JPS5922425B2 - Laser diode extinction ratio control circuit - Google Patents
Laser diode extinction ratio control circuitInfo
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- JPS5922425B2 JPS5922425B2 JP56202556A JP20255681A JPS5922425B2 JP S5922425 B2 JPS5922425 B2 JP S5922425B2 JP 56202556 A JP56202556 A JP 56202556A JP 20255681 A JP20255681 A JP 20255681A JP S5922425 B2 JPS5922425 B2 JP S5922425B2
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は光出力の安定性と光電変換されたパルス出力の
安定性を同時に有するレーザ・ダイオード消光比制御回
路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a laser diode extinction ratio control circuit that simultaneously provides stability of optical output and stability of photoelectrically converted pulse output.
(適用技術)
従来のレーザ・ダイオード光出力制御回路の系統図を第
1図に示す。(Applicable technology) Figure 1 shows a system diagram of a conventional laser diode optical output control circuit.
第1図においてLDMはレーザ・ダイオード・マウント
、LDはレーザ・ダイオード、PDはフォト・ダイオー
ド、cはコンデンサ、AはPDの電気出力を増幅する増
幅回路、AbはAの出力と可変抵抗器RVより与えられ
る基準電位とを比較増幅する回路、CCbはAbの出力
電圧に比例したバイアス電流をレーザ・ダイオードLD
に供給する定電流回路、CCpは高速スイッチング回路
SWを経由してレーザ・ダイオードLDにパルス電流I
pを供給する定電流回路、OPT、OUTは光出力、S
inは変調入力、上は電源の如く構成されており、第2
図はその動作説明図である。第2図においてPは光出力
、Iはレーザ・ダイオード電流(IB+Ip)、Ti、
T2はレーザ・ダイオードの温度、IBIは温度Tiに
おけるレーザ・ダイオードLDのバイアス電流、IB2
は温度T2におけるレーザ・ダイオードLDのバイアス
電流、Ipは変調入力Sinにしたがつて動作する高速
スイッチング回路でON10FFされるパルス電流、P
aveは平均光出力、plmaxは温度Tiにおける最
大光出力、P、minは温度Tiにおける最小光出力、
P,maxは温度T2に訃ける最大光出力、P,min
は温度T2における最小光出力で、レーザ・ダイオード
LDの温度が変化しても平均出力Paveが常に一定に
なるようにフオト・ダイオードPDl増幅回路A1比較
増幅回路Abl定電流回路CCbで構成される光出力制
御ループが動作する。In Figure 1, LDM is a laser diode mount, LD is a laser diode, PD is a photodiode, c is a capacitor, A is an amplifier circuit that amplifies the electrical output of PD, and Ab is the output of A and the variable resistor RV. CCb is a circuit that compares and amplifies the reference potential given by the laser diode LD.
A constant current circuit CCp supplies a pulse current I to the laser diode LD via a high speed switching circuit SW.
Constant current circuit that supplies p, OPT, OUT is optical output, S
in is a modulation input, the top is configured like a power supply, and the second
The figure is an explanatory diagram of the operation. In Figure 2, P is the optical output, I is the laser diode current (IB+Ip), Ti,
T2 is the temperature of the laser diode, IBI is the bias current of the laser diode LD at temperature Ti, IB2
is the bias current of the laser diode LD at temperature T2, Ip is the pulse current turned ON10FF by a high-speed switching circuit that operates according to the modulation input Sin, P
ave is the average light output, plmax is the maximum light output at temperature Ti, P, min are the minimum light output at temperature Ti,
P, max is the maximum light output at temperature T2, P, min
is the minimum optical output at temperature T2, and the optical output is composed of a photo diode PDl amplifier circuit A1 comparison amplifier circuit Abl constant current circuit CCb so that the average output Pave is always constant even if the temperature of the laser diode LD changes. Output control loop operates.
第2図に示したレーザ・ダイオードのレーザ・ダイオー
ド電流1対光出力Pの変化は温度に対して平行移動して
いる場合であるが、第3図に示すようなレーザ・ダイオ
ード電流1対光出力Pの変化が温度に対して平行移動し
ない特性を持つたレーザ・ダイオードの場合には温度が
変動しても平均光出力は変化しないが光電変換されたパ
ルス成分は温度が高くなると小さくなる。The change in optical output P versus laser diode current shown in Figure 2 is a case in which the change in optical output P versus laser diode current is parallel to the temperature, but the change in optical output P versus laser diode current shown in Figure 3 is In the case of a laser diode that has a characteristic that the change in output P does not move parallel to the temperature, the average optical output does not change even if the temperature changes, but the photoelectrically converted pulse component becomes smaller as the temperature rises.
