JPS593066B2 - コタイサツゾウタイ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）を使用した固体撮像体で
、インタラインシフト方式を採るものの代表的な構成例
は第１図に示す通りである。

第１図はその原理的な説明図であつて、共通の半導体基
体１上にマトリックス状に配列した夫々１絵素として構
成される多数の受光部２と、水平走査方向における受光
部２の数即ち水平絵素数と同じ数だけ設けられた垂直方
向にのびる垂直シフ５ トレジスタ３と、更に出力端子
側に蓄積電荷（キャリヤ）を転送させるための水平シフ
トレジスタ４とから、この固体撮像体１０が構成される
。この固体撮像体１０から撮像出力を得るには、まず各
受光部２で蓄積された光情報に基づく少数ギヤ１０ リ
ヤを一旦垂直ライン毎に、垂直シフトレジスタ３に転送
（パラレル転送）し、次いで各垂直シフトレジスタ３に
より順次垂直方向に転送（シリアル転送）すると共に、
水平シフトレジスタ４を通じてその蓄積キャリヤを１水
平走査毎に読出す。１５このようにすれば、水平シフト
レジスタ４の出力端子に目的の撮像出力を得ることがで
きる。

ここで、受光部２の垂直列と垂直シフトレジスタ３とは
交互に空間配置されているから、この転送方式を一般に
はインタラインシフト（又はインク０ タライントラン
スフア）方式と称するものである。なお、第１図に示さ
れる複数の矢印はキャリヤの転送方向を示すが、インタ
レース的な走査方式を採用する場合では、破線矢印が或
る偶数フィールドでの転送を示すことになる。依つて、
奇数ラグ５ ィールドでは実線矢印のみ転送される。な
お、第１図に示した固体撮像体において、その水平走査
方向に関して奇数番目の絵素を２ａとし、偶数番目の絵
素を２ｂとする。又、奇数番目の水平走査線を５ａで、
偶数番目のそれを５ｂで３０示す。ところで、このよう
なインタラインシフト方式を採る固体撮像体にあつて、
特に水平解像度の劣化を来たさないで、水平方向におけ
る絵素数を減劣させると共に、垂直シフトレジスタにお
ける電３５極の面積を大きくしてキャリヤの転送効率を
従来よりも格段と向上させるには、例えば垂直シフトレ
ジスメ３を共用すると共に、この垂直シフトレジスタ３
に関して絵素２をジグザグに配列すればよい。

すなわち、第２図で示すように、各垂直列に記された絵
素群の夫々が夫々の垂直シフトレジスタを利用するので
はなく、隣り合う絵素群で１本の垂直シフトレジスタを
使用する如く共用する構成である。

それがため、垂直シフトレジスタ３は２本の絵素群の間
に配され、夫々の絵素群で得たキヤリヤをこの１本の垂
直シフトレジスタ３で転送するようにしている。又、こ
れら複数の絵素にあつては、垂直シフトレジスタ３に関
してジグザグパターン状に配列される。

図の例ではインターレース走査方式を採用しているため
、夫々２個の絵素を１組としてこれがジグザグに配列さ
れる。そして、絵素の省略された領域を含むように垂直
シフトレジスタ３の領域が拡大される。

なお、この領域が拡大された部分をシフトレジスタ３の
拡大部３Ａと呼称すれば、これら拡大部３Ａも又ジグザ
グパターンとなる。

ここで、拡大部３Ａで夫々囲まれるシフトレジスタ３の
領域を狭隘部３Ｂとしよう。第２図において、６は絵素
２とシフトレジスタ３との間に設けられたゲート領域を
示す。

