The rest is exactly the same as the 1,000-stage DA conversion 3 explained earlier.

6はパルス幅変調された出力端子33より出力されたパ
ルス幅変調された信号を増幅するためのバツファ増幅器
、7はバッファ増幅器6の出力を更に増幅するための直
流増幅器、8は直流増幅器の出力を積分するための積分
回路である。
6 is a buffer amplifier for amplifying the pulse width modulated signal output from the pulse width modulated output terminal 33, 7 is a DC amplifier for further amplifying the output of the buffer amplifier 6, and 8 is the output of the DC amplifier. This is an integration circuit for integrating .

この積分回路8の出力は第12図に示す受信装置68の
チューナ部69へ印加される。
The output of this integrating circuit 8 is applied to a tuner section 69 of a receiving device 68 shown in FIG.

チューナ部69は町変容量素子が同調素子として使用さ
れている。
The tuner section 69 uses a town variable capacitor as a tuning element.

そして例えばバラクタダイオードなどが代表的なもので
ある。
A typical example is a varactor diode.

9は記憶された周波数から、次の周波数へ移る際に生じ
る不要同調音(ビート)を抑圧するミューテイング制御
回路であり、54はミューテイング回路31への信号を
取出すためのミューテイング制御端子、24はミューテ
イング端子を示す。
9 is a muting control circuit that suppresses unnecessary tuning sound (beat) that occurs when moving from a stored frequency to the next frequency; 54 is a muting control terminal for taking out a signal to the muting circuit 31; 24 indicates a muting terminal.

掃引出力端子53に連続して順次大きく又は小さくなる
掃引電圧が生じている間はミューテイング出力端子54
は零電位に保たれ、受信装置6Bのミューティング回路
31へ印加される電圧として使用される。
While a sweep voltage that successively increases or decreases is generated at the sweep output terminal 53, the muting output terminal 54
is kept at zero potential and is used as a voltage applied to the muting circuit 31 of the receiving device 6B.

10はAFCアンロック回路であり、掃引出力端子53
に掃引電圧が取り出されている間、受信装置68のAF
C回路71を解除するもので、この間AFCアンロック
端子55は零電位に保たれ、受信装置68のAFC回路
71へ供給され、その間AFC回路71は不動となる。
10 is an AFC unlock circuit, and a sweep output terminal 53
While the sweep voltage is being taken out, the AF of the receiving device 68
This is to release the C circuit 71. During this time, the AFC unlock terminal 55 is kept at zero potential and is supplied to the AFC circuit 71 of the receiving device 68, and the AFC circuit 71 remains stationary during this time.

次に上昇制御端子25及び下降制御端子26に接続され
ている制御回路57について説明する。
Next, the control circuit 57 connected to the rise control terminal 25 and the fall control terminal 26 will be explained.

この回路の詳細な回路接続を第10図に示す。Detailed circuit connections of this circuit are shown in FIG.

制湖H鯰ζ7LオD−^ナ漁壬場2rtrH爬{六プI
1ふツタプルアツブダウンカウンタ73に一時的なトリ
ガ信号を第2の制御スイッチ19に与えることによって
上昇方向又は下降方向へ動作させる上昇制御スイッチ3
7と下降制御スイッチ3Bとからなり、両スイッチ37
.38により一時的なトリガ信号をD−A変換千段3に
与えることにより、自動的にプリセッタプルアップダウ
ンカウンタ73をカウントアップ又はカウントダウンし
、それによってデューテイサイクルを変化させ掃引出力
端子53に、連続的に受信周波数の低い方から高い方又
は高い方から低い方へ変化する掃引電圧を供給しながら
動作し、受信装置68が或る局に同調したとき自動的に
掃引を停止させるような制御を行なう回路であり、又そ
の停止した位置の周波数をメモリ75へ記憶させるため
のプリセット回路でもある。
Control Lake H Catfish ζ 7L O D-^Na Fishing Area 2 rtr
1. A rise control switch 3 that operates the double pull-up down counter 73 in the upward direction or downward direction by applying a temporary trigger signal to the second control switch 19.
7 and a lowering control switch 3B, both switches 37
.. By applying a temporary trigger signal to the D-A conversion stage 3 by 38, the presetter pull up/down counter 73 is automatically counted up or down, thereby changing the duty cycle and outputting the signal to the sweep output terminal 53. A control that operates while supplying a sweep voltage that continuously changes from low to high or high to low receiving frequency, and automatically stops the sweep when the receiving device 68 is tuned to a certain station. It is also a preset circuit for storing the frequency at the stopped position in the memory 75.

