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JPS5930702B2 - 「あ」−キシレン−4−スルホン酸の晶出分離法 - Google Patents
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JPS5930702B2 - 「あ」−キシレン−4−スルホン酸の晶出分離法 - Google Patents

「あ」−キシレン−4−スルホン酸の晶出分離法

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Publication number
JPS5930702B2
JPS5930702B2 JP4839382A JP4839382A JPS5930702B2 JP S5930702 B2 JPS5930702 B2 JP S5930702B2 JP 4839382 A JP4839382 A JP 4839382A JP 4839382 A JP4839382 A JP 4839382A JP S5930702 B2 JPS5930702 B2 JP S5930702B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
xylene
sulfuric acid
sulfonic acid
weight
reaction
Prior art date
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Expired
Application number
JP4839382A
Other languages
English (en)
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JPS58167559A (ja
Inventor
信之 戸倉
誠二 北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP4839382A priority Critical patent/JPS5930702B2/ja
Publication of JPS58167559A publication Critical patent/JPS58167559A/ja
Publication of JPS5930702B2 publication Critical patent/JPS5930702B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はキシレンと硫酸を反応させて得た反応生成液か
らm−キシレンスルホン酸を高収率に見出させる方法に
関する。
従来、キシレン類のスルホン化剤としては、濃硫酸が多
く使用されて来た。
しかし硫酸によるスルホン化反応を行なうためには、硫
酸濃度の限界値が存在し、この限界濃度以下では、反応
はほとんど進行しない。m−キシレンのスルホン化反応
においても硫酸濃度68重量%(残りは水、以下同じ)
前後に限界値が存在する。
しかるに硫酸によるm−キシレンのスルホン化反応にお
いては、反応の進行につれ等モルの水が生成し、硫酸濃
度が低下する。この為m−キシレンの反応率を高く保つ
ためには、m−キシレンに対し大過剰の硫酸を添加する
必要が有り、工業的には硫酸/m−キシレンのモル比=
1.5〜2が採用されて来た。このため、反応生成液中
には大量の未反応硫酸が含まれる。一方m−キシレンー
4−スルホン酸は、硫酸を含む系で高温にさらすと容
易にm−キシレンー5−スルホン酸に異性化を起す。
特公昭49−33193によると、この異性化の限界温
度は150℃であり、従つて反応生成液よりm−キシレ
ンー 4−スルホン酸を高収率で回収する方法としては
、一般に行なわれて来た減圧蒸留による硫酸除去法は採
用不可能である。本発明者は、m−キシレンと硫酸の反
応生成液からm−キシレンー 4−スルホン酸を効率良
く分離する方法について鋭意研究を行なつた結果、m−
キシレンー 4−スルホン酸の硫酸水溶液に対する溶解
度が硫酸濃度によつて著しく異なり、特に硫酸濃度60
重量%付近に極少値が存在し、50〜70重量%の範囲
では溶解度の差は小さい事を見出し本発明を完成した。
即ち本発明はm−キシレンと硫酸を反応させてm−キシ
レンー 4−スルホン酸を製造し、得られた反応生成液
よりm−キシレンー 4−スルホン酸の結晶を見出させ
るに際し、母液中の硫酸濃度50〜70重量%(残りは
水)の条件下早出させる方法である。本発明におけるm
−キシレンと硫酸の反応は反応温度70〜80℃、硫酸
濃度70〜80重量%(残りは水)の条件下連続的に行
なうのが好ましい。
ここで硫酸濃度とは、反応液中の硫酸と水の総和を10
0重量%としたときの硫酸含有率である。
硫酸濃度が70%以下であると、反応速度が著しく低下
するため経済的な条件とは言えない。また、80%以上
にすると、スルホン(テトラメチルジフェニルスルホン
)の生成が顕著となり好ましくない。反応温度が70℃
以下であると、反応速度が著しく低下するため、m−キ
シレンの反応率を高く保つためには滞留時間を大幅に延
ばす必要が有り、経済性に欠ける。反応温度が80℃以
上であると、スルホンの生成が顕著となる。m−キシレ
ンと硫酸のモル比はm−キシレン1モルに対し硫酸1,
3〜1.9モル、好ましくは1.4〜1.9モルである
。以上の如き方法で反応を行なわせて得た反応生成液か
らm−キシレンー4−スルホン酸をそのまま晶析させる
ときはm−キシレンー4−スルホン酸1モル当り2モル
の水を結晶水として取り込み二水物として結晶化する。
このため反応生成液は晶出量に比例して硫酸濃度が上昇
し、硫酸濃度80重量%以上ではm−キシレンー4−ス
ルホン酸の溶解度も急激に上昇する。又、硫酸濃度上昇
と共に結晶の微細化が起り、スラリーの粘度が上昇し、
遠心分離機による母液の振り切れが極端に悪化し、高品
質のm−キシレンー4−スルホン酸を製造する事は困難
となるので、水で稀釈することにより晶析時の硫酸濃度
を80%以下に維持する必要がある。一方、硫酸濃度が
50重量%未満に低下した場合もm−キシレンー4−ス
ルホン酸の溶解度が急激に上昇するので好ましくない。
晶析温度は20〜40℃の範囲が好ましい。硫酸濃度が
上記の範囲内にあるときは、この温度範囲でm−キシレ
ンー4−スルホン酸の溶解度を0.5〜2重量%に押え
ることが出来る。晶析時のスラリー濃度は30〜45重
量%の範囲が結晶粒径、スラリー粘度の点で好ましい。
本発明晶析操作は回分法、連続法いずれの場合でも効率
良く操作出来る。本発明によればm−キシレンー4−ス
ルホン酸の晶出分離を低温操作で行なうため、異性化、
不均化等の副反応が皆無に近く、高品質、特に低スルホ
ンのm−キシレンー4−スルホン酸を晶出分離すること
が出来る。
実施例1 m−キシレンー4−スルホン酸68重量%、未反応硫酸
23重量%、水8重量%、その他1重量%の組成から成
る反応生成液185重量部と、98%硫酸107重量部
および水108重量部、計400重量部を撹拌機および
ジャケット付晶出器に仕込み、一旦55℃に昇温して完
全溶解を確認後、徐冷を行なつた。
51℃に降温時種晶を添加し、30分後、49.7℃に
おいて晶出が開始した。
さらに徐冷を続け、種晶添加後2時間かけて20℃まで
降温させ、同温度でさらに1時間晶出させた。次に生成
スラリーを全量、遠心分離機(遠心効果1000G11
20メッシュのA布使用)にかけ粗結晶とA液に分離し
、各々160重量部及び240重量部を得た。
沢液中のm−キシレンー4−スルホン酸含有率は0.8
重量%、硫酸濃度は60重量%(残りは水)であつた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 m−キシレンと硫酸を反応させてm−キシレン−4
    −スルホン酸を製造し、得られた反応生成液よりm−キ
    シレン−4−スルホン酸の結晶を晶出させるに際し、母
    液中の硫酸濃度50〜70重量%(残りは水)の条件下
    晶出させることを特徴とするm−キシレン−4−スルホ
    ン酸の晶出分離法。
JP4839382A 1982-03-26 1982-03-26 「あ」−キシレン−4−スルホン酸の晶出分離法 Expired JPS5930702B2 (ja)

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