又、８はチヤンネルストツパ一の領域で、垂直シフトレ
ジスタ３及び複数の絵素２を夫々取りかこむように形成
されている。チヤンネルストツパ一８の領域内には絵素
２の余剰キヤリヤを流すためのオーバーフロードレイン
領域９が設けられるも、この領域９の導電型式は基体１
のそれとは異る導電型式をとり、従つて、基体１がＮ型
なら領域９はｐ＋型に選定される。チヤンネルストツパ
一８はＮ＋である。このように固体撮像体１０を構成す
れば、その詳細な説明は省略するも、まず、第１に絵素
数及び垂直シフトレジスタ３の数を夫々従来のに以下に
しても、垂直相関を利用することによつて画質は殆んど
劣化しない。

そのため、解像度を劣化させることなく構成の簡略化を
図りうるものである。第２は垂直シフトレジスタ３の面
積を拡大できるから、キヤリヤの転送効率を格段に向上
できる特徴を有する。その詳細な説明は割愛する。とこ
ろで、このような数々の特徴を有する固体撮像体１０に
あつて、垂直シフトレジスタ３を駆動するには一般に２
相クロツク方式が採用される。

つまり、シフトレジスタ３上の所望とする位置に第１の
電極と第２の電極とが順次交互に配され、これら電極に
第１及び第２の転送用クロツク（転送信号）を供給する
ことによつて、各絵素２で得たキヤリヤを水平シフトレ
ジスタ４側に転送するように構成されるものである。こ
の場合、これら第１及び第２の電極は第３図で示すよう
に、基体１の主平面１ａ上にＳｌＯ２等の絶縁層１１を
介して設けられるものである。

７ａ，７ｂは電極に供する導電層を示す。

そして絶縁層１１はキヤリヤ転送方向（図の例では横方
向）に向つてその厚みが異る如くなされている。今、第
４図に固体撮像体１０の拡大平面図を示すように奇数番
目の水平走査線５ａ上に位置する絵素２ａに対応する電
極を第１の電極０１、絵素２ｂに対応する電極を第２の
電極０２とすれば、これら電極０１，０２はその領域が
２分され、夫々転送方向に向つてその前半は転送用の領
域とされ、後半は蓄積用の領域とされる。従つて、前者
の領域を０１Ｔ（０２Ｔ）、後者のそれは０１Ｓ（０２
Ｓ）と呼称すると、転送領域０１Ｔ（及び０２Ｔ）に対
応する絶縁層１１ａの厚みは蓄積領域０１Ｓ（及び０２
Ｓ）に対応する絶縁層１１ｂの厚みよりも厚くなされ、
基体１内に形成されるポテンシヤルウエル１２に差を与
えている。従つて、電極０１，０２に印加される転送信
号のレベル（電圧）に差を与えれば、例えば転送方向ａ
に向つて図のような順次そのウエルが深くなる階段状の
連続したポテンシヤルウエル１２を形成でき、キヤリヤ
を矢印方向（つまり転送方向ａ）に確実に転送できるよ
うになる。

このように、キヤリヤ転送を確実に行うために転送用と
蓄積用の領域を設け、且つ絶縁層１１の厚みを異ならせ
たものである。なお、第４図において、拡大部３Ａ内及
びこの拡大部３Ａと狭隘部３Ｂとの間に夫々描いた実線
１３は絶縁層１１の各段部を示すものである。

ところで、上述した構成を採ることにより、第３図で示
すようなポテンシヤルウエル１２を形成する場合におい
ては、狭隘部３Ｂ上に位置する電極の選び方によつては
キヤリヤを全く転送し得ない場合が起る。すなわち、固
体撮像体１０の設計上、この狭隘部３Ｂの巾（転送方向
ａと垂直な方向を指す）は非常に狭く（一例として１０
Ｉｔｍ程度）ならざるを得ず、しかも、この巾方向には
夫々チヤンネルストツパ一８が存在するので、このチヤ
ンネルストツパ一の影響で、狭隘部３Ｂの直下に形成さ
れるべきポテンシャルウエル１２の深さが設計値より格
段に浅くなつてしまう。