(PlmaX−Plmin>P2mBx−P2min)
従つてレーザ・ダイオードのパルス電流1pを一定とし
、直流バイアス電流1bを変化させる方式の光出力制御
回路においてはレーザ・ダイオード電流1対光出力Pの
変化が温度に対して平行移動しない場合には光電変換さ
れたパルス出力が温度に対して変化する(消光比が変化
する)欠点があつた。(PlmaX-Plmin>P2mBx-P2min)
Therefore, in an optical output control circuit in which the laser diode pulse current 1p is constant and the DC bias current 1b is varied, if the change in laser diode current 1 versus optical output P does not move parallel to the temperature, There was a drawback that the photoelectrically converted pulse output changed with temperature (extinction ratio changed).
(発明の課題)
本発明はレーザ・ダイオードの直流バイアスIbおよび
パルス電流1pの振幅の両方を制御することを特徴とし
その目的は、光出力および光電変換されたパルス出力の
振幅が変動しない(消光比が変化しない)ようにするこ
とであり以下詳細に説明する。(Problem to be solved by the invention) The present invention is characterized by controlling both the DC bias Ib of the laser diode and the amplitude of the pulse current 1p, and its purpose is to control the amplitude of the optical output and the photoelectrically converted pulse output so that the amplitude does not fluctuate (quenching This will be explained in detail below.
(発明の構成および作用)
第4図Aは本発明の実施例の系統図であつて、LDMは
レーザ・ダイオード・マウント、LDはレーザ・ダイオ
ード、PDはフオト・ダイオード、AはPDの電気出力
を増幅する回路、SHbは光電変換出力最小の時の増幅
回路Aの出力をサンプル・ホールドするサンプル・ホー
ルド回路、SHpは光電変換出力最大の時の増幅回路A
の出力をサンプル●ホールドするサンプル・ホールド回
路、SPGは両サンプル・ホールド回路にサンプル・パ
ルスを供給するパルス発生回路、RVbは基準電圧Vb
を発生する可変抵抗器、RVpは基準電)圧Vpを発生
する可変抵抗器、Abはサンブル・ホールド回路SHb
の出力と基準電圧Vbとを比較増幅する比較増幅回路、
Apはサンプル・ホールド回路SHpの出力と基準電圧
Vpとを比較増幅する比較増幅回路、CCbは比較増幅
回路Abの出力に比例したバイアス電流1bをレーザ・
ダイオードLDに供給する定電流回路、CCpは比較増
幅回路APの出力に比例した振幅のパルス電流1pを(
高速スイツチング回路SW経由で)レーザ・ダイオード
LDに供給する定電流回路、SWは変調入力Sinを受
けて定電流回路CCpより供給される電流1pを0N/
0FFしてレーザ・ダイオードLDに供給する高速スイ
ツチング回路、Sinは変調入力、0PT,0UTは光
出力、一Eは電源である。(Structure and operation of the invention) FIG. 4A is a system diagram of an embodiment of the present invention, where LDM is a laser diode mount, LD is a laser diode, PD is a photo diode, and A is an electrical output of the PD. SHb is a sample-and-hold circuit that samples and holds the output of amplifier circuit A when the photoelectric conversion output is minimum, and SHp is the amplifier circuit A when photoelectric conversion output is maximum.
A sample-and-hold circuit that samples and holds the output of
RVp is a variable resistor that generates a reference voltage Vp, Ab is a sample hold circuit SHb
a comparison amplifier circuit that compares and amplifies the output of and a reference voltage Vb;
Ap is a comparison amplification circuit that compares and amplifies the output of the sample-and-hold circuit SHp and the reference voltage Vp, and CCb is a laser beam that supplies a bias current 1b proportional to the output of the comparison amplification circuit Ab.
The constant current circuit CCp supplies the diode LD with a pulse current 1p whose amplitude is proportional to the output of the comparison amplifier circuit AP (
The constant current circuit that supplies the laser diode LD (via the high-speed switching circuit SW), SW receives the modulation input Sin and converts the current 1p supplied from the constant current circuit CCp to 0N/
A high-speed switching circuit that turns 0FF and supplies it to the laser diode LD.Sin is a modulation input, 0PT and 0UT are optical outputs, and 1E is a power supply.
