JPS5918878B2 - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
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- JPS5918878B2 JPS5918878B2 JP56149629A JP14962981A JPS5918878B2 JP S5918878 B2 JPS5918878 B2 JP S5918878B2 JP 56149629 A JP56149629 A JP 56149629A JP 14962981 A JP14962981 A JP 14962981A JP S5918878 B2 JPS5918878 B2 JP S5918878B2
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- laser
- modulator
- central axis
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高速の変調がかけられ、かつ縦および横の
各モードの単一性が常に保持されており、しかも小形に
構成される光ファイバ通信用の光送信装置に関するもの
である。
各モードの単一性が常に保持されており、しかも小形に
構成される光ファイバ通信用の光送信装置に関するもの
である。
従来の光ファイバ通信用等の光送信装置としては、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ
が単体で用いられ、その励起電流を直接変調することに
より、出力光に変調をかけるように構成されている。
Ａｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ
が単体で用いられ、その励起電流を直接変調することに
より、出力光に変調をかけるように構成されている。
しかしながら、半導体レーザにおいては、注入電子の再
結合寿命値と、放出された光子の共振器内に存在する寿
命値、すなわち光子寿命とで決められる時定数が存在し
、その逆数程度の周波数（１ＧＨ２）が最高変調速度限
界となつて、それ以上の高速変調を不可能としている。
また、定常的に単一縦モードで発振する高品質な半導体
レーザを用いる場合にも、数百ＭＨ２程度以上の高速変
調をかけたときには、縦モードが極端に多重化し、その
結果、モード競合が起こつて雑音を生じたり、ファイバ
のもつ分散特性から伝送波形に歪を生じたりし、結局、
光ファイバ伝送路の中継間隔長を短かくせざるを得ない
結果となつている。さらに、半導体レーザは主にへき開
面を利用した平行平面形の共振器構成であるので、横モ
ードの安定性が悪く、高出力発振時や高速変調時に出射
ビーム形状が不安定になつたり、複雑化したりする欠点
があつた。
結合寿命値と、放出された光子の共振器内に存在する寿
命値、すなわち光子寿命とで決められる時定数が存在し
、その逆数程度の周波数（１ＧＨ２）が最高変調速度限
界となつて、それ以上の高速変調を不可能としている。
また、定常的に単一縦モードで発振する高品質な半導体
レーザを用いる場合にも、数百ＭＨ２程度以上の高速変
調をかけたときには、縦モードが極端に多重化し、その
結果、モード競合が起こつて雑音を生じたり、ファイバ
のもつ分散特性から伝送波形に歪を生じたりし、結局、
光ファイバ伝送路の中継間隔長を短かくせざるを得ない
結果となつている。さらに、半導体レーザは主にへき開
面を利用した平行平面形の共振器構成であるので、横モ
ードの安定性が悪く、高出力発振時や高速変調時に出射
ビーム形状が不安定になつたり、複雑化したりする欠点
があつた。
そこで、本発明の目的は、上述の欠点を解決して、小形
にして、超高速変調の可能な単一モードレーザ光源を用
いた光送信装置を提供することにある。
にして、超高速変調の可能な単一モードレーザ光源を用
いた光送信装置を提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明では、半導体レー
ザを単に固体レーザの励起光源として使用し、固体レー
ザのもつ縦および横モードの純単一性と、本来の光変調
器のもつ高速性を生かして、半導体レーザと固体レーザ
と光変調器とを組合せ、小形にして超高速変調が可能な
単一モード光の光送信装置を実現し、以て長距離超大容
量光フアイバ伝送に提供し得るようにする。