今、ΔＷａだけ浅くなり、このポテンシヤルΔＷａは第
３図で示すポテンシヤル差ΔＷｂよりも大きいものとす
れば、例えば第４図で示すように、狭隘部３Ｂ上に電極
０１における蓄積領域０１Ｓが存するように、夫夫の位
置関係を選定すると、第５図で示すように、狭隘部３Ｂ
下のポテンシヤルウエル１２が前段のウエルよりも浅く
なる関係上、キヤリヤを完全に転送し得ない致命的な欠
点が生ずる。そこで、本発明はこのキヤリヤ転送の支障
を完全に除去し、良好な転送を達成しうる固体撮像体を
提案するものである。

第６図以下を参照して本発明による固体撮像体を説明し
よう。第６図は本発明による固体撮像体の一汐１を示す
も、この固体撮像体は第２図で示したジグザグパターン
の固体撮像体を母体とし、これを更に発展させたもので
あつて、絵素の配置及びこれら絵素のキヤリヤ転送も又
特徴ある部分である。

なお、第７図は第６図に示した固体撮像体１０の各部に
おける縦断面図、第８図は同様にその横断面図を夫々示
し、依つて以下の説明ではこれら断面図を含めた上で本
発明の構成等を詳細に説明しよう。

まず、固体撮像体１０の概略から説明を付記するも、第
６図において右下りの斜線の施された領域は垂直シフト
レジスタ３の領汎を示し、図のように拡大部３Ａと狭隘
部３Ｂとから構成され、拡大部３Ａはジグザグに配列さ
れるは云うまでもない。

そして、これら複数の拡大部３Ａと対向して夫々複数の
絵素が配列形成されるも、本例では以下述べるような状
態に絵素が配列されるものである。なお、以下説明する
例では絵素２ａをＳＡｌとし、他方の絵素２ｂをＳＡ２
とする。本例では夫々の絵素ＳＡｌ，ＳＡ２に蓄えられ
たキヤリヤは水平走査方向ではなく、垂直走査方向に転
送される。

これは、キヤリヤを垂直シフトレジスタ３に転送する場
合、その運送位置を常に定められた電極下に移すことが
できるようにするためと、垂直シフトレジスタ３内のキ
ヤリヤがゲート領域を通じて絵素２外に再注入されない
ようにするためである。一方の絵素ＳＡｌから説明する
も、この絵素ＳＡｌのキヤリヤはキヤリヤ転送方向ａと
並行ではあるがその向きは反対である。

それがため、ゲート領域ＳＴｌは絵素ＳＡｌと拡大部３
Ａとの間で、しかもこの拡大部３Ａの水平走査方向と並
行な側面１４側に位置するようにして形成されるもので
ある。他方の絵素ＳＡ２のキヤリヤは上述とは反対にキ
ヤリヤ転送方向ａと同一方向である。ＳＴ２はゲート領
域を示す。そして、これら絵素ＳＡｌとＳＡ２の間及び
垂直シフトレジスタ３との間はチヤンネルストツパ一８
Ｂが形成される。

このチヤンネルストツパ一８Ｂは、垂直シフトレジスタ
３とほぼ平行になされた主チヤンネルストツパ一８Ａか
ら延びた補助チャンネルストツパ一で、その平面形状は
Ｔ字状をなす。これら主及び補助よりなるチヤンネルス
トツパ一８の全領域を左下がりの斜線で示す。なお、主
チヤンネルストツパ一８Ａ内に破線をもつて図示した半
導体領域はオーバーフロードレイン領域９を示し、この
領域９と複数の絵素ＳＡｌ，ＳＡ２との間に設けられた
領域０Ｇ１，０Ｇ２は余剰キヤリヤをこの領域９に流す
ためのゲートである。ところで、このような構成を採る
固体撮像体１０にあつて、本発明は更に垂直シフトレジ
スタ３に設けられる電極０１，０２の形成位置を次の如
く定める。

