JPS5927031B2 - magnetic bubble storage device - Google Patents
magnetic bubble storage deviceInfo
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- JPS5927031B2 JPS5927031B2 JP9064679A JP9064679A JPS5927031B2 JP S5927031 B2 JPS5927031 B2 JP S5927031B2 JP 9064679 A JP9064679 A JP 9064679A JP 9064679 A JP9064679 A JP 9064679A JP S5927031 B2 JPS5927031 B2 JP S5927031B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶装置に関するものであり、更に
詳しくはメジヤーマイナー構成の磁気バブル記憶装置に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble storage device, and more particularly to a magnetic bubble storage device having a major-minor configuration.
半導体集積回路技術をはじめとする電子技術の著しい発
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速化さ
れている。BACKGROUND OF THE INVENTION Supported by the remarkable development of electronic technology including semiconductor integrated circuit technology, electronic computers are rapidly becoming smaller and faster.
また、その信頼度も回路素子のソリッドステート化によ
つて著しく向上している。Furthermore, the reliability has been significantly improved by making the circuit elements solid-state.
さらに、電子計算機の利用が進むにつれて記憶装置の記
憶容量も年々増加の一途を辿つており、記憶に対する単
価の低減とアクセス時間の短縮が強く要望されている。
大容量の情報を確実に記憶保持するためには信頼度の高
い不揮発生の大容量メモリ装置が必要であるが、揮発生
の半導体メモリをもつて実現することは不可能であり、
また、不揮発生ながらも磁気テープ装置、磁気ディスク
装置などは可動部分を有するという致命的な欠陥を有し
ており、これも信頼度の面でニーズに適合したメモリ装
置と言い難い。Furthermore, as the use of electronic computers progresses, the storage capacity of storage devices continues to increase year by year, and there is a strong demand for lower unit costs and shorter access times for storage.
In order to reliably store and retain large amounts of information, a highly reliable non-volatile large-capacity memory device is required, but this is impossible to achieve with volatile semiconductor memory.
Furthermore, although non-volatile, magnetic tape devices and magnetic disk devices have a fatal flaw in that they have moving parts, and it is difficult to say that these are memory devices that meet needs in terms of reliability.
以上のような技術的背景に鑑みて発明されたのが磁気バ
ブルである。Magnetic bubbles were invented in view of the above technical background.
一軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
イト等の磁性薄板に垂直に適当な大きさのバイアス磁界
を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生する。When a bias magnetic field of an appropriate magnitude is applied perpendicularly to a magnetic thin plate such as garnet or orthoferrite having uniaxial magnetic anisotropy, a cylindrical magnetic domain, a so-called magnetic bubble, is generated.
この磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行
う磁気バブル利用装置は、不揮発生であること、全固体
素子であること、大容量化が可能であること、比較的高
速であること等の理由からこれらの特性を生かした分野
においてその実用化が急速に進められている。A magnetic bubble utilization device that uses these magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. must be non-volatile, be an all-solid-state element, have a large capacity, and be relatively fast. For these reasons, its practical application is rapidly progressing in fields that take advantage of these characteristics.
この磁気バブル利用装置においては、磁気バブルの発生
、転送、分割、拡大、検出、消去等の各種機能が必要と
される。This magnetic bubble utilization device requires various functions such as generating, transferring, dividing, enlarging, detecting, and erasing magnetic bubbles.
さらにはまた磁気バブルを磁性導板内において安定に存
在させるためのバイアス磁界印加手段、磁気バブルを磁
性導板内において磁性導板上に形成された磁性体パター
ンの基に移動させるための回転磁界印加手段を必要とす
る。第1図に磁気バブル利用装置に使用される磁気バブ
ルチツプの代表的な構成例を示す。Furthermore, there is also a bias magnetic field applying means for making the magnetic bubbles stably exist within the magnetic conductive plate, and a rotating magnetic field for moving the magnetic bubbles within the magnetic conductive plate to the base of the magnetic material pattern formed on the magnetic conductive plate. Requires application means. FIG. 1 shows a typical configuration example of a magnetic bubble chip used in a magnetic bubble utilization device.
図示された構成は所謂メジャ一、マイナーループ構成と
称されるもので、図中1はメジヤーループ、2はマイナ
ーループ、3は検出器、4は発光器、5は複製器、6は
消滅器、7はトランスフアゲートを夫々示している。The illustrated configuration is a so-called major and minor loop configuration, and in the figure, 1 is a major loop, 2 is a minor loop, 3 is a detector, 4 is a light emitter, 5 is a replicator, 6 is an annihilator, 7 respectively indicate transfer gates.
