JPS5924544B2 - Manufacturing method for chip carriers for integrated circuits - Google Patents
Manufacturing method for chip carriers for integrated circuitsInfo
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- JPS5924544B2 JPS5924544B2 JP55039297A JP3929780A JPS5924544B2 JP S5924544 B2 JPS5924544 B2 JP S5924544B2 JP 55039297 A JP55039297 A JP 55039297A JP 3929780 A JP3929780 A JP 3929780A JP S5924544 B2 JPS5924544 B2 JP S5924544B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路例えば半導体集積回路を構成した半
導体ペレットの多数の電極よりそれぞれ外部にリードを
引き出すための、フィンガーリードに相当する微細回路
およびそのフィンガーリードより外部電極までの所望の
パターンのリードフレームの肉厚を自由に選択してポリ
イミドフィルム等のテープの上に一枚の導電金属板より
構成し、1回の位置合わせで同時に多点接合し、寸法安
定性、コストダウン、リード強度および一体化による接
続の信頼性を著しく向上させると共に、自動化による工
程確立、安定に大きく寄与することを目的とする集積回
路用チップキャリアの製造法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a microcircuit corresponding to a finger lead for drawing out leads to the outside from a large number of electrodes of a semiconductor pellet constituting an integrated circuit, for example, a semiconductor integrated circuit, and an external electrode from the finger lead. By freely selecting the thickness of the lead frame with the desired pattern, it is constructed from a single conductive metal plate on top of a tape such as polyimide film, and is simultaneously bonded at multiple points with one alignment to ensure dimensional stability. This invention relates to a method for manufacturing a chip carrier for integrated circuits, which aims to significantly improve cost reduction, lead strength, and connection reliability through integration, as well as greatly contribute to process establishment and stability through automation.
第1図、第2図に示すように、耐薬品性、耐熱性を有し
、適度な弾性とフレキシビリテイを持つ例えば125μ
程度のポリイミドフィルム1に13μ程度の耐熱接着剤
2を塗布し、この耐熱接着剤2の表面に保護フィルム3
を貼付けて構成した、カバーレイを所定のスリット幅4
(一般的には35m7FI巾)に構成し、その後第3図
に示すように連続送り工程のガイドとなり、また、位置
合わせの基本となるスプロケット孔5、および半導体集
積回路チップ(以下ICチップと称する)を連続固定さ
せるためのデバイス孔6を化学的、機械的処理等の公知
の方法で形成し、さらにこの上に第4図に示すようにキ
ャリアテープ幅よりやや狭い幅(例えば21wml)の
銅箔(一般的には35μ厚)1を中央部に連続的に例え
ばロールプレス法などで貼り合わせる。As shown in Figures 1 and 2, for example, 125μ has chemical resistance, heat resistance, and appropriate elasticity and flexibility.
A heat-resistant adhesive 2 with a thickness of about 13 μm is applied to a polyimide film 1 of about
A coverlay composed of a predetermined slit width of 4
(generally 35m7 FI width), and then as shown in Fig. 3, there is a sprocket hole 5 that serves as a guide for the continuous feeding process and serves as the basis for positioning, and a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter referred to as an IC chip). ) is formed by a known method such as chemical or mechanical treatment to continuously fix the device holes 6, and further, as shown in FIG. A foil (generally 35 μm thick) 1 is laminated continuously at the center using, for example, a roll press method.
この際、防塵やBステージ形接着剤保護としてあらかじ
め耐熱接着剤2の上に施した保護フイルム3を銅箔7の
貼り合わせ前に除去する方法をとつて(・る。チツプキ
ヤリア法の最大の長所である連続送り工程において、自
動的にスプロケツト孔5の精度によつて1回で位置合わ
せをするための基本をなす、いわゆるスプロケツト孔5
の穿孔は、現在機械的処理が主流を占めているが、この
機械的処理における問題は第1図、第2図で明らかなよ
うにポリイミドフイルム1/耐熱性接着剤2/保護フイ
ルム3のような3層複合フイルムを形成しているため、
おのおのその粘弾性係数が異なり、穿孔に際しては複雑
な挙動を示すということである。At this time, a method is used in which the protective film 3 previously applied on the heat-resistant adhesive 2 is removed to prevent dust and protect the B-stage adhesive before bonding the copper foil 7. The greatest advantage of the chip carrier method is In the continuous feeding process, the so-called sprocket hole 5 is the basis for automatically aligning the sprocket hole 5 in one go based on the accuracy of the sprocket hole 5.