ザを単に固体レーザの励起光源として使用し、固体レー
ザのもつ縦および横モードの純単一性と、本来の光変調
器のもつ高速性を生かして、半導体レーザと固体レーザ
と光変調器とを組合せ、小形にして超高速変調が可能な
単一モード光の光送信装置を実現し、以て長距離超大容
量光フアイバ伝送に提供し得るようにする。
以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。
本発明光送信装置の一実施例を第１図に示す。ここで、
１は波長０．８μｍの励起用ＧａＡｌＡｓレーザ、２は
発振波長１．３２μｍ（ＤＬｉＮｄＰ４Ｏｌ２（以下Ｌ
ＮＰと称す）レーザ共振器、３はＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２（以
下ＹＩＧと称す）光ア．イソレータ、４はＬｉＮｂＯ３
（以下ＬＮと称す）光変調器、５は光取り出し用の単一
モードフアイバであり、これらのすべてをこの順序で支
持台６に固定して配置する。なお、レーザ共振器２、光
アイソレータ３および光変調器４については後に別図を
用いて詳細に言伜明する。本実施例においては、励起用
レーザ１の発振波長は０．８００±０．００５μｍの範
囲内であることが重要である。
１は波長０．８μｍの励起用ＧａＡｌＡｓレーザ、２は
発振波長１．３２μｍ（ＤＬｉＮｄＰ４Ｏｌ２（以下Ｌ
ＮＰと称す）レーザ共振器、３はＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２（以
下ＹＩＧと称す）光ア．イソレータ、４はＬｉＮｂＯ３
（以下ＬＮと称す）光変調器、５は光取り出し用の単一
モードフアイバであり、これらのすべてをこの順序で支
持台６に固定して配置する。なお、レーザ共振器２、光
アイソレータ３および光変調器４については後に別図を
用いて詳細に言伜明する。本実施例においては、励起用
レーザ１の発振波長は０．８００±０．００５μｍの範
囲内であることが重要である。
この波長に訃いてのみ、ＬＮＰレーザ共振器２は１．３
２μｍの単一縦モード発振を起こすことができる。また
、励起用レーザ１の出射ビームはロツドレンズ７Ａによ
つて集光されてから卯レーザ共振器２内のＬＮＰ結晶に
結合されるが、このときの収束ビーム直径についても５
０μｍ程度以下にすることが単一縦モード発振のための
必要条件であることが確認された。ＬＮＰレーザ共振器
２からの発振光の波長は１．３２μｍであり、ＬＮＰ結
晶の異方性に基づき、直線偏波している。また、発振ビ
ームのビーム指向角は約±１．５。と小さいので、ＹＩ
Ｇアイソレータ３との結合にあたつては、レーザ共振器
２の中心軸とＹＩＧアイソレータ３の中心軸とが一致す
るようにレーザ共振器２とＹＩＧアイソレータ３とを整
列させ、かつＬＮＰレーザ光の直線偏波方向とＹＩＧア
イソレータ３の入射側偏光子の方向とを一致させるだけ
で充分である。ＹＩＧアイソレータ３からの出射光をロ
ツドレンズ７Ｂを介してＬＮ変調器４に結合する。
２μｍの単一縦モード発振を起こすことができる。また
、励起用レーザ１の出射ビームはロツドレンズ７Ａによ
つて集光されてから卯レーザ共振器２内のＬＮＰ結晶に
結合されるが、このときの収束ビーム直径についても５
０μｍ程度以下にすることが単一縦モード発振のための
必要条件であることが確認された。ＬＮＰレーザ共振器
２からの発振光の波長は１．３２μｍであり、ＬＮＰ結
晶の異方性に基づき、直線偏波している。また、発振ビ
ームのビーム指向角は約±１．５。と小さいので、ＹＩ
Ｇアイソレータ３との結合にあたつては、レーザ共振器
２の中心軸とＹＩＧアイソレータ３の中心軸とが一致す
るようにレーザ共振器２とＹＩＧアイソレータ３とを整
列させ、かつＬＮＰレーザ光の直線偏波方向とＹＩＧア
イソレータ３の入射側偏光子の方向とを一致させるだけ
で充分である。ＹＩＧアイソレータ３からの出射光をロ
ツドレンズ７Ｂを介してＬＮ変調器４に結合する。
本実施例では、ＬＮ変調器４として広帯域で低電圧駆動
の導波路形変調器を採用しているので、入射口が小さく
、従つてこのレンズ結合においては、レンズ位置の微細
な調整が必要とされる。そのために、本実施例において
は、先ず部品１，７Ａ，２，３卦よび４を先に固定して
おき、部品１，７Ａ，２および４を動作させながら、ロ
ツドレンズ７Ｂを３軸微動装置（図示せず）に仮固定し
て、ＹＩＧアイソレータ３とＬＮ変調器４との間に挿入
し、その微動装置を調整することによつて最適位置、す