尚、図において実線は磁気バブル磁性導板上に形成され
たパーマロイパターンによる磁気バブル転送路、破線は
同じく薄板上に形成された金等からなる導体パターンで
ある。In the figure, the solid line represents a magnetic bubble transfer path formed by a permalloy pattern formed on a magnetic conductive plate, and the broken line represents a conductive pattern made of gold or the like formed on a thin plate.
動作は次のようにして行なわれる。The operation is performed as follows.
先ず書込むべき情報に応じて発生器4を構成する導体パ
ターンのループ内にバイアス磁界を実効的に弱める方向
に電流を供給して該ループ内に磁気バブルを発生させる
。First, in accordance with the information to be written, a current is supplied within the loop of the conductive pattern constituting the generator 4 in a direction that effectively weakens the bias magnetic field to generate a magnetic bubble within the loop.
発生した磁気バブルは、磁性薄板の面内方向において回
転する駆動磁界によりメジャーループ1上を転送され各
マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば1
ワード分)整列される。このときトランスフアゲート7
を構成する導体パターンに電流を供給してメジヤールー
プ1上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送り込
む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブルは
駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回しはじめ情報
の格納が終了する。次に情報の読出しは読出すべき各マ
イナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲート
7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに通電
してメジヤーループ1上へ転送する。メジャーループ上
に転送された磁気バブル列は駆動磁界により順次転送さ
れて複製器5VC至る。複製器5では到来する磁気バブ
ルを2個に分割し、1個をパーマロイパターンに沿つて
検出器3へ、他の1個をメジヤーループ1を介して再び
マイナーループへ送り出す。検出器3は順次到来する磁
気バブルを検出効率を上げるために拡大し、例えばこれ
が到来したことによる磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧の変化として読出す。尚、読出した後、その情報を消
去し新たな別の情報を書込む場合は、分割後の磁気バブ
ルをメジャーループ上の消滅器6によつて消去するとと
もに新たな別の情報を発生器4により書込む。第2図は
第1図に示す実施例を改良した磁気バブル記憶装置を示
す。The generated magnetic bubble is transferred over the major loop 1 by the driving magnetic field rotating in the in-plane direction of the magnetic thin plate, and one piece of information (for example, one piece of information) is transferred to the opposing position of each minor loop 2.
words) are sorted. At this time, transfer gate 7
A current is supplied to the conductor pattern constituting the magnetic bubble group on the major loop 1 into each minor loop 2. The magnetic bubbles sent into each minor loop 2 begin to circulate within the minor loop 2 due to the driving magnetic field, and storage of information is completed. Next, information is read out when the magnetic bubble group in each minor loop 2 to be read reaches a position facing the transfer gate 7, and the conductor pattern is energized to transfer the information onto the major loop 1. The magnetic bubble array transferred onto the major loop is sequentially transferred by the driving magnetic field and reaches the replicator 5VC. The replicator 5 divides the incoming magnetic bubble into two, sends one bubble along the permalloy pattern to the detector 3, and the other via the major loop 1 to the minor loop again. The detector 3 magnifies the magnetic bubbles that arrive one after another in order to increase the detection efficiency, and reads out, for example, a change in magnetoresistance of the magnetoresistive element due to the arrival of the bubbles as a change in voltage. If you want to erase the information and write new information after reading, the divided magnetic bubbles are erased by the annihilator 6 on the major loop and the new information is written to the generator 4. Write by. FIG. 2 shows a magnetic bubble storage device that is an improvement on the embodiment shown in FIG.
本実施例は第1図図示の実施例に対して書き換えが容易
で且つアクセスタイムの短縮された、磁気バブル記憶装
置である。This embodiment is a magnetic bubble storage device that is easier to rewrite and has a shorter access time than the embodiment shown in FIG.
図において、11はメジャ一転送路、12はマイナール
ープ、13は検出器、14は発生器、15はレプリケー
ト/トランスフアゲート、16は消去器、17はゲート
15に電流を供給するとともにゲート15の一部を構成
する導体パターン、18はトランスフアゲート、19は
トランスフアゲートに電流を供給するとともにトランス
フアゲート18の一部を構成する導体パターン、20は
ガードレールである。In the figure, 11 is a major transfer path, 12 is a minor loop, 13 is a detector, 14 is a generator, 15 is a replicate/transfer gate, 16 is an eraser, and 17 is a circuit that supplies current to the gate 15 and also controls the gate 15. A conductor pattern 18 constitutes a part of the transfer gate, 19 a conductor pattern that supplies current to the transfer gate and constitutes a part of the transfer gate 18, and 20 a guardrail.
