JPS5934716B2 - θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 - Google Patents
θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法Info
- Publication number
- JPS5934716B2 JPS5934716B2 JP48074353A JP7435373A JPS5934716B2 JP S5934716 B2 JPS5934716 B2 JP S5934716B2 JP 48074353 A JP48074353 A JP 48074353A JP 7435373 A JP7435373 A JP 7435373A JP S5934716 B2 JPS5934716 B2 JP S5934716B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- groups
- acid
- amino
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/02—Preparation
- C07D501/04—Preparation from compounds already containing the ring or condensed ring systems, e.g. by dehydrogenation of the ring, by introduction, elimination or modification of substituents
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
- A61P31/04—Antibacterial agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
- C07D501/16—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
- C07D501/59—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3 with hetero atoms directly attached in position 3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/6561—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom containing systems of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring or ring system, with or without other non-condensed hetero rings
- C07F9/65613—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom containing systems of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring or ring system, with or without other non-condensed hetero rings containing the ring system (X = CH2, O, S, NH) optionally with an additional double bond and/or substituents, e.g. cephalosporins and analogs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Communicable Diseases (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Oncology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエノール誘導体、詳しくは式
（この式でＲ＋はアミノ保護基でありそしてＲヤは水素
原子またはアシル基ＡｃであるかまたはＲ会とＲＰとは
その両方で２価のアミノ保護基を表わし、Ｒ２は水酸基
であるかまたは式中のカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−とい
つしよに保護されたカルボキシル基を形成している基Ｒ
合であり、そしてＲ３はアルキル基またはアラルキル基
である）で表わされるＯ−置換された７β−アミノ−３
−セフエム一３−オール−４−カルボン酸化合物または
塩形成基をもつこのような化合物の塩の製造に関するも
のである。
原子またはアシル基ＡｃであるかまたはＲ会とＲＰとは
その両方で２価のアミノ保護基を表わし、Ｒ２は水酸基
であるかまたは式中のカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−とい
つしよに保護されたカルボキシル基を形成している基Ｒ
合であり、そしてＲ３はアルキル基またはアラルキル基
である）で表わされるＯ−置換された７β−アミノ−３
−セフエム一３−オール−４−カルボン酸化合物または
塩形成基をもつこのような化合物の塩の製造に関するも
のである。
本発明によるエノール誘導体は３−セフエム３−オール
化合物のエーテルである。
化合物のエーテルである。
アミノ保護基Ｒ↑は水素原子で置換できる基、主にアシ
ル基Ａｃ、さらにトリアリールメチル基殊にトリチル基
、ならびに有機シリル基または有機スタニル基である。
ル基Ａｃ、さらにトリアリールメチル基殊にトリチル基
、ならびに有機シリル基または有機スタニル基である。
基Ｒ↑のアシル基を含めて基Ａｃは主に炭素原子を好ま
しくは１８個までもつている有機カルボン酸のアシル基
、殊に置換されている場合のある脂肪族、脂環式、脂環
一脂肪肪、芳香族、芳香脂肪族、複素環式または複素環
脂肪族のカルボン酸（ぎ酸を含める）のアシル基ならび
に炭酸半誘導体のアシル基である。基Ｒ会とＲ▼とが連
結して形成している２価のアミノ保護基は殊に炭素原子
を好ましくは１８個までもつている有機ジカルボン酸の
２価アシル基、主に脂肪族または芳香族ジカルボン酸の
ジアシル基、さらにα一位置に置換基例えば芳香族また
は複素環式基を好ましくはもつているα−アミノ酢酸（
このアミノ酢酸のアミノ基は、置換基例えばメチル基の
ような低級アルキル基２個をもつのが好ましいメチレン
基を介して前記の窒素原子と結合している）のアシル基
である。また、基Ｒ＋とＲトとはその両方で炭素原子を
好ましくは１８個までもつている有機イリデン基例えば
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族または芳香脂肪族イリデ
ン基であることもできる。式−Ｃ（−０）−Ｒ合で示さ
れる保護されたカルボキシル基は主にエステル化された
カルボキシル基であるが、普通の混合無水物基または置
換されている場合のあるカルバモイル基またはヒドラジ
ノカルボニル基であることもできる。
しくは１８個までもつている有機カルボン酸のアシル基
、殊に置換されている場合のある脂肪族、脂環式、脂環
一脂肪肪、芳香族、芳香脂肪族、複素環式または複素環
脂肪族のカルボン酸（ぎ酸を含める）のアシル基ならび
に炭酸半誘導体のアシル基である。基Ｒ会とＲ▼とが連
結して形成している２価のアミノ保護基は殊に炭素原子
を好ましくは１８個までもつている有機ジカルボン酸の
２価アシル基、主に脂肪族または芳香族ジカルボン酸の
ジアシル基、さらにα一位置に置換基例えば芳香族また
は複素環式基を好ましくはもつているα−アミノ酢酸（
このアミノ酢酸のアミノ基は、置換基例えばメチル基の
ような低級アルキル基２個をもつのが好ましいメチレン
基を介して前記の窒素原子と結合している）のアシル基
である。また、基Ｒ＋とＲトとはその両方で炭素原子を
好ましくは１８個までもつている有機イリデン基例えば
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族または芳香脂肪族イリデ
ン基であることもできる。式−Ｃ（−０）−Ｒ合で示さ
れる保護されたカルボキシル基は主にエステル化された
カルボキシル基であるが、普通の混合無水物基または置
換されている場合のあるカルバモイル基またはヒドラジ
ノカルボニル基であることもできる。
故に、基Ｒ食は基−Ｃ（＝Ｏ）−といつしよにエステル
化されたカルボキシル基を形成している炭素原子の数が
好ましくは１８個までの有機基でエーテル化された水酸
基であることができる。
化されたカルボキシル基を形成している炭素原子の数が
好ましくは１８個までの有機基でエーテル化された水酸
基であることができる。
このような有機基は例えば脂肪族、脂環式、脂環脂肪族
、芳香族または芳香脂肪族の基、殊にこの種類の置換さ
れている場合のある炭化水素基ならびに複素猿式または
複素環一脂肪族基である。また、基Ｒ令は有機シリルオ
キシ基または有機金属性基でエーテル化された水酸基例
えば相当する有機スタニルオキシ基、殊に炭素原子を好
ましくは１８個までもつている置換されている場合のあ
る炭化水素基例えば脂肪族炭化水素基１〜３個によつて
そして場合によつては塩素原子のようなハロゲン原子に
よつて置換されているシリルオキシ基またはスタニルオ
キシ基であることもできる。基−Ｃ（−０）一といつし
よに無水物基主に混合無水物基を形成している基Ｒ＋は
殊にアシルオキシ基であつて、この基は炭素原子を好ま
しくは１８個までもつている有機カルボン酸例えば脂肪
族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族カ
ルボン酸または炭酸半エステルのような炭酸半誘導体の
相当する基である。基−Ｃ（二Ｏ）−といつしよにカル
バモイル基を形成している基Ｒ金は置換されている場合
のあるアミノ基である。
、芳香族または芳香脂肪族の基、殊にこの種類の置換さ
れている場合のある炭化水素基ならびに複素猿式または
複素環一脂肪族基である。また、基Ｒ令は有機シリルオ
キシ基または有機金属性基でエーテル化された水酸基例
えば相当する有機スタニルオキシ基、殊に炭素原子を好
ましくは１８個までもつている置換されている場合のあ
る炭化水素基例えば脂肪族炭化水素基１〜３個によつて
そして場合によつては塩素原子のようなハロゲン原子に
よつて置換されているシリルオキシ基またはスタニルオ
キシ基であることもできる。基−Ｃ（−０）一といつし
よに無水物基主に混合無水物基を形成している基Ｒ＋は
殊にアシルオキシ基であつて、この基は炭素原子を好ま
しくは１８個までもつている有機カルボン酸例えば脂肪
族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族カ
ルボン酸または炭酸半エステルのような炭酸半誘導体の
相当する基である。基−Ｃ（二Ｏ）−といつしよにカル
バモイル基を形成している基Ｒ金は置換されている場合
のあるアミノ基である。
この置換基は炭素原子を好ましくは１８個までもつてい
る置換されている場合のあるｌ価または２価の炭化水素
基、例えば炭素原子１８個までをもつている置換されて
いる場合のある１価または２価の脂肪族、脂環式、脂環
一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基、さらに
炭素原子１８個までをもつ相当する複素環式または複素
環一脂肪族基および（または）官能性基例えば官能的に
変えられていることのできる水酸基殊に遊離水酸基、さ
らにエーテル化またはエステル化された水酸基（そのエ
ーテル化またはエステル化している基は例えば前記の意
味をもちそして好ましくは炭素原子１８個までもつてい
る）またはアシル基主に炭素原子を好ましくは１８個ま
までもつ有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル基
である。式 Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ食で示される置換されたヒ
ドラジカルボニル基においては、そのｌ力または両方の
窒素原子が置換されていることができる。
る置換されている場合のあるｌ価または２価の炭化水素
基、例えば炭素原子１８個までをもつている置換されて
いる場合のある１価または２価の脂肪族、脂環式、脂環
一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基、さらに
炭素原子１８個までをもつ相当する複素環式または複素
環一脂肪族基および（または）官能性基例えば官能的に
変えられていることのできる水酸基殊に遊離水酸基、さ
らにエーテル化またはエステル化された水酸基（そのエ
ーテル化またはエステル化している基は例えば前記の意
味をもちそして好ましくは炭素原子１８個までもつてい
る）またはアシル基主に炭素原子を好ましくは１８個ま
までもつ有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル基
である。式 Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ食で示される置換されたヒ
ドラジカルボニル基においては、そのｌ力または両方の
窒素原子が置換されていることができる。
置換基としては主に炭素原子を好ましくは１８個までも
つている置換されていることのできる１個または２価の
炭化水素基、例えば炭素原子１８個までをもつている置
換されていることのできる１価または２価の脂肪族、脂
環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素
基、さらに炭素原子１８個までをもつている相当する複
素環式または複素環一脂肪族基および（または）官能性
基例えばアシル基主に炭素原子を好ましくは１８個まで
もつている有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル
基が挙げられる。本明細書に記載の一般用語は例えば次
の意味をもつている。
つている置換されていることのできる１個または２価の
炭化水素基、例えば炭素原子１８個までをもつている置
換されていることのできる１価または２価の脂肪族、脂
環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素
基、さらに炭素原子１８個までをもつている相当する複
素環式または複素環一脂肪族基および（または）官能性
基例えばアシル基主に炭素原子を好ましくは１８個まで
もつている有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル
基が挙げられる。本明細書に記載の一般用語は例えば次
の意味をもつている。
脂肪族基（相当する有機カルボン酸の脂肪族基を含む）
ならびに相当するイリデン基は置換されている場合のあ
るｌ価または２価の脂肪族炭化水素基、殊に炭素原子を
例えば７個までそして好ましくは４個までもつているこ
とのできる低級アルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基または低級アルキリデン基である。このよう
な基は場合によつては官能性基によつて、例えば遊離の
またはエーテル化またはエステル化された水酸化または
メルカプト基、例えば低級アルコキシ基、低級アルケニ
ルオキシ基、低級アルキレンジオキシ基、置換されてい
る場合のあるフエニルオキシ基またはアエニル低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基、置換されている場合の
あるフエニルチオ基またはフエニル低級アルキルチオ基
、ヘテロサイクリルチオ基またはヘテロサイクリル低級
アルキルチオ基、置換されている場合のある低級アルコ
キシカルボニルオ゜キシ基または低級アルカノイルオキ
シ基、またはハロゲン原子、さらにオキソ基、ニトロ基
、置換されている場合のあるアミノ基例えば低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級アルキレン
アミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基またはアザ低
級アルキレンアミノ基ならび欠アシルアミノ基例えば低
級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボニルア
ミノ基、ハロゲン低級アルコキシカルボニルアミノ基、
置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシカル
ボニルアミノ基、置換されている場合のあるカルバモイ
ルアミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基またはグアニ
ジノカルボニルアミノ基、さらにアルカリ金属塩のよう
な塩の形で存在する場合のあるスルホアミノ基、アチド
基、低級アルカノイル基やベンゾイル基のようなアシル
基、官能的に変えられている場合のあるカルボキシル基
例えば塩の形にあるカルボキシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基のようなエステル化されたカルボキシル基、
Ｎ一低級アルキル一またはＮ，Ｎジ低級アルキル−カル
バモイル基のような置換されている場合のあるカルバモ
イル基、さらに、置換されている場合のあるウレイドカ
ルボニル基またはグアニジノカルボニル基、またはシア
ノ基、官能的に変えられている場合のあるスルホ基例え
ばスルフアモイル基または塩の形にあるスルホ基、また
はＯ−モノ−または０，σ−ジ一置換されている場合の
あるホスホノ基（その置換基は例えば置換されている場
合のある低級アルキル基、フエニル基またはフエニル低
級アルキル基であつて、０一未置換またはＯ−モノ置換
されたホスホノ基はアルカリ金属，塩のような塩の形で
あることもできる）によつてモノ置換、ジ置換またはポ
リ置換されていることができる。
ならびに相当するイリデン基は置換されている場合のあ
るｌ価または２価の脂肪族炭化水素基、殊に炭素原子を
例えば７個までそして好ましくは４個までもつているこ
とのできる低級アルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基または低級アルキリデン基である。このよう
な基は場合によつては官能性基によつて、例えば遊離の
またはエーテル化またはエステル化された水酸化または
メルカプト基、例えば低級アルコキシ基、低級アルケニ
ルオキシ基、低級アルキレンジオキシ基、置換されてい
る場合のあるフエニルオキシ基またはアエニル低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基、置換されている場合の
あるフエニルチオ基またはフエニル低級アルキルチオ基
、ヘテロサイクリルチオ基またはヘテロサイクリル低級
アルキルチオ基、置換されている場合のある低級アルコ
キシカルボニルオ゜キシ基または低級アルカノイルオキ
シ基、またはハロゲン原子、さらにオキソ基、ニトロ基
、置換されている場合のあるアミノ基例えば低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級アルキレン
アミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基またはアザ低
級アルキレンアミノ基ならび欠アシルアミノ基例えば低
級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボニルア
ミノ基、ハロゲン低級アルコキシカルボニルアミノ基、
置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシカル
ボニルアミノ基、置換されている場合のあるカルバモイ
ルアミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基またはグアニ
ジノカルボニルアミノ基、さらにアルカリ金属塩のよう
な塩の形で存在する場合のあるスルホアミノ基、アチド
基、低級アルカノイル基やベンゾイル基のようなアシル
基、官能的に変えられている場合のあるカルボキシル基
例えば塩の形にあるカルボキシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基のようなエステル化されたカルボキシル基、
Ｎ一低級アルキル一またはＮ，Ｎジ低級アルキル−カル
バモイル基のような置換されている場合のあるカルバモ
イル基、さらに、置換されている場合のあるウレイドカ
ルボニル基またはグアニジノカルボニル基、またはシア
ノ基、官能的に変えられている場合のあるスルホ基例え
ばスルフアモイル基または塩の形にあるスルホ基、また
はＯ−モノ−または０，σ−ジ一置換されている場合の
あるホスホノ基（その置換基は例えば置換されている場
合のある低級アルキル基、フエニル基またはフエニル低
級アルキル基であつて、０一未置換またはＯ−モノ置換
されたホスホノ基はアルカリ金属，塩のような塩の形で
あることもできる）によつてモノ置換、ジ置換またはポ
リ置換されていることができる。
２価脂肪族カルボン酸の脂肪族基を含めて２価の脂肪族
基は例えば低級アルキレン基または低級アルケニレン基
であつて、これらは場合によつては前記脂肪族基のよう
にモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることがで
きそして（または）その鎖中に酸素、窒素またはいおう
原子のようなヘテロ原子が介在していることができる。
基は例えば低級アルキレン基または低級アルケニレン基
であつて、これらは場合によつては前記脂肪族基のよう
にモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることがで
きそして（または）その鎖中に酸素、窒素またはいおう
原子のようなヘテロ原子が介在していることができる。
脂環式基または脂環一脂肪族基（相当する有機カルボン
酸における脂環式基または脂環一脂肪族基を含む）なら
びに相当する脂壊式または脂環一脂肪族イリデン基は置
換されている場合のある単環式または２環式脂環式また
は脂環一脂肪族炭化水素基、例えば単環式、２環式また
は多環式のシクロアルキル基またはシクロアルケニル基
、さらにシクロアルキリデン基、またはシクロアルキル
またはシクロアルケニル一低級アルキル基または一低級
アルケニル基、さらにシクロアルキル低級アルキリデン
基またはシクロアルケニル一低級アルキリデン基である
。
酸における脂環式基または脂環一脂肪族基を含む）なら
びに相当する脂壊式または脂環一脂肪族イリデン基は置
換されている場合のある単環式または２環式脂環式また
は脂環一脂肪族炭化水素基、例えば単環式、２環式また
は多環式のシクロアルキル基またはシクロアルケニル基
、さらにシクロアルキリデン基、またはシクロアルキル
またはシクロアルケニル一低級アルキル基または一低級
アルケニル基、さらにシクロアルキル低級アルキリデン
基またはシクロアルケニル一低級アルキリデン基である
。
これらの基においてシクロアルキルおよびシクロアルキ
リデンは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８
個、好ましくは３〜６個もつており、またシクロアルケ
ニルは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８個
、例えば５〜８個、好ましくは５個または６個もちそし
て２重結合１個または２個をもつており、そして脂環一
脂肪族基の脂肪族部分は炭素原子を例えば７個まで、好
ましくは４個までもつていることができる。これら脂環
式基または脂環一脂肪族基は所望ならば例えば置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基によつて、例えば前
に挙げた置換されている場合のある低級アルキル基によ
つてまたは例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性
基によつてモノ置換、ジ置換またはポリ置換されている
ことができる。芳香肪基（相当するカルボン酸の芳香族
基を含む）は置換されている場合のある芳香族炭化水素
基、例えば単環式、２環式または多環式の芳香族炭化水
素基、殊にフエニル基ならびにビフエニリル基またはナ
フチル基であつて、これらは例えば前記の脂肪族および
脂環式炭化水素基のように場合によつてはモノ置換、ジ
置換またはポリ置換されていることができる。
リデンは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８
個、好ましくは３〜６個もつており、またシクロアルケ
ニルは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８個
、例えば５〜８個、好ましくは５個または６個もちそし
て２重結合１個または２個をもつており、そして脂環一
脂肪族基の脂肪族部分は炭素原子を例えば７個まで、好
ましくは４個までもつていることができる。これら脂環
式基または脂環一脂肪族基は所望ならば例えば置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基によつて、例えば前
に挙げた置換されている場合のある低級アルキル基によ
つてまたは例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性
基によつてモノ置換、ジ置換またはポリ置換されている
ことができる。芳香肪基（相当するカルボン酸の芳香族
基を含む）は置換されている場合のある芳香族炭化水素
基、例えば単環式、２環式または多環式の芳香族炭化水
素基、殊にフエニル基ならびにビフエニリル基またはナ
フチル基であつて、これらは例えば前記の脂肪族および
脂環式炭化水素基のように場合によつてはモノ置換、ジ
置換またはポリ置換されていることができる。
芳香族カルボン酸の２価の芳香族基はとりわけ１，２−
アリーレン基特に１，２−フエニレン基であつて、これ
らは例えば前記の脂肪族および脂壊式炭化水素基のよう
に場合によつてはモノ置換、ジ置換またはポリ置換され
ていることができる。
アリーレン基特に１，２−フエニレン基であつて、これ
らは例えば前記の脂肪族および脂壊式炭化水素基のよう
に場合によつてはモノ置換、ジ置換またはポリ置換され
ていることができる。
前記の芳香脂肪族基（相当するカルボン酸における芳香
脂肪族基を含む）およびまた芳香脂肪族イリデン基は例
えば置換されている場合のある芳香脂肪族炭化水素基、
例えば置換されている場合のある単環式、２環式または
多環式芳香族炭化水素基を３個までもつている置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基であつて、とりわけ
フエニル一低級アルキル基またはフエニル一低級アルケ
ニル基、ならびにフエニル一低級アルキニル基およびま
たフエニル一低級アルキリデン基であり、そしてこのよ
うな基は例えばフエニル基１〜３個をもつておりそして
場合によつては例えば前記の脂肪族および脂環式基のよ
うにその芳香族および（または）脂肪族部分においてモ
ノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることができる
。複素壊式基（複素環一脂肪族基におけるもの、および
相当するカルボン酸における複素環式基または複素環一
脂肪族基を含む）は芳香族性をもつ特に単環式ならびに
２環式または多環式のアザ環式、チア環式、オキサ環式
、チアザ環式、チアジアザ環式、オキサアザ環式、ジア
ザ壊式、トリアザ環式またはテトラアザ壌式基およびさ
らにこの種類の相当する部分的にまたは全体的に飽和さ
れた複素環式基であつて、このような基は場合によつて
は例えば前記の脂環式基のようにモノ置換、ジ置換また
はポリ置換されていることができる。
脂肪族基を含む）およびまた芳香脂肪族イリデン基は例
えば置換されている場合のある芳香脂肪族炭化水素基、
例えば置換されている場合のある単環式、２環式または
多環式芳香族炭化水素基を３個までもつている置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基であつて、とりわけ
フエニル一低級アルキル基またはフエニル一低級アルケ
ニル基、ならびにフエニル一低級アルキニル基およびま
たフエニル一低級アルキリデン基であり、そしてこのよ
うな基は例えばフエニル基１〜３個をもつておりそして
場合によつては例えば前記の脂肪族および脂環式基のよ
うにその芳香族および（または）脂肪族部分においてモ
ノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることができる
。複素壊式基（複素環一脂肪族基におけるもの、および
相当するカルボン酸における複素環式基または複素環一
脂肪族基を含む）は芳香族性をもつ特に単環式ならびに
２環式または多環式のアザ環式、チア環式、オキサ環式
、チアザ環式、チアジアザ環式、オキサアザ環式、ジア
ザ壊式、トリアザ環式またはテトラアザ壌式基およびさ
らにこの種類の相当する部分的にまたは全体的に飽和さ
れた複素環式基であつて、このような基は場合によつて
は例えば前記の脂環式基のようにモノ置換、ジ置換また
はポリ置換されていることができる。
複素環一脂肪族基における脂肪族部分は例えば相当する
脂環一脂肪族基または芳香脂肪族基に与えた意味をもつ
。炭酸半誘導体のアシル基は相当する半エステルのアシ
ル基（このエステル基の有機基は置換されている場合の
ある脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基または複素環一脂肪族基である）、とりわけ炭酸の
低級アルキル半エステルのアシル基（これは例えばその
α−またはβ位置で置換されていることができる）およ
びその有機基において置換されている場合のある炭酸の
低級アルケニル、シクロアルキル、フエニルまたはフエ
ニル一低級アルキル半エステルのアシル基であるのが好
ましい。
脂環一脂肪族基または芳香脂肪族基に与えた意味をもつ
。炭酸半誘導体のアシル基は相当する半エステルのアシ
ル基（このエステル基の有機基は置換されている場合の
ある脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基または複素環一脂肪族基である）、とりわけ炭酸の
低級アルキル半エステルのアシル基（これは例えばその
α−またはβ位置で置換されていることができる）およ
びその有機基において置換されている場合のある炭酸の
低級アルケニル、シクロアルキル、フエニルまたはフエ
ニル一低級アルキル半エステルのアシル基であるのが好
ましい。
炭酸半エステルのアシル基は、さらに、その低級アルキ
ル部分が複素環式基例えば芳香族性の前記複素環式基の
１つをもつている炭酸の低級アルキル半エステルの相当
する基であつて、その低級アルキル基および複素環式基
はいずれも場合によつては置換されていることができる
。さらに、炭酸半誘導体のアシル基はハカゲン化されて
いる場合のあるＮ一低級アルキルカルバモイル基のよう
なＮ一置換されている場合のあるカルバモイル基である
こともできる。エーテル化された水酸基は主として置換
されている場合のある低級アルコキシ基（その置換基は
主として遊離のまたは官能的に変換例えばエーテル化ま
たはエステル化された水酸基、特に低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子である）、さらに低級アルケニルオキ
シ基、シクロアルキルオキシ基または置換されている場
合のあるフエニルオキシ基、ならびにヘテロサイクリル
オキシ基またはヘテロサイタリル低級アルコキシ基、殊
に置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシ基
である。
ル部分が複素環式基例えば芳香族性の前記複素環式基の
１つをもつている炭酸の低級アルキル半エステルの相当
する基であつて、その低級アルキル基および複素環式基
はいずれも場合によつては置換されていることができる
。さらに、炭酸半誘導体のアシル基はハカゲン化されて
いる場合のあるＮ一低級アルキルカルバモイル基のよう
なＮ一置換されている場合のあるカルバモイル基である
こともできる。エーテル化された水酸基は主として置換
されている場合のある低級アルコキシ基（その置換基は
主として遊離のまたは官能的に変換例えばエーテル化ま
たはエステル化された水酸基、特に低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子である）、さらに低級アルケニルオキ
シ基、シクロアルキルオキシ基または置換されている場
合のあるフエニルオキシ基、ならびにヘテロサイクリル
オキシ基またはヘテロサイタリル低級アルコキシ基、殊
に置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシ基
である。
置換されている場合のあるアミノ基は例えばアミノ基、
低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級
アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基、
チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレンアミ
ノ基、ヒドロキシアミノ基、低級アルコキシアミノ基、
低級アルカノイルオキシアミノ基、低級アルコキシカル
ボニルアミノ基または低級アルカノイルアミノ基である
。
低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級
アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基、
チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレンアミ
ノ基、ヒドロキシアミノ基、低級アルコキシアミノ基、
低級アルカノイルオキシアミノ基、低級アルコキシカル
ボニルアミノ基または低級アルカノイルアミノ基である
。
置換されている場合のあるヒドラジノ基は例えばヒドラ
ジノ基、２一低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジ低
級アルキルヒドラジノ基、２一低級アルコキシカルボニ
ルヒドラジノ基または２一低級アルカノイルヒドラジノ
基である。低級アルキル基は例えばメチル基、エチル基
、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、第２ブチル基、第３ブチル基、ならびにｎ
−ペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソ
ヘキシル基またはｎ−ヘプチル基であり、また低級アル
ケニル基は例えばビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、２−または３−メタリル基または３−ブテニル基で
あることができ、低級アルキニル基は例えばプロパルギ
ル基または２−ブチニル基であることができ、そして低
級アルキリデン基は例えばイソプロピリデン基またはイ
ソブチリデン基であることができる。
ジノ基、２一低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジ低
級アルキルヒドラジノ基、２一低級アルコキシカルボニ
ルヒドラジノ基または２一低級アルカノイルヒドラジノ
基である。低級アルキル基は例えばメチル基、エチル基
、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、第２ブチル基、第３ブチル基、ならびにｎ
−ペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソ
ヘキシル基またはｎ−ヘプチル基であり、また低級アル
ケニル基は例えばビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、２−または３−メタリル基または３−ブテニル基で
あることができ、低級アルキニル基は例えばプロパルギ
ル基または２−ブチニル基であることができ、そして低
級アルキリデン基は例えばイソプロピリデン基またはイ
ソブチリデン基であることができる。
低級アルキレン基は例えば１，２−エチレン基１，２−
または１，３−プロピレン基、１，４ブチレン基、１，
５−ペンチレン基または１，６へキシレン基であり、ま
た低級アルケニレン基は例えば１，２−エテニレン基ま
たは２−ブテン１，４−イレン基である。
または１，３−プロピレン基、１，４ブチレン基、１，
５−ペンチレン基または１，６へキシレン基であり、ま
た低級アルケニレン基は例えば１，２−エテニレン基ま
たは２−ブテン１，４−イレン基である。