なわちＬＮ変調器４からの出射光パワーが最大となる位
置を探し、その位置で、ロツドレンズ７Ｂを支持板８を
介して支持台６に接着固定し、最後にロツドレンズ７Ｂ
を微動装置から取り外してレンズ取付けを完了させる。
湖、単一モード光フアイバ５は変調器４の出射口に直接
接着固着すればよい。本実施例の光送信装置を動作させ
るには、まず電流供給リード線９に直流電流を印加して
励起用レーザ１を動作させ、それによりＬＮＰレーザ２
を定常的に発振させる。
の導波路形変調器を採用しているので、入射口が小さく
、従つてこのレンズ結合においては、レンズ位置の微細
な調整が必要とされる。そのために、本実施例において
は、先ず部品１，７Ａ，２，３卦よび４を先に固定して
おき、部品１，７Ａ，２および４を動作させながら、ロ
ツドレンズ７Ｂを３軸微動装置（図示せず）に仮固定し
て、ＹＩＧアイソレータ３とＬＮ変調器４との間に挿入
し、その微動装置を調整することによつて最適位置、す
なわちＬＮ変調器４からの出射光パワーが最大となる位
置を探し、その位置で、ロツドレンズ７Ｂを支持板８を
介して支持台６に接着固定し、最後にロツドレンズ７Ｂ
を微動装置から取り外してレンズ取付けを完了させる。
湖、単一モード光フアイバ５は変調器４の出射口に直接
接着固着すればよい。本実施例の光送信装置を動作させ
るには、まず電流供給リード線９に直流電流を印加して
励起用レーザ１を動作させ、それによりＬＮＰレーザ２
を定常的に発振させる。
しかる後に、変調器４の出口側電極端子１０Ａに５０Ω
の負荷抵抗（図示せず）を接続しておいて、入口側電極
端子１０Ｂに変調信号電圧を印加する。こわによりＬＮ
Ｐレーザ２の定常光は変調信号に応じて変調を受ける。
その変調光を変調器４から光フアイバ５を経て取り出す
。光フアイバ５からは高速単一モードの信号光が得られ
る。ＹＩＧアイソレータ３は、変調を受けた信号光が、
変調器４の出射口あるいは光フアイバ５の接続端面で反
射されて再びＬＮＰレーザ共振器２に戻ることを防いで
いる。
の負荷抵抗（図示せず）を接続しておいて、入口側電極
端子１０Ｂに変調信号電圧を印加する。こわによりＬＮ
Ｐレーザ２の定常光は変調信号に応じて変調を受ける。
その変調光を変調器４から光フアイバ５を経て取り出す
。光フアイバ５からは高速単一モードの信号光が得られ
る。ＹＩＧアイソレータ３は、変調を受けた信号光が、
変調器４の出射口あるいは光フアイバ５の接続端面で反
射されて再びＬＮＰレーザ共振器２に戻ることを防いで
いる。
レーザ共振器２はこの戻り光を受けると、不安定なノイ
ズを発生する。第２図はＬＮＰレーザ共振器２の詳細な
構造の一例を示す。ＬＮＰレーザ共振器は、３００μｍ
厚に研磨されたひ伊結晶板１２を、高反射鏡（発振波長
１．３２μｍでの反射率９９．９％以上）１３と出力反
射鏡（同９９，７％程度）１４とで挟んで構成する。こ
こで、１５は共振器鏡１３と１４との間隔を調整するス
ペーサである。これら各部分１２〜１５は外函１６内に
固定されている。１７は共振器の中心軸である。
ズを発生する。第２図はＬＮＰレーザ共振器２の詳細な
構造の一例を示す。ＬＮＰレーザ共振器は、３００μｍ
厚に研磨されたひ伊結晶板１２を、高反射鏡（発振波長
１．３２μｍでの反射率９９．９％以上）１３と出力反
射鏡（同９９，７％程度）１４とで挟んで構成する。こ
こで、１５は共振器鏡１３と１４との間隔を調整するス
ペーサである。これら各部分１２〜１５は外函１６内に
固定されている。１７は共振器の中心軸である。
この構成にトいて、ＧａＡｌＡｓレーザ１からの励起光
が中心軸と平行方向に卯結晶板１２に入射すると、ＬＮ
Ｐレーザ共振器２は単一縦モードの定常的な発振を行な
う。このときの励起条件については、すでに述べたと｝
りである。また、励起用レーザ１の光出射中心軸とレー
ザ共振器２の中心軸とが一致しているときは横モードに
ついても単一モードで発振することが確認された。第３
図は本実施例におけるＹＩＧアイソレータ３の詳細な構
造を示す。
が中心軸と平行方向に卯結晶板１２に入射すると、ＬＮ
Ｐレーザ共振器２は単一縦モードの定常的な発振を行な
う。このときの励起条件については、すでに述べたと｝
りである。また、励起用レーザ１の光出射中心軸とレー
ザ共振器２の中心軸とが一致しているときは横モードに
ついても単一モードで発振することが確認された。第３
図は本実施例におけるＹＩＧアイソレータ３の詳細な構
造を示す。
厚さ２．２ｍ７７！に研磨されたＹＩＧ結晶１８は、環