At present, mechanical processing is the mainstream method for perforation, but problems with this mechanical processing are clear in Figures 1 and 2. Because it forms a three-layer composite film,
Each material has a different viscoelastic coefficient, and exhibits complex behavior during drilling.
次に、第5図、第6図、第7図に示す所望の精密銅回路
パターンを、ホトレジスト技術、エツチング技術を用い
て形成する。この方式では第7図に示すようにデバイス
孔6内にフインガ一状のりード8を突出させるのが特徴
で、これによりICチツプ9をフエイスアツプで位置合
せしてボンデイングしている。銅箔7の厚みは35ミク
ロン(1オンス)が一般的であり、フインガーリード8
の先端部分では幅50ミクロンの設計もあり、仮に20
0ミクロンの線幅としても、小さな外力で変形しやすく
、曲げ、ひねりなどが生じやすい。また、工程としてレ
ジスト塗布、現像、エツチング、レジスト剥離、さらに
メツキ、ボンデイング等いろいろな条件下の作業を通過
し、また水洗、乾燥も頻繁に繰り返される。そのために
、ポリイミドフイルム1のキヤリアテープには温度、湿
度また諸工程の移動における張力等に対する寸法安定性
、特にスプロケツト孔5の寸法変化が問題になつてくる
。ICチツプ9をフインガーリード8にボンデイングす
るいわゆる、インナーリードボンデイングした後、実際
上の外部端子いわゆる、リードフレームとの接続、アウ
ターリードボンデイング工程へと移る。一般的にはチツ
プ9のアウターボンデイングには熱圧着法やハンダ溶接
法が用いられる。このアウターリードボンデイングもI
Cチツプ9の切離しからボンデイングまでテーブのスプ
ロケツト孔5を利用して送りや位置合わせが行われてい
る。このようにリードフレームは機械的強度を保持する
関係上ある程度の厚み(例えば250μ)が必要であり
、一方直接1Cチツプ9をボンデイングするフインガー
リード8は、エツチングにより構成する関係上、横方向
にエツチングが進行するサイドエツチングよりして、先
端部のピツチをより小さく構成するためには銅箔の厚み
が薄いことが要求され、この相反する条件を満たし、か
つ、一定厚の一枚の銅箔より構成するためには、フイン
ガーリード8のピツチに大きな制約が生じてくるため、
小さいピツチによる精密パターンの構成には、どうして
もリードフレームとフインガーリードとの機械的な接続
は避けられないものであつた。Next, the desired precision copper circuit patterns shown in FIGS. 5, 6, and 7 are formed using photoresist technology and etching technology. This system is characterized in that a finger-shaped lead 8 is projected into the device hole 6 as shown in FIG. 7, and thereby the IC chip 9 is aligned face-up and bonded. The thickness of the copper foil 7 is generally 35 microns (1 ounce), and the thickness of the finger lead 8 is
There is also a design with a width of 50 microns at the tip of the
Even with a line width of 0 microns, it is easily deformed by a small external force, and bending, twisting, etc. are likely to occur. In addition, the process includes resist coating, development, etching, resist peeling, plating, bonding, etc. under various conditions, and washing and drying are frequently repeated. For this reason, the carrier tape of the polyimide film 1 has problems in its dimensional stability against temperature, humidity, tension, etc. during movement during various processes, and in particular, dimensional changes in the sprocket holes 5. After bonding the IC chip 9 to the finger leads 8, ie, so-called inner lead bonding, the process moves on to an outer lead bonding process in which actual external terminals are connected to the so-called lead frame. Generally, a thermocompression bonding method or a solder welding method is used for outer bonding of the chip 9. This outer lead bonding is also I
From separation of the C chip 9 to bonding, feeding and positioning are performed using the sprocket hole 5 of the tape. In this way, the lead frame needs to have a certain thickness (for example, 250 μm) in order to maintain mechanical strength.On the other hand, the finger leads 8 to which the 1C chip 9 is directly bonded are formed by etching, so Compared to side etching, in which etching progresses, the thickness of the copper foil is required to be thinner in order to make the pitch at the tip smaller. In order to configure the structure further, there will be a big restriction on the pitch of the finger leads 8.