ヘテロ原子の介在する低級アルキレン基は例えば３−オ
キサ−１，５ペンチレン基のようなオキサ低級アルキレ
ン基、３−チア一１，５−ペンチレン基のようなチア低
級アルキレン基、または３一低級アルキル−３一アザ一
１，５−ペンチレン基例えば３−メチル３−アザ−１，
５−ペンチレン基のようなアザ低級アルキレン基である
。シクロアルキル基は例えばシクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基または
シクロヘプチル基、ならびにアダマンチル基であり、シ
クロアルケニル基は例えばシクロプロペニル基、ｌ−，
２−または３−シクロペンテニル基、１−，２−または
３−シクロヘキセニル基、３−シタロヘプテニル基また
は１，４シクロヘキサジエニル基であつて、シクロアル
キリデン基は例えばシクロペンチリデン基またはシクロ
ヘキシリデン基である。
キサ−１，５ペンチレン基のようなオキサ低級アルキレ
ン基、３−チア一１，５−ペンチレン基のようなチア低
級アルキレン基、または３一低級アルキル−３一アザ一
１，５−ペンチレン基例えば３−メチル３−アザ−１，
５−ペンチレン基のようなアザ低級アルキレン基である
。シクロアルキル基は例えばシクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基または
シクロヘプチル基、ならびにアダマンチル基であり、シ
クロアルケニル基は例えばシクロプロペニル基、ｌ−，
２−または３−シクロペンテニル基、１−，２−または
３−シクロヘキセニル基、３−シタロヘプテニル基また
は１，４シクロヘキサジエニル基であつて、シクロアル
キリデン基は例えばシクロペンチリデン基またはシクロ
ヘキシリデン基である。
シクロアルキル低級アルキル一低級アル千ル基またはシ
クロアルキル一低級アルケニル基は例えばシクロプロピ
ル、シクロペンチル一、シクロヘキシル一またはシクロ
ペブチルーメチル基、−ＣＨコＣＨ２ＣＨ２ビニル基ま
たは−アリル基であつて、シクロアルケニル一低級アル
キル基またはシクロアルケニル低級アルケニル基は例え
ば１−２−または３シクロペンテテル一、ｌ−２−また
は３−シクロヘキセニル−またはｌ−、２−または３５
−シクロヘプテニルーメチル基、−ＣＨ−、＝０−１２
ＣＨ２−ビニル基または−アリル基である。シクロアル
キル一低級アルキリデン基は例えばシクロヘキシルメチ
レン基でありそしてシクロアルケニル一低級アルキリデ
ン基は例えば３−シクロヘキセニルメチレン基である。
ナフチル基は１−または２−ナフチル基であつて、ビフ
エニリル基例，えば４−ビフエニリル基である。
クロアルキル一低級アルケニル基は例えばシクロプロピ
ル、シクロペンチル一、シクロヘキシル一またはシクロ
ペブチルーメチル基、−ＣＨコＣＨ２ＣＨ２ビニル基ま
たは−アリル基であつて、シクロアルケニル一低級アル
キル基またはシクロアルケニル低級アルケニル基は例え
ば１−２−または３シクロペンテテル一、ｌ−２−また
は３−シクロヘキセニル−またはｌ−、２−または３５
−シクロヘプテニルーメチル基、−ＣＨ−、＝０−１２
ＣＨ２−ビニル基または−アリル基である。シクロアル
キル一低級アルキリデン基は例えばシクロヘキシルメチ
レン基でありそしてシクロアルケニル一低級アルキリデ
ン基は例えば３−シクロヘキセニルメチレン基である。
ナフチル基は１−または２−ナフチル基であつて、ビフ
エニリル基例，えば４−ビフエニリル基である。
フエニル一低級アルキル基またはフエニル一低級アルケ
ニル基は例えばベンジル基、ｌ−または２−フエニルエ
チル基、ｌ−２−または３−フニニルプロピル基、ジフ
エニルメチル基、トリチル基、ｌ−または２−ナフチル
メチル基のようなナフチル一低級アルキル基、スチリル
基またはシンナミル基であつて、フエニル一低級アルキ
リデン期１ま例えばベンジリデン基である。
ニル基は例えばベンジル基、ｌ−または２−フエニルエ
チル基、ｌ−２−または３−フニニルプロピル基、ジフ
エニルメチル基、トリチル基、ｌ−または２−ナフチル
メチル基のようなナフチル一低級アルキル基、スチリル
基またはシンナミル基であつて、フエニル一低級アルキ
リデン期１ま例えばベンジリデン基である。
複素環式基はとりわけ芳香族性をもつ置換されている場
合のある複素環式基、例えば相当する単環式のモノアザ
環式、モノチア壊式またはモノオキサ環式基例えば２−
ピリル基や３−ピリル基のようなピリル基、２−、３−
または４−ピリジル基のようなピリジル基およびピリジ
ニウム基、２−または３−チエニル基のようなチエニル
基または２−フリル基のようなフリル基、２環式のモノ
アザ環式、モノオキサ環式またはモノチア壊式基例えば
２−または３−インドリル基のようなインドリル基、２
−または４−キノリニル基のようなキ／リニル基、１−
イソキノリニル基のようなイソキノリニル基、２−また
は３−ベンゾフラニル基のようなベンゾフラニル基また
は２−または３一ベンゾチエニル基のようなベンゾチエ
ニル基、単環式のジアザ環式、トリアザ環式、テトラア
ザ環式、オキサアザ環式、チアザ環式またはチアジアザ
環式基、例えば２−イミダゾリル基のようなイミダゾリ
ル基、２−または４−ピリミジリル基のようなピリミジ
ニル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基のよう
なトリアゾリル基、ｌ−または５−テトラゾリル基のよ
うなテトラゾリル基、２−オキサゾリル基のようなオキ
サゾリル基、３−または４−イソオキサゾリル基のよう
なイソオキサゾリル基、２−チアゾリル基のようなチア
ゾリル基、３−または４−イソチアゾリル基のようなイ
ソチアゾリル基、または１，２，４−チアジアゾール一
３−イル基や１，３，４−チアジアゾール一２−イル基
のような１，２，４−または１，３，４−チアジアゾリ
ル基、あるいは２環式のジアザ環式、オキサアザ環式ま
たはチアザ環式基例えば２−ベンズイミダゾリル基のよ
うなベンズイミダゾリル基、２−ベンズオキサゾリル基
のようなベンズオキサゾリル基または２−ベンズチアゾ
リル基のようなベンズチアゾリル基である。
合のある複素環式基、例えば相当する単環式のモノアザ
環式、モノチア壊式またはモノオキサ環式基例えば２−
ピリル基や３−ピリル基のようなピリル基、２−、３−
または４−ピリジル基のようなピリジル基およびピリジ
ニウム基、２−または３−チエニル基のようなチエニル
基または２−フリル基のようなフリル基、２環式のモノ
アザ環式、モノオキサ環式またはモノチア壊式基例えば
２−または３−インドリル基のようなインドリル基、２
−または４−キノリニル基のようなキ／リニル基、１−
イソキノリニル基のようなイソキノリニル基、２−また
は３−ベンゾフラニル基のようなベンゾフラニル基また
は２−または３一ベンゾチエニル基のようなベンゾチエ
ニル基、単環式のジアザ環式、トリアザ環式、テトラア
ザ環式、オキサアザ環式、チアザ環式またはチアジアザ
環式基、例えば２−イミダゾリル基のようなイミダゾリ
ル基、２−または４−ピリミジリル基のようなピリミジ
ニル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基のよう
なトリアゾリル基、ｌ−または５−テトラゾリル基のよ
うなテトラゾリル基、２−オキサゾリル基のようなオキ
サゾリル基、３−または４−イソオキサゾリル基のよう
なイソオキサゾリル基、２−チアゾリル基のようなチア
ゾリル基、３−または４−イソチアゾリル基のようなイ
ソチアゾリル基、または１，２，４−チアジアゾール一
３−イル基や１，３，４−チアジアゾール一２−イル基
のような１，２，４−または１，３，４−チアジアゾリ
ル基、あるいは２環式のジアザ環式、オキサアザ環式ま
たはチアザ環式基例えば２−ベンズイミダゾリル基のよ
うなベンズイミダゾリル基、２−ベンズオキサゾリル基
のようなベンズオキサゾリル基または２−ベンズチアゾ
リル基のようなベンズチアゾリル基である。
相当する部分的にまたは全体に飽和された基は例えば２
−テトラヒドロチエニル基のようなテトラヒドロチエニ
ル基、２−テトラヒドロフリル基のようなテトラヒドロ
フリル基または２−または４ピペリジル基のようなピペ
リジル基である。
−テトラヒドロチエニル基のようなテトラヒドロチエニ
ル基、２−テトラヒドロフリル基のようなテトラヒドロ
フリル基または２−または４ピペリジル基のようなピペ
リジル基である。
複素環一脂肪族基は複素環式基特に上記の基をもつ低級
アルキル基または低級アルケニル基である。前記の複素
環式基は、例えば置換されている場合のある脂肪族また
は芳香族炭｛ヒ水素基特にメチル基のような低級アルキ
ル基によつてまたほ場合によつては塩素原子のようなハ
ロゲン原子により置換されたフエニル基例えばフエニル
基または４ク山レフエニル基によつてまたは例えば前記
脂肪族炭化水素基のように官能性基によつて置換されて
いることができる。低級アルコキシ基は例えばメトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基
、ｎブトキシ基、イソブトキシ基、第２ブトキシ基、第
３ブトキシ基、ａ−ペントキシ基または第３ペントキシ
基である。
アルキル基または低級アルケニル基である。前記の複素
環式基は、例えば置換されている場合のある脂肪族また
は芳香族炭｛ヒ水素基特にメチル基のような低級アルキ
ル基によつてまたほ場合によつては塩素原子のようなハ
ロゲン原子により置換されたフエニル基例えばフエニル
基または４ク山レフエニル基によつてまたは例えば前記
脂肪族炭化水素基のように官能性基によつて置換されて
いることができる。低級アルコキシ基は例えばメトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基
、ｎブトキシ基、イソブトキシ基、第２ブトキシ基、第
３ブトキシ基、ａ−ペントキシ基または第３ペントキシ
基である。
これらの基は例えばハロゲノ一低級アルコキシ基特に２
−ハロゲノ一低級アルコキシ基例．えば２，２，２−ト
リクロルエトキシ、２−ク町レ一、２−ブロム−または
２−ヨードエトキシ基にお・けるように置換されている
ことができる。低級アルケニルオキシ基は例えばビニル
オキシ基またはアリルオキシ基であり、低級アルキレン
ジオキシ基は例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオ
キシ基またはイソプロピリデンジオキシ基であり、シク
ロアルコキシ基は例えばシクロペン千ルオキシ基、シク
ロヘキシルオキシ基またはアダマンチルオキシ基であり
、フエニル一低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ
基または１−または２−フエニルエトキシ基、ジフエニ
ルメトキシ基または４，４′−ジメトキシージフエニル
メトキシ基であり、またヘテロサイクリルーオキシ基ま
たはヘテロサイクリル低級アルコキシ基は例，えば２−
ピリジルメトキシ基のようなピリジル一低級アルコキシ
基、フルフリルオキシ基のよよなフリル一低級アルコキ
シ基または２−テルニオキシ基のようなチエニル一低級
アルコキシ基である。低級アルキルチオ基は例えばメチ
ルチオ基、工チルチオ基またはｎ−ブチルチオ基であり
、低級アルケニルチオ基は例えばアリルチオ基であつて
、フエニル一低級アルキルチオ基は例えばベンジルチオ
基であり、または複素環式基または複素環一脂肪族基で
エーテル化されたメルカプト基は特に４−ピリジルチオ
基のようなピリジルチオ基、２イミダゾリルチオ基のよ
うなイミダゾリルチオ基、２−チアゾリルチオ基のよう
なチアゾリルチオ基、１，２，４−チアジアゾール一３
−イルチオ基や１，３，４−チアジアゾール一２−イル
チオ基のような１，２，４−または１，３，４−チアジ
アゾリルチオ基またはｌ−メチル−５−テトラゾリルチ
オ基のようなテトラゾリルチオ基である。
−ハロゲノ一低級アルコキシ基例．えば２，２，２−ト
リクロルエトキシ、２−ク町レ一、２−ブロム−または
２−ヨードエトキシ基にお・けるように置換されている
ことができる。低級アルケニルオキシ基は例えばビニル
オキシ基またはアリルオキシ基であり、低級アルキレン
ジオキシ基は例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオ
キシ基またはイソプロピリデンジオキシ基であり、シク
ロアルコキシ基は例えばシクロペン千ルオキシ基、シク
ロヘキシルオキシ基またはアダマンチルオキシ基であり
、フエニル一低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ
基または１−または２−フエニルエトキシ基、ジフエニ
ルメトキシ基または４，４′−ジメトキシージフエニル
メトキシ基であり、またヘテロサイクリルーオキシ基ま
たはヘテロサイクリル低級アルコキシ基は例，えば２−
ピリジルメトキシ基のようなピリジル一低級アルコキシ
基、フルフリルオキシ基のよよなフリル一低級アルコキ
シ基または２−テルニオキシ基のようなチエニル一低級
アルコキシ基である。低級アルキルチオ基は例えばメチ
ルチオ基、工チルチオ基またはｎ−ブチルチオ基であり
、低級アルケニルチオ基は例えばアリルチオ基であつて
、フエニル一低級アルキルチオ基は例えばベンジルチオ
基であり、または複素環式基または複素環一脂肪族基で
エーテル化されたメルカプト基は特に４−ピリジルチオ
基のようなピリジルチオ基、２イミダゾリルチオ基のよ
うなイミダゾリルチオ基、２−チアゾリルチオ基のよう
なチアゾリルチオ基、１，２，４−チアジアゾール一３
−イルチオ基や１，３，４−チアジアゾール一２−イル
チオ基のような１，２，４−または１，３，４−チアジ
アゾリルチオ基またはｌ−メチル−５−テトラゾリルチ
オ基のようなテトラゾリルチオ基である。
エステル化された水酸基はとりわけハロゲン原子例えば
ふつ素、塩素、臭素またはよう素原子、ならびに低級ア
ルカノイルオキシ基例えばアセトキシ基またはプロピオ
ニルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオキシ基例え
ばメトキシカルボニとルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基またはｔ−ブチルオキシカルボニルオキシ基、
２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルオキシ基例，え
ば２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルオキシ基
、２−ブロムエトキシカルボニルオキシ基または２１ヨ
ードエトキシカルボニルオキシ基、またはアリールカル
ボニルメトキシカルボニルオキシ基例えばフエナシルオ
キシカルボニルオキシ基である。低級アルコキシ−カル
ボニル基は例えばメトキシシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ｎ−プ１０ポキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基または
ｔ−ペントキシカルボニル基である。Ｎ一低級アルキル
−カルバモイル基またはＮ，Ｎジ一低級アルキル−カル
バモイル基は例えばＮ乏メチルカルバモイル基、Ｎ−エ
チルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基
、Ｎ，Ｎジエチルカルバモイル基であるが、Ｎ一低級ア
ルキルスルフアモイル基は例えばＮ−メチルスルフアモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジメチルスルフアモイル基である
。
ふつ素、塩素、臭素またはよう素原子、ならびに低級ア
ルカノイルオキシ基例えばアセトキシ基またはプロピオ
ニルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオキシ基例え
ばメトキシカルボニとルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基またはｔ−ブチルオキシカルボニルオキシ基、
２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルオキシ基例，え
ば２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルオキシ基
、２−ブロムエトキシカルボニルオキシ基または２１ヨ
ードエトキシカルボニルオキシ基、またはアリールカル
ボニルメトキシカルボニルオキシ基例えばフエナシルオ
キシカルボニルオキシ基である。低級アルコキシ−カル
ボニル基は例えばメトキシシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ｎ−プ１０ポキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基または
ｔ−ペントキシカルボニル基である。Ｎ一低級アルキル
−カルバモイル基またはＮ，Ｎジ一低級アルキル−カル
バモイル基は例えばＮ乏メチルカルバモイル基、Ｎ−エ
チルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基
、Ｎ，Ｎジエチルカルバモイル基であるが、Ｎ一低級ア
ルキルスルフアモイル基は例えばＮ−メチルスルフアモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジメチルスルフアモイル基である
。
アルカリ金属塩の形にあるカルボキシル基またはスルホ
基は例えばナトリウム塩またはカリウム塩の形にあるカ
ルボキシル基またはスルホ基である。
基は例えばナトリウム塩またはカリウム塩の形にあるカ
ルボキシル基またはスルホ基である。
低級アルキルアミノ基またはジ一低級アルキルアミノ基
は例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基またはジエチルアミノ基であり、低級アルキレン
アミノ基は例えばピロリジノ基またはピペリジノ基であ
り、オキサ−低級アルキレンアミ／基は例えばモルホリ
ノ基、チア低級アルキレンアミノ基は例えばチオモルホ
リノ基そしてアザ一低級アルキレンアミノ基は例えばピ
ペラジノ基または４−メチルピペラジノ基である。
は例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基またはジエチルアミノ基であり、低級アルキレン
アミノ基は例えばピロリジノ基またはピペリジノ基であ
り、オキサ−低級アルキレンアミ／基は例えばモルホリ
ノ基、チア低級アルキレンアミノ基は例えばチオモルホ
リノ基そしてアザ一低級アルキレンアミノ基は例えばピ
ペラジノ基または４−メチルピペラジノ基である。
アシルアミノ基は特にカルバモイルアミノ基、メチルカ
ルバモイルアミノ基のような低級アルキルカルバモイル
アミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基、グアニジノカ
ルボニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基
例んばメトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニ
アミノ基またはｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、２，
２，２ートリク山レエトキシカルボニルアミノ基のよう
なハロゲノ低級アルコキシカルボニルアミノ基、４−メ
トキシベンジルオキシカルボニルアミノ基、のようなフ
エニル低級アルコキシカルボニルアミノ基、アセチルア
ミノ基やプロピオニルアミノ基のような低級アルカノイ
ルアミノ基、さらにフタルイミド基または塩例えばナト
リウム塩のょうなアルカリ金属塩またはアンモニウム塩
の形にあることのできるスルホアミノ基である。低級ア
ルカノイル基は例，えばホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基またはピノ旬イル基である。
ルバモイルアミノ基のような低級アルキルカルバモイル
アミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基、グアニジノカ
ルボニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基
例んばメトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニ
アミノ基またはｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、２，
２，２ートリク山レエトキシカルボニルアミノ基のよう
なハロゲノ低級アルコキシカルボニルアミノ基、４−メ
トキシベンジルオキシカルボニルアミノ基、のようなフ
エニル低級アルコキシカルボニルアミノ基、アセチルア
ミノ基やプロピオニルアミノ基のような低級アルカノイ
ルアミノ基、さらにフタルイミド基または塩例えばナト
リウム塩のょうなアルカリ金属塩またはアンモニウム塩
の形にあることのできるスルホアミノ基である。低級ア
ルカノイル基は例，えばホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基またはピノ旬イル基である。
０一低級アルキルーホスホノ基は例えばＯ−メチル−ま
たはＯ−エチルーホスホノ基、０，０５一ジ低級アルキ
ルーホスホノ基は例えば０，０′−ジメチルーホスホノ
基または０，α−ジエチルーホスホノ基、Ｏ−フエニル
低級アルキルーホスホノ基は例えばＯ−ベンジルーホス
ホノ基そしてＯ−低級アルキル一α−フエニル低級アル
キルーホスホノ基は例．えばＯ−ベンジル一α−メチル
ーホスホノ基である。
たはＯ−エチルーホスホノ基、０，０５一ジ低級アルキ
ルーホスホノ基は例えば０，０′−ジメチルーホスホノ
基または０，α−ジエチルーホスホノ基、Ｏ−フエニル
低級アルキルーホスホノ基は例えばＯ−ベンジルーホス
ホノ基そしてＯ−低級アルキル一α−フエニル低級アル
キルーホスホノ基は例．えばＯ−ベンジル一α−メチル
ーホスホノ基である。
低級アルケニルオキシカルボニル基（ま例えばビニルオ
キシカルボニル基であつて、シクロアルコキシカルボニ
ル基およびフエニル一低級アルコキシカルボニル基は例
，えばアダマンチルオギシカルボニル基、ベンジルオキ
シカルボニル基、４−メトキシベノジルオキシカルボニ
ル基、ジフエニルメトキシカルボニル基またはα−４−
ビフエニリル一α−メチルエトキシカルボニル基である
。
キシカルボニル基であつて、シクロアルコキシカルボニ
ル基およびフエニル一低級アルコキシカルボニル基は例
，えばアダマンチルオギシカルボニル基、ベンジルオキ
シカルボニル基、４−メトキシベノジルオキシカルボニ
ル基、ジフエニルメトキシカルボニル基またはα−４−
ビフエニリル一α−メチルエトキシカルボニル基である
。
その低級アルキル基が例えば単環式のモノアザ環式、モ
ノオキサ環式またはモノチア環式基をもつているような
低級アルコキシカルボニル基は例えばフルフリルオキシ
カルボニル基のようなフリル一低級アルコキシカルボニ
ル基または２−テニルオキシカルボニル基のようなチエ
ニル一低級アルコキシカルボニル基である。２一低級ア
ルキルヒドラジノ基および２，２−ジ低級アルキルヒド
ラジノ基は例，えば２−メチルヒドラジノ基または２，
２−ジメチルヒドラジノ基であり、２一低級アルコキシ
カルボニルヒドラジノ基は例えば２−メトキシカルボニ
ルヒドラジノ基、２−エトキシカルボニルヒドラジノ基
またはｔ−ブトキシカルボニルヒドラジノ基であつて、
低級アルカノイルヒドラジノ基は例えば２−アセチルヒ
ドラジノ基である。
ノオキサ環式またはモノチア環式基をもつているような
低級アルコキシカルボニル基は例えばフルフリルオキシ
カルボニル基のようなフリル一低級アルコキシカルボニ
ル基または２−テニルオキシカルボニル基のようなチエ
ニル一低級アルコキシカルボニル基である。２一低級ア
ルキルヒドラジノ基および２，２−ジ低級アルキルヒド
ラジノ基は例，えば２−メチルヒドラジノ基または２，
２−ジメチルヒドラジノ基であり、２一低級アルコキシ
カルボニルヒドラジノ基は例えば２−メトキシカルボニ
ルヒドラジノ基、２−エトキシカルボニルヒドラジノ基
またはｔ−ブトキシカルボニルヒドラジノ基であつて、
低級アルカノイルヒドラジノ基は例えば２−アセチルヒ
ドラジノ基である。
アシル基ＡＯは殊に６−アミノーペナム一３−カルボン
酸化合物または７ーアミノ一３−セフエム４カルボン酸
化合物の天然に生成されるかまたは生合成、半合成また
は全合成により製造できる好ましくは薬理活性なＮ−ア
シル誘導体に含まれる炭素原子の数が好ましくは１８個
までの有機カルボル酸のアシル基、または容易に分裂で
きるアシル基殊に炭酸半誘導体のアシル基である。
酸化合物または７ーアミノ一３−セフエム４カルボン酸
化合物の天然に生成されるかまたは生合成、半合成また
は全合成により製造できる好ましくは薬理活性なＮ−ア
シル誘導体に含まれる炭素原子の数が好ましくは１８個
までの有機カルボル酸のアシル基、または容易に分裂で
きるアシル基殊に炭酸半誘導体のアシル基である。
６−アミノーペナム一３−カルボン酸化合物または７ー
アミノ一３−セフエム一４−カルボン酸化合物の薬理活
性なＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基Ａｃという゛
のは、主として式〔この式でｎはＯでありそしてＲＩは
水素原子または置換されている場合のある脂壊式または
芳香族炭化水素基、置換されている場合のあるそして好
ましくは芳香族性をもつ複素環式基、官能的に変形例え
ばエステル化またはエーテル化されている水酸基または
メルカプト基あるいは置換されている場合のあるアミノ
基であるか、または。
アミノ一３−セフエム一４−カルボン酸化合物の薬理活
性なＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基Ａｃという゛
のは、主として式〔この式でｎはＯでありそしてＲＩは
水素原子または置換されている場合のある脂壊式または
芳香族炭化水素基、置換されている場合のあるそして好
ましくは芳香族性をもつ複素環式基、官能的に変形例え
ばエステル化またはエーテル化されている水酸基または
メルカプト基あるいは置換されている場合のあるアミノ
基であるか、または。
は１であり、ＲＩは水素原子または置換されている場合
のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳
香脂肪族の炭化水素基、その複素環式基が好ましくは芳
香族性をもちそして（または）第４級窒素原子をもつて
いる置換されている場合のある複素環式基または複素環
一脂肪族基、官能的に変形（好ましくはエーテル化また
はエステル化）されている場合のある水酸基またはメル
カプト基、官能的に変形されている場合のあるカルボキ
シル基、アシル基、置換されている場合のあるアミノ基
またはアチド基でありそして差ＲとＲとがいずれも水素
原子であるか、またはｎはｌであり、ＲＩは置換されて
いる場合のある脂肪族、脂環式、脂壊一脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が
好ましくは芳香族性を有する置換されている場合のある
複素環式または複素環一脂肪族基であり、Ｒは官能的に
変形例えばエステル化またはエーテル化されている場合
のある水酸基またはメルカプト基、例えばハロゲン原子
、置換されている場合のあるアミノ基、官能的に変形さ
れている場合のあるカルボキシル基またはスルホ基、Ｏ
−モノ置換または０，α−ジ置換されている場合のある
ホスホノ基またはアチド基でありそしてＲは水素原子で
あるか、またはｎは１であり、基ＲＩとＲとがそれぞれ
官能的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル化
）された水酸基または官能的に変形されている場合のあ
るカルボキシル基でありそしてＲは水素原子であるか、
またはｎは１であり、ＲＩは水素原子または置換されて
いる場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族の炭水化素基でありそしてＲとＲとは
その両方で置換されている場合のあるそして２重結合に
よつて式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環式、
脂環一脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基であるか、
またはｎは１であり、ＲＩは置換されている場合のある
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪
族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは芳香
族性を有する置換されている場合のある複素環式または
複素環一脂肪族基であり、Ｒは置換されている場合のあ
る脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂
肪族の炭化水素基でありそしてＲは水素原子または置換
されている場合のある脂肪族、脂環式、脂環脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕で表わされ
る基である。
のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳
香脂肪族の炭化水素基、その複素環式基が好ましくは芳
香族性をもちそして（または）第４級窒素原子をもつて
いる置換されている場合のある複素環式基または複素環
一脂肪族基、官能的に変形（好ましくはエーテル化また
はエステル化）されている場合のある水酸基またはメル
カプト基、官能的に変形されている場合のあるカルボキ
シル基、アシル基、置換されている場合のあるアミノ基
またはアチド基でありそして差ＲとＲとがいずれも水素
原子であるか、またはｎはｌであり、ＲＩは置換されて
いる場合のある脂肪族、脂環式、脂壊一脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が
好ましくは芳香族性を有する置換されている場合のある
複素環式または複素環一脂肪族基であり、Ｒは官能的に
変形例えばエステル化またはエーテル化されている場合
のある水酸基またはメルカプト基、例えばハロゲン原子
、置換されている場合のあるアミノ基、官能的に変形さ
れている場合のあるカルボキシル基またはスルホ基、Ｏ
−モノ置換または０，α−ジ置換されている場合のある
ホスホノ基またはアチド基でありそしてＲは水素原子で
あるか、またはｎは１であり、基ＲＩとＲとがそれぞれ
官能的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル化
）された水酸基または官能的に変形されている場合のあ
るカルボキシル基でありそしてＲは水素原子であるか、
またはｎは１であり、ＲＩは水素原子または置換されて
いる場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族の炭水化素基でありそしてＲとＲとは
その両方で置換されている場合のあるそして２重結合に
よつて式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環式、
脂環一脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基であるか、
またはｎは１であり、ＲＩは置換されている場合のある
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪
族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは芳香
族性を有する置換されている場合のある複素環式または
複素環一脂肪族基であり、Ｒは置換されている場合のあ
る脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂
肪族の炭化水素基でありそしてＲは水素原子または置換
されている場合のある脂肪族、脂環式、脂環脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕で表わされ
る基である。
前記の式囚のアシル基においては、例えばｎはＯであり
そしてＲＩは水素原子または環炭素原子５〜７個をもつ
シクロアルキル基〔これは場合によつてはアミノ基、ア
シルアミノ基（そのアシル基は主に低級アルコキシカル
ボニル基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニル基ま
たはフエニル低級アルコキシカルボニル基のような炭酸
半エステルのアシル基とする）またはスルホアミノ基（
これはアルカリ金属塩のような塩の形であることもでき
る）のような保護されている場合のあるアミノ基によつ
て好ましくは１一位置で置換されていることができる〕
、置換されている場合のあるフエニル基、ナフチル基ま
たはテトラヒドロナフチル基〔これらは場合によつては
好ましくは水酸基、メトキシ基のような低級アルコキシ
基、アシルオキシ基（そのアシル基は主として低級アル
コキシカルボニル基、２−ハロゲノ低級アルコキシカル
ボニル基またはフエニル低級アルコキシカルボニル基の
ような炭酸半エステルのアシル基とする）および（また
は）塩素原子のようなハロゲン原子によつて置換されて
いることができる〕、置換されている場合のある複素環
式基〔これは例えばメチル基のような低級アルキル基に
よつてそして（または）置換基例えば塩素原子のような
ハロゲン原子をそれ自体もつていることのできるフエニ
ル基によつて置換されていることができる〕例えば４−
イソオキサゾリル基またはアミノ基（このアミノ基は例
えば置換基例えば塩素原子のようなハロゲン原子をもつ
ていることのできる低級アルキル基によつてＮ一置換さ
れているのが好ましい）であるか、またはｎは１であり
、ＲＩは低級アルキル基〔これは場合によつては好まし
くは塩素原子のようなハロゲン原子によつて、または置
換基例えば水酸基、アシルオキシ基（そのアシル基は前
記の意味をもつ）および（または）塩素原子のようなハ
ロゲン原子をもつていることのできるフエニルオキシ基
によつて、または保護されていることのできるアミノ基
および（または）カルボキシル基によつて置換されてい
ることができる〕、例えば保護されている場合のあるア
ミノ基および（または）カルポキシル基〔例えば、シリ
ル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級アルキ
ルシリル化されたアミノ基またはアシルアミノ基例えば
低級アルカノイルアミノ基、・・ロゲノ低級アルカノイ
ルアミノ基またはプタロールアミノ基および（または）
シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級ア
ルキルシリル化されているかまたはエステル化例えば低
級アルキル基、２ハロゲノ低級アルキル基またはジフエ
ニルメチル基のようなフエニル低級アルキル基でエステ
ル化されたカルボキシル基〕をもつ４−アミノ−４−カ
ルボキシ−ブチル基、低級アルケニル基、フエニル基〔
これは場合によつては置換基例えば上記のようにアシル
化されていることのできる水酸基および（または）塩素
原子のようなハロゲン原子によつて、さらに保護例えば
上記のようにアシル化されていることのできるアミルメ
チル基のようなアミノ低級アルキル基によつて、または
例えば上記のようにアシル化されていることのできる水
酸基および（または）塩素原子のようなハロゲン原子を
もつていることのできるフエニルオキシ基によつて置換
されていることができる〕、置換基例えばメチル基のよ
うな低級アルキル基によつｆまたは保護（例えば、上記
のようにアシル化）されていることのできるアミノ基ま
たはアミノメチル基によつて置換されていることのでき
るピリジル基例えば４−ピリジル基、ピリジニウム基例
えば４−ピリジニウム基、チエニル基例えば２チエニル
基、フリル基例えば２−フリル基、イミダゾリル基例え
ば１−イミダゾリル基またはテトラゾリル基例えば１−
テトラゾリル基、置換されている場合のある低級アルコ
キシ基例えばメトキシ基、フエニルオキシ基〔これは置
換基、例えば保護例えば上記のようにアシル化されてい
ることのできる水酸基および（または）塩素原子のよう
なハロゲン原子によつて置換されていることができる〕
、低級アルキルチオ基例えばｎニブチルチオ基または低
級アルケニルチオ基例えばアリルチオ基、置換基例えば
メチル基のような低級アルキル基で置換されていること
のできるフエニルチオ基、４−ピリジルチオ基のような
ピニジルチオ基、２−イミダゾリルチオ基、１，２，４
−トリアゾール３−イルチオ基、１，３，４−トリアゾ
ール−２イルチオ基、１，２，４−チアジアゾール一３
−イルチオ基例えば５−メチル−１，２，４−チアジア
ゾール一３−イルチオ基、１，３，４−チアジアゾール
２−イルチオ基例えば５−メチル−１，３，４−チアジ