状サマリウムコバルト磁石１９と環状継鉄２０Ａおよび
２０Ｂとで構成された磁界（１．２ｋ０ｅ以上）内に設
置されて４５アラデ一回転子を構成する。このフアラデ
一回転子の両側には、互いに４５゜傾いた偏光子２１Ａ
２１Ｂを配設する。２２はこれら各部分１８，１９，２
０Ａ，２０Ｂ，２１Ａ，２１Ｂを収容する外函、２３１
ｆ：？Ｃその中心軸である。
状サマリウムコバルト磁石１９と環状継鉄２０Ａおよび
２０Ｂとで構成された磁界（１．２ｋ０ｅ以上）内に設
置されて４５アラデ一回転子を構成する。このフアラデ
一回転子の両側には、互いに４５゜傾いた偏光子２１Ａ
２１Ｂを配設する。２２はこれら各部分１８，１９，２
０Ａ，２０Ｂ，２１Ａ，２１Ｂを収容する外函、２３１
ｆ：？Ｃその中心軸である。
このような構造のＹＩＧアイソレータ３によれば、すで
に文献（ＥｌｅｃｔｒＯｎｉｃｓＬｃｔｔｅｒ，第１３
巻，第１７１頁〜１７２頁）に報告されているとおり、
一方向（例えば第３図の左から右への方向）の透過率が
極めて高く（損失１ｄＢ以下）、逆方向の透過率が極め
て低くなる（損失３０ｄＢ以上）ような良好なアイソレ
ーシヨンが実現される。第４図は本実施例におけるＬＮ
変調器４の一例として方向性結合導波路形ＬＮ変調器の
詳細な構造を示す。
に文献（ＥｌｅｃｔｒＯｎｉｃｓＬｃｔｔｅｒ，第１３
巻，第１７１頁〜１７２頁）に報告されているとおり、
一方向（例えば第３図の左から右への方向）の透過率が
極めて高く（損失１ｄＢ以下）、逆方向の透過率が極め
て低くなる（損失３０ｄＢ以上）ような良好なアイソレ
ーシヨンが実現される。第４図は本実施例におけるＬＮ
変調器４の一例として方向性結合導波路形ＬＮ変調器の
詳細な構造を示す。
この変調器本体は、ＬＮ基板結晶２４と、この基板２４
にＴｉイオンを拡散して形成した幅８μｍで間隔５μｍ
の２本の導波路２５Ａ｝よび２５Ｂと、それぞれ導波路
２５Ａおよび２５Ｂ上に形成した進行波形電極２６Ａ訃
よび２６Ｂより成る。２７（ヰ導波路２５Ａへの入射光
の入射中心軸、２８は変調器の支持台である。
にＴｉイオンを拡散して形成した幅８μｍで間隔５μｍ
の２本の導波路２５Ａ｝よび２５Ｂと、それぞれ導波路
２５Ａおよび２５Ｂ上に形成した進行波形電極２６Ａ訃
よび２６Ｂより成る。２７（ヰ導波路２５Ａへの入射光
の入射中心軸、２８は変調器の支持台である。
この変調器の動作原理については、すでに文献（ＩＥＥ
ＥＪＯｕｒｎａｌＯｆＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒＯｎ
ｉｃｓ９ＱＥ一１６巻，７５４頁〜）に述べられたとお
りであり、変調電圧（端子１０Ｂに印加される高周波電
圧）６Ｖ程度で、帯域３ＧＨｚ程度の高速変調が可能で
ある。以上の構成により組立てられた本実施例の光送信
装置の特性をまとめると次のようになる。
ＥＪＯｕｒｎａｌＯｆＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒＯｎ
ｉｃｓ９ＱＥ一１６巻，７５４頁〜）に述べられたとお
りであり、変調電圧（端子１０Ｂに印加される高周波電
圧）６Ｖ程度で、帯域３ＧＨｚ程度の高速変調が可能で
ある。以上の構成により組立てられた本実施例の光送信
装置の特性をまとめると次のようになる。
次に、第１実施例の出力パワーについて改善を図つた本
発明の第２の実施例について説明する。この第２実施例
では、第１実施例の励起用レーザ１の代わりに高出力励
起光源を用いる。その励起光源の一例を第５図に示す。
ここで、２９はＧａＡｌＡｓレーザアレイであり、この
ＧａＡｌＡｓレーザアレイ２９からの出射光を光フアイ
バ３０，フアイバコネクタ３１，訃よびロツドレンズ３
２を介して、中心軸３３上の１点に収束させる。３４は
コネクタ３１の支持板、３５はロツドレンズ３２を支持
する半球レンズ、３６はロツドレンズ３２の外函である
。
発明の第２の実施例について説明する。この第２実施例
では、第１実施例の励起用レーザ１の代わりに高出力励
起光源を用いる。その励起光源の一例を第５図に示す。
ここで、２９はＧａＡｌＡｓレーザアレイであり、この
ＧａＡｌＡｓレーザアレイ２９からの出射光を光フアイ
バ３０，フアイバコネクタ３１，訃よびロツドレンズ３
２を介して、中心軸３３上の１点に収束させる。３４は
コネクタ３１の支持板、３５はロツドレンズ３２を支持
する半球レンズ、３６はロツドレンズ３２の外函である
。