Mechanical connections between lead frames and finger leads are unavoidable in order to construct precision patterns with small pitches.
本発明は、上記のような従来の欠点を除去し、かつ各工
程において厳しい寸法精度を確保しうる集積回路用チツ
プキヤリアの製造法に関するものである。The present invention relates to a method for manufacturing a chip carrier for integrated circuits that eliminates the above-mentioned conventional drawbacks and ensures strict dimensional accuracy in each step.
以下、本発明によるチツプキヤリアの一実施例を先ず図
面第8図、第9図により説明する。An embodiment of the chip carrier according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 8 and 9.
本発明による電極リード10は、直接、ICチツプ11
とデイツプされるフインガーリード12と、リードフレ
ーム13が一体になつたものであり、またキヤリアの送
りや位置合わせを行なうスプロケツト孔14もリードフ
レーム13に形成されており、かつこのリードフレーム
13のデバイス孔に突出したフインガーリード12は肉
厚が薄く35ミクロンで構成し、また、リードフレーム
13の機械的強度を要求される部分は250ミクロンに
構成されている。そして、この一枚の250ミクロン厚
の銅板より形成した電極リード10には、デバイス孔お
よびリードフレーム13の外部端子になる部分、つまり
集積回路をパツケージングした場合にモールドされない
リード部分およびスプロケツト孔14部分を除いてポリ
イミドフイルム15が接着されている。第8図、第9図
の16は、上記銅箔の厚みが変わる段差部を示している
。上記した本発明によるチツプキヤリアは以下述べる製
造方法によつて構成するものである。The electrode lead 10 according to the present invention is directly connected to the IC chip 11.
The finger lead 12 that is dropped and the lead frame 13 are integrated, and a sprocket hole 14 for feeding and positioning the carrier is also formed in the lead frame 13. The finger lead 12 protruding into the device hole has a thin wall thickness of 35 microns, and the portion of the lead frame 13 that requires mechanical strength has a thickness of 250 microns. The electrode lead 10 formed from a single 250 micron thick copper plate has a device hole and a portion that will become an external terminal of the lead frame 13, that is, a lead portion that will not be molded when the integrated circuit is packaged, and a sprocket hole 14. A polyimide film 15 is adhered except for the portion. Reference numeral 16 in FIGS. 8 and 9 indicates a stepped portion where the thickness of the copper foil changes. The chip carrier according to the present invention described above is constructed by the manufacturing method described below.
以下これをその工程順に第10図〜第16図について述
べる。なお第16図における工程断面図は、第11図の
X−X/線と対応した位置において切断して示した一部
の拡大断面図である。先ず、第10図に示すように一枚
の金属板ロール、すなわち、最終的に外部リード端子と
なるべき例えば250ミクロンの銅板17を所望のチツ
プキヤリア幅例えば35mの幅で用意する。This will be described below in the order of the steps with reference to FIGS. 10 to 16. Note that the process sectional view in FIG. 16 is a partially enlarged sectional view taken at a position corresponding to the line XX/ in FIG. 11. First, as shown in FIG. 10, a metal plate roll, that is, a copper plate 17 of, for example, 250 microns, which will eventually become an external lead terminal, is prepared with a desired chip carrier width, for example, 35 m.