図中ゲート15は、一般にレプリケート/トランスフア
ゲートと称せられるもので、その拡大図を第3図aに示
す。Gate 15 in the figure is generally referred to as a replicate/transfer gate, and an enlarged view thereof is shown in FIG. 3a.
また、図中トランスフアゲート18の拡大図を第3図b
に示す。In addition, an enlarged view of the transfer gate 18 in the figure is shown in Figure 3b.
Shown below.
動作は次のようにして行なわれる。The operation is performed as follows.
先ず書き込み動作は、書込むべき情報に応じて発生器1
4を構成する導体パターンのループ内にバイアス磁界を
実効的に弱める方向に通電を行ない、該ループ内にバブ
ルを発生させる。First, a write operation is performed by the generator 1 according to the information to be written.
Electricity is applied in a direction that effectively weakens the bias magnetic field within the loop of the conductive pattern constituting the conductor pattern 4, thereby generating a bubble within the loop.
発生したバブルは、磁性薄板の面内方向において回転す
る駆動磁界により順次第1のメジャ一転送路111上に
転送され、各マイナーループ12の対向する位置に1情
報分整列される。ここで導体パターン19に通電してト
ランスフアゲート18を作動させ、メジャ一転送路11
−1上にあるバブル群を各マィナーループ12内へ送り
込む。各マイナーループ12内へ送り込まれた磁気バブ
ルは駆動磁界によりマイナーループ12内を巡回しはじ
め情報の格納が終了する。情報の読出しは、読出すべき
各マイナーループ12内のバブル群がトランスフアゲー
ト18側と反対側の位置に配置されたゲート15に対向
する位置に到来した時点である位相期間、所定のタイミ
ングで導体パターン17に通電して、各バブルを2個に
分割し一方のバブルをマイナーループ12側へ再び戻す
一方、他方のバブルを第2のメジャ一転送路11−2上
に転送する。The generated bubbles are sequentially transferred onto the first major transfer path 111 by a driving magnetic field rotating in the in-plane direction of the magnetic thin plate, and are aligned by one piece of information at opposing positions of each minor loop 12. Here, the conductor pattern 19 is energized to operate the transfer gate 18, and the major transfer path 11
The bubble group on -1 is sent into each minor loop 12. The magnetic bubbles sent into each minor loop 12 begin to circulate within the minor loop 12 due to the driving magnetic field, and storage of information is completed. The information is read out when the bubble group in each minor loop 12 to be read reaches a position opposite to the gate 15 located on the opposite side to the transfer gate 18 side. The pattern 17 is energized, each bubble is divided into two, and one bubble is returned to the minor loop 12 side, while the other bubble is transferred onto the second major transfer path 11-2.
第2のメジヤ一転送路11−2上に転送されたバブル列
は駆動磁界により順次転送されて検出器13に至る。検
出器13は第1図に示す実施例と同様に順次到来するバ
ブルを拡大し、例えば磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧変化として読出す。読出された後のバブルは消去器1
6に送られ消滅する。The bubble train transferred onto the second medium transfer path 11-2 is sequentially transferred by the driving magnetic field and reaches the detector 13. Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the detector 13 magnifies the bubbles that arrive one after another and reads out, for example, a change in magnetoresistance of a magnetoresistive element as a change in voltage. The bubble after being read is eraser 1
6 and disappears.
ゲート15は第3図aに示されるように、例えばハーフ
デイスクパターンと称されるパーマロイパターンと金等
の導体パターンとより構成される。図中の番号は全て第
2図に対応して付してある。尚、こXに示すゲートは既
に公知であり、こXでは詳しい動作説明を省略するが、
必要があればP.I.BOny′HardandJ.L
.Smith:1976MMM−1ntermagJ0
intC0nf11A−3(1976)を参照されたい
。As shown in FIG. 3a, the gate 15 is composed of, for example, a permalloy pattern called a half-disk pattern and a conductor pattern made of gold or the like. All numbers in the figure correspond to those in FIG. 2. Note that the gate shown in X is already publicly known, and a detailed explanation of its operation will be omitted here.
