JPS5927974B2 - 光情報処理装置 - Google Patents
光情報処理装置Info
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- JPS5927974B2 JPS5927974B2 JP55040397A JP4039780A JPS5927974B2 JP S5927974 B2 JPS5927974 B2 JP S5927974B2 JP 55040397 A JP55040397 A JP 55040397A JP 4039780 A JP4039780 A JP 4039780A JP S5927974 B2 JPS5927974 B2 JP S5927974B2
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- semiconductor laser
- laser element
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ素子の発振光を情報記録媒体に投
射し、その反射光を再び半導体レーザ素子に帰還させた
ときの当該半導体レーザ素子における特性変化から、情
報の再生等を行なうようにした光情報処理装置に関する
ものである。
射し、その反射光を再び半導体レーザ素子に帰還させた
ときの当該半導体レーザ素子における特性変化から、情
報の再生等を行なうようにした光情報処理装置に関する
ものである。
近時、絵の出るレコードといわれるビデオディスク、Ｐ
ＣＭオーディオディスク、および業務用光メモリなど各
種の光ディスクを用いた光情報処理装置が開発されてい
る。
ＣＭオーディオディスク、および業務用光メモリなど各
種の光ディスクを用いた光情報処理装置が開発されてい
る。
この情報処理装置は光ディスク等の情報記録媒体にレー
ザ光等の光を投射し、その反射光の強弱変化により情報
の再生等を行なうようにしたものである。そしてこれら
の情報処理装置の中でも半導体レーザ素子の自己結合効
果を利用した超小形読出装置は注目されるものの一つで
ある。
ザ光等の光を投射し、その反射光の強弱変化により情報
の再生等を行なうようにしたものである。そしてこれら
の情報処理装置の中でも半導体レーザ素子の自己結合効
果を利用した超小形読出装置は注目されるものの一つで
ある。
いまこの超ノ」、形読出装置の構成例を第１図について
説明すると、図において符号１は半導体レーザ素子にし
て、この半導体レーザ素子１における前方出力光側に２
個のレンズ２、３を配設し、このレンズ２、３により光
学系を構成させる。
説明すると、図において符号１は半導体レーザ素子にし
て、この半導体レーザ素子１における前方出力光側に２
個のレンズ２、３を配設し、このレンズ２、３により光
学系を構成させる。
また符号４は半導体レーザ素子１における後方出力光を
検出するための光検出器である。而して上記の半導体レ
ーザ素子１、光学系を構成するレンズ２，３、および光
検出器４をカートリツジ状の筐体５中に収容する。
検出するための光検出器である。而して上記の半導体レ
ーザ素子１、光学系を構成するレンズ２，３、および光
検出器４をカートリツジ状の筐体５中に収容する。
符号Ｅは半導体レーザ素子１への注入電流供給用の電源
、６は半導体レーザ素子１における電圧変化の検出端子
である。また符号７は情報記録媒体（光デイスク）であ
る。
、６は半導体レーザ素子１における電圧変化の検出端子
である。また符号７は情報記録媒体（光デイスク）であ
る。
そして半導体レーザ素子１からの前方出力光をレンズ２
，３を介して集束させた上で情報記録媒体７に照射し、
その反射光を同一のレンズ２，３を介して半導体レーザ
素子１に帰還（結合）させる。
，３を介して集束させた上で情報記録媒体７に照射し、
その反射光を同一のレンズ２，３を介して半導体レーザ
素子１に帰還（結合）させる。
このとき半導体レーザ素子１には、この帰還したいわゆ
る戻り光により自己結合効果が起生され、その光出力お
よび端子電圧等に特性の変化が生ずる。
る戻り光により自己結合効果が起生され、その光出力お
よび端子電圧等に特性の変化が生ずる。
、第２図はこの自已結合効果による特性変化の一例を示
したもので、情報記録媒体７からの反射率をパラメータ
としたときの注入電流対光出力相対値の特性図である。
したもので、情報記録媒体７からの反射率をパラメータ
としたときの注入電流対光出力相対値の特性図である。
同図から、いま注入電流を［，の値で固定したとすると
反射率の変化に応じて光出力値はＰｌ，Ｐ２，Ｐ３のよ
うに変化するので、この光出力値の変化を後方出力光に