アゾール一２−イルチオ基または５−テトラゾリルチオ
基例えば１−メチル−５−テトラゾリルチオ基、ハロゲ
ン原子特に塩素または臭素原子、官能的に変えられてい
る場合のあるカルボキシル基例えばメトキシカルボニル
基やエトキシカルボニル基のような低級アルコ、キシカ
ルボニル基、シアノ基またはＮ一置換例えばメチル基の
ような低級アルキル基またはフエニル基でＮ一置換され
ている場合のあるカルバモイル基、置換されている場合
のある低級アルカノイル基例えばアセチル基またはプロ
ピオニル基、ペソゾイル基またはアチド基でありそして
ＲとＲとは水素原子であるか、あるいはｎは１であり、
ＲＩは低級アルキル基または場合によつては例えば上記
のようにアシル化されていることのできる水素基および
（または）塩素原子のようなハロゲン原子で置換されて
いることのできるフエニル基、２−フリル基のようなフ
リル基、２−または３−チエニル基のようなチエニル基
または４−イソチアゾリル基のようなイソチアゾリル基
、さらにまた１，４−シクロヘキサジエニル基であり、
Ｒは保護または置換されている場合のあるアミノ基例え
ばアミノ基、アシルアミノ基例えば低級アルコキシカル
ボニルアミノ基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニ
ルアミノ基または置換基例えばメトキシ基のような低級
アルコキシ基またはニトロ基をもつていることのできる
フエニル低級アルコキシカルボニルアミノ基、例えばｔ
−ブトキシカルボニルアミノ基、２，２，２トリクロル
エトキシカルボニルアミノ基、４メトキシベンジルオキ
シカルボニルアミノ基またはジフエニルメチルオキシカ
ルボニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば
４−メチルフエニルスルホニルアミノ基、トリチルアミ
ノ基、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフエニル
チオアミノ基のようなニトロフエニルチオアミノ基また
はトリチルチオアミノ基、または置換基例えばエトキシ
カルボニル基のような低級アルコキシカルボニル基やア
セチル基のような低級アルカノイル基をもつていること
のできる２−プロピリデンアミノ基例えば２−エトキシ
カルボニル−２プロピリデンアミノ基、またはグアニジ
ノカルボニルアミノ基のような置換されている場合のあ
るカルバモイルアミノ基、またはアルカリ金属塩のよう
な塩の形であることのできるスルホアミノ基、アチド基
、アルカリ金属塩のような塩の形またはエステル化され
た形のような保護された形にあることのできるカルボキ
シル基（例えば、メトキシカルボニル基やエトキシカル
ボニル基のような低級アルコキシカルボニル基としてま
たはジフエニルメトキシカルボニル基のようなフエニル
オキシカルボニル基としてあることができる）、シアノ
基、スルホ基、官能的に変えられていることのできる水
酸基〔官能的に変えられた水酸基は殊にホルミルオキシ
基のようなアシルオキシ基ならびに低級アルコキシカル
ボニルオキシ基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニ
ルオキシ基または置換基（例えば、メトキシ基のような
低級アルコキシ基またはニトロ基）をもつている場合の
あるフエニル低級アルコキシカルボニルオキシ基、例え
ばｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、２，２，２トリク
ロルエトキシカルボニルオキシ基、４−メトキシベンジ
ルオキシカルボニルオキシ基またはジフエニルメトキシ
カルボニルオキシ基、または置換されている場合のある
低級アルコキシ基例えばメトキシ基またはフエニルオキ
シ基である〕、０一低級アルキル一または０，０′−ジ
低級アルキルーホスホノ基例えばｏ−メチルホスホノ基
または。
そしてＲＩは水素原子または環炭素原子５〜７個をもつ
シクロアルキル基〔これは場合によつてはアミノ基、ア
シルアミノ基（そのアシル基は主に低級アルコキシカル
ボニル基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニル基ま
たはフエニル低級アルコキシカルボニル基のような炭酸
半エステルのアシル基とする）またはスルホアミノ基（
これはアルカリ金属塩のような塩の形であることもでき
る）のような保護されている場合のあるアミノ基によつ
て好ましくは１一位置で置換されていることができる〕
、置換されている場合のあるフエニル基、ナフチル基ま
たはテトラヒドロナフチル基〔これらは場合によつては
好ましくは水酸基、メトキシ基のような低級アルコキシ
基、アシルオキシ基（そのアシル基は主として低級アル
コキシカルボニル基、２−ハロゲノ低級アルコキシカル
ボニル基またはフエニル低級アルコキシカルボニル基の
ような炭酸半エステルのアシル基とする）および（また
は）塩素原子のようなハロゲン原子によつて置換されて
いることができる〕、置換されている場合のある複素環
式基〔これは例えばメチル基のような低級アルキル基に
よつてそして（または）置換基例えば塩素原子のような
ハロゲン原子をそれ自体もつていることのできるフエニ
ル基によつて置換されていることができる〕例えば４−
イソオキサゾリル基またはアミノ基（このアミノ基は例
えば置換基例えば塩素原子のようなハロゲン原子をもつ
ていることのできる低級アルキル基によつてＮ一置換さ
れているのが好ましい）であるか、またはｎは１であり
、ＲＩは低級アルキル基〔これは場合によつては好まし
くは塩素原子のようなハロゲン原子によつて、または置
換基例えば水酸基、アシルオキシ基（そのアシル基は前
記の意味をもつ）および（または）塩素原子のようなハ
ロゲン原子をもつていることのできるフエニルオキシ基
によつて、または保護されていることのできるアミノ基
および（または）カルボキシル基によつて置換されてい
ることができる〕、例えば保護されている場合のあるア
ミノ基および（または）カルポキシル基〔例えば、シリ
ル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級アルキ
ルシリル化されたアミノ基またはアシルアミノ基例えば
低級アルカノイルアミノ基、・・ロゲノ低級アルカノイ
ルアミノ基またはプタロールアミノ基および（または）
シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級ア
ルキルシリル化されているかまたはエステル化例えば低
級アルキル基、２ハロゲノ低級アルキル基またはジフエ
ニルメチル基のようなフエニル低級アルキル基でエステ
ル化されたカルボキシル基〕をもつ４−アミノ−４−カ
ルボキシ−ブチル基、低級アルケニル基、フエニル基〔
これは場合によつては置換基例えば上記のようにアシル
化されていることのできる水酸基および（または）塩素
原子のようなハロゲン原子によつて、さらに保護例えば
上記のようにアシル化されていることのできるアミルメ
チル基のようなアミノ低級アルキル基によつて、または
例えば上記のようにアシル化されていることのできる水
酸基および（または）塩素原子のようなハロゲン原子を
もつていることのできるフエニルオキシ基によつて置換
されていることができる〕、置換基例えばメチル基のよ
うな低級アルキル基によつｆまたは保護（例えば、上記
のようにアシル化）されていることのできるアミノ基ま
たはアミノメチル基によつて置換されていることのでき
るピリジル基例えば４−ピリジル基、ピリジニウム基例
えば４−ピリジニウム基、チエニル基例えば２チエニル
基、フリル基例えば２−フリル基、イミダゾリル基例え
ば１−イミダゾリル基またはテトラゾリル基例えば１−
テトラゾリル基、置換されている場合のある低級アルコ
キシ基例えばメトキシ基、フエニルオキシ基〔これは置
換基、例えば保護例えば上記のようにアシル化されてい
ることのできる水酸基および（または）塩素原子のよう
なハロゲン原子によつて置換されていることができる〕
、低級アルキルチオ基例えばｎニブチルチオ基または低
級アルケニルチオ基例えばアリルチオ基、置換基例えば
メチル基のような低級アルキル基で置換されていること
のできるフエニルチオ基、４−ピリジルチオ基のような
ピニジルチオ基、２−イミダゾリルチオ基、１，２，４
−トリアゾール３−イルチオ基、１，３，４−トリアゾ
ール−２イルチオ基、１，２，４−チアジアゾール一３
−イルチオ基例えば５−メチル−１，２，４−チアジア
ゾール一３−イルチオ基、１，３，４−チアジアゾール
２−イルチオ基例えば５−メチル−１，３，４−チアジ
アゾール一２−イルチオ基または５−テトラゾリルチオ
基例えば１−メチル−５−テトラゾリルチオ基、ハロゲ
ン原子特に塩素または臭素原子、官能的に変えられてい
る場合のあるカルボキシル基例えばメトキシカルボニル
基やエトキシカルボニル基のような低級アルコ、キシカ
ルボニル基、シアノ基またはＮ一置換例えばメチル基の
ような低級アルキル基またはフエニル基でＮ一置換され
ている場合のあるカルバモイル基、置換されている場合
のある低級アルカノイル基例えばアセチル基またはプロ
ピオニル基、ペソゾイル基またはアチド基でありそして
ＲとＲとは水素原子であるか、あるいはｎは１であり、
ＲＩは低級アルキル基または場合によつては例えば上記
のようにアシル化されていることのできる水素基および
（または）塩素原子のようなハロゲン原子で置換されて
いることのできるフエニル基、２−フリル基のようなフ
リル基、２−または３−チエニル基のようなチエニル基
または４−イソチアゾリル基のようなイソチアゾリル基
、さらにまた１，４−シクロヘキサジエニル基であり、
Ｒは保護または置換されている場合のあるアミノ基例え
ばアミノ基、アシルアミノ基例えば低級アルコキシカル
ボニルアミノ基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニ
ルアミノ基または置換基例えばメトキシ基のような低級
アルコキシ基またはニトロ基をもつていることのできる
フエニル低級アルコキシカルボニルアミノ基、例えばｔ
−ブトキシカルボニルアミノ基、２，２，２トリクロル
エトキシカルボニルアミノ基、４メトキシベンジルオキ
シカルボニルアミノ基またはジフエニルメチルオキシカ
ルボニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば
４−メチルフエニルスルホニルアミノ基、トリチルアミ
ノ基、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフエニル
チオアミノ基のようなニトロフエニルチオアミノ基また
はトリチルチオアミノ基、または置換基例えばエトキシ
カルボニル基のような低級アルコキシカルボニル基やア
セチル基のような低級アルカノイル基をもつていること
のできる２−プロピリデンアミノ基例えば２−エトキシ
カルボニル−２プロピリデンアミノ基、またはグアニジ
ノカルボニルアミノ基のような置換されている場合のあ
るカルバモイルアミノ基、またはアルカリ金属塩のよう
な塩の形であることのできるスルホアミノ基、アチド基
、アルカリ金属塩のような塩の形またはエステル化され
た形のような保護された形にあることのできるカルボキ
シル基（例えば、メトキシカルボニル基やエトキシカル
ボニル基のような低級アルコキシカルボニル基としてま
たはジフエニルメトキシカルボニル基のようなフエニル
オキシカルボニル基としてあることができる）、シアノ
基、スルホ基、官能的に変えられていることのできる水
酸基〔官能的に変えられた水酸基は殊にホルミルオキシ
基のようなアシルオキシ基ならびに低級アルコキシカル
ボニルオキシ基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニ
ルオキシ基または置換基（例えば、メトキシ基のような
低級アルコキシ基またはニトロ基）をもつている場合の
あるフエニル低級アルコキシカルボニルオキシ基、例え
ばｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、２，２，２トリク
ロルエトキシカルボニルオキシ基、４−メトキシベンジ
ルオキシカルボニルオキシ基またはジフエニルメトキシ
カルボニルオキシ基、または置換されている場合のある
低級アルコキシ基例えばメトキシ基またはフエニルオキ
シ基である〕、０一低級アルキル一または０，０′−ジ
低級アルキルーホスホノ基例えばｏ−メチルホスホノ基
または。
，ｏ′−ジメチルホスホノ基、またはハロゲン原子例え
ば塩素または臭素原子でありそしてＲは水素原子である
か、またはｎは１であり、ＲＩとＲとはそれぞれハロゲ
ン原子例えば臭素原子または低級アルコキシカルボニル
基例えばメトキシカルボニル基でありそしてＲは水素原
子であるか、またはｎは１であり、ＲＩは場合によつて
は例えば上記のようにアシル化されていることのできる
水酸基および（または）塩素原子のようなハロゲン原子
によつて置換されていることのできるフエニル基、２−
フリル基のようなフリル基、２−または３ーチエニル基
のようなチエニル基または４−イソチアゾリル基のよう
なイソチアゾリル基、さらにまた１，４−シクロヘキサ
ジエニル基であり、Ｒは場合によつては例えば上記のよ
うに保護されたアミノメチル基でありそしてＲは水素原
子であるか、またはｎは１でありそしてＲＩとＲとＲと
がいずれも低級アルキル基例えばメチル基である。
ば塩素または臭素原子でありそしてＲは水素原子である
か、またはｎは１であり、ＲＩとＲとはそれぞれハロゲ
ン原子例えば臭素原子または低級アルコキシカルボニル
基例えばメトキシカルボニル基でありそしてＲは水素原
子であるか、またはｎは１であり、ＲＩは場合によつて
は例えば上記のようにアシル化されていることのできる
水酸基および（または）塩素原子のようなハロゲン原子
によつて置換されていることのできるフエニル基、２−
フリル基のようなフリル基、２−または３ーチエニル基
のようなチエニル基または４−イソチアゾリル基のよう
なイソチアゾリル基、さらにまた１，４−シクロヘキサ
ジエニル基であり、Ｒは場合によつては例えば上記のよ
うに保護されたアミノメチル基でありそしてＲは水素原
子であるか、またはｎは１でありそしてＲＩとＲとＲと
がいずれも低級アルキル基例えばメチル基である。
このようなアシル基Ａｃは例えばホルミル基、シクロペ
ンチルカルボニル基、α−アミノシクロペソチルカルボ
ニル基またはα−アミノシクロヘキシルカルボニル基〔
これは置換されている場合のあるアミノ基、例えば塩の
形であることのできるスルホアミノ基、または例えばト
リフルオル酢酸のような酸性剤でまたは例えば含水酢酸
の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触され
た水素で還元的に処理するかまたは加水分解によつて好
ましくは容易に分裂することのできるアシル基またはこ
のようなアシル基に変えることのできるアシル基で置換
されたアミノ基（好ましくは炭酸半エステルの適当なア
シル基例えばｔ−プトキシカルボニル基のような低級ア
ルコキシカルボニリ基、２，２，２−トリクロルエトキ
シカルボニル基、２−ブロムエトキシカルボニル基また
は２−ヨドエトキシカルボニル基のような２−ハロゲノ
低級アルコキシカルボニル基、フエナシルオキシカルボ
ニル基のようなアリールカルボニルメトキシカルボニル
基、置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基
またはニトロ基をもつていることのできるフエニル低級
アルコキシカルボニル基例えば４−メトキシベンジルオ
キシカルボニル基またはジフエニルメトキシカルボニル
基、または炭酸半アミドの適当なアシル基例えばカルバ
モイル基またはＮ一置換されたカルバモイル基例えばＮ
−メチルカルバモトル基のようなＮ一低級アルキルカル
バモイル基によつて、さらにまた２−ニトロフエニルチ
オ基のようなアリールチオ基、４ーメチルフエニルスル
ホニル基のようなアリールスルホニル基または１−エト
キシカルボニル−２−プロピリデン基のような１一低級
アルコキシカルボニル−２−プロピリデン基によつて置
換されたアミノ基）をもつている〕、２，６−ジメトキ
シベンゾイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフト
ール基、２−メトキシ−１−ナフトール基、２−エトキ
シ−１−ナフトール基、ベンジルオキシカルボニル基、
ヘキサヒドロベンジルオキシカルボニル基、５−メチル
−３−フエニル一４−イソオキサゾリル−カルボニル基
、３−（２−クロルフェニル）−５−メチル−４−イソ
オキサゾリルカルボニル基、３−（２，６−ジクロルフ
エニノり−５−メチル−４−イソオキサゾリルカルボニ
ル基、２−クロルエチルアミノカルボニル基、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ヘキ
サノイル基、オクタノイル基、アクリリル基、クロトノ
イル基、３−ブテノイル基、２−ペンチノール基、メト
キシアセチル基、メチルチオアセチル基、ブチルチオア
セチル基、アリルチオアセチル基、クロルアセメル基、
ブロムアセチル基、ジブロムアセチル基３−クロルプロ
ピオニル基３−ブロムプロピオニル基、アミノアセチル
基または５−アミノ−５−カルボキシーバレリル基〔こ
れらは例えば上記のように例えば１〜２個のアシル基例
えばアセチル基やジクロルアセチル基のようなハロゲン
化されている場合のある低級アルカノイル基またはプタ
ロール基によつて置換されていることのできるアミノ基
および（または）官能的に例えばナトリウム塩のような
塩の形またはエステル例えばメチルエステルやエチルエ
ステルのような低級アルキルエステルまたはジフエニル
メチルエステルのようなアリール低級アルキルエステル
の形に変えられていることのできるカルボキシル基をも
つている〕、アチドアセチル基、カルボキシアセチル基
、メトキシカルボニルアセチル基、エトキシカルボニル
アセチル基、ビス−メトキシカルボニルアセチル基、Ｎ
−フエニルカルバモイルアセチル基、シアノアセチル基
、α−シアノプロピオニル基、２−シアノ−３，３−ジ
メチルアクリリル基、フエニルアセチル基、α−プロム
フエニルアセチル基、α−アチドフエニルアセチル基、
３−クロルフエニルアセチル基、２−または４−アミノ
メチルフエニルアセチル基（これは例えば前記のように
置換されている場合のあるアミノ基をもつ）、フエナシ
ルカルボニル基、フエニルオキシアセチル基、４−トリ
フルオルメチルフエニルオキシアセチル基、ベンジルオ
キシアセチル基、フエニルチオアセチル基、プロムフエ
ニルチオアセチル基、２−フエニルオキシプロピオニル
基、α−フエニルオキシフエニルアセチル基、α−メト
キシフエニルアセチル基、α一エトキシフエニルアセチ
ル基、α−メトキシ−３，４ジクロルフエニルアセチル
基、α−シアノフエニルアセチル基、殊にフエニルグリ
シル基、４−ヒドロキシフエニルグリシル基、３−クロ
ル−４ーヒドロキシフエニルグリシル基、３，５−ジク
ロル４−ヒドロキシフエニルグリシル基、α−アミノ−
α−（１，４〜シクロヘキサジエニル）−アセチル基、
α−アミノメチル−α−フエニルアセチル基またはα−
ヒドロキシフエニルアセチル基〔これらの基において、
存在するアミノ基は例えば上記のように置換されている
こともできるものとしそして（または）存在する脂肪族
水酸基および（または）フエノール性水酸基はアミノ基
と同様に例えば適当なアシル基殊にホルミル基または炭
酸半エステルのアシル基で保護されていることもできる
〕、またはα−０−メチルーホスホノーフエニルアセチ
ル基またはα−０，０′−ジメチルーホスホノーフエニ
ルアセチル基、さらにベンジルチオアセチル基、ベンジ
ルチオプロピオニル基、α−カルボキシフエニルアセチ
ル基（これは場合によつては例えば上記のように官能的
に変えられたカルボキシル基をもつことができる）、３
−フエニルプロピオニル基、３−（３−シアノフエニル
）−プロピオニル基、４−（３−メトキシフエニルーブ
チリル基、２−ピリジルアセチル基、４−アミノピリジ
ニウムアセチル基（これは場合によつては例えば前記の
ように置換されたアミノ基をもつことができる）、２−
チエニルアセチル基、３ーチエニルアセチル基、２−テ
トラヒドロチエニルアセチル基、２−フリルアセチル基
、１−イミタヅリルアセチル基、１−テトラゾリルアセ
チル基、α一カルボキシ一２−チエニルアセチル基また
はα一カルボキシ一３−チエニルアセチル基（これらは
場合にとつては例えば上記のように官能的に変えられた
カルボキシル基をもつことができる）、α−シアノ−２
−チエニルアセチル基、αアミノ一α一（２−チエニノ
り−アセチル基、α−アミノ−α−（２−フリル）−ア
セチル基またはα−アミノ−α一（４−イソチアゾリル
）−アセチル基（これらは場合によつては例えば上記の
ように置換されたアミノ基をもつことができる）α−ス
ルホフエニルアセチル基（そのスルホ基は場合によつて
は例えば前記カルボキシル基のように官能的に変えられ
たスルホ基であることができる）、５−メチル−１，２
，４−チアジアゾール一３−イソチオアセチル基、５−
メチル−１，３，４−チアジアゾール一２−イルチオア
セチル基または１メチル−５−テトラゾリルチオアセチ
ル基である。
ンチルカルボニル基、α−アミノシクロペソチルカルボ
ニル基またはα−アミノシクロヘキシルカルボニル基〔
これは置換されている場合のあるアミノ基、例えば塩の
形であることのできるスルホアミノ基、または例えばト
リフルオル酢酸のような酸性剤でまたは例えば含水酢酸
の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触され
た水素で還元的に処理するかまたは加水分解によつて好
ましくは容易に分裂することのできるアシル基またはこ
のようなアシル基に変えることのできるアシル基で置換
されたアミノ基（好ましくは炭酸半エステルの適当なア
シル基例えばｔ−プトキシカルボニル基のような低級ア
ルコキシカルボニリ基、２，２，２−トリクロルエトキ
シカルボニル基、２−ブロムエトキシカルボニル基また
は２−ヨドエトキシカルボニル基のような２−ハロゲノ
低級アルコキシカルボニル基、フエナシルオキシカルボ
ニル基のようなアリールカルボニルメトキシカルボニル
基、置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基
またはニトロ基をもつていることのできるフエニル低級
アルコキシカルボニル基例えば４−メトキシベンジルオ
キシカルボニル基またはジフエニルメトキシカルボニル
基、または炭酸半アミドの適当なアシル基例えばカルバ
モイル基またはＮ一置換されたカルバモイル基例えばＮ
−メチルカルバモトル基のようなＮ一低級アルキルカル
バモイル基によつて、さらにまた２−ニトロフエニルチ
オ基のようなアリールチオ基、４ーメチルフエニルスル
ホニル基のようなアリールスルホニル基または１−エト
キシカルボニル−２−プロピリデン基のような１一低級
アルコキシカルボニル−２−プロピリデン基によつて置
換されたアミノ基）をもつている〕、２，６−ジメトキ
シベンゾイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフト
ール基、２−メトキシ−１−ナフトール基、２−エトキ
シ−１−ナフトール基、ベンジルオキシカルボニル基、
ヘキサヒドロベンジルオキシカルボニル基、５−メチル
−３−フエニル一４−イソオキサゾリル−カルボニル基
、３−（２−クロルフェニル）−５−メチル−４−イソ
オキサゾリルカルボニル基、３−（２，６−ジクロルフ
エニノり−５−メチル−４−イソオキサゾリルカルボニ
ル基、２−クロルエチルアミノカルボニル基、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ヘキ
サノイル基、オクタノイル基、アクリリル基、クロトノ
イル基、３−ブテノイル基、２−ペンチノール基、メト
キシアセチル基、メチルチオアセチル基、ブチルチオア
セチル基、アリルチオアセチル基、クロルアセメル基、
ブロムアセチル基、ジブロムアセチル基３−クロルプロ
ピオニル基３−ブロムプロピオニル基、アミノアセチル
基または５−アミノ−５−カルボキシーバレリル基〔こ
れらは例えば上記のように例えば１〜２個のアシル基例
えばアセチル基やジクロルアセチル基のようなハロゲン
化されている場合のある低級アルカノイル基またはプタ
ロール基によつて置換されていることのできるアミノ基
および（または）官能的に例えばナトリウム塩のような
塩の形またはエステル例えばメチルエステルやエチルエ
ステルのような低級アルキルエステルまたはジフエニル
メチルエステルのようなアリール低級アルキルエステル
の形に変えられていることのできるカルボキシル基をも
つている〕、アチドアセチル基、カルボキシアセチル基
、メトキシカルボニルアセチル基、エトキシカルボニル
アセチル基、ビス−メトキシカルボニルアセチル基、Ｎ
−フエニルカルバモイルアセチル基、シアノアセチル基
、α−シアノプロピオニル基、２−シアノ−３，３−ジ
メチルアクリリル基、フエニルアセチル基、α−プロム
フエニルアセチル基、α−アチドフエニルアセチル基、
３−クロルフエニルアセチル基、２−または４−アミノ
メチルフエニルアセチル基（これは例えば前記のように
置換されている場合のあるアミノ基をもつ）、フエナシ
ルカルボニル基、フエニルオキシアセチル基、４−トリ
フルオルメチルフエニルオキシアセチル基、ベンジルオ
キシアセチル基、フエニルチオアセチル基、プロムフエ
ニルチオアセチル基、２−フエニルオキシプロピオニル
基、α−フエニルオキシフエニルアセチル基、α−メト
キシフエニルアセチル基、α一エトキシフエニルアセチ
ル基、α−メトキシ−３，４ジクロルフエニルアセチル
基、α−シアノフエニルアセチル基、殊にフエニルグリ
シル基、４−ヒドロキシフエニルグリシル基、３−クロ
ル−４ーヒドロキシフエニルグリシル基、３，５−ジク
ロル４−ヒドロキシフエニルグリシル基、α−アミノ−
α−（１，４〜シクロヘキサジエニル）−アセチル基、
α−アミノメチル−α−フエニルアセチル基またはα−
ヒドロキシフエニルアセチル基〔これらの基において、
存在するアミノ基は例えば上記のように置換されている
こともできるものとしそして（または）存在する脂肪族
水酸基および（または）フエノール性水酸基はアミノ基
と同様に例えば適当なアシル基殊にホルミル基または炭
酸半エステルのアシル基で保護されていることもできる
〕、またはα−０−メチルーホスホノーフエニルアセチ
ル基またはα−０，０′−ジメチルーホスホノーフエニ
ルアセチル基、さらにベンジルチオアセチル基、ベンジ
ルチオプロピオニル基、α−カルボキシフエニルアセチ
ル基（これは場合によつては例えば上記のように官能的
に変えられたカルボキシル基をもつことができる）、３
−フエニルプロピオニル基、３−（３−シアノフエニル
）−プロピオニル基、４−（３−メトキシフエニルーブ
チリル基、２−ピリジルアセチル基、４−アミノピリジ
ニウムアセチル基（これは場合によつては例えば前記の
ように置換されたアミノ基をもつことができる）、２−
チエニルアセチル基、３ーチエニルアセチル基、２−テ
トラヒドロチエニルアセチル基、２−フリルアセチル基
、１−イミタヅリルアセチル基、１−テトラゾリルアセ
チル基、α一カルボキシ一２−チエニルアセチル基また
はα一カルボキシ一３−チエニルアセチル基（これらは
場合にとつては例えば上記のように官能的に変えられた
カルボキシル基をもつことができる）、α−シアノ−２
−チエニルアセチル基、αアミノ一α一（２−チエニノ
り−アセチル基、α−アミノ−α−（２−フリル）−ア
セチル基またはα−アミノ−α一（４−イソチアゾリル
）−アセチル基（これらは場合によつては例えば上記の
ように置換されたアミノ基をもつことができる）α−ス
ルホフエニルアセチル基（そのスルホ基は場合によつて
は例えば前記カルボキシル基のように官能的に変えられ
たスルホ基であることができる）、５−メチル−１，２
，４−チアジアゾール一３−イソチオアセチル基、５−
メチル−１，３，４−チアジアゾール一２−イルチオア
セチル基または１メチル−５−テトラゾリルチオアセチ
ル基である。
容易に分裂できる特に炭酸半エステルのアシル基ｋはと
りわけ還元例えば化学的還元剤で処理することによりま
たは酸処理例えばトリフルオル酢酸で処理することによ
り分裂することのできる炭酸半エステルのアシル基、例
えばその酸素原子に対するα一位置の炭素原子において
高度に分枝しているそして（または）芳香族的に置換さ
れている低級アルコキシカルボニル基、またはアリール
カルボニル基殊にベンゾイル基で置換されたメトキシカ
ルボニル基、またはβ一位置でハロゲン置換された低級
アルコキシカルボニル基、例えばｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｔ−ペントキシカルボニル基、フエナシルオキシ
カルボニル基、２，２，２−トリクロルエトキシカルボ
ニル基または２−ヨードエトキシカルボニル基あるいは
２−ヨードエトキシカルボニル基に変えることのできる
２−クロルエトキシカルボニル基または２−ブロムエト
キシカルボニル基のような基および好ましくは多環式の
シクロアルコキシカルボニル基例えばアダマンチルオキ
シカルボニル基、置換されている場合のあるフエニル一
低級アルコキシカルボニル基とりわけα−フエニル一低
級アルコキシカルボニル基（そのα一位置は数個の置換
基をもつているのが好ましい）、例えばジフエニルメト
キシカルボニル基またはα−４−ビフエニリル一α−メ
チルエトキシカルボニル基、またはフリル一低級アルコ
キシカルボニル基とりわけα−フリル−低級アルコキシ
カルボニル基例えばフルフリルオキシカルボニル基であ
る。
りわけ還元例えば化学的還元剤で処理することによりま
たは酸処理例えばトリフルオル酢酸で処理することによ
り分裂することのできる炭酸半エステルのアシル基、例
えばその酸素原子に対するα一位置の炭素原子において
高度に分枝しているそして（または）芳香族的に置換さ
れている低級アルコキシカルボニル基、またはアリール
カルボニル基殊にベンゾイル基で置換されたメトキシカ
ルボニル基、またはβ一位置でハロゲン置換された低級
アルコキシカルボニル基、例えばｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｔ−ペントキシカルボニル基、フエナシルオキシ
カルボニル基、２，２，２−トリクロルエトキシカルボ
ニル基または２−ヨードエトキシカルボニル基あるいは
２−ヨードエトキシカルボニル基に変えることのできる
２−クロルエトキシカルボニル基または２−ブロムエト
キシカルボニル基のような基および好ましくは多環式の
シクロアルコキシカルボニル基例えばアダマンチルオキ
シカルボニル基、置換されている場合のあるフエニル一
低級アルコキシカルボニル基とりわけα−フエニル一低
級アルコキシカルボニル基（そのα一位置は数個の置換
基をもつているのが好ましい）、例えばジフエニルメト
キシカルボニル基またはα−４−ビフエニリル一α−メ
チルエトキシカルボニル基、またはフリル一低級アルコ
キシカルボニル基とりわけα−フリル−低級アルコキシ
カルボニル基例えばフルフリルオキシカルボニル基であ
る。
基．Ｒ仝とＲＸ）とで形成されている２価のアシル基は
例えば低級アルカンジカルボン酸または低級アルケンジ
カルボン酸のアシル基、例えばサクシニル基、またはプ
タロール基のようなｏ−アリーレンジカルボン酸のアシ
ル基である。
例えば低級アルカンジカルボン酸または低級アルケンジ
カルボン酸のアシル基、例えばサクシニル基、またはプ
タロール基のようなｏ−アリーレンジカルボン酸のアシ
ル基である。
また、基Ｒ仝とＲヤとで形成されている他の２価の基は
例えば、特に２一位置に置換基例えば置換されている場
合のあるフエニル基またはチエニル基をもちそして場合
によつては４一位置でメチル基のような低級アルキル基
でモノ置換またはジ置換されていることのできる１−オ
キソ一３−アザ−１，４−ブチレン基、例えば４，４−
ジメチル−２フエニル一１−オキソ一３−アザ−１４−
ブチレラレン基である。
例えば、特に２一位置に置換基例えば置換されている場
合のあるフエニル基またはチエニル基をもちそして場合
によつては４一位置でメチル基のような低級アルキル基
でモノ置換またはジ置換されていることのできる１−オ
キソ一３−アザ−１，４−ブチレン基、例えば４，４−
ジメチル−２フエニル一１−オキソ一３−アザ−１４−
ブチレラレン基である。
エーテル化された水酸基Ｒ金は、式中のカルボニル基と
いつしよに、好ましくは容易に分裂できるかまたは他の
官能的に変えられたカルボキシル基（例えば、カルバモ
イル基またはヒドラジノカルボニル基）に容易に変える
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ている。
いつしよに、好ましくは容易に分裂できるかまたは他の
官能的に変えられたカルボキシル基（例えば、カルバモ
イル基またはヒドラジノカルボニル基）に容易に変える
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ている。
このような基Ｒ会は例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ
ープロポキシ基またはイソプロポギシ基のような低級ア
ルコシ基であつて、これらはカルボニル基といつしよに
エステル化されたカルボキシル基を形成しており、これ
らを殊に２−セフエム化合物においては容易に遊離カル
ボキシル基にまたは他の官能的に変えられたカルボキシ
ル基に変えることができる。基−ｃ（＝ｏ）−といつし
よに特に容易に分裂することのできるエステル化された
カルボキシル基を形成しているエーテル化された水酸基
Ｒ＋ｌ丸例えば、ハロゲン原子として原子量が１９以上
のものをもつている２−ハロゲノ一低級アルコキシ基で
ある。
ープロポキシ基またはイソプロポギシ基のような低級ア
ルコシ基であつて、これらはカルボニル基といつしよに
エステル化されたカルボキシル基を形成しており、これ
らを殊に２−セフエム化合物においては容易に遊離カル
ボキシル基にまたは他の官能的に変えられたカルボキシ
ル基に変えることができる。基−ｃ（＝ｏ）−といつし
よに特に容易に分裂することのできるエステル化された
カルボキシル基を形成しているエーテル化された水酸基
Ｒ＋ｌ丸例えば、ハロゲン原子として原子量が１９以上
のものをもつている２−ハロゲノ一低級アルコキシ基で
ある。
このような基は基−ｃ（−０）一といつしよに、中性ま
たは弱酸性条件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の存在
下で亜鉛で処理することにより容易に分裂することので
きるエステル化されたカルボキシル基またはこのような
基に容易に変えることのできるエステル化されたカルボ
キシル基を形成している。このような基は例えば２，２
，２トリクロルエトキシ基または２−ヨードエトキシ基
、あるいは２−ヨードエトキシ基に容易に変えることの
できる２−クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ
基である。さらに、同様に中性または弱酸性条件下で化
学的還元剤例えば含水酢酸の存在下で亜鉛で処理するこ
とによつてまたはナトリウムチオフェノラードのような
適当な親核反応剤で処理することによつて容易に分裂す
ることのできるエステル化されたカルボキシル基を基−
ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成しているエーテル化され
た水酸基ＲＩとしては、アリールカルボニルメトキシ基
（アリールは殊に置換されている場合のあるフエニル基
である）そして好ましくはフエナシルオキシ基である。
たは弱酸性条件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の存在
下で亜鉛で処理することにより容易に分裂することので
きるエステル化されたカルボキシル基またはこのような
基に容易に変えることのできるエステル化されたカルボ
キシル基を形成している。このような基は例えば２，２
，２トリクロルエトキシ基または２−ヨードエトキシ基
、あるいは２−ヨードエトキシ基に容易に変えることの
できる２−クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ
基である。さらに、同様に中性または弱酸性条件下で化
学的還元剤例えば含水酢酸の存在下で亜鉛で処理するこ
とによつてまたはナトリウムチオフェノラードのような
適当な親核反応剤で処理することによつて容易に分裂す
ることのできるエステル化されたカルボキシル基を基−
ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成しているエーテル化され
た水酸基ＲＩとしては、アリールカルボニルメトキシ基
（アリールは殊に置換されている場合のあるフエニル基
である）そして好ましくはフエナシルオキシ基である。
