JPS5914809B2 - emphasis circuit - Google Patents
emphasis circuitInfo
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- JPS5914809B2 JPS5914809B2 JP51101285A JP10128576A JPS5914809B2 JP S5914809 B2 JPS5914809 B2 JP S5914809B2 JP 51101285 A JP51101285 A JP 51101285A JP 10128576 A JP10128576 A JP 10128576A JP S5914809 B2 JPS5914809 B2 JP S5914809B2
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- signal
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- Reduction Or Emphasis Of Bandwidth Of Signals (AREA)
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
例えばVTR(磁気録画再生装置)においては、輝度信
号をFM信号に変換して記録再生を行つているが、再生
時にFM信号からもとの輝度信号を復調するとき、周波
数に比例してレベルが増加するノイズ、いわゆる正角ノ
イズを生じてしまう。Detailed Description of the Invention For example, in a VTR (magnetic recording/reproducing device), a luminance signal is converted into an FM signal for recording and reproduction, but when demodulating the original luminance signal from the FM signal during reproduction, This results in noise whose level increases in proportion to frequency, so-called conformal noise.
そこでVTRにおいては、記録時、輝度信号の高域を強
調するプリエンフアシスを行い、再生時、その高域を減
衰させるデイエンフアシスを行つて正角ノイズを軽減し
ている。従つて、プリエンフアシス量を増やせば、再生
時のS/Nが良くなるが、プリエンフアシス量を増やす
と、FM信号に変換するとき、輝度信号の高域において
FM信号の周波数偏移が大きくなり、その帯域が広がり
過ぎてVTRで記録再生ができなくなつてしまう。Therefore, in VTRs, pre-emphasis is performed to emphasize the high range of the luminance signal during recording, and de-emphasis is performed to attenuate the high range during playback to reduce conformal noise. Therefore, increasing the amount of pre-emphasis will improve the S/N during playback, but increasing the amount of pre-emphasis will increase the frequency shift of the FM signal in the high range of the luminance signal when converting it to an FM signal. The band becomes so wide that it becomes impossible to record and play back on a VTR.
本発明は、このような問題点を解決すると共に、安定な
動作が得られるようにしようとするものである。The present invention aims to solve these problems and to provide stable operation.
以下その一例について説明しよう。Let's explain one example below.
第1図において、記録時には、輝度信号が、入力端子1
からクランプ回路2を通じてプリエンフアシス回路3に
供給される。In FIG. 1, during recording, the luminance signal is input to the input terminal 1.
is supplied to a pre-emphasis circuit 3 through a clamp circuit 2.
このプリエンフアシス回路3は、トランジスタQ1を有
し、そのベースにクランプ回路2から輝度信号が供給さ
れ、そのエミッタは抵抗器R4を通じて接地され、その
コレクタは抵抗器R2及びコイルL1、L2の直列回路
を通じて電源端子T、に接続される。This pre-emphasis circuit 3 has a transistor Q1, the base of which is supplied with the luminance signal from the clamp circuit 2, the emitter of which is grounded through a resistor R4, and the collector of which is connected through a series circuit of resistor R2 and coils L1 and L2. It is connected to the power supply terminal T.
さらにコイルL0に対して、共振用のコンデンサC1及
びQダンプ用の抵抗器R3が並列接続されると共に、直
流カット用のコンデンサC2を通じて互いに逆極性のダ
イオードD3、D2が並列接続される。またコイルL2
に対して、−Qダンプ角の抵抗器R4が並列接続される
と共に、直流カット用のコンデンサC3を通じて互いに
逆極性のダイオードD3、D4が並列接続される。そし
てトランジスタQ1のコレクタに得られる輝度信号(こ
れは、後述するようにプリエンフアシスフ されている
)が、エミッタフォロワのトランジスタQ2により取り
出される。そしてこの輝度信号が、FM変調回路4に供
給されてFM信号とされ、このFM信号が記録アンプ5
を通じ、さらに記録再生切換えスイッチ6の記録側接点
Rを通じて回転磁気ヘッド7に供給され、このFM信号
はその1フィールドが例えば1本の斜めの磁気トラック
として磁気テープ8に記録される。Furthermore, a resonance capacitor C1 and a Q-dump resistor R3 are connected in parallel to the coil L0, and diodes D3 and D2 having opposite polarities are connected in parallel through a DC cut capacitor C2. Also coil L2
, a resistor R4 having a -Q dump angle is connected in parallel, and diodes D3 and D4 having opposite polarities are connected in parallel through a DC cut capacitor C3. The luminance signal obtained at the collector of transistor Q1 (which has been pre-emphasized as described below) is then extracted by emitter follower transistor Q2. This luminance signal is then supplied to the FM modulation circuit 4 to be converted into an FM signal, and this FM signal is sent to the recording amplifier 5.