より光検出器４で検出して情報記録媒体７に記録された
情報を読み出すことができるものである。
反射率の変化に応じて光出力値はＰｌ，Ｐ２，Ｐ３のよ
うに変化するので、この光出力値の変化を後方出力光に
より光検出器４で検出して情報記録媒体７に記録された
情報を読み出すことができるものである。
端子電圧についても反射率の変化に応じて同様に変化す
るので、検出端子６を介して検出した端子電圧変化によ
つても情報の読出しを行なうことができる。
るので、検出端子６を介して検出した端子電圧変化によ
つても情報の読出しを行なうことができる。
そして上記の情報の読出しの際に情報記録媒体７たる光
デイスクの回転時における面ぶれや偏心等により集束光
の集点ぼけが生じ情報の再生上支障が生ずるが、これを
補償するサーポ技術として、第１図における筐体５をウ
オプリングさせ、集束光を強制的に縦方向および横方向
に振動させて、そのとき得られる反射光を制御信号とし
て用いることも従来技術として知られている。
デイスクの回転時における面ぶれや偏心等により集束光
の集点ぼけが生じ情報の再生上支障が生ずるが、これを
補償するサーポ技術として、第１図における筐体５をウ
オプリングさせ、集束光を強制的に縦方向および横方向
に振動させて、そのとき得られる反射光を制御信号とし
て用いることも従来技術として知られている。
ところで最近における半導体レーザ素子の寿命の向上、
光出力の増大といつた諸特性の向土には目覚しいものが
あり、これらの諸特性の向上とともに特に単一縦モード
発振に基づく可干渉性の向上にも著しいものがある。
光出力の増大といつた諸特性の向土には目覚しいものが
あり、これらの諸特性の向上とともに特に単一縦モード
発振に基づく可干渉性の向上にも著しいものがある。
因みに前述した従来の読出装置で使用した半導体レーザ
素子ぱマルチモード発振状態のものが用いられ、その戻
り光の光量の変化に基づく半導体レーザ素子の特性変化
を情報の読出しに利用したものであつた。
素子ぱマルチモード発振状態のものが用いられ、その戻
り光の光量の変化に基づく半導体レーザ素子の特性変化
を情報の読出しに利用したものであつた。
さて、前記のように半導体レーザ素子の諸特性の向上は
、光情報処理装置全体としての性能向土を図る上でも好
ましいことである。
、光情報処理装置全体としての性能向土を図る上でも好
ましいことである。
しかるに諸特性のうち特に可干渉性向土に伴い、光情報
処理装置に適用する上において次のような不都合な特性
も現われてしまつたのである。即ち第３図の注入電流対
光出力相対値の特性図において、戻り光なしの特性線８
は線形性を有しているのであるが、戻り光があるとその
特性線９には光出力非線形性が観測されるのである。
処理装置に適用する上において次のような不都合な特性
も現われてしまつたのである。即ち第３図の注入電流対
光出力相対値の特性図において、戻り光なしの特性線８
は線形性を有しているのであるが、戻り光があるとその
特性線９には光出力非線形性が観測されるのである。
この非線形性は戻り光の光量変化や、また前記したウオ
プリングによる戻り光の微小な位相変化によつても同様
に生ずる。この現象は情報の再生や、サーポ信号を得る
上において問題点となるものである。そこでこの問題点
の一つの解決策として光出力非線形が生じないような注
入電流値（例えば第３図中２の値）を動作点に選ぶこと
も考えられる。
プリングによる戻り光の微小な位相変化によつても同様
に生ずる。この現象は情報の再生や、サーポ信号を得る
上において問題点となるものである。そこでこの問題点
の一つの解決策として光出力非線形が生じないような注
入電流値（例えば第３図中２の値）を動作点に選ぶこと
も考えられる。
しかし、これでは戻り光による光出力増大効果の大きい
しきい値近傍の注入電流値を動作点に選択できないので
、情報処理装置を構成する上において十分な解決策とは
なり得ないのである。ここにおいて本発明は光学系中に
λ／４板（λ：発振光の波長）を介在させ、反射光（帰
還光）の偏光面を、発振光の偏光面に対して９０還回転
させ、この反射光により、半導体レーザ素子における自
己結合効果を抑制し、端子電圧の変化現象を情報の再生
等に利用することにより、上記の点を解決し得るように
した光情報処理装置を提供しようとしたものである。即
ち本発明は次のような現象を見出したことに基づいてな
されたものである。
しきい値近傍の注入電流値を動作点に選択できないので
、情報処理装置を構成する上において十分な解決策とは
なり得ないのである。ここにおいて本発明は光学系中に
λ／４板（λ：発振光の波長）を介在させ、反射光（帰
還光）の偏光面を、発振光の偏光面に対して９０還回転