第4図Bはパルス発生回路SPGの動作説明図でaは変
調入力Sinの波形、bは消光側(光電変換出力最小の
時)の出力をサンプル・ホールドするサンプル・ホール
ド回路SHbに与えられるサンプル・パルスの波形、c
は発光側(光電変換出力最大の時)の出力をサンプル・
ホールドするサンブル・ホールド回路SHpに与えられ
るサンプル・パルスの波形である。Figure 4B is an explanatory diagram of the operation of the pulse generation circuit SPG, where a is the waveform of the modulation input Sin, and b is the sample given to the sample-and-hold circuit SHb that samples and holds the output on the extinction side (when the photoelectric conversion output is minimum).・Pulse waveform, c
samples the output of the light emitting side (when the photoelectric conversion output is maximum).
This is the waveform of a sample pulse given to the sample hold circuit SHp.
第5図は第4図Aの動作説明図で、Pは光出力、Iはレ
ーザ・ダイオード電流(Ib+Ip)、Tl,T2はレ
ーザ・ダイオードの温度、Iblは温度T1におけるバ
イアス電流、Ib2は温度T2におけるバイアス電流、
IPlは温度T1におけるパルス電流、IP2は温度T
2におけるパルス電流、Paveは平均光出力、Plm
axは温度T1における最大光出力、P,m式は温度T
2における最大光出力、Plminは温度T1における
最小光出力、P2minは温度T2における最小光出力
である。Figure 5 is an explanatory diagram of the operation of Figure 4A, where P is the optical output, I is the laser diode current (Ib + Ip), Tl and T2 are the laser diode temperatures, Ibl is the bias current at temperature T1, and Ib2 is the temperature. Bias current at T2,
IPl is a pulse current at temperature T1, IP2 is temperature T
2, Pave is the average optical output, Plm
ax is the maximum light output at temperature T1, P, m formula is temperature T
2, Plmin is the minimum optical output at temperature T1, and P2min is the minimum optical output at temperature T2.
温度が変動しても最大発光出力および最小発光出力が変
動せず(消光比が変化せず)、平均出力も光電変換され
たパルス出力も変化しないことが示されている。これは
最小発光出力の時はフオト・ダイオードPDl増幅回路
A1サンプル・ホールド回路SHb、比較増幅回路Ab
l定電流回路CCblで構成される光出力制御回路によ
り最小発光出力が安定化され、最大発光出力の時はフオ
ト・ダイオードPDl増幅回路A1サンプル・ホールド
回路SHPl比較増幅回路APl定電流回路CCPl高
速スイツチング回路SWで構成される光出力制御回路に
より最大発光出力が安定化されているからである。第4
図Aの系統図の各部を具体的に示すと第6図になる。It has been shown that even if the temperature fluctuates, the maximum luminous output and the minimum luminous output do not change (the extinction ratio does not change), and neither the average output nor the photoelectrically converted pulse output changes. At minimum light output, photo diode PDl amplifier circuit A1 sample/hold circuit SHb, comparison amplifier circuit Ab
The minimum light output is stabilized by the light output control circuit consisting of the constant current circuit CCbl, and at the maximum light output, the photo diode PDl amplifier circuit A1 sample-and-hold circuit SHPl comparison amplifier circuit APl constant current circuit CCPl high-speed switching This is because the maximum light emission output is stabilized by the light output control circuit constituted by the circuit SW. Fourth
FIG. 6 specifically shows each part of the system diagram in FIG.
増幅回路Aは抵抗R1と演算増幅器A1で構成される。
比較増幅回路Abは抵抗R2,R3}よび演算増幅器A
2で構成される。比較増幅回路Apは抵抗R4,R5お
よび演算増幅器A3で構成される。定電流回路CCbは
演算増幅器A4、トランジスタTRl}よびR6で構成
される。定電流回路CCpは演算増幅器A5、トランジ
スタTR4および抵抗R7で構成される。高速スイツチ
ング回路SWはトランジスタTR2,TR3、インバー
タINVl抵抗R8,R9、コンデンサCl,C2}よ
びバイアス電源−Ebで構成され、変調入力信号Sin
のパルスが正極性の時にTR2は0N..TR3は0F
F1負極性の時にTR2は0FF,.TR3は0Nとな
り定電流回路CCpより供給される電流をTR2に流し
たシTR3に流したりする。すなわち変調入力信号Si
nによつて制御されるパルス電流1pをレーザ・ダ,イ
オードLDに供給する。パルス発生回路SPGはアツプ
エツジ動作をする単安定マルチ・バイブレータMMl、
ダウンエツジ動作をする単安定マルチ・バイブレータM
M2,MM3,MM4で構成され、動作は第7図に示す
と}りである。第7図のA,b,c,d,eは第6図に
対応し〜Tl,t2,t3,t4はそれぞれMMl,M
M2,MM3,MM4の時定数である。(発明の効果)
以上説明したように実施例では最小発光時に動作する光
出力制御ループと最大発光時に動作する光出力制御ルー
プを有しているのでレーザ・ダイオードの消光比を一定
にでき、光出力の安定化と光電変換されたパルス出力の
振幅の安定化を同時に行うことができる利点がある。The amplifier circuit A is composed of a resistor R1 and an operational amplifier A1.