さらに、基Ｒ令は、そのアリール基が殊に単環式は好ま
しくは置換されている芳香族炭化水素基であらアリール
メトキシ基であることもできる。このような基は、中性
または酸性条件下で照射好ましくは紫外線照射によつて
容易に分裂することのできるエステル化されたカルボキ
シル基を基−ｃ（＝ｏ）一といつしよに形成している。
このようなアリールメトキシ基におけるアリール基は殊
に低級アルコキシフエニル基例えばメトキシフエニル基
〔そのメトキシ基は主として３−、４−および（または
）５一位置にあるものとする〕および（または）とりわ
けニトロフエニル基（そのニトロ基は好ましくは２一位
置にあるものとする）である。このような基は特に低級
アルコキシ一、例えばメトキシ一および（または）ニト
ロ−ベンジルオキシ基、主として３−または４−メトキ
シベンジルオキシ基、３，５−ジメトキシベンジルカキ
シ基、２−ニトロベンジルオキシ基または４，５−ジメ
トキシ−２−ニトロベンジルオキシ基である。
しくは置換されている芳香族炭化水素基であらアリール
メトキシ基であることもできる。このような基は、中性
または酸性条件下で照射好ましくは紫外線照射によつて
容易に分裂することのできるエステル化されたカルボキ
シル基を基−ｃ（＝ｏ）一といつしよに形成している。
このようなアリールメトキシ基におけるアリール基は殊
に低級アルコキシフエニル基例えばメトキシフエニル基
〔そのメトキシ基は主として３−、４−および（または
）５一位置にあるものとする〕および（または）とりわ
けニトロフエニル基（そのニトロ基は好ましくは２一位
置にあるものとする）である。このような基は特に低級
アルコキシ一、例えばメトキシ一および（または）ニト
ロ−ベンジルオキシ基、主として３−または４−メトキ
シベンジルオキシ基、３，５−ジメトキシベンジルカキ
シ基、２−ニトロベンジルオキシ基または４，５−ジメ
トキシ−２−ニトロベンジルオキシ基である。
さらに、エーテル化された水酸基Ｒ如人酸性条件下で例
えばトリフルオル酢酸またはぎ酸で処理することにより
容易に分裂できるエステル化されたカルボキシル基を基
−ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成している基であること
もできる。このような基は主として、そのメチル基が置
換されている場合のある炭化水素基殊に脂肪族または芳
香族炭化水素基例えばメチル基のような低級アルキル基
および（または）フエニル基によつてポリ置換されてい
るかまたは電子供与性置換基をもつ炭素環式アリール基
によつてまたは環構成員として酸素またはいおう原子を
もつ芳香族性の複素環式基によつてモノ置換されている
メトキシ基であるかまたはそのメチル基が多環式脂肪族
炭化水素基における環構成員またはオキサ脂環式または
チア脂環式基における酸素またはイオウ原子に対するα
一位置を占める環構成員を成しているようなメトキシ基
である。この種類のポリ置換されたメトキシ基のうちで
好ましいものはｔ一低級アルコキシ基例えばｔブチルオ
キシ基またはｔ−ペンチルオキシ基、置換されている場
合のあるジフエニルメトキシ基、例えばジフエニルメト
キシ基または４，４′−ジメトキシーヅフエニルメトキ
シ基、さらに２−（４ビフエニリル）−２−プロピルオ
キシ基であり、上記の置換されたアリール基または複素
環式基をもつメトキシ基は例えば４−メトキシベンジル
オキシ基や３，４−ジメトキシベンジルオキシ基のよう
なα−低級アルコキシフエニル一低級アルコキシ基また
は２−フルフリルオキシ基のようなフルフリルオキシ基
である。
えばトリフルオル酢酸またはぎ酸で処理することにより
容易に分裂できるエステル化されたカルボキシル基を基
−ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成している基であること
もできる。このような基は主として、そのメチル基が置
換されている場合のある炭化水素基殊に脂肪族または芳
香族炭化水素基例えばメチル基のような低級アルキル基
および（または）フエニル基によつてポリ置換されてい
るかまたは電子供与性置換基をもつ炭素環式アリール基
によつてまたは環構成員として酸素またはいおう原子を
もつ芳香族性の複素環式基によつてモノ置換されている
メトキシ基であるかまたはそのメチル基が多環式脂肪族
炭化水素基における環構成員またはオキサ脂環式または
チア脂環式基における酸素またはイオウ原子に対するα
一位置を占める環構成員を成しているようなメトキシ基
である。この種類のポリ置換されたメトキシ基のうちで
好ましいものはｔ一低級アルコキシ基例えばｔブチルオ
キシ基またはｔ−ペンチルオキシ基、置換されている場
合のあるジフエニルメトキシ基、例えばジフエニルメト
キシ基または４，４′−ジメトキシーヅフエニルメトキ
シ基、さらに２−（４ビフエニリル）−２−プロピルオ
キシ基であり、上記の置換されたアリール基または複素
環式基をもつメトキシ基は例えば４−メトキシベンジル
オキシ基や３，４−ジメトキシベンジルオキシ基のよう
なα−低級アルコキシフエニル一低級アルコキシ基また
は２−フルフリルオキシ基のようなフルフリルオキシ基
である。
メトキシ基のメチル基を好ましくは３重に分枝した環構
成員としてもつている多環式脂肪族炭化水素基は例えば
１−アダマンチル基のようなアダマンチル基であり、そ
してメトキシ基のメチル基を酸素またはいおう原子に対
するα一位置の環構成員としてもつている上記のオキサ
一またはチア一脂環式基は例えば環原子５〜７個をもつ
２−オキサ−または２−チア一低級アルキレン基または
一低級アルケニレン基、例えば２−テトラヒドロフリル
基、２−テトラヒドロピラニル基または２，３−ジヒト
ロー２−ピラニル基または相当するいおう化合物の基で
ある。さらに、基Ｒ金は加水分解によつて例えば弱塩基
性または弱酸性条件下で分裂することのできるエステル
化されたカルボキシル基を基−ｃ（一。
成員としてもつている多環式脂肪族炭化水素基は例えば
１−アダマンチル基のようなアダマンチル基であり、そ
してメトキシ基のメチル基を酸素またはいおう原子に対
するα一位置の環構成員としてもつている上記のオキサ
一またはチア一脂環式基は例えば環原子５〜７個をもつ
２−オキサ−または２−チア一低級アルキレン基または
一低級アルケニレン基、例えば２−テトラヒドロフリル
基、２−テトラヒドロピラニル基または２，３−ジヒト
ロー２−ピラニル基または相当するいおう化合物の基で
ある。さらに、基Ｒ金は加水分解によつて例えば弱塩基
性または弱酸性条件下で分裂することのできるエステル
化されたカルボキシル基を基−ｃ（一。
）一といつしよに形成しているエーテル化された水酸基
であることもできる。このような基は好ましくは活性化
されたエステル基を基−ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成
しているエーテル化された水酸基例えば４−ニトロフエ
ニルオキシ基や２，４−ジニトロフエニルオキシ基のよ
うなニトロフエニルオキシ基、４−ニトロベンジルオキ
シ基のようなニトロフエニル低級アルコキシ基、４−ヒ
ドロキシ３，５−ｔ−ブチル−ベンジルオキシ基のよう
なヒドロキシ一低級アルキル−ベンジルオキシ基、２，
４，６−トリクロルフエニルオキシ基や２，３，４，５
，６−ペンタクロルフエニルオキシ基のようなポリハロ
ゲノフエニルオキシ基、さらにシアノメトキシ基ならび
にアシルアミノメトキシ基例えばフタルイミノメトキシ
基またはサクシニルイミノメトキシ基である。また、基
Ｒ卜ま水素添加分解条件の下で分裂できるエステル化さ
れたカルボキシル基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに形成し
ているエーテル化された水酸基であることもでき、これ
は例えばペンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキ
シ基または４−ニトロベンジルオキシ基のような例えば
低級アルコキシ基やニトロ基で置換されていることので
きるα−フエニル低級アルコキシ基である。
であることもできる。このような基は好ましくは活性化
されたエステル基を基−ｃ（＝ｏ）−といつしよに形成
しているエーテル化された水酸基例えば４−ニトロフエ
ニルオキシ基や２，４−ジニトロフエニルオキシ基のよ
うなニトロフエニルオキシ基、４−ニトロベンジルオキ
シ基のようなニトロフエニル低級アルコキシ基、４−ヒ
ドロキシ３，５−ｔ−ブチル−ベンジルオキシ基のよう
なヒドロキシ一低級アルキル−ベンジルオキシ基、２，
４，６−トリクロルフエニルオキシ基や２，３，４，５
，６−ペンタクロルフエニルオキシ基のようなポリハロ
ゲノフエニルオキシ基、さらにシアノメトキシ基ならび
にアシルアミノメトキシ基例えばフタルイミノメトキシ
基またはサクシニルイミノメトキシ基である。また、基
Ｒ卜ま水素添加分解条件の下で分裂できるエステル化さ
れたカルボキシル基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに形成し
ているエーテル化された水酸基であることもでき、これ
は例えばペンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキ
シ基または４−ニトロベンジルオキシ基のような例えば
低級アルコキシ基やニトロ基で置換されていることので
きるα−フエニル低級アルコキシ基である。
また、基Ｒ会は生理学的条件の下で分裂することのでき
るエステル化されたカルボキシル基−Ｃ（−０）−とい
つしよに形成しているエーテル化された水酸基、主とし
てアシルオキシメトキシ基（そのアシル基は例えば有機
カルボン酸、主に置換されている場合のある低級アルカ
ンカルボン酸の基であるかまたはそのアシルオキシメチ
ル部分はラクトンの基を形成しているものとする）であ
ることもできる。
るエステル化されたカルボキシル基−Ｃ（−０）−とい
つしよに形成しているエーテル化された水酸基、主とし
てアシルオキシメトキシ基（そのアシル基は例えば有機
カルボン酸、主に置換されている場合のある低級アルカ
ンカルボン酸の基であるかまたはそのアシルオキシメチ
ル部分はラクトンの基を形成しているものとする）であ
ることもできる。
このようなエーテル化された水酸基は低級アルカノイル
オキシメトキシ基例えはアセチルオキシメトキシ基また
はピバロイルオキシメトキシ基、アミノ一低級アルカノ
イルオキシメトキシ基殊にα−アミノ−低級アルカノイ
ルオキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、
Ｌバリルオキシメトキシ基、Ｌ−ロイシルオキシメトキ
シ基、さらにフタリジルオキシ基である。シリルオキシ
基またはスタニルオキシ基としてのＲ′は置換基として
好ましくは置換されている場合のある脂肪族、脂環式、
芳香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば低級アルキル
基、ハロゲノ低級アルキル基、シクロアルキル基、フエ
ニル基またはフエニル低級アルキル基、または変えられ
ている場合のある官能性基例えば低級アルコキシ基のよ
うなエーテル化された水酸基または塩素原子のようなハ
ロゲン原子をもつており、主としてトリメチルシリルオ
キシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基、クロ
ル−メトキシ−メチルシリル基のようなハロゲノ一低級
アルコキシ低級アルキル−シリル基またはトリ−ｎ−ブ
チルスタニルオキシ基のようなトリ低級アルキルスタニ
ルオキシ基である。基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに好ま
しくは加水分解によつて分裂することのできる混合無水
物基を形成しているアシルオキシ基としてのＲ令は例え
ば前記有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル基を
もつており、例えば場合によつてはふつ素や塩素原子の
ようなハロゲン原子によつて好ましくはα一位置で置換
されていることのできる低級アルカノイルオキシ基例え
ばアセチルオキシ基、ピバリルオキシ基またはトリクロ
ルアセチルオキシ基あるいは低町ルコキシカルボニルオ
キシ基例えばメトキシカルボニルオキシ基またはエトキ
シカルボニルオキシ基である。
オキシメトキシ基例えはアセチルオキシメトキシ基また
はピバロイルオキシメトキシ基、アミノ一低級アルカノ
イルオキシメトキシ基殊にα−アミノ−低級アルカノイ
ルオキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、
Ｌバリルオキシメトキシ基、Ｌ−ロイシルオキシメトキ
シ基、さらにフタリジルオキシ基である。シリルオキシ
基またはスタニルオキシ基としてのＲ′は置換基として
好ましくは置換されている場合のある脂肪族、脂環式、
芳香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば低級アルキル
基、ハロゲノ低級アルキル基、シクロアルキル基、フエ
ニル基またはフエニル低級アルキル基、または変えられ
ている場合のある官能性基例えば低級アルコキシ基のよ
うなエーテル化された水酸基または塩素原子のようなハ
ロゲン原子をもつており、主としてトリメチルシリルオ
キシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基、クロ
ル−メトキシ−メチルシリル基のようなハロゲノ一低級
アルコキシ低級アルキル−シリル基またはトリ−ｎ−ブ
チルスタニルオキシ基のようなトリ低級アルキルスタニ
ルオキシ基である。基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに好ま
しくは加水分解によつて分裂することのできる混合無水
物基を形成しているアシルオキシ基としてのＲ令は例え
ば前記有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル基を
もつており、例えば場合によつてはふつ素や塩素原子の
ようなハロゲン原子によつて好ましくはα一位置で置換
されていることのできる低級アルカノイルオキシ基例え
ばアセチルオキシ基、ピバリルオキシ基またはトリクロ
ルアセチルオキシ基あるいは低町ルコキシカルボニルオ
キシ基例えばメトキシカルボニルオキシ基またはエトキ
シカルボニルオキシ基である。
さらに、置換されている場合のあるカルバモイル基また
はヒドラジノカルボニル基を基−Ｃ（０）−といつしよ
に形成している基としてのＲ合は例えばアミノ基、メチ
ルアミノ基やエチルアミノ基のような低級アルキルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基やジエチルアミノ基のようなジ
低級アルキルアミノ基、ピロリジノ基やピペリジノ基の
ような低級アルキレンアミノ基、モルホリノ基のような
オキサ低級アルキレンアミノ基、ヒドロキシアミノ基、
ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような２一低
級アルキルヒドラジノ基または２，２−ジメチルヒドラ
ジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ基で
ある。
はヒドラジノカルボニル基を基−Ｃ（０）−といつしよ
に形成している基としてのＲ合は例えばアミノ基、メチ
ルアミノ基やエチルアミノ基のような低級アルキルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基やジエチルアミノ基のようなジ
低級アルキルアミノ基、ピロリジノ基やピペリジノ基の
ような低級アルキレンアミノ基、モルホリノ基のような
オキサ低級アルキレンアミノ基、ヒドロキシアミノ基、
ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような２一低
級アルキルヒドラジノ基または２，２−ジメチルヒドラ
ジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ基で
ある。
アルキル基としてのＲ３は殊に炭素原子７個まで、好ま
しくは４個までをもつ低級アルキル基例えばメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基または第２ブチル基、そのｔ−アミ
ノ基と酸素原子との間に少くとも２個の炭素原子が介在
するｔ−アミノ−低級アルキル基例えば２−または３−
ジ低級アルキルアミノ一低級アルキル基例えば２−ジメ
チルアミノエチル基、２−ジエチルアミノエチル基また
は３−ジメチルアミノプロピル基、またはそのエーテル
化された水酸基殊に低級アルコキシ基と酸素原子との間
に少くとも２個の炭素原子が介在しているエーテル化さ
れたヒドロキシ一低級アルキル基例えば２−または３一
低級アルコキシ一低級アルキル基例えば２−メトキシエ
チル基または２−エトキシエチル基である。
しくは４個までをもつ低級アルキル基例えばメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基または第２ブチル基、そのｔ−アミ
ノ基と酸素原子との間に少くとも２個の炭素原子が介在
するｔ−アミノ−低級アルキル基例えば２−または３−
ジ低級アルキルアミノ一低級アルキル基例えば２−ジメ
チルアミノエチル基、２−ジエチルアミノエチル基また
は３−ジメチルアミノプロピル基、またはそのエーテル
化された水酸基殊に低級アルコキシ基と酸素原子との間
に少くとも２個の炭素原子が介在しているエーテル化さ
れたヒドロキシ一低級アルキル基例えば２−または３一
低級アルコキシ一低級アルキル基例えば２−メトキシエ
チル基または２−エトキシエチル基である。
アラルキル基としてのＲ３は主として置換されている場
合のあるフエニル低級アルキル基殊に置換されている場
合のあるフエニル基１〜３個をもつ１−フエニル低級ア
ルキル基例えばベンジル基またはジフエニルメチル基で
あつて、その置換基としては例えばエステル化またはエ
ーテル化された水酸基例えばふつ素塩素または臭素原子
のようなハロゲン原子またはメトキシ基のような低級ア
ルコキシ基が挙げられる。塩は、殊に酸性基例えばカル
ボキシル基、スルホ基またはホスホノ基をもつ式（１）
の化合物の塩であつて、主として金属塩またはアンモニ
ウム塩、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウムま
たはカルシウムの塩のようなアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の塩、ならびにアンモニアまたは適当な有機
アミンとのアンモニウム塩である。
合のあるフエニル低級アルキル基殊に置換されている場
合のあるフエニル基１〜３個をもつ１−フエニル低級ア
ルキル基例えばベンジル基またはジフエニルメチル基で
あつて、その置換基としては例えばエステル化またはエ
ーテル化された水酸基例えばふつ素塩素または臭素原子
のようなハロゲン原子またはメトキシ基のような低級ア
ルコキシ基が挙げられる。塩は、殊に酸性基例えばカル
ボキシル基、スルホ基またはホスホノ基をもつ式（１）
の化合物の塩であつて、主として金属塩またはアンモニ
ウム塩、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウムま
たはカルシウムの塩のようなアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の塩、ならびにアンモニアまたは適当な有機
アミンとのアンモニウム塩である。
塩の形成に使用できる有機アミンはとりわけ脂肪族、脂
環式、脂環一脂肪族および芳香脂肪族の第１、第２また
は第３モノアミン、ジアミンまたはポリアミンならびに
複素環式塩基であつて、このようなアミンはトリエチル
アミンのような低級アルキルアミン、２−ヒドロキシエ
チルアミン、ビス一（２−ヒドロキシエチル）−アミン
またはトリ（２−ヒドロキシエチル）−アミンのような
ヒドロキシ一低級アルキルアミン、４−アミノ安息香酸
−２−ジエチルアミノ−エチルエステルのようなカルボ
ン酸の塩基性脂肪族エステル、１−エチルピペリジンの
ような低級アルキレンアミン、ビシクロヘキシルアミン
のようなシクロアルキルアミンまたはＮ，Ｎ′−ジベン
ジルエチレンジアミンのようなベンジルアミンおよびま
たピリジン、コリシンまたはキノリンのようなピリジン
型の塩である。また、塩基性基をもつ式（１）の化合物
は酸付加塩例えば塩酸、硫酸またはりん酸のような無機
酸または適当な有機カルボン酸またはスルホン酸例えば
トリフルオル酢酸または４−メナルフエニルスルホン酸
との酸付加塩を形成することができる。酸性基と塩基性
基とを有する式（１）の化合物は分子内塩の形すなわち
ツビツターイオンの形であることもできる。本発明によ
る新化合物は薬理的に価値ある性質を示しまたはこのよ
うな性質をもつ化合物の製造用中間体として使用できる
。
環式、脂環一脂肪族および芳香脂肪族の第１、第２また
は第３モノアミン、ジアミンまたはポリアミンならびに
複素環式塩基であつて、このようなアミンはトリエチル
アミンのような低級アルキルアミン、２−ヒドロキシエ
チルアミン、ビス一（２−ヒドロキシエチル）−アミン
またはトリ（２−ヒドロキシエチル）−アミンのような
ヒドロキシ一低級アルキルアミン、４−アミノ安息香酸
−２−ジエチルアミノ−エチルエステルのようなカルボ
ン酸の塩基性脂肪族エステル、１−エチルピペリジンの
ような低級アルキレンアミン、ビシクロヘキシルアミン
のようなシクロアルキルアミンまたはＮ，Ｎ′−ジベン
ジルエチレンジアミンのようなベンジルアミンおよびま
たピリジン、コリシンまたはキノリンのようなピリジン
型の塩である。また、塩基性基をもつ式（１）の化合物
は酸付加塩例えば塩酸、硫酸またはりん酸のような無機
酸または適当な有機カルボン酸またはスルホン酸例えば
トリフルオル酢酸または４−メナルフエニルスルホン酸
との酸付加塩を形成することができる。酸性基と塩基性
基とを有する式（１）の化合物は分子内塩の形すなわち
ツビツターイオンの形であることもできる。本発明によ
る新化合物は薬理的に価値ある性質を示しまたはこのよ
うな性質をもつ化合物の製造用中間体として使用できる
。
式（１）において例えはＲ＋が６β−アミノーペナム一
３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸化合物の薬理活性なＮ−アシル誘導
体に存在するアシル基ＡｃでありそしてＲｂが水素原子
であるかまたはＲＡ（！：．Ｒｂとがその両方で２一位
置において好ましくは例えば芳香族基または複素環式基
によつてそして４一位置において好ましくは例えばメチ
ル基のような低級アルキル基２個によつて置換されてい
る１−オキソ一３−アザ１，４−ブチレン基を表わし、
Ｒ２が水酸基であるかまたは生理学的条件の下で容易に
分裂することのできるエステル化されたカルボキシル基
をカルボニル基といつしよに形成しているエーテル化さ
れた水酸基Ｒ令でありそしてＲ３が前に与えた意味をも
ちそしてアシル基としてのＲＡ中に存在する場合のある
官能性基例えばアミノ基、カルボキシル基、水酸基およ
び（または）スルホ基が通常遊離の形で存在するような
化合物または塩形成基をもつこのような化合物の塩は、
非経腸的および（または）経口的に投与する場合に、微
生物例えばグラム陽性菌例えばスタフイロコカス・オー
リウス（ＳｔａｐｈｙｌＯｃＯｃｃｕｓａｕｒｅｕｓ）
、ストレプトコカス・ピロゲネス（ＳｔｒｅｐｔＯｃＯ
ｃｃｕｓｐｙｒＯｇｅｎｅｓ）およびデイプロコカス・
プニユーモニエ（ＤｉｐｌＯ−ＣＯｃｃｕｓｐｎｅｕｍ
Ｏｎｉａｅ）（例えばマウスでは約０．００１〜０．０
２９／Ｋ９Ｓ．Ｃ．またはＰ．Ｏの投与量で）およびグ
ラム陰性菌例えばエシエリチア・コリ（Ｅｓｃｈｅｒｌ
ｅｈｉａｃＯｌｌ）、サルモネラ・チフイムリウム（Ｓ
ａｌｍＯｎｅｌｌａｔｙｐｈｉｍｕｒｉｕｍ）、シゲル
ラ・フレクスネリ（Ｓｈｉｇｅｌｌａｆｌｅｘｎｅｒｉ
）、クレブシルラ３プニユモニエ（ＫＩｅｂａｉｅｌｌ
ａｐｎｅｕｍＯｎｉａｅ）、エンテロバクタ一・クロア
カエ（ＥｎｔｅｒＯｂａｃｔｅｒｃＩＯａｃａｅ）、プ
ロテウス・ブルガリス（ＰｒＯｔｅｕ，ｖｕｌｇａｒｉ
ａ）、プロテウス・レツトゲリ（ＰｒＯｔｅｕｓｒｅｔ
ｔｇｅｒｉ）およびプロテウス・ミラビリス（ＰｒＯ−
ＴｅｕｓｍｉｒａｂｉＩｉｓ）（例えばマウスにおいて
約０．００１〜０，１５９／Ｋ９Ｓ．Ｃ．またはＰ．Ｏ
の投与量で）に対し、殊にペニシリン抵抗性細菌にも、
少い毒性で有効である。
３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸化合物の薬理活性なＮ−アシル誘導
体に存在するアシル基ＡｃでありそしてＲｂが水素原子
であるかまたはＲＡ（！：．Ｒｂとがその両方で２一位
置において好ましくは例えば芳香族基または複素環式基
によつてそして４一位置において好ましくは例えばメチ
ル基のような低級アルキル基２個によつて置換されてい
る１−オキソ一３−アザ１，４−ブチレン基を表わし、
Ｒ２が水酸基であるかまたは生理学的条件の下で容易に
分裂することのできるエステル化されたカルボキシル基
をカルボニル基といつしよに形成しているエーテル化さ
れた水酸基Ｒ令でありそしてＲ３が前に与えた意味をも
ちそしてアシル基としてのＲＡ中に存在する場合のある
官能性基例えばアミノ基、カルボキシル基、水酸基およ
び（または）スルホ基が通常遊離の形で存在するような
化合物または塩形成基をもつこのような化合物の塩は、
非経腸的および（または）経口的に投与する場合に、微
生物例えばグラム陽性菌例えばスタフイロコカス・オー
リウス（ＳｔａｐｈｙｌＯｃＯｃｃｕｓａｕｒｅｕｓ）
、ストレプトコカス・ピロゲネス（ＳｔｒｅｐｔＯｃＯ
ｃｃｕｓｐｙｒＯｇｅｎｅｓ）およびデイプロコカス・
プニユーモニエ（ＤｉｐｌＯ−ＣＯｃｃｕｓｐｎｅｕｍ
Ｏｎｉａｅ）（例えばマウスでは約０．００１〜０．０
２９／Ｋ９Ｓ．Ｃ．またはＰ．Ｏの投与量で）およびグ
ラム陰性菌例えばエシエリチア・コリ（Ｅｓｃｈｅｒｌ
ｅｈｉａｃＯｌｌ）、サルモネラ・チフイムリウム（Ｓ
ａｌｍＯｎｅｌｌａｔｙｐｈｉｍｕｒｉｕｍ）、シゲル
ラ・フレクスネリ（Ｓｈｉｇｅｌｌａｆｌｅｘｎｅｒｉ
）、クレブシルラ３プニユモニエ（ＫＩｅｂａｉｅｌｌ
ａｐｎｅｕｍＯｎｉａｅ）、エンテロバクタ一・クロア
カエ（ＥｎｔｅｒＯｂａｃｔｅｒｃＩＯａｃａｅ）、プ
ロテウス・ブルガリス（ＰｒＯｔｅｕ，ｖｕｌｇａｒｉ
ａ）、プロテウス・レツトゲリ（ＰｒＯｔｅｕｓｒｅｔ
ｔｇｅｒｉ）およびプロテウス・ミラビリス（ＰｒＯ−
ＴｅｕｓｍｉｒａｂｉＩｉｓ）（例えばマウスにおいて
約０．００１〜０，１５９／Ｋ９Ｓ．Ｃ．またはＰ．Ｏ
の投与量で）に対し、殊にペニシリン抵抗性細菌にも、
少い毒性で有効である。
故に、これら新化合物を例えば抗生活性な製剤の形で相
当する感染の処置に使うことができる。式（１）におい
てＲ仝が６β−アミノーペナム一３−カルボン酸化合物
または７β−アミノ−３−セフエム一４−カルボン酸化
合物の薬理活性なＮアシル誘導体に存在するアシル基と
は異るアミノ保護基でありそしてＲＩ）が水素原子であ
るかまたはＲＡとＲｂとがその両方で２一位置において
好ましくは例えば芳香族基または複素環式基によつてそ
して４一位置において好ましくは例えばメチル基のよう
な低級アルキル基２個によつて置換されている１−オキ
ソ一３−アザ−１，４−ブチレン基とは異る２価のアミ
ノ保護基でありそしてＲ２が水酸基であるか、またはＲ
＋とＲ腎とが前記の意味をもちそしてＲ２が好ましくは
容易に分裂できる保護されたカルボキシル基を基−Ｃ（
＝Ｏ）一といつしよに形成している基Ｒ令（その保護さ
れたカルボキシル基は生理学的に分裂できるカルボキシ
ル基ではないものとする）であり、そしてＲ３が前記の
意味をもつような化合物は、例えば下記のように簡傘に
キ記の薬理活性な化合物に変えることのできる価イ直あ
゛る中間体である。
当する感染の処置に使うことができる。式（１）におい
てＲ仝が６β−アミノーペナム一３−カルボン酸化合物
または７β−アミノ−３−セフエム一４−カルボン酸化
合物の薬理活性なＮアシル誘導体に存在するアシル基と
は異るアミノ保護基でありそしてＲＩ）が水素原子であ
るかまたはＲＡとＲｂとがその両方で２一位置において
好ましくは例えば芳香族基または複素環式基によつてそ
して４一位置において好ましくは例えばメチル基のよう
な低級アルキル基２個によつて置換されている１−オキ
ソ一３−アザ−１，４−ブチレン基とは異る２価のアミ
ノ保護基でありそしてＲ２が水酸基であるか、またはＲ
＋とＲ腎とが前記の意味をもちそしてＲ２が好ましくは
容易に分裂できる保護されたカルボキシル基を基−Ｃ（
＝Ｏ）一といつしよに形成している基Ｒ令（その保護さ
れたカルボキシル基は生理学的に分裂できるカルボキシ
ル基ではないものとする）であり、そしてＲ３が前記の
意味をもつような化合物は、例えば下記のように簡傘に
キ記の薬理活性な化合物に変えることのできる価イ直あ
゛る中間体である。
本発明は殊に式（１）におけるＲＡが６β−アミノペナ
ム一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セ
フエム一４−カルボン酸化合物の醗酵的に（すなわち、
天然産の）または生合成、半合成または全合成により製
造できる殊に薬理活性（例えば高度に活性）なＮ−アシ
ル誘導体中に存在するアシル基例えば前記式（４）のア
シル基の１つ（この式でＲＩとＲとＲとｎとは主として
前に好ましいとして挙げた意味をもつ）でありそしてＲ
ｂが水素原子であるかまたはＲＡ．ｌ５Ｒｂとが両方で
２一位置において好ましくは例えばフエニル基のような
芳香族または複素環式基によつてそして４一位置におい
て好ましくは例えばメチル基のような低級アルキル基２
個によつて置換されている１−オキソ一３−アザ−１，
４−ブチレン基であり、そしてＲ２は水酸基、低級アル
コキシ基〔これは場合によつては好ましくはα一位置に
おいて、例えば置換されている場合のあるアリールオキ
シ基例えば４−メトキシフエニルオキシ基のような低級
アルコキシフエニルオキシ基、アセチルオキシ基やピバ
ロイルオキシ基のような低級アルカノイルオキシ基、グ
リシルオキシ基、Ｌ−バリルオキシ基またはＬ−ロイシ
ルオキシ基のようなαアミノ低級アルカノイルオキシ基
、アリールカルボニル基例えばベンゾイル基、または置
換されている場合のあるアリール基例えばフエニル基、
４メトキシフエニル基のような低級アルコキシフエニル
基、４−ニトロフエニル基のようなニトロフエニル基ま
たは４−ビフエニリル基のようなビフエニリル基によつ
てまたはβ一位置においてハロゲン原子例えば塩素、臭
素またはよう素原子によつてモノ置換またはポリ置換さ
れていることができる。
ム一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セ
フエム一４−カルボン酸化合物の醗酵的に（すなわち、
天然産の）または生合成、半合成または全合成により製
造できる殊に薬理活性（例えば高度に活性）なＮ−アシ
ル誘導体中に存在するアシル基例えば前記式（４）のア
シル基の１つ（この式でＲＩとＲとＲとｎとは主として
前に好ましいとして挙げた意味をもつ）でありそしてＲ
ｂが水素原子であるかまたはＲＡ．ｌ５Ｒｂとが両方で
２一位置において好ましくは例えばフエニル基のような
芳香族または複素環式基によつてそして４一位置におい
て好ましくは例えばメチル基のような低級アルキル基２
個によつて置換されている１−オキソ一３−アザ−１，
４−ブチレン基であり、そしてＲ２は水酸基、低級アル
コキシ基〔これは場合によつては好ましくはα一位置に
おいて、例えば置換されている場合のあるアリールオキ
シ基例えば４−メトキシフエニルオキシ基のような低級
アルコキシフエニルオキシ基、アセチルオキシ基やピバ
ロイルオキシ基のような低級アルカノイルオキシ基、グ
リシルオキシ基、Ｌ−バリルオキシ基またはＬ−ロイシ
ルオキシ基のようなαアミノ低級アルカノイルオキシ基
、アリールカルボニル基例えばベンゾイル基、または置
換されている場合のあるアリール基例えばフエニル基、
４メトキシフエニル基のような低級アルコキシフエニル
基、４−ニトロフエニル基のようなニトロフエニル基ま
たは４−ビフエニリル基のようなビフエニリル基によつ
てまたはβ一位置においてハロゲン原子例えば塩素、臭
素またはよう素原子によつてモノ置換またはポリ置換さ
れていることができる。
例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基
、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔ−ブ
チルオキシ基またはｔ−ペンチルオキシ基のような低級
アルコキシ基、低級アルコキシ置換されていることので
きるビスーフエニルオキシーメトキシ基例えばビス−４
−メトキシフエニルオキシーメトキシ基、低級アルカノ
イルオキシ−メトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ
基またはピバロイルオキシメトキシ基、αアミノ低級ア
ルカノイルオキシ−メトキシ基例えばグリシルオキシメ
トキシ基、フエナシルオキシ基、置換されていることの
できるフエニル低級アルコキシ基殊にフエニルメトキシ
基のような１フエニル低級アルコキシ基（このような基
は例えば置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキ
シ基、ニトロ基またはフエニル基によつて置換されてい
る場合のあるフエニル基１〜３個をもつことができる）
、例えばベンジルオキシ基、４メトキシベンジルオキシ
基、２−ビフエニリル２−プロピルオキシ基、４−ニト
ロベンジルオキシ基、ジフエニルメトキシ基、４，４′
−ジメトキシージフエニルメトキシ基またはトリチルオ
キシ基、または２−ハロゲノ低級アルコキシ基例えば２
，２，２−トリクロルエトキシ基、２−クロルエトキシ
基、２−ブロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基
である〕、さらに２−フタリジルオキシ基ならびにアシ
ルオキシ基（例えば、メトキシカルボニルオキシ基やエ
トキシカルボニルオキシ基のような低級アルコキシカル
ボニルオキシ基またはアセチルオキシ基やピバロイルオ
キシ基のような低級アルカノイルオキシ基）、トリメチ
ルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキ
シ基、またはアミノ基またはヒドラジノ基（これらは場
合によつては例えばメチル基のような低級アルキル基ま
たは水酸基によつて置換されていることができる。
、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔ−ブ
チルオキシ基またはｔ−ペンチルオキシ基のような低級
アルコキシ基、低級アルコキシ置換されていることので
きるビスーフエニルオキシーメトキシ基例えばビス−４
−メトキシフエニルオキシーメトキシ基、低級アルカノ
イルオキシ−メトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ
基またはピバロイルオキシメトキシ基、αアミノ低級ア
ルカノイルオキシ−メトキシ基例えばグリシルオキシメ
トキシ基、フエナシルオキシ基、置換されていることの
できるフエニル低級アルコキシ基殊にフエニルメトキシ
基のような１フエニル低級アルコキシ基（このような基
は例えば置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキ
シ基、ニトロ基またはフエニル基によつて置換されてい
る場合のあるフエニル基１〜３個をもつことができる）
、例えばベンジルオキシ基、４メトキシベンジルオキシ
基、２−ビフエニリル２−プロピルオキシ基、４−ニト
ロベンジルオキシ基、ジフエニルメトキシ基、４，４′
−ジメトキシージフエニルメトキシ基またはトリチルオ
キシ基、または２−ハロゲノ低級アルコキシ基例えば２
，２，２−トリクロルエトキシ基、２−クロルエトキシ
基、２−ブロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基
である〕、さらに２−フタリジルオキシ基ならびにアシ
ルオキシ基（例えば、メトキシカルボニルオキシ基やエ
トキシカルボニルオキシ基のような低級アルコキシカル
ボニルオキシ基またはアセチルオキシ基やピバロイルオ
キシ基のような低級アルカノイルオキシ基）、トリメチ
ルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキ
シ基、またはアミノ基またはヒドラジノ基（これらは場
合によつては例えばメチル基のような低級アルキル基ま
たは水酸基によつて置換されていることができる。
例えば、アミノ基、メチルアミノ基のような低級アルキ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基のようなジ低級アルキル
アミノ基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のよ