すなわち、本発明では狭隘部３Ｂ上に取着される電極は
第２の電極０２であり、しかも、この狭隘部３Ｂには転
送領域０２Ｔが位置するように選定される。この場合、
補助チヤンネルストツパ一８Ｂにあつて、レジスタ３と
並行な領域１６の転送方向ａにおける前縁１６ａと、第
２の電極０２の前縁すなわち、転送領域０２Ｔの前縁１
７とが少くとも−致するようにその位置関係が選定され
るものである。

次に、これらの電極選定条件を満足する電極形成の一例
を示すに、狭隘部３Ｂの長さＬＮよりも、転送領域３Ｂ
の長さＬＴの方が長くなされた場合の一例を、第９図Ａ
にその拡大平面図をもつて示し、その断面図は第９図Ｂ
で示すようになる。

ここで、第１及び第２の電極０１，０２には夫々所望と
する転送信号が供給されるから、この転送信号に基づく
ポテンシヤルウエル１２は夫々の領域ＦｊｌＳ，ＯｌＴ
，Ｏ２Ｓ，Ｏ２Ｔに対応して１点鎖線で図示する如く階
段状のウエルとして得られるは前述した通りである。し
かし、狭隘部３Ｂに形成されるウエルは正規の深さより
ΔＷａだけ浅くなるので、ここのウエルは破線図示の如
くなる。ところで、電極０１及び０２に供給される転送
信号のレベル差を選ぶことによつて、電極０１直下に生
成されるウエルと、電極０２直下に生成されるウエルと
のポテンシヤル差ΔＷｃは任意に変えることができる。
そこで、今少くともΔＷｃ〉ΔＷａとなるように転送信
号のレベルを選定したものとすれば、ΔＷａだけ浅くな
つたウエルによつても、転送方向ａに向つてそのウエル
は順次深くなるようになるから、例えば第１の電極０１
における蓄積領域０１Ｓにキヤリヤが蓄えられていた場
合には、このキヤリヤを他方の蓄積領域０２Ｓまで確実
に転送できるようになる。

すなわち、電極関係をこのように選定すれば、狭隘部３
Ｂの影響を受けることなくキヤリヤの転送を行いうる。

狭隘部３Ｂの影響を受けないでキヤリヤ転送が可能な電
極関係は、第９図の例のほかにも考えられる。

第１０図及び第１１図に夫々他の例を示すも、第１０図
の例は狭隘部３Ｂの全長ＬＮに亘つて転送領域Ｃ５２Ｔ
の長さＬＴが選定された場合であり、第１１図の実施例
はＬＮ＞ＬＴに選定した場合の実施例である。これらの
実施例におけるポテンシヤルウエル１２は第１０図Ｂ及
び第１１図Ｂに夫々示すようになるから、キヤリヤの転
送は可能である。要するに、補助チヤンネルストツパ一
８Ｂの並行領域１６における前縁１６ａと、第２の電極
０２における転送領域０２Ｔの前縁１７とが一致するよ
うに、転送領域０２Ｔの位置関係を選定しさえすればよ
く、この転送領域０２Ｔの長さＬＴには無関係である。
次に、このような条件を満足しない場合の転送状態を第
１２図及び第１３図を夫々用いて説明しよう。

まず、第１２図Ａで示すように、狭隘部３Ｂに第１の電
極０１の蓄積領域０１Ｓを位置させた場合には、そのポ
テンシヤルウエル１２は第１３図Ａで示す如くなり、キ
ヤリヤは転送できない。

なお、この設例は第５図の設例と同じである。第１２図
Ｂは第２の電極０２における転送領域０２Ｔの前縁１７
が領汎１６の前縁１６ａより手前に位置するように選定
した場合で、このようにすると、第１３図Ｂからも明ら
かなように、狭隘部３Ｂ直下のウエルが浅くなる一方、
拡大部３Ａ直下の転送領域０２Ｔが存する部分は浅くな
らないからキヤリヤは転送できなくなる。第１２図Ｂの
設例とは逆に転送領域０２Ｔの前縁１７が狭隘部３Ｂの
内部に存する如く選定されている第１２図Ｃの場合には
、そのポテンシャルウエル１２は第１３図Ｃに示す如く
なるから、前の場合と同様にキヤリヤの転送は行なえな
くなる。