制御回路57は主として5個のスイッチング素子Q1
,Q2 −Q3 ,Q4 ,Q5からなるスイッ
チング回路39 ,41 ,40 ,42,51及び4
個のナンド回路N1 ,N2 ,N3 ?N4からなる
The control circuit 57 mainly includes five switching elements Q1.
, Q2-Q3, Q4, Q5 switching circuit 39, 41, 40, 42, 51 and 4
NAND circuits N1, N2, N3? Consists of N4.

49と50は2個でフリップフロツプを形成し、Sはセ
ット入力端子、Rはリセット端子、Q,Qは出力端子で
ある。
49 and 50 form a flip-flop, S is a set input terminal, R is a reset terminal, and Q, Q are output terminals.

制御回路57の動作を第11図に示す動作波形図により
説明する。
The operation of the control circuit 57 will be explained with reference to the operation waveform diagram shown in FIG.

D−A変換千段3に付属するプリセッタプルアツプダウ
ンカウンタ73を高い方又は低い方へ動作させるための
第2の制御スイッチ19の上昇制御スイッチ37及び下
降制御スイッチ38が両方オフ状態にある時はナンド回
路49の入力端子X,Yには抵抗R1及びR7を通して
正の直流電圧が電源端子56を介して印加されているの
でX及びYはrHJレベルになっている。
When both the rise control switch 37 and the fall control switch 38 of the second control switch 19 for operating the presetter pull-up/down counter 73 attached to the 1,000-stage D-A conversion 3 are in the OFF state. Since a positive DC voltage is applied to the input terminals X and Y of the NAND circuit 49 via the power supply terminal 56 through the resistors R1 and R7, X and Y are at the rHJ level.

ナンド回路N3は2つの入力端子を互いに接続してあり
インバース回路として動作する。
The NAND circuit N3 has two input terminals connected to each other and operates as an inverse circuit.

一方スイッチング入力端子52には第12図に示す受信
装置68の検知部70から同調時に直流電圧が印加され
る。
On the other hand, a DC voltage is applied to the switching input terminal 52 from the detection section 70 of the receiving device 68 shown in FIG. 12 during tuning.

検知部70は受信装置68の中間周波増幅段から同調共
振特性によって同調したことを検知して直流電圧を生じ
る。
The detection unit 70 detects that the intermediate frequency amplification stage of the receiving device 68 is tuned by the tuning resonance characteristic, and generates a DC voltage.

52のスイッチング入力端子に直流電圧が生じるとスイ
ッチング回路51のスイッチング素子Q5はオンし、ス
イッチング素子のコレクタ即ちフリツプフロップ回路の
リセット端子Rは「L」レベルとなる。
When a DC voltage is generated at the switching input terminal of the switching circuit 52, the switching element Q5 of the switching circuit 51 is turned on, and the collector of the switching element, that is, the reset terminal R of the flip-flop circuit becomes "L" level.

今スイッチング入力端子52には、同調していないので
直流電圧は生じていない。
Currently, no DC voltage is generated at the switching input terminal 52 because the switching input terminal 52 is not tuned.