させ、この反射光により、半導体レーザ素子における自
己結合効果を抑制し、端子電圧の変化現象を情報の再生
等に利用することにより、上記の点を解決し得るように
した光情報処理装置を提供しようとしたものである。即
ち本発明は次のような現象を見出したことに基づいてな
されたものである。
半導体レーザ素子からの発振光の光路中にλ／４板を介
在させ、情報記録媒体等からの反射光（戻り光）の偏光
面を上記のλ／４板により９０戻だけ転換させて、これ
を半導体レーザ素子に帰還させると、従来から観測され
ていた光出力増大等の自己結合効果は抑制され、この効
果とはまた異なつた効果とみられる単に端子電圧の変化
という現象が観測されたのである。
在させ、情報記録媒体等からの反射光（戻り光）の偏光
面を上記のλ／４板により９０戻だけ転換させて、これ
を半導体レーザ素子に帰還させると、従来から観測され
ていた光出力増大等の自己結合効果は抑制され、この効
果とはまた異なつた効果とみられる単に端子電圧の変化
という現象が観測されたのである。
そしてこの端子電圧は注入電流に対して線形に変化し、
情報の再生等に利用する上において極めて好適な特性で
あることが見出されたのである。以下本発明を図の実施
例に基づいて具体的に説明する。
情報の再生等に利用する上において極めて好適な特性で
あることが見出されたのである。以下本発明を図の実施
例に基づいて具体的に説明する。
なお以下の図において前記第１図と同一乃至は均等の部
材については前記と同一の符号を附すものとする。
材については前記と同一の符号を附すものとする。
第４図は本発明の一実施例を示すもので、図において符
号１は半導体レーザ素子にして、この半導体レーザ素子
１には、単一縦モードの発振光を出力し、さらにその可
干渉距離は一例として１ｍ以上で、直線偏光度の極めて
優れた素子を使用する。
号１は半導体レーザ素子にして、この半導体レーザ素子
１には、単一縦モードの発振光を出力し、さらにその可
干渉距離は一例として１ｍ以上で、直線偏光度の極めて
優れた素子を使用する。
そしてこの半導体レーザ素子１における前方出力光側に
は２個のレンズ２，３で構成させた光学系を配設し、ま
た後方出力光側には光検出器４を配設する。
は２個のレンズ２，３で構成させた光学系を配設し、ま
た後方出力光側には光検出器４を配設する。
この光検出器４は当該半導体レーザ素子１の光出力モニ
ターとして使用する。符号Ｅは注入電流供給用の電源に
して、この電源Ｅを電流調節用の可変抵抗Ｒを介して半
導体レーザ素子１における両電極１ａ，１ｂ間に連ねる
。
ターとして使用する。符号Ｅは注入電流供給用の電源に
して、この電源Ｅを電流調節用の可変抵抗Ｒを介して半
導体レーザ素子１における両電極１ａ，１ｂ間に連ねる
。
また一方の電極１ａからは直流阻止用のコンデンサＣを
介して電圧変化の検出端子６を導出する。符号７は情報
記録媒体（光デイスク）である。そして本発明において
は、上記の構成に加えて、さらに光学系中にλ／４板１
０（λ：発振光の波長）を配設する。而して上記の半導
体レーザ素子１、光学系を構成する２個のレンズ２，３
、λ／４板１０、および光検出器４をカートリツジ状の
筐体５中に収容する。
介して電圧変化の検出端子６を導出する。符号７は情報
記録媒体（光デイスク）である。そして本発明において
は、上記の構成に加えて、さらに光学系中にλ／４板１
０（λ：発振光の波長）を配設する。而して上記の半導
体レーザ素子１、光学系を構成する２個のレンズ２，３
、λ／４板１０、および光検出器４をカートリツジ状の
筐体５中に収容する。
因みにレンズ２，３、λ／４板１０等の各光学素子の端
面には半導体レーザ素子１からの発振光波長に対応した
反射防止膜加工を施こす。
面には半導体レーザ素子１からの発振光波長に対応した
反射防止膜加工を施こす。
この加工により情報信号再生等の際のＳ／Ｎを向土させ
ることができる。次に第５図および第６図を参照して前
記のλ／４板１０についてさらに詳述する。
ることができる。次に第５図および第６図を参照して前
記のλ／４板１０についてさらに詳述する。
λ／４板１０はマイカ、水晶、石英等の複屈折性を有す
る物質を所定の厚さｄに切り出して形成したもので、い
ま第５図に示すように入射光としてその光軸１１と同方
向に偏光した光Ｗ１と、光軸１１に対して垂直方向に偏
光した光Ｗ２との２種の光を入射させたとき、このλ／
４板１０を通過した２つの光Ｗ１′とＷ２′との間に９
００（波長にしで％波長分）の位相差が現われるように
、その厚さｄを定めたものである。
る物質を所定の厚さｄに切り出して形成したもので、い
ま第５図に示すように入射光としてその光軸１１と同方