その後、第11図に示すような所望のリードパターンお
よび同時にスプロケツト孔14を構成するネガパターン
のエツチングレジスト18を公知の方法により形成し、
その後、エツチングレジストを施した面より第1エツチ
ングを行ない、第12図のように一枚の銅板17より所
望のパターンを浮き上がらせるように構成する。このエ
ツチングは最終製品において肉厚を薄くしたいと所望し
たい厚み分、例えば、デバイス孔に突出してICチツプ
11とするボンデイングするフインガーリード12の厚
み分35ミクロンの深さだけエツチングを行なう。Thereafter, a desired lead pattern as shown in FIG. 11 and a negative pattern of etching resist 18 constituting the sprocket hole 14 at the same time are formed by a known method.
Thereafter, first etching is performed on the surface coated with the etching resist, so that a desired pattern is raised from the single copper plate 17 as shown in FIG. This etching is performed by a desired thickness in the final product, for example, a depth of 35 microns corresponding to the thickness of the finger leads 12 which protrude into the device hole and are bonded to the IC chip 11.
その後、第13図に示すようにポリイミドフイルム15
に耐熱接着剤を塗布し、さらに、保護フイルムを施した
いわゆるカバーレイに予めスプロケツト孔14、デバイ
ス孔19およびリードフレーム13における最終製品と
してパツケージングした後に露出する外部端子用孔20
を設けておき、このカバーレイを第1エツチングした銅
板17上に保護フイルムを除去後、位置合わせして連続
的に接着する。Thereafter, as shown in FIG.
The sprocket hole 14, the device hole 19, and the external terminal hole 20 exposed after being packaged as a final product in the lead frame 13 are coated with a heat-resistant adhesive and a protective film is applied to the so-called coverlay.
After removing the protective film, this coverlay is aligned and continuously adhered onto the first etched copper plate 17.
このポリイミドフイルム15のカバーレイにおける穿孔
精度は、工程上明らかなように特に厳しい精度は必要と
しない。As is clear from the process, the perforation accuracy in the coverlay of the polyimide film 15 does not require particularly strict accuracy.
つまり、このチツプキヤリアのスプロケツト孔14は銅
板17のリードフレーム13との同時エツチングにより
構成されポリイミドフイルム15はいわゆるリードフレ
ーム13の保持、固定等の役割りが主でありチツプキヤ
リアの位置合わせには寄与していない。そのため、むし
ろポリイミドフイルム15のカバーレイのスプロケツト
孔14は銅板17により形成した本来のスプロケツト孔
14にはみ出さないよう、充分大きな孔を形成してもよ
いわけである。In other words, the sprocket hole 14 of this chip carrier is formed by simultaneously etching the copper plate 17 with the lead frame 13, and the polyimide film 15 mainly plays the role of holding and fixing the lead frame 13, and does not contribute to the alignment of the chip carrier. Not yet. Therefore, the sprocket hole 14 of the coverlay of the polyimide film 15 may be formed sufficiently large so that it does not protrude into the original sprocket hole 14 formed by the copper plate 17.
次に第14図に示すように、厚みを必要とするパターン
のみのエツチングレジストパターン21を上記銅板17
の表出面側に形成し、その後、レジスト形成側より第2
エツチングを行ない、第12図で形成した第1エツチン
グパターンが第15図に示すように現われるまでエツチ
ングしていく。Next, as shown in FIG. 14, an etching resist pattern 21 is formed on the copper plate 17, which is only a pattern that requires thickness.
is formed on the exposed surface side of the resist, and then a second resist is formed from the resist forming side.
Etching is continued until the first etching pattern formed in FIG. 12 appears as shown in FIG. 15.