従ってスイッチング素子Q,はオフ状態にあるのでナン
ド回路N1のリセット端子Rは「H」レベルにありナン
ド回路N4の出力端子2は入力端子X及びYが「H」レ
ベル故rLjレベルとなるナンド回路N3はインバース
回路故ナンド回路N1 ,N2からなるフリツプフロツ
プのセット端子SはrHJレベルとなっているのでフリ
ツプフロツプの出力Qは「L」レベル、従ってスイッチ
ング素子Q2及びスイッチング素子Q4はベースがダイ
オード45及びダイオード46によりrLJレベルにク
ランプされ、カットオフ状態となり、スイッチング素子
Q2及びスイッチング素子Q4のコレクタに接続されて
いるD−A変換千段3の上昇制御端子及び下降制御端子
25,26は「H」レベルに保たれている。
Therefore, since the switching element Q is in the off state, the reset terminal R of the NAND circuit N1 is at the "H" level, and the output terminal 2 of the NAND circuit N4 is at the rLj level because the input terminals X and Y are at the "H" level. Since N3 is an inverse circuit, the set terminal S of the flip-flop consisting of NAND circuits N1 and N2 is at the rHJ level, so the output Q of the flip-flop is at the "L" level. Therefore, the bases of the switching element Q2 and the switching element Q4 are connected to the diode 45 and the diode. 46 is clamped to the rLJ level and becomes a cut-off state, and the rise control terminal and fall control terminals 25 and 26 of the 1,000-stage D-A conversion 3 connected to the collectors of the switching element Q2 and the switching element Q4 are at "H" level. is maintained.

このときスイッチング素子Ql ,Q3には抵抗器R
2及びR8によりバイアスが供給されているのでオン状
態となっており、スイッチング素子Q1 ,Qsの両コ
レクタは「L」レベルとなっている。
At this time, the switching elements Ql and Q3 have resistors R
Since bias is supplied by Q2 and R8, it is in an on state, and both collectors of switching elements Q1 and Qs are at the "L" level.

今この状態(第11図に示す動作波形図の1=0から1
=1, までの間)で上昇制御スイッチ37を瞬時(
12−11時間)押圧して手を放すと、ナンド回路N4
のX端子は上昇制御スイッチ37を介して大地にアース
されるので「H」レベルから「L」レベルへ転じ、手を
放すと再び「H」レベルへ戻る。
Now in this state (1 = 0 to 1 in the operating waveform diagram shown in Figure 11)
= 1, up to), and the rise control switch 37 is turned on instantly (
12-11 hours) When pressed and released, NAND circuit N4
Since the X terminal of the switch is grounded to the ground via the rise control switch 37, it changes from the "H" level to the "L" level, and returns to the "H" level when the hand is released.

この様子が第11図の動作波形図58に示されている。This situation is shown in the operational waveform diagram 58 in FIG.

同様に下降制御スイッチ38を瞬時( 16−14時間
)押圧して手を放すと、ナンド回路47のY端子は下降
制御スイッチ38を介して大地にアースされrHJレベ
ルから「L」レベルへ転じ、手を放すと再び「H」レベ
ルへ戻る。
Similarly, when the descending control switch 38 is pressed momentarily (16-14 hours) and released, the Y terminal of the NAND circuit 47 is grounded to the ground via the descending control switch 38 and changes from rHJ level to "L" level. When you release your hand, it returns to the "H" level again.

この様子が動作波形図59に示されている。ナンド回路
N4のZ端子にはX及びY端子の逆極性の和である動作
波形図60で示される波形の電圧を生じる。
This situation is shown in the operational waveform diagram 59. At the Z terminal of the NAND circuit N4, a voltage having the waveform shown in the operating waveform diagram 60, which is the sum of the opposite polarities of the X and Y terminals, is generated.

即ち上昇制御スイッチ37又は下降制御スイッチ38を
押した時(Δ1=12−11一t6−t4時間)のみ「
L」レベルより「H」レベルに転じるトリガ信号を生じ
る。
That is, only when the ascending control switch 37 or descending control switch 38 is pressed (Δ1 = 12-11 - t6 - t4 hours) "
A trigger signal that changes from the "L" level to the "H" level is generated.

ナンド回路N4に続くナンド回路N3は前に説明した通
りインバース回路として動作すののでナント回路N3の
出力、即ちフリツプフロツプのセット端子Sには動作波
形60の逆極性である(動作波形60を反転した)動作
波形61の電圧が現われる。
Since the NAND circuit N3 following the NAND circuit N4 operates as an inverse circuit as explained earlier, the output of the NAND circuit N3, that is, the set terminal S of the flip-flop has the opposite polarity of the operating waveform 60 (the operating waveform 60 is inverted). ) voltage of operating waveform 61 appears.

