JPS5931076B2 - 多素子ガス放電表示／メモリバネルを制御する回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電気的メモリを有し、データの視覚的表示を行
うことができるガス放電装置に係り、とくに多セルガス
放電表示／メモリ装置を提供する回路に関する。

発明の技術的背景とその問題点 従来、一群の電極を背後に配置した一対の向い合う誘電
体電荷蓄積部材の間にイオン化可能なガス媒質を封入し
、複数の個別ガス放電ユニットすなわちセルを形成する
ようにした多セルガス放電表示パネルもしくは多セルガ
ス放電メモリパネルまたは多セルガス放電表示およびメ
モリパネルが提案されている。

セルは穴のあけられたガラス板のような誘電体の物理的
構造体により囲まれる空間内に適当な圧力でガス媒質を
封入し、それらの誘電体の前記空間の外側に当る部分に
適当な構成で導電性電極を配置して構成される。このよ
うな構造において、選択された放電セル内でのガスのイ
オン化により発生される電荷（電子とイオン）は、誘電
体表面の特に定められた場所に集められ、それらの電荷
を発生させた電荷とは逆向きの電界を発生し、印加され
た交流電圧のサイクルの残りの期間は印加電圧を低下さ
せ、放電を終了させる。これらの集められた電荷は、こ
れらの電荷を発生させた印加電圧とは逆極性の電圧を高
める作用をし、それにより放電を再開させるのに十分な
全電圧をガスに印加することにより放電を開始させる。
この反復的かつ交互の電荷収集およびイオン化放電は電
気的にメモリを構成する。非物理的に分離された、すな
わち開放放電セルを含むパネル構造の例は米国特許第３
４９９１６７号に開示されている。

物理的に分離されたセルは米国特許第３５５９１９０号
と、１９６６年１１月に開催されたＥＥＥの秋期コンピ
ユータ連合大会報告書（ＰｒＯｃｅｅｄｉｎｇＯｆｔｈ
ｃＦａｌｌＪＯｉｌＣＯｍｐｕｔｅｒＣＯｎｆｅｒｎｃ
ｅ）５４１″′５４７頁所載のデ一・エル・ビツツア（
Ｄ．ＬＢｉｔｚｅｒ）とジ一・スロツトウ（Ｇ．ＳｌＯ
ｔｔＯｗ）の「プラズマ表示パネル一固有メモリを有す
るデジタル的にアドレスできる表示装置（ＴｈｅＰｌａ
ｓｍａＰａｎｅｌ−ＡＤｉｇｉｔａｌｌｙＡｄｄｒｅｓ
ｓｉｂｌｅＤｉｓｐｌａｙＷｉｔｈｌｎｈｅｒｅｎｔＭ
ｅｍＯｒｙ）」と題する論文に開示されている。表示／
メモリパネルの構造の一例は、背面に導体アレイが配置
される一対の誘電体表面の間に封入されるイオン化可能
なガスを含む。

前記導体アレイは互いに直交する平行導体より成り、こ
れらの導体の交点はガスを囲む誘電体の表面上に複数の
向い合う電荷蓄積領域対を形成する。個々の導体アレイ
の形状、それら相互関係、およびそれらと誘導体との関
係には多くの変形があるから、ここでは直交する平行導
体アレイを例として説明する。従来技術では、イオン化
可能なガス媒質として各種のガスや混合ガスが行いられ
ているがこれらのガスは放電中は多数の電荷を供給し、
接触する物質には可視光、または蛍光体を励起する光線
を発生できるものであることが望ましい。表示パネルの
好適な実施例はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプト
ン、クセノンから選択される少くとも１種類より望まし
くは少くとも２種類の希ガスを利用していた。米国特許
第３４９９１６７号に開示されている開放セル形パネル
では、ガスの圧力と電界は、誘電体層とガスとを介して
向い合う電極の位置合わせ突起部に近接する領域に全体
的に限られる。

個別誘電体領域内での放電により発生される電荷を横力
向に限定するのに十分である。ガスが封入される誘電体
表面の間の空間は、選択された個別ガス体での放電によ
り発生される光子が、ガス中を自由に透過し、選択され
た個別ガス体から離れている誘電体の表面に入射でき、
光子が入射した誘電体表面は帯電粒子を発生し、光子を
発生した個別ガス体以外に少くとも１つの個別ガス体が
放電する準備をさせることができるように選択される。
与えられた放電パネルのメモリ機能に関しては、誘電体
表面の許容間隔は特に印加される交流電位の周波数に関
係し、周波数が低くなると間隔は広くなる。いわゆる「
無電極放電」と呼ばれるガス放電を開始させるために放
電室外部に電極を有するガス放電装置が知られている。

しかし、このようなガス放電装置は特定の周波数、電極
間距離、放電室容積、ガス圧を利用しており、ガス媒体
中で放電が開始されるが、このような放電は高い周波数
における電荷発生のために無効であるかヌは利用されな
い。低い周波数では電荷蓄積を利用できるが、そのよう
な電荷蓄積は前記論文または前記米国特許に開示されて
いる装置のような方法では表示／メモリ装置において利
用されていない。表示／メモリ装置の動作においては交
流電圧が加えられる。

典型的には、一万のアレイに第一の周期的な電圧波形を
加え、この第１の電圧波形と波形が同一で、位相の異な
る第２の電圧波形を前記アレイに向い合うアレイに加え
ることにより、向い合うアレイにより形成されるセルに
第１と第２の電圧の代数和である電圧を加える。その状
態でセルは放電開始電圧に達する。この電圧は外部から
加えられる電圧から取り出すことができ、または壁電荷
電位と外部から加えられる電圧とを組合わせて得られる
。全部のセルアレイには、いずれかのセルにおいてもガ
ス放電を開始させるのには不十分な大きさの交流電圧を
予め加えておく。壁すなわち誘電体表面が前の放電等に
より適当な帯電されている場合には、セルに加えられる
電圧は上昇させられて新たに放電が開始される。一方、
電子とイオンが誘電体の壁に向つて再び流れて放電を消
失させる。しかし、次の半サイクルではそれらの結果的
な壁電荷を印加されている外部電圧を再び上昇させて、
逆向きに放電を行わせる。このような一連の放電は単独
ではそれを開始できない交流電圧信号により維持される
。この維持電圧の振幅の半分は記号Ｖｓで示されている
。維持電圧に加えて、選択されたセルの向う合う電極に
は操作電圧すなわちアドレツシング電圧が加えられて、
それらのセルの状態を選択的に変更させる。

「書き込み電圧」と多づけられるそのような１つの電圧
は、セルすなわち放電場所を静止状態から放電状態へ移
行させる。その理由は、そのセルに印加された全電圧が
維持電圧の次の半サイクルでそのセルを「オン状態」に
するのに十分な大きさだからである。オン状態になつて
いるセルは「消去電圧」と多づけられるアドレツシング
電圧により操作できる。この消去電圧はセルの壁電荷を
除去するのに十分な電荷を加え、それらの電荷が向い合
うセルの壁に集められることなしに放電させることによ
り、セルをオフ状態に移行させ、それによりその後に加
えられる維持電圧を放電を開始させるのに十分なだけ壁
電荷により上昇させられないようにする。書き込み電圧
を発生させる共通の方法は、維持電圧波形に電圧パルス
を電圧を上昇する向きに重畳させることである。

これにより重畳された電圧の大きさはオフ状態のセルを
オン状態にするのに＋分な大きさである。消去電圧は維
持電圧波形にその電圧を低下させる向きに電圧パルスを
重畳させることにより発生させる。この重畳によりオン
状態のセルで放電を開始させ、そのセルがオフ状態とな
るように誘電体表面から電荷を除去するのに十分な電圧
が発生される。放電されたセルの壁電圧はオフ状態壁電
圧と名づけられ、維持電圧の最大値と最小値の間の電圧
２ｓの中間値であることがしばしばである。これら双安
定素子の安定度特性と非直線スイツチング特肚は維持電
圧の前の半サイクル中に点弧されないセルの場合には、
セルアレイ中の任意のセルの状態を放電開始電圧よりも
高い外部電圧を選択的に印加することにより変化できる
ようなものである。

前の半サイクルで点弧され、維持電圧をを上昇させる電
荷が累積されたセルの場合には、そのセルはそれを放電
させる電圧を加えることによりターンオフできる。これ
らの操作信号は交流維持電圧と時間的な関係をもつて加
えられ、放電の強さを制御して、アドレスされているセ
ルだけの壁電圧を変化させることにより選択的な状態遷
移を行う。維持電圧に重畳される操作信号の「選択信号
」と名づけられる部分を、セルを構成する向い合う２つ
の電極に加えることにより、セルはオン状態に移される
。従来は、印加される電圧の和が放電を開始させるのに
十分な時に、各アレイに維持電圧の半分が加えられ、か
つ選択信号の半分が各電極アレイ中のアドレスされるセ
ルの電極に加えられるように、同様な維持信号が各電極
アレイに加えられている。更に各電極に加えられる部分
選択信号は、その電極により構成されて選択されていな
い他のセルの点弧電位を加えない値に制限される。セル
に加える典型的な書き込み信号は、維持電圧が最高維持
電圧よりも多少低いペデスタル電位を発生する時に、オ
ン状態にすべきセルのアドレスされる電極に半分の選択
信号を加えることにより発生される。典型的な場合には
、維持電圧の半サイクル終了部分において、先行する維
持電圧の過度状態から生ずる任意の壁の帯電がほぼ終了
した時に書込信号がセルの互いに対向する各電極に対し
て加えられることになる。したがつて、操作信号は選択
された向い合う２個の電極の交点における１個のセルを
点弧する。この点弧により発生された放電によりその素
子をオン状態にする。その理由は、維持電圧の連続する
各半サイクルごとにガス放電が発生するように、そのセ
ルに多量の電荷が貯えられるからである。ある素子を消
去またはオフ状態に移行させるために維持電圧が壁電荷
電圧とは逆極性の電圧を加えると、そのセルに貯えられ
ている電荷は放電される。

書込に関しては、消去の半分選択電圧が適当なレベルに
あるように、維持電圧が最大印加電圧を供給するレベル
よりも低いペデスタル電位にあれば消去操作は容易にな
る。典型的には、維持電圧の半分のサイクルの終りの部
分の間に消去信号はセルの向い合う各電極に加えられそ
の時に前の維持電圧の放電からの壁の帯電はほぼ完了さ
れるが、次の半サイクルは十分な時間で続行されるから
選択されたセルの壁放電は十分に安定される。上記のよ
うな種類の多セルガス放電装置の動作においては、セル
が適当な電圧信号によりアドレスされる時にガス放電が
開始できるように、少くとも１個の自由電子を各セルの
ガス中に供給することによりガスを放電準備状態にする
ことが必要である。放電パネルを放電準備状態にするた
めの１つの手段は、全てのパネル放電セルに書き込みパ
ルスを周期的に供給することである。

しかしこの電子的な放電準備は自己放電準備であり、し
かもこねは前に放電準備されているセルにのみ有効であ
る。すなわち、電子的な放電準備はセルを周期的に放置
されることを含む。したがつて、セルを放電および放電
準備をさせるためには少くとも１個の自由電子がなけれ
ばならないから、周期的に加えられる放電準備パルスの
間であまり長く待つことはない。パネルのガス媒質の一
部または全部の紫外線を照射するように、パネルの放電
準備のために外部から光線または放射線等を照射するこ
とができる。

しかしこの外部からの光線等の外部照射は利用できない
ことがあるから不便なことがあり、せいぜい補助手段と
して用いられるにとどまる。「内部放電準備」と呼ばれ
るよく用いられる放電準備は、放射性物質からのような
内部放射線を使用するたとにより成る。

セルの誘電体表面に光子を入射させることによりその光
子が電子を励起する光子放電準備も、光子発生のために
オン状態に維持される１つまたはそれ以上のパイロツト
放電セルを設けることにより利用される。

この方法は開放セル構造に特に有効である。すなわち、
この開放セル構造ではガスが充填される誘電体表面の間
のスペースは、選択された個別ガス容量部内における放
電により発生された光子を、パネルのガススペース中を
自由に走行させて他の放電セルの他のガス容量部の放電
準備をさせることができるようになつている。パイロツ
トセルに加えて、またはパイロツトセルに代えて、パネ
ル内部の他の光子源も使用できる。アドレスすべき放電
ユニツトが光子発生源から離れている場合には、内部光
子放電準備は信頼囲が低くなることがある。したがつて
、大面積のパネルの放電準備を行うためには多数のパイ
ロツトセルを必要とすることになる。このため、パネル
マトリツクスの周縁部にそのようなパイロツトセルを複
数個用いて構成されると非常に有効である。信号のペデ
スタル部分を用いる維持電圧のための回路と、個々のセ
ルの書き込みと消去のための電圧操作回路とは各種のも
のが知られている。多重ガス放電表示／メモリ装置の電
極への操作信号のトランス結合は米国特許第３６１８０
７１号に開示されている。多数の電極を含む大型のアレ
イでの個々の電極の結合は面倒で高くつく。したがつて
、維持電圧を介してパルスを供給できる固体パルス回路
が米国特許第３６１１２９６号に開示されている。アレ
イ中の電極への信号の多重結合はセルの電位を操作する
ダイオードと抵抗を組合わせたパルサを採用するものが
用いられている（米国特許第３６８４９１８号）。発明
の目的 本発明の目的は多セルガス放電表示／メモリ装置の電子
的放電開始準備とセル状態の操作とを行うために、その
装置の匍脚を容易にすることである。

本発明の他の目的は、多セルガス放電表示／メモリ装置
内のセルの状態を操作するために採用される回路の消費
電力を減少させることである。本発明の更に他の目的は
、セル放電表示／メモリ装置の部品をアドレスするのに
要する電圧を低くすることである。本発明の別の目的は
、多セルガス放電表示／メモリ装置をアドレスする回路
から抵抗を減少させ、かつそれらの抵抗の電力消費を低
下させることである。