P. if necessary. I. BOny'HardandJ. L
.. Smith: 1976MMM-1ntermagJ0
See intC0nf11A-3 (1976).
また情報を書換える場合は、先ず各マイナーループ12
上の書換えるべきアドレスに保持されたバブル群がゲー
ト15に到来した時点で分割動作時とは異なる位相およ
びタイミングで導体パターン17に通電して各ゲート1
5を機能させ、バブル群を第2のメジャ一転送路11−
2上に転送する。Also, when rewriting information, first write each minor loop 12
When the bubble group held at the above address to be rewritten arrives at the gate 15, the conductor pattern 17 is energized with a phase and timing different from that during the division operation, and each gate 1
5 to function, and the bubble group is transferred to the second major transfer path 11-
Transfer on 2.
このときゲート15はレプリケート動作を行なわず、ト
ランスフア動作を行なう。第2のメジャ一転送路11−
2上に転送された旧情報であるバブル群は検出器13を
介して消去器16へ送られ順次消去される。At this time, the gate 15 does not perform a replicate operation, but performs a transfer operation. Second major transfer path 11-
The bubble group, which is the old information transferred onto 2, is sent to the eraser 16 via the detector 13 and is sequentially erased.
勿論消去器を用いる代わりにそのまk不要となつたバブ
ル群を図示されざるガードレールに送り出すことも可能
である。一方、バブル群の抜かれた各マイナーループの
空き番地は順次回転磁界によつて移動し、トランスフア
ゲート18に対応する位置まで転送される。Of course, instead of using the eraser, it is also possible to directly send out the bubble group that is no longer needed to a guardrail (not shown). On the other hand, the vacant addresses of each minor loop from which the bubble group has been removed are sequentially moved by the rotating magnetic field and transferred to the position corresponding to the transfer gate 18.
こkで導体パターン19に電流を供給してトランスフア
ゲート18を機能させる。このとき、第1のメジヤ一転
送路11−1上には書き込むべき別の新しいバブル群が
整列しており、導体パターン19への通電により上記各
マイナーループ上の空き番地上に第1のメジャ一転送路
11−1上の新情報が入り込み、書換え動作が完了する
。At this point, current is supplied to the conductor pattern 19 to cause the transfer gate 18 to function. At this time, another new group of bubbles to be written is lined up on the first major transfer path 11-1, and by energizing the conductor pattern 19, the first major bubble is written at the vacant address on each minor loop. New information on one transfer path 11-1 enters, and the rewriting operation is completed.
トランスフアゲート18をハーフデイスクパターンを用
いて構成した実施例を第3図bに示す。An embodiment in which the transfer gate 18 is constructed using a half disk pattern is shown in FIG. 3b.
この種のゲートも本出願前に既に公知のものであり、そ
の動作については省略する。さて、この実施例によれば
第1図に示す実施例に他転して平均アクセスタイムが短
い。This type of gate was already known before this application, and its operation will be omitted. Now, according to this embodiment, the average access time is shorter than the embodiment shown in FIG.
すなわちマイナーループ12に格納されたバブルはマイ
ナーループ12を半周した段階でゲート15を介して検
出器に接続されたメジヤ一転送路11−2へ到達するこ
とができるため、書込まれた情報はマイナーループを最
小限1周する必要がある第1図の構成に比して短かい時
間で読出し可能となる。しかしながら以上に述べた第1
図、第2図に示す構成は、導体パターン数が少なくとも
2本必要である。また導体パターン数が多いため、磁性
体パターンとの位置合せが難かしく、従つて歩留りが低
い。さらにはまたこれらの導体パターンの駆動タイミン
グ等の制御が複雑とならざるを得ない。In other words, the bubble stored in the minor loop 12 can reach the medium-transfer path 11-2 connected to the detector via the gate 15 after going half way around the minor loop 12, so the written information is Reading can be performed in a shorter time than in the configuration shown in FIG. 1, which requires at least one minor loop. However, the first
The configuration shown in FIGS. 2 and 2 requires at least two conductor patterns. Furthermore, since there are a large number of conductor patterns, it is difficult to align them with the magnetic patterns, resulting in a low yield. Furthermore, control of the drive timing of these conductor patterns, etc., cannot help but become complicated.