つまり、この場合250−35:215μのエツチング
をすることになる。この場合215μものエツチングを
エツチングレジスト21を介して一方向からのみ行つて
いるため、横方向からのエツチング、いわゆるサイドエ
ツチングの影響を考慮しなければならないとともに、微
細パターンは肉厚を薄くすることにより構成する。第1
6図A−Gは上記工程の断面を順番に示したものである
。以上のように本発明による集積回路用チツプキヤリア
の製造法によれば、フインガーリードおよびリードフレ
ームが同時に一枚の銅板より構成され、かつ同時にスプ
ロケツト孔も同様にエツチングにより形成されるために
、フインガーリードとフインガーフレームのアウターボ
ンデイング等の工程/)稍1減されるとともに、スプロ
ケツト孔とパターンとの位置精度は確実なものになり、
従来法による位置合わせは不用になり、かつポリイミド
カバーレイのスプロケツト孔の精度についても要求され
ないため、工程管理、工数の大幅な削減になりうる。That is, in this case, etching is performed at 250-35:215μ. In this case, etching of 215 μm is performed only from one direction through the etching resist 21, so the influence of etching from the lateral direction, so-called side etching, must be taken into account. Configure. 1st
6A to 6G sequentially show cross sections of the above steps. As described above, according to the method of manufacturing a chip carrier for an integrated circuit according to the present invention, the finger leads and the lead frame are simultaneously constructed from a single copper plate, and the sprocket holes are also formed by etching. Processes such as outer bonding of the finger lead and finger frame are slightly reduced by 1, and the positional accuracy of the sprocket hole and pattern is ensured.
Positioning using conventional methods is no longer required, and the accuracy of the sprocket holes in the polyimide coverlay is not required, resulting in a significant reduction in process control and man-hours.
また、エツチングによりリードパターンの肉厚を自由に
選択できるため、機械的保持が必要な部分は厚くでき、
そのため思いきつた薄肉の微細パターンの形成ができる
。In addition, since the thickness of the lead pattern can be freely selected by etching, parts that require mechanical support can be made thicker.
Therefore, it is possible to form thin, fine patterns that you can imagine.
これは微細パターンの実際にデバイス孔に突出してチツ
プとボンデイングするフインガーリードパターン以外は
ポリイミドで保持固定されているとどもに、肉厚の厚い
リード部が充分機械的強度を保つているためである。さ
らに、第16図Gのようにチツプ11をインナーボンデ
イングした後、そのボンデイング側からも上述と同様の
接着剤付きポリイミドフイルム22を所望部分以外は穿
孔して、このキヤリアに接着して、いわゆる銅箔パター
ンを接着剤付ポリイミドフイルムでサンドイツチする構
造をとることによりチツプの完全な保護になると同時に
、その後のパツケージング工程においても非常に利点が
多くなる。この際、チツプボンデイング後チツプを包み
こむようにポリイミドフイルムを接着するよう構成する
ため、もちろんデバイス孔の穿孔は不用となる。This is because the fine pattern, except for the finger lead pattern that actually protrudes into the device hole and is bonded to the chip, is held and fixed by polyimide, but the thick lead part maintains sufficient mechanical strength. be. Furthermore, after inner bonding the chip 11 as shown in FIG. By sandwiching the foil pattern with adhesive-coated polyimide film, the chip is completely protected and at the same time has many advantages in the subsequent packaging process. At this time, since the polyimide film is adhered so as to wrap around the chip after chip bonding, it is of course unnecessary to drill device holes.
第1図は従来の集積回路用チツプキヤリアの製造法にお
けるキヤリアフイルムの素材の斜視図、第2図は同断面
図、第3図は同フイルムに加工を施した状態の上面図、
第4図は同フイルムに銅箔を貼付けた状態の上面図、第
5図は銅箔を加工した伏態の上面図、第6図は同A−A
′断面図、第7図は同従来の方法で得たチツプキヤリア
の使用例を示す上面図、第8図は本発明の集積回路用チ
ツプキヤリアの製造法により得たチツプキヤリアの使用
例を示す上面図、第9図は同第8図のA−A/断面図、
第10図〜第15図は同製造法の一実施例による各工程
の斜視図、第16図A−Gは同断面図である。
10・・・・・・電極リード、11・・・・・・Cチツ
プ、12・・・・・・フインガーリード、13・・・・
・・リードフレーム、14・・・・・・スプロケツト孔
、15・・・・・・フイルム、17・・・・・・銅板、
18・・・・・・エツチングレジスト、19・・・・・
・デバイス孔、20・・・・・・外部端子用孔、21・
・・・・・エツチングレジスト。Fig. 1 is a perspective view of the carrier film material used in the conventional manufacturing method for chip carriers for integrated circuits, Fig. 2 is a cross-sectional view of the same, and Fig. 3 is a top view of the same film after processing.