うな２低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジメチルヒ
ドラジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ
基またはヒドロキシアミノ基である）であり、そしてＲ
３が低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、またはｎ−ブチル基、置換
されている場合のあるフエニル低級アルキル基殊に例え
ばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されてい
る場合のあるフエニル基１個または２個をもつ１−フエ
ニル低級アルキル基例えばベンジル基またはジフエニル
メチル基である３−セフエム一化合物または塩形成基を
もつこのような化合物の塩に関するものである。式（１
）の３−セフエム一化合物または塩形成基をもつこれら
化合物の塩においては、主として、ＲＡは６β−アミノ
ーペナム一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−
３−セフエム一４−カルボン酸化合物の醗酵（すなわち
、天然産）によるまたは生合成的に製造できるＮ−アシ
ル誘導体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この
式でＲＩｌＲ，Ｒおよびｎは主として先に好ましいと挙
げた意味をもつ）、例えば水酸基で置換されている場合
のあるフエニルアセチル基またはフエニルオキシアセチ
ル基、さらに場合によつては例えば低級アルキルチオ基
または低級アルケニルチオ基、置換例えばアシル化され
ている場合のあるアミノ基および（または）官能的に変
えられたカルボキシル基（例えば、エステル化されてい
ることのできるカルボキシル基）によつて置換されてい
ることのできる低級アルカノイル基または低級アルケノ
イル基、例えば４−ヒドロキシーフエニルアセチル基、
ヘキサノイル基、オクタノイル基またはｎ−ブチルチオ
アセチル基および殊に５−アミノ５−カルボキシーバレ
リル基〔そのアミノ基および（または）カルボキシル基
は場合によつては保護されており、例えばアシルアミノ
基またはエステル化されたカルボキシル基として存在す
ることができる〕、フエニルアセチル基またはフエニル
オキシアセチル基であるか、または６β−アミノーペナ
ム一３−カルボン酸化合物または７βーアミノ−３−セ
フエム一４−カルボン酸化合物の高活性Ｎ−アシル誘導
体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この式ＲＩ
，Ｒ，Ｒおよびｎは主に先に好ましいと挙げた意味をも
つ）、例えばホルミル基、２−クロルエチルカルバモイ
ル基のような２−ハロゲンエチルカルバモイル基、シア
ノアセチル基、フエニルアセチル基、２−チニニルアセ
チル基のようなチエニルアセチル基または１−テトラゾ
リルアセチル基のようなテトラゾリル基、しかし特にα
一位置において脂環式、芳香族または複素環式基のよう
な環式基主に単環式基によつておよび官能性基主にアミ
ノ基、カルボキシル基、スルホ基または水酸基によつて
置換されたアセチル基、殊にフエニルグリシル基〔この
基におけるフエニル基は場合によつては例えば保護され
ている場合のある水酸基例えばアシルオキシ基例えばハ
ロゲソ置換されていることのできる低級アルコキシカル
ボニルオキシ基または低級アルカノイルオキシ基によつ
ておよび（または）ハロゲン原子例えば塩素原子によつ
て置換されていることのできるフエニル基、例えばフエ
ニル基、３−または４−ヒドロキシ−、３−クロル−４
ーヒドロキシ−または３，５−ジタロル一４−ヒドロキ
シフエニル基（その水酸基は保護例えばアシル化された
水酸基であることもできる）であり、そしてアミノ基は
場合によつては置換されていることもできそして例えば
塩の形であることもできるスルホアミノ基または置換さ
れたアミノ基（例えば、置換基として、加水分解により
分裂できるトリチル基または主としてアシル基例えば置
換されている場合のあるカルバモイル基例えばウレイド
カルボニル基やＮ３−トリクロルメチルウレイドカルボ
ニル基のような置換されている場合のあるウレイドカル
ボニル基、またはグアニジノカルボニル基のような置換
されている場合のあるグアニジノカルボニル基、または
例えばトリフルオル酢酸のような酸でまたは含水酢酸の
存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触された
水素で還元的に処理した場合にまたは加水分解によつて
分裂することのできるアシル基またはこのようなアシル
基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸半エ
ステルの適当なアシル基例えばハロゲン置換またはベン
ゾイル置換されている場合のあるアルキルオキシカルボ
ニル基例えばｔ−ブチルオキシカルボニル基、２，２，
２−トリクロルエチルオキシカルボニル基、２−クロル
エトキシカルボニル基、２−ブロムエトキシカルボニル
基、２−ヨードエトキシカルボニル基、またはフエナシ
ルオキシカルボニル基、低級アルコキシ置換またはニト
ロ置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシカ
ルボニル基例えば４−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル基またはジフエニルメトキシカルボニル基、またはカ
ルバモイル基やＮ一メチルカルバモイル基のような炭酸
半アミドのアシル基、さらにまたシアン化水素酸、亜硫
酸またはチオ酢酸アミドのような親核性剤によつて分裂
されるアリールチオ基またはアリール低級アルキルチオ
基例えば２−ニトロフエニルチオ基またはトリチルチオ
基、電解還元で分裂できるアリールスルホニル基例えば
４−メチルフエニルスルホニル基、またはぎ酸または無
機酸水溶液例えば塩酸またはりん酸のような酸性剤で分
裂できる１一低級アルコキシカルボニル−２−プロピリ
デン基または１一低級アルカノイル−２−プロピリデン
基例えば１−エトキシカルボニル−２−プロピリデン基
をもつている）である〕、さらにα−１，４シクロヘキ
サジエニル−グリシル基、α−２またはα−３−チエニ
ルグリシル基のようなαーチエニルグリシル基、α−２
−フリルグリシル基のようなα−フリルグリシル基、ま
たはα−４イソチアゾリルーグリシル基のようなα−イ
ソチアゾリルグリシル基（これらの基のアミノ基は例え
ば先にフエニルグリシル基に述べたように置換または保
護されていることができる）、さらにαカルボキシーフ
エニルアセチル基またはα一カルボキシーチエニルアセ
チル基例えばα一カルボキシ一２−チエニルアセチル基
（これらは場合によつては官能的に変えられたカルボキ
シル基例えばナトリウム塩のような塩の形またはエステ
ル例えばメチルエステルまたはエチルエステルのような
低級アルキルエステルやジフエニルメチルエステルのよ
うなフエニル一低級アルキルエステルの形にあるカルボ
キシル基をもつていてもよい）またはα−スルホーフエ
ニルアセチル基（これは場合によつては例えば上記のカ
ルボキシル基のように官能的に変えられたスルホ基をも
つていてもよい）、α−ホスホノ一、α−０−メチルホ
スホノ一またはα−０，０′−ジメチルホスホノーフエ
ニルアセチル基、またはα−ヒドロキシーフエニルアセ
チル基〔これは官能的に変えられた水酸基、殊にアシル
オキシ基（このアシル基は例えばトリフルオル酢酸のよ
うな酸性剤で処理するかまたは含水５酸の存在下での亜
鉛のような化学的還元剤で処理する場合に好ましくは容
易に分裂することのできるアシル基またはこのようなア
シル基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸
半エステルのアシル基例えば前記の例えばハロゲン置換
またはベンゾイル置換されていることのできる低級アル
コキシカルボニル基、例えば２，２，２−トリクロルエ
トキシカルボニル基、２−クロルエトキシカルボニル基
、２−ブロムエトキシカルボニル基、２−ヨードエトキ
シカルボニル基、ｔブチルオキシカルボニル基またはフ
エナシルオキシカルボニル基、さらにホルミル基である
）をもつていることができる〕、ならびに１−アミノ−
シクロヘキシルカルボニル基、２−または４アミノメチ
ルーフエニルアセチル基のようなアミノメチルフエニル
アセチル基または４−アミノピリジニウムアセチル基の
ようなアミノ−ピリジニウムアセチル基（これらも例え
ば上記のように置換されたアミノ基をもつていることも
できる）、または４−ピリジルチオアセチル基のような
ピリジルチオアセチル基であり、そしてＲりは水素原子
であるか、またはＲ＋とＲ１？とはその両方で４位置に
メチル基のような低級アルキル基２個をもつ場合のある
１−オキソ一３−アザ−１，４ブチレン基〔これは２一
位置において好ましくは、場合によつては保護された水
酸基例えはアシルオキシ基例えばハロゲン置換されてい
ることのできる低級アルコキシカルボニルオキシ基また
は低級アルカノイルオキシ基によつておよび（または）
ハロゲン原子例えば塩素原子によつて置換されているこ
とのできるフエニル基、例えばフエニル基、または３−
または４−ヒドロキシ−、３−クロル４−ヒドロキシ−
または３，５−ジクロル−４ヒドロキシーフエニル基（
その水酸基は保護例えば上記のようにアシル化されてい
ることもできる）をもつていることができる〕であり、
そしてＲ２は水酸基、低級アルコキシ基殊にα一位置で
高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基
、さらにメトキシ基またはエトキシ基、２ハロゲノ低級
アルコキシ基または２，２，２−トリタロルエトキシ基
、２−ヨードエトキシ基またはこの基に容易に変えるこ
とのできる２−クロルエトキシ基または２−ブロムエト
キシ基、フエナシルオキシ基、低級アルコキシ基または
ニトロ基で置換されていることのできるフエニル基１〜
３個をもつ１−フエニル低級アルコキシ基例えば４−メ
トキシベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基
、ジフエニルメトキシ基、４，４′−ジメトキシージフ
エニルメトキシ基またはトリチルオキシ基、低級アルカ
ノイルオキシメトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ
基またはピバロイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級
アルカノイルオキシメトキシ基例えばグリシルオキシメ
トキシ基、２−フタリジルオキシメトキシ基、低級アル
コキシカルボニルオキシ基例えばエトキシカルボニルオ
キシ基または低級アルカノイルオキシ基例えはアセチル
オキシ基、さらにトリ低級アルキルシリルオキシ基例え
ばトリメチルシリルオキシ基であり、そしてＲ３は低級
アルキル基例えばメチル基、エチル基またはｎ−ブチル
基、さらに１−フエニル低級アルキル基例えばベンジル
基またはジフエニルメチル基である。
ルアミノ基、ジメチルアミノ基のようなジ低級アルキル
アミノ基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のよ
うな２低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジメチルヒ
ドラジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ
基またはヒドロキシアミノ基である）であり、そしてＲ
３が低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、またはｎ−ブチル基、置換
されている場合のあるフエニル低級アルキル基殊に例え
ばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されてい
る場合のあるフエニル基１個または２個をもつ１−フエ
ニル低級アルキル基例えばベンジル基またはジフエニル
メチル基である３−セフエム一化合物または塩形成基を
もつこのような化合物の塩に関するものである。式（１
）の３−セフエム一化合物または塩形成基をもつこれら
化合物の塩においては、主として、ＲＡは６β−アミノ
ーペナム一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−
３−セフエム一４−カルボン酸化合物の醗酵（すなわち
、天然産）によるまたは生合成的に製造できるＮ−アシ
ル誘導体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この
式でＲＩｌＲ，Ｒおよびｎは主として先に好ましいと挙
げた意味をもつ）、例えば水酸基で置換されている場合
のあるフエニルアセチル基またはフエニルオキシアセチ
ル基、さらに場合によつては例えば低級アルキルチオ基
または低級アルケニルチオ基、置換例えばアシル化され
ている場合のあるアミノ基および（または）官能的に変
えられたカルボキシル基（例えば、エステル化されてい
ることのできるカルボキシル基）によつて置換されてい
ることのできる低級アルカノイル基または低級アルケノ
イル基、例えば４−ヒドロキシーフエニルアセチル基、
ヘキサノイル基、オクタノイル基またはｎ−ブチルチオ
アセチル基および殊に５−アミノ５−カルボキシーバレ
リル基〔そのアミノ基および（または）カルボキシル基
は場合によつては保護されており、例えばアシルアミノ
基またはエステル化されたカルボキシル基として存在す
ることができる〕、フエニルアセチル基またはフエニル
オキシアセチル基であるか、または６β−アミノーペナ
ム一３−カルボン酸化合物または７βーアミノ−３−セ
フエム一４−カルボン酸化合物の高活性Ｎ−アシル誘導
体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この式ＲＩ
，Ｒ，Ｒおよびｎは主に先に好ましいと挙げた意味をも
つ）、例えばホルミル基、２−クロルエチルカルバモイ
ル基のような２−ハロゲンエチルカルバモイル基、シア
ノアセチル基、フエニルアセチル基、２−チニニルアセ
チル基のようなチエニルアセチル基または１−テトラゾ
リルアセチル基のようなテトラゾリル基、しかし特にα
一位置において脂環式、芳香族または複素環式基のよう
な環式基主に単環式基によつておよび官能性基主にアミ
ノ基、カルボキシル基、スルホ基または水酸基によつて
置換されたアセチル基、殊にフエニルグリシル基〔この
基におけるフエニル基は場合によつては例えば保護され
ている場合のある水酸基例えばアシルオキシ基例えばハ
ロゲソ置換されていることのできる低級アルコキシカル
ボニルオキシ基または低級アルカノイルオキシ基によつ
ておよび（または）ハロゲン原子例えば塩素原子によつ
て置換されていることのできるフエニル基、例えばフエ
ニル基、３−または４−ヒドロキシ−、３−クロル−４
ーヒドロキシ−または３，５−ジタロル一４−ヒドロキ
シフエニル基（その水酸基は保護例えばアシル化された
水酸基であることもできる）であり、そしてアミノ基は
場合によつては置換されていることもできそして例えば
塩の形であることもできるスルホアミノ基または置換さ
れたアミノ基（例えば、置換基として、加水分解により
分裂できるトリチル基または主としてアシル基例えば置
換されている場合のあるカルバモイル基例えばウレイド
カルボニル基やＮ３−トリクロルメチルウレイドカルボ
ニル基のような置換されている場合のあるウレイドカル
ボニル基、またはグアニジノカルボニル基のような置換
されている場合のあるグアニジノカルボニル基、または
例えばトリフルオル酢酸のような酸でまたは含水酢酸の
存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触された
水素で還元的に処理した場合にまたは加水分解によつて
分裂することのできるアシル基またはこのようなアシル
基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸半エ
ステルの適当なアシル基例えばハロゲン置換またはベン
ゾイル置換されている場合のあるアルキルオキシカルボ
ニル基例えばｔ−ブチルオキシカルボニル基、２，２，
２−トリクロルエチルオキシカルボニル基、２−クロル
エトキシカルボニル基、２−ブロムエトキシカルボニル
基、２−ヨードエトキシカルボニル基、またはフエナシ
ルオキシカルボニル基、低級アルコキシ置換またはニト
ロ置換されている場合のあるフエニル低級アルコキシカ
ルボニル基例えば４−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル基またはジフエニルメトキシカルボニル基、またはカ
ルバモイル基やＮ一メチルカルバモイル基のような炭酸
半アミドのアシル基、さらにまたシアン化水素酸、亜硫
酸またはチオ酢酸アミドのような親核性剤によつて分裂
されるアリールチオ基またはアリール低級アルキルチオ
基例えば２−ニトロフエニルチオ基またはトリチルチオ
基、電解還元で分裂できるアリールスルホニル基例えば
４−メチルフエニルスルホニル基、またはぎ酸または無
機酸水溶液例えば塩酸またはりん酸のような酸性剤で分
裂できる１一低級アルコキシカルボニル−２−プロピリ
デン基または１一低級アルカノイル−２−プロピリデン
基例えば１−エトキシカルボニル−２−プロピリデン基
をもつている）である〕、さらにα−１，４シクロヘキ
サジエニル−グリシル基、α−２またはα−３−チエニ
ルグリシル基のようなαーチエニルグリシル基、α−２
−フリルグリシル基のようなα−フリルグリシル基、ま
たはα−４イソチアゾリルーグリシル基のようなα−イ
ソチアゾリルグリシル基（これらの基のアミノ基は例え
ば先にフエニルグリシル基に述べたように置換または保
護されていることができる）、さらにαカルボキシーフ
エニルアセチル基またはα一カルボキシーチエニルアセ
チル基例えばα一カルボキシ一２−チエニルアセチル基
（これらは場合によつては官能的に変えられたカルボキ
シル基例えばナトリウム塩のような塩の形またはエステ
ル例えばメチルエステルまたはエチルエステルのような
低級アルキルエステルやジフエニルメチルエステルのよ
うなフエニル一低級アルキルエステルの形にあるカルボ
キシル基をもつていてもよい）またはα−スルホーフエ
ニルアセチル基（これは場合によつては例えば上記のカ
ルボキシル基のように官能的に変えられたスルホ基をも
つていてもよい）、α−ホスホノ一、α−０−メチルホ
スホノ一またはα−０，０′−ジメチルホスホノーフエ
ニルアセチル基、またはα−ヒドロキシーフエニルアセ
チル基〔これは官能的に変えられた水酸基、殊にアシル
オキシ基（このアシル基は例えばトリフルオル酢酸のよ
うな酸性剤で処理するかまたは含水５酸の存在下での亜
鉛のような化学的還元剤で処理する場合に好ましくは容
易に分裂することのできるアシル基またはこのようなア
シル基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸
半エステルのアシル基例えば前記の例えばハロゲン置換
またはベンゾイル置換されていることのできる低級アル
コキシカルボニル基、例えば２，２，２−トリクロルエ
トキシカルボニル基、２−クロルエトキシカルボニル基
、２−ブロムエトキシカルボニル基、２−ヨードエトキ
シカルボニル基、ｔブチルオキシカルボニル基またはフ
エナシルオキシカルボニル基、さらにホルミル基である
）をもつていることができる〕、ならびに１−アミノ−
シクロヘキシルカルボニル基、２−または４アミノメチ
ルーフエニルアセチル基のようなアミノメチルフエニル
アセチル基または４−アミノピリジニウムアセチル基の
ようなアミノ−ピリジニウムアセチル基（これらも例え
ば上記のように置換されたアミノ基をもつていることも
できる）、または４−ピリジルチオアセチル基のような
ピリジルチオアセチル基であり、そしてＲりは水素原子
であるか、またはＲ＋とＲ１？とはその両方で４位置に
メチル基のような低級アルキル基２個をもつ場合のある
１−オキソ一３−アザ−１，４ブチレン基〔これは２一
位置において好ましくは、場合によつては保護された水
酸基例えはアシルオキシ基例えばハロゲン置換されてい
ることのできる低級アルコキシカルボニルオキシ基また
は低級アルカノイルオキシ基によつておよび（または）
ハロゲン原子例えば塩素原子によつて置換されているこ
とのできるフエニル基、例えばフエニル基、または３−
または４−ヒドロキシ−、３−クロル４−ヒドロキシ−
または３，５−ジクロル−４ヒドロキシーフエニル基（
その水酸基は保護例えば上記のようにアシル化されてい
ることもできる）をもつていることができる〕であり、
そしてＲ２は水酸基、低級アルコキシ基殊にα一位置で
高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基
、さらにメトキシ基またはエトキシ基、２ハロゲノ低級
アルコキシ基または２，２，２−トリタロルエトキシ基
、２−ヨードエトキシ基またはこの基に容易に変えるこ
とのできる２−クロルエトキシ基または２−ブロムエト
キシ基、フエナシルオキシ基、低級アルコキシ基または
ニトロ基で置換されていることのできるフエニル基１〜
３個をもつ１−フエニル低級アルコキシ基例えば４−メ
トキシベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基
、ジフエニルメトキシ基、４，４′−ジメトキシージフ
エニルメトキシ基またはトリチルオキシ基、低級アルカ
ノイルオキシメトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ
基またはピバロイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級
アルカノイルオキシメトキシ基例えばグリシルオキシメ
トキシ基、２−フタリジルオキシメトキシ基、低級アル
コキシカルボニルオキシ基例えばエトキシカルボニルオ
キシ基または低級アルカノイルオキシ基例えはアセチル
オキシ基、さらにトリ低級アルキルシリルオキシ基例え
ばトリメチルシリルオキシ基であり、そしてＲ３は低級
アルキル基例えばメチル基、エチル基またはｎ−ブチル
基、さらに１−フエニル低級アルキル基例えばベンジル
基またはジフエニルメチル基である。
本発明は主として式（１）においてＲ＋が式〔この式で
Ｒａはフエニル基またはヒドロキシフエニル基例えば３
−または４−ヒドロキシフエニル基、さらにヒドロキシ
ークロルフエニル基例えば３−クロル−４−ヒドロキシ
フエニル基または３，５−ジクロル−４−ヒドロキシフ
エニル基（これらの基において水酸基はハロゲソ化され
ていることのできる低級アルコキシカルボニル基例えば
ｔ−ブトキシカルボニル基または２，２，２トリクロル
エトキシカルボニル基のようなアシル基によつて保護さ
れていることができる）、２または３−チエニル基のよ
うなチエニル基、さらに４−ピリジル基のようなピリジ
ル基、４−アミノピリジニウム基のようなアミノピリジ
ニウム基、２−フリル基のようなフリル基、４−イソチ
アゾリル基のようなイソチアゾリル基、１−テトラゾリ
ル基のようなテトラゾリル基または１，４シクロヘキサ
ジエニル基であり、Ｘは酸素またはいおう原子であり、
ｍは０または１であり、そしてＲｂは水素原子またはｍ
がＯである場合にはアミノ基、保護されたアミノ基例え
ばアシルアミノ基例えばｔ−ブトキシカルボニルアミノ
基のようなα一位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルボニルアミノ基、２，２，２−トリタロルエトキシカ
ルボニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルボニルアミ
ノ基または２−ブロムエトキシカルボニルアミノ基のよ
うな２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルアミノ基、
または低級アルコキシ置換またはニトロ置換されている
場合のあるフエニル低級アルコキシカルボニルアミノ基
例えば４メトキシベンジルオキシカルボニルアミノ基ま
たはジフエニルメトキシカルボニルアミノ基、または３
−グアニルウレイド基、さらにスルホアミノ基、トリチ
ルアミノ基、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフ
エニルチオアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例え
ば４−メチルフエニルスルホニルアミノ基または１一低
級アルコキシカルボニル−２−プロピリデツアミノ基例
えば１−エトキシカルボニル−２−プロピリデンアミノ
基、カルボキシ基または塩例えばナトリウム塩のような
アルカリ金属塩の形にあるカルボキシル基、保護された
カルボキシ基例えばエステル化されたカルボキシル基例
えばジフエニルメトキシカルボニル基のようなフエニル
低級アルコキシカルボニル基、スルホ基または塩例えば
ナトリウム塩のようなアルカリ金属塩の形にあるスルホ
基、保護されたスルホ基、水酸基または保護された水酸
基例えばアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカルボニル
オキシ基のようなα一位置で高度に分枝した低級アルコ
キシカルボニルオキシ基、２，２，２−トリクロルエト
キシカルボニルオキシ基、２−ヨードエトキシカルボホ
ルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニルオキシ
基のような２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルオキ
シ基、さらにホルミルオキシ基、またはＯ一低級アルキ
ルホスホノ基または０，０′−ジ低級アルキルホスホノ
基例えばＯ−メチルホスホノ基または０，０′−ジメチ
ルホスホノ基である〕で示されるアシル基または５−ア
ミノ−５−カルボキシパレリル基（そのアミノ基および
カルボキシル基は保護されていることもでき、例えばア
シルアミノ基例えばアセチル基のような低級アルカノイ
ルアミノ基、ジクロルアセチルアミノ基のようなハロゲ
ノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基また
はプタロールアミノ基としてまたはエステル化されたカ
ルボキシル基例えばジフエニルメトキシカルボニル基の
ようなフエニル低級アルコキシカルボニル基としてある
ことができる）であり（なお、Ｒａがフエニル基、ヒド
ロキシフエニル基、ヒドロキシークロルフエニル基また
はピリジル基である場合にｍは好ましくは１であり、そ
してＲａがフエニル基、ヒドロキシフエニル基、ヒドロ
キシークロルフエニル基、チエニル基、フリル基、イソ
チアゾリル基または１，４シクロヘキサジエニル基であ
る場合にｍはＯであつてＲｂは水素原子でないのが好ま
しい）、Ｒ１）が水素原子であり、Ｒ２が主として水酸
基、さらに低級アルコキシ基殊にα一位置で高度に分枝
した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロ
ゲノ一低級アルコキシ基例えば２，２，２−トリクロル
エトキシ基、２−ヨードエトキシ基または２−ブロムエ
トキシ基、または例えばメトキシ基のような低級アルコ
キシ基で置換されている場合のあるジフエニルメトキシ
基例えばジフエニルメトキシ基または４，４′−ジメト
キシージフエニルメトキシ基、さらにトリメチルシリル
オキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基であ
りそしてＲ３は低級アルキル基例えばメチル基、エチル
基またはｎ−ブチル基、またはフエニル低級アルキル基
例えばベンジル基である３−セフエム化合物または塩形
成基をもつこのような化合物の塩殊に医薬的に使用でき
る無毒な塩、例えばＲ２が水酸基である化合物のナトリ
ウム塩のようなアルカリ金属塩、カルシウム塩のような
アルカリ土類金属塩またはアミン塩を含めたアンモニウ
ム塩、またはＲ２が水酸基でありそして式（Ｂ）のアシ
ル基中に遊離アミノ基をもつている化合物の分子内塩に
関するものである。
Ｒａはフエニル基またはヒドロキシフエニル基例えば３
−または４−ヒドロキシフエニル基、さらにヒドロキシ
ークロルフエニル基例えば３−クロル−４−ヒドロキシ
フエニル基または３，５−ジクロル−４−ヒドロキシフ
エニル基（これらの基において水酸基はハロゲソ化され
ていることのできる低級アルコキシカルボニル基例えば
ｔ−ブトキシカルボニル基または２，２，２トリクロル
エトキシカルボニル基のようなアシル基によつて保護さ
れていることができる）、２または３−チエニル基のよ
うなチエニル基、さらに４−ピリジル基のようなピリジ
ル基、４−アミノピリジニウム基のようなアミノピリジ
ニウム基、２−フリル基のようなフリル基、４−イソチ
アゾリル基のようなイソチアゾリル基、１−テトラゾリ
ル基のようなテトラゾリル基または１，４シクロヘキサ
ジエニル基であり、Ｘは酸素またはいおう原子であり、
ｍは０または１であり、そしてＲｂは水素原子またはｍ
がＯである場合にはアミノ基、保護されたアミノ基例え
ばアシルアミノ基例えばｔ−ブトキシカルボニルアミノ
基のようなα一位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルボニルアミノ基、２，２，２−トリタロルエトキシカ
ルボニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルボニルアミ
ノ基または２−ブロムエトキシカルボニルアミノ基のよ
うな２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルアミノ基、
または低級アルコキシ置換またはニトロ置換されている
場合のあるフエニル低級アルコキシカルボニルアミノ基
例えば４メトキシベンジルオキシカルボニルアミノ基ま
たはジフエニルメトキシカルボニルアミノ基、または３
−グアニルウレイド基、さらにスルホアミノ基、トリチ
ルアミノ基、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフ
エニルチオアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例え
ば４−メチルフエニルスルホニルアミノ基または１一低
級アルコキシカルボニル−２−プロピリデツアミノ基例
えば１−エトキシカルボニル−２−プロピリデンアミノ
基、カルボキシ基または塩例えばナトリウム塩のような
アルカリ金属塩の形にあるカルボキシル基、保護された
カルボキシ基例えばエステル化されたカルボキシル基例
えばジフエニルメトキシカルボニル基のようなフエニル
低級アルコキシカルボニル基、スルホ基または塩例えば
ナトリウム塩のようなアルカリ金属塩の形にあるスルホ
基、保護されたスルホ基、水酸基または保護された水酸
基例えばアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカルボニル
オキシ基のようなα一位置で高度に分枝した低級アルコ
キシカルボニルオキシ基、２，２，２−トリクロルエト
キシカルボニルオキシ基、２−ヨードエトキシカルボホ
ルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニルオキシ
基のような２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルオキ
シ基、さらにホルミルオキシ基、またはＯ一低級アルキ
ルホスホノ基または０，０′−ジ低級アルキルホスホノ
基例えばＯ−メチルホスホノ基または０，０′−ジメチ
ルホスホノ基である〕で示されるアシル基または５−ア
ミノ−５−カルボキシパレリル基（そのアミノ基および
カルボキシル基は保護されていることもでき、例えばア
シルアミノ基例えばアセチル基のような低級アルカノイ
ルアミノ基、ジクロルアセチルアミノ基のようなハロゲ
ノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基また
はプタロールアミノ基としてまたはエステル化されたカ
ルボキシル基例えばジフエニルメトキシカルボニル基の
ようなフエニル低級アルコキシカルボニル基としてある
ことができる）であり（なお、Ｒａがフエニル基、ヒド
ロキシフエニル基、ヒドロキシークロルフエニル基また
はピリジル基である場合にｍは好ましくは１であり、そ
してＲａがフエニル基、ヒドロキシフエニル基、ヒドロ
キシークロルフエニル基、チエニル基、フリル基、イソ
チアゾリル基または１，４シクロヘキサジエニル基であ
る場合にｍはＯであつてＲｂは水素原子でないのが好ま
しい）、Ｒ１）が水素原子であり、Ｒ２が主として水酸
基、さらに低級アルコキシ基殊にα一位置で高度に分枝
した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロ
ゲノ一低級アルコキシ基例えば２，２，２−トリクロル
エトキシ基、２−ヨードエトキシ基または２−ブロムエ
トキシ基、または例えばメトキシ基のような低級アルコ
キシ基で置換されている場合のあるジフエニルメトキシ
基例えばジフエニルメトキシ基または４，４′−ジメト
キシージフエニルメトキシ基、さらにトリメチルシリル
オキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基であ
りそしてＲ３は低級アルキル基例えばメチル基、エチル
基またはｎ−ブチル基、またはフエニル低級アルキル基
例えばベンジル基である３−セフエム化合物または塩形
成基をもつこのような化合物の塩殊に医薬的に使用でき
る無毒な塩、例えばＲ２が水酸基である化合物のナトリ
ウム塩のようなアルカリ金属塩、カルシウム塩のような
アルカリ土類金属塩またはアミン塩を含めたアンモニウ
ム塩、またはＲ２が水酸基でありそして式（Ｂ）のアシ
ル基中に遊離アミノ基をもつている化合物の分子内塩に
関するものである。
主として、式（１）の３−セフエム一化合物または塩形
成基をもつこのような化合物の塩殊に前項で挙げたよう
な医薬的に使用できる無毒の塩においては、Ｒ今は式（
Ｒ）のアシル基（この式でＲａはフニニル基、４−ヒド
ロキシフエニル基のようなヒドロキシフエニル基、２−
または３−チエニル基のようなチエニル基、４−イソチ
アゾリル基または１，４−シクロヘキサジエニル基であ
り、Ｘは酸素原子であり、ｍはＯまたは１であり、そし
てＲｂは水素原子またはｍがＯである場合にはアミノ基
、保護されたアミノ基例えばアシルアミノ基例えばｔ−
ブトキシカルボニルアミノ基のようなα一位置で高度に
分枝した低級アルコキシカルボニルアミノ基、２，２，
２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基、２−ヨー
ドエトキシカルボニルアミノ基または２−ブロムエトキ
シカルボニルアミノ基のような２−ハロゲノ低級アルコ
キシカルボニルアミノ基、または低級アルコキシ置換ま
たはニトロ置換されている場合のあるフエニル低級アル
コキシカルボニルアミノ基例えば４−メトキシベンジル
オキシカルボニルアミノ基、または水酸基または保護さ
れた水酸基例えばアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基のようなα一位置で高度に分枝した低
級アルコキシカルボニルオキシ基、２，２，２−トリク
ロルエトキシカルボニルオキシ基、２−ヨードエトキシ
カルボニルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニ
ルオキシ基のような２−ハロゲノ低級アルコキシカルボ
ニルオキシ基、さらにホルミルオキシ基である）または
５−アミノ−５−カルボキシバレリル基（そのアミノ基
およびカルボキシル基は保護されていることもでき、例
えばアシルアミノ基例えばアセチルアミノ基のような低
級アルカノイルアミノ基、ジクロルアセチルアミノ基の
ようなハロゲノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイル
アミノ基またはプタロールアミノ基としてまたはエステ
ル化されたカルボキシル基例えばジフエニルメトキシカ
ルボニル基のようなフエニル低級アルコキシカルボニル
基としてあることができる）であり（なお、Ｒａがフエ
ニル基またはヒドロキシフエニル基である場合にｍは１
であるのが好ましい）、Ｒｂは水素原子であり、Ｒ２は
主として水酸基、さらに２一位置でハロゲン原子例えば
塩素、臭素またはよう素原子で置換されている場合のあ
る低級アルコキシ基殊にα一位置で高度に分枝した低級
アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロゲノ一低
級アルコキシ基例えば２，２，２−トリクロルエトキシ
基、２−ヨードエトキシ基または２−ブロムエトキシ基