また、これらの実施例によれば、停電等の不慮の電源断
障害に対して非常に弱い。すなわち、情報書換えの際、
必ず新情報に先がけて旧情報の消去操作が行なわれ、然
る後に新情報の書込みが行なわれるが、その間電源障害
が発生すると消去すべき情報内容、消去すべき、すなわ
ち書換えるべき番地を監視するカウンタ等の周辺回路の
内容が消失してしまうため空き番地へ新情報を送り込む
制御の秩序を正常に維持することができない。尚、停電
対策として第3図cに示す如き変換器も既に発表され公
知である。すなわち第2図図示の実施例のトランスフア
ゲート18の位置に第3図cに示す交換器を配置するこ
とで上述の問題、つまり旧情報と新情報の交換時期の管
理の問題は一応解消することができる。しかしながら交
換器を配置したところで依然として導体パターンは減少
しない。Furthermore, these embodiments are extremely vulnerable to unexpected power failures such as power outages. In other words, when rewriting information,
Old information is always erased before new information is written, and new information is written after that, but if a power failure occurs during this time, the information content to be erased and the address to be erased, that is, to be rewritten, are monitored. Since the contents of peripheral circuits such as counters are lost, the control order for sending new information to vacant addresses cannot be maintained normally. Incidentally, as a countermeasure against power outage, a converter as shown in FIG. 3c has already been announced and is well known. That is, by arranging the exchanger shown in FIG. 3c in the position of the transfer gate 18 of the embodiment shown in FIG. 2, the above-mentioned problem, that is, the problem of managing the exchange timing of old information and new information, can be solved to a certain extent. I can do it. However, even with the exchanger placed, the conductor pattern still does not decrease.
本発明は叙上の欠点に鑑みなされたもので、その目的と
するところは、導体パターン数の少ない磁気バブル記憶
装置を実現することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and its object is to realize a magnetic bubble storage device with a small number of conductor patterns.
本発明の他の目的は、端子数が少なくて済む磁気バブル
記憶装置を得ることにある。本発明の他の目的は、製造
上パターン位置合せが容易で、従つて歩留りの高いパタ
ーン構造を有する磁気バブル記憶装置を得ることにある
。Another object of the present invention is to obtain a magnetic bubble storage device that requires fewer terminals. Another object of the present invention is to obtain a magnetic bubble memory device having a pattern structure in which pattern alignment is easy during manufacturing and, therefore, yield is high.
さらに本発明の他の目的は、制御が容易で情報書換えの
際も消去操作を必要としない磁気バブル記憶装置を実現
することにある。さらにまた本発明の他の目的は、停電
等の電源断に対しても誤動作の確率が極めて少ない磁気
バブル記憶装置を実現することにある。Still another object of the present invention is to realize a magnetic bubble storage device that is easy to control and does not require erasing operations when rewriting information. Still another object of the present invention is to realize a magnetic bubble storage device that has an extremely low probability of malfunction even in the event of a power outage such as a power outage.
本発明の目的は、磁気バブル発生器と磁気バブル検出器
とを有してなる1個のメジヤ一転送路と、該メジヤ一転
送路にその一端が接続され磁気バブルを保持、蓄積する
複数のマイナーループとを具備してなるメジヤ一・マイ
ナ一構成の磁気バブル記憶装置において、該メジヤ一転
送路とマイナーループの接続領域に、一本のヘアピン状
導体パターンを備えて形成される磁気バブル分割交換回
路を設け、該導体パターンに駆動磁界1周期に渡る平坦
状の長パルスからなる交換動作パルスと段差状の短パル
スからなる分割動作用パルスを通電し、磁気バブルの書
込み、読出し、および書換えを前記磁気バブル分割交換
回路にて行うことを特徴とする磁気バブル記憶装置の提
供によつて達成できる。The object of the present invention is to provide one medium transfer path having a magnetic bubble generator and a magnetic bubble detector, and a plurality of medium transfer paths each having one end connected to the medium transfer path for holding and accumulating magnetic bubbles. In a magnetic bubble storage device having one major and one minor loop, the magnetic bubble is divided by forming a single hairpin-shaped conductor pattern in a connection area between the major transfer path and the minor loop. An exchange circuit is provided, and an exchange operation pulse consisting of a long flat pulse over one cycle of the driving magnetic field and a division operation pulse consisting of a step-like short pulse are energized to write, read, and rewrite the magnetic bubble. This can be achieved by providing a magnetic bubble storage device characterized in that the magnetic bubble division and exchange circuit performs the following.
以下本発明を図面を用いて説明する。The present invention will be explained below using the drawings.
第4図は本発明にかXる磁気バブル記憶装置の一実施例
である。FIG. 4 shows an embodiment of a magnetic bubble storage device according to the present invention.