上昇制御スイッチ37を押圧するとナンド回路N4の入
力端子Xが「L」レベルとなる他にスイッチング素子Q
tのベースが「L」レベルとなり、従ってスイッチング
素子Q1のコレクタが「L」レベルからrHJレベルへ
転移スる。
When the rise control switch 37 is pressed, the input terminal X of the NAND circuit N4 becomes "L" level, and the switching element Q
The base of t becomes the "L" level, and therefore the collector of the switching element Q1 transitions from the "L" level to the rHJ level.

一度「H」レベルへ転移するとスイッチング素子Q1に
はスイッチング素子Q2のコレクタより抵抗R5を通じ
て直流帰還電圧が供給されているので上昇制御スイッチ
3Tがオフしてもスイッチング素子Q1のコレクタは「
H」レベルを保持する。
Once it transitions to the "H" level, the DC feedback voltage is supplied to the switching element Q1 from the collector of the switching element Q2 through the resistor R5, so even if the rise control switch 3T is turned off, the collector of the switching element Q1 remains "
Maintain the "H" level.

ここにダイオード85は逆流防止のためのものである。Here, the diode 85 is for preventing backflow.

ここでスイッチング入力端子52に直流電圧が入って来
るとスイッチング素子Q5はオンしてナンド回路N1の
リセット入力端子Rは「H」レベルからILJレベルへ
転移し、ナンド回路N, tN2よりなるフリップフ
ロップが反転し、その出力QはrHJレベルから「L」
レベルへ転移シ、ダイオード45を通じてスイッチング
素子Q2のベースが「L」レベルとなりスイッチング素
子Q2はカットオフ状態となり、スイッチング素子Q2
のコレクタはrHJレベルから「L」レベルへ転移し、
同時にスイッチング素子Q1をオンさせスイッチング素
子Q,のコレクタは「H」レベルから「L」レベルへ転
移し、動作波形図64,65に示すごとく動作する。
Here, when a DC voltage enters the switching input terminal 52, the switching element Q5 is turned on, and the reset input terminal R of the NAND circuit N1 transitions from the "H" level to the ILJ level, and the flip-flop consisting of the NAND circuit N and tN2 is activated. is inverted, and its output Q goes from rHJ level to “L”
level, the base of the switching element Q2 becomes "L" level through the diode 45, and the switching element Q2 enters the cut-off state.
The collector of is transferred from the rHJ level to the “L” level,
At the same time, the switching element Q1 is turned on, and the collector of the switching element Q changes from the "H" level to the "L" level, and operates as shown in the operation waveform diagrams 64 and 65.

しかし上昇制御端子25及び下降制御端子26を同時に
rLJレベルにすると、即ち両スイッチを同時に押圧し
た場合D−A変換千段3が動作不能となり一旦電源を切
らないと復帰しなくなるためダイオード43.44を追
加することによりスイッチング素子Q2がオン時にダウ
ンスイッチ38を押圧するとスイッチング素子Q2のベ
ースが接地されオフとなり抵抗RIOと容量C2からな
る時定数( t=RtO −C2 )後にスイッチン
グ素子Q4がオンしスイッチング素子Q4のコレクタは
「H」レベルから「L」レベルへ転移し下降制御端子2
6が「L」レベルとなるので上昇制御及び下降制御端子
25及び26は同時にrLJレベルになることはない。
However, if the rise control terminal 25 and the fall control terminal 26 are set to the rLJ level at the same time, that is, if both switches are pressed at the same time, the D-A conversion 1,000-stage 3 will become inoperable and will not return unless the power is turned off once, so the diode 43.44 By adding , when the down switch 38 is pressed while the switching element Q2 is on, the base of the switching element Q2 is grounded and turned off, and the switching element Q4 is turned on after a time constant (t=RtO - C2) consisting of the resistor RIO and the capacitor C2. The collector of switching element Q4 transitions from "H" level to "L" level and drops control terminal 2.
6 becomes the "L" level, the rise control and fall control terminals 25 and 26 will not become the rLJ level at the same time.

尚第2の制御スイッチ19にシーソータイプのスイッチ
を使用すれば機構上25.26は同時に押せなくなり上
記欠陥は回避出来る。
Note that if a seesaw type switch is used as the second control switch 19, the mechanism prevents buttons 25 and 26 from being pressed at the same time, and the above-mentioned defect can be avoided.

