JPS5932438B2 - 単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
単結晶の単一分域化方法Info
- Publication number
- JPS5932438B2 JPS5932438B2 JP51139516A JP13951676A JPS5932438B2 JP S5932438 B2 JPS5932438 B2 JP S5932438B2 JP 51139516 A JP51139516 A JP 51139516A JP 13951676 A JP13951676 A JP 13951676A JP S5932438 B2 JPS5932438 B2 JP S5932438B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- axis
- domainization
- cutting
- Prior art date
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- Expired
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強誘電体ＬｉＴａ０３単結晶の単一分域化方法
に関する。
に関する。
従来Ｘ軸引上げＬｉＴａ０３単結晶を単一牙城化する為
には、作成結晶からＺカットすなわちＺ面を方向切断に
より切り出した後、その切り出したＺ面に電極をつけ、
その電極に電圧を印加して単一牙城化を行つている。
には、作成結晶からＺカットすなわちＺ面を方向切断に
より切り出した後、その切り出したＺ面に電極をつけ、
その電極に電圧を印加して単一牙城化を行つている。
しかしながらこの方法だとＺカットの方位切断工程が必
要であると共に高価な単結晶の切断損失が多く不経済で
ある。本発明は上記Ｚカットの工程を省略してＸ軸引土
げＬｌＴａ０３結晶を経済的にかつ簡便に単一牙城化す
る方法を提供するものである。即ち本発明はチョクラル
スキー法によりＸ軸方向に引止げ作成したＸ軸引土げＬ
１ＴａＯ３単結晶をまづ例えば光学的方法によりＺ軸の
結晶方位をきめ、第１図に示すようにＺ軸方向の引止げ
単結晶の側面に、対向する第１及び第２の電極を形成し
、該電極間に電圧を印加して単一牙城化を行うようにし
、Ｚカット工程を省略したものである。
要であると共に高価な単結晶の切断損失が多く不経済で
ある。本発明は上記Ｚカットの工程を省略してＸ軸引土
げＬｌＴａ０３結晶を経済的にかつ簡便に単一牙城化す
る方法を提供するものである。即ち本発明はチョクラル
スキー法によりＸ軸方向に引止げ作成したＸ軸引土げＬ
１ＴａＯ３単結晶をまづ例えば光学的方法によりＺ軸の
結晶方位をきめ、第１図に示すようにＺ軸方向の引止げ
単結晶の側面に、対向する第１及び第２の電極を形成し
、該電極間に電圧を印加して単一牙城化を行うようにし
、Ｚカット工程を省略したものである。
次に本発明方法をカラーテレビジョン受像機の弾性表面
波ＰＩＦフィルタ用のＬｉＴａＯ３基板の製法に適用し
た実施例を説明する。単結晶引止げ手段例えばチョクラ
ルスキー法により作成した直径例えば３５ｍｍφ長さ例
えば５０ｍｍ（７）Ｘ軸引土げＬｉＴａＯ３結晶１を第
２図に示したように直交ニコル１０、１１下におき、Ｘ
軸を回転して、干渉稿２が生じる方向を見出す。
波ＰＩＦフィルタ用のＬｉＴａＯ３基板の製法に適用し
た実施例を説明する。単結晶引止げ手段例えばチョクラ
ルスキー法により作成した直径例えば３５ｍｍφ長さ例
えば５０ｍｍ（７）Ｘ軸引土げＬｉＴａＯ３結晶１を第
２図に示したように直交ニコル１０、１１下におき、Ｘ
軸を回転して、干渉稿２が生じる方向を見出す。
この方向がＺ軸方向３である。このＺ軸方向を示す印を
結晶の底面１２につける。しかる後第１図に示すように
Ｘ軸引土げＬｉＴａＯ３単結晶１のＺ軸方向の一側面に
Ｐｔ液４をぬり６００℃１時間焼きつける。その後第１
図に示すようにＰｄ−Ａｇペースト５、６をＺ軸上で対
向する如く引止げ単結晶の両側面にぬり、Ａｕ線のリー
ド線Ｔをつけ、７００℃１時間焼きつける。そして両電
極５、６から取り出したリード線Ｔ間に直流電源８を接
続し、直流電圧３５Ｖ／（ｍを印加すると共に引止げ単
結晶をキュリー温度（６０７℃）以上の温度の７００℃
迄に加熱する。その後、温度７００℃直流電圧３５Ｖ／
ｃ７ｒＬを印加した状態で２０分間保持し、しかる後、
電圧印加状態で室温まで徐冷して単一牙城化を終了する
。このような方法で単一牙城化した結晶のＺ面を方位切
断し、エッチング法により調べた結果、結晶全体が単一
牙城化されている事が確認された。以上説明したように
本発明方法によれば、引上げた単結晶をＺ面の方位切断
することなく、そのまま単一牙城化を行うので、製造工