図において、31はメジャ一転送路、32はマイナール
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路、36は導体パターンである。In the figure, 31 is a major transfer path, 32 is a minor loop, 33 is a detector, 34 is a generator, 35 is a division exchange circuit, and 36 is a conductor pattern.
本実施例の転送制御導体パターンは図から判るように、
マイナーループ32とメジヤ一転送路31間に配置され
た分割交換回路35のみで構成される。分割交換回路3
5の拡大されたパターン構成図を第5図に示す。As can be seen from the figure, the transfer control conductor pattern of this example is as follows:
It is composed only of a division switching circuit 35 placed between the minor loop 32 and the major transfer path 31. Split exchange circuit 3
FIG. 5 shows an enlarged pattern configuration diagram of No. 5.
図申の番号は全て第4図のそれに対応して付してある。
またHRは駆動磁界を示し、図示の実施例では三角波駆
動の場合を示している。第6図a〜第6図eはこの分割
交換回路の特に交換動作を説明するための図である。All figures are numbered to correspond to those in Figure 4.
Further, HR indicates a driving magnetic field, and the illustrated embodiment shows the case of triangular wave driving. FIGS. 6a to 6e are diagrams for explaining particularly the switching operation of this divisional switching circuit.
第6図aに示すように、駆動磁界HRが120のとき導
体パターン36に電流を流し始める。As shown in FIG. 6a, when the drive magnetic field HR is 120, current begins to flow through the conductive pattern 36.
このときメジャ一転送路31内のバブル1a〜1dは図
のような位置にあり、一方マイナーループ2内のバブル
2a〜2dは図のような位置にある。そして交換される
バブルは斜線で示す1cと2cである。At this time, the bubbles 1a to 1d in the major transfer path 31 are in the positions as shown in the figure, while the bubbles 2a to 2d in the minor loop 2 are in the positions as shown in the figure. The bubbles to be exchanged are 1c and 2c shown with diagonal lines.
次に駆動磁界HRが第6図bに示す00の位置まで回転
すると導体パターン36に電流が流されているためマイ
ナーループ32内のバブル2cはマイナーループ32に
沿つて移動せず、図のパーマロイパターン62の方に移
動する。Next, when the driving magnetic field HR rotates to the 00 position shown in FIG. Move toward pattern 62.
このとき、メジヤ一転送路31及びマイナーループ32
内の他のバブル1b,1c,1d,2b,2dはそれぞ
れ各々の転送路あるい(1)レープ内を移動し、図のよ
うな位置にある。次に駆動磁界HRが第6図cに示す1
200まで回転するとメジヤ一転送路31内のバブル1
cは導体パターン36の電流により先の説明と同様にし
てパーマロイパターン61の位置に移動し、かわりにメ
ジャ一転送路31内にはマイナーループ32からのバブ
ル2cが転送される。At this time, the major transfer path 31 and the minor loop 32
The other bubbles 1b, 1c, 1d, 2b, and 2d move within their respective transfer paths or (1) loops, and are located at positions as shown in the figure. Next, the driving magnetic field HR is 1 as shown in Fig. 6c.
When it rotates to 200 degrees, the bubble 1 in the medium transfer path 31
c is moved to the position of the permalloy pattern 61 by the current in the conductor pattern 36 in the same manner as described above, and the bubble 2c from the minor loop 32 is transferred into the major transfer path 31 instead.
このとき他のバブル1b,1d,2b,2dはそれぞれ
図のような位置にある。こkで導体パターン36の電流
を切り、更に図示はしていないが、駆動磁界HRが00
の位置に回転すると、バブル1cはマイナーループ32
内に転送される。At this time, the other bubbles 1b, 1d, 2b, and 2d are in positions as shown in the figure. At this point, the current in the conductor pattern 36 is cut off, and although not shown, the drive magnetic field HR is set to 00.
When rotated to the position, bubble 1c becomes minor loop 32
transferred within.
このような一連の動作によつてメジャ一転送路31内の
バブル1cとマイナーループ32内のバブル2cとが交
換され、バブル1cがマイナーループ32へバブル2c
がメジャ一転送路31へ転送される。Through this series of operations, the bubble 1c in the major transfer path 31 and the bubble 2c in the minor loop 32 are exchanged, and the bubble 1c is transferred to the minor loop 32 by the bubble 2c.
is transferred to the major transfer path 31.
