JPS5931150B2 - magnetic bubble module - Google Patents
magnetic bubble moduleInfo
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- JPS5931150B2 JPS5931150B2 JP50065699A JP6569975A JPS5931150B2 JP S5931150 B2 JPS5931150 B2 JP S5931150B2 JP 50065699 A JP50065699 A JP 50065699A JP 6569975 A JP6569975 A JP 6569975A JP S5931150 B2 JPS5931150 B2 JP S5931150B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルモジュール、特に温度変化に伴ない
動作マージンが狭くならないようにした磁気バブルモジ
ュールに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble module, and particularly to a magnetic bubble module whose operating margin is not narrowed due to temperature changes.
磁気バブルモジュールは、磁性薄膜よりなる磁気バブル
チップと、外部回路との接続を行なうリード線と、上記
チップに対して水平な回転磁界を与えて磁気バブルを転
送する駆動用コイルと、上記チップに対し垂直方向のバ
イアス磁界を与えて磁気バブルを有効に存在させる磁石
ブロックとを主構成とする。第1図は上記タイプの従来
の磁気バブルモジュールのプレンを示す簡略構成図であ
り、同図において、1は基板2の上に複数個配列された
磁気バブルチップであり、それぞれリード線3に接続さ
れる。A magnetic bubble module consists of a magnetic bubble chip made of a magnetic thin film, lead wires for connection to an external circuit, a drive coil that applies a horizontal rotating magnetic field to the chip to transfer magnetic bubbles, and a drive coil that transfers magnetic bubbles by applying a horizontal rotating magnetic field to the chip. The main structure is a magnet block that applies a bias magnetic field in the perpendicular direction to effectively create magnetic bubbles. FIG. 1 is a simplified configuration diagram showing the plane of the conventional magnetic bubble module of the above type. In the figure, 1 is a plurality of magnetic bubble chips arranged on a substrate 2, each connected to a lead wire 3. be done.
このプレンを一枚または複数枚重ねたものの周囲に第2
図に示すようにそれぞれ直交配置されるX方向、Y方向
、駆動用コイル4、5が巻かれ、かつバイアス磁界を与
える永久磁石6とヨーク板7とが配置される。上記両駆
動用コイル4、5は位相の異なる電流が供給されて、バ
ブルチップ1に水平方向の回転磁界を供給するもので、
実際にはX方向駆動用コイル4に正弦波電流が、Y方向
駆動用コイル5に余弦波電流が供給される。また、上記
永久磁石6は磁気バブルチップ1に垂直なバイアス磁界
を供給するもので、この永久磁石6の磁気回路はパーマ
ロイ、フェライトなどの高透磁率磁性材料よりなるヨー
ク板7により形成される。このような構成において、X
方向、Y方向駆動用コイル4、5に電流を流した場合、
これらのコイル4、5が発熱し、このため、モジュール
を動作させたり、停止させたりすることにより、バブル
リップ1の温度が変化する。一方、バブルチップ1の諸
特性は温度依存性の大きなものが多く、たとえば、異方
性磁界、最適バイアス磁界およびバブル径が大きな温度
係数を有している。A second layer is placed around one or more layers of this plane.
As shown in the figure, driving coils 4 and 5 are wound in the X direction and Y direction, which are arranged perpendicularly to each other, and a permanent magnet 6 and a yoke plate 7 that provide a bias magnetic field are arranged. Both drive coils 4 and 5 are supplied with currents having different phases, and supply a rotating magnetic field in the horizontal direction to the bubble chip 1.
Actually, a sine wave current is supplied to the X-direction drive coil 4, and a cosine wave current is supplied to the Y-direction drive coil 5. The permanent magnet 6 supplies a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble chip 1, and the magnetic circuit of the permanent magnet 6 is formed by a yoke plate 7 made of a high permeability magnetic material such as permalloy or ferrite. In such a configuration, X
When current is applied to the coils 4 and 5 for driving in the direction and Y direction,
These coils 4 and 5 generate heat, and therefore the temperature of the bubble lip 1 changes by operating or stopping the module. On the other hand, many of the characteristics of the bubble chip 1 are highly temperature dependent; for example, the anisotropic magnetic field, optimum bias magnetic field, and bubble diameter have large temperature coefficients.