ところで、第６図に示した本発明による固体撮像体１０
のキヤリヤ蓄積及びその転送方法の概略を説明する。ま
ず、第１４図は第６図の−線上の断面図で、キヤリヤの
蓄積状態を示す。この例ではインターレース走査方式の
構成例であるから、一方の絵素ＳＡｌに光量に応じたキ
ヤリヤを蓄え、これを転送する場合につき説明を付記し
よう。絵素ＳＡｌ，ＳＡ２にキヤリヤを蓄積するには例
えば、同図Ａのようなポテンシヤルウエル１２が得られ
るように各電極に加える信号の電位関係を選ぶ。こうす
れば、絵素ＳＡｌＳＡ２にキヤリヤが誘起されるから、
次の瞬間同図Ｂで示す如くポテンシヤルウエル１２を変
更することによつて、絵素ＳＡｌのキヤリヤはゲート領
域ＳＴｌを通じて蓄積領域０１Ｓ下に蓄えられる。この
場合、ゲート領域ＳＴｌには電極０１Ｔ，０１Ｓと同じ
電極電圧が印加されるため、ゲート領域ＳＴｌのポテン
シヤルは絵素ＳＡｌのポテンシヤルより深くなり、従つ
て絵素ＳＡｌのキヤリヤは電極０１Ｓ側に転送される。
しかし、他方のゲート領域ＳＴ２には電極０２Ｔ，０２
Ｓと同じ電圧が印加されるため、ゲート領域ＳＴ２のポ
テンシヤルは絵素ＳＡ２のポテンシヤルよりも浅く、そ
のため絵素ＳＡ２のキヤリヤは電極０２Ｓ側には転送さ
れない。

ここに蓄えられたキヤリヤは水平走査周期で水平シフト
レジスタ４側に転送される。

第１５図はこの転送状態を示し、第１４図Ｂの状態は第
１５図Ａの状態と等価であるから、各蓄積領域０１Ｓに
蓄えられたキヤリヤは、同図Ａのポテンシヤルウエル１
２の状態より同図Ｂのポテンシヤルに変えれば、矢印で
示すように次の蓄積領域０２Ｓに転送される。従つて、
この動作を繰り返えせば、水平シフトレジスタ４にキヤ
リヤを転送できるものである。なお、以上のように構成
された固体撮像体１０を利用して映像信号を得る場合の
一例を次に説明するも、第２図の例はインターレース走
査を考慮した構成になつているので、例えば奇数フイー
ルドでは、５ａの偶数番目の水平走査線上に位置する絵
素が存在する垂直列では１Ｈ（Ｈは１水平走査期間）前
のつまり５ａの奇数番目の水平走査線上に位置する絵素
のうち奇数番目の絵素の情報を使用する必要がある。

偶数フイールドにおいても同様である。そのため、この
固体撮像体１０から撮像出力を得るにあつてはその回路
系を第１６図で示すように構成すればよい。

図において、２１は被写体、２２は光学レンズ系、２３
は１Ｈの遅延回路、２４は１絵素毎に反転するスイツチ
で、現時点の光情報と、１Ｈ毎の光情報を１絵素毎に交
互に読み出し１Ｈの時間内に２Ｈ分の光情報を得ること
により、固体撮像体上の絵素が存在しない部分の絵素を
補つている。通常は垂直相関があるので、このような信
号処理を施しても画像は殆んど劣化しない。但し、従来
の水平走査方向における絵素数の％程度にその絵素数を
選ぶならば十分満足しうる画質を得ることができる。又
、図においては省略するが、絵素の空間的位置合せのた
め、１Ｈ毎に％絵素分の遅延が行なわれる。カラー像を
取扱う場合の一例を第１７図において説明するも、本例
では上述した構成の固体撮像体が３個使用され、夫々の
前面にはＲ，Ｇ，Ｂの単色フィルタ２５Ｒ〜２５Ｂが配
され、被写体２１の所望とした色分解像がこれら固体撮
像体１０Ｒ〜１０Ｂで撮像される。