The FM signal is further supplied to the rotary magnetic head 7 through the recording side contact R of the recording/reproduction changeover switch 6, and one field of this FM signal is recorded on the magnetic tape 8 as, for example, one diagonal magnetic track.
一方、再生時には、ヘツド7によりテープ8からFM信
号が再生され、このFM信号が、スイツチ6の再生側接
点Pを通じ、さらに再生アンプ11及びリミツタ12を
通じて復調回路13に供給されて輝度信号が復調され、
この輝度信号がデイエンフアシス回路14に供給される
。On the other hand, during reproduction, an FM signal is reproduced from the tape 8 by the head 7, and this FM signal is supplied to the demodulation circuit 13 through the reproduction side contact P of the switch 6, the reproduction amplifier 11 and the limiter 12, and the luminance signal is demodulated. is,
This luminance signal is supplied to the de-emphasis circuit 14.
このデイエンフアシス回路14は、プリエンフアシス回
路3と相補特性を有するもので、トランジスタQ3が設
けられ、そのベースに復調回路13から輝度信号が供給
され、そのコレクタは抵抗器R,を通じて電源端子T1
に接続され、そのエミツタは抵抗器R6及びコイルL3
,L4の直列回路を通じて接地される。This de-emphasis circuit 14 has complementary characteristics to the pre-emphasis circuit 3, and is provided with a transistor Q3, to whose base a luminance signal is supplied from the demodulation circuit 13, and whose collector is connected to a power supply terminal T1 through a resistor R.
and its emitter is connected to resistor R6 and coil L3
, L4 to ground through a series circuit.
さらにコイルL3に対して、共振用のコンデンサC4及
びQダンプ用の抵抗器R7が並列接続されると共に、直
流カツト用のコンデンサC5を通じて互いに逆極性のダ
イオードD5,D6が並列接続される。またコイルL4
に対して、Qダンプ用の抵抗器R8が並列接続されると
共に、直流カツト用のコンデンサC6を通じて互いに逆
適性のダイオードD7,D8が並列接続される。さらに
トランジスタQ3′0)コレクタには、エミツタフオロ
ワのトランジスタQ4が接続される。そしてトランジス
タαからは、デイエンフアシスされた輝度信号が取り出
され、これがバツフアアンプ15を通じて出力端子16
に取り出される。Further, a resonance capacitor C4 and a Q-dump resistor R7 are connected in parallel to the coil L3, and diodes D5 and D6 having opposite polarities are connected in parallel through a DC cut capacitor C5. Also coil L4
A Q-dump resistor R8 is connected in parallel, and diodes D7 and D8 of opposite compatibility are connected in parallel through a DC cut capacitor C6. Furthermore, an emitter follower transistor Q4 is connected to the collector of the transistor Q3'0). A de-emphasized luminance signal is taken out from the transistor α, and is sent to the output terminal 16 through the buffer amplifier 15.
It is taken out.
このような構成によれば、プリエンフアシス回路3にお
いて次のような動作が行われる。According to such a configuration, the following operations are performed in the pre-emphasis circuit 3.
すなわち、簡単のため、トランジスタQ,のコレクタに
は、第2図に実線で示すように、素子R2,L2だけが
接続されているものとし、このとき、トランジスタQ1
に例えば第3図Aに示すような輝度信号が供給されたと
する。すると、低域においてはコイルL2のインピーダ
ンスは小さいが、高域においては大きくなるので、コイ
ルL2の両端には、第3図Bに示すように、輝度信号の
高域のレベルに比例したレベルで微分波形の高域成分が
得られる。従つてトランジスタQ1のコレクタには、第
3図Cに示すように、プリエンフアシスされた輝度信号
が得られる。ただしこの場合、第3図A,Bにも示すよ
うに、輝度信号と高域成分との割り合い、すなわち、高
域に対するプリエンフアシス量は、輝度信号の高域のレ
ベルにかかわらず一定である。ところが本発明によるプ
リエンフアシス回路3においては、第2図に破線で示す
ように、ダイオードD3,D4が接続されている。That is, for the sake of simplicity, it is assumed that only elements R2 and L2 are connected to the collector of transistor Q, as shown by the solid line in FIG.