このとき、図かられかるように交換されるバブル1c,
2cはそれぞれもとのビツト位置に転送される。At this time, the bubbles 1c, which are exchanged as shown in the figure,
2c are each transferred to their original bit positions.
すなわちバブル1cはバブル2cのあつたビツト位置に
、バプル2cはバブル1cのあつたビツト位置に夫々転
送される。That is, the bubble 1c is transferred to the bit position where the bubble 2c was located, and the bubble 2c is transferred to the bit position where the bubble 1c was located.
このことは前後のバブルの関係を交換前の第6図aと交
換後の第6図cとを比較すれば容易に理解される。以上
の変換動作を第7図のタイムチヤートを用いて説明する
。This can be easily understood by comparing the relationship between the front and rear bubbles between FIG. 6a before the exchange and FIG. 6c after the exchange. The above conversion operation will be explained using the time chart shown in FIG.
同図aは駆動磁界HR波形を示すもので、電流波形が三
角波のものを図示する。Figure a shows the driving magnetic field HR waveform, and the current waveform is a triangular wave.
また同図bは分割交換回路35を一部を構成する導体パ
ターン36に対して交換操作の際に供給する電流の波形
およびタイミングを示す図、また同図cは分割操作の際
に導体パターン36に供給する電流の波形およびタイミ
ングを示す図である。交換操作は同図および第6図の説
明から明らかなように駆動磁界HRが1200の時点で
供給されはじめ次周期の120生の時点で供給が停止さ
れる。In addition, FIG. 3B shows the waveform and timing of the current supplied to the conductor pattern 36 forming a part of the split exchange circuit 35 during the exchange operation, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing the waveform and timing of a current supplied to the device. In the replacement operation, as is clear from the explanation of FIG. 6 and FIG. 6, the drive magnetic field HR is supplied at 1200, and the supply is stopped at 120 of the next cycle.
電流の供給方向は第5図図示の場合ヘアピン状領域内に
実効的にバイアス磁界を強める方向である。また分割操
作は図示しないが、同図cから判るように駆動磁界HR
が200、の時点で交換操作時と同方向同値の電流を供
給しはじめ、駆動磁界HRが220値の時点で交換操作
時と同方向で、且つ電流値が略2倍の電流を所定時間供
給する。In the case shown in FIG. 5, the current supply direction is a direction that effectively strengthens the bias magnetic field within the hairpin-shaped region. Also, although the division operation is not shown, as can be seen from figure c, the driving magnetic field HR
When the drive magnetic field HR reaches 200, it starts supplying a current with the same direction and value as during the replacement operation, and when the drive magnetic field HR reaches a value of 220, it starts supplying a current in the same direction and with approximately twice the current value as during the replacement operation for a predetermined period of time. do.
然る後再び電流供給開始時と同等の電流値を所定期間継
続させ駆動磁界HRが略00付近のところで通電を停止
する。このような電流を導体パターン36に供給するこ
とでマイナーループ上の駆動磁界HRにより弓伸ばされ
たバブルを分割させ、以て分割の一方のバブルをそのま
Xマイナーループ32内に送り出す一方、他方のバブル
を第6図図示のパーマロイパターン62を介してメジヤ
一転送路31内へ送り出すことができる。Thereafter, the same current value as when the current supply was started is continued again for a predetermined period of time, and the current supply is stopped when the drive magnetic field HR reaches approximately 00. By supplying such a current to the conductor pattern 36, the bubble stretched out by the driving magnetic field HR on the minor loop is split, and one of the split bubbles is directly sent into the X minor loop 32, while the other bubbles can be sent into the medium transfer path 31 via the permalloy pattern 62 shown in FIG.
このようにメジャ一転送路31と各マイナーループ32
間に分割交換回路36を配置することにより、情報の書
込み、読出し、および書換えを1本の導体パターンで行
なうことが可能となる。In this way, the major transfer path 31 and each minor loop 32
By arranging the division exchange circuit 36 between them, it becomes possible to write, read, and rewrite information using a single conductor pattern.
つまり情報の書込み及び書換えは上述の分割交換回路を
交換動作させることで行なわれ、また情報の読出しは上
述の分割交換回路を分割動作させることで行なわれる。
尚、上述の実施例においては、マイナーループ32を折
り返したものについて図示したが、これは記憶密度を下
げることなく分割交換回路の形成される領域を十分に確
保し以て導体パターン幅を十分に確保するために採られ
た形態であり、本発明は必ずしもこの種の形態を必要と
するものではない。That is, writing and rewriting of information is performed by operating the above-mentioned division exchange circuit in a switching operation, and reading information is carried out by operating the above-mentioned division exchange circuit in division operation.
