JPS5931074B2 - semiconductor light emitting display device - Google Patents
semiconductor light emitting display deviceInfo
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- JPS5931074B2 JPS5931074B2 JP48060867A JP6086773A JPS5931074B2 JP S5931074 B2 JPS5931074 B2 JP S5931074B2 JP 48060867 A JP48060867 A JP 48060867A JP 6086773 A JP6086773 A JP 6086773A JP S5931074 B2 JPS5931074 B2 JP S5931074B2
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- wire bonding
- emitting diode
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光表示装置に関し、特に発光ダイオ・−ドを
モノリシック方式に集積化した多桁数字表示装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a light emitting display, and more particularly to a multi-digit numeric display in which light emitting diodes are monolithically integrated.
モノリシック方式の発行表示装置はフォトエッチング技
術によシ発光ダイオードのパターンを自由に咋ることが
でき、かつ、製造工程が量産に適しておシ、比較的小さ
い多桁数字表示装置に多く利用されている。Monolithic display devices use photo-etching technology to freely create patterns for light-emitting diodes, and the manufacturing process is suitable for mass production, so they are often used for relatively small multi-digit numeric display devices. ing.
数字表示装置の表示パターンとしては線状の発光ダイオ
ード素子を角形の８字状に配列した７バーセグメント形
が一般に採用されておわ、多桁の数字を表示する場合に
は、それぞれに７バーセグメント形のパターンを有する
モノリシック・チップを桁の数だけ配列する。The display pattern of a numeric display device is generally a 7-bar segment type in which linear light emitting diode elements are arranged in a rectangular 8-figure pattern. Monolithic chips having a segment-shaped pattern are arranged in an order-of-digit number.
かかる数字表示装置を製造するには、例えばＧａ（Ａｓ
、Ｐ）のようなｎ型の化合物半導体基板表面にＺｎ等の
選択拡散により前記のパターンに従つてｐ型半導体領域
を形成し、基板下面に共通の電極を設けると共に発光ダ
イオード素子を構成する各ｐ型領域にそれぞれに電極を
設け、このようにして得られたモノリシック・チップを
配線基板土にマウントし、各上面電極と駆動回路との間
をワイヤボンディングにより接続する。In order to manufacture such a numeric display device, for example, Ga(As
, P), a p-type semiconductor region is formed on the surface of an n-type compound semiconductor substrate according to the above pattern by selective diffusion of Zn, etc., a common electrode is provided on the lower surface of the substrate, and each of the light emitting diode elements constituting the light emitting diode element is Electrodes are provided in each of the p-type regions, the monolithic chip thus obtained is mounted on a wiring substrate, and each upper surface electrode and a drive circuit are connected by wire bonding.
ところで従来のモノリシック・チップにおいて、８字形
の表示パターンはそれ自体は点対称になつていて、上下
を逆にした場合も全く同じ形状であるが、線状の発光ダ
イオード素子にそれぞれ接続する電極部分を含めたパタ
ーンを考慮するときには点対称性が認められない。By the way, in conventional monolithic chips, the figure-8 display pattern itself is point symmetrical, and the shape is exactly the same even when turned upside down, but the electrode portions connected to the linear light emitting diode elements are Point symmetry is not recognized when considering patterns including .
したがつてモノリシック・チップを配線基板上にマウン
トする際にチップの上下の向きを確認しなければならず
、これがためにマウント工程の咋業性が良くなく、また
自動化を阻む原因となつた。本発明は上記の問題を解決
するべくなされたもので、その目的は、発光表示装置の
モノリシックチップにおいて、上下逆さにチップ付けし
ても差支えのないチツプを使用することで、チツプ、マ
ウント工程におけるチツプの向きに関する自由度を増し
、昨業性を高め、かつ、自動化を容易にすることである
。Therefore, when mounting a monolithic chip on a wiring board, it is necessary to check the vertical orientation of the chip, which makes the mounting process inefficient and hinders automation. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems.The purpose of the present invention is to use a monolithic chip for a light emitting display device that can be mounted upside down without any problem, thereby improving the chip mounting process. The objective is to increase the degree of freedom regarding the orientation of the chip, improve operational efficiency, and facilitate automation.