本発明の更に別の目的は、多セルガス放電表示／メモリ
装置の維持電圧回路とアドレツシング回路を簡単にする
ことである。

本発明の更に別の目的はパネルアレイの近接導体間の相
互作用、とくに導体間容量にもとずく相互作用を減少さ
せることである。

発明の概要 これらの目的を達成するため、この発明によれば第１に
パネルのセルに交番維持電圧を加え合わせて印加するた
めに、非類似の周期的脈動維持電圧成分波形を発生して
、パネルの向い合う電極アレイに加えるための回路を設
ける。

これらの維持電圧成分は、たとえばアース電位またはア
ース電位から僅かに異なる基準電圧を有し、この基準電
圧から１つの力向へ向けて立上る比較的小さな振幅の波
形と、この方向とは逆の力向に立上る比較的大きな振幅
の波形とを含む。パネルのセルの放電状態を操作する回
路は、維持電圧成分が逆向きに移行する時に操作される
セルを構成する向い合う領域を構成する電極に加えられ
る基準電圧レベルに、パルスを印加するように構成され
る。また、本発明によれば、現在小さな振幅の波形が加
えられている電極アレイ上の波形を大きな振幅に移行さ
せ、現在大きな振幅の波形が加えられている電極アレイ
上の波形を小さな振幅に移行させることにより、パネル
のセルを電子的に反転させるようにする。動作期間中に
加えられた維持電圧成分の和はセルの維持電圧でなけれ
ばならず、前記の大きな振幅の波形と小さな振幅の波形
を異ならせることができるが、各電極に同じ波形の大き
な振幅と小さな振幅の信号を用いると有利である。この
ようにすることにより各アレイで対称的な回路を使用で
きる。維持電圧成分制御回路の一例は、複数の表示線を
介してそれぞれのアレイの電極に結合されるプルアツプ
およびプルダウン母線ダイオードを含む。信号発生器が
直流電圧源に接続される常開スイツチとして、それらの
母線に接続される。これらのスイツチは、各アレイのプ
ルアツプ母線のためと、各アレイのために大きい波形と
小さい波形へ正電圧移行を行わせるために１個のプルア
ツプ回路が用いられるように、トランジスタで構成する
と便利である。２個のプルダウン回路が各プルダウン母
線に結合される。

すなわち、１つのプルダウン回路は最大負移行電圧に結
合され、他の回路は基準電位に結合される。本発明の第
３の特徴は、交換可能な異つた維持電圧成分波形を向い
合う電極アレイに加えるために、多セルガス放電表示／
メモリ装置の向い合う電極アレイに結合される対称的な
回路構成に存する。本発明の第４の特徴は、多セルガス
放電表示／メモリ装置において個々のセルのアドレス電
圧発生と印加から、維持電圧発生と印加を分離する回路
構成に存する。

本発明の第５の特徴は、アドレスされていないセルの電
極での所望の電圧レベルを低下させることなくアドレス
される素子へのアドレツシング信号の印加前に維持電圧
源を部分選択レベルに瞬間的に駆動するようにすること
により、アドレス用部品における電力消費を減少させる
回路に存する。

特に有利な部分選択信号レベルは外部アースレベルであ
つてこの外部アースレベルは素子の消去制御に利用され
る場合には、正常な維持電圧よりも少ない過度状態を含
み従来はアースレベルを基準にした応答の信頼性をも提
供する。アドレツシングがアースを基準にしたロジツク
から直接にドライブされる場合であつても、スイツチと
ダイオードがアドレツシング回路に用いられ、電力損失
をもたらす抵抗を必要としない。本発明の第６の特徴は
、操作信号を各電極アＩノイの表示コネクタ線に加える
ために、単一のアドレスパルサを使用することである。

すなわち、書き込みパルサと消去パルサが電極アレイに
より共用されることになる。セルの全ての操作は、維持
電圧サイクルと比べて持続時間の短い電圧信号により行
われる。セルの消去はその電極に逆極性の維持電圧成分
を加えることにより行われ、大部分の時間に対して第１
のアレイは小さい維持電圧成分を、第２のアレイは大き
い維持電圧成分をそれぞれ有するような通常の維持電圧
モードにおける動作中消去を行うことによりセルを有効
にオフ放電状態にすることができる。セルの書き込みは
、通常のモードで動作している全てのセルの放電状態を
電子的に反転させ、それから書き込むべきセルを消去し
、その後で消去されて反転されているセルが通常モード
の動作中にオン状態にあるように、全てのセルを電子的
に反転させることにより行われる。電子的反応が大きな
維持電圧成分と小さな維持電圧成分の交換により行われ
る場合には、アドレスパルサは通常の消去および反転一
消去書き込み機能の両刃に対して機能する。すなわち、
正方向に上昇するアドレスパルサは、このパルサからの
電流は２本の表示線へ流すような極性で接続されるダイ
オードによりパルサが両方のアレイに結合されるために
、その表示線とその電極をいずれかのアレイにおける基
準電圧よりも低い維持電圧レベルに引き上げることがで
きる。これは他のアレイの表示線に影響を及ぼすことな
しに行われる。その理由は、その時には印加されている
維持電圧成分と、そのダイオードが信号を阻止すること
のために、他の表示線が基準電圧よりも高い電圧にある
からである。これとは逆に負へ向うアドレスパルサはそ
のときに基準電圧より低い電圧を受けている表示線を、
他のアレイ中のパルサに結合されている片割れの表示線
に何の影響も及ぼすことなしに引き下げる。

その理由はダイオードがパルサをそれらの各表示線に結
合し、そのダイオードがそれらの表示線からの電流をパ
ルサへ流すような極性で接続され、たの表示線に対して
は逆バイアスされるからである。他の二重機能回路はダ
イオードクランプと、パネル中の偏位電流を受け入れる
ための選択スイツチと、母線容量を放電させるためのプ
レアドレスパルサと、自動臨界放電準備制御器とを含む
有効な維持電圧成分に従つて選択的に有効である。

これらの各回路においては、母線または電極アレイのい
ずれかの電圧に対して有効な動作はこの利点を与える。
このように、偏位電流の適合に関しては、そのような偏
位は、維持電圧成分の正常な動作モードに対しては１つ
のアレイの母線上にあり、反転動作モードに対しては他
のアレイの母線上にある。また、各維持電圧成分は同じ
電圧レベルまで移行するから、２本のプルアツプまたは
プルダウン母線からの適当な共通バイアス源へ結合され
たダイオード結合は、プルアツプ母線では低電圧移行バ
イアスレベルとして用いることができ、ダウン母線では
高電圧移行レベルとして用いることができ、ダイオード
はそれらのバイアスレベルにより逆バイアスされるよう
に接続される。ある成分中において基準電圧レベルへ移
行することより偏位電流が発生した場合には、逆バイア
スされたダイオードが、基準電圧バイアスから、プルア
ツプ母線へ電流を流すような極性で接続されているダイ
オードまでスイツチをクロツク制御することにより、選
択的に作用するようにできる。プレアドレスパルサは母
線のレベルを基準電圧まで高め、負へ向うパルサは比較
的高いプルアツプ母線への維持電圧成分の印加の終了に
続いて、かつ選択された表示コネクタ線に対する負へ向
うアドレスパルサのアドレツシングに先立つてプルアツ
プ母線までクロツク制御される。

これとは逆に、正へ向うプレアドレスパルサは、比較的
低いプルダウン母線への維持電圧成分の印加の終了に続
いて、かつ選択された表示コネクタ線に対する正へ向う
アドレスパルサのアドレツシングの前に、プルダウン母
線までクロツク制御される。これらのプレアドレスパル
サはパネルの両方の電極アレイに対する母線に結合され
、負へ向うパルサはプルアツプ母線からパルサへ電流を
流す極性で接続されているダイオードを介してプルアツ
プ母線に接続され、正へ向うパルサはパルサからプルダ
ウン母線へ電流を流す極性で接続されているダイオード
によりプルダウン母線に接続される。これらの回路の別
の特徴は電極間容量を補償し、かつアドレスパルサによ
り基準電圧まで引きよせられた電極がその隣接する電極
に影響を与え、アドレスされていないセルを誤動作させ
る傾向を補償する装置にある。

レベルにある電圧源から１つのアレイのための各表示コ
ネクタ線に接続されるコンデンサをそなえそれにより表
示コネクタ線のアドレス時に電荷レベルが、近接する表
示コネクタ線がそれらの電圧を変えようとする傾向を打
ち消すように、前記１つのアレイ上の維持電圧成分が前
記コンデンサを充放電させるようにした受動補償回路が
示されている。あるいは、アドレスされている電極の容
量の作用範囲内にある近接する電極用のコネクタ線に加
えられる電圧レベルを高くしたり、または保持するアド
レツシングパルサにより適切なパルサが作動されるよう
に、電流制限抵抗を介して全ての表示コネクタ線に結合
される。正または負へ向つて動く種類の共通パルサを使
用する能動パルサも示されている。以下、図面を参照し
て本発明を詳細に説明する本発明を応用できる第１図に
示す多セルガス放電表示／メモリ装置は、ガス放電媒質
の薄い層により分離される一対の誘電体膜すなわち誘電
体層１０，１１を用いる。

このガス媒質は多数の電荷（イオンと電子）を発生する
電荷発生源であり、これらの電荷は分離されている領域
ＸおよびＹの向い合う誘電体部材表面の上に交互に集め
られる。前記領域は誘電体部材のガスに接触しない側上
の導体アレイにより形成される。各誘電体部材は広い開
放表面と複数の領域対Ｘ，Ｙとを呈する。誘電体層１０
，１１と導体アレイ１３，１４のような電気的に動作す
る構造部材は全て比較的薄いが（ただし図面では厚く描
いてある）、丈夫な非導電性支持体１６，１７の上に形
成され、支持される。非導電性支持体１６，１７のうち
一方または両方は、不透明でもよいメモリ機能だけを利
用するのでなければ、ガス放電領域における放電により
発生される光を透過させる。

これらの支持体は透明ガラスで作ると有利である。支持
体１６，１１は放電により発生される熱の放熱器として
も機能し、それによりこのパネルの動作に及ぼす温度の
影響を小さくしている。たとえば、ガス層１２の厚みは
通常は約０．０２５４ＣＴｒＬ（１０ミル）以下であつ
て、典型的には約０．０１０１〜０．０１５２（：！Ｔ
Ｌ（４〜６ミル）であり、この厚みはスペーサ１５によ
り決定される。誘電体層１０，１１の厚みは通常は約０
．００２５ＣＴｒＬ（１ミル）と０．００５１ｃＴｎ（
２ミル）との間である。導体１３，１４の厚みは約８０
００オングストロームであつて、酸化スズ、金またはア
ルミニウムのように透明、半透明または不透明な材料を
使用できる。スペーサ１５は誘電体層１０，１１と同じ
ガラス材料で作ることができ、誘電体層の一力の上に一
体に形成されるリブとして構成できる。

このリブは他の誘電体層に融着されてイオン化可能なガ
ラス媒質１２を封入する気密封じ部を形成する。強度の
高い不透明にされたガラス封止剤１５Ｓにより最終的な
封止を行うこともできる。誘電体層１０と１１の間の空
間から排気し、その後にイオン化可能なガスを充填する
ために通気口１８が設けられる。広いパネルに対しては
、導体の交点の間に小さな球状のソルダーガラススペー
サ１５Ｂを置き、誘電体層１０，１１に融着させてパネ
ルに加えられるストレスに耐えるようにするとともに、
ガラス媒質１２の厚みを一様にする。導体１３，１４は
幅が約０．００７６ＣＴｆＬ（３ミル）で約３９０オー
ム／ＣＴＩＬ（約１０００オーム／インチ）以下、通常
は約２０オーム／ＣＴＩＬ（約５０オーム／インチ）以
下の導体を、中心間隔が約０．０４３２？（１７ミル）
となるようにして支持体１６，１７の上に配列して形成
できる。

誘電体層１０，１１は無機材料から作られ、パネルの焼
成中に化学的または物理的な影響を受けない粘着性膜と
して所要の場所になるべく形成する。

そのような材料の一例としては、本願出願人により製造
販売されているＫｉｍｂｌｅＳＧ−６８（商品名）のよ
うなソルダーガラスがある。このガラスの熱膨脹特性は
、板状にした時に支持体１６，１７として適当なある種
のソーダガラスの熱膨脹の特性にほぼ一致する。誘電体
膜１０，１１は平滑でなければならず、その絶縁体力は
１闘当り約４００００Ｖ（１ミル当り約１０００）で顕
微鏡的なスケールでみて電気的に均質（すなわち、ひび
割れ、あわ、結晶、よごれ、表面膜その他の異常がない
）でなければならない。また、誘電体膜１０，１１の表
面は良好な光電子発生源でなければならない。あるいは
、誘電体層１０，１１の表面には、たとえば米国特許第
３６３４７１９号に開示されているような、電子を良く
発生するように作られた物質で被覆することができる。
光学的に表示することを望む場合には、少くとも一力の
誘電体層と、その上に被覆される物質は光を透過させね
ばならない。導体１４−１，・ｔ・１４−４の端部と支
持体１１の端部は封入されているガス媒質１２をこえて
延び、「維持電圧源、インターフエースおよびアドレス
回路」１９として第１図に全体的に示してある外部回路
との間に電気的接続を行うために露出される。

同様に、導体１３−１，・・・１３−４の端部と支持体
１６の端部は封入されているガス媒質１２をこえて延び
、外部回路１９との間に電気的接続を行うために露出さ
れる。本発明の装置の略図と、第１図に維持電圧源、イ
ンターフエースおよびアドレス回路１９として全体的に
示されている信号源インターフエースと、代表的な維持
電圧成分源と、アドレス電圧源とのプロツク図を第３図
に示す。