以一Fの構成によれば初期の目的を達することが出来、
これを自動車のラジオ受信機に適用すれば掃引している
聞手を放せない従来のものに比較し瞬時押圧するのみで
自動的に掃引したり記憶したりすることが出来るので操
作が簡単となるので自動車を運転する上で非常に効果的
である。
According to the configuration of 1F, the initial purpose can be achieved,
If this is applied to a car radio receiver, it will be easier to operate as it can automatically sweep and memorize with just a momentary press, compared to conventional systems where the listener cannot let go of the sweep. Therefore, it is very effective when driving a car.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は手動によるメモリを内蔵する同調選局装置の従
来例の部分を示す概略回路構成図、第2図は第1図にお
ける信号発生千段1及びダイオードマトリックス78の
具体的な回路図、第3図は第2図の回路動作を説明する
ための動作波形図、第4図は第1図におけるラッチ回路
79の具体的回路図、第5図は第4図の回路動作を説明
するための動作波形図、第6図は第1図におけるD−A
変換千段3の基本的構成を示す回路構成図、第7図は本
発明を適用したラジオ受信機の自動選局装置の部分を示
す回路構成図、第8図はセンサ入力端子とコード出力端
子の真理値図、第9図はD−A変換手段3の一つである
集積回路の構成図,第10図は制御回路57の詳細な回
路接続図、第11図は第10図の動作を説明するための
動作波形図であり、第12図は受信装置68の回路構成
図である。 ここに、69・・・・・・チューナ部、1・・・・・・
選局スイッチ、2・・・・・・符号化手段、75・・・
・・・メモIJ(RAM)、5・・・・・・クロツク発
振器、83・・・・・・矩形波発生器、8・・・・・・
積分回路、25・・・・・・上昇制御端子、26・・・
・・・下降制御端子、77・・・・・掃引電圧発生手段
、39・・・・・・第1のスイッチング素子、41・・
・・・・第2のスイッチング素子、40・・・・・・第
3のスイッチング素子、42・・・・・・第4のスイッ
チング素子、49,50・・・・・・フリツプフロツプ
、47,48・・・・・・論理回路、70・・・・・・
検知部、57・・・・・・制御回路、37・−・・・・
上昇制御スイッチ、38・・・・・・下降制御スイッチ
、である。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing a conventional example of a tuning device with a built-in manual memory, and FIG. 2 is a specific circuit diagram of the signal generation stage 1 and diode matrix 78 in FIG. 3 is an operation waveform diagram for explaining the circuit operation in FIG. 2, FIG. 4 is a specific circuit diagram of the latch circuit 79 in FIG. 1, and FIG. 5 is for explaining the circuit operation in FIG. 4. The operation waveform diagram of FIG. 6 is D-A in FIG.
A circuit configuration diagram showing the basic configuration of the 1,000-stage conversion 3, Fig. 7 is a circuit configuration diagram showing the automatic tuning device of a radio receiver to which the present invention is applied, and Fig. 8 shows the sensor input terminal and code output terminal. 9 is a configuration diagram of an integrated circuit that is one of the D-A conversion means 3, FIG. 10 is a detailed circuit connection diagram of the control circuit 57, and FIG. 11 shows the operation of FIG. 10. This is an operational waveform diagram for explanation, and FIG. 12 is a circuit configuration diagram of the receiving device 68. Here, 69... tuner section, 1...
Tuning switch, 2... Encoding means, 75...
...Memo IJ (RAM), 5...Clock oscillator, 83...Square wave generator, 8...
Integral circuit, 25... Increase control terminal, 26...
...down control terminal, 77...sweep voltage generating means, 39...first switching element, 41...
...Second switching element, 40...Third switching element, 42...Fourth switching element, 49,50...Flip-flop, 47,48 ...Logic circuit, 70...
Detection unit, 57... Control circuit, 37...
A rise control switch, 38... a fall control switch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 町変容量素子を同調素子として内蔵するチューナ部
と; 前記チューナ部が同調したとき直流電圧を出力する検波
部と; 押圧することにより一時的なトリガ信号を発生する複数
個の選局スイッチと; この選局スイッチの任意の1個を操作することによって
個々の前記選局スイッチに対応したコード化された信号
を出力する前記選局スイッチに続く符号手段と; クロックパルスを送出するクロツク発振器と;予め書き
込まれた記憶電圧を前記コード化された入力信号により
読み出され出力するメモリと、このメモリの選ばれた出
力に対応して前記クロツク発振器の出力パルスを所定量
計数することにより、一定周期をもちデューテイサイク
ルが選ばれる矩形波を送出する矩形波発生器と、デュー
テイサイクルの変化する前矩形波発生器の出力を積分す
る積分回路と、 接地している間のみ前記矩形波のデューテイサイクルを
低い方から高い方へ又は高い方から低い方へそれを押圧
している間のみ連続的に可変する上昇制御端子および下
降制御端子とを具備した掃引電圧発生手段とからなり、
この掃引電圧発生手段の出力を前記チューナ部の可変容