向に偏光した光Ｗ１と、光軸１１に対して垂直方向に偏
光した光Ｗ２との２種の光を入射させたとき、このλ／
４板１０を通過した２つの光Ｗ１′とＷ２′との間に９
００（波長にしで％波長分）の位相差が現われるように
、その厚さｄを定めたものである。
そしてその大きさは一例として開口５ｍｍφ、厚さ１ｍ
ｍ程度の小形に形成し得る。次いで上記のように形成し
たλ／４板１０を第６図に示すように、入射光Ｗ３の偏
光面に対し、その光軸１１を４５入だけ回転させて設置
しておき、さらにλ／４板１０の背面側に適宜の距離を
隔てて反射鏡１２を配置しておくものとする。
ｍ程度の小形に形成し得る。次いで上記のように形成し
たλ／４板１０を第６図に示すように、入射光Ｗ３の偏
光面に対し、その光軸１１を４５入だけ回転させて設置
しておき、さらにλ／４板１０の背面側に適宜の距離を
隔てて反射鏡１２を配置しておくものとする。
このとき入射光Ｗ３はλ／４板１０を通過すると一旦円
偏光Ｗ５に変換され、反射鏡１２で反射されて逆回転の
円偏光Ｗ，′となつて再びλ／４板１０側に戻る。そし
てこの円偏光Ｗ５′が背面側からλ／４板１０を通過す
ると、その通過した反射光Ｗ４の偏光面は、入射光Ｗ３
の偏光面に対して９００回転されて両者の偏光面は直交
するようになるのである。本発明の一実施例たる光情報
処理装置は上述のように構成されるものであつて、電源
Ｅから半導体レーザ素子１に向けて注入電流を印加し駆
動させると、この半導体レーザ素子１からは単一縦モー
ドの偏光度の良好な発振光が出力される。
偏光Ｗ５に変換され、反射鏡１２で反射されて逆回転の
円偏光Ｗ，′となつて再びλ／４板１０側に戻る。そし
てこの円偏光Ｗ５′が背面側からλ／４板１０を通過す
ると、その通過した反射光Ｗ４の偏光面は、入射光Ｗ３
の偏光面に対して９００回転されて両者の偏光面は直交
するようになるのである。本発明の一実施例たる光情報
処理装置は上述のように構成されるものであつて、電源
Ｅから半導体レーザ素子１に向けて注入電流を印加し駆
動させると、この半導体レーザ素子１からは単一縦モー
ドの偏光度の良好な発振光が出力される。
この発振光の波長は一例として８６０ｎｍ程度の値であ
る。そしてこの発振光のうち前方発振光はレンズ２によ
つてコリメートされλ／４板１０に向けて入射する。
る。そしてこの発振光のうち前方発振光はレンズ２によ
つてコリメートされλ／４板１０に向けて入射する。
このとき前記したようなλ／４板１０の作用によりこの
入射光は一旦円偏光に変換されレンズ３により集束され
て情報記録媒体７に投射される。次いで情報記録媒体７
に記録された情報信号に対応した変調を受けた反射光が
、入射光と同一の光路を逆向きに進行し、半導体レーザ
素子１に帰還される。
入射光は一旦円偏光に変換されレンズ３により集束され
て情報記録媒体７に投射される。次いで情報記録媒体７
に記録された情報信号に対応した変調を受けた反射光が
、入射光と同一の光路を逆向きに進行し、半導体レーザ
素子１に帰還される。
このとき上記の反射光はλ／４板１０を背面側から通過
すると、この反射光の偏光面は入射光（発振光）の偏光
面に対し９０の回転され、この偏光面の回転した反射光
が半導体レーザ素子１に帰還されるのである。そしてこ
の帰還光（反射光）により半導体レーザ素子１には従来
から観測されていた自己結合効果は生起せずに、帰還光
の変化に対応した端子電圧の変化現象が生起されて、こ
の端子電圧変化が検出端子６を経てとり出され記録情報
の再生等が行なわれるのである。
すると、この反射光の偏光面は入射光（発振光）の偏光
面に対し９０の回転され、この偏光面の回転した反射光
が半導体レーザ素子１に帰還されるのである。そしてこ
の帰還光（反射光）により半導体レーザ素子１には従来
から観測されていた自己結合効果は生起せずに、帰還光
の変化に対応した端子電圧の変化現象が生起されて、こ
の端子電圧変化が検出端子６を経てとり出され記録情報
の再生等が行なわれるのである。
端子電圧の変化現象は帰還光による光導電効果に基づく
ものと考えられるものである。
ものと考えられるものである。
因みに検出端子６からとり出される端子電圧は帰還光の
変調周波数に対応した周波数の信号電圧である。
変調周波数に対応した周波数の信号電圧である。
第７図は上記した特性の一例を示すもので、同図は注入
電流相対値（しきい値で規格化したもの）対端子電圧変
化絶対値の特性を示すもので、情報記録媒体７からの反
射率をパラメータとしたときの各特性線１３ａ〜１３ｂ
も示したものである。
電流相対値（しきい値で規格化したもの）対端子電圧変
化絶対値の特性を示すもので、情報記録媒体７からの反