Figure 4 is a top view of the same film with copper foil pasted on it, Figure 5 is a top view of the processed copper foil and Figure 6 is A-A of the same film.
7 is a top view showing an example of use of a chip carrier obtained by the conventional method, and FIG. 8 is a top view showing an example of use of a chip carrier obtained by the method of manufacturing a chip carrier for integrated circuits of the present invention. Figure 9 is a sectional view taken along line A-A in Figure 8;
10 to 15 are perspective views of each process according to an embodiment of the same manufacturing method, and FIGS. 16A to 16G are sectional views of the same. 10... Electrode lead, 11... C chip, 12... Finger lead, 13...
... Lead frame, 14 ... Sprocket hole, 15 ... Film, 17 ... Copper plate,
18... Etching resist, 19...
・Device hole, 20...External terminal hole, 21・
...Etching resist.
Claims (1)
を、一枚の導電金属板の一方から一定厚エッチングする
ことにより浮き上がるように加工し、その後予め所定の
位置に透孔や切り欠きを設けておいた絶縁フィルムを導
電金属板のパターン形成側に接着し、その後導電金属板
の他方の面に、前記絶縁フィルム接着側に形成した所望
パターンに対応すべく、かつそのパターンのうち肉厚を
必要とする部分のみにエッチングレジストを施こして、
このエッチングレジスト側からのみエッチングを行い、
所望リードパターンが完全に独立して形成される深さま
で行い、所望パターンを得ることを特徴とした集積回路
用チップキャリアの製造法。 2 所望リードパターンとして完成品としての集積回路
の外部接続端子部をも同時に一枚の導電金属板のエッチ
ングにより構成することを特徴とした特許請求の範囲第
1項記載の集積回路用チップキャリアの製造法。 3 チップキャリアの位置決めおよび一定間隔の送り用
ガイド孔を同時に一枚の導電金属板のエッチングにより
構成することを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の
集積回路用チップキャリアの製造法。[Claims] 1. A desired lead pattern for connection with an integrated circuit chip is etched to a certain thickness from one side of a conductive metal plate so as to be raised, and then a through hole or a hole is formed at a predetermined position in advance. An insulating film with cutouts is adhered to the pattern-forming side of the conductive metal plate, and then a pattern is placed on the other side of the conductive metal plate to correspond to the desired pattern formed on the insulating film adhesion side, and to correspond to that pattern. Applying etching resist only to the parts that require thicker walls,
Etching is performed only from this etching resist side,
A method for manufacturing a chip carrier for an integrated circuit, characterized in that the desired pattern is obtained by performing the process to a depth where the desired lead pattern is formed completely independently. 2. The chip carrier for an integrated circuit according to claim 1, wherein the external connection terminal portion of the integrated circuit as a completed product is simultaneously formed as a desired lead pattern by etching a single conductive metal plate. Manufacturing method. 3. The method of manufacturing a chip carrier for an integrated circuit according to claim 1, wherein guide holes for positioning the chip carrier and for feeding the chip carrier at constant intervals are formed simultaneously by etching a single conductive metal plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55039297A JPS5924544B2 (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Manufacturing method for chip carriers for integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55039297A JPS5924544B2 (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Manufacturing method for chip carriers for integrated circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56134742A JPS56134742A (en) | 1981-10-21 |
| JPS5924544B2 true JPS5924544B2 (en) | 1984-06-09 |
Family
ID=12549197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55039297A Expired JPS5924544B2 (en) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | Manufacturing method for chip carriers for integrated circuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924544B2 (en) |
-
1980
- 1980-03-26 JP JP55039297A patent/JPS5924544B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56134742A (en) | 1981-10-21 |
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