程が少なくなり、さらにＺカットによる結晶の損失がな
く、引止げ結晶を有効に用いることができ、安価なＬｉ
ＴａＯ３板を得るのに大きく寄与する効果がある。
結晶の底面１２につける。しかる後第１図に示すように
Ｘ軸引土げＬｉＴａＯ３単結晶１のＺ軸方向の一側面に
Ｐｔ液４をぬり６００℃１時間焼きつける。その後第１
図に示すようにＰｄ−Ａｇペースト５、６をＺ軸上で対
向する如く引止げ単結晶の両側面にぬり、Ａｕ線のリー
ド線Ｔをつけ、７００℃１時間焼きつける。そして両電
極５、６から取り出したリード線Ｔ間に直流電源８を接
続し、直流電圧３５Ｖ／（ｍを印加すると共に引止げ単
結晶をキュリー温度（６０７℃）以上の温度の７００℃
迄に加熱する。その後、温度７００℃直流電圧３５Ｖ／
ｃ７ｒＬを印加した状態で２０分間保持し、しかる後、
電圧印加状態で室温まで徐冷して単一牙城化を終了する
。このような方法で単一牙城化した結晶のＺ面を方位切
断し、エッチング法により調べた結果、結晶全体が単一
牙城化されている事が確認された。以上説明したように
本発明方法によれば、引上げた単結晶をＺ面の方位切断
することなく、そのまま単一牙城化を行うので、製造工
程が少なくなり、さらにＺカットによる結晶の損失がな
く、引止げ結晶を有効に用いることができ、安価なＬｉ
ＴａＯ３板を得るのに大きく寄与する効果がある。
第１図は本発明方法の実施例説明図で、ａ図は正面図、
ｂ図は側面図、第２図は第１図単結晶の光学的Ｚ軸検出
手段の実施例説明である。 １・・・・・・ＬｉＴａＯ３単結晶、２・・・・・・干
渉稿、３・・・・・・Ｚ軸方向、４・・・・・・白金液
、５，６・・・・・・Ｐａ一Ａｇペースト、７・・・・
・・リード線、８・・・・・・電源、１０・・・・・・
直交ニコル。
ｂ図は側面図、第２図は第１図単結晶の光学的Ｚ軸検出
手段の実施例説明である。 １・・・・・・ＬｉＴａＯ３単結晶、２・・・・・・干
渉稿、３・・・・・・Ｚ軸方向、４・・・・・・白金液
、５，６・・・・・・Ｐａ一Ａｇペースト、７・・・・
・・リード線、８・・・・・・電源、１０・・・・・・
直交ニコル。
Claims (1)
- １ Ｘ軸引上げＬｉＴａＯ＿３単結晶を単一分域化する
際、引上げた形状のままで前記単結晶のＺ軸方向を決め
、そのＺ軸方向の引上げ単結晶の側面に、対向する第１
及び第２の電極を形成し、その電極間に電圧を印加して
単一分域化を行うことを特徴とする単結晶の単一分域化
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51139516A JPS5932438B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51139516A JPS5932438B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5364699A JPS5364699A (en) | 1978-06-09 |
| JPS5932438B2 true JPS5932438B2 (ja) | 1984-08-08 |
Family
ID=15247107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51139516A Expired JPS5932438B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932438B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5849696A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-23 | Toshiba Corp | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
| JPS5899200A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | Toshiba Corp | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
| JPS61137000A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
-
1976
- 1976-11-22 JP JP51139516A patent/JPS5932438B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5364699A (en) | 1978-06-09 |
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