、または例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で
置換されている場合のあるジフエニルメトキシ基例えば
ジフエニルメトキシ基または４，４′−ジメトキシージ
フエニルメトキシ基、さらにトリメチルシリルオキシ基
のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基でありそして
Ｒ３は低級アルキル基例えばメチル基、エチル基または
ｎ−ブチル基、フエニル低級アルキル基例えばベンジル
基である。
成基をもつこのような化合物の塩殊に前項で挙げたよう
な医薬的に使用できる無毒の塩においては、Ｒ今は式（
Ｒ）のアシル基（この式でＲａはフニニル基、４−ヒド
ロキシフエニル基のようなヒドロキシフエニル基、２−
または３−チエニル基のようなチエニル基、４−イソチ
アゾリル基または１，４−シクロヘキサジエニル基であ
り、Ｘは酸素原子であり、ｍはＯまたは１であり、そし
てＲｂは水素原子またはｍがＯである場合にはアミノ基
、保護されたアミノ基例えばアシルアミノ基例えばｔ−
ブトキシカルボニルアミノ基のようなα一位置で高度に
分枝した低級アルコキシカルボニルアミノ基、２，２，
２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基、２−ヨー
ドエトキシカルボニルアミノ基または２−ブロムエトキ
シカルボニルアミノ基のような２−ハロゲノ低級アルコ
キシカルボニルアミノ基、または低級アルコキシ置換ま
たはニトロ置換されている場合のあるフエニル低級アル
コキシカルボニルアミノ基例えば４−メトキシベンジル
オキシカルボニルアミノ基、または水酸基または保護さ
れた水酸基例えばアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基のようなα一位置で高度に分枝した低
級アルコキシカルボニルオキシ基、２，２，２−トリク
ロルエトキシカルボニルオキシ基、２−ヨードエトキシ
カルボニルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニ
ルオキシ基のような２−ハロゲノ低級アルコキシカルボ
ニルオキシ基、さらにホルミルオキシ基である）または
５−アミノ−５−カルボキシバレリル基（そのアミノ基
およびカルボキシル基は保護されていることもでき、例
えばアシルアミノ基例えばアセチルアミノ基のような低
級アルカノイルアミノ基、ジクロルアセチルアミノ基の
ようなハロゲノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイル
アミノ基またはプタロールアミノ基としてまたはエステ
ル化されたカルボキシル基例えばジフエニルメトキシカ
ルボニル基のようなフエニル低級アルコキシカルボニル
基としてあることができる）であり（なお、Ｒａがフエ
ニル基またはヒドロキシフエニル基である場合にｍは１
であるのが好ましい）、Ｒｂは水素原子であり、Ｒ２は
主として水酸基、さらに２一位置でハロゲン原子例えば
塩素、臭素またはよう素原子で置換されている場合のあ
る低級アルコキシ基殊にα一位置で高度に分枝した低級
アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロゲノ一低
級アルコキシ基例えば２，２，２−トリクロルエトキシ
基、２−ヨードエトキシ基または２−ブロムエトキシ基
、または例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で
置換されている場合のあるジフエニルメトキシ基例えば
ジフエニルメトキシ基または４，４′−ジメトキシージ
フエニルメトキシ基、さらにトリメチルシリルオキシ基
のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基でありそして
Ｒ３は低級アルキル基例えばメチル基、エチル基または
ｎ−ブチル基、フエニル低級アルキル基例えばベンジル
基である。
本発明は主として７β−（Ｄ−α−アミノ−αＲａ−ア
セチルアミノ）−３一低級アルコキシ３−セフエム一４
−カルボン酸（Ｒａはフエニル基、４−ヒドロキシフエ
ニル基、２−チエニル基または１，４−シクロヘキサジ
エニル基であり、そして低級アルコキシは炭素原子を４
個までもつもの例えばエトキシまたはｎ−ブトキシ、し
かし主にメトキシである）およびそれらの分子内塩、お
よびとりわけ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニル
ーグリシルアミン）−３−セフエム一４カルボン酸およ
びその分子内塩に関する。
セチルアミノ）−３一低級アルコキシ３−セフエム一４
−カルボン酸（Ｒａはフエニル基、４−ヒドロキシフエ
ニル基、２−チエニル基または１，４−シクロヘキサジ
エニル基であり、そして低級アルコキシは炭素原子を４
個までもつもの例えばエトキシまたはｎ−ブトキシ、し
かし主にメトキシである）およびそれらの分子内塩、お
よびとりわけ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニル
ーグリシルアミン）−３−セフエム一４カルボン酸およ
びその分子内塩に関する。
これら化合物は、前記の投与量において殊に経口投与の
場合に、著しい抗生作用をグラム陽生菌および殊にグラ
ム陰性菌に対して少い毒性をもつて示す。式（１）の化
合物は次のようにして得られる。すなわち、式で表わさ
れる３−ヒドロキシ−３−セフエム化合物または相当す
るセフアム一３−オン化合物またはそれらの１−オキシ
ドを、アルキル基またはアラルキル基Ｒ３導入剤で処理
し、そして式（１）の化合物を単離するのである。
場合に、著しい抗生作用をグラム陽生菌および殊にグラ
ム陰性菌に対して少い毒性をもつて示す。式（１）の化
合物は次のようにして得られる。すなわち、式で表わさ
れる３−ヒドロキシ−３−セフエム化合物または相当す
るセフアム一３−オン化合物またはそれらの１−オキシ
ドを、アルキル基またはアラルキル基Ｒ３導入剤で処理
し、そして式（１）の化合物を単離するのである。
そして所望ならば、得られた式（）の化合物において式
−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ会の保護されたカルボキシル基を遊離カ
ルボキシル基または他の保護されたカルボキシル基に変
え、そして（または）所望ならば、得られた式（１）の
化合物を式（１）の他の化合物に変え、そして（または
）所望ならば、得られた塩形成基をもつ化合物を塩に変
えまたは得られた塩を遊離化合物または他の塩に変え、
そして（または）所望ならば、得られた異性体化合物の
混合物を個個の異性体に分離するのである。式（）の原
料において、Ｒ２は水酸基であるかまたは殊に穏和な条
件の下で分裂することのできるエステル化されたカルボ
キシル基を基−Ｃ（−０）といつしよに形成しているエ
ーテル化された水酸基Ｒ令であつて、このカルボキシル
保護基Ｒ令において存在する場合のある官能性基はこれ
をそれ自体公知の方法によつて保護しておくことができ
る。
−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ会の保護されたカルボキシル基を遊離カ
ルボキシル基または他の保護されたカルボキシル基に変
え、そして（または）所望ならば、得られた式（１）の
化合物を式（１）の他の化合物に変え、そして（または
）所望ならば、得られた塩形成基をもつ化合物を塩に変
えまたは得られた塩を遊離化合物または他の塩に変え、
そして（または）所望ならば、得られた異性体化合物の
混合物を個個の異性体に分離するのである。式（）の原
料において、Ｒ２は水酸基であるかまたは殊に穏和な条
件の下で分裂することのできるエステル化されたカルボ
キシル基を基−Ｃ（−０）といつしよに形成しているエ
ーテル化された水酸基Ｒ令であつて、このカルボキシル
保護基Ｒ令において存在する場合のある官能性基はこれ
をそれ自体公知の方法によつて保護しておくことができ
る。
基Ｒ令は殊にハロゲン置換されている場合のある低級ア
ルコキシ基例えばα一位置で高度に分枝した低級アルコ
キシ基例えばｔ−ブトキシ基または２−ハロゲソ低級ア
ルコキシ基（ハロゲンは例えば塩素、臭素またはよう素
である）、主に２，２，２−トリクロルエトキシ基、２
−ブロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基、また
は例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基やニトロ
基で置換されていることのできる１−フエニル低級アル
コキシ基例えば上記のように置換されていることのでき
るベンジルオキシ基またはジフエニルメトキシ基例えば
ベンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、４
−ニトロベンジルオキシ基、ジフエニルメトキシ基また
は４，４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基、さら
に有機シリルオキシ基またはスタニルオキシ基、例えば
トリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシ
リルオキシ基である。式（）の原料において、基ＲＡは
アミノ保護基たとえばアシル基Ａｃであり、この基ＲＡ
においては存在することのある遊離官能基例えばアミノ
基、水酸基、カルボキシル基またはスルホノ基が〔アミ
ノ基の場合は例えば前記のアシル基、トリチル基、シリ
ル基またはスタニル基さらに置換されているチオ基また
はスルホニル基により、そして水酸基、カルボキシル基
またはスルホノ基の場合は前記のエーテル基またはエス
テル基（シリル基またはスタニル基を含む）により〕そ
れ自体公知の方法で保護されていてもよいものとし、そ
してＲｂは水素原子である。
ルコキシ基例えばα一位置で高度に分枝した低級アルコ
キシ基例えばｔ−ブトキシ基または２−ハロゲソ低級ア
ルコキシ基（ハロゲンは例えば塩素、臭素またはよう素
である）、主に２，２，２−トリクロルエトキシ基、２
−ブロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基、また
は例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基やニトロ
基で置換されていることのできる１−フエニル低級アル
コキシ基例えば上記のように置換されていることのでき
るベンジルオキシ基またはジフエニルメトキシ基例えば
ベンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、４
−ニトロベンジルオキシ基、ジフエニルメトキシ基また
は４，４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基、さら
に有機シリルオキシ基またはスタニルオキシ基、例えば
トリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシ
リルオキシ基である。式（）の原料において、基ＲＡは
アミノ保護基たとえばアシル基Ａｃであり、この基ＲＡ
においては存在することのある遊離官能基例えばアミノ
基、水酸基、カルボキシル基またはスルホノ基が〔アミ
ノ基の場合は例えば前記のアシル基、トリチル基、シリ
ル基またはスタニル基さらに置換されているチオ基また
はスルホニル基により、そして水酸基、カルボキシル基
またはスルホノ基の場合は前記のエーテル基またはエス
テル基（シリル基またはスタニル基を含む）により〕そ
れ自体公知の方法で保護されていてもよいものとし、そ
してＲｂは水素原子である。
式（）の３−ヒドロキシ−３−セフエム化合物はエノー
ル型および（または）ケト基であることができる。一般
に、式（）の化合物はエノール型から式（１）のエノー
ル誘導体に変えられる。
ル型および（または）ケト基であることができる。一般
に、式（）の化合物はエノール型から式（１）のエノー
ル誘導体に変えられる。
さらに、式（）の化合物と相当する１−オキシドとの混
合物を原料として使うこともでき、こうして生成物とし
て式（１）の化合物と相当する１−オキシドとの混合物
が得られる。従つて、式（）の原料を純粋な形でまたは
その製造に際して得られる粗製の反応混合物の形で使う
ことができる。式（）の原料はそれ自体公知の方法によ
つてエノール誘導体に変えらｎる。
合物を原料として使うこともでき、こうして生成物とし
て式（１）の化合物と相当する１−オキシドとの混合物
が得られる。従つて、式（）の原料を純粋な形でまたは
その製造に際して得られる粗製の反応混合物の形で使う
ことができる。式（）の原料はそれ自体公知の方法によ
つてエノール誘導体に変えらｎる。
すなわち、エノールエーテル（すなわち、式（１）にお
けるＲ３がアルキル基またはアルキル基である化合物〕
は、エノール基のエーテル化に適する任意の方法によつ
て得られる。
けるＲ３がアルキル基またはアルキル基である化合物〕
は、エノール基のエーテル化に適する任意の方法によつ
て得られる。
エーテル化剤としては、そのアルキル基またはアラルキ
ル基Ｒ３に相当する式Ｒ３−Ｎ２（） で表わされるジアゾ化合物、主として置換されている場
合のあるジアゾ低級アルカン例えばジアゾメタン、ジア
ヅエタンまたはジアゾ−ｎ−プタン、さらに置換されて
いる場合のあるフエニルージアゾ低級アルカン例えばフ
エニルジアゾメタンやジフエニルジアゾメタンのような
１−フエニルジアゾ低級アルカンを使うのが好ましい。
ル基Ｒ３に相当する式Ｒ３−Ｎ２（） で表わされるジアゾ化合物、主として置換されている場
合のあるジアゾ低級アルカン例えばジアゾメタン、ジア
ヅエタンまたはジアゾ−ｎ−プタン、さらに置換されて
いる場合のあるフエニルージアゾ低級アルカン例えばフ
エニルジアゾメタンやジフエニルジアゾメタンのような
１−フエニルジアゾ低級アルカンを使うのが好ましい。
これら反応剤を適当な不活性溶剤例えばヘキサン、シク
ロヘキサン、ベンゼンまたはトルエンのような脂肪嵐脂
環式または芳香族炭化水素、塩化メチレンのようなハロ
ゲン化された脂肪族炭化水素、メタノール、エタノール
またはｔ−プタノールのような低級アルカノール、エー
テル例えばジエチルエーテルのようなジ低級アルキルエ
ーテルまたはテトラヒドロフランやジオキサンのような
環状エーテルまたはそれらの溶媒混合物の存在の下でそ
してジアゾ化合物によつて冷却、室温または僅かに加熱
の下で、さらに必要ならば密封容器内でそして（または
）窒素ガスのような不活性ガスの下で使つ０さらに、ア
ルキル基またはアラルキル基Ｒ３に相当する式Ｒ３−０
Ｈ（） で表わされるアルコールの反応性エステルで処理するこ
とによつて、式（１）のエノールエーテルを生成するこ
とができる。
ロヘキサン、ベンゼンまたはトルエンのような脂肪嵐脂
環式または芳香族炭化水素、塩化メチレンのようなハロ
ゲン化された脂肪族炭化水素、メタノール、エタノール
またはｔ−プタノールのような低級アルカノール、エー
テル例えばジエチルエーテルのようなジ低級アルキルエ
ーテルまたはテトラヒドロフランやジオキサンのような
環状エーテルまたはそれらの溶媒混合物の存在の下でそ
してジアゾ化合物によつて冷却、室温または僅かに加熱
の下で、さらに必要ならば密封容器内でそして（または
）窒素ガスのような不活性ガスの下で使つ０さらに、ア
ルキル基またはアラルキル基Ｒ３に相当する式Ｒ３−０
Ｈ（） で表わされるアルコールの反応性エステルで処理するこ
とによつて、式（１）のエノールエーテルを生成するこ
とができる。
適するエステルは王として強い無機または有機酸、例え
ばハロゲン化水素酸例えば塩酸、臭化水素酸ま１こはよ
う化水素酸、硫酸またはフルオル硫酸のようなハロゲン
硫酸あるいは強い有機スルホン酸例えばふつ素のような
ハロゲンで置換されている場合のある低級アルカンスル
ホン酸、または芳香族スルホン酸例えばメチル基のよう
な低級アルキル基、臭素のようなハロゲン原子および（
または）ニトロ基で置換されていることのできるベンゼ
ンスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、トリフルオル
メタンスルホン酸またはｐ−トルエンスルホン酸とのエ
ステルである。これらエーテル化剤殊に硫酸ジメチルの
ような硫酸ジ低級アルキル、さらにフルオル硫酸メチル
のようなフルオル硫酸低級アルキルまたはトリフルオル
メタンスルホン酸メチルのようなハロゲン置換されてい
ることのできるメタンスルホン酸低級アルキルエステル
を一般には溶媒例えば塩素化のようなハロゲン化されて
いる場合のある脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例
えば塩化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフランの
ようなエーテル、メタノールのような低級アルカノール
またはそれらの混合物の中で使う。この場合に、適当な
縮合剤例えばナトリワムやカリウムのようなアルカリ金
属の炭酸塩または重炭酸塩（一般に硫酸エステルの場合
に）または有機塩基例えばＮ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ
−エチルアミンのような一般に立体障害のあるトリ低級
アルキルアミン（好ましくはハロゲノ硫酸低級アルキル
エステルまたはハロゲン置換されている場合のあるメタ
ンスルホン酸低級アルキルエステルの場合に）を使うの
が好ましい。
ばハロゲン化水素酸例えば塩酸、臭化水素酸ま１こはよ
う化水素酸、硫酸またはフルオル硫酸のようなハロゲン
硫酸あるいは強い有機スルホン酸例えばふつ素のような
ハロゲンで置換されている場合のある低級アルカンスル
ホン酸、または芳香族スルホン酸例えばメチル基のよう
な低級アルキル基、臭素のようなハロゲン原子および（
または）ニトロ基で置換されていることのできるベンゼ
ンスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、トリフルオル
メタンスルホン酸またはｐ−トルエンスルホン酸とのエ
ステルである。これらエーテル化剤殊に硫酸ジメチルの
ような硫酸ジ低級アルキル、さらにフルオル硫酸メチル
のようなフルオル硫酸低級アルキルまたはトリフルオル
メタンスルホン酸メチルのようなハロゲン置換されてい
ることのできるメタンスルホン酸低級アルキルエステル
を一般には溶媒例えば塩素化のようなハロゲン化されて
いる場合のある脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例
えば塩化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフランの
ようなエーテル、メタノールのような低級アルカノール
またはそれらの混合物の中で使う。この場合に、適当な
縮合剤例えばナトリワムやカリウムのようなアルカリ金
属の炭酸塩または重炭酸塩（一般に硫酸エステルの場合
に）または有機塩基例えばＮ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ
−エチルアミンのような一般に立体障害のあるトリ低級
アルキルアミン（好ましくはハロゲノ硫酸低級アルキル
エステルまたはハロゲン置換されている場合のあるメタ
ンスルホン酸低級アルキルエステルの場合に）を使うの
が好ましい。
この反応を冷却、室温または加熱の下で例えば約−２０
〜５０℃でそして必要ならば密封容器内でそして（また
は）窒素のような不活性ガスの下で操作する。さらに、
脂肪族性の同一炭素原子に式 で示されるエーテル化された水酸基２〜３個をもつ化合
物すなわち相当するアセタールまたはオルトエステルで
酸性剤の存在の下で処理することによつて、エノールエ
ーテルを作ることもできる。
〜５０℃でそして必要ならば密封容器内でそして（また
は）窒素のような不活性ガスの下で操作する。さらに、
脂肪族性の同一炭素原子に式 で示されるエーテル化された水酸基２〜３個をもつ化合
物すなわち相当するアセタールまたはオルトエステルで
酸性剤の存在の下で処理することによつて、エノールエ
ーテルを作ることもできる。
従つて、エーテル化剤として例えば２，２−ジメトキシ
−プロパンのようなＧｅｍ一低級アルコキシ低級アルカ
ンをｐ−トルエンスルホン酸のような強い有機スルホン
酸の存在の下でそして適当な溶媒例えばメタノールのょ
うな低級アルカノールまたはジメチルスルホキシドのよ
うなジ低級アルキルーまたは低級アルキレンースルオキ
シドの存在の下で、またはオルトぎ酸トリエチルエステ
ルのようなオルトギ酸トリ低級アルキルエステルを硫酸
のような強い無機酸またはｐ−トルエンスルホン酸のよ
うな強い有機スルホン酸の存在の下でそして適当な溶媒
例えばエタノールのような低級アルカノールまたはジオ
キサンのようなエーテルの存在の下で使うことができ、
こうしてＲ３がメチル基またはエチル基のような低級ア
ルキル基である式（１）の化合物が得られる。さらに、
式（）の化合物を、式 （Ｒ３）３′Ａ○（Ｍ） で表わされるトリ−Ｒ３−オキゾニウム塩（いわゆるメ
ールワイン塩）または式（Ｒ３０）２Ｃ♂Ａ０（Ｖ） で表わされるジ−Ｒ３０−カルベユウム塩または式（Ｒ
３）２Ｈａ１（Ｔ）Ａ○（）（これらの式でＡＯは酸の
陰イオンでありそしてＸΦはブロモニワムイオンのよう
なハロニウムイオンである）で表わされるジ−Ｒ３−ノ
辺ニワム塩で処理する場合にも、式（１）のエノ一ルエ
ーテルが得られる。
−プロパンのようなＧｅｍ一低級アルコキシ低級アルカ
ンをｐ−トルエンスルホン酸のような強い有機スルホン
酸の存在の下でそして適当な溶媒例えばメタノールのょ
うな低級アルカノールまたはジメチルスルホキシドのよ
うなジ低級アルキルーまたは低級アルキレンースルオキ
シドの存在の下で、またはオルトぎ酸トリエチルエステ
ルのようなオルトギ酸トリ低級アルキルエステルを硫酸
のような強い無機酸またはｐ−トルエンスルホン酸のよ
うな強い有機スルホン酸の存在の下でそして適当な溶媒
例えばエタノールのような低級アルカノールまたはジオ
キサンのようなエーテルの存在の下で使うことができ、
こうしてＲ３がメチル基またはエチル基のような低級ア
ルキル基である式（１）の化合物が得られる。さらに、
式（）の化合物を、式 （Ｒ３）３′Ａ○（Ｍ） で表わされるトリ−Ｒ３−オキゾニウム塩（いわゆるメ
ールワイン塩）または式（Ｒ３０）２Ｃ♂Ａ０（Ｖ） で表わされるジ−Ｒ３０−カルベユウム塩または式（Ｒ
３）２Ｈａ１（Ｔ）Ａ○（）（これらの式でＡＯは酸の
陰イオンでありそしてＸΦはブロモニワムイオンのよう
なハロニウムイオンである）で表わされるジ−Ｒ３−ノ
辺ニワム塩で処理する場合にも、式（１）のエノ一ルエ
ーテルが得られる。
このような反応体として、主にトリ低級アルキルオキソ
ニウム塩、ジ低級アルコキシカルベニウム塩またはジ低
級アルキルハロニワム塩、殊に錯ふつ素含有酸との相当
する塩、例えば相当するテトラフルオルボレート、ヘキ
サフルオルホスフエー卜、ヘキサフルオルアンナモネー
トまたはヘキサクロルアンチモネートが挙けられる。こ
のような反応体は例えばトリメチルオキソニワムーまた
はトリエチルオキソユウムーヘキサフルオルアンチモネ
ート、−ヘキサクロルアンチモネート、−ヘキサフルオ
ルホスフエートまたは−テトラフルオルボレート、ジメ
トキシカルベニウムヘキサフルオルホスフエートまたは
ジメチルブロモニウムーヘキサフルオルアンチモネート
である。これらエーテル化剤を好ましくは不活性溶媒例
えばジエチルエーテルやテトラヒドロフランのようなエ
ーテルまたは塩化メチレンのようなハロゲン化さｆ１．
た炭化水素またはそれらの混合物の中で、必要ならば塩
基例えば好ましくは立体障害のあるトリ低級アルキルア
ミン例えばＮ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎエチルアミンの
ような有機塩基の存在の下でそして冷却、室温または僅
かに加熱の下で例えば約一２０〜＋５０℃で、必要なら
ば密封容器内でそして（または）窒素のような不活性ガ
スの下で使つＯさらに、式（■）の原料を、３一位置で
置換された１−Ｒ３−トリアゼン化合物（ＩＸ）（すな
わち、置換基−Ｎ−Ｎ−ＮＨ−Ｒ３をもつ化合物）で処
理することによつても、式（１）のエノ一ルエーテルが
作られる。
ニウム塩、ジ低級アルコキシカルベニウム塩またはジ低
級アルキルハロニワム塩、殊に錯ふつ素含有酸との相当
する塩、例えば相当するテトラフルオルボレート、ヘキ
サフルオルホスフエー卜、ヘキサフルオルアンナモネー
トまたはヘキサクロルアンチモネートが挙けられる。こ
のような反応体は例えばトリメチルオキソニワムーまた
はトリエチルオキソユウムーヘキサフルオルアンチモネ
ート、−ヘキサクロルアンチモネート、−ヘキサフルオ
ルホスフエートまたは−テトラフルオルボレート、ジメ
トキシカルベニウムヘキサフルオルホスフエートまたは
ジメチルブロモニウムーヘキサフルオルアンチモネート
である。これらエーテル化剤を好ましくは不活性溶媒例
えばジエチルエーテルやテトラヒドロフランのようなエ
ーテルまたは塩化メチレンのようなハロゲン化さｆ１．
た炭化水素またはそれらの混合物の中で、必要ならば塩
基例えば好ましくは立体障害のあるトリ低級アルキルア
ミン例えばＮ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎエチルアミンの
ような有機塩基の存在の下でそして冷却、室温または僅
かに加熱の下で例えば約一２０〜＋５０℃で、必要なら
ば密封容器内でそして（または）窒素のような不活性ガ
スの下で使つＯさらに、式（■）の原料を、３一位置で
置換された１−Ｒ３−トリアゼン化合物（ＩＸ）（すな
わち、置換基−Ｎ−Ｎ−ＮＨ−Ｒ３をもつ化合物）で処
理することによつても、式（１）のエノ一ルエーテルが
作られる。
この３一窒素原子の置換基は炭素原子を介して結合して
いる有機基好ましくは炭素環式アリール基、例えば置換
されている場合のあるフエニル基例えば４−メチルフエ
ニル基のような低級アルキルフエニル基である。このよ
うなトリアゼン化合物は３−アリール−１一低級アルキ
ルートリアゼン例えば３−（４−メチルフエニル）−１
−メチルートリアゼン、３−（４−メチルフエニル）１
−エチルートリアゼン、３−（４−メチルフ工ニル）−
１−ｎ−プロピルートリアゼンまたは３−（４−メチル
フエニル）−１−イソプロピルトリアゼン、３−アリー
ル−１一低級アルケニルートリアゼン例えば３−（４−
メチルフエニル）−アリルートリアゼンまたは３−アリ
ール−１フエニル低級アルキルートリアゼン例えば３−
（４−メチルフエニル）１−べンジルートリアゼンであ
る。これら反応体を一般に不活性溶媒例えばハロゲン化
されている場合のある炭化水素例えばベンゼンまたはエ
ーテルまたは溶媒混合物の中でそして冷却、室温または
好ましくは高めた温度の下で例えば約２０〜１０『Ｃで
、必要ならぱ密封容器内でそして（または）窒素のよう
な不活性ガ゛スの中で使う。上記のエーテル化反応にお
いては、原料および反応条件によつて、式（１）の純粋
な化合物またはこれと相当する２−セフエム化合物との
混合物が得られる。
いる有機基好ましくは炭素環式アリール基、例えば置換
されている場合のあるフエニル基例えば４−メチルフエ
ニル基のような低級アルキルフエニル基である。このよ
うなトリアゼン化合物は３−アリール−１一低級アルキ
ルートリアゼン例えば３−（４−メチルフエニル）−１
−メチルートリアゼン、３−（４−メチルフエニル）１
−エチルートリアゼン、３−（４−メチルフ工ニル）−
１−ｎ−プロピルートリアゼンまたは３−（４−メチル
フエニル）−１−イソプロピルトリアゼン、３−アリー
ル−１一低級アルケニルートリアゼン例えば３−（４−
メチルフエニル）−アリルートリアゼンまたは３−アリ
ール−１フエニル低級アルキルートリアゼン例えば３−
（４−メチルフエニル）１−べンジルートリアゼンであ
る。これら反応体を一般に不活性溶媒例えばハロゲン化
されている場合のある炭化水素例えばベンゼンまたはエ
ーテルまたは溶媒混合物の中でそして冷却、室温または
好ましくは高めた温度の下で例えば約２０〜１０『Ｃで
、必要ならぱ密封容器内でそして（または）窒素のよう
な不活性ガ゛スの中で使う。上記のエーテル化反応にお
いては、原料および反応条件によつて、式（１）の純粋
な化合物またはこれと相当する２−セフエム化合物との
混合物が得られる。
後者は、例えば２価クロム化合物のような重金属化合物
を含む式（ｆｌ）の原料を使う場合に生成するかまたは
この化合物をその製造に際して式（ＸＤの化合物から単
離せずに相当ずる不純な式（ＸＨ）の化合物を使う場合
に生成するかまたは塩基性条件下で反応させる場合に生
成する。こうして２−セフエム化合物に富んだものが得
られる。こうして得らｎた混合物をそれ自体公知の方法
例えば適当な分離方法によつて、例えばシリカゲルまた
は酸化アルミニウムのような適当な吸着剤と溶離剤とを
使うクロマトグラフイ（カラム、ぺーパーおよび薄クロ
マトグラフイ）を含めた吸着および分別溶離によつて、
さらに分別結晶化、溶媒分配その他によつて分離するこ
とができる。本発明方法ならびに所望によつては行うこ
とのできる追加工程においては、必要ならば、その原科
または本発明方法によつて得られる化合物中の反応に関
与しない遊離の官能性基を、例えば遊離アミノ基はこ指
を例えばアシルイトリチル化またはシリル化によつて、
遊離水酸基またはメルカプト基はこれを例えばエーテル
化またはエステル化によつてそして遊離カルボキシル基
はこれを例えばシリル化を含めたエステル化によつて、
予じめそれ自体公知の方法によつて一時的に保護しそし
て反応終了後にそれ自体公知の方法によつてそれらの基
を所望ならば個個にまたは同時に遊離させることができ
る。
を含む式（ｆｌ）の原料を使う場合に生成するかまたは
この化合物をその製造に際して式（ＸＤの化合物から単
離せずに相当ずる不純な式（ＸＨ）の化合物を使う場合
に生成するかまたは塩基性条件下で反応させる場合に生
成する。こうして２−セフエム化合物に富んだものが得
られる。こうして得らｎた混合物をそれ自体公知の方法
例えば適当な分離方法によつて、例えばシリカゲルまた
は酸化アルミニウムのような適当な吸着剤と溶離剤とを
使うクロマトグラフイ（カラム、ぺーパーおよび薄クロ
マトグラフイ）を含めた吸着および分別溶離によつて、
さらに分別結晶化、溶媒分配その他によつて分離するこ
とができる。本発明方法ならびに所望によつては行うこ
とのできる追加工程においては、必要ならば、その原科
または本発明方法によつて得られる化合物中の反応に関
与しない遊離の官能性基を、例えば遊離アミノ基はこ指
を例えばアシルイトリチル化またはシリル化によつて、
遊離水酸基またはメルカプト基はこれを例えばエーテル
化またはエステル化によつてそして遊離カルボキシル基
はこれを例えばシリル化を含めたエステル化によつて、
予じめそれ自体公知の方法によつて一時的に保護しそし
て反応終了後にそれ自体公知の方法によつてそれらの基
を所望ならば個個にまたは同時に遊離させることができ
る。
従つて、好ましくは例えばアシル基としてのＲ会または
ＲＰにおけるアミノ基、水酸基、カルボキシル基または
ホスホノ基を例えば前記のようなアシルアミノ基例えば
２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基、
２−ブロムエトキシカルボニルアミノ基、４−メトキシ
ベンジルオキシカルボニルアミノ酸、ジフエニルメトキ
シカルボニルアミノ基またはｔ−ブトキシカルボニルア
ミノ基の形で、アリールチオアミノ基またはアリール低
級アルキルチオアミノ基例えば２−ニトロフエニルチオ
アミノ基の形で、アリールスルホニルアミノ基例えば４
−メチルフエニルスルホニルアミノ基の形で、１一低級
アルコキシカルボニル−２−プロピリデンアミノ基の形
で、前記のようなアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基、２，２，２−トリクロルエトキシカ
ルボニルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニル
オキシ基の形で、前記のようなエステル化されたカルボ
キシル基例えばジフエニルメトキシカルボニル基の形で
あるいは前記のような０，０゛−ジ置換されたホスホノ
基例えば０，０゛−ジメチルホスホノ基のような０．０
″−ジ低級アルキルボスキノ基の形でそれぞＴｌ，抹護
しそして後に、場合によつてはその保護基を変換（例え
ば２−ブロムエトキシカルボニル基を２−ヨードエトキ
シカ・ルボニル基に）してわら、それ自体公知の方法に
ょつてそして保護基の種類によつて、例えば２，２，２
−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基または２−ヨ
ードエトキシカルボニルアミノ基はこれを含水酢酸の存
在下での亜鉛のような適当な還元・剤で処理−ジフエニ
ルメトキシカルボニルアミノ基やｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理
し、アリールチオアミノ基やアリール低級アルキルチオ
アミノ基はこれを亜硫酸のような親核性剤で処理−アリ
ールスルホニルアミノ基はこれを電解還元によつて、１
一低級アルコキシカルボニル−２−ブカピリデンアミノ
基はこれを無機酸水溶液で処理し、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処
理し、２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルオキ
シ基はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛のような化学的
還元剤で処理し、ジフエニルメトキシカルボニル基はこ
れをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理するかまたは加
水分解し、または０，σ−ジ置換されたホスホノ基はこ
れをアルカリ金属のハロゲン化物で処理して所望ならば
例えば部分的に分裂することができる。
ＲＰにおけるアミノ基、水酸基、カルボキシル基または
ホスホノ基を例えば前記のようなアシルアミノ基例えば
２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基、
２−ブロムエトキシカルボニルアミノ基、４−メトキシ
ベンジルオキシカルボニルアミノ酸、ジフエニルメトキ
シカルボニルアミノ基またはｔ−ブトキシカルボニルア
ミノ基の形で、アリールチオアミノ基またはアリール低
級アルキルチオアミノ基例えば２−ニトロフエニルチオ
アミノ基の形で、アリールスルホニルアミノ基例えば４
−メチルフエニルスルホニルアミノ基の形で、１一低級
アルコキシカルボニル−２−プロピリデンアミノ基の形
で、前記のようなアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基、２，２，２−トリクロルエトキシカ
ルボニルオキシ基または２−ブロムエトキシカルボニル
オキシ基の形で、前記のようなエステル化されたカルボ
キシル基例えばジフエニルメトキシカルボニル基の形で
あるいは前記のような０，０゛−ジ置換されたホスホノ
基例えば０，０゛−ジメチルホスホノ基のような０．０
″−ジ低級アルキルボスキノ基の形でそれぞＴｌ，抹護
しそして後に、場合によつてはその保護基を変換（例え
ば２−ブロムエトキシカルボニル基を２−ヨードエトキ
シカ・ルボニル基に）してわら、それ自体公知の方法に
ょつてそして保護基の種類によつて、例えば２，２，２
−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基または２−ヨ
ードエトキシカルボニルアミノ基はこれを含水酢酸の存
在下での亜鉛のような適当な還元・剤で処理−ジフエニ
ルメトキシカルボニルアミノ基やｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理
し、アリールチオアミノ基やアリール低級アルキルチオ
アミノ基はこれを亜硫酸のような親核性剤で処理−アリ
ールスルホニルアミノ基はこれを電解還元によつて、１
一低級アルコキシカルボニル−２−ブカピリデンアミノ
基はこれを無機酸水溶液で処理し、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処
理し、２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルオキ
シ基はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛のような化学的
還元剤で処理し、ジフエニルメトキシカルボニル基はこ
れをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理するかまたは加
水分解し、または０，σ−ジ置換されたホスホノ基はこ
れをアルカリ金属のハロゲン化物で処理して所望ならば
例えば部分的に分裂することができる。