なお、２６ａ，２６ｂはハーフミラー２７ａ，２７ｂは
ミラーである。色分解像と固体撮像体１０Ｒ〜１０Ｂと
の相対的位置関係は夫々に関して★τＨ（τＨは水平走
査方向における絵素の配列ピツチである）だけ水平走査
方向にずれるように選ばれ、従つて位相的には１２００
の位相差をもつて色分解像が投影される。

夫々の固体撮像体１０Ｒ〜１０Ｂから得られる撮像出力
は１絵素ずつ順次交互に読出され、これらは加算器２８
を通じてカツトオフ周波数が２ＭＨｚ程度のローパスフ
イルタ２９に供給される。

フイルタ２９を介在させるのは後述する構成と相俟つて
垂直方向の解像度を劣化されないようにするためで、解
像度に影響を及ぱす低域成分は信号処理しないように構
成している。フィルタ出力は帯域の制限されない合成出
力と共に減算器３０に供給され、高域成分のみ取出した
のち、１Ｈだけ遅延させ（３１はその遅延回路を示す）
、そののち上述した合成出力と共に加算器３２に加えら
れる。

従つて、この加算出力には演算処理系を通さない低域成
分が含まれることになるが、以上のようにして得た加算
出力は５．０ＭＨｚのカツトオフ周波数になされたロー
パスフイルタ３３に供給され、変調成分（直流成分）が
取出される。一方、この加算出力はバンドパスフイルタ
３４を通じたのち所望の復調軸（検波軸）をもつた復調
器３５Ａ，３５Ｂに供給され、色成分が復調される。

例えば、復調器３５ＡよりＲ−晶なる成分を他方の復調
器３５ＢよりＧ−Ｂなる成分を夫々復調できるから、こ
れら成分と先に説明した変調成分とを後段のマトリツク
ス回路３５に供給することにより、夫々の端子３６ａ〜
３６ｃから所望とする例えばＮＴＳＣ方式の輝度信号Ｙ
及び色差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙを得ることができるもので
ある。以上説明したように本発明では、垂直シフトレジ
スタ３を共用し、絵素２をジグザグに配列して構成する
と共に、垂直シフトレジスタ３の狭隘部３Ｂに取着すべ
き電極を特定したものである。

すなわち、補助チヤンネルストツパ一８Ｂにおける前縁
１６ａと、第２の電極０２の転送領域０２Ｔとの関係に
あつて、この転送領域０２Ｔの前縁１７は少くとも上述
の前縁１６ａと一致するようにその相対的な位置関係が
選定される。このように電極の位置関係を選定すれば、
キヤリヤ転送が良好となるから、従来装置の如くキヤリ
ヤを転送し得なかつたり、或いはキヤリヤの転送残しが
発生し、画質が劣化するなどと言つた欠点を一掃しうる
特徴を有する。

そして、本発明では電極を取着する場合、補助チヤンネ
ルストツパ一８Ｂの並行領域１６における前縁１６ａと
、第２の電極０２における転送領域０２Ｔの前縁１１と
が一致するようにマスク合せを行えばよく、転送領域０
２Ｔの後縁の位置決めは厳格には必要ない。

そのため、電極０１，０２を形成する際のマスク合せが
非常に容易になる効果がある。又、第６図の実施例では
夫々の絵素ＳＡｌ，ＳＡ２が対向する電極は夫々１つで
、しかも他の電極とは距離的に離れているから、マスク
ずれによつて、絵素ＳＡｌのキヤリヤが第２の電極０２
の蓄積領域０２Ｓに転送されてしまうと云つた誤つた転
送もなくなる。