この励起光源の詳細は、特，願昭５５−６１７５１号に
説明されているとおりであり、この励起光源を用いるこ
とによつて第２実施例では、第１実施例の数倍の出力パ
ワーを得ることができる。伺、以上の実施例で用いてき
た、ＬＮＰレーザ共振器２の代わりに、ＮｄＰ，Ｏｌ４
，ＫＮｄＰ４Ｏｌ２，ＮｄＡｌ３（ＢＯ３）４等のネオ
ジム直接化合物レーザ結晶を用いた固体レーザ共振器を
用いることも可能である。
説明されているとおりであり、この励起光源を用いるこ
とによつて第２実施例では、第１実施例の数倍の出力パ
ワーを得ることができる。伺、以上の実施例で用いてき
た、ＬＮＰレーザ共振器２の代わりに、ＮｄＰ，Ｏｌ４
，ＫＮｄＰ４Ｏｌ２，ＮｄＡｌ３（ＢＯ３）４等のネオ
ジム直接化合物レーザ結晶を用いた固体レーザ共振器を
用いることも可能である。
さらに方向性結合導波路形ＬＮ光変調器４の代わりに、
ＬｉＴａＯ３，ＫＨ２ＰＯ４，ＺｎＳ，ＧａＡｓ結晶等
を用いた種々のバランスブリツジ導波路形光変調器やバ
ルク形光変調器を用いることも可能である。以上説明し
てきたように、本発明によれば、半導体レーザは単に固
体レーザの励起光源として用いるのみであり、固体レー
ザのもつ縦卦よび横モードの純単一性を利用するので、
光変調器のもつ高速性を生かして、超高速の変調が可能
であり、しかも縦および横モードが常に純粋に単一であ
り、光フアイバ通信に好適な光送信装置を構成できる。
ＬｉＴａＯ３，ＫＨ２ＰＯ４，ＺｎＳ，ＧａＡｓ結晶等
を用いた種々のバランスブリツジ導波路形光変調器やバ
ルク形光変調器を用いることも可能である。以上説明し
てきたように、本発明によれば、半導体レーザは単に固
体レーザの励起光源として用いるのみであり、固体レー
ザのもつ縦卦よび横モードの純単一性を利用するので、
光変調器のもつ高速性を生かして、超高速の変調が可能
であり、しかも縦および横モードが常に純粋に単一であ
り、光フアイバ通信に好適な光送信装置を構成できる。
従つて、本発明装置を従来の半導体レーザ単体の光源を
用いた光送信装置と置き換えることにより、超高速変調
が可能となつて、伝送容量は増大し、モード雑音と伝送
歪は除去されて中継間隔距離を大幅に延長できる。しか
も、本発明では、従来の固体レーザのように大形のポン
ピング光源を必要とせず、しかもＹＡＧ固体レーザの如
く大形の結晶を用いずにネオジウム直接化合物レーザ結
晶板を用いるので、装置の小形軽量化を実現できる。
用いた光送信装置と置き換えることにより、超高速変調
が可能となつて、伝送容量は増大し、モード雑音と伝送
歪は除去されて中継間隔距離を大幅に延長できる。しか
も、本発明では、従来の固体レーザのように大形のポン
ピング光源を必要とせず、しかもＹＡＧ固体レーザの如
く大形の結晶を用いずにネオジウム直接化合物レーザ結
晶板を用いるので、装置の小形軽量化を実現できる。
さらに、本発明は、従来の半導体レーザ光源と比較して
、発振波長の周囲温度に対する安定性が高い利点を有す
るものであり、従来の半導体レーザ光源に装備される温
度制御系を極端に簡略化または省略化することができる
。
、発振波長の周囲温度に対する安定性が高い利点を有す
るものであり、従来の半導体レーザ光源に装備される温
度制御系を極端に簡略化または省略化することができる
。
第１図は本発明光送信装置の第１実施例の構成を示す斜
視図、第２図は第１実施例の構成要素であるＬｉＮｄＰ
４Ｏ，２レーザ共振器の構成の一例を示す破断斜視図、
第３図は同じくＹ３Ｆｅ５Ｏ，２光アイソｌノータの構
成の一例を示す破断斜視図、第４図は同じくＬｉＮｂＯ
３光変調器の構成の一例を示す斜視図、第５図は本発明
光送信装置の第２実施例の構成要素である高出力励起光
源の構成の一例を示す斜視図である。 １・・・・・・ＧａＡｌＡｓレーザ、２・・・・・・Ｌ
ｉＮｄＰ４Ｏｌ２レーザ共振器、３・・・・・・Ｙ３Ｆ
ｅ５Ｏｌ２光アイソレータ、４・・・・・・ＬｉＮｂＯ
３光変調器、５・・・・・・単一モード光フアイバ、６
・・・・・・支持台、７Ａ，７Ｂ・・・・・・ロツドレ
ンズ、８・・・・・・支持板、９・・・・・・電流供給
リード線、１０Ａ・・・・・・出口側電極端子、１０Ｂ
・・・・・・入口側電極端子、１１・・・・・・中心軸
、１２・・・・・・ＬｉＮｄＰ４Ｏｌ２結晶板、１３・
・・・・・高反射鏡、１４・・・・・・出力反射鏡、１
５・・・・・・スペーサ、１６・・・・・・外函、１７
・・・・・・共振中心軸、１８・・・・・・Ｙ３Ｆｅ５
Ｏ，２結晶、１９・・・・・・サマリウムコバルト磁石