In the above-mentioned embodiment, the minor loop 32 is folded back, but this allows the conductor pattern width to be sufficiently widened by ensuring a sufficient area for forming the split switching circuit without reducing the storage density. This type of configuration was adopted to ensure the following, and the present invention does not necessarily require this type of configuration.
以上説明したように、本発明によれば、導体パターン数
の少ない、従つて端子数が少なく、また製造上もパター
ン位置合わせが容易で、歩留りの向上が期待できる磁気
バブル記憶装置を実現することができる。As explained above, according to the present invention, it is possible to realize a magnetic bubble storage device that has a small number of conductor patterns, and therefore a small number of terminals, and also allows for easy pattern alignment in manufacturing, and can be expected to improve yield. I can do it.
また、本発明によれば、消去操作が不要となる等制御が
容易で停電等の不慮の電源障害に対しても十分信頼性の
保証された磁気バブル記憶装置を実現することができる
。Further, according to the present invention, it is possible to realize a magnetic bubble storage device that is easy to control, such as eliminating the need for erasing operations, and has sufficient reliability guaranteed even against unexpected power failures such as power outages.
第1図は従来の磁気バブル記憶装置の一実施例、第2図
は第1図を改良した磁気バブル記憶装置の一実施例、第
3図は従来のゲート構成を示す図、第4図は本発明にか
Xる磁気バブル記憶装置の一実施例、第5図は本発明に
適用される分割交換回路の一実施例、第6図,第7図は
第5図の分割交換回路の動作説明図である。
図において、31はメジヤ一転送路、32はマイナール
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路である。Fig. 1 shows an example of a conventional magnetic bubble storage device, Fig. 2 shows an example of a magnetic bubble storage device improved from Fig. 1, Fig. 3 shows a conventional gate configuration, and Fig. 4 shows an example of a conventional magnetic bubble storage device. One embodiment of the magnetic bubble storage device according to the present invention, FIG. 5 is an embodiment of the split switching circuit applied to the present invention, and FIGS. 6 and 7 show the operation of the split switching circuit of FIG. 5. It is an explanatory diagram. In the figure, 31 is a major transfer path, 32 is a minor loop, 33 is a detector, 34 is a generator, and 35 is a division switching circuit.
Claims (1)
る1個のメジャー転送路と、該メジャー転送路にその一
端が接続され磁気バブルを保持、蓄積する複数のマイナ
ーループとを具備してなるメジャー・マイナー構成の磁
気バブル記憶装置において、該メジャー転送路とマイナ
ーループの接続領域に、一本のヘアピン状導体パターン
を備えて形成される磁気バブル分割交換回路を設け、該
導体パターンに駆動磁界1周期に渡る平坦状の長パルス
からなる交換動作パルスと段差状の短パルスからなる分
割動作用パルスを通電し、磁気バブルの書込み、読出し
、および書換えを前記磁気バブル分割交換回路にて行う
ことを特徴とする磁気バブル記憶装置。1. A major transfer path including a magnetic bubble generator and a magnetic bubble detector, and a plurality of minor loops each having one end connected to the major transfer path and holding and accumulating magnetic bubbles. In a magnetic bubble storage device with a major/minor configuration, a magnetic bubble splitting and switching circuit formed with a single hairpin-shaped conductor pattern is provided in the connection area of the major transfer path and the minor loop, and the conductor pattern is driven. An exchange operation pulse consisting of a flat long pulse over one period of the magnetic field and a division operation pulse consisting of a stepped short pulse are energized to write, read, and rewrite the magnetic bubble in the magnetic bubble division exchange circuit. A magnetic bubble storage device characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9064679A JPS5927031B2 (en) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | magnetic bubble storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9064679A JPS5927031B2 (en) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | magnetic bubble storage device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5616987A JPS5616987A (en) | 1981-02-18 |
| JPS5927031B2 true JPS5927031B2 (en) | 1984-07-03 |
Family
ID=14004263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9064679A Expired JPS5927031B2 (en) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | magnetic bubble storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927031B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110337U (en) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138082A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
| JPS57162171A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory chip |
-
1979
- 1979-07-17 JP JP9064679A patent/JPS5927031B2/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110337U (en) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5616987A (en) | 1981-02-18 |
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