これらの信号源と電圧源は第４，５，６図に示す波形を
発生する手段として用いられる。従来の維持電圧成分は
アースを基準として、表示／メモリパネルの向い合う電
極アレイに加えられていた。各成分は通常パネルに印加
される維持電圧の全振幅の２分の１である。本発明の維
持電圧成分は非対称であつて、一力の電極アレイに大き
な振幅の電圧を加え、他の電極アレイには小さな振幅の
電圧を加える。従来は選択信号が書き込み機能と消去機
能のために等しい振幅であるように、しばしばペデスタ
ル電位からの高さが調整された対称的な部分的選択信号
を向い合う電極に加えて、パネルの個々の素子をアドレ
スしていた。

これらの対称的な部分的選択信号は、各電極アレイに全
信号の半分が印加されるから、「半選択信号」と呼ばれ
ている。本発明は、現在の維持電圧成分レベルから外部
アースまたは外部アースから少し異なるものとして示さ
れる基準値までの振幅を有し、非対称的な部分的選択信
号を採用する。非対称的な維持電圧成分の交換によりパ
ネル動作モードの間でそれらの成分が推移され、かつ書
き込み機能と消去機能をパネルの動作モードに相関させ
ることによりそれら２つの機能を行うために消去パルス
が用いられる場合には、向い合う電極アレイのために同
様な回路を採用できる。説明の便宜上、図示構造は直交
する導体アレイを有し、一力の導体アレイをｘ座標、他
力座標アレイをｙ座標と名づけることにする。オフ状態
セルのフイールド内の「オン」状態にある素子と、オン
状態セルのフイールド内のオフ状態にあるセルとの相対
的な位置により所望の表示を現わす信号は、ユーザーイ
ンターフエース４１から取り出される。

このユーザーインターフエースはコンピユータ、タイプ
ライタのようなソース（図示せず）から信号を供給され
る。インターフエース４１からの信号は、表示または記
憶機能を実行するために選択ロジツク４３により選択さ
れる表示パネル４２のセルに関して解読される。このよ
うにして識別されるセルは、所望の機能を実行するため
に必要があれば、制御ロジツク４４によりそれらの状態
が変更される。オン状態になつているセルの消去の場合
は、制御ロジツクは正常な維持電圧サイクル内の適切な
時刻にそのセルを構成しているｘおよびｙアレイの向い
合う電極にアース部分選択信号を印加する。セルの書き
込みすなわち正常サイクルを行うためのそのオン状態へ
の移行は、制御ロジツクによりパネルを電子的に反転さ
せることにより行われ、この反転モード中に反転雌持電
圧サイクル中の適切な時刻に、その素子を構成するｘお
よびｙアレイの向い合う電極にアース部分選択信号を印
加することにより選択されたセルを消去する。このよう
に制御ロジツクは各維持電圧成分に対して維持電圧を交
互に変えるクロツク機能を含み、かつパネル反転（採用
された場合）による電子的な動作開始準備を行うためお
よび消去一書き込みのために電子的反転を行うための維
持電圧成分波形の交換の適切なタイミングと、消去およ
び書き込み機能において正常な維持電圧成分または反転
された維持電圧成分に正しく調整するための部分選択信
号のタイミングを含む。解読ロジツクとアドレツシング
ロジツクとは複雑ではあるが、正常維持モードまたは異
常維持モードのいずれかにおける適切な時刻に書き込み
または消去されるセルのアレイの電極に電力を供給する
表示コネクタラインへのアドレツシングパルスの印加を
統合させる点で、従来のものと変りはない。更にここで
説明しているような装置の一般的な動作パラメータに従
つて、アドレツシングパルスの持続時間は、セルの壁電
荷状態からのその前の維持電圧過度状態から安定した時
に、それらのパルスを始めに印加するために、維持電圧
サイクルと比較して比較的短く、かつその後に続く維持
電圧過度状態に先立つて、操作される壁電荷を安定化で
きるようにする時間内で終了する。維持電圧発生回路４
５と４６は制御ロジツク４４からの制御信号により制御
される。各維持電圧発生回路はプルアツプ（Ｐｕｌｌｌ
ｐ）母線４７（ｘ成分用），４９（ｙ成分用）とプルダ
ウン（Ｐｕｌｌ−ＤＯｗｎ）母線４８（ｘ成分用），５
１（ｙ成分用）を含む。維持電圧成分信号は分離ダイオ
ードを介して、アレイの個々の電極に加えられる。これ
らのダイオードはマトリツクス状に配列されトランジス
タスイツチによつてダイオードを逆バイアスする電圧レ
ベルのアドレツシングパルサが電極に加えられないよう
にし、そのような電圧レベルのアドレツシングパルスが
加えられるとそれらのダイオードは分離動作を停止し、
その間にそれらのダイオードはそのような電圧レベルの
部分選択信号をそれらの電極に加える。したがつて、ア
ドレツシングトランジスターダイオードマトリツクス５
２，５３は、維持電圧成分と部分選択信号を、たとえば
表示コネクタライン５４−１〜５４−４と６１−１〜６
１−４を介して電極１３−１〜１３−４と１４−１〜１
４−４に加えるための媒体である。アドレツシング・ト
ランジスタスイツチに加えられる制御論理入力信号は、
図示の４個のセルを個々に制御するために４本のリード
６５を介して加えられるものとして図示してある。４本
のリード６５のうち、たとえば１番下のリードはｘアレ
イの電極リード５４−１とｙアレイの極極リード６１−
１に加える部分選択信号を制御し、それによりセル１３
−１，１４−１を制御する。

従来の維持電圧は、多セルガス放電表示／メモリパネル
の各向い合うアレイに、所定の時間関係で周期的な電圧
を発生させることによつて発生されていた。

各維持電圧成分の大きさは同じであつたから、結果とし
て得られる維持電圧波形によりセルの端子間に印加され
る全電圧の半分の大きさの電圧に記号Ｖｓをつけ、その
全電圧に２ｓという記号をつけるというきまりが定めら
れていた。万形波について、従来の装置では成分の波形
はその装置の動作にあまり影響はないから、説明の便宜
上刃形波を選択していた傾向があつたことを理解すべき
である。更に、信号の遷移のためには立ち上り時間と立
ち下り時間は有限であることが要求されているから、力
形波による表現は単に近似的なものにすぎないことを認
識すべきである。セルの端子間に加えられる維持電圧波
形は、大きさが同一でない成分から取り出される。その
ために、通常の外部アースレベルからずれている各半サ
イクルごとに放電するように条件づけられていないセル
に対して、オフ状態壁電圧が与えられる。第４図に示す
ように成分波形は方形であり、半サイクルのほぼ全期間
にわたつて最大または最小レベルにあり、両最大レベル
間の間隔は本発明の装置の動作にはあまり関係がない。
成分波形２１，２２は同じような問期を持つているが、
その位相は異つている。これらの成分波形の位相のずれ
は０度から１８０度まで変化できる。位相のずれが０度
すなわち両者が同期している時は、両者の合成波形２３
は打ち消されることを理解すべきである。図示の波形で
は、成分維持電圧波形は、後述するペデスタル部２４，
２５を発生させるために約１３５度位相がずらされてい
る。臨界電圧遷移が生ずるまでは壁電荷遷移は開始され
ないから、印加される維持電圧から時間軸に沿つてずら
される遷移を壁電荷の波形２６は有する。

一般に、維持電圧２３の大きさは、印加される維持電圧
をほとんど中和する壁電荷２６を発生させるのに十分で
あり、したがつて壁電荷２６は参照番号２７で示すよう
な遷移に対して維持電圧の大きさに極めて近づく。下側
の大きさの消去信号２８（第６図）はセルの壁電荷を維
持電圧の振幅の中間レベルまで放電させる。この場合、
参照番号２９で示すように零点で少しオーバーシユート
する。このオーバーシユートは、消去信号パルスの後に
しばしば存在する逆電界３１の中で零点レベルへ向つて
減衰する。各壁電荷遷移は波形２６中の曲り部３２によ
り示されるような上昇期間を含む。このように、壁電荷
の遷移が生ずる場合には、電荷レベルを安定させるため
に多少の時間を要する。たとえば維持電圧の動作周波数
が５０ＫＨｚで、第４図に示す時間Ｔｘ，ｔｙが１０マ
イクロ秒（２０マイクロ秒の周期の半分）だとすると、
典型的な壁電圧の安定化には約７マイクロ秒を要する。
後で説明するように、これらの安定時間のために、パネ
ルの操作に採用できる維持電圧と壁電荷遷移との間の時
間関係に、多少の制限が加えられる。維持電圧はアース
を基準にする必要はない。

すなわち電極１３のｘ軸アレイに加えられる維持電圧成
分は、アースとある選択した電圧との間で切り換える必
要はなく、むしろ任意の２種類の電圧の間で切り換える
ことができる。第４図に示すように、維持電圧のｘ成分
はａとｂの間で切り換えられ、ｙ成分はＶｃとＶｄの間
で切り換えられて、その結果として維持電圧２ｓ＝（ａ
−Ｖｂ）十（ｃ−Ｖｄ）を生ずる。パネルに印加される
この維持電圧波形は、２つの成分２１と２２が等しい半
サイクルと、時間的にずらすことができる電圧遷移とを
持つ同じ周期を有し、オフ状態のセルの壁電圧のバンド
の中心３３が維持電圧の最大値と最小値の中間にある場
合に対して一般化される。第５図では、表示パネルの外
側の維持電圧回路のアースは維持電圧の１つの成分、通
常はＸ成分２１、に対して第４図の値ＡＩ：：．Ｖｂの
間に置かれるように示されているから、１つの値Ｈは正
であり、他の１つは値ＶＬは負である。維持電圧のため
の成分であるｙ成分２２は、値ｄがアース電位でｃがＶ
Ｈであるように外部回路のアースを基準にしている。基
準電圧すなわちアース電圧ＶＧから少ししか高くない値
ＶＨは正であるが、負にしたり、より低い値にすること
ができ、基準電圧ＶＧから大きく離れている値ＶＬは負
であるが正にしたり、もつと高い値にすることができる
、というように維持電圧の成分には何の制約もないこと
に注意すべきである。更に、セルの最も好都合な書き込
み操作は反転を伴つた消去部分選択信号を接地すること
によるものであり、反転状態はＨをアースに対して大き
な振幅とし、ＶＬをアースに対して小さな振幅にする電
圧の大きさの交換により行われるが、これは必要でなく
、２つのアレイ上の種類の波形と、小さい振幅と大きい
振幅の両万の波形とに対して種々の値を採用できる。以
下に行う波形についての詳細な説明は、アレイの間の同
じまたは本質的に同じ波形の交換という特殊な場合と、
ＶＨ．！：．ＶＬに限定される電圧とに対するものであ
る。パネルの動作について後で説明するように、理論的
な最大理由はＶＨ／Ｌがｌに等しく、典型的な実用値は
Ｈ／ＶＬが３分の２に等しく、好適な実用値Ｈ／Ｌが２
分１に等しく、最小実用値は採用されるパネルの伝達特
性により決定され、とくにオフ状態の素子が誤動作で書
き込みされることなしに許容できる電極アレイ上の維持
電圧成分の交換中に、オフ状態にある素子の壁電圧値か
らの結果として生じた維持電圧の移行により決定される
。次にＨの絶対値がＶＬのそれの２分の１である状態に
ついて説明する。

このような状況の下ではｘアレイに通常加えられる維持
電圧成分２１は、ｙアレイ１４に通常加えられる維持電
圧成分と交換でき、これらの成分の代数和により実行維
持電圧を発生するように値が選択されるものとすると、
パネル内のセルの状態は上記交換に応じて反転できる。
すなわち、全てのオン状態セルはオフ状態に変えられ、
オフ状態にあるセルはオン状態に変えられる。これらの
反転は第３，４，５図の説明から判るように、多セルガ
ス放電表示／メモリパネル内の既知の現象に依存してい
る。

Ｘ座標に対する電極アレイ１３の電極１３−１と、ｙ座
標に対する電極アレイ１４の電極１４−１との交わる領
域は、破線３４により表わされる境界によつて定められ
るイオン化可能なガス中における放電場所すなわち放電
セルを構成する。第３図では電極１３−１と１４−１と
からセルがオン状態になつており、ｘアレイ１３はｙア
レイ１４に対して正となつているから、その誘電体表面
ｘ上には負電荷すなわち電子３５が集められ、誘電体表
面ｙには正電荷すなわちイオン３６が集められる。これ
らの電荷は「壁電荷」と呼ばれ、電圧を上昇させる作用
をする。この電圧上昇分は維持電圧の次の交代の時に、
セルを逆の向きに点弧させるのに十分な全電圧をセル間
に印加する。オフ状態になつている附近のセルは本質的
に中和状態の壁電荷を有する。

もつとも、これらのセル内にはランダムな光子により発
生された電子３７が存する。最初にオン状態にあるセル
の一般化した複合壁電荷を第４図に１点鎖線２６で示す
。

第４図の破線３３は最初はオフ状態にあるセルの壁電荷
を表す。第４図で成分の半分の周期は等しく（Ｔｘ＝Ｔ
ｙ）、各半周期は維持サイクルの２分のｌである。もつ
ともこれらの半周期は不当にすることもできる。よすに
示す複合維持電圧の対称的な半周期により、オフ状態の
セルの壁電荷電圧３３は振幅の最大値と最小値の間の中
間であることに注意されたい。オン状態のセルの壁電荷
電圧は時間軸に沿うオフセツトから生じ維持電圧が中和
されるまでにイオン化の開始から電荷の蓄積とともに上
昇する。第４図の１番下のセルの発光時点を示すグラフ
のＡ点に示すように、オン状態のセルは５００ナノ秒の
オーダの時間間隔で光を発生する。

発光は放電の開始に一致するが、光の持続時間はこのグ
ラフの時間軸に沿う尺度では示されない。これらの光は
壁電荷電圧を発生させる印加電圧とは逆極性であつて、
壁電荷電圧に加算される上昇電圧が、境界３４内の放電
場所のターンオフ電圧をこえる時に発生させる。また発
生された光は中和電荷がセルに印加されている全有効電
圧を、放電維持電圧以下にする壁電荷電圧まで上昇した
時に消失する。第５図は、ｘ電極とｙ電極に印カロされ
る維持電圧の大きさが異なつており、交換されると仮定
した特別な場合についての壁電圧を示す。