本発明によれば、一つの半導体基体の一主面に所望形状
をなす複数の発光ダイオード部が形成され、かつそれら
の発光ダイオード部に対してワイヤボンデイング用パツ
ドが形成されて成る半導体発光表示装置であつて、上記
複数の発光ダイオ一部は一つのワイヤボンデイング用パ
ツドを備える少なくとも２つの発光ダイオード部と、二
つのワィヤボンデイング用パツドを備える発光ダイオー
ド部とより成り、上記二つのワイヤボンデイング用パツ
ドを備える発光ダイオード部は上記半導体基体一主面の
ほぼ中心部に存在し、上記二つのワイヤボンデイング用
パツドは上記半導体基体一主面のほぼ中心に対して互い
に点対称性をなし、かつ上記一つのワイヤボンデイング
用パツドのそれぞれは上記中心に対して互いに点対称性
をなして配置されていることを特徴とするものである。According to the present invention, a semiconductor light emitting display device includes a plurality of light emitting diode portions having a desired shape formed on one main surface of one semiconductor substrate, and wire bonding pads are formed on the light emitting diode portions. The part of the plurality of light emitting diodes is composed of at least two light emitting diode parts each having one wire bonding pad, and the light emitting diode part having two wire bonding pads, The light emitting diode portion including the pad is located approximately at the center of the main surface of the semiconductor substrate, and the two wire bonding pads are point symmetrical to each other with respect to approximately the center of the main surface of the semiconductor substrate. Each of the wire bonding pads is characterized in that it is arranged in point symmetry with respect to the center.
かかる構成とすることによつて、半導体基体（チツプ）
が上下逆になつても、そのような状態にかかわらずワイ
ヤボンデイング用パツドに対して特定方向からのワイヤ
ボンデイングを可能としたものである。つまｂ１本発明
は半導体基体の上下の区別をなくしたものである。した
がつて、チツプの上下判別が不要となジ、チツプ・マウ
ントの工数を低減し、作業性を高める効果がもたらされ
る。With this configuration, the semiconductor substrate (chip)
Even if the pad is upside down, wire bonding can be performed from a specific direction on the wire bonding pad regardless of the situation. Tab b1 The present invention eliminates the distinction between upper and lower semiconductor substrates. Therefore, there is no need to distinguish between the upper and lower sides of the chip, thereby reducing the number of man-hours required for chip mounting and improving work efficiency.
以下、実施例にそつて具体的に説明する。Hereinafter, a detailed description will be given along with examples.
第１〜２図は本発明を７バーセグメント形の数字表示パ
ターンを有するモノリシツク・チツプに適用した場合の
一例を示すものである。1 and 2 show an example of the application of the present invention to a monolithic chip having a seven-bar segment type numeric display pattern.
１はｎ型の化合物半導体基板でチツプの主体となる部分
、２ａ，２ｂ，２ｃ・・・は基板の上面にｐ型選択拡散
によジ形成した発光部で、ｎ型基板とのＰｎ接合により
それぞれ発光ダイオード素子をつくｂ、数個の素子によ
ジ線状発光部Ａ，Ｂ，Ｃ・・・を構成する。1 is an n-type compound semiconductor substrate, which is the main part of the chip, and 2a, 2b, 2c, etc. are light emitting parts formed on the upper surface of the substrate by p-type selective diffusion, and are formed by Pn junction with the n-type substrate. A light emitting diode element is provided in each case, and several elements constitute the diagonal light emitting parts A, B, C, . . . .
４は基板の表面保護膜となるＳｉＯ２膜、３ａ，３ｂ，
３ｅ・・・は電極で各線状発光部Ａ，Ｂ，Ｃ・−・ごと
に特定のパターンで形成される。4 is a SiO2 film serving as a surface protection film for the substrate, 3a, 3b,
3e... is an electrode formed in a specific pattern for each linear light emitting part A, B, C, . . . .
これら電極はアルミニウム蒸着膜をフオトエツチングす
ることにより得られ、それぞれＳｉＯ２のコンタクトホ
ール６を通してｐ型領域２ａ，２ｂ・・・と接触する。
各電極のパターンは線状の発光部にそつて、しかもこれ
を覆わないように形成され、それぞれの一部は延在して
ワイヤボンデイング用パツド５ａ，５ｂ・・・を形成す
る。以上のごとき線状の発光部Ａ，Ｂ，Ｃ・・・とそれ
らに附設する電極３ａ，３ｂ，３ｅ・・・よりなる発光
素子のセグメントは、モノリシツクチツプの中心０に対
して点対称に、すなわち０を中心として１８０対回転さ
せた場合に同一のパターンとなるようなパターンに配列
されている。These electrodes are obtained by photoetching an aluminum evaporated film, and are brought into contact with the p-type regions 2a, 2b, . . . through SiO2 contact holes 6, respectively.
Each electrode pattern is formed along the linear light emitting part without covering it, and a portion of each electrode extends to form wire bonding pads 5a, 5b, . . . . The segments of the light emitting device made up of the linear light emitting parts A, B, C, etc. and the electrodes 3a, 3b, 3e, etc. attached to them are point symmetrical with respect to the center 0 of the monolithic chip. That is, they are arranged in a pattern that becomes the same pattern when rotated 180 pairs around 0.
第３図は本発明の他の実施例を示すもので、線状発光部
Ａ，Ｂ，Ｃ・・・はそれぞれ１つの発光領域により形成
されているこの以外は前記の実施例の場合と同じ構成を
有する。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which the linear light emitting portions A, B, C, etc. are each formed by one light emitting region. It has a configuration.