このため、温度変化が大きいことは動作マージンが狭く
なる原因となる。したがつて、本発明の目的はバブルチ
ップの温度が変化しても動作マージンが狭くならないよ
うにするものである。Therefore, large temperature changes cause the operating margin to become narrow. Therefore, an object of the present invention is to prevent the operating margin from narrowing even if the temperature of the bubble chip changes.
本発明はこのような目的を達成するために、バブルチッ
プの温度変化にもとづき、コントロール回路あるいはバ
イアス磁気回路を自動制御するものであり、以下実施例
を用いて詳細に説明する。In order to achieve such an object, the present invention automatically controls a control circuit or a bias magnetic circuit based on temperature changes of a bubble chip, and will be described in detail below using examples.
磁気バブルチップ1の温度を正確に測定する方法として
は種々考えられるが、バブルチップ1の上に形成された
磁気バブル検出用または磁気バブル制御用の金属薄膜パ
タンの抵抗値を測定し、これからバブルチツプの温度を
検知する方法が最良の方法である。第3図はバブルチツ
プ1の全体を示す平面図であり、同図において、31は
バブル発生器、32は転送路、33は転送路32の中の
バブルを分割複製する複製器、34はバブル検出器であ
り、これはパーマロイなど軟強磁性の磁気抵抗効果素子
で、第4図に示すように、多数配列された山形転送素子
41の上部に配置されており、バブル注入部42から注
入された複製バブルは素子41を介して、この検出器3
4に近接するにしたがつて拡大され、この検出器34に
到達した際に電気信号で検出される。Various methods can be considered to accurately measure the temperature of the magnetic bubble chip 1, but the resistance value of a metal thin film pattern for magnetic bubble detection or magnetic bubble control formed on the bubble chip 1 is measured, and then the temperature of the bubble chip is measured. The best method is to detect the temperature of FIG. 3 is a plan view showing the entire bubble chip 1, in which 31 is a bubble generator, 32 is a transfer path, 33 is a replicator that divides and duplicates the bubbles in the transfer path 32, and 34 is a bubble detector. This is a soft ferromagnetic magnetoresistive element such as permalloy, and as shown in FIG. The replication bubble passes through the element 41 to this detector 3.
4, it is enlarged as it approaches 4, and when it reaches this detector 34, it is detected as an electrical signal.
なお、第3図において、35はボンデイングパツトであ
る。したがつて、このような構成において、バブルはバ
ブル発生器31で形成される核発生磁界HNで発生した
後、転送路32上を転送され、複製器33で複製され、
検出器34により検出される。本実施例においては上記
バブル検出器34の抵抗値を測定することによりチツプ
自体の温度を検知するものである。In addition, in FIG. 3, 35 is a bonding pad. Therefore, in such a configuration, bubbles are generated by the nucleation magnetic field HN formed by the bubble generator 31, transferred on the transfer path 32, and replicated by the replicator 33,
It is detected by the detector 34. In this embodiment, the temperature of the chip itself is detected by measuring the resistance value of the bubble detector 34.
すなわち、上記検出器34はパーマロイ薄膜を微細パタ
ーンに切り出したもので、その抵抗値は約1KΩである
。この検出器34の抵抗値の温度依存性を測定した結果
、温度係数αは0.32%/0Cであり、この値は10
℃から50はGの範囲において不変であつた。温度係数
はパーマロイ薄膜Nl−Fe組成比により変化するが、
恒温槽を使用してパツド間で測定すれば簡単に求めるこ
とができる。本実施例ではチツプ1上に形成された磁気
バブル検出用の金属薄膜パタンをそのまま温度計として
使用する方法を示したものであり、このバブルチツプ1
の温度を検知する最良の方法である。本実施例において
は、磁気バブル検出用の金属薄膜パタンを測温用抵抗体
としているが、本発明はこれに限定されるものではなく
、転送路32中のバブルを分割複製する複製器33のよ
うな磁気バブル制御用の金属薄膜パタンを測温用抵抗体
とすることが出来ることは勿論である。つぎに本実施例
では、上述のようにバブルチツプ1のバブル検出器34
の抵抗値を測定して、温度を検知し、さらにこれにもと
づきバイアス磁気回路を制御するもので、第5図にその
具体的回路を示す。That is, the detector 34 is made by cutting a permalloy thin film into a fine pattern, and its resistance value is about 1KΩ. As a result of measuring the temperature dependence of the resistance value of this detector 34, the temperature coefficient α is 0.32%/0C, which is 10
It remained unchanged in the range of 50°C to 50°C. The temperature coefficient changes depending on the Nl-Fe composition ratio of the permalloy thin film,
It can be easily determined by measuring between pads using a constant temperature bath. In this example, a method is shown in which a metal thin film pattern for detecting magnetic bubbles formed on a chip 1 is directly used as a thermometer.