第５図に示す波形は結果的な維持電圧の平均中和電圧を
推移させ、したがつて壁電圧の実効軸を維持電圧成分の
交換により推移させ、これらの波形に関して適切なタイ
ミングをとらえた時に、オフ状態のセルに書き込み信号
を印加して、オン状態にあるセルの壁電荷を新しい平均
中和電圧を残すから、それらのセルは複合維持電圧の引
き続く半サイクルの過度電圧により放電されることはな
い。時刻７１における維持電圧成分の交換によるオン状
態からオフ状態へのセルの遷移によつて、新しいオフ状
態のセルの壁電圧７３が既に放電しているセルの壁電圧
２７に近づくように、またはここで仮定している場合で
は壁電圧２７と同じ値になるように、結果的な維持電圧
を参照番号７２で示す位置まで推移させるから、その後
に続く結果的な維持電圧遷移７４はそれらのセルにおけ
る壁電圧を上昇させないから、それらのセル電圧を放電
開始に必要なレベルまで上昇させない。

逆にいえば、オフ状態にあるセルについては、維持電圧
成分が交換された時に、それらのセルが前に得たオフ状
態壁電圧に対する結果的な維持電圧の推移は、オン状態
にあるセルの壁電圧の方へ向う。ここで仮定している場
合では、それはオン状態のセルである。すなわち、壁電
圧の実効的な大きさと極性は第５図のＤ点に示すような
ものであつて、放電開始電圧がそれらのセルに印加され
るように、この時刻における維持電圧の遷移を助ける。
その結果、帯電粒子の誘電体表面上に集まり、その電圧
を中和して光の放出により電荷を失う。第５図にＥで示
される壁電圧レベルにより表わされるこの電荷の累積に
より、交換された波形のその後のサイクルが、それらの
セルがオフ状態レベルまで放電するように操作されるま
で、それらのセルをオン状態に維持することを強化する
。維持成分電圧は第３図に全体的に示し、第７〜９図に
詳細に示すプルアツプ回路とプルダウン回路から取り出
される。

ｘアレイ１３の各電極は分離ダイオード７４と表示コネ
クタ線５４とを介してプルアツプ母線４７に接続される
。表示コネクタ線５４は分離ダイオード７６を介してプ
ルダウン母線４８に接続される。表示コネクタ線はアレ
イ１３，１４の１個の電極にだけ接続されているように
示されているが、内部パネル電極多重化が採用される場
合にはアレイの電極群に接続することもできる。プルア
ツプ回路７７は端子７８に加えられる電圧ＶＨをプルア
ツプ母線４７に結合させる選択動作スイツチとして動作
し、プルダウン回路７９は端子８１に加えられる電圧Ｖ
Ｌをプルダウン母線４８に結合させる選択動作スイツチ
として動作する。対応するプルアツプ母線４９とプルダ
ウン母線５１は分離ダイオードを介して表示コネクタ線
によりｙアレイ電極に接続され、ｙアレイプルアツプ回
路とプルダウン回路により制御されて電圧ＶＨと、アー
ス電圧Ｇと、電圧ＶＬを選択的にそれらの電極に加える
。第７，８図に示す２つの回路は全体として略同様であ
る。

しかし、第７図では維持電圧をアース電圧まで引き下げ
る機能は、ＶＨ（５ＶＧの間で遷移を有する小振幅維持
電圧成分波形に対して要求され、この機能はアース引き
下げ回路８２により与えられる。回路８２は部分選択ア
ース引き下げ機能も与える。谷回路８２は維持電圧の成
分が小振幅の時にその成分の１つおきの半サイクル中に
、全ｘ電極アレイを接地するように作動される。このよ
うな制御は制御にロジツク４４のクロツクおよび同期機
能により行われる。更に、セルの放電状態を操作するた
めにそのセルのアドレスを行つている間にアース部分選
択が要求される場合には、各アレイ中のアドレスされて
いるセルのアース引き下げ回路８２は匍脚ロジツク４４
を介して作動される。回路８２のこの二重の機能は印加
される維持電圧成分と、接続されている電極の容量光電
と、母線容量充電と、回路７７と７９におけるプルアツ
プ用トランジスタとプルダウン用トランジスタにおける
残留接合電荷に適合する十分な電力取り扱い容量を持つ
ことを要する。これらの機能を分離することによつて、
各電極アドレス回路のために小容量トランジスタスイツ
チを採用することが可能となる。そのような分離を第８
図に示し、特に第９図に詳しく説明する。第８図で、維
持電圧アース引き下げ回路８３は分離ダイオード８４を
介してプルダウン母線４８に接続され、大容量のアース
引き下げ回路がただ２個だけ要求されるように、制御ロ
ジツクの４４により維持電圧制御の一部として別々に制
御される。

個々の電極選択フース引き下げ回路８５は個個の電極の
アドレス中に匍脚ロジツク４４により制御され、それが
接続されている電極と母線容量の容量性充電と、，回路
７７と７９におけるプルアツプ用パワートランジスタと
プルダウンパワートランジスタの残留接合電荷を取り扱
う容量だけを必要とする。このようにすることによつて
大きなアレイを有するパネルでの十分な節約が可能とな
る。維持電圧成分波形と、パネル４２に印加される結果
的な維持電圧波形との発生には、プルアツプ回路と、プ
ルダウン回路と、アース引き下げ回路の一連の動作を含
む。

第５図に示す結果的な維持電圧は匍脚ロジツク４４によ
り発生され、ｘアレイ中の各電極の電圧がＶＬとなつて
Ｘ成分をＶＨからＶＬに変化させるのに十分な時間だけ
プルダウン回路７９をターンオンする。それから回路７
９（嘘ターンオフされる。次にｙアース引き下げ回路が
全てのｙ電極を接地するに要する時間だけターンオンさ
れ、それからターンオフされる。要求されるアース引き
下げ時間によつて、Ｘアレイのためのプルアツプ回路７
７は、ｙアレイのためのアース引き下げ回路がまだオン
状態になつている間か、オンになつてからまもなくいず
れかの時にターンオンされる。全てのＸ電極をＶＨにす
るのに要する時間中だけ回路７７（まオン状態保たれ、
それからターンオフされる。ｙプルアツプ回路はｙ電極
がＶＨになるまでの時間中だけ次にターンオンされる。
このサイクルは時刻ｒｌにおける反転時まで反復される
。この時刻７１ではｙプルダウン回路はターンオンされ
、その間はＸプルダウン回路の変化は要求されない。そ
の後でＸアレイはそのアース引き下げ回路とプルアツプ
回路により制御され、ｙアレイはそのプルダウン回路と
プルアツプ回路により制御される。これらの制御は波形
が再び交換されて最初の交換サイクルに戻るまで続けら
れる。個々のセルのアドレツシングはそれらのセルの電
極をアース電位にすることにより行われる。

谷電極のアース引き下げ回路すなわちアドレツシングパ
ルサは、選択ロジツク４３により決定される制御ロジツ
ク４４により個々に制御され、適切な時間間隔でターン
オンされ、それからターンオフされる。この信号は維持
電圧成分がアース電位以外の値である間中加えられる。
アドレスされている電極を有するアレイの他の電極は、
アース電位にある電極１３−１と電圧ＶＬにある母線４
８により電極１３−２上の電荷レベルが維持されるよう
に、分離ダイオードにより維持電圧値に保持される。そ
の理由（丸ダイオード７６−２がプルダウン母線４８を
通つて電流が流れることを１阻止するような極性で接続
され、ダイオード７５−２がプルアツプ母線４７を通つ
て電流が流れることを阻止するような極性で接続される
からである。電極１３−１に対する電極間容量によつて
、その電極が含まれているアレイ中の隣接する電極から
アースに対して限定された経路ができるから、アドレス
されている電極と接地されている電極を通じて、アドレ
スされていない電極にある程度の電圧降下が生ずる。こ
の電圧降下は３０％にも達することが観察されており、
そのうちの一部はパネルの外部との容量結合にもとづく
ものと考えられる。しかし、そのような電圧降下は表示
／メモリとしての動作の許容範囲内に含まれ、必要があ
れば補正できるものである。プルアツプ回路とプルダウ
ン回路は同期してクロツク制御される。

この制御に（嘘いくつかのやり方が可能である。これら
の回路は制御信号が加えられた時だけスイツチ「オン」
状態となる、したがつてそれぞれの電位を力Ｉえること
ができるように構成でき、また２つの信号によりオン状
態にされて、オフ信号が加えられるまでオン状態を保持
するように構成することもできる。いずれの場合でも、
パネル電極１３，１４のダイオードにより分離される容
量は、維持電圧がなくなつた後でも素子に加えられた母
線電圧を保持する。１つの電極アレイに維持電圧成分を
加えることにより、向い合う電極アレイにカロえられて
いる維持電圧成分の繊維に応じて変位される傾向を持つ
て電荷レベルを確立する。

各アレイの対称的な回路により各アレイは電圧レベルＶ
Ｈ，ＶＧ，ＶＬまで励振できるから、向い合うアレイが
ＶＨまたはＶＬへ遷移すると他のアレイは変位電流を受
けるようになる。そのような変位電流の洩れ経路は、母
線４７と４８にそれぞれ接続されている通常は逆バイア
スされているクランプダイオード８６，８７を介して、
クランプされたレベルＶＨ（５ＶＬまで形成される。動
作においては、波形図に示されているように、基本的に
は方形波でわずかの傾斜を有するパターンの時間による
多少の変化が示され、成分の交換が生ずると成分の波形
の遷移はその傾斜のみにより新しいレベルにされる。

第５図で、ｘ成分のＦ点からＧ点までの波形で示すよう
に、時間軸に沿う推移なしに正常なｙ成分が転移および
断続されるように、両方の成分がＶＨレベルにあるよう
な状態に対して交換を示している。したがつて、電圧レ
ベルＶＨが加えられ、ｙ成分上のＪ−Ｋ（まいまではｙ
成分上のＬ−ＭとＸ成分上のＦ−Ｇとにより構成される
ことになる。成分交換の時点におけるＸ成分からｙ成分
への同様な推移についても注意されたい。第５図では成
分の交換時にプルアツプ回路またはプルダウン回路ある
いは両者は、クロツク制御によりターンオンされると仮
定したことに注意すべきである。

たとえば、第５図でｙ成分プルアツプ回路はｙアレイ１
４上のＬ点でターンオンされて、カーブ２２をＶＨレベ
ルまで上昇させている。カーブ２１がｘアレイ上にある
間にｘアレイ（はプルアツプ回路７７によりＮ点でレベ
ルＶＨまで上昇され、そのレベルへ推移させるために電
位を加えることを要求されないから、時刻Ｆ下において
プルアツプ回路７７をターンオンすることは不必要であ
る。この時刻にプルダウン回路の正常なクロツク制御が
行われ、成分の交換によつてアース引き下げ回路の代り
にプルダウン回路７９をターンオンさせることだけであ
る。しかし、交換時に成分のレベルが異るとすると、維
持電圧成分レベルの保持は分離されている電極１３と１
４の容量性蓄積のために行うことができ、または制御ロ
ジツク４４がプルアツプ回路またはプルダウン回路を、
その時にプログラムされているレベルまで成分レベルを
移行させるように制御できる。たとえば、ｙ成分がＶＧ
にあり、ｘ成分がＢＨにある時にｘ維持電圧成分が波形
２１から波形２２へ切り換えられるとすると、Ｘ成分は
ＶＧまで少し引き下げられる。これは、アース引き下げ
回路がｙアレイのＶＧへの遷移に続いてターンオフされ
るとしても、クロツク制御回路がｘアレイのアース引き
下げ回路を成分交換時にターンオンすると仮定している
。また、ｙ維持電圧成分をＶＨまで上昇させる時にクロ
ツク制御回路によりターンオンされると仮定している。
多少異つた動作モードが第６図の波形について仮定され
ている。

すなわち、電極アレイの容量性蓄積能力が、新しい波形
における次の成分交換がクロツク制御回路によりプログ
ラムされるまで、交換時点８８に加えられた信号レベル
を保持することに依存している。このような動作のため
に時刻８９と９１の間はレベルＶＨではなくレベルＶＧ
になる。このレベルＶＧへの保持は時刻Ｚの時にアース
引き下げ回路により確立される。同様に、成分が時刻９
２で正常な維持電圧動作へ再び交換される時には、時刻
ＡＡ＜１５ＢＢの間ではＶＧからＶＨへのＸ成分の交換
は行われない。その理由は、その時間内はプルアツプ回
路７７がターンオンされず、Ｘ成分の最初のターンオン
はプルダウン回路７９により時刻ＣＣにおいてＶＬが加
えられることになるからである。スイツチング回路の動
作のクロツク制御のいずれの形も採用できる。

ある特定の種類の制御の結果は以上説明した原理にした
がつて構成できる。一般に、非類似の振幅の維持電圧成
分の電極アレイ１３と１４の間の交換により、オフ状態
のセルをオン状態にする。しかし、２つの成分が最も離
れた極値にある時に交換が行われるとすると、その時に
セルに含まれる記憶は失われる。加えられている維持電
圧の成分を交換することによりパネルのセルの状態反転
を確実に行うために、反転の前はオフ状態にある壁電荷
の壁電荷電圧により高められる結果的な維持電圧の極値
の遷移は、反転前（まオフ状態であつたセルをオン状態
への放電を開始させるのに十分なほど大きくなければな
らない。

更に、反転前にオン状態であつたセルは、反転に伴つて
起りがちであるような、反転前に確立された静止状態あ
るセルの壁電圧からオン状態放電を開始させ、また（１
その放電を継続させるのに十分な結果的な維持電圧遷移
を受けてはならない。結果的な維持電圧の移行が行われ
る時にオン状態となつているセルの放電が安定されてい
ないとすると、オン状態のセルの壁電荷を成分交換後の
オン状態レベルに置き換えることができ、そうすると全
てのセル（１オン状態となつてその結果パネルの記憶内
容は失われる。次に１つの成分がＶＬレベルにあり、他
の成分がＶＨレベルにある時の成分交換について説明す
る。