本発明方法によつて得られた、式−Ｃ（＝Ｏ）゜一？の
保護殊にエステル化されたカルボキシル基をもつ式（１
）の化合物において、これをそれ自体公知の方法によつ
て、例えば基酢の種類によつて、遊離カルボキシル基に
変えることができる。
保護殊にエステル化されたカルボキシル基をもつ式（１
）の化合物において、これをそれ自体公知の方法によつ
て、例えば基酢の種類によつて、遊離カルボキシル基に
変えることができる。
適当な２−ハロゲノ低級アルキル基またはアリールカル
ボニルメチル基でエステル化されたカルボ．キシル基は
これを例えば化学的還元剤例えば亜鉛のような金属また
は２価クロム塩例えば２価クロムの塩化物のような還元
性金属塩で、一般にその金属によつて発生期の水素を生
成することのできる水素給体例えば酸王に酢酸またはぎ
酸あるいはアルコール（好ましくはこれらに水を加える
）の存在の下で処理することによつて、またアリールカ
ルボニルメチル基でエステル化されたカルボキシル基は
これをナトリウムチオフェノラードまたはよう化ナトリ
ウムのような親核性の好ましくは塩形成性の反応剤で処
理することによつて、また適当なアリールメチル基でエ
ステル化されたカルボキシル基はこれを例えば照射によ
つてし好ましくはそのアリールメチル基が３−、４−お
よび（または）５一位置において例えば低級アルコキシ
基および（または）ニトロ一基で置換されている場合の
あるベンジル基であｎば例えば２９０ｒｎμ以下の紫外
線を使いそしてそのアリールメチル基が例えば２一位置
でニトロ基によつて置換されたベンジル基であれば例え
ば２９０ｍμ以上の長波長紫外線を使う〕、またｔ−ブ
チル基やジフエニルメチル基のような適当に置換さＦｌ
．たメチル基でエステル化されたカルボキシル基はこれ
を例えばぎ酸またはトリフルオル酢酸のような適当な酸
性剤で、場合によつてはフエノールやアユソールのよう
な親核性化合物を加えて処理することによつて、また活
性エステル化されたカルボキシル基およびまた無水物の
形にあるカルボキシル基はこれを加水分解例えば塩酸、
炭駿水素ナトリウム水溶液またはＰＨ約７〜９のりん酸
カリウム緩衝水溶液のような酸性または弱塩基性の水性
剤で処理することによつて、そしてまた水素添加分解で
分裂できるエステル化されたカルボキシル基はこれを例
えばパラジウム触媒のような貴金属触媒の存在の下で水
素で処理することによつて分裂させることができる。
ボニルメチル基でエステル化されたカルボ．キシル基は
これを例えば化学的還元剤例えば亜鉛のような金属また
は２価クロム塩例えば２価クロムの塩化物のような還元
性金属塩で、一般にその金属によつて発生期の水素を生
成することのできる水素給体例えば酸王に酢酸またはぎ
酸あるいはアルコール（好ましくはこれらに水を加える
）の存在の下で処理することによつて、またアリールカ
ルボニルメチル基でエステル化されたカルボキシル基は
これをナトリウムチオフェノラードまたはよう化ナトリ
ウムのような親核性の好ましくは塩形成性の反応剤で処
理することによつて、また適当なアリールメチル基でエ
ステル化されたカルボキシル基はこれを例えば照射によ
つてし好ましくはそのアリールメチル基が３−、４−お
よび（または）５一位置において例えば低級アルコキシ
基および（または）ニトロ一基で置換されている場合の
あるベンジル基であｎば例えば２９０ｒｎμ以下の紫外
線を使いそしてそのアリールメチル基が例えば２一位置
でニトロ基によつて置換されたベンジル基であれば例え
ば２９０ｍμ以上の長波長紫外線を使う〕、またｔ−ブ
チル基やジフエニルメチル基のような適当に置換さＦｌ
．たメチル基でエステル化されたカルボキシル基はこれ
を例えばぎ酸またはトリフルオル酢酸のような適当な酸
性剤で、場合によつてはフエノールやアユソールのよう
な親核性化合物を加えて処理することによつて、また活
性エステル化されたカルボキシル基およびまた無水物の
形にあるカルボキシル基はこれを加水分解例えば塩酸、
炭駿水素ナトリウム水溶液またはＰＨ約７〜９のりん酸
カリウム緩衝水溶液のような酸性または弱塩基性の水性
剤で処理することによつて、そしてまた水素添加分解で
分裂できるエステル化されたカルボキシル基はこれを例
えばパラジウム触媒のような貴金属触媒の存在の下で水
素で処理することによつて分裂させることができる。
保護例えばシリル化またはスタニル化によつて保護され
ているカルボキシル基は、こｎを常法によつて例えば水
またはアルコールで処理して遊離することができる。
ているカルボキシル基は、こｎを常法によつて例えば水
またはアルコールで処理して遊離することができる。
式（１）において？と蹟とがアシル化基である化合物冫
こおいては、これらの基の１方（好ましくは立体障害の
少い方）を例えば加水分解またはアミノリンスによつて
選択的に除去することができる。
こおいては、これらの基の１方（好ましくは立体障害の
少い方）を例えば加水分解またはアミノリンスによつて
選択的に除去することができる。
得られた式（１）の化合物をそれ自体公知の方法によつ
て式（１）の他の化合物に変えることができる。
て式（１）の他の化合物に変えることができる。
すなわち、得られた化合物において、例えばアミノ保護
基糟または蹟、殊に容易に分裂できるアシル基をそれ自
体公知の方法によつて分裂することができそして他のア
ミノ保護基で置換することができる。
基糟または蹟、殊に容易に分裂できるアシル基をそれ自
体公知の方法によつて分裂することができそして他のア
ミノ保護基で置換することができる。
従つて、例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基のようなｄ
一位置で高度に分枝した低級アルコキシカルボニル基は
こｎをトリフルオル酢酸で処理することによつて、また
２，２，２−トリクロルエトキシカルボニル基や２−ヨ
ードエトキシカルボニル基のような２−ハロゲン低級ア
ルコキシカルボニル基またはフエナシルオキシカルボニ
ル基はこれを適当な還元性金属または相当する金属化合
物例えば亜鉛または２価クロムの塩化物や酢酸塩のよう
な２価クロム化合物で、有利にはこの金属または金属化
合物といつしよに発生期の水素を生成するような水素給
体の存在の下で、好ましくは含水酢酸の存在の下で処理
することによつて、分裂することがでさる。さらに、式
（１）の得られた化合物において、式−Ｃ（−０）−Ｒ
２のカルボキシル基が好ましくは例えばシリル化を含め
たエステル化によつて、例えばトリメチルクロルシラン
のような適当な有機ハロゲノσい素化合物またはトリ−
ｎ−ブチルすずクロライドのような有機・・ロゲノすず
（）化合物との反応によつて保護されたカルボキシル基
である場合には、アシル基酩（この基中に存在すること
のできる遊離の官能性基は場合によつては保護されてい
ることができる）を除去するように、イミド−ハライド
形成剤で処理し、得られたイミド−ハライドをアルコー
ルと反応させそしてこうして生成したイミノエーテルを
分裂することができる。
一位置で高度に分枝した低級アルコキシカルボニル基は
こｎをトリフルオル酢酸で処理することによつて、また
２，２，２−トリクロルエトキシカルボニル基や２−ヨ
ードエトキシカルボニル基のような２−ハロゲン低級ア
ルコキシカルボニル基またはフエナシルオキシカルボニ
ル基はこれを適当な還元性金属または相当する金属化合
物例えば亜鉛または２価クロムの塩化物や酢酸塩のよう
な２価クロム化合物で、有利にはこの金属または金属化
合物といつしよに発生期の水素を生成するような水素給
体の存在の下で、好ましくは含水酢酸の存在の下で処理
することによつて、分裂することがでさる。さらに、式
（１）の得られた化合物において、式−Ｃ（−０）−Ｒ
２のカルボキシル基が好ましくは例えばシリル化を含め
たエステル化によつて、例えばトリメチルクロルシラン
のような適当な有機ハロゲノσい素化合物またはトリ−
ｎ−ブチルすずクロライドのような有機・・ロゲノすず
（）化合物との反応によつて保護されたカルボキシル基
である場合には、アシル基酩（この基中に存在すること
のできる遊離の官能性基は場合によつては保護されてい
ることができる）を除去するように、イミド−ハライド
形成剤で処理し、得られたイミド−ハライドをアルコー
ルと反応させそしてこうして生成したイミノエーテルを
分裂することができる。
この反応の過程中に、保護例えば有機シリル基で保護し
ておいたカルボキシル基を遊離させることができる。ハ
ロゲン原子が親電子性中心原子に結合しているイミド−
ハライド形成剤はとりわけ酸ハロゲン化物．例えば酸臭
化物および特に酸塩化物である。
ておいたカルボキシル基を遊離させることができる。ハ
ロゲン原子が親電子性中心原子に結合しているイミド−
ハライド形成剤はとりわけ酸ハロゲン化物．例えば酸臭
化物および特に酸塩化物である。
これらは王として無機酸とりわけりん含有酸の酸ハロゲ
ン化物例えばオキシハロゲン化りん、３ハロゲン化りん
および特に５ハロゲン化りん、例えばオキシ塩化りん、
３塩化りんおよび主に５塩化りん、ならびにピロカテキ
ル一３塩化りん、ならびにいおう含有酸またはカルボン
酸の酸ハロゲン化物特に塩化物、例えば塩化チオニル、
ホスゲンまたは塩化オキザリルである。上記イミド−ハ
ライド形成剤の１つと反応させるには、一般に適当な塩
基特に有機塩基とりわけ第３アミン例えば第３脂肪族モ
ノアミンまたはジアミン例えばトリ一低級アルキルアミ
ン例えばトリメチルアミン、トリエチルアミンまたはＮ
，Ｎ一ジイソプロピル一Ｎ−エチル−アミン、さらにＮ
，Ｎ，マ，Ｎ′−テトラ−低級アルキル一低級アルキレ
ンジアミン例えばＮ，Ｎ，Ｎ″，Ｎ′−テトラメチル−
１，５−ペンチレンジアミンま１こはＮ，Ｎ，Ｎ゛，Ｎ
５テトラメチル−１，６−ヘキシレンジアミン、単環式
または２環式のモノアミンまたはジアミン例えばＮ一置
換（例えは、Ｎ一低級アルキル化）されたアルキレンア
ミン、アザアルキレンアミンまたはオキサアルキレンア
ミン例えばＮ−メチルピペリジンまたはＮ−メチルモル
ホリン、または２，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ
ーピローロ〔１，２−ａ〕ピリミジン（すなわち、ジア
ザビシクロノネン、ＢＥＮ）、または第３芳香族アミン
例えばジ一低級アルキルアニリン例えばＮ，Ｎ−ジメチ
ルアニリンまたはとりわσ第３複素環式単環式または２
環式塩基例えばキノリンやイソキノリン、特にピリジン
の存在の下で、好ましくはノ司ゲン化（例えば、塩素化
）されている場合のある脂肪族または芳香族炭化水素例
えば塩化メチレンのような溶媒の存在の下で反応させる
。
ン化物例えばオキシハロゲン化りん、３ハロゲン化りん
および特に５ハロゲン化りん、例えばオキシ塩化りん、
３塩化りんおよび主に５塩化りん、ならびにピロカテキ
ル一３塩化りん、ならびにいおう含有酸またはカルボン
酸の酸ハロゲン化物特に塩化物、例えば塩化チオニル、
ホスゲンまたは塩化オキザリルである。上記イミド−ハ
ライド形成剤の１つと反応させるには、一般に適当な塩
基特に有機塩基とりわけ第３アミン例えば第３脂肪族モ
ノアミンまたはジアミン例えばトリ一低級アルキルアミ
ン例えばトリメチルアミン、トリエチルアミンまたはＮ
，Ｎ一ジイソプロピル一Ｎ−エチル−アミン、さらにＮ
，Ｎ，マ，Ｎ′−テトラ−低級アルキル一低級アルキレ
ンジアミン例えばＮ，Ｎ，Ｎ″，Ｎ′−テトラメチル−
１，５−ペンチレンジアミンま１こはＮ，Ｎ，Ｎ゛，Ｎ
５テトラメチル−１，６−ヘキシレンジアミン、単環式
または２環式のモノアミンまたはジアミン例えばＮ一置
換（例えは、Ｎ一低級アルキル化）されたアルキレンア
ミン、アザアルキレンアミンまたはオキサアルキレンア
ミン例えばＮ−メチルピペリジンまたはＮ−メチルモル
ホリン、または２，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ
ーピローロ〔１，２−ａ〕ピリミジン（すなわち、ジア
ザビシクロノネン、ＢＥＮ）、または第３芳香族アミン
例えばジ一低級アルキルアニリン例えばＮ，Ｎ−ジメチ
ルアニリンまたはとりわσ第３複素環式単環式または２
環式塩基例えばキノリンやイソキノリン、特にピリジン
の存在の下で、好ましくはノ司ゲン化（例えば、塩素化
）されている場合のある脂肪族または芳香族炭化水素例
えば塩化メチレンのような溶媒の存在の下で反応させる
。
この反応においては、イミド−ハライド形成剤，および
塩基をほぼ当モル量で使うことができるが、塩基を過剰
にまたは当量より少い量で、例えば約０．２〜１倍量ま
たは約１０倍の過剰量までの量、特に約３〜５倍過剰量
の量で使うこともできる。このイミド−ハライド形成剤
との反応を冷却しながら、例えば約−５０〜＋１０℃で
行うのが好ましいが、原料の安定性および生成物の安定
性が一層高い温度を許容するならば一層高い温度すなわ
ち例えば約７５℃までの温度で反応させることもできる
。
塩基をほぼ当モル量で使うことができるが、塩基を過剰
にまたは当量より少い量で、例えば約０．２〜１倍量ま
たは約１０倍の過剰量までの量、特に約３〜５倍過剰量
の量で使うこともできる。このイミド−ハライド形成剤
との反応を冷却しながら、例えば約−５０〜＋１０℃で
行うのが好ましいが、原料の安定性および生成物の安定
性が一層高い温度を許容するならば一層高い温度すなわ
ち例えば約７５℃までの温度で反応させることもできる
。
こうして生成したイミド−ハライド生成物を一般に単離
しないで、好ましくは前記塩基の１つの存在の下で、ア
ルコールと反応させてイミノエーテルを得る。
しないで、好ましくは前記塩基の１つの存在の下で、ア
ルコールと反応させてイミノエーテルを得る。
アルコールとしては例えば脂肪族または芳香脂肪族アル
コール、とりわけ・・ロゲン化（例えば塩素化）のよう
な置換されている場合のある低級アルカノールまたは別
に水酸基をさらにもつ低級アルカノール、例えばエタノ
ール、ｎプロパノール、イソプロパノール２ｎ−ブタノ
ール、特にメタノール、ならびに２，２，２−トリクロ
ルエタノールや２−ブロムエタノールのような２一ハロ
ゲン低級アルカノール、およびまた置換されている場合
のあるフエニル一低級アルカノール例えばベンジルアル
コールが適する。このアルコールを一般に過剰量例えば
約１００倍までの過剰量で使い、そしてその工程を冷却
しながら例えば約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましい
。こうして生成したイミノエーテル生成物を有利には単
離せずに分裂することができる。
コール、とりわけ・・ロゲン化（例えば塩素化）のよう
な置換されている場合のある低級アルカノールまたは別
に水酸基をさらにもつ低級アルカノール、例えばエタノ
ール、ｎプロパノール、イソプロパノール２ｎ−ブタノ
ール、特にメタノール、ならびに２，２，２−トリクロ
ルエタノールや２−ブロムエタノールのような２一ハロ
ゲン低級アルカノール、およびまた置換されている場合
のあるフエニル一低級アルカノール例えばベンジルアル
コールが適する。このアルコールを一般に過剰量例えば
約１００倍までの過剰量で使い、そしてその工程を冷却
しながら例えば約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましい
。こうして生成したイミノエーテル生成物を有利には単
離せずに分裂することができる。
このイミノエーテルの分裂は適当なヒドロキシ化合物で
処理することによつて、好ましくは加水分解またはさら
にアルコーリシスによつて達せられる（このアルコーリ
シスを前記イミノエーテルの生成に引続いて過剰量のア
ルコールを使つて行うことができる）。この際に水、ま
たはアルコール特にメタノールのような低級アルカノー
ル、またはアルコールのような有機溶媒の水との混合物
を使うのが好ましい。この工程を一般に酸性媒質中で例
えば約１〜５のＰＨ値で行い、そしてこのＰＨ値は、必
要ならば、塩基性剤例えば水酸化ナトリウムや水酸化カ
リウムのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液または酸
例えば塩酸、硫酸、りん酸、ふっ化はう素酸、トリフル
オル酢酸またはｐ−トルエンスルホン酸のような無機酸
または有機酸を加えることによつて調整することができ
る。上記のアシル基を分裂するための３段階工程を、途
中でイミド−ハライドおよびイミノエーテル中間体を単
離せずに、一般にはそれら反応体に対し不活性な有機溶
媒例えば塩化メチレンのようなハロゲン化されている場
合のある炭化水素の存在下でそして（または）窒素ガス
のような不活性ガスの中で行うのが有利である。
処理することによつて、好ましくは加水分解またはさら
にアルコーリシスによつて達せられる（このアルコーリ
シスを前記イミノエーテルの生成に引続いて過剰量のア
ルコールを使つて行うことができる）。この際に水、ま
たはアルコール特にメタノールのような低級アルカノー
ル、またはアルコールのような有機溶媒の水との混合物
を使うのが好ましい。この工程を一般に酸性媒質中で例
えば約１〜５のＰＨ値で行い、そしてこのＰＨ値は、必
要ならば、塩基性剤例えば水酸化ナトリウムや水酸化カ
リウムのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液または酸
例えば塩酸、硫酸、りん酸、ふっ化はう素酸、トリフル
オル酢酸またはｐ−トルエンスルホン酸のような無機酸
または有機酸を加えることによつて調整することができ
る。上記のアシル基を分裂するための３段階工程を、途
中でイミド−ハライドおよびイミノエーテル中間体を単
離せずに、一般にはそれら反応体に対し不活性な有機溶
媒例えば塩化メチレンのようなハロゲン化されている場
合のある炭化水素の存在下でそして（または）窒素ガス
のような不活性ガスの中で行うのが有利である。
上記の方法によつて得られるイミド−ハライド中間体を
アルコールと反応させる代りにカルボン酸特に立体障害
のあるカルボン酸のアルカリ金属塩のような塩と反応さ
せれば、式（１）における踏と蹟とが共にアシル基であ
る化合物が得られる。
アルコールと反応させる代りにカルボン酸特に立体障害
のあるカルボン酸のアルカリ金属塩のような塩と反応さ
せれば、式（１）における踏と蹟とが共にアシル基であ
る化合物が得られる。
式（１）における基梢とＲｌ６とがいずれもアシル基で
ある化合物においては、これらの基の１方好ましくは立
体障害の少い方の基を選択的に例えば加水分解またはア
ミノリンスによつて除くことができる。
ある化合物においては、これらの基の１方好ましくは立
体障害の少い方の基を選択的に例えば加水分解またはア
ミノリンスによつて除くことができる。
式（１）の化合物においてＲ↑とＲヤとがそれらの結合
している窒素原子と共にフタルイミド基を表わす場合に
は、これを例えばヒドラジノリシスによつて（すなわち
、このような化合物をヒドラジンで処理することによつ
て）遊離アミノ基に変えることができる。
している窒素原子と共にフタルイミド基を表わす場合に
は、これを例えばヒドラジノリシスによつて（すなわち
、このような化合物をヒドラジンで処理することによつ
て）遊離アミノ基に変えることができる。
本発明方法によつて得た化合物におσるアシルアミノ基
のアシル基Ｒ↑の中では、例えば５−アミノ−５−カル
ボキシーバレリル基〔そのカルボキシル基は例えばエス
テル化によつて、特にジフエニルメチル基によつて、そ
して（または）アミノ基は例えばアシル化によつて、特
に有機カルボン酸のアシル基例えばジクロルアセチル基
のようハロゲン低級アルカノイル基またはプタロール基
によつて保護されていることもできる〕は塩化ニトロシ
ルのようなユトロシル化剤、ベンゼンジアゾニウムクロ
ライドのような炭素環式アレンージアゾユウム塩または
Ｎ−ハロゲン−アミドまたはＮ−ハロゲン−イミド例え
ばＮ−プロムこはく酸イミドのような陽性ハロゲン原子
を供与する反応剤で、好ましくは適当な溶媒または溶媒
混合物、例えばニトロ一低級アルカンまたはシアノ一低
級アルカンといつしよにぎ酸の中で処理し、その反応生
成物を水または低級アルカノール例えばメタノールのよ
うな水酸基をもつ化合物と混合するか、または基Ｒ合と
しての５−アミノ−５−カルボキシーバレリル基におけ
るアミノ基が未置換でありそしてカルボキシル基が例え
ばエステル化によつて保護されておりそしてＲヤがアシ
ル振であるのが好ましいが水素原子であることもできる
場合には、ジオキサンまたはハロゲン化された脂肪族炭
化水素例えば塩化メチレンのような適当な溶媒の申で放
置し、そして必要ならばこうして生成した遊離のまたは
モノアシル化されたアミノ化合物をそｎ自体公知の方法
によつて後処理することによつて、分裂させることがで
きる。
のアシル基Ｒ↑の中では、例えば５−アミノ−５−カル
ボキシーバレリル基〔そのカルボキシル基は例えばエス
テル化によつて、特にジフエニルメチル基によつて、そ
して（または）アミノ基は例えばアシル化によつて、特
に有機カルボン酸のアシル基例えばジクロルアセチル基
のようハロゲン低級アルカノイル基またはプタロール基
によつて保護されていることもできる〕は塩化ニトロシ
ルのようなユトロシル化剤、ベンゼンジアゾニウムクロ
ライドのような炭素環式アレンージアゾユウム塩または
Ｎ−ハロゲン−アミドまたはＮ−ハロゲン−イミド例え
ばＮ−プロムこはく酸イミドのような陽性ハロゲン原子
を供与する反応剤で、好ましくは適当な溶媒または溶媒
混合物、例えばニトロ一低級アルカンまたはシアノ一低
級アルカンといつしよにぎ酸の中で処理し、その反応生
成物を水または低級アルカノール例えばメタノールのよ
うな水酸基をもつ化合物と混合するか、または基Ｒ合と
しての５−アミノ−５−カルボキシーバレリル基におけ
るアミノ基が未置換でありそしてカルボキシル基が例え
ばエステル化によつて保護されておりそしてＲヤがアシ
ル振であるのが好ましいが水素原子であることもできる
場合には、ジオキサンまたはハロゲン化された脂肪族炭
化水素例えば塩化メチレンのような適当な溶媒の申で放
置し、そして必要ならばこうして生成した遊離のまたは
モノアシル化されたアミノ化合物をそｎ自体公知の方法
によつて後処理することによつて、分裂させることがで
きる。
Ａ
ホルミル基Ｒ１は、酸性剤例えばｐ−トルエンスルホン
酸または塩酸、弱塩基性剤例えば希薄なアンモニアまた
は脱カルボニル化剤例えばトリス一（トリフエニルホス
フイン）一ロジウムクロライドで処理することによつて
除去することもできる。
酸または塩酸、弱塩基性剤例えば希薄なアンモニアまた
は脱カルボニル化剤例えばトリス一（トリフエニルホス
フイン）一ロジウムクロライドで処理することによつて
除去することもできる。
トリチル基のょうなトリアリールメチル基酩は、例えば
無機酸のような酸性剤例えば塩酸で処理することによつ
て除去できる。
無機酸のような酸性剤例えば塩酸で処理することによつ
て除去できる。
７ー位置に遊離アミノ基をもつ得られた化合物において
、この基をそれ自体公知の方法によつて置換することが
でき、殊にカルボン酸のような酸またはその反応性誘導
体で処理してアシル化することができる。
、この基をそれ自体公知の方法によつて置換することが
でき、殊にカルボン酸のような酸またはその反応性誘導
体で処理してアシル化することができる。
このアシル化に遊離酸（この酸が官能性基例えばアミノ
基をもつ場合には、これを保護して８くのが好ましい）
を使う場合には、一般に適当な縮合剤例えばカルボジイ
ミド例えばＮ，Ｎ゛−ジエチル−、Ｎ，イージプロピル
一Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ，Ｋ−ジシクロヘキシル
−またはＮ−エチル−Ｎ”−３−ジメチルアミノプロピ
ル−カルボジイミド、適当なカルボニル化合物例えばカ
ルボニルジイミダヅールまたはイソオキサゾリニワム塩
、例えばＮ−エチル−５−フエニルーイソオキサゾリニ
ウム一３−スルホネートおよびＮｔ−ブチル−５−メチ
ルーイソオキサゾリニウムパークロレート、または適当
なアリルアミノ化合物例えば２−エトキシ−１−エトキ
シカルボニル１，２−ジヒドロキノリンを使う。
基をもつ場合には、これを保護して８くのが好ましい）
を使う場合には、一般に適当な縮合剤例えばカルボジイ
ミド例えばＮ，Ｎ゛−ジエチル−、Ｎ，イージプロピル
一Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ，Ｋ−ジシクロヘキシル
−またはＮ−エチル−Ｎ”−３−ジメチルアミノプロピ
ル−カルボジイミド、適当なカルボニル化合物例えばカ
ルボニルジイミダヅールまたはイソオキサゾリニワム塩
、例えばＮ−エチル−５−フエニルーイソオキサゾリニ
ウム一３−スルホネートおよびＮｔ−ブチル−５−メチ
ルーイソオキサゾリニウムパークロレート、または適当
なアリルアミノ化合物例えば２−エトキシ−１−エトキ
シカルボニル１，２−ジヒドロキノリンを使う。
この縮合反応を後に述べる無水反応媒質例えば０υ塩化
メチレン、ジメチルホルムアミドまたはアセトニトリル
の中で行うのが好ましい。
メチレン、ジメチルホルムアミドまたはアセトニトリル
の中で行うのが好ましい。
また、アミドの形式に使う酸の官能性誘導体（これはア
ミノ基のような官能性基をもつ場合にはこの基を保護し
ておくのが好ましい）としては、主にこのような酸の無
水物、好ましくは混合無水物である。
ミノ基のような官能性基をもつ場合にはこの基を保護し
ておくのが好ましい）としては、主にこのような酸の無
水物、好ましくは混合無水物である。
混合無水物は例えば無機酸殊にハロゲン化水素酸との無
水物すなわち相当する酸ハロゲン化物例えば酸塩化物ま
たは臭化物、さらにアジ化水素酸との無水物すなわち相
当する酸アチド、りん含有酸例えばりん酸または亜りん
酸、いおう含有酸例えば硫酸またはシアン化水素酸との
無水物である。他の適する無水物は例えば有機酸例えば
ふつ素または塩素原子のようなノ釦ゲン原子で置換され
ている場合のある低級アルカンカルボン酸のような有機
カルボン酸例えばビパル酸またはトリクロル酢酸との無
水物または炭酸の半エステル例えばエチル半エステルや
イソブチル半エステルのような特に低級アルキル半エス
テルとの無水物あるいは有機殊に脂肪族または芳香族ス
ルホン酸例えばｐ−トルエンスルホン酸との無水物でゐ
る。さらに、アシル化剤として分子内無水物、例えばジ
ケテンのようなケテン、イソシアネート（すなわち、カ
ルバミン酸化合物の分子内無水物）、またはカルボキシ
置換された水酸基またはアミノ基をもつカルボン酸化゛
合物の分子内無水物例えばマンデル酸−０−カルボキシ
アンハイドライドまたは１−Ｎ−カルボキシアミノ−シ
クロヘキサンカルボン酸の無水物を使うことができる。
水物すなわち相当する酸ハロゲン化物例えば酸塩化物ま
たは臭化物、さらにアジ化水素酸との無水物すなわち相
当する酸アチド、りん含有酸例えばりん酸または亜りん
酸、いおう含有酸例えば硫酸またはシアン化水素酸との
無水物である。他の適する無水物は例えば有機酸例えば
ふつ素または塩素原子のようなノ釦ゲン原子で置換され
ている場合のある低級アルカンカルボン酸のような有機
カルボン酸例えばビパル酸またはトリクロル酢酸との無
水物または炭酸の半エステル例えばエチル半エステルや
イソブチル半エステルのような特に低級アルキル半エス
テルとの無水物あるいは有機殊に脂肪族または芳香族ス
ルホン酸例えばｐ−トルエンスルホン酸との無水物でゐ
る。さらに、アシル化剤として分子内無水物、例えばジ
ケテンのようなケテン、イソシアネート（すなわち、カ
ルバミン酸化合物の分子内無水物）、またはカルボキシ
置換された水酸基またはアミノ基をもつカルボン酸化゛
合物の分子内無水物例えばマンデル酸−０−カルボキシ
アンハイドライドまたは１−Ｎ−カルボキシアミノ−シ
クロヘキサンカルボン酸の無水物を使うことができる。
また、遊離アミノ基との反応に適する他の酸誘導体は活
性化されたエステル（これが官能性基をもつ場合には一
般にこれを保護しておくのが好ましい）、例えばビニル
属低級アルカノールのようなビニル属アルコール（すな
わち、エノール）とのエステル、またはアリールエステ
ル例えば好ましくは例えばニトロ基または塩素のような
ハロゲン原子で置換されたフエニルエステル例えばペン
タクロルフエニルエステル、４−ニトロフエニルエステ
ルまたは２，４−ジニトロフエニルエステル、ヘテロ芳
香族エステル例えばベンズトリアゾールエステル、また
はサクシニルイミノエステルやフタリルイミノエステル
のようなジアシルイミノエステルである。
性化されたエステル（これが官能性基をもつ場合には一
般にこれを保護しておくのが好ましい）、例えばビニル
属低級アルカノールのようなビニル属アルコール（すな
わち、エノール）とのエステル、またはアリールエステ
ル例えば好ましくは例えばニトロ基または塩素のような
ハロゲン原子で置換されたフエニルエステル例えばペン
タクロルフエニルエステル、４−ニトロフエニルエステ
ルまたは２，４−ジニトロフエニルエステル、ヘテロ芳
香族エステル例えばベンズトリアゾールエステル、また
はサクシニルイミノエステルやフタリルイミノエステル
のようなジアシルイミノエステルである。
他のアシル化剤辿して、例えば酸の置換されたホルムイ
ミノ誘導体例えば置換されたＮ，Ｎ−ジメチルクロムホ
ルムイミノ誘導体、またはＮ，Ｎ−ジアシル化アニリン
のようなＮ一置換Ｎ，Ｎ−ジアシルアミンがある。
ミノ誘導体例えば置換されたＮ，Ｎ−ジメチルクロムホ
ルムイミノ誘導体、またはＮ，Ｎ−ジアシル化アニリン
のようなＮ一置換Ｎ，Ｎ−ジアシルアミンがある。
無水物または殊に酸ハロゲン化物のような酸誘導体でア
シル化するには、酸結合剤例えば有機アミンのような有
機塩基例えば第３アミン例えばトリエチルアミンのよう
なトリ低級アルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
のようなＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアニリンまたはピリジ
ン型の塩基例えばピリジン、無機塩基例えばアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩または重
炭酸塩例えばナトリウム、カリウムまたはカルシウムの
水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩、またはオキシラン例
えばエチレンオキシドやプロピレンオキシドのような低
級１，２−アルキレンオキシドの存在の下で行うことが
できる。
シル化するには、酸結合剤例えば有機アミンのような有
機塩基例えば第３アミン例えばトリエチルアミンのよう
なトリ低級アルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
のようなＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアニリンまたはピリジ
ン型の塩基例えばピリジン、無機塩基例えばアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩または重
炭酸塩例えばナトリウム、カリウムまたはカルシウムの
水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩、またはオキシラン例
えばエチレンオキシドやプロピレンオキシドのような低
級１，２−アルキレンオキシドの存在の下で行うことが
できる。
上記のアシル化を水性または好ましくは非水性溶媒また
は溶媒混合物、例えばＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアミド例
えばジメチルホルムアミドのようなカルボン酸アミド、
塩化メチレン、４塩化炭素またはクロルベンゼンのよう
なハロゲン化された炭化水素、アセトンのようなケトン
、酢酸エチルのようなエステルまたはアセトニトリルの
ようなニトリルまたはそれらの混合物の中でそして必要
ならば低めた温度または高めた温度でそして（または）
窒素のような不活性ガスの下で行うことができる。
は溶媒混合物、例えばＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアミド例
えばジメチルホルムアミドのようなカルボン酸アミド、
塩化メチレン、４塩化炭素またはクロルベンゼンのよう
なハロゲン化された炭化水素、アセトンのようなケトン
、酢酸エチルのようなエステルまたはアセトニトリルの
ようなニトリルまたはそれらの混合物の中でそして必要
ならば低めた温度または高めた温度でそして（または）
窒素のような不活性ガスの下で行うことができる。
上記のＮ−アシル化反応では、式（１）の化合物として
Ｒ２が前記の意味をもつものから出発することができる
。
Ｒ２が前記の意味をもつものから出発することができる
。
この場合に、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２の遊離カルボキシル
基（すなわち、Ｒ２は水酸基）をもつ化合物を、塩例え
ばトリエチルアミン塩のようなアンモニウム塩の形でま
たは適当な有機ハロゲン化りん化合物例えばメチル−２
塩化りん、エチル−２臭化りんまたはメトキシ−２塩化
りんのような低級アルキル一または低級アルコキシ一り
ん−ジハライドとの反応によつて保護されたカルボキシ
ル基をもつ化合物の形でも使うことができる。こうして
得たアシル化生成物において、その保護されたカルボキ
シル基をそれ自体公知の方法により、例えば加水分解ま
たはアルコーリシスを含めた後記の方法によつて遊離さ
せることができる。また、７ー位置に遊離アミノ基をも
つた化合物を例えば脂肪族、芳香族または芳香脂肪族ア
ルデヒドのようなアルデヒドで処理してそのアミノ基を
イリデン基で置換し、こうして得た化合物を例，えば前
記の方法によつてアシル化しそしてこのアシル化生成物
を好ましくは中性または弱酸性媒質中で加水分解するこ
とによつて、アシル基を導入することもできる。
基（すなわち、Ｒ２は水酸基）をもつ化合物を、塩例え
ばトリエチルアミン塩のようなアンモニウム塩の形でま
たは適当な有機ハロゲン化りん化合物例えばメチル−２
塩化りん、エチル−２臭化りんまたはメトキシ−２塩化
りんのような低級アルキル一または低級アルコキシ一り
ん−ジハライドとの反応によつて保護されたカルボキシ
ル基をもつ化合物の形でも使うことができる。こうして
得たアシル化生成物において、その保護されたカルボキ
シル基をそれ自体公知の方法により、例えば加水分解ま
たはアルコーリシスを含めた後記の方法によつて遊離さ
せることができる。また、７ー位置に遊離アミノ基をも
つた化合物を例えば脂肪族、芳香族または芳香脂肪族ア
ルデヒドのようなアルデヒドで処理してそのアミノ基を
イリデン基で置換し、こうして得た化合物を例，えば前
記の方法によつてアシル化しそしてこのアシル化生成物
を好ましくは中性または弱酸性媒質中で加水分解するこ
とによつて、アシル基を導入することもできる。
また、アシル基を段階を経て導入することもできる。
すなわち、例えば、７ー位置に遊離アミノ基をもつ化合
物中にハロゲノ低級アルカノイル基例えばブロムアセチ
ル基を導入しまたは例えばホスゲンのような炭酸ジハラ
イドで処理してクロルカルボニル基のようなハロゲルカ
ルボニル基を導入しそしてこうして得られるＮ−（ハロ
ゲノ一低級アルカノイル）−アミノ化合物またはＮ−（
ハロゲノカルボニル）−アミノ化合物を適当な置換剤例
えばテトラゾールのような塩基性化合物、２ーメルカプ
ト−１−メチル−イミダゾールのようなチオ化合物、ア
ジ化ナトリウムのような金属塩またはアルコール例えば
ｔ−ブタノールのような低級アルカノールと反応させる
ことによつて、置換されたＮ一低級アルカノイルアミノ
またはＮ−ヒドロキシカルボニルアミノ化合物を得るこ
とができる。上記のアシル化反応中に両反応体における
遊離官能性基をそれ自体公知の方法によつて一時的に保
護しておくことができそしてこのアシル化反応の後にそ
れ自体公知の方法例えば上記の方法によつて遊離させる
ことができる。
物中にハロゲノ低級アルカノイル基例えばブロムアセチ
ル基を導入しまたは例えばホスゲンのような炭酸ジハラ
イドで処理してクロルカルボニル基のようなハロゲルカ
ルボニル基を導入しそしてこうして得られるＮ−（ハロ
ゲノ一低級アルカノイル）−アミノ化合物またはＮ−（
ハロゲノカルボニル）−アミノ化合物を適当な置換剤例
えばテトラゾールのような塩基性化合物、２ーメルカプ
ト−１−メチル−イミダゾールのようなチオ化合物、ア
ジ化ナトリウムのような金属塩またはアルコール例えば
ｔ−ブタノールのような低級アルカノールと反応させる
ことによつて、置換されたＮ一低級アルカノイルアミノ
またはＮ−ヒドロキシカルボニルアミノ化合物を得るこ
とができる。上記のアシル化反応中に両反応体における
遊離官能性基をそれ自体公知の方法によつて一時的に保
護しておくことができそしてこのアシル化反応の後にそ
れ自体公知の方法例えば上記の方法によつて遊離させる
ことができる。
さらに、既存のアシル基を他の好ましくは立体障害のあ
るアシル基で例えば上記の方法によつて交換することに
よつてアシル化することもできる。
るアシル基で例えば上記の方法によつて交換することに
よつてアシル化することもできる。
この場合に、そのイミドハライド化合物を製造し、これ