ところで、固体撮像体におけるキヤリヤの転送は界面準
位によるトラツピングのため悪化するので、通常は電気
的又は光学的に与えられたフアツトゼロ（Ｆａｔｚｅｒ
Ｏ）で転送効率を改善するようにしている。

従つて、このフアツトゼロと相俟つて本発明の如く垂直
シフトレジスタ３の電極面積を拡大すれば、上述した界
面準位による少数キヤリヤのトラツピングの影響が更に
小さくなり転送効率を一層向上せしめることができる。
即ち、転送効率の善し悪しを定める１つの目安は垂直シ
フトレジスタ３の面積Ｓとフアツトゼロによつてもカバ
ーできないキャリアトラッピングに供する辺の長さｔと
の比である。

ここで、トラツピングに供する辺（エツジ）の長さとは
、キャリヤ転送用の電極０１又は０２によつて形成され
る空乏層の境界面のうち、フアツトゼロによつて覆われ
ない境界面を構成する辺の長さを指し、依つて第１８図
に示す従来例においてぱ転送方向ａに直交する境界面４
０ａ，４０ｂはフアツトゼロ及び信号キヤリヤの転送に
て覆われるから、これ以外の境界面における辺（斜線重
畳部）の長さが問題になる。依つて、この辺の長さｔに
比し、面積Ｓの方が大きければ即ちＳ／ｔが大であれば
、この境界面におけるトラツピングの影響が小さくなり
、結果的に転送効率の向上を図れるものである。

例えば、第１８図の場合では、ジｌ＝Ｔ゜有Ｖ２・ＴＨ
＝４．５であるのに対し、本例の場合では第１９図に示
すようにｔはＳは８６０（μＭ２）となるから、ジｉは
約１０．８となり、転送効率を格段に向上させることが
できる。

又、この電極拡大に伴い取扱えるキヤリヤの量も増える
から当然雑音の軽減も図り得る特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の固体撮像体の→ｌを示す平面図、第２図
は本発明の原理的説明に供する固体撮像体の→ｌを示す
平面図、第３図及び第５図は夫々キヤリヤ転送方向を切
断面とするポテンシヤルウエルを説明するための断面図
、第４図は第２図の一呉の拡大平面図、第６図は本発明
による固体撮像体の一例を示す平面図、第７図はその縦
断面図、第８図は同様に横断面図、第９図〜第１３図は
夫夫キヤリヤ転送の説明に供する要部の平面図及びその
断面図、第１４図及び第１５図は夫々キヤリヤの転送状
態を示す断面図、第１６図及び第１７図は夫々信号処理
系の一例を示す系統図、第１８図及び第１９図は転送効
率を説明するための図である。 １０は固体撮像体、２，２ａ，２ｂ及びＳＡｌ，ＳＡ２
は絵素、３は垂直の、４は水平の各シフトレジスタ、８
，８Ａ，８Ｂはチヤンネルストツパ一、９はオーバーフ
ロードレイン、３Ａは拡大部、３Ｂは狭隘部、０１，０
２は第１及び第２の電極、０１Ｔ，０２Ｔはその転送領
域、０１Ｓ，０２Ｓは蓄積領域、１２はポテンシヤルウ
エル、ａは転送方向である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 水平及び垂直方向に沿つて夫々所定のピッチをもつ
   て設けられた複数の絵素と、垂直方向に延びる複数のシ
   フトレジスタとを有する固体撮像体において、上記絵素
   は上記シフトレジスタに関してジグザグパターンとなる
   ように配列されると共に、上記シフトレジスタは狭隘部
   と絵素の形成されざる部分も含むようにその領域が拡大
   された拡大部とで構成されると共に、上記シフトレジス
   タの転送方向と垂直な方向に並ぶ絵素と上記拡大部との
   間にはチャンネルストッパが設けられ、上記拡大部に挾
   まれた上記シフトレジスタの狭隘部上に設けられた転送
   電極の転送方向の前縁と上記チャンネルストッパの転送
   方向の前縁とが一致する如く選定されたことを特徴とす
   る固体撮像体。