is the best way to detect temperature. In this embodiment, the metal thin film pattern for detecting magnetic bubbles is used as a temperature measuring resistor, but the present invention is not limited to this. Of course, such a metal thin film pattern for magnetic bubble control can be used as a temperature measuring resistor. Next, in this embodiment, as described above, the bubble detector 34 of the bubble chip 1
The temperature is detected by measuring the resistance value of the magnet, and the bias magnetic circuit is controlled based on this.A specific circuit is shown in FIG.
同図において、1aはバブルチツプに形成されたバブル
検出器34の抵抗値を測定し、バブルチツプ1の温度に
対応した出力を送出する検出器、2aは検出器1aから
送出される出力の変化分を検出する検出回路、3aは制
御回路、4aは直流電源、5aは入力、6aはバイアス
磁界を形成する電磁石である。このような構成において
、検出器1aの出力値の変化分△Vを検出回路2aで検
出し、この△Vを制御回路3aに入力することにより、
これに応じた電流が電磁石6aに流れてバイアス磁気回
路の磁界強度を変化させることができる。同様な方法で
バブルコントロール回路の電流値の変化することができ
る。従来のモジユールでのバブル1の動作マージンは数
エルステツドであつたが、本発明によるモジユールによ
ると、10エルステツドになり動作範囲が著しく大きく
なつた。In the figure, 1a is a detector that measures the resistance value of a bubble detector 34 formed in the bubble chip and sends out an output corresponding to the temperature of the bubble chip 1, and 2a is a detector that measures the change in the output output from the detector 1a. 3a is a control circuit, 4a is a DC power supply, 5a is an input, and 6a is an electromagnet for forming a bias magnetic field. In such a configuration, by detecting the change ΔV in the output value of the detector 1a by the detection circuit 2a and inputting this ΔV to the control circuit 3a,
A corresponding current flows through the electromagnet 6a to change the magnetic field strength of the bias magnetic circuit. The current value of the bubble control circuit can be changed in a similar manner. In the conventional module, the operating margin of the bubble 1 was several Oersteds, but in the module according to the present invention, it is 10 Oersteds, which significantly increases the operating range.
また、本発明によると、モジユールの周囲温度が変化し
た場合にもモジユールが正常に動作する利点を有してい
る。以上説明したように本発明においては、バブルチツ
プに直接形成された磁気バブル検出用、あるいは例えば
磁気バブル複製器のような磁気バブル制御用の金属薄膜
パタンの抵抗値の変化量に応じてバブルコントロール回
路の電流値あるいはバイアス磁気回路の磁界強度を制御
している。Further, according to the present invention, there is an advantage that the module operates normally even when the ambient temperature of the module changes. As explained above, in the present invention, the bubble control circuit operates according to the amount of change in the resistance value of the metal thin film pattern for detecting magnetic bubbles formed directly on a bubble chip or for controlling magnetic bubbles such as a magnetic bubble replicator. The current value or the magnetic field strength of the bias magnetic circuit is controlled.