結果的な維持電圧においては成分の遷移は累積的であり
、その結果オン状態のセルの壁電荷は２（ＶＨ＋ＶＬ）
の遷移だけ増大してオン状態を継続し、オフ状態のセル
の壁電荷遷移は２ＶＨ＋ＶＬすなわち通常の維持電圧レ
ベルであり、それらのセルをオン状態に移行させる。全
てのセルがオン状態であると反転により全てのセルがオ
フ状態になるから記憶はなくなる。反転されたパネルが
再反転にされると、正常な結果的維持電圧を最大の逆の
値へ遷移するに先立つて、それらの壁電荷を正常な結果
的維持電圧のオフ状態レベルまで放電することにより反
転中にオン状態であつたセルがターンオフされる。

また、異常な結果的維持電圧の間にオフ状態であるセル
のオフ状態壁電荷は、正常な結果的維持電圧のオン状態
壁電荷に一致して、正常な維持電圧への再反転時におけ
る反転の間にオフ状態であつたセルをターンオンさせる
。振幅が異なる維持電圧成分の交換により電子的な放電
条件づけを行うべき場合には、以前にオン状態であつた
セルの壁電荷レベルを新たなオフ状態レベルに維持し、
かつ反転が放電開始条件を与えるのに十分な電子３７が
確実に存在するようにするのに十分高い周波数で起るよ
うにする条件が設定されるものとすると成分交換をある
成分の関係の範囲にわたつて行うことができる。

典型的には５０ＫＨｚの周波数で動作する維持電圧源、
した こがつて２０マイクロ秒の維持電圧周期で動作す
る維持電源においては、反転条件づけ期間の間の典型的
には正常な１６の周期の間隔が有効であり、表示に妥当
なコントラストを与える。しかしながら，正常サイクル
対異常サイクルの別の比も採用できることも理解すべき
である。パネルの記憶を保持すべき場合には、正常な維
持電圧波形中にオン状態であつたセルが交換の結果オフ
状態となり、オフ状態であつたセルが父換の結果オン状
態となることが望ましいから、成分交換の時刻は重要と
なる。

すなわち、パネルが反転することが望ましい。ここで仮
定している場合では．電極アレイ上の維持電圧成分の交
換が同じレベル．第５図ではＨである時に起るならば、
反転が生ずる。また、一つの成分が基準レベル、第６図
ではアースレベル、にある時に電極アレイ上の維持電圧
成分の交換が起るならば、反転が生ずる。電子的反転が
利用できる場合には、パネルのセルの制御（嘘オン状態
のセルを消去することにより行うことができる。

すなわち、正常維持サイクルの間は、セルの壁から帯電
粒子を取り出し、それらの粒子を再結合させてセルの壁
を本質的に無電荷とし、かつ中性電位レベルにするよう
に、維持電圧が１つおいた次の半サイクルへ遷移させる
前に、消去すべきセルの向い合う電極に電圧パルスを印
力０することによつてオン状態にあるセルを消去できる
。反転は維持電圧成分の交換により行うことができるか
らパネルを反転させ、その反転中にセルを消去し、その
セルがそのオフ状態からオン状態へ移行されるようにパ
ネルをその正常状態へ戻すようにパネルを再反転させる
ことによりそのセルに書き込むことができる。パネル内
のセルの状態の特に有利な操作は消去部分選択を行わせ
るために電圧遷移をアースさせる外部アドレツシング回
路により行うことができる。

消去電圧パルスは維持電圧に重量される。これはパネル
内部のオフ状態セルのオフ状態壁電荷が外部アース以外
のものである場合に可能である。第６図は消去技術によ
り操作されるアドレスされるセルに対する壁電荷と維持
電圧との遷移を示す。典型的にはＶＨ−２／３１ＶＬＩ
であるからＶＨが小さい方の成分に対する振幅であり、
ＶＨ＋ＶＬが大きい方の成分に対する遷移である場合に
ついて共に定義したように２Ｖｓは２ＶＨ＋３／２Ｈに
等しい。現在入手できるパネルでは２ｓの適当な値は２
４０であり、上記の割合によりＶＨ（嘘６８６Ｖ．ＶＬ
（ま−１０３Ｖとなる。ここで説明している例では消去
パルスはＨ＝ＶＬｌ−１７１．６Ｖであつて、維持電圧
の最低値よりも高い。オフセルの壁電圧を１２０Ｖ（維
持電圧の極値の中間値）を１２０Ｖと仮定すると、消去
パルスは１７１．６−１２０すなわち５１．６Ｖに等し
く、この値はオフ状態のセルの壁電圧よりも高い。典型
的なセルの構成ガス成分およびガス圧に対して（ま、こ
れは「消去パルス高］に対する実行値として知られてい
る。したがつてこの「消去パルス高」は比ＶＮ／ＩＶＬ
ｌを変化することにより変えることができる。部分選択
信号としてアース電位を用いる際には、最高の部分選択
信号は維持電圧の最低値よりも高いＬである。

したがつて、この部分選択信号の電圧はオフ状態の壁電
圧よりも−１２０−ＶＬ＝１７Ｖだけ低い。すなわち、
維持電圧波形３１の中間点よりも下である。維持電圧波
形の他の成分から要求される部分選択の寄与は、電圧Ｖ
Ｈをアースレベルへ向けて６８．６Ｖだけ引き下げるこ
とにより容易に得ることができる。これによつて、部分
選択信号をオフ状態よりも低くする。部分選択信号はオ
フ状態レベルからの結果的維持電圧の移行よりも大きく
ないから、アドレスされたセルの１つの電極を有するセ
ルの状態を余分に変更することがある面倒な部分選択信
号が避られる。これまでの説明で仮定した特別な例は１
ＶＨＶＬ１が通常はＩＶｓｌよりも小さく、有効維持電
圧の２分の１であるＶＬがＶｓよりも少し大きい値で良
好に動作するというように一般化できる。ここで１ＶＨ
１≦１ＶＬ１くＶｓであることを注意しておく。これは
１ＶＬＩ＜ＶＨｌで第６図の時刻Ｔａにおける選択パル
スが消去を行うことができるとすると、選択信号なしの
維持電圧のレベル推移は時刻Ｔｂにおいて、反転により
全てのセルが消去されるように、オフ状態に反転されて
いたセルを書き込ませ、あるいは少くとも書き込ますこ
とができることかられかるであろう。この種の応答はパ
ネル全体を消去する。すなわち、反転されてオン状態に
あるセルは第６図の時刻ＴｃにレベルＭＮの壁電圧を示
す。この電圧は時刻Ｔｂにおいて反転された維持電圧移
行を放電を開始させるに十分な値まで高める。したがつ
てそれらのセルはオフ状態に再反転し、正常なオン状態
のそれらの記憶は失われる。したがつて時刻Ｔａにおけ
るパルスが消去するが、時刻Ｔａにおける中性壁電荷レ
ベルからの維持電圧遷移が書き込まないように、電ＥＬ
ｌＶＬｌ（ま１ＶＨ１よりも十分に大きくなければなら
ない。ここで説明している１ＶＨ１＝１ＶＬ１／２であ
る例では、時刻Ｔｂにおける維持電圧のレベルは正常な
維持電圧レベルまで低下し、したがつてオフ状態にある
セルに対しては壁電荷電圧レベルまで低下する。維持電
圧のそのような遷移は定義によつて書き込みは行わせな
い。その理由は、その遷移が正常なオフ状態壁電圧をあ
まり大きくこえていないからである。また、１ＶＨ＝Ｊ
ＶＬｌ／２とすると正常な維持電圧サイクル中にオフ状
態にあるセルは、反転された維持電圧サイクル中に確実
に反転される。その理由は、オフ状態の壁電荷はオフ状
態のセルに対する正常な維持電圧に等しい量だけ、反転
された維持電圧の最大遷移から変位されるからである。
１ＶＨ＝ＶＬＩ／２の場合には１ＶＬ１−Ｖｓであるこ
とを暗黙のうちに示している。

維持電圧回路に対する電圧の要求を減少させることが望
ましい。そのような要求は１ＶＬ１く：Ｖｓｌにより促
進されるがこの関係は正常な動作を行わせるためのオフ
状態セルの壁電位からの振幅が通常（１オフ状態のセル
を確実に放電させるために、維持電圧交換時に維持電圧
を十分に遷移させる際に確実な動作を行わせるレベルに
限定される。規則的な反転、たとえば１６個の正常な維
持電圧サイクル対反転された維持電圧サイクルの比でパ
ネルを放電開始のための条件づけすなわち、準備をさせ
るための反転手段として、非対称的な維持電圧波形と、
電極アレイ上でのそれらの波形の交換とを使用するのに
加えて，提案されている波形はパネルを最初に確実にタ
ーンオンさせるのにも有効である。

イオン化できるガス中での粒子活動レベルが比較的低い
と、初期励起は十分に大きいことを必要とする。この波
形はこの点に関してとくに有利である。その理由は、最
初の反転時にパネルにフラツシユ電圧が加えられるから
である。この７ラツシユ電圧は２（ＶＨ＋ＩＶＬｌ）−
ｓで近似され、この値はＶｓが１２０Ｖであると約２２
０Ｖである。第６図に示す操作信号電圧は壁電荷電圧が
安定化された状態に近づいた時に、したがつて、仮定し
たセルと動作パラメ一掲に対しては、維持電圧が零点を
通つて極値まで遷移してから約２〜７マイクロ秒経過し
てから加えられる。

この操作信号パルスの幅（ま新に発生される壁電荷の安
定化された状態に近づくことができるように選択される
。典型的なパルス間隔は仮定したセルと動作パラメータ
に対しては２〜７マイクロ秒として示されている。操作
信号の後で維持電圧の任意の大きな遷移の前の壁電荷の
状態の安定化も動作を確実に行うのに有利である。した
がつて、上記のように信号の終了と維持電圧の遷移との
間の時間間隔が約２〜７マイクロ秒であることが望まし
い。第６図に示すように一連の正常な維持電圧サイクル
によつて、あるセルが波形２６で示すような壁電荷電圧
を有するオン状態にある、安定なパネル状態を維持する
。

時刻Ｔａではそれぞれの維持電圧成分は逆振幅であり、
特にＸ成分はＶＬ．ｌｙ成分はＶであつて、両方の成分
はオン状態のセルを定めるｘ電極とｙ電極上でアース電
位まで引き下げられる。電圧パルスがそれらのセル間に
累積された結果（参照番号２８）それらの壁電荷をセル
の壁から引き去る。この時には各セルに対する選択信号
回路７３と７５に電圧源ＶＨとＶＬから得ることができ
る電圧と電流をロードすることをさけると有利であり、
したがつてセルのアドレツシングの直前に母線電圧を低
くすると有利である。母線電圧を低くする１つの方法は
プルアツプ回路とプルダウン回路をターンオフ分離ダイ
オード７５，７６の接合におけるパネル電極容量によつ
て母線をアース電位まで引き下げて、選択信号回路によ
りアースまで引き下げられていない各アレイの電極の信
号レベルを維持電圧レベルに維持することである。この
動作の主要な機能は母線の容量を放電させることである
から、この機能を行うために小電力トランジスタスイツ
チを使用できる。第９図はこの機能を行う回路を示す。
アドレツシングを行う１つの動作順序はプルアツプ回路
とプルダウン回路をターンオフさせ母線電位をアース電
位またはその近くまで引き下げ、それらのアースへの引
き下げを検出し、それに応じてアドレツシング制御ロジ
ツクがアドレスされた選択信号回路を作動できるように
することである。

第９図の回路はこのような動作を行う部分を含む。カロ
えられた維持電圧中にアドレツシングの窓（Ａｄｄｒｅ
ｓｓｉｎｇｗｉｎｄＯｗ）を設けるための便利な技術は
、それらの一連の動作中の一定の要素として各維持電圧
サイクルのある部分だけプルアツプ回路とプルダウン回
路をオフ状態にし，そのオフ状態期間中はアドレツシン
グ機能をクロツク制御することである。消去パルスのパ
ルス幅と高さと、維持電圧上の位置は、消去放電パター
ンを制御するために電荷転移カーブに従つて選択できる
。

第６図に示すように消去パルス（まセルに種々の放電パ
ターンをとらせるようにすることができる。これらの放
電パターンは適切な安定化されれば全てオフ状態に移行
する結果となる。破線２９ａで示すようにセルは中性値
まで放電できる。２点鎖線のカーブ２９ｂで示すように
、残りの維持電圧サイクルすなわち次のサイクルの間に
中性値へ向つてドリフトするように、セルはオフ状態レ
ンジ内の中性値以下のレベルまで放電できる。

オーバーシユート２９で示すようにセルは中性値より高
いレベルまで放電できる。このオーバーシユートは存続
できるものとすれば、セルを再書き込みするのに十分な
ほど次の維持サイクルを長くするのに十分なくらい高く
できる。この壁電荷のオーバーシユート２９をなくすた
めに，これらのセルの壁電荷を中性レベルの方へ動かす
逆電圧を印加できる。これ（まプルダウン回路５２をタ
ーンオフすることによりｘアレイにＶＬ電圧を再印加す
ることにより、またはプルアツプ回路５９をターンオン
することによりｙアレイにＶＨ電圧を再印カロすること
により、あるい（ま両方の操作を行い、壁電荷の中性点
よりも高い点へ次に移行する前に、壁電荷の中性点より
も低い維持電圧レベルを発生させることによつて行うこ
とができる。これによりたつたいま消去されたセルの壁
電荷を、時刻Ｔｂにおける放電の再開に対して作用する
のに十分なほど中性点の方へ引きよせる。