For example, suppose that a luminance signal as shown in FIG. 3A is supplied to the display. Then, the impedance of the coil L2 is small in the low range, but becomes large in the high range, so there is a level proportional to the high range level of the luminance signal at both ends of the coil L2, as shown in Figure 3B. High-frequency components of the differential waveform can be obtained. Therefore, a pre-emphasized luminance signal is obtained at the collector of transistor Q1, as shown in FIG. 3C. However, in this case, as also shown in FIGS. 3A and 3B, the ratio between the luminance signal and the high frequency component, that is, the amount of pre-emphasis for the high frequency range is constant regardless of the level of the high frequency component of the luminance signal. However, in the pre-emphasis circuit 3 according to the present invention, diodes D3 and D4 are connected as shown by broken lines in FIG.
従つて輝度信号の高域のレベルが大きくなつてコイルL
2の両端の高域成分のレベルが大きくなろうとしても、
ダイオードD3,D4がリミツタとして働くので、その
高域成分は第3図Dに示すように、振幅制限され、この
振幅制限された高域成分によりプリエンフアシスが行わ
れる。一従つて輝度信号と高域成分との割り合い、すな
わち、高域に対するプリエンフアシス量は、第4図にも
示すように、輝度信号の高域のレベルが大きくなるほど
小さくなる。そして本発明においては、第1図に示すよ
うに、さらに素子Ll,Clも接続されているので、そ
の共振周波数をあらかじめ選定しておくことにより輝度
信号の中域に対してもプリエンスフアシスが行われると
共に、ダイオードDl,D2が接続されているので、第
5図に示すように、その中域に対するプリエンフアシス
量は、輝度信号の中域のレベルが大きくなるほど小さく
なる。すなわち、第1図のプリエンフアシス回路3にお
いては、輝度信号の高域及び中域に対してそれぞれ独立
してプリエンフアシスが行われる。Therefore, the level of the high range of the luminance signal increases and the coil L
Even if the levels of the high-frequency components at both ends of 2 try to increase,
Since the diodes D3 and D4 act as limiters, their high frequency components are amplitude limited, as shown in FIG. 3D, and pre-emphasis is performed by the amplitude limited high frequency components. Therefore, the ratio of the luminance signal to the high frequency component, that is, the amount of pre-emphasis for the high frequency range, becomes smaller as the level of the high frequency range of the luminance signal increases, as shown in FIG. In the present invention, as shown in FIG. 1, elements Ll and Cl are also connected, so by selecting their resonance frequencies in advance, pre- ence facilitation is achieved even for the middle range of the luminance signal. Since the diodes Dl and D2 are connected, the amount of pre-emphasis for the middle range becomes smaller as the level of the middle range of the luminance signal increases, as shown in FIG. That is, in the pre-emphasis circuit 3 of FIG. 1, pre-emphasis is performed independently on the high range and middle range of the luminance signal.
そしてそのプリエンフアシス量は、高域及び中域のレベ
ルが大きくなるほどそれぞれ小さくなり、言い換えれば
、プリエンフアシス量は、高域及び中域のレベルが小さ
くなるほどそれぞれ大きくなる。一方、デイエンフアシ
ス回路14においては、各素子が、トランジスタQ3の
エミツタに接続されているので、通過特性はプリエンフ
アシス回路3の特性とは相補的となり、従つてデイエン
フアシスが行われる。こうして本発明においては、第4
図及び第5図に示すような特性でプリエンフアシスが行
われ、従つて輝度信号のレベルが大きいときには、プリ
エンフアシス量は従来と同程度であつても、輝度信号の
レベルが小さいとき3こは、プリエンフアシス量を大き
くできるので、十分にS/Nの良い再生を行うことがで
きる。The amount of pre-emphasis becomes smaller as the level of the high range and the middle range becomes larger. In other words, the amount of pre-emphasis becomes larger as the level of the high range and the middle range becomes smaller. On the other hand, in the de-emphasis circuit 14, since each element is connected to the emitter of the transistor Q3, the pass characteristics are complementary to the characteristics of the pre-emphasis circuit 3, and therefore de-emphasis is performed. Thus, in the present invention, the fourth
Pre-emphasis is performed with the characteristics shown in Fig. 5 and Fig. 5. Therefore, when the level of the luminance signal is large, the pre-emphasis amount is about the same as before, but when the level of the luminance signal is small, the pre-emphasis is Since the amount can be increased, reproduction with a sufficiently high S/N ratio can be performed.