、２０Ａ，２０Ｂ・・・・・・継鉄、２１Ａ，２１Ｂ・
・・・・・偏光子、２２・・・・・・外函、２３・・・
・・・中心軸、２４・・・・・・ＬｉＮｂＯ３基板結晶
、２５Ａ，２５Ｂ・・・・・・導波路、２６Ａ，２６Ｂ
・・・・・・電極、２７・・・・・・光入射中心軸、２
８・・・・・・支持台、２９・・・・・・ＧａＡｌＡｓ
レーザアレイ、３０・・・・・・光フアイバ、３１・・
・・・・フアイバコネクタ、３２・・・・・・ロツドレ
ンズ、３３・・・・・・中心軸、３４・・・・・・コネ
クタ支持板、３５・・・・・・半球レンズ、３６・・・
・・・外函。
視図、第２図は第１実施例の構成要素であるＬｉＮｄＰ
４Ｏ，２レーザ共振器の構成の一例を示す破断斜視図、
第３図は同じくＹ３Ｆｅ５Ｏ，２光アイソｌノータの構
成の一例を示す破断斜視図、第４図は同じくＬｉＮｂＯ
３光変調器の構成の一例を示す斜視図、第５図は本発明
光送信装置の第２実施例の構成要素である高出力励起光
源の構成の一例を示す斜視図である。 １・・・・・・ＧａＡｌＡｓレーザ、２・・・・・・Ｌ
ｉＮｄＰ４Ｏｌ２レーザ共振器、３・・・・・・Ｙ３Ｆ
ｅ５Ｏｌ２光アイソレータ、４・・・・・・ＬｉＮｂＯ
３光変調器、５・・・・・・単一モード光フアイバ、６
・・・・・・支持台、７Ａ，７Ｂ・・・・・・ロツドレ
ンズ、８・・・・・・支持板、９・・・・・・電流供給
リード線、１０Ａ・・・・・・出口側電極端子、１０Ｂ
・・・・・・入口側電極端子、１１・・・・・・中心軸
、１２・・・・・・ＬｉＮｄＰ４Ｏｌ２結晶板、１３・
・・・・・高反射鏡、１４・・・・・・出力反射鏡、１
５・・・・・・スペーサ、１６・・・・・・外函、１７
・・・・・・共振中心軸、１８・・・・・・Ｙ３Ｆｅ５
Ｏ，２結晶、１９・・・・・・サマリウムコバルト磁石
、２０Ａ，２０Ｂ・・・・・・継鉄、２１Ａ，２１Ｂ・
・・・・・偏光子、２２・・・・・・外函、２３・・・
・・・中心軸、２４・・・・・・ＬｉＮｂＯ３基板結晶
、２５Ａ，２５Ｂ・・・・・・導波路、２６Ａ，２６Ｂ
・・・・・・電極、２７・・・・・・光入射中心軸、２
８・・・・・・支持台、２９・・・・・・ＧａＡｌＡｓ
レーザアレイ、３０・・・・・・光フアイバ、３１・・
・・・・フアイバコネクタ、３２・・・・・・ロツドレ
ンズ、３３・・・・・・中心軸、３４・・・・・・コネ
クタ支持板、３５・・・・・・半球レンズ、３６・・・
・・・外函。
Claims (1)
- １ ネオジウム直接化合物レーザ結晶板および該結晶板
の厚さ方向の両側に配設したレーザ共振器鏡を有する固
体レーザ共振器と、前記固体レーザ共振器において、単
一モードの発振を生じさせるために必要な発振波長およ
びビーム直径を有するレーザ光を射出する励起用半導体
レーザと、光アイソーレータと、光変調器とを具備し、
前記励起光源の光出射中心軸、前記固体レーザ共振器の
共振器中心軸、前記光アイソーレータの光入射中心軸お
よび前記光変調器の光入射中心軸を一致させ、前記励起
光源、前記固体レーザ共振器、前記光アイソレータおよ
び前記光変調器をこの順序で配置し、前記光変調器に変
調信号を印加して前記光変調器から光変調出力を取り出
すようにしたことを特徴とする光送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149629A JPS5918878B2 (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149629A JPS5918878B2 (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 光送信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852889A JPS5852889A (ja) | 1983-03-29 |
| JPS5918878B2 true JPS5918878B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=15479396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149629A Expired JPS5918878B2 (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 光送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918878B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018096910A1 (ja) | 2016-11-24 | 2018-05-31 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | 導電性熱可塑性エラストマー組成物 |