ちようど消去されたセルの壁電荷が不本意な放電をさけ
るのに十分な中性壁電荷レベルまで確実に減少され、か
つ次の結果的な維持電圧の反転時に望ましくない放電を
起させる容量性偏位電流が起らないようにするためには
、プルアツプ母線４７，４９をタロツク制御することが
必要である。これは第９図に示すように、ダイオードに
よりプルアツプ母線から分離されている小電力アース引
き下げ回路により行うことができる。正常な維持電圧サ
イクル中に維持電圧成分を接地することにより、セルは
パネル表示から消去される。

これらのセルは、ユーザーインターフエース４１から選
択ロジツク４３と制御ロジツク４４に与えられる信号に
応じて書き込まれる。これらのロジツクは電極アレイ間
の維持電圧成分の前記した交換によりパネルの反転を行
わせる。次に制御ロジツク４４は母線レベルが低下した
時に選択信号回路が動作可能とされるように、アドレス
されるセルの母線接地回路と選択信号回路をクロツク制
御する。それから消去されたセルがそれらの壁電荷レベ
ルを中性壁電荷レベルＰＰへ向つて弓き下げ、反転され
た維持電圧サイクルが時刻９２で終了した時に正常な維
持電圧サイクルへ戻す装置を作動させることができる。
したがつて、反転中に消去されたセルは再反転によりオ
ン状態に入る。以上の説明から、正常な維持電圧サイク
ル中に加えられるか、反転維持電圧サイクル中に加えら
れるかを問わず．消去パルス（まオフ状態壁電荷レベル
を発生させるのに十分なレベルにおいて、それらのパル
スのその時の電流の大きさの移行に抗して維持電圧成分
に加えられるものであると一般化できる。

これらの消去パルス（まオン状態のセルの壁電荷を適度
に安定化させることができるのに十分な適当な電極アレ
イ上におけるＶＨからＶＬまでの遷移に続く期間に加え
るべきである。消去パルスと、それに附随する中性壁レ
ベルに近づける壁放電は、適当なアレイ上におけるＶＬ
からＶＨへの遷移の前に終了せねばならない。第６図に
示す波形は以上説明したやり方以外の槽差によつても作
ることができる。

たとえば、選択信号回路５２，５３が十分な電力取り扱
い容量を有するものとすると、母線のアース引き下げは
アドレツシングにとつて必須のものではない。更に消去
パルスの大きさまた（ま印加の間隔が消去された壁電荷
を中性壁電荷レベルまで移行させ、または消去されたセ
ルの放電が不本意に開始されることがさけられるレベル
まで移行させるのに十分なほど正確に制御されるものと
すると、維持電圧の次の移行の前に母線電圧を操作する
必要はない。したがつて、第３図に維持電圧回路と選択
信号回路として簡略化されたプロツク図は、第７図に詳
細に示されたもので十分である。第７，８図に示す回路
構成ではプルアツプ回路と、プルダウン回路およびアー
ス引き下げ回路は本質的に常開スイツチであつてトラン
ジスタで構成し、これらのトランジスタのエミツターコ
レクタ回路を接続する母線に基準電圧を接続すると有利
である。

適切な時刻にトランジスタスイツチをターンオンおよび
ターンオフするという要求に加えて、それらのトランジ
スタはターンオフ時には電圧１ＶＨ１＋１ＶＬ１に耐え
ねばならず，アース引き下げアドレツシング回路の場合
にはそれらのトランジスタは母線のレベルの引き下げに
適応できる電力容量と維持電圧源の部品のスイツチトラ
ンジスタの容量を含む附随容量とを持たねばならない。
第８図に示す維持電圧源回路とアドレツシング回路の別
の構成を第９図に示す。

第９図の回路は母線容量がアース引き下げアト１ノツシ
ングスイツチに加わることをさけるように構成されてい
る。スイツチの形態をとつているアース引き下げアドレ
ツシング回路は母線に結合されてパネルの任意の電極の
アドレツシングの少し前に母線容量を放電させる。この
放電はそのアドレツシングに対する必要な条件である。
母線とアドレスされる電極とにプルアツプ電圧とプルダ
ウン電圧を加えるために、第９図にはいくっかのトラン
ジスタスイツチが示されている。

これらのスイツチを制御する回路（ま図示していない。
この種のトランジスタスイツチを急速にターンオンおよ
びターンオフするための典型的な回路は１９７２年１２
月８日に出願した「トランジスタ制御装置（Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔＯｒＣＯｎｔｒＯｌＡｐｐａｒａｔｕｓ）」米国
特許第３１３３４８号に開示されている。多セルガス放
電表示メモリパネルは２種類のモードで動作するように
意図されている。１つの動作モードは維持電圧成分の交
換によりパネルを周期的に反転させることによつてパネ
ル全体を電子的に動作準備させるやり方を採用しており
、他の動作モードは連続放電ポータを採用している。

これらの動作準備を行う手段は組合わせることができる
。制御ロジツク４４は前記波形に従つてトランジスタス
イツチを制御するために，維持電圧制御器４５，４６内
のスイツチング回路に信号を与える。

たとえば，第５図に示す正常な結果的維持電圧波形に対
しては， ｙアレイ１４はＶＨとアースとの間で切り換
えられ、ｘアレイ１３はＶＨとＶＬの間で切り換えられ
る。電子的動作準備が採用される場合には，これらの維
持電圧波形は周期的に交換される。セルをオン状態とオ
フ状態との間で操作する際には選択ロジツクと制御ロジ
ツクにより制御される波形の交換により．消去形のアド
レス信号がパネル反転に対して適切な時間間隔関係で加
えられる。ｘアレイとｙアレイに対する母線回路のトラ
ンジスタスイツチは、第９図では第１の添字Ｘ，Ｙとそ
れらが表わす電圧レベルに対する第２の添字とで示され
ている。

このようにプルアツプトランジスタＱＸＨとＱＹＨはＸ
およびｙプルアツプ母線４７，４９にＶＨを加えるため
にターンオンされ、プルダウントランジスタＱＸＬ＜！
：．ＱＹＬはＸおよびｙプルダウン母線４８，５１にＶ
Ｌをカロえるためにターンオンされ、アース引き下げト
ランジスタＱＸＧ（５ＱＹＧはＸおよびｙプルダウン母
線を接地するためにターンオンされる。アドレツシング
、トランジスタスイツチはＸ回路とｙ回路に共通であり
、したがつてそれらにはｘとｙの添字（まつけず、それ
らのスイツチが動作する信号の極性を示す添字をつけで
示す。すなわち，正の維持電圧成分を負に引く選択信号
に（１添字Ｐをつけ、負の維持電圧成分を正に引く選択
信号には添字Ｎをつける。２番目の添字はそのトランジ
スタスイツチが組合わされる機能または素子を示す。

ブレアドレス・トランジスタＱＮＢはｘおよびｙプルダ
ウン母線４８，５１をＶＧへ向つて正にそれぞれ引き、
プレアドレス・トランジスタＱＰＢはｘおよびｙプルダ
ウン母線４７，４９をＶＧへ向つて負にそれぞれ引く。
これらのトランジスタ（ま縁部素子がパネルの放電を開
始させるために用いられる場合に、それらの素子の反転
のために部分選択信号をカロえる手段でもある。部分選
択信号トランジスタスイツチは、それらのスイツチが制
御するアレイの電極を表す２番目の添字により示される
。たとえば、各アレイの１番目の電極または電極群に対
してはＱＰｌ，ＱＮｌで示され、アレイの２番目・・・
・・・Ｎ番目の電極に対してはＱＰ２，ＱＮ２．．．．
．．ＱＰＮ，ＱＮＮで示される。トランジスタスイツチ
ＱＮＯは維持電圧成分のＶＧへの移行にもとづく偏位電
流に適応させるために．プルアツプ母線４７，４９に対
して作用する。動作においてはｙプルアツプ母線４９は
、制御ロジツク４４からリード９５を介してトランジス
タＱＹＨのベースにくわえられる信号により、このトラ
ンジスタをターンオンすることによつて電圧ＶＨまで上
昇させられ、それによつてそのコレクターエミツタ回路
は端子９６に存在する電圧ＶＨを母線４９にカロえる。

ＶＨの典型的な値はたとえば正の７０Ｖである。母線４
９にカロえられた正電圧はアレイ１４中のｎ個の電極の
電極分離ダイオード９７−１，９７−２・・・・・・９
７−ｎと、接続点９８−１，９８−２・・・・・・９８
−ｎと、表示コネクタ線６１−１，６１−２・・・・・
・６１−ｎとを介して電極１４−１，１４−２・・・・
・・１４−ｎに加えられる。境界条件が利用される場合
には、ｙ電極ＢｙｌとＢｙ２（図示せず）により定めら
れるパネルの各端部上のｙ境界もダイオード９７−Ｂｌ
，９７−Ｂ２と、接続点９８−Ｂｌ，９８−Ｂ２と表示
コネクタ線６１−Ｂｌ，６ｌ−Ｂ２とを介してプルアツ
プ電圧，ＶＨ全受ける。ｙアレイにアース電位を加える
のには次のようにする。

まず制御ロジツク４４からトランジスタＱＹＨのベース
に適当な信号をカロえ、このトランジスタをターンオフ
させてプルアツプ母線４９から電圧ＶＨを除去し、それ
からトランジスタＱＹＧのベースに匍脚ロジツク４４か
ら適当な信号をカロえ、このトランジスタをターンオン
させてｙプルダウン母線５１をアース電位まで引き下げ
る。トランジスタＱＹＨをターンオフさせるには、前記
米国特許出願に開示されている制御回路を使用できる。
ダイオード１０２は、トランジスタＱＹＬを介してカロ
えられるアースよりももつと負の電圧ＶＬにアースから
順にバイアスされることを阻止する。アドレツシング回
路のＮｐｎおよびＰｎｐトランジスタの両方に対してト
ランジスタスタートランジスタ、ロジツタ（図示せず）
からのアドレツシングの直接制御を容易にするために．
アース電位ＶＧは正の約１．０Ｖに選ばれる。

このアース電位はトランジスタＱＹＧのエミツタに加え
られ、それからそのトランジスタのエミツターコレクタ
と阻止ダイオード１０２とを介して母線５１にカロえら
れる。母線５１からアース電位ＶＧは電極分離ダイオー
ド１０４−１，１０４−２・・・・・・１０４−ｎと１
０４Ｂ１，１０４−Ｂ２と接続点９８−１，９８−２・
・・・・・９８−ｎと９８−Ｂｌ，９８−Ｂ２とを通つ
て電極１４−１，１４−２・・・・・・１４−Ｎ，ｌ４
Ｂｌ，ｌ４−Ｂ２にカロえられる。この回路の効果はト
ランジスタＱＹＧがオン状態の時にアレイ１４の電極上
の電荷をリード９８と、ダイオード１０４と母線５１と
、ダイオード１０２と、トランジスタＱＹＧとを介して
アースへ流すことである。維持電圧成分の遷移は、向い
合う電極アレイが容易結合されているために、それらの
アレイに設定されている電圧レベルの偏位を起させる傾
向がある。

したがつて、第５図に示せ時刻Ｔ，においてはｙ成分は
ＶＧレベルからＶＨレベルまでレベルを変化させられる
。そのためにこの時刻にＶＨであつたＸアレイの電位は
更にＶＨだけ上昇させられる。しかし、この電位の上昇
によつてダイオード７６は母線４８とタラップダイオー
ド８７に対して順バイアスを加えられる結果となる。こ
のダイオード８７（は母線４８からの電流を通過させる
極性で接続されており、端子１０７に加えられる電圧Ｖ
Ｈにより逆バイアスを加えられているから、逆バイアス
電圧すなわちクランプ電圧ＶＨよりも電圧が上昇すると
、電流が流れてｘアレイの電極をＶＨレベルに維持する
。第５図に示す時刻ＴＯでｙ維持電圧成分がＶＨからＶ
Ｇへレベルを変えられると、ｘアレイ電極はＶＬレベル
からもつと負の電圧へ押しやられる。電圧ＶＬにより逆
バイアスされ、ＶＬからプルアツプ母線４７へ向けて電
流を流す向きに接続されているダイオード８６は、Ｘ電
極がＶＬよりも負となる端子１１１にカロえられる電圧
ＶＬはダイオード８６と、母線４７と，ダイオード７５
と、表示コネクタ線５４とを介してそれらのＸ電極に電
流を供給するから、前記偏位を阻止する。同様に、ｘ維
持電圧成分のレベルがＶＬからＶＨへ変化すると， ｙ
アレイの電位はその時のレベルＶＧから上昇する。ｙ電
極がＶＨよりも正となると、ダイオード１０４と１０６
は順バイアスされてｙ電極から電荷が流れ出して電圧上
昇を阻止する。セルが部分選択パルスによりＶＧにアド
レスされ、ダイオード１４８と１４９がプルアツプ母線
４７，４９へ電流を流す向きに接続され、それらのダイ
オードのアノードが常開トランジスタスイツチＱＮＧを
介してＶＧに選択的に接続される場合には，偏位電流も
重要である。

スイツチＱＮＧはアドレスパルスが終ると閉じられ、Ｖ
Ｇに関して低レベルにあるプルアツプ母線をＶＧまで引
き上げる。維持電圧成分が交換されると、通常のｘ成分
波形がｙアレイ１４に加えられるから．波形の遷移はＶ
Ｈ（５ＶＬの間で行われる。

このような状況の下では、ｘ成分のために通常採用され
ているサイクルベースへ制御ロジツクは推移し、かつこ
の制御ロジツクＶＨを印加するためのスイツチとしてＱ
ＹＨを利用し、ＶＬを印カロするためのスイツチとして
ＱＹＬを利用する。ＶＬの場合には、制御ロジツク４４
がトランジスタＱＹＬのベースリード１１３にターンオ
ン信号を加える時に、プルダウン母線５１がアースより
も低い適当な値、たとえば約−１１０ＶだけＶＬの方へ
引かれるように、ＶＬはトランジスタＱＹＬのエミツタ
端子１１２（こカロえられる。選択スイツチングトラン
ジスタの動作を介して、個々のセルの２種類の操作が行
われる。