温度検出用として使用される金属薄膜パタンはバブルチ
ツプに直接形成されているので、その抵抗変化はチツプ
の温度変化に市確かつ迅速に追随するので、上述の制御
が正確にかつ迅速に行われるばかりでなく、測温用抵抗
体は磁気バブルの検出用あるいは制御用の金属薄膜パタ
ンと兼用されているので、測温用抵抗体のための余分な
スペースおよび配線は不要であり、高密度磁気バブルに
有利である。さらに、チツプに測温用抵抗体を別個に形
成する工程が不要なのでコスト面でも有利である。Since the metal thin film pattern used for temperature detection is formed directly on the bubble chip, its resistance changes reliably and quickly follow the temperature changes of the chip, so the above-mentioned control can be performed accurately and quickly. Instead, the temperature-measuring resistor is also used as a metal thin film pattern for detecting or controlling magnetic bubbles, so extra space and wiring for the temperature-measuring resistor are unnecessary, and high-density magnetic bubbles can be used. advantageous to Furthermore, since there is no need to separately form a temperature measuring resistor on the chip, it is advantageous in terms of cost.
第1図および第2図は磁気バブルモジユールの一例を示
す斜視図、第3図および第4図は磁気バブルチツプの詳
細を示す平面図、第5図は本発明による磁気バブルモジ
ユールの一実施例を説明するための回路図である。
1・・・・・・磁気バブルチツブ、2・・・・・・基板
、3・・・・・・リード線、4,5・・・・・・X方向
、Y方向駆動用コイル、6・・・・・・永久磁石、7・
・・・・・ヨーク板、1a・・・・・・検出器、2a・
・・・・・検出回路、3a・・・・・・制御回路、4a
・・・・・・直流電源、5a・・・・・・入力、6a・
・・・・・電磁石、33・・・・・・複製器、34・・
・・・・バブル検出器。1 and 2 are perspective views showing an example of a magnetic bubble module, FIGS. 3 and 4 are plan views showing details of a magnetic bubble chip, and FIG. 5 is an embodiment of a magnetic bubble module according to the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram for explaining an example. 1...magnetic bubble chip, 2...substrate, 3...lead wire, 4, 5...X-direction, Y-direction driving coil, 6... ...Permanent magnet, 7.
... Yoke plate, 1a ... Detector, 2a.
...detection circuit, 3a ...control circuit, 4a
...DC power supply, 5a...Input, 6a.
...Electromagnet, 33...Replicator, 34...
...Bubble detector.
Claims (1)
プを具備する磁気バブルモジュールにおいて、上記バブ
ルチップに形成された磁気バブル検出用または磁気バブ
ル制御用の金属薄膜パタンの抵抗値の変化量に応じてバ
ブルコントロール回路の電流値あるいはバイアス磁気回
路の磁界強度を変化するようにしたことを特徴とする磁
気バブルモジュール。1. In a magnetic bubble module equipped with a bubble chip placed in a rotating magnetic field and a bias magnetic field, according to the amount of change in the resistance value of a metal thin film pattern for magnetic bubble detection or magnetic bubble control formed on the bubble chip. A magnetic bubble module characterized in that the current value of a bubble control circuit or the magnetic field strength of a bias magnetic circuit is changed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50065699A JPS5931150B2 (en) | 1975-05-30 | 1975-05-30 | magnetic bubble module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50065699A JPS5931150B2 (en) | 1975-05-30 | 1975-05-30 | magnetic bubble module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51140528A JPS51140528A (en) | 1976-12-03 |
| JPS5931150B2 true JPS5931150B2 (en) | 1984-07-31 |
Family
ID=13294508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50065699A Expired JPS5931150B2 (en) | 1975-05-30 | 1975-05-30 | magnetic bubble module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931150B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51145228A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-14 | Nec Corp | Bubble magnetic domain system |
| JPS55163681A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS58173100U (en) * | 1982-05-13 | 1983-11-18 | 富士通株式会社 | bubble memory device |
| EP0147968A3 (en) * | 1983-12-23 | 1986-09-17 | General Motors Corporation | Temperature compensated magnetic bubble memory |
| JPS6235196Y2 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-07 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824864B2 (en) * | 1975-05-27 | 1983-05-24 | 日本電信電話株式会社 | Jiki Bubble Kiokusouuchino Bias Jikaisei Giyohoushiki |
-
1975
- 1975-05-30 JP JP50065699A patent/JPS5931150B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51140528A (en) | 1976-12-03 |
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