そしてこのとき、輝度信号のレベルが小さいときにプリ
エンフアシス量を大きくしても、輝度信号のレベルが大
きいときにはプリエンフアシス量は小さくなるので、変
調回路4においてFM信号に変換した場合、過変調とな
ることがなく、十分に記録再生ができる。また高域及び
中域に対して独立にエンフアシスを行つているので、輝
度信号の周波数分布(エネルギ分布)に応じて最適なエ
ンフアシスが行え、従つてこの点からもS/Nの良い再
生ができる。さらにデイエンフアシス回路14において
は、そのデイエンフアシス用の素子がトランジスタQの
エミツタに接続されてデイエンフアシスが行われるので
、回路14の位相のずれにより発振することがなく、安
定な動作が行われる。また発振することがないので、設
計上の自由度が大きく、適正な特性を得ることができる
。なお第1図において、素子Ll,Cl,R3に代えて
第6図に示すように、コイルLll,Ll2、コンデン
サCl2及び抵抗器R3を接続すれば、第5図の中域に
対するプリエンフアシスの周波数帯域を広げることがで
きると共に、その傾斜部分の特性をシヤープにできる。At this time, even if the pre-emphasis amount is increased when the luminance signal level is low, the pre-emphasis amount will be small when the luminance signal level is high, so when converted to an FM signal in the modulation circuit 4, overmodulation may occur. There is no problem, and recording and playback is possible. In addition, since emphasis is applied independently to the high and mid frequencies, optimal emphasis can be performed according to the frequency distribution (energy distribution) of the luminance signal, and from this point of view as well, reproduction with good S/N can be achieved. . Further, in the de-emphasis circuit 14, the de-emphasis element is connected to the emitter of the transistor Q to perform de-emphasis, so that no oscillation occurs due to a phase shift in the circuit 14, and stable operation is performed. Furthermore, since there is no oscillation, there is a large degree of freedom in design, and appropriate characteristics can be obtained. In addition, if coils Lll, Ll2, capacitor Cl2, and resistor R3 are connected as shown in FIG. 6 instead of elements Ll, Cl, and R3 in FIG. 1, the pre-emphasis frequency band for the middle range in FIG. It is possible to widen the slope and sharpen the characteristics of the sloped portion.
ただしその場合、素子Lll,Cllの共振周波数及び
素子Ll2,Cl2の共振周波数を、その周波数帯域の
上及び下のカツトオフ周波数とする。またデイエンフア
シス回路14についても同様にできる。さらに素子Ll
,Cl,C2,R3,Dl,D2及びL3,C4,C5
,R7,D5,D6の回路と同様の回路をさらに設けて
、他の帯域に対してエンフアシスを行うこともできる。However, in that case, the resonant frequencies of the elements Lll and Cll and the resonant frequencies of the elements Ll2 and Cl2 are set as the upper and lower cutoff frequencies of the frequency band. The same can be done for the de-emphasis circuit 14 as well. Furthermore, element Ll
, Cl, C2, R3, Dl, D2 and L3, C4, C5
, R7, D5, and D6 may be further provided to perform emphasis on other bands.
第1図は本発明の一例の接続図、第2図〜第5図はその
説明のための図、第6図は本発明の他の例の一部の接続
図である。
3はプリエンフアシス回路、14はデイエンフアシス回
路である。FIG. 1 is a connection diagram of one example of the present invention, FIGS. 2 to 5 are diagrams for explaining the same, and FIG. 6 is a partial connection diagram of another example of the present invention. 3 is a pre-emphasis circuit, and 14 is a de-emphasis circuit.
Claims (1)
ッタが、抵抗器と、少なくとも第1及び第2のインダク
タンス素子との直列回路を通じて電源の一端に接続され
、上記第1のインダクタンス素子に、2つのダイオード
が互いに逆極性に並列接続され、上記第2のインダクタ
ンス素子に、コンデンサが並列接続されると共に、別の
2つのダイオードが互いに逆極性に並列接続され、上記
トランジスタのエミッタまたはコレクタは、上記電源の
他端に接続され、上記トランジスタのベースに入力信号
が供給され、上記トランジスタのコレクタまたはエミッ
タからエンフアシスされた出力信号が取り出されるエン
フアシス回路。1 A transistor is provided, the collector or emitter of which is connected to one end of a power supply through a series circuit of a resistor and at least first and second inductance elements, and two diodes are connected to the first inductance element and connected to each other. A capacitor is connected in parallel to the second inductance element, and two other diodes are connected in parallel to each other with opposite polarities, and the emitter or collector of the transistor is connected to the other end of the power supply. an emphasis circuit connected to the transistor, an input signal being supplied to the base of the transistor, and an emphasized output signal being taken out from the collector or emitter of the transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51101285A JPS5914809B2 (en) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | emphasis circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51101285A JPS5914809B2 (en) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | emphasis circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5327009A JPS5327009A (en) | 1978-03-13 |
| JPS5914809B2 true JPS5914809B2 (en) | 1984-04-06 |
Family
ID=14296577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51101285A Expired JPS5914809B2 (en) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | emphasis circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914809B2 (en) |
-
1976
- 1976-08-25 JP JP51101285A patent/JPS5914809B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5327009A (en) | 1978-03-13 |
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