射率をパラメータとしたときの各特性線１３ａ〜１３ｂ
も示したものである。
端子電圧の変化値は数ＭＶにも達して十分大なる値が得
られ、また各特性線１３ａ〜１３ｂから明らかなように
端子電圧変化量は注入電流に対して線形に変化し、動作
不安定点は全く現われず情報の再生等に極めて好適な特
性が得られる。情報処理装置としては、注入電流値を一
定値に固定したときの反射率の変化に応じた端子電圧の
変化を情報の再生等に利用する。なお第７図の特性図中
には光学系中にλ／４板を介在させない従来例の特性線
１４も併せ示してある。
られ、また各特性線１３ａ〜１３ｂから明らかなように
端子電圧変化量は注入電流に対して線形に変化し、動作
不安定点は全く現われず情報の再生等に極めて好適な特
性が得られる。情報処理装置としては、注入電流値を一
定値に固定したときの反射率の変化に応じた端子電圧の
変化を情報の再生等に利用する。なお第７図の特性図中
には光学系中にλ／４板を介在させない従来例の特性線
１４も併せ示してある。
λ／４板を介在させないときはいわゆる従来からの自己
結合効果が生起して端子電圧変化特性も複雑な様相を呈
するもので、情報の再生上好適な特性とは云い得ない。
次に第８図は本発明の他の実施例を示すもので、この事
例は筐体５におけるレンズ３から導出された発振光の光
路中に偏光保存単一モード光フアイバ１５を介在させ、
さらにこの光フアイバ１５の先端部における検出端１６
にレンズ系１７を配設して、このレンズ系１７を介して
情報記録媒体７に発振光を投射させるようにしたもので
ある。
結合効果が生起して端子電圧変化特性も複雑な様相を呈
するもので、情報の再生上好適な特性とは云い得ない。
次に第８図は本発明の他の実施例を示すもので、この事
例は筐体５におけるレンズ３から導出された発振光の光
路中に偏光保存単一モード光フアイバ１５を介在させ、
さらにこの光フアイバ１５の先端部における検出端１６
にレンズ系１７を配設して、このレンズ系１７を介して
情報記録媒体７に発振光を投射させるようにしたもので
ある。
この事例によるとき検出端１６を一層小形化し得るとと
もに、この検出端１６の取付位置に柔軟性を有せしめ得
るという効果が発揮される。因みに第４図および第８図
の両事例において必要に応じて筐体５をウオプリングさ
せることは従来例と同様である。なお、本発明に係る光
情報処理装置ぱ、いわゆる光メモリ読出装置、ロータリ
エンコーダの信号検出、電力量計における回転円板の回
転速度の検出など、種々の情報の処理装置として広く適
用し得るものである。
もに、この検出端１６の取付位置に柔軟性を有せしめ得
るという効果が発揮される。因みに第４図および第８図
の両事例において必要に応じて筐体５をウオプリングさ
せることは従来例と同様である。なお、本発明に係る光
情報処理装置ぱ、いわゆる光メモリ読出装置、ロータリ
エンコーダの信号検出、電力量計における回転円板の回
転速度の検出など、種々の情報の処理装置として広く適
用し得るものである。
以上詳述したように本発明によれば光学系中にλ／４板
を介在させ、情報記録媒体からの反射光を、発振光の偏
光面に対して９０体回転させた上で半導体レーザ素子に
帰還させるようにしたから、従来から観測されていた自
已結合効果が抑制されるとともに、新たな効果に基づく
端子電圧変化が検出され、この端子電圧変化は情報の再
生等に利用する上において好適な安定した特性を呈し、
かつその端子電圧変化量も実用上十分大なる値が得られ
るので、半導体レーザ素子の特性向上に基づく新たな問
題点が解決され、実用上極めて優れた光情報処理装置を
提供することができるという効果を発揮する。
を介在させ、情報記録媒体からの反射光を、発振光の偏
光面に対して９０体回転させた上で半導体レーザ素子に
帰還させるようにしたから、従来から観測されていた自
已結合効果が抑制されるとともに、新たな効果に基づく
端子電圧変化が検出され、この端子電圧変化は情報の再
生等に利用する上において好適な安定した特性を呈し、
かつその端子電圧変化量も実用上十分大なる値が得られ
るので、半導体レーザ素子の特性向上に基づく新たな問
題点が解決され、実用上極めて優れた光情報処理装置を
提供することができるという効果を発揮する。
またλ／４板自体は小形状に形成させることができるの
で、このλ／４板を附設しても、装置全体は従来例と同
程度に小形に形成させることができ、この点においても
極めて優れた実用土の効果を発揮する。
で、このλ／４板を附設しても、装置全体は従来例と同
程度に小形に形成させることができ、この点においても
極めて優れた実用土の効果を発揮する。
第１図は従来例を示す構成図、第２図は同上の注入電流