以上実施例により述べたごとく、本発明によればモノリ
シツクチツプにおけるセグメントの配置が点対称である
から、チツプの土と下との区別が無用であり、チツプマ
ウントに際して作業がきわめて容易化し得ることで前記
目的を達成し得る。As described above in the embodiments, according to the present invention, the arrangement of segments in a monolithic chip is point symmetrical, so there is no need to distinguish between the soil and the bottom of the chip, and the work when mounting the chip can be extremely facilitated. The above objective can be achieved.
本発明は前記実施例以外に下記のような形態で実施がで
きる。（１）表示装置の数字、文字、記号等のパターン
が横方向からの傾きを有しない形状である場合には上下
を２分する線について線対称として設計されることにな
る。In addition to the embodiments described above, the present invention can be implemented in the following embodiments. (1) If the pattern of numbers, characters, symbols, etc. of the display device has a shape that does not have any inclination from the horizontal direction, it will be designed to be line symmetrical about a line that bisects the top and bottom.
すなわち、活字の日の字のごときものである。この場合
、左右を２分する線について線対称とするとさらによい
。（２）実施例では線状の発光ダイオード素子による７
バーセグメント形式およびその細分形式の場合を例に述
べたが、これ以外の変形の場合についても本発明は適用
できる。In other words, it is like the Japanese character in print. In this case, it is even better to have line symmetry about a line that bisects the left and right sides. (2) In the example, 7 using linear light emitting diode elements
Although the bar segment format and its subdivision format have been described as examples, the present invention is also applicable to other modifications.
第１図は本発明による発光表示パターンの一実施例の平
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ視断面図、第３図は本発
明の他の実施例の平面図である。
１：ｎ型基板（チツプ）、２ａ，２ｂ・・・：ｐ型領域
（発光部）、Ａ，Ｂ，Ｃ・・・：線状発光部、３ａ，３
ｂ・・・：電極、４：ＳｉＯ２膜、５ａ，５ｂ・・・：
ボンデイングパツド、６：コンタクトホール。FIG. 1 is a plan view of one embodiment of a light-emitting display pattern according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of another embodiment of the present invention. 1: n-type substrate (chip), 2a, 2b...: p-type region (light emitting part), A, B, C...: linear light emitting part, 3a, 3
b...: Electrode, 4: SiO2 film, 5a, 5b...:
Bonding pad, 6: Contact hole.
Claims (1)
発光ダイオード部が形成され、かつそれらの発光ダイオ
ード部に対してワイヤボンディング用パッドが形成され
て成る半導体発光表示装置であつて、上記複数の発光ダ
イオード部は一つのワイヤボンディング用パッドを備え
る少なくとも２つの発光ダイオード部と、二つのワイヤ
ボンディングパッドを備える発光ダイオード部とより成
り、上記二つのワイヤボンディング用パッドを備える発
光ダイオード部は上記半導体基体一主面のほぼ中心部に
存在し、上記二つのワイヤボンディング用パッドは上記
半導体基体一主面のほぼ中心に対して互いに点対称性を
なし、かつ上記一つのワイヤボンディング用パッドのそ
れぞれは上記中心に対して互いに点対称性をなして配置
されていることを特徴とする半導体発光表示装置。1. A semiconductor light emitting display device comprising a plurality of light emitting diode sections having a desired shape formed on one main surface of one semiconductor substrate, and wire bonding pads formed on the light emitting diode sections, which The plurality of light emitting diode parts each include at least two light emitting diode parts each having one wire bonding pad, and a light emitting diode part having two wire bonding pads, and the light emitting diode part having the two wire bonding pads having the above-mentioned shape. The two wire bonding pads are located approximately at the center of the main surface of the semiconductor substrate, and the two wire bonding pads have point symmetry with respect to the approximate center of the main surface of the semiconductor substrate, and each of the one wire bonding pad are arranged in point symmetry with respect to the center.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48060867A JPS5931074B2 (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | semiconductor light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48060867A JPS5931074B2 (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | semiconductor light emitting display device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116404A Division JPS5795683A (en) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | Semiconductor light emitting display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5011693A JPS5011693A (en) | 1975-02-06 |
| JPS5931074B2 true JPS5931074B2 (en) | 1984-07-31 |
Family
ID=13154756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48060867A Expired JPS5931074B2 (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | semiconductor light emitting display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931074B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112293A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Hitachi Ltd | Luminous semiconductor device |
| JPS5443669Y2 (en) * | 1975-04-22 | 1979-12-17 | ||
| JPS528924U (en) * | 1975-07-08 | 1977-01-21 | ||
| JPS52161075U (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-07 | ||
| JPS5795683A (en) * | 1981-07-27 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor light emitting display device |
| JPS62197672U (en) * | 1986-06-03 | 1987-12-16 | ||
| JPH06562B2 (en) * | 1987-03-06 | 1994-01-05 | 株式会社ダイフク | Drive device for raising and lowering traveling crane |
-
1973
- 1973-06-01 JP JP48060867A patent/JPS5931074B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5011693A (en) | 1975-02-06 |
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