正常な維持電圧サイクル中にアース部分選択信号を印カ
ロする゛ことにより個々のセルは消去され、それらのセ
ルアレイを反転させ、反転中にセルを消去し、それから
それらのセルアレイを再反転させることによつて個々の
セルは書き込まれる．このように，これらの回路に関し
てはセル消去操作のみが必要であると考えられる。第６
図に示すように、大きな振幅の波形を持つ維持電圧成分
は、アドレスされる電極の維持電圧成分のレベルをＶＬ
からアースレベルへ向つて、正の向きに引き上げる部分
選択信号により操作され、一方、小さな振幅の波形を受
けるアドレスされる電極の成分は、そのレベルをＶＨか
らアースへ向けて引き下げる部分選択信号により操作さ
れる。正常な維持電圧サイクル中（は、Ｘ維持電圧成分
は大きな振幅を持ち、ｙ維持電圧成分は小さな振幅を持
つから．消去信号（１ｐｎｐトランジスタＱＮｌ・・・
・・・ＱＮＮを介してｘ電極に正へ向う信号として加え
られ、一方、ｙ電極へのＮｐｎトランジスタＱＰｌ・・
・・・・ＱＰＮを介して負へ向う部分選択信号が加えら
れる。前記ＰｎｐトランジスタスイツチはＸ電極に対し
てのみ作用し、前記”Ｎｐｎトランジスタスイツチはｙ
電極に対してのみ作用する。これとは逆に，維持電圧成
分の波形が交換される場合は，トランジスタスイッチＱ
Ｎｌ・・・・・・ＱＮＮを介してカロえられる正へ向う
選択信号はｙ電極にのみ加えられ、トランジスタスイツ
チＱＰｌ・・・・・・ＱＰＮを介してカロえられる負へ
向う選択信号はＸ電極にのみ加えられる。このように、
各選択スイツチ１本の表示コネクタ線を介して各電極ア
レイに接続され、しかも任意に与えられるアドレツシン
グ動作中は、各選択スイツチは１つのアレイのみにおけ
るその１本のコネクタラインのみに有効である。トラン
ジスタスイツチＱＰｌ・・・・・・ＱＰＮからのアドレ
ス・パルサ信号は、表示コネクタ線からアドレスパルサ
へ電流を流す極性で接続されているダイオード１２３と
１２４により，ＶＧよりも高いレベルにあるアレイの表
示コネクタ線に加えられる。次に、第６図の正常な維持
電圧サイクル中に実行するように示されている消光機能
を行うために．電極１３−１，１４−１近接部分をそな
えるセルのアドレツシングについて説明する。

トランジスタＱＮｌがターンオンされると． ｘアレイ
電極１３−１の低い維持電圧成分は表示コネクタ線５４
−１と、ダイオード１１６と、トランジスタＱＮｌのコ
レクターエミツタ回路とを通じてＶＧレベルの端子１１
７まで導通されて、第６図の点１１５で示すようにアー
スレベルＶＧまで引き上げられる。中間リード６５と１
１４−１または制御ロジツクの４４内のいずれかで発生
されるトランジスタートランジスタ・ロジツクの零レベ
ルパルスからのパルサ選択信号により、選択ロジツク４
３と制御ロジツク４４からリード６５を介して．トラン
ジスタＱＮｌのベースに接続されているリード１１４−
１は励振される。前記零レベルパルスが制御ロジツク内
で発生される場合には、リード６５はリード１１４−１
に直結される。トランジスタＱＮｌのオン状態はダイオ
ード１１８−１を介してｙアレイにも利用できるが、い
まの場合には、トランジスタＱＮ，がオン状態の間はｘ
維持電圧成分が高レベル電圧ＶＨにあり、ダイオード１
１８−１がｙアレイの電極１４−１から流れ出す電流を
阻止するから、トランジスタＱＮｌのオ７状態（まｙア
レイには何の作用も及ぼさない。トランジスタートラン
ジスタ・ロジツクの「１」レベルパルスとしてのパルサ
選択信号がベースリード１２１−１にカロえられる場合
には、トランジスタスイツチＱＰｌのクロツク制御によ
り、電極１４−１は第６図に参照番号１１９で示すよう
にアースレベルまで引き下げられる。

そのためＶＧレベルに保持されている端子１２２−１は
トランジスタＱＰｌのエミツターコレクタ回路とダイオ
ード１２３−１を介してコネクタ線６１−１に接続され
、そこから電極１４−１に接続される。この時にはｘ維
持電圧成分はＶＧよりも低いから、ダイオード１２４−
１は逆バイアスされ、トランジスタＱＰｌがターンオン
されても電極１３−１は何の影響も受けない。制御ロジ
ツクは第６図の時刻８８でパネルが反転され、かつｙ維
持電圧成分がＶＬで、ｘ維持電圧成分がＶＨになつた後
でだけターンオン信号をリード１１４と１２１に与えら
れるから、書き込み信号は反対側のアレイに上記に対応
するやり方で与えられる。

パネルが電子的に反転されている期間中は消光信号であ
り、選択ロジツク４３と制御ロジツク４４により制御さ
れる書き込み信号は、第６図に１２５で示すようにアー
スレベルまで負の向きに下るパルスであり、この書き込
みパルスによつて電極１３−１にカロえられていた電圧
は表示コネクタライン５４−１からダイオード１２４−
１およびトランジスタＱＰｌを介してＶＧレベルまで下
げられる。この時に．トランジスタＱＮ，のターンオン
により電極１４−１のレベルは第６図の１２６で示すよ
うにアース電位まで引き上げられ、表示コネクタ線６１
−１からダイオード１１８−１とトランジスタＱＮｌを
通つて電流が流れる。上記のように、部分選択信号（ま
トランジスタに課される電力要求が許容レベルに維持さ
れる場合には、トランジスタートランジスタロジツクと
比較的低電力のトランジスタＱＮｌ，ＱＰ群により制御
できる。プルアツプ用とプルダウン用のトランジスタス
イツチは部分選択信号によりセルがアドレスされる時に
ターンオフされるが、いくらかの電荷はトランジスタＱ
ＹＨ，ＱＸＨ，ＱＹＬ，ＱＸＬの接合と母線４７，４８
，４９，５１等に残ることがある。それらの電荷はアド
レスパルサがターンオンされた時になくされなければ．
それらのパルサにより調整せねばならない。それらの電
荷は第９図に示す装置においてプレアドレスパルサ１２
７と１２８によりなくされ、その電荷の消滅はモニタ１
２９により検出される。このモニタ（はアドレスパルサ
にクロツク制御信号を与える回路に動作可能信号を与え
る。第９図にはプレアドＩノスパルサ回路の別の構成が
示されている。

この構成では図示の位置にある連動されている４個の単
極双投スイツチ１３１，１３２，１３３，１３４は母線
容量を放電しつつ、セルの放電を開始させるパネルのポ
ーターをアドレスするという二重の機能を実行し，他の
位置で（はこれらのスイツチは母線容量の放電のみを行
う。図示の位置で（はこれらのスイツチはベースリード
１２１−Ｂに論理「１」信号が加えられると、高いレベ
ルの母線と高いレベルのポーター電極はＶｇのレベルま
で引き下げられ、母線リード１１４−Ｂに論理［０」信
号が加えられると、低いレベルのポーター電極と低いレ
ベルの母線はＶｇのレベルまで引き上げられる。この回
路は各電極アレイに２個のポーター電極を有する。すな
わちＸ電電極１３−Ｂｌ，ｌ３−Ｂ２とｙ電極１４−Ｂ
１と１４−Ｂ２とを有するパネルを制御する。これらの
電極はＸ（５ｙのそれぞれ一方の電極のレベルが高い時
はｘとｙの他方の電極のレベルが低いように構成される
。このようにして１組のポーター電極と、これらの電極
が構成するセルは、パネルが最初に動作状態にされた時
に，正常な維持電圧サイクルまたは反転された維持電圧
サイクルのいずれかの間にカロえられる消光パルスによ
り、他の１組のポーター電極がオフ状態にセツトされて
いる間にオン状態にセツトされる。このようにしてパネ
ルの動作中（１いくつかのポーターセルは常にオン状態
、すなわちパネル放電点弧状態にされる。パルサ１２７
と１２８はアドレスパルサと同様に機能する。消去機能
または書き込み機能のいずれかを行うためにあるセルが
アドレスされると、制御ロジツクは維持電圧成分トラン
ジスタスイツチＱＹＨ，ＱＸＨ，ＱＹＬ，ＱＸＬのいず
れかまたは全部がターンオフされた後で、かつアドレス
パルサがオン状態にされる前に制御ロジツクはオン信号
をベースリード１１４−Ｂと１２１−Ｂに与える。たと
えば、この時にＸ成分がＶＨであると、母線４７上の残
留電荷（嘘ダイオード７５−Ｂ１とスイツチ１３１と、
ダイオード１２４−Ｂと、オン状態になつているトラン
ジスタＱＰＢと，端子１２２−Ｂを通つてアースへ流さ
れ、母線４７のレベルはＶＧとなる。この時にトランジ
スタＱＮＢ／）｛オン状態にされるとｙ母線５１はダイ
オード１０４一Ｂ２と、スイツチ１３４と、ダイオード
１１８−Ｂと、トランジスタＱＮＢと、端子１１７−Ｂ
とを介して接地され、母線５１のレベルはＶ。に弓き上
げられる。これらのオン状態トランジスタはポーター電
極１３−Ｂ１のレベルをリード５４−Ｂ１と、スイツチ
１３１と、ダイオード１２４一Ｂと、トランジスタＱＰ
Ｂとを介して引きトげ、ポーター電極１４−Ｂ２のレベ
ルをリード６１一Ｂ２と．スイツチ１３４と，ダイオー
ド１１８一Ｂと，トランジスタＱＮＢとを介して引きト
げる。もしポータセルの動作準備が採用されないとする
と、リード５４−Ｂｌ，６ｌ−Ｂｌ，５４−Ｂ２とダイ
オード７５−Ｂｌ，７６−Ｂｌ，９７−Ｂｌ，ｌＯ４−
Ｂｌ，７５−Ｂ２，７６−Ｂ２，９７−Ｂ２，ｌＯ４−
Ｂ２を省くことができる。これはスイツチ１３１〜１３
４が図示の位置とは異なる位置におかれる場合と同じで
あるから、ダイオ一１１１６−Ｂと１１８−Ｂはプルダ
ウン母線４８，５１にそれぞれ直接に接続し、ダイオー
ド１２３−Ｂと１２４−Ｂはプルアツプ母線４７，４９
にそれぞれ直接に接続される。このような構成でプルダ
ウン経路とプルアツプ経路は上記のようにたどられる経
路の一部だけを通ることになる。モニタ１２９は母線電
圧が、抵抗１３９，１４１とＴＬゲート１４４の入力パ
ラメータとの比によりセツトされる所定の値以に低した
のに応答する。

アンドゲート１３５はその入力側１３６と１３７に論理
「１」信号が同時に加えられたのに応答して、出力側１
３８に論理「１」信号を発生する。この信号は制御ロジ
ツク４４を介してアドレスパルサに動作可能化信号とし
て与えられる。トランジスタＱＰＢのコレクタはプルア
ツプ母線４７，４９をＶＧレベル近くまで降トさせ、そ
の時に抵抗１３９と１４１により構成されている分圧器
による電圧降トが論理［０」までトり、この論理「０」
はゲート１４４の入力側にカロえられると、その出力側
すなわちアンドゲート１３５の入力側１３７に論理「１
」が現われる。ダイオード１４２はゲート１４４にカロ
えられる入力をＶＴ十０．７Ｖにクランプし、それによ
つてゲート１４４を高電圧から保護する。低いレベルの
プルダウン母線がＶＧ近くまで引き上げられると、アー
スからダイオード１４５と抵抗１４６を通つて流れる電
流による電圧降トは、抵抗１４７を通つてカロえられる
電圧ＶＴだけ大きくなり、そのためにアンドゲート１３
５の入力側１３６に論理［１」入力カ坊口えられる。こ
のように、全ての母線レベルが所定の値よりも低くなり
、本質的に放電されると、アンドゲート１３５は出力側
１３８にアドレスパルサ動作可能信号である論理「１」
出力を発生する。アドレスパルス波形の説明をした時に
、ある動作条件のトでは、存続している偏位電流に起因
するスプリアス書き込みパルスをカロえその結果維持電
圧波形が逆極性まで遷移し、したがつて消光された素子
の放電を継続または再開して、オン状態の素子壁電荷レ
ベルまたはその近ぐのレベルの壁電荷を発生させること
が可能であることを注意した。

そのようなスプリアス応答は、境界動作条件に対しても
トランジスタスイツチＱＮＧの形の偏位電流パルサによ
り阻止される。トランジスタスイツチＱＮＧはアドレス
パルスが終つた時に制御ロジツクによりクロツク制御さ
れて、プルアツプ母線にアース電位ＶＧを加え、したが
つて偏位電流がそれらの電圧レベルをより低い電位に置
きかえるとしても、ダイオード７５または９１を介して
適切なｘまたはｙの電極にアース電位ＶＧをカ口える。
トランジスタＱＮＧは消光パルスの終りと、維持電圧の
次の大きな遷移とによりはさまれる時間、すなわち第６
図の時刻ＴｍｌとＴｍ２との間の時間はオン状態にされ
る。アドレスパルスおよびプレアドレスパルサのように
、偏位電流パルスはダイオード１４８を介して母線４７
を、かつダイオード１４９を介して母線４９をそれぞれ
ＶＧまで引き上げる。既存パネル構造で（ま動作のマー
ジンが広いから、電極内容量は通常は許容できる。

しかし、パネルのパラメータと回路の要求が、経験され
ている電極内容量の大きさ一典型的には選択されていな
い線にむける電圧降下が選択されている線のそれの約３
０％になるような大きさ一が許容できないような値であ
る場合には、選択されていない電極のレベルを保つため
に補正回路を利用できる。そのような回路は従来の並列
アドレス法におけるように、全部ではないが多数の電極
がアドレツシングのために選択される場合にも使用でき
る。そのような補正回路の２種類の形態を、Ｘ電極に対
する典型的な表示コネクタ線５４について第９図に示さ
れている。