| WO2019027022A1 (ja) | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | ゴム組成物、架橋ゴム組成物、タイヤ及び工業用ゴム部品 |
| WO2020027109A1 (ja) | 2018-07-30 | 2020-02-06 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | 樹脂組成物 |
| WO2021132471A1 (ja) | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | 発泡成形用組成物及び発泡成形体 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665529A (en) * | 1986-05-19 | 1987-05-12 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser with miniaturized quick disconnect laser head |
| US4656635A (en) * | 1985-05-01 | 1987-04-07 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
| US4761786A (en) * | 1986-12-23 | 1988-08-02 | Spectra-Physics, Inc. | Miniaturized Q-switched diode pumped solid state laser |
| US4653056A (en) * | 1985-05-01 | 1987-03-24 | Spectra-Physics, Inc. | Nd-YAG laser |
| JP2576545B2 (ja) * | 1987-11-25 | 1997-01-29 | ソニー株式会社 | 光学ヘッド |
| JP2712232B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1998-02-10 | ソニー株式会社 | レーザ光源 |
| JPH04255280A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Nippon Steel Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JP2013172100A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置の調整方法およびレーザ装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56149629A patent/JPS5918878B2/ja not_active Expired
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| WO2018096910A1 (ja) | 2016-11-24 | 2018-05-31 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | 導電性熱可塑性エラストマー組成物 |
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| WO2021132471A1 (ja) | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | 発泡成形用組成物及び発泡成形体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5852889A (ja) | 1983-03-29 |
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