対光出力相対値の特性図、第３図は第１図に特性の向上
した半導体レーザ素子を適用したときの注入電流対光出
力相対値の特性図、第４図は本発明の一実施例たる光情
報処理装置の構成図、第５図および第６図は同上装置に
適用するλ／４板を説明するための斜視図、第７図は第
４図の装置における注入電流相対値対端子電圧変化を示
す特性図、第８図は第４図の他の実施例を示す構成図で
ある。 １：半導体レーザ素子、１ａ，１ｂ：半導体レーザ素子
における電極、２，３：レンズ、４：光検出器、５：筐
体、６：電圧変化の検出端子、７：情報記録媒体、１０
：λ／４板、１５：偏光保存単一モード光フアイバ １
６：検出端、１７：レンズ系、Ｅ：電源。
対光出力相対値の特性図、第３図は第１図に特性の向上
した半導体レーザ素子を適用したときの注入電流対光出
力相対値の特性図、第４図は本発明の一実施例たる光情
報処理装置の構成図、第５図および第６図は同上装置に
適用するλ／４板を説明するための斜視図、第７図は第
４図の装置における注入電流相対値対端子電圧変化を示
す特性図、第８図は第４図の他の実施例を示す構成図で
ある。 １：半導体レーザ素子、１ａ，１ｂ：半導体レーザ素子
における電極、２，３：レンズ、４：光検出器、５：筐
体、６：電圧変化の検出端子、７：情報記録媒体、１０
：λ／４板、１５：偏光保存単一モード光フアイバ １
６：検出端、１７：レンズ系、Ｅ：電源。
Claims (1)
- １ 半導体レーザ素子の発振光を光学系を介して情報記
録媒体に投射し、この情報記録媒体からの反射光を前記
の光学系を介して前記半導体レーザ素子に帰還させると
ともに、前記光学系中にλ／４板（λ：発振光の波長）
を介在させ、このλ／４板により前記反射光の偏光面を
発振光の偏光面に対し９０゜回転させて反射光による前
記半導体レーザ素子における自己結合効果を抑制し、当
該半導体レーザ素子における注入電流対端子電圧変化特
性を線形特性とし、前記反射光の変化に応じた前記半導
体レーザ素子における端子電圧の変化を検出して前記情
報記録媒体の情報を再生することを特徴とする光情報処
理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040397A JPS5927974B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 光情報処理装置 |
| US06/248,211 US4449204A (en) | 1980-03-31 | 1981-03-27 | Information processing apparatus using a semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040397A JPS5927974B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 光情報処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137533A JPS56137533A (en) | 1981-10-27 |
| JPS5927974B2 true JPS5927974B2 (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=12579525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55040397A Expired JPS5927974B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 光情報処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5927974B2 (ja) |
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1980
- 1980-03-31 JP JP55040397A patent/JPS5927974B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-03-27 US US06/248,211 patent/US4449204A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPS56137533A (en) | 1981-10-27 |
| US4449204A (en) | 1984-05-15 |
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