一般に、この補正回路はパネルの一方または両方の電極
アレイの各表示コネクタ線に結合される上昇電圧源を与
え、そのアレイ中のアドレスされた電極がその上昇電圧
に打ちかつアドレスパルサによりアースへ引きトげるこ
とができるように構成される。スイツチ１５２がコネク
タ線５４−１とＸアレイの電極１３−１との間に接続さ
れている。このスイツチの可動片が開回路状態の時は上
記回路が切り離されていることを示す。この補正回路を
能動形と受動形で交互に使用することも示されており、
スイツチ１５２の可動片１５２−１が接点１５３−１に
接触している時は能動形、可動片１５２−１が接点１５
４−１には接触している時は受動形となる。この回路は
他のｘアレイ表示コネクタ線にも適用でき、かつ図には
単一の補正回路しか示していないがこれは単なる例示の
ためであることを理解すべきである。スイツチ１５２の
可動片１５２−１が接点１５３一１に接触する時に接続
される能動補正回路は，任意のアドレスパルサがターン
オンされた時にカ口えられる、制御ロジツク４４からの
ベース「ターンオン」信号により制御されるプルアツプ
およびプルダウン／トランジスタスイツチを有する。

このスイツチはこの補正回路を有するアレイに、アドレ
スパｌレサがターンオンされた時にカロえられる維持電
圧成分レベルに依存する。したがつて、第６図において
消光信号に対して示すように、消光部分選択パルス１１
５が加えられる時にｘ成分がＶＬであつたとすると、補
正回路のプルダウン・トランジスタスイツチＱＡＬはタ
ーンオンされ、ＶＬレベルの端子１５５をトランジスタ
ＱＡＬのエミツターコレクタ回路と、電流制限抵抗１５
６一１と、接点１５３−１と、可動片１５２−１とを介
して表示コネクタ線５４−１に接続し、それによりアー
ス部分選択信号１１５がその附近の電極にカロえられて
いるとしても電極１３−１はＶＬのレベルに維持される
。一万，書き込み部分選択信号（パネルの反転中は消光
信号）が加えられるとすると、ＸアレイはＶＨレベルで
あり、補正回路のプルアツプ・トランジスタスイツチＱ
ＡＨはターンオンされて、ＶＨレベルの端子１５７をト
ランジスタＱＡＨのエミツターコレクタ回路と、制限抵
抗１５８−１と、接点１５３−１と、可動片１５２−１
とを介して表示コネクタ線５４−１に接続し、それによ
りアース部分選択信号１２５がその附近の電極にカロえ
られているとしても電極１３−１はＶＨレベルに維持さ
れ、前記したようにパルスをカロえられる。部分選択に
よりアドレスされる電極に直列接続されている電流制限
抵抗１５６または１５８が補正回路の電圧を降下させ、
アドレスパルサがその影響を打ち消すから、それらの電
極は悪影響を受けない。あるいは、補正回路のスイツチ
ＱＡＬ（５ＱＡＨは母線１５０と１５１に対応する共通
母線（図示せず）に接続することもできる。この共通母
線は抵抗１５６と１５８に対応する単一の電流制限抵抗
（図示せず）を介して、ｘアレイの各表示コネクタ線５
４に結合できる。これらの共通部品を用いる時は、ある
与えられた条件に対してスイツチＱＡＬまたはＱＡＨの
いずれか一方のみを動作させるように、制御ロジツク｛
嘘プログラム動作をする。受動形補正回路は容量形蓄積
装置を用いる。

スイツチ１５２の可動片１５２−１が接点１５４一１に
接触すると、コンデンサ１５９は電極に接続されるから
、その時にカロえられている維持電圧レベルまでコンデ
ンサ１５９は充電され、隣接する電極がアース部分選択
信号によりアドレスされる時にコンデンサ１５９は部分
的に電極に放電されてそのカロえられた維持電圧レベル
を維持する。各コンデンサ１５９の容量はその電極がア
ドレスされた時にアドレスパルサを圧倒しないように、
したがつて部分選択パルサが受動補正回路により悪影響
を受けないように定められる。以上行つた詳しい説明で
は表示コネクタ線のアドレスパルサと、母線のプレアド
ｌノスパルサと、偏位電流スイツチ表示コネクタ線電圧
維持パルサと、母線プルアツプ回路と，プルダウン回路
と、アース引き丁げ回路とは一方向信号源を種々の回路
に結合するトランジスタとして説明した。

しかし、これらのトランジスタの代りに、他の形態の選
択的に閉じられる常開スイツチ素子も採用できることを
理解すべきである。阻止および分離ダイオードについて
も説明したが，その代りに他の種類の一方向導通装置も
使用できる。維持機能とアドレツシング機能とを行わせ
るために同様な電圧レベルが対称回路で用いられるが，
動作方法と、この方法を実施するための回路はそのよう
に制限する必要はない。

したがつて先に説明した正へ向う等しいＶＨの代りにＸ
成分とｙ成分のために種々の高さの電圧を用いることが
でき、等しいＬレベルの代りに種々の低い電圧を使用で
きる。更に，ＶＧを外部アースから約７Ｖ正の電圧を基
準電圧レベルと、アドレツシングパルサと、プレアドレ
スパルサとにより発生される部分選択パルスのレベルと
、維持電圧の基準として用いられているが、他の基準電
圧値も選択できる。外部アース電位レベルに近い基準電
圧は，分離用部品すなわち電圧レベル推移部品を必要と
することなしに、アドレツシングパルサへＴＴＬロジツ
ク信号を用いられる利点が得られ、したがつて基準レベ
ルとしてのアースレベルまたはアースレベル近く値は以
上説明した回路に関連する回路については特に有利であ
る。アドレツシングパルサは、両方の導体アレイのため
のそれぞれの表示コネクタ線をアドレツシングするとい
う二重の機能を実行する。

Ｘおよびｙアレイ用の母線４７，４８，４９，５１上の
交流維持電圧は、一方のアレイを維持電圧の周期の第１
の時間中は高電圧レベルにおき、その第１の時間中に第
２のアレイを低電圧レベルにおき、第２の時間中すなわ
ち反転期間中はこれらの相対レベル関係は逆になる。ア
レイの導体と、それらの表示コネクタ線はそれらの電圧
レベルを追従し、維持電圧が新しいレベルで加えられる
までそれらのレベルを保持する。トランジスタＱＮｌ・
・・・・・ＱＮＮとＱＰｌ・・・・・・ＱＰＮのような
アドレツシングパルサが表示コネクタ線上の電圧を、加
えられる維持電圧の比較的高い値と比較的低い値との中
間の値へ向つて、与えられた方向に引くために設けられ
る。各パルサは一方向導通素子を有する。すなわち、プ
ルアツプパルサはダイオード１１６，１１８を有し、プ
ルダウンパルサはダイオード１２３と１２４を有する。
これらのダイオードは各パルサを各アレイのそれぞれの
表示コネクタ線に接続する。前記中間値よりも低い値の
電圧であるアレイのコネクタ線にダイオードを介してプ
ルアツプパルサカ坊口えられ、他のダイオードが前記中
間値よりも高い電圧レベルのアレイのコネクタ線に信号
が加えられるのを１且止するように、前記中間値からパ
ルサ信号の向きとは逆の向きに推移される維持電圧源に
より示される電圧レベルにコネクタ線がある時に，その
コネクタ線に信号をカロえるような極性で前記ダイオー
ドは接続される。プルダウンパルサ（まそのダイオード
の接続のために、高レベルの表示コネクタ線にのみ作用
する。アドレツシンク回路は、パルサに接続されている
２本の表示コネクタ線のうちの所定の１本だけがアドレ
ツシングパルスを受けるように，アドレツシング回路は
維持電圧の第１および第２の時間間隔に同期してパルサ
を選択的に作動するように構成される。中間値から反対
の向きに推移される電圧を有する表示コネクタ線は，そ
の電圧をパルサ信号の中間値へ向う向きに引き、他のコ
ネクタ線はその時にはパルサ信号の作用を受けない。こ
の装置はＶＧのような基準レベルまでのパルスを発生す
るアドレツシングパルサにより、反転がなくてひオン状
態にあるセルを付勢および消光する適当な手段として使
用できる。

これは母線プレアドレス・パルシング、偏位電流を適応
するための選択的スイツチング、ポーターの動作準備、
および表示コネクタ線電位レベル維持等の種々の特徴を
用いて非類似の維持電圧成分と、ＶＧまでのアドレツシ
ングパルサとにより行うことができる。このような操作
と回路は、維持電圧を選択されたセルを点弧するまで上
昇させるスクロールを加える従来の書き込みアドレスパ
ルサと関連して使用すると有利である。本発明の技術と
装置は、パネルを反転させる手段として結果的な維持電
圧のために、推移させる直流ベースレベルを採用する、
したがつて書き込みのために消去方法を用いるパネル反
転技術にも用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は動作電位源に接続されているガス放電表示／メ
モリパネルの一部を切り欠いて示す平面図、第２図は第
１図の２〜２線に沿つて切断した拡大断面図、第３図（
まプロツク図で示す維持電圧成分回路とアドレツシング
回路を有する第２図と同様な拡大断面図、第４図（まパ
ネルに加えられる維持電圧の波形と、この波形のための
典型的なセルの壁電圧と、結果的な維持電圧波形を構成
する成分は波形とにより外部アースから中性壁電圧をオ
フセツトする装置を示すグラフ、第５図は一般化した維
持電圧波形とその波形に対する典型的な壁電圧と、結果
的な維持電圧波形を作る成分波形と、素子を放電させる
ために発生される光とにより向い合う電極アレイの間で
波形成分を交換することによるパネルの電子的反転を示
すグラフ、第６図（１アドレスされるセルの個々の電極
に加えられる結果的な維持電圧波形と部分選択信号の適
切なシフトによりセルの書き込みと消去技術を示すため
にアドレツシング電圧が重畳される第５図に示す一般的
な形式の波形図、第７図は電極アレイに維持電圧成分波
形をカロえる回路と，アレイ内の典型的な電極に部分選
択信号を選択信号を選択的にカロえるためにそれらの電
極のためのアドレツシング回路とのプロツク図、第８図
は維持電圧アース引き下げ回路が付カロされた第７図に
類似する回路のプロツク図、第９図（ま予めアドレスさ
れたアース引きげ回路に応答するアドレス装置を示す第
８図の回路の回路図である。 １０，１１・・・・・・誘電体膜、１２・・・・・・ガ
ス、１３，１４・・・・・・導体アレイ、４１・・・・
・・ユーザインタフエース、４３・・・・・・選択ロジ
ツク、４４・・・・・・制御ロジツク、４５，４６・・
・・・・維持電圧発生回路、４７・・・・・・プルアツ
プ母線、４８・・・・・・プルダウン母線、５２，５３
・・・・・・アドレツシング、トランジスターダイオー
ドマトリツクス、７７・・・・・・プルアツプ回路、７
９・・・・・・プルダウン回路、８２・・・・・・アー
ス引きトげ回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 第１の導体アレイおよびこれに近接した第２の導体
   アレイの各導体部をそれぞれ背後に有する誘電体表面の
   区分された領域上で集めることができる電荷をイオン化
   可能な封入ガス中の放電により発生し、前記第１および
   第２の導体アレイの前記近接した導体部分のそれぞれが
   放電セルを形成する多セルガス放電表示／メモリパネル
   の制御回路において、第１の振幅を有する周期的に脈動
   する第１の維持電圧成分２２を発生する第１の装置４６
   と、前記第１の振幅より大きい第２の振幅であつてこれ
   らの振幅の絶対値の和は前記放電セルの維持電圧の振幅
   を有し周期的に脈動する第２の電圧維持成分２１を発生
   する第２の装置４５と、対向する個別電荷蓄積領域間に
   前記第２の導体アレイが比較的低い電圧にある期間は前
   記第１の導体アレイが比較的高い電圧にあり、前記第２
   の導体アレイが比較的高い電圧にある期間は前記第１の
   導体アレイが比較的低い電圧にあるようにセルの脈動す
   る維持電圧を印加する第３の装置５２、５３と、セル位
   置を特定する各アレイ中の選択された導体間に加えられ
   る電圧の制御信号を供給する第４の装置４４を備え、前
   記第１および第２の装置は、各導体アレイの導体のそれ
   ぞれに接続された複数の表示コネクタ線６１、５４上の
   電圧を比較的高い値に引上げるプルアップ回路７７およ
   びプルアップ母線４７と、前記表示コネクタ線６１、５
   ４上の電圧を比較的低い値に引下げるプルダウン回路７
   ９およびプルダウン母線４８により構成され、前記第３
   の装置は、前記表示コネクタ線が比較的低い値にあると
   きに前記比較的高い値と前記比較的低い値の中間値であ
   るアース電位を前記表示コネクタ線に与えて引上げる向
   きに接続された第１の一方向導通素子１１６、１１８お
   よび常開スイッチＱ＿Ｎ並びに前記表示コネクタ線が比
   較的高い値にあるときにこの表示コネクタ線の電位を前
   記中間値に引下げる向きに接続された一方向導通素子１
   ２３、１２４および常開スイッチＱ＿Ｒを各アレイごと
   に有し、これらの常開スイッチ群はアドレッシングパル
   サーを、一方向導通素子群は一方向導通装置を形成して
   おり、選択されたセルの電極を前記アドレッシングパル
   サの操作によりアース電位に引下げ、逆極性の維持電圧
   成分をそのセルの電極に加えることによつて消去を行い
   、一方の電極に前記第１の電圧維持成分を、他方の電極
   に前記第２の電圧維持成分をそれぞれ加える通常のセル
   の放電状態を前記第１の維持電圧成分と第２の維持電圧
   成分とを交換することによつて電子的に反転させ、次に
   書込むべきセルを消去しその後再反転を行うことにより
   書込みを行うようにした多セルガス放電表示／メモリパ
   ネルの制御回路。