Comparison amplifier circuit Ab consists of resistors R2, R3} and operational amplifier A.
Consists of 2. The comparison amplifier circuit Ap is composed of resistors R4 and R5 and an operational amplifier A3. The constant current circuit CCb is composed of an operational amplifier A4, transistors TRl} and R6. The constant current circuit CCp is composed of an operational amplifier A5, a transistor TR4, and a resistor R7. The high-speed switching circuit SW is composed of transistors TR2, TR3, inverter INVl resistors R8, R9, capacitors Cl, C2}, and bias power supply -Eb, and the modulation input signal Sin
When the pulse of is positive polarity, TR2 is 0N. .. TR3 is 0F
When F1 is negative polarity, TR2 is 0FF, . TR3 becomes 0N, and the current supplied from the constant current circuit CCp flows through TR3 instead of the current flowing through TR2. That is, the modulated input signal Si
A pulse current 1p controlled by n is supplied to the laser diode LD. The pulse generating circuit SPG is a monostable multi-vibrator MMl that performs up-edge operation,
Monostable multi-vibrator M with down edge operation
It is composed of M2, MM3, and MM4, and its operation is as shown in FIG. A, b, c, d, and e in FIG. 7 correspond to those in FIG. 6, and Tl, t2, t3, and t4 are MMl and M, respectively.
These are the time constants of M2, MM3, and MM4. (Effects of the Invention) As explained above, the embodiment has a light output control loop that operates at the minimum light emission time and a light output control loop that operates at the maximum light emission time, so the extinction ratio of the laser diode can be kept constant, and the light output control loop operates at the maximum light emission time. There is an advantage that the output can be stabilized and the amplitude of the photoelectrically converted pulse output can be stabilized at the same time.
本発明は温度対光出力の安定性の他に温度対光電変換さ
れたパルス振幅の安定性が良い(消光比が変動しない)
利点があり、光伝送装置のレーザ・ダイオード駆動回路
に利用することができる。In addition to the stability of temperature vs. optical output, the present invention has good stability of temperature vs. photoelectrically converted pulse amplitude (extinction ratio does not fluctuate).
It has advantages and can be used in laser diode drive circuits of optical transmission devices.
第1図は従来のレーザ・ダイオード光出力制御回路の系
統図、第2図および第3図は第1図の動作説明図、第4
図Aは本発明の実施例の系統図、第4図Bは第4図Af
)SPGの動作説明図、第5図は第4図Aの動作説明図
、第6図は第4図Aの具体的な回路図、第7図は第6図
のSPGの動作説明図である。
LDM・・・レーザ・ダイオード・マウント、LD・・
・レーザ・ダイオード、PD・・・フオト・ダイオード
、0PT,0UT・・・光出力、Ib,Ibl,Ib2
・・・バイアス電流、IP,IPl,IP2・・・パル
ス電流、A・・・光電変換出力増幅回路、Ab,Ap・
・・比較増幅回路、CCb,CCp・・・定電流回路、
SW・・・高速スイツチング回路、C,Cl,C2・・
・コンデンサ、Sin・・・変調信号入力、−E,−E
b・・・電源、P・・・光出力、PllnO,p2ma
x・・・最大光出力、Plmin,p2min・・・最
小光出力、Pave・・・平均光出力、Tl,T2・・
・レーザ・ダイオードの温度、I・・・レーザ・ダイオ
ード電流(Ib+Ip)、SHb,SHp・・・サンプ
ル・ホールド回路、SPG・・・パルス発生回路、RV
,RVb,RVp・・・可変抵抗器、Vb,Vp・・゜
基準電圧、Rl,R2,R3,R4,R5,R6,R7
,R8,R9・・・抵抗器、TRl,TR2,TR3,
TR4・・・トランジスタ、MMl,MM2,MM3,
MM4・・・単安定マルチ・パイプレータ、Tl9t2
9t39t4I″3MMLMM2PMM3,MM4のそ
れぞれ時定数。Figure 1 is a system diagram of a conventional laser diode optical output control circuit, Figures 2 and 3 are diagrams explaining the operation of Figure 1, and Figure 4
Figure A is a system diagram of an embodiment of the present invention, and Figure 4B is Figure 4Af.