量素子に印加することにより選局を行なう装置において
、直列に接続された第1及び第2のスイッチング素子と
、同じく直列に接続された第3及び第4のスイッチング
素子と、前記第2のスイッチング素子によって前記第1
のスイッチング素子を保持する第1の保持回路と、 前記第4のスイッチング素子によって前記第3のスイモ
チング素子を保持する第2の保持回路と、第1のスイッ
チング素子の入力端子を押圧している間のみ接地する上
昇制御スイッチと、第3のスイッチング素子の入力端子
を押圧していろ間のみ接地する下降制御スイッチと、前
記上昇制御スイッチまたは下降制御スイッチを瞬時押圧
することによりセットし、或る周波数を前記チューナ部
が受信したときリセット信号を送出するフリッグフロツ
プと、前記第2のスイッチング素子の出力を前記上昇制
御端子に、前記第4のスイッチング素子の出力を前記下
降制御端子に接続する回路配置と、 平常はHレベルに保たれ前記上昇または下降制御スイッ
チを押圧している期間のみLレベルに転位する論理回路
と、前記フリツプフロツプの出力により前記第2のスイ
ッチング素子の出力を上昇制御スイッチを押した瞬間か
ら前記チューナ部に或る周波数が受信されるまでの間お
よび第4のスイッチング素子の出力を下降制御スイッチ
を押した瞬間から前記チューナ部に或る周波数が受信さ
れるまでの間Lレベルに保つようにした制御回路とを具
備したことを特徴とする自動選局回路。
[Scope of Claims] 1. A tuner section incorporating a variable capacitance element as a tuning element; A detection section that outputs a DC voltage when the tuner section is tuned; A plurality of components that generate a temporary trigger signal when pressed; a code means following the channel selection switch, which outputs a coded signal corresponding to each of the channel selection switches by operating any one of the channel selection switches; a clock pulse; a clock oscillator that outputs a clock oscillator; a memory that outputs a pre-written storage voltage read out by the coded input signal; A square wave generator that sends out a square wave with a constant period and a duty cycle selected by counting, and an integrating circuit that integrates the output of the previous square wave generator whose duty cycle changes, are grounded. A sweep voltage generator comprising a rise control terminal and a fall control terminal for continuously varying the duty cycle of the square wave from low to high or from high to low only during the period of time. It consists of means and
In a device that performs tuning by applying the output of the sweep voltage generating means to a variable capacitance element of the tuner section, first and second switching elements are connected in series, and a third switching element is also connected in series. and a fourth switching element, and the second switching element
a first holding circuit that holds the switching element; a second holding circuit that holds the third swimming element by the fourth switching element; while pressing the input terminal of the first switching element; a rise control switch which grounds only the middle part, a fall control switch which grounds only the middle part by pressing the input terminal of the third switching element; and a fall control switch which grounds only the middle part by pressing the input terminal of the third switching element; a flip-flop that sends out a reset signal when the tuner section receives the reset signal; and a circuit arrangement that connects the output of the second switching element to the up control terminal and the output of the fourth switching element to the down control terminal. , a logic circuit that is normally kept at H level and transitions to L level only while the rise or fall control switch is pressed; and a logic circuit that changes the output of the second switching element by the output of the flip-flop when the rise control switch is pressed. The output of the fourth switching element is at L level from the moment when the lowering control switch is pressed until a certain frequency is received by the tuner section. An automatic channel selection circuit characterized by comprising a control circuit configured to maintain the same.
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