) Figure 5 is a diagram explaining the operation of the SPG, Figure 5 is a diagram explaining the operation of Figure 4A, Figure 6 is a specific circuit diagram of Figure 4A, and Figure 7 is a diagram explaining the operation of the SPG in Figure 6. . LDM...Laser diode mount, LD...
・Laser diode, PD...photo diode, 0PT, 0UT...light output, Ib, Ibl, Ib2
...Bias current, IP, IPl, IP2...Pulse current, A...Photoelectric conversion output amplification circuit, Ab, Ap...
...Comparison amplifier circuit, CCb, CCp...constant current circuit,
SW...High speed switching circuit, C, Cl, C2...
・Capacitor, Sin...Modulation signal input, -E, -E
b...Power supply, P...Optical output, PllnO, p2ma
x...Maximum optical output, Plmin, p2min...Minimum optical output, Pave...Average optical output, Tl, T2...
・Laser diode temperature, I...Laser diode current (Ib+Ip), SHb, SHp...Sample and hold circuit, SPG...Pulse generation circuit, RV
, RVb, RVp...Variable resistor, Vb, Vp...゜Reference voltage, Rl, R2, R3, R4, R5, R6, R7
, R8, R9...Resistor, TRl, TR2, TR3,
TR4...transistor, MMl, MM2, MM3,
MM4...monostable multi-pipelator, Tl9t2
9t39t4I''3MMLMM2PMM3 and MM4 time constants.
Claims (1)
るレーザ・ダイオードパルス変調回路において、レーザ
・ダイオードLDの光出力OPT、OUTに比例した光
信号を受けて電気信号に変換する光電変換素子PDと、
光電変換出力最大の時の光電変換素子PDの出力をサン
プル・ホールドするサンプル・ホールド回路SHpと、
光電変換出力最小の時の光電変換素子PDの出力をサン
プル・ホールドするサンプル・ホールド回路SHbと、
変調入力信号Sinを受けて前記サンプル・ホールド回
路SHp、SHbにサンプル・パルスb、cを供給する
パルス発生回路SPGと、サンプル・ホールド回路SH
bの出力と基準電圧Vbとを比較増幅する回路Abと、
サンプル・ホールド回路SHpの出力と基準電圧Vpと
を比較増幅する回路Apと、比較増幅回路Abの出力に
比例したバイアス電流Ibをレーザ・ダイオードLDに
供給する第1の定電流回路CCbと、比較増幅回路Ap
の出力に比例した振幅の変調パルス電流Ipをレーザ・
ダイオードLDに供給する第2の定電流回路CCpおよ
び入力パルス信号Sinにより第2の定電流回路CCp
を制御する高速スイッチング回路SWとを有することを
特徴とするレーザ・ダイオード消光比制御回路。 2 高速スイッチング回路SWが差動式トランジスタス
イッチング回路を有し、第1および第2の定電流回路が
演算増幅器のトランジスタにより構成され、パルス発生
回路が2組の2段接続の単安定マルチバイブレータを有
し、光電変換素子がフォトダイオードであるごとき特許
請求の範囲第1項記載のレーザ・ダイオード消光比制御
回路。[Claims] 1. In a laser diode pulse modulation circuit that generates a laser beam corresponding to an input pulse signal Sin, an optical signal proportional to the optical outputs OPT and OUT of the laser diode LD is received and converted into an electrical signal. A photoelectric conversion element PD,
a sample and hold circuit SHp that samples and holds the output of the photoelectric conversion element PD when the photoelectric conversion output is maximum;
a sample and hold circuit SHb that samples and holds the output of the photoelectric conversion element PD when the photoelectric conversion output is minimum;
a pulse generation circuit SPG that receives a modulation input signal Sin and supplies sample pulses b and c to the sample and hold circuits SHp and SHb; and a sample and hold circuit SH
a circuit Ab that compares and amplifies the output of Vb and a reference voltage Vb;
A circuit Ap that compares and amplifies the output of the sample-and-hold circuit SHp and a reference voltage Vp, and a first constant current circuit CCb that supplies a bias current Ib proportional to the output of the comparison amplifier circuit Ab to the laser diode LD. Amplifier circuit Ap
A modulated pulse current Ip with an amplitude proportional to the output of the laser
The second constant current circuit CCp supplies the diode LD and the second constant current circuit CCp supplies the input pulse signal Sin.
1. A laser diode extinction ratio control circuit comprising: a high-speed switching circuit SW for controlling a laser diode extinction ratio control circuit. 2. The high-speed switching circuit SW has a differential transistor switching circuit, the first and second constant current circuits are composed of operational amplifier transistors, and the pulse generation circuit includes two sets of two-stage connected monostable multivibrators. A laser diode extinction ratio control circuit according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a photodiode.
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