を酸の塩で処理しそしてこうして得た生成物中のアシル
基の１つ（一般には立体障害の少い方のアシル基）をカ
ロ水分解によつて分裂させるのである。さらに、例えば
、式（１）における麿がα一位置で好ましくは置換され
ているグリシル基例えばフニニルグリシル基でありそし
てＲ仝が水素原子である化合物をホルムアルデヒドのよ
うなアルデヒドまたはケトン例えばアセトンのような低
級アル力ノンと反応させることによつて、Ｒ今と暗がそ
の両方でこれらの結合している窒素原子と共に５−オキ
ソ一１，３−ジアザ−シクロペンチル基（これは４一位
置で好ましくは置換されておりそして２一位置で場合に
よつては置換されていることができる）を表わす式（１
）の化合物が得られる。
を酸の塩で処理しそしてこうして得た生成物中のアシル
基の１つ（一般には立体障害の少い方のアシル基）をカ
ロ水分解によつて分裂させるのである。さらに、例えば
、式（１）における麿がα一位置で好ましくは置換され
ているグリシル基例えばフニニルグリシル基でありそし
てＲ仝が水素原子である化合物をホルムアルデヒドのよ
うなアルデヒドまたはケトン例えばアセトンのような低
級アル力ノンと反応させることによつて、Ｒ今と暗がそ
の両方でこれらの結合している窒素原子と共に５−オキ
ソ一１，３−ジアザ−シクロペンチル基（これは４一位
置で好ましくは置換されておりそして２一位置で場合に
よつては置換されていることができる）を表わす式（１
）の化合物が得られる。
また、７ー位置に遊離アミノ基をもつ式（１）の化合物
を例えば塩化トルチルのようなトリアリールメタノール
の反応性エステルで好ましくはピリジンのような塩基性
剤の存在下で処理してトリアリールメチル基を導入する
ことによつて、その遊離アミノ基を保護することもでき
る。また、シリル基またはスタニル基を導入することに
よつて、アミノ基を保護することもできる。
を例えば塩化トルチルのようなトリアリールメタノール
の反応性エステルで好ましくはピリジンのような塩基性
剤の存在下で処理してトリアリールメチル基を導入する
ことによつて、その遊離アミノ基を保護することもでき
る。また、シリル基またはスタニル基を導入することに
よつて、アミノ基を保護することもできる。
このような基を導入するには、それ自体公知の方法によ
つて、例えば適当なシリル化剤例えばジクロルジメチル
シランのようなジハロゲノーシ低級アルキルシラン、メ
トキシーメチルージクロルシランのような低級アルコキ
シ一低級アルキルージハロゲノシランまたはトリメチル
シリルクロライドやジメチル−ｔ−ブチルシリルタロラ
イドのようなトリ低級アルキルシリルハライド（これら
をピリジンのような塩基の存在下で使うのが好ましい）
で処理するか、Ｎ−モノ低級アルキル化、Ｎ，Ｎ−ジ低
級アルキル化、Ｎ−トリ−低級アルキルシリル化または
Ｎ一低級アルキル−Ｎ−トリ−低級アルキルシリカ化さ
れている場合のあるＮ−（トリ一低級アルキル−シリル
）−アミン（例えば、イギリス特許第１，０７３，５３
０号の明細書を参照され度い）またはシリル化されたカ
ルボン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル−アセト
アミドのようなビス−トリ低級アルキルシリル−アセト
アミドまたはトリフルオルシリルアセトアミドで処理す
るか、または適当なスタニル化剤例えばビス一（トリ−
ｎ−ブチル−すず）−オキサイドのようなビス一（トリ
一低級アルキル一すず）−オキサイド、トリエチル一す
ず−ハイドロオキサイドのようなトリ一低級アルキルす
ずハイドロオキサイド、トリ一低級アルキル一低級アル
コキシすず化合物、テトラ一低級アルコキシすず化合物
またはテトラ一低級アルキルすず化合物あるいはトリ−
ｎ−ブチルすずクロライドのようなトリ一低級アルキル
すずハライド（例えば、オランダ特願第６７／１１１０
７号の明細書を参照され度りυＵで処理するのである。
つて、例えば適当なシリル化剤例えばジクロルジメチル
シランのようなジハロゲノーシ低級アルキルシラン、メ
トキシーメチルージクロルシランのような低級アルコキ
シ一低級アルキルージハロゲノシランまたはトリメチル
シリルクロライドやジメチル−ｔ−ブチルシリルタロラ
イドのようなトリ低級アルキルシリルハライド（これら
をピリジンのような塩基の存在下で使うのが好ましい）
で処理するか、Ｎ−モノ低級アルキル化、Ｎ，Ｎ−ジ低
級アルキル化、Ｎ−トリ−低級アルキルシリル化または
Ｎ一低級アルキル−Ｎ−トリ−低級アルキルシリカ化さ
れている場合のあるＮ−（トリ一低級アルキル−シリル
）−アミン（例えば、イギリス特許第１，０７３，５３
０号の明細書を参照され度い）またはシリル化されたカ
ルボン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル−アセト
アミドのようなビス−トリ低級アルキルシリル−アセト
アミドまたはトリフルオルシリルアセトアミドで処理す
るか、または適当なスタニル化剤例えばビス一（トリ−
ｎ−ブチル−すず）−オキサイドのようなビス一（トリ
一低級アルキル一すず）−オキサイド、トリエチル一す
ず−ハイドロオキサイドのようなトリ一低級アルキルす
ずハイドロオキサイド、トリ一低級アルキル一低級アル
コキシすず化合物、テトラ一低級アルコキシすず化合物
またはテトラ一低級アルキルすず化合物あるいはトリ−
ｎ−ブチルすずクロライドのようなトリ一低級アルキル
すずハライド（例えば、オランダ特願第６７／１１１０
７号の明細書を参照され度りυＵで処理するのである。
本発明方法によつて得られた、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２の
遊離カルボキシル基をもつ式（Ｔ）の化合物においては
、この基をそれ自体公知の方法によつて保護されたカル
ボキシル基に変えることができる。
遊離カルボキシル基をもつ式（Ｔ）の化合物においては
、この基をそれ自体公知の方法によつて保護されたカル
ボキシル基に変えることができる。
すなわち、例えば適当なジアゾ化合物例，えばジアゾメ
タンやジアゾブタンのようなジアゾ−低級アルカンまた
はジフエニルジアゾメタンのようなフエニルジアゾ一低
級アルカンで必要ならば３ふつ化ほう素のようなルイス
酸の存在の下で処理するか、またはエステル化剤例えば
シンクロヘキシルカルボジイミドのようなカルボジイミ
ドまたはカルボニルジイミダゾールの存在の下でエステ
ル化に適するアルコールと反応させるか、またはＮ，Ｎ
′−ジ置換されたＯ−またはＳ一置換イソ尿素またはイ
ソチオ尿素と反応させるか（そのＯ一およびＳ一置換基
は例えば低級アルキル基、殊にｔ−ブチル基、フエニル
低級アルキル基ま．たはシクロアルキル基でありそして
Ｎ−またはＮ′一置換基は例えば低級アルキル基殊にイ
ソプロピノ因東シクロアルキル基またはフエニル基であ
る）、またはその酸の塩をアルコールと強い無機酸また
は強い有機スルホン酸との反応性エステルと反応させる
ような他の公知の適当なエステル化方法によつて、エス
テルが得られる。
タンやジアゾブタンのようなジアゾ−低級アルカンまた
はジフエニルジアゾメタンのようなフエニルジアゾ一低
級アルカンで必要ならば３ふつ化ほう素のようなルイス
酸の存在の下で処理するか、またはエステル化剤例えば
シンクロヘキシルカルボジイミドのようなカルボジイミ
ドまたはカルボニルジイミダゾールの存在の下でエステ
ル化に適するアルコールと反応させるか、またはＮ，Ｎ
′−ジ置換されたＯ−またはＳ一置換イソ尿素またはイ
ソチオ尿素と反応させるか（そのＯ一およびＳ一置換基
は例えば低級アルキル基、殊にｔ−ブチル基、フエニル
低級アルキル基ま．たはシクロアルキル基でありそして
Ｎ−またはＮ′一置換基は例えば低級アルキル基殊にイ
ソプロピノ因東シクロアルキル基またはフエニル基であ
る）、またはその酸の塩をアルコールと強い無機酸また
は強い有機スルホン酸との反応性エステルと反応させる
ような他の公知の適当なエステル化方法によつて、エス
テルが得られる。
さらに、酸塩化物のような酸ハロゲン化物（これは例え
ば塩化オキザリルで処理して作られる）、活性化された
エステル（これは例えばＮ−ヒドロキシーサクシノイミ
ドのようなＮ−ヒドロキシ−窒素化合物を使つて生成さ
れる）または混合無水物（これは例えばクロルぎ酸エチ
ルやクロルぎ酸イソブチルのようなハロゲノぎ酸低級ア
ルキルエステルまたはトリクロル酢酸クロライドのよう
なハロゲノ酢酸ハライドを使つて生成される）を、場合
によつてはピリジンのような塩基の存在下で、アルコー
ルと反応させることによつて、エステル化されたカルボ
キシル基に変えることができる。式−Ｃ（−０）−Ｒ２
のエステル化された基をもつ得られた化合物においては
、この基を同じ式で表わされる他の基に変えることがで
きる。
ば塩化オキザリルで処理して作られる）、活性化された
エステル（これは例えばＮ−ヒドロキシーサクシノイミ
ドのようなＮ−ヒドロキシ−窒素化合物を使つて生成さ
れる）または混合無水物（これは例えばクロルぎ酸エチ
ルやクロルぎ酸イソブチルのようなハロゲノぎ酸低級ア
ルキルエステルまたはトリクロル酢酸クロライドのよう
なハロゲノ酢酸ハライドを使つて生成される）を、場合
によつてはピリジンのような塩基の存在下で、アルコー
ルと反応させることによつて、エステル化されたカルボ
キシル基に変えることができる。式−Ｃ（−０）−Ｒ２
のエステル化された基をもつ得られた化合物においては
、この基を同じ式で表わされる他の基に変えることがで
きる。
例えば、２−クロルエトキシカルボニル基または２−ブ
ロムエトキシカルボニル基をアセトンのような適当な溶
媒の存在の下でよう以ナトリウムのようなよう素塩で処
理して２−ヨードエトキシカルボニル基に変えることが
できる。混合無水物は、式（１）における基−Ｃ（−０
）一Ｒ２が遊離カルボキシル基である化合物または好ま
しくはその塩持にナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
またはトリエチルアンモニウム塩のようなアンモニウム
塩を酸の反応性誘導体例えば酸塩化物のようなハロゲン
化物またはハロゲノぎ酸低級アルキルエステルまたは低
級アルカンカルボンタロライドと反応させることによつ
て製造される。
ロムエトキシカルボニル基をアセトンのような適当な溶
媒の存在の下でよう以ナトリウムのようなよう素塩で処
理して２−ヨードエトキシカルボニル基に変えることが
できる。混合無水物は、式（１）における基−Ｃ（−０
）一Ｒ２が遊離カルボキシル基である化合物または好ま
しくはその塩持にナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
またはトリエチルアンモニウム塩のようなアンモニウム
塩を酸の反応性誘導体例えば酸塩化物のようなハロゲン
化物またはハロゲノぎ酸低級アルキルエステルまたは低
級アルカンカルボンタロライドと反応させることによつ
て製造される。
本発明方法によつて得られた基−Ｃ（＝０）−Ｒ２が遊
離カルボキシル基である化合物において、この基を置換
されている場合のあるカルバモイル基またはヒドラジノ
カルボニル基に変えることができる。この場合に、好ま
しくは反応性の官能的に変えられた誘導体例えば前記の
酸ハロゲン化物、一般にエステル例えば前記の活性化さ
れたエステルまたは相当する酸との混合無水物をアンモ
ニア、ヒドロキシルアミンを含めたアミンまたはヒドラ
ジンと反応させる。有機シリル基またはスタニル基で保
護されたカルボキシル基はそれ自体公知の方法によつて
、例えば式（１）におけるＲ２が水酸基である化合物ま
たはその塩例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
を前記のシリル化剤またはスタニル化剤の１つのような
適当なシリル化剤またはスタニル化剤で処理することに
よつて形成される。
離カルボキシル基である化合物において、この基を置換
されている場合のあるカルバモイル基またはヒドラジノ
カルボニル基に変えることができる。この場合に、好ま
しくは反応性の官能的に変えられた誘導体例えば前記の
酸ハロゲン化物、一般にエステル例えば前記の活性化さ
れたエステルまたは相当する酸との混合無水物をアンモ
ニア、ヒドロキシルアミンを含めたアミンまたはヒドラ
ジンと反応させる。有機シリル基またはスタニル基で保
護されたカルボキシル基はそれ自体公知の方法によつて
、例えば式（１）におけるＲ２が水酸基である化合物ま
たはその塩例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
を前記のシリル化剤またはスタニル化剤の１つのような
適当なシリル化剤またはスタニル化剤で処理することに
よつて形成される。
これについては例えばイギリス特許第１，０７３，５３
０号またはオランダ特許第６７／１７１０７号の明細書
を参照され度い。さらに、基Ｒ仝，Ｒｋｇよび（または
）Ｒ２における置換されたアミノ基、アシル化された水
酸基、エステル化されたカルボキシル基または０，０′
一ジ置換されたホスホノ基のような変えられた官能″肚
基をそれ自体公知の方法によつて例えば前記の方法によ
つて遊離させることができるし、または基Ｒ令，Ｒ１？
および（または）Ｒ２における遊離のアミノ基、水酸基
、カルボキシル基またはホスホノ基のような遊離の官能
性基をそれ自体公知の方法によつて例えばアシル化、エ
ステル化または置換反応によつて官能的に変えることが
できる。
０号またはオランダ特許第６７／１７１０７号の明細書
を参照され度い。さらに、基Ｒ仝，Ｒｋｇよび（または
）Ｒ２における置換されたアミノ基、アシル化された水
酸基、エステル化されたカルボキシル基または０，０′
一ジ置換されたホスホノ基のような変えられた官能″肚
基をそれ自体公知の方法によつて例えば前記の方法によ
つて遊離させることができるし、または基Ｒ令，Ｒ１？
および（または）Ｒ２における遊離のアミノ基、水酸基
、カルボキシル基またはホスホノ基のような遊離の官能
性基をそれ自体公知の方法によつて例えばアシル化、エ
ステル化または置換反応によつて官能的に変えることが
できる。
従つて、例えばアミノ基を３酸化いおう（好ましくは有
機塩基例えばトリエチルアミンのようなトリ低級アルキ
ルアミンとの錯体の形にあるもの）で処理してスルホア
ミノ基に変えることができる。さらに、４−グアニルセ
ミカルバチドの酸付加塩と悪硝酸ナトリウムとの反応に
よつて得られた反応混合物を、式（１）におけるアミノ
保護基Ｒ仝力Ｓ例えば置換されている場合のあるグリシ
ル基である化合物と反応させることによつて、そのアミ
ノ基を３−グアニルウレイド基に変えることができる。
さらに、脂肪族結合したハロゲン原子例えば置換されて
いる場合のあるα−ブロムアセチル基をもつ化合物をト
リ低級アルキルホスフアイト化合物のような亜りん酸エ
ステルと反応させれば、相当するホスホノ化合物が得ら
れる。本発明方法によつて得られた式（１）の化合物と
その相当する１〜オキシドとの混合物は式（１）の３セ
フエム化合物に直接還元することができる。
機塩基例えばトリエチルアミンのようなトリ低級アルキ
ルアミンとの錯体の形にあるもの）で処理してスルホア
ミノ基に変えることができる。さらに、４−グアニルセ
ミカルバチドの酸付加塩と悪硝酸ナトリウムとの反応に
よつて得られた反応混合物を、式（１）におけるアミノ
保護基Ｒ仝力Ｓ例えば置換されている場合のあるグリシ
ル基である化合物と反応させることによつて、そのアミ
ノ基を３−グアニルウレイド基に変えることができる。
さらに、脂肪族結合したハロゲン原子例えば置換されて
いる場合のあるα−ブロムアセチル基をもつ化合物をト
リ低級アルキルホスフアイト化合物のような亜りん酸エ
ステルと反応させれば、相当するホスホノ化合物が得ら
れる。本発明方法によつて得られた式（１）の化合物と
その相当する１〜オキシドとの混合物は式（１）の３セ
フエム化合物に直接還元することができる。
前記の還元処理はそれ自体公知の方法によつて、必要な
らば活性化剤の存在の下で、還元剤で処理して還元する
ことができる。還元剤としては次のものが挙げられる。
接触的に活性化された水素（パラジウム、白金またはロ
ジウムのような貴金属触媒を、場合によつては炭や硫酸
バリウムのような適当な担体上に担持して使う）、還元
性のすず、鉄、銅またはマンガンの陽イオン〔これらを
無機または有機の相当する化合物または錯体の形で、例
えばすず（）の塩化物、ふつ化物、酢酸塩またはぎ酸塩
として、鉄（Ｈ）の塩化物、硫酸塩、しゆう酸塩または
こはく塩として、銅（１）の塩化物、安息香酸塩または
酸化物として、またはマンガン（Ｈ）の塩化物、硫酸塩
、酢酸塩または酸化物として、あるいは錯体例えばエチ
レンジアミンテトラ酢酸またはニトロールトリ酢酸との
錯体として使う〕、還元性の重亜硫酸陰イオン、よう素
陰イオンまたはシアン化鉄（）陰イオン（これらを相当
する無機または有機塩の形で、例えば催硫酸水素ナトリ
ウム、亜硫酸水素カリウム、よう化ナトリウム、よう化
カリウム、フエロシアン化ナトリウムまたはフエロシア
ン化カリウムのようなアルカリ金属塩またはよう化水素
酸のような相当する酸の形で使う）、還元性の３価の無
機または有機りん化合物例えばホスフイン、さらに亜ホ
スフイン酸、亜ホスホン酸または亜りん酸のエステル、
アミドおよびハロゲン化物ならびにこれらりん・酸素化
合物に相当するりん・いおう化合物（これら化合物中の
有機基は主として脂肪族、芳香族または芳香脂肪族基例
えば置換されている場合のある低級アルキル基、フエニ
ル基またはフエニル低級アルキル基である）、例えばト
リフエニルホスフイン、トリ−ｎ−ブチルホスフイン、
ジフエニル亜ホスフイン酸メチル、ジフエニルクロルホ
スフイン、フエニルジクロルホスフイン、ベンゼン亜ホ
スホン酸ジメチルエステル、ブタン亜ホスホン酸メチル
エステル、亜りん酸トリフエニルエステル、亜りん酸ト
リメチルエステル、３塩化りん、３臭化りん、その他、
還元性のハロゲノシラン化合物（これらはけい素原子に
結合した水素原子少くとも１個をもちそしてさらに塩素
、臭素またはよう素のようなハロゲン原子、有機基例え
ば脂肪族または芳香族基例えば置換されている場合のあ
る抵級アルキル基またはフニニル基をもつていることが
できる）、例えばクロルシラン、ブロムシラン、ジ一ま
たはトリ−クロルシラン、ジ一またはトリ−ブロムシラ
ン、ジフエニルタロルシラン、ジメチルクロルシランそ
の他、還元性の第４級クロルメチレンーイミニウム塩、
殊に相当するクロライドまたはブロマイド（そのイミニ
ウム基は２価の有機基または２個の１価有機基例えば置
換されている場合のある低級アルキレン基または低級ア
ルキル基によつて置換されているものとする）、例えば
Ｎ−クロルメチレン−Ｎ，Ｎ−ジエチルイミニウムクロ
ライドまたはＮ−クロルメチレンーピロリジニウムクロ
ライド、および塩化コバルト（）のような適当な活性化
剤の存在下での水素化ナトリウムほう素のような錯金属
水素化物、ならびにボランジクロライド。
らば活性化剤の存在の下で、還元剤で処理して還元する
ことができる。還元剤としては次のものが挙げられる。
接触的に活性化された水素（パラジウム、白金またはロ
ジウムのような貴金属触媒を、場合によつては炭や硫酸
バリウムのような適当な担体上に担持して使う）、還元
性のすず、鉄、銅またはマンガンの陽イオン〔これらを
無機または有機の相当する化合物または錯体の形で、例
えばすず（）の塩化物、ふつ化物、酢酸塩またはぎ酸塩
として、鉄（Ｈ）の塩化物、硫酸塩、しゆう酸塩または
こはく塩として、銅（１）の塩化物、安息香酸塩または
酸化物として、またはマンガン（Ｈ）の塩化物、硫酸塩
、酢酸塩または酸化物として、あるいは錯体例えばエチ
レンジアミンテトラ酢酸またはニトロールトリ酢酸との
錯体として使う〕、還元性の重亜硫酸陰イオン、よう素
陰イオンまたはシアン化鉄（）陰イオン（これらを相当
する無機または有機塩の形で、例えば催硫酸水素ナトリ
ウム、亜硫酸水素カリウム、よう化ナトリウム、よう化
カリウム、フエロシアン化ナトリウムまたはフエロシア
ン化カリウムのようなアルカリ金属塩またはよう化水素
酸のような相当する酸の形で使う）、還元性の３価の無
機または有機りん化合物例えばホスフイン、さらに亜ホ
スフイン酸、亜ホスホン酸または亜りん酸のエステル、
アミドおよびハロゲン化物ならびにこれらりん・酸素化
合物に相当するりん・いおう化合物（これら化合物中の
有機基は主として脂肪族、芳香族または芳香脂肪族基例
えば置換されている場合のある低級アルキル基、フエニ
ル基またはフエニル低級アルキル基である）、例えばト
リフエニルホスフイン、トリ−ｎ−ブチルホスフイン、
ジフエニル亜ホスフイン酸メチル、ジフエニルクロルホ
スフイン、フエニルジクロルホスフイン、ベンゼン亜ホ
スホン酸ジメチルエステル、ブタン亜ホスホン酸メチル
エステル、亜りん酸トリフエニルエステル、亜りん酸ト
リメチルエステル、３塩化りん、３臭化りん、その他、
還元性のハロゲノシラン化合物（これらはけい素原子に
結合した水素原子少くとも１個をもちそしてさらに塩素
、臭素またはよう素のようなハロゲン原子、有機基例え
ば脂肪族または芳香族基例えば置換されている場合のあ
る抵級アルキル基またはフニニル基をもつていることが
できる）、例えばクロルシラン、ブロムシラン、ジ一ま
たはトリ−クロルシラン、ジ一またはトリ−ブロムシラ
ン、ジフエニルタロルシラン、ジメチルクロルシランそ
の他、還元性の第４級クロルメチレンーイミニウム塩、
殊に相当するクロライドまたはブロマイド（そのイミニ
ウム基は２価の有機基または２個の１価有機基例えば置
換されている場合のある低級アルキレン基または低級ア
ルキル基によつて置換されているものとする）、例えば
Ｎ−クロルメチレン−Ｎ，Ｎ−ジエチルイミニウムクロ
ライドまたはＮ−クロルメチレンーピロリジニウムクロ
ライド、および塩化コバルト（）のような適当な活性化
剤の存在下での水素化ナトリウムほう素のような錯金属
水素化物、ならびにボランジクロライド。
それ自体非ルイス酸性を示す上記還元剤といつしよに使
う、すなわち主として重亜硫酸塩還元剤、・よう素還元
剤、シアン化鉄（）還元剤またはハロゲンを含まない３
価りん還元剤といつしよにまたは接触還元の場合に加え
る活性化剤としては、殊に有機カルボン酸およびスルホ
ン酸のハロゲン化物、さらに２次加水分解定数が塩化ベ
ンゾイルと同じ゛かまたはそれより大きいいおう、りん
またはけい素のハロゲン化物例えばホスゲン、塩化オキ
ザリル、酢酸クロライドまたはブロマイド、クロル酢酸
クロライド、ピバリン酸クロライド、４−メトキシ安息
香酸クロライド、４−シアノ安息香酸ク″口ラード、ｐ
−トルエンスルホン酸クロライド、メタンスルホン酸ク
ロライド、塩化チオニル、オキシ塩化りん、３塩化りん
、３臭化りん、フエニルジクロルホスフイン、ベンゼン
亜ホスホン酸クロライド、ジメチルクロルシランまたは
トリクロルシラン、さらにトリフルオル酢酸無水物のよ
うな適当な酸無水物、または環状サルトン、例えばエタ
ンサルトン、１，３−プロパンサルトン、１，４ブタン
サルトンまたは１，３−ヘキサンサルトンが挙げられる
。
う、すなわち主として重亜硫酸塩還元剤、・よう素還元
剤、シアン化鉄（）還元剤またはハロゲンを含まない３
価りん還元剤といつしよにまたは接触還元の場合に加え
る活性化剤としては、殊に有機カルボン酸およびスルホ
ン酸のハロゲン化物、さらに２次加水分解定数が塩化ベ
ンゾイルと同じ゛かまたはそれより大きいいおう、りん
またはけい素のハロゲン化物例えばホスゲン、塩化オキ
ザリル、酢酸クロライドまたはブロマイド、クロル酢酸
クロライド、ピバリン酸クロライド、４−メトキシ安息
香酸クロライド、４−シアノ安息香酸ク″口ラード、ｐ
−トルエンスルホン酸クロライド、メタンスルホン酸ク
ロライド、塩化チオニル、オキシ塩化りん、３塩化りん
、３臭化りん、フエニルジクロルホスフイン、ベンゼン
亜ホスホン酸クロライド、ジメチルクロルシランまたは
トリクロルシラン、さらにトリフルオル酢酸無水物のよ
うな適当な酸無水物、または環状サルトン、例えばエタ
ンサルトン、１，３−プロパンサルトン、１，４ブタン
サルトンまたは１，３−ヘキサンサルトンが挙げられる
。
上記の還元反応を溶媒またはその混合物の中で行うのが
好ましい。
好ましい。
溶媒の選択は主として原料の溶解性および還元剤の種類
による。すなわち、例えば接触還元では低級アルカンカ
ルボン酸またはそのエステル例えば酢酸および酢酸エチ
ルを使いそして化学的還元剤では例えばハロゲン化また
はニトロ化のような置換されている場合のある脂肪族、
脂環式、芳香族または芳香脂肪族炭化水素例えばベンゼ
ン、塩化メチレン、クロロホルムまたはニトロメタン、
適当な酸誘導体例えば酢酸エチルのような低級アルカン
カルボン酸エステル、アセトニトリルのような低級アル
カノニトリル、無機または有機酸のアミド例えばジメチ
ルホルムアミドまたはヘキサメチルリん酸アミド、エー
テル例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフランまた
はジオキサン、ケトン例えばアセトンまたはスルホン殊
に脂肪族スルホン例，えばジメチルスルホンまたはテト
ラメチレンスルホンを使い、これら溶媒は水を含まない
のが好ましい。一般に約一２０〜＋１００℃で行うが、
非常に反応性の活性化剤を使う場合には一層低い温度で
反応を行うことができる。式（１）の化合物の塩はそれ
自体公知の方法によつて製造される。
による。すなわち、例えば接触還元では低級アルカンカ
ルボン酸またはそのエステル例えば酢酸および酢酸エチ
ルを使いそして化学的還元剤では例えばハロゲン化また
はニトロ化のような置換されている場合のある脂肪族、
脂環式、芳香族または芳香脂肪族炭化水素例えばベンゼ
ン、塩化メチレン、クロロホルムまたはニトロメタン、
適当な酸誘導体例えば酢酸エチルのような低級アルカン
カルボン酸エステル、アセトニトリルのような低級アル
カノニトリル、無機または有機酸のアミド例えばジメチ
ルホルムアミドまたはヘキサメチルリん酸アミド、エー
テル例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフランまた
はジオキサン、ケトン例えばアセトンまたはスルホン殊
に脂肪族スルホン例，えばジメチルスルホンまたはテト
ラメチレンスルホンを使い、これら溶媒は水を含まない
のが好ましい。一般に約一２０〜＋１００℃で行うが、
非常に反応性の活性化剤を使う場合には一層低い温度で
反応を行うことができる。式（１）の化合物の塩はそれ
自体公知の方法によつて製造される。
すなわち、式（１）におけるＲ２が水素原子である化合
物を例えば適当なカルボン酸のアルカリ金属塩のような
金属化合物例えばα一エチルカプロン酸のナトリウム塩
またはアンモニアまたは適当な有機アミンで処理するこ
とによつて、その塩を生成することができる。この目的
には、その塩形成剤を化学量論的量または僅かに過剰な
量で使うのが好ましい。また、塩基性基をもつ式（１）
の化合物の酸付加塩は常法によつて、例えば酸または適
当な陰イオン交換剤で処理することによつて得られる。
塩形成するアミノ基と遊離カルボキシル基とをもつ式（
１）の化合物の分子内塩は、例えばその酸付カロ塩のよ
うな塩を等電点まで例えば弱塩基で中和するかまたは液
状イオン交換剤で処理することによつて生成される。塩
はこれを常法により遊離化合物に変えることができる。
物を例えば適当なカルボン酸のアルカリ金属塩のような
金属化合物例えばα一エチルカプロン酸のナトリウム塩
またはアンモニアまたは適当な有機アミンで処理するこ
とによつて、その塩を生成することができる。この目的
には、その塩形成剤を化学量論的量または僅かに過剰な
量で使うのが好ましい。また、塩基性基をもつ式（１）
の化合物の酸付加塩は常法によつて、例えば酸または適
当な陰イオン交換剤で処理することによつて得られる。
塩形成するアミノ基と遊離カルボキシル基とをもつ式（
１）の化合物の分子内塩は、例えばその酸付カロ塩のよ
うな塩を等電点まで例えば弱塩基で中和するかまたは液
状イオン交換剤で処理することによつて生成される。塩
はこれを常法により遊離化合物に変えることができる。
例えば、金属塩およびアンモニウム塩を適当な酸で処理
することによつて、また酸付加塩を例えば適当な塩基性
剤で処理することによつて、遊離化合物に変えることが
できる。得られた異性体混合物は、これをそれ自体公知
の方法によつて、例えばジアステレオマ一異性体の混合
物を分別結晶化し、吸着クロマトグラフイ（カラムクロ
マトグラフイまたは範層クロマトグラフイ）または他の
適当な分離方法によつて個個の異性体に分けることがで
きる。
することによつて、また酸付加塩を例えば適当な塩基性
剤で処理することによつて、遊離化合物に変えることが
できる。得られた異性体混合物は、これをそれ自体公知
の方法によつて、例えばジアステレオマ一異性体の混合
物を分別結晶化し、吸着クロマトグラフイ（カラムクロ
マトグラフイまたは範層クロマトグラフイ）または他の
適当な分離方法によつて個個の異性体に分けることがで
きる。
得られたラセミ体は、これを常法によつて、適当ならば
適当な塩形成基を導入した後に、例えば光学活性の塩形
成剤とのジアステレオマ一塩混合物を生成し、この混合
物を各ジアステレ．オマ一塩に分けそしてこうして分け
たジアステレオマ一塩を遊離化合物に変えることによつ
て、または光学活性の溶媒から分別結晶化することによ
つて、個個の対掌体に分けることができる。本発明は、
その工程で中間体として生成する化合物を原料として使
いそして残りの工程段階を行うかまたはその工程か任意
の段階で中断するような具体例をも包含する。
適当な塩形成基を導入した後に、例えば光学活性の塩形
成剤とのジアステレオマ一塩混合物を生成し、この混合
物を各ジアステレ．オマ一塩に分けそしてこうして分け
たジアステレオマ一塩を遊離化合物に変えることによつ
て、または光学活性の溶媒から分別結晶化することによ
つて、個個の対掌体に分けることができる。本発明は、
その工程で中間体として生成する化合物を原料として使
いそして残りの工程段階を行うかまたはその工程か任意
の段階で中断するような具体例をも包含する。
さらに、原料を誘導体の形で使うことができるしまたは
その反応中に生成させることができる。なお、原料およ
び反応条件としては、先に殊に好ましいものとして挙げ
た化合物が得られるように選ぶのが好ましい。
その反応中に生成させることができる。なお、原料およ
び反応条件としては、先に殊に好ましいものとして挙げ
た化合物が得られるように選ぶのが好ましい。
本発明方法で使う式（Ｈ）の原料は例えば次のようにし
て作られる。
て作られる。
式（この式でＲ２は好ましくは水酸基であるが、基Ｒ令
でもある）で表わされるセフエム化合物において、アセ
チルオキシメチル基を例えばＰＨ９〜１０の水酸化ナト
リウム水溶液のような弱塩基性媒質中で加水分解するか
または適当なエステラーゼ例えばリゾビウム・トリトリ
イ（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍｔｒｉｔＯｌｉｉ）、リゾビウ
ム・ルピニイ（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍＩｕｐｉｎｉｉ）、
リゾビウム・ジヤポニカム（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍｊａｐ
Ｏｎｉｃｕｍ）またはパチルス・サブチリス（Ｂａｃｉ
ｌｌｕｓｓｕｂｔｉｌｉｓ）からの相当する酵素で処理
してヒドロキシメチル基に変え、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２
の遊離カルボキシル基を適当な方法によつて官能的に変
え（例えば、ジフエニルジアゾメタンのようなジアゾ化
合物で処理してエステル化し）、そして上記のヒドロキ
シメチル基を例えばハロゲン化剤例えば塩化チオニルの
ような塩素化剤またはＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロ
ヘキシルーカルボジイミジウムアイオダイドのようなよ
う素化剤で処理してクロルメチル基またはヨードメチル
基のようなハロゲノメチル基に変える。
でもある）で表わされるセフエム化合物において、アセ
チルオキシメチル基を例えばＰＨ９〜１０の水酸化ナト
リウム水溶液のような弱塩基性媒質中で加水分解するか
または適当なエステラーゼ例えばリゾビウム・トリトリ
イ（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍｔｒｉｔＯｌｉｉ）、リゾビウ
ム・ルピニイ（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍＩｕｐｉｎｉｉ）、
リゾビウム・ジヤポニカム（ＲｈｉｚＯｂｉｕｍｊａｐ
Ｏｎｉｃｕｍ）またはパチルス・サブチリス（Ｂａｃｉ
ｌｌｕｓｓｕｂｔｉｌｉｓ）からの相当する酵素で処理
してヒドロキシメチル基に変え、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２
の遊離カルボキシル基を適当な方法によつて官能的に変
え（例えば、ジフエニルジアゾメタンのようなジアゾ化
合物で処理してエステル化し）、そして上記のヒドロキ
シメチル基を例えばハロゲン化剤例えば塩化チオニルの
ような塩素化剤またはＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロ
ヘキシルーカルボジイミジウムアイオダイドのようなよ
う素化剤で処理してクロルメチル基またはヨードメチル
基のようなハロゲノメチル基に変える。
クロルメチル基はこれを例えば適当な２価クロム化合物
例えば２価クロムの塩化物や酢酸塩のような無機または
有機塩でジメチルスルホキシドのような適当な溶媒中で
処理して直接にメチレン基に変えるか、または関接的に
そのヨードメチル基（これは例えばクロルメチル化合物
をアセトンのような適当な溶媒中でよう化ナトリウムの
ような金属よう化物で処理することによつて生成される
）をにしてから、このヨードメチル化合物を酢酸の存在
下で亜鉛のような適当な還元剤で処理してメチレン基に
変える。こうして得た式で表わされる化合物〔これは式
（ＸＩ）の化合物から、例えば電気化学的還元または２
価クロム塩やアルミニウムアマルガムで還元することに
よつても得られる〕においてメチレン基は酸ｆヒ的に減
成される。
例えば２価クロムの塩化物や酢酸塩のような無機または
有機塩でジメチルスルホキシドのような適当な溶媒中で
処理して直接にメチレン基に変えるか、または関接的に
そのヨードメチル基（これは例えばクロルメチル化合物
をアセトンのような適当な溶媒中でよう化ナトリウムの
ような金属よう化物で処理することによつて生成される
）をにしてから、このヨードメチル化合物を酢酸の存在
下で亜鉛のような適当な還元剤で処理してメチレン基に
変える。こうして得た式で表わされる化合物〔これは式
（ＸＩ）の化合物から、例えば電気化学的還元または２
価クロム塩やアルミニウムアマルガムで還元することに
よつても得られる〕においてメチレン基は酸ｆヒ的に減
成される。
式（支）の化合物のメチレン基をセフアム環の３位置に
オキソ基を形成しながら酸化分裂するには、オゾンで処
理してオゾン化合物を生成させて行うのが好ましい。
オキソ基を形成しながら酸化分裂するには、オゾンで処
理してオゾン化合物を生成させて行うのが好ましい。
この場合に、オゾソを一般に溶媒例えば低級アルカノー
ル例えばメタノールやエタノールのようなアルコール、
低級アルカノン例えばアセトンのようなケトン、ハロゲ
ン化されている場合のある脂肪族、脂環式または芳香族
炭化水素例えば塩化メチレンや４塩化炭素のようなハロ
ゲノ低級アルカンまたは水性混合物を含めた溶媒混合物
の中でそして冷却または加熱の下で例えば約−９０〜＋
４０℃で使う。こうして中間体として生成するオゾニド
を還元分裂する。
ル例えばメタノールやエタノールのようなアルコール、
低級アルカノン例えばアセトンのようなケトン、ハロゲ
ン化されている場合のある脂肪族、脂環式または芳香族
炭化水素例えば塩化メチレンや４塩化炭素のようなハロ
ゲノ低級アルカンまたは水性混合物を含めた溶媒混合物
の中でそして冷却または加熱の下で例えば約−９０〜＋
４０℃で使う。こうして中間体として生成するオゾニド
を還元分裂する。
この場合に、接触的に活性化された水素例えばニツケル
またはパラジウム触媒（好ましくは炭酸カルシウムや炭
のような適当な指体上に和持する）のような貴金属水素
化触媒の存在下の水素、または化学的還元剤例えば貴金
属合金または貴金属アマルガムを含めた還元性貴金属例
えば水素給本例えば酢酸のような酸または低級アルカノ
ールのようなアルコールの存在下での亜鉛、還元性無機
塩例えば水素結体例えば酢酸のような酸の存在下でのよ
う化ナトリウムのようなアルカリ金属よう化物またはぎ
酸のような還元性有機化合物、還元性サルフアイド化合
物例えばジメチルサルフアイドのようなジ低級アルキル
サルフアイド、ホスフインのような還元性有機りん化合
物（これは置換されている場合のある脂肪族または芳香
族炭化水素基を置換基としてもつていることができる）
例えばトリ−ｎ−ブチルホスフインのようなトリ低級ア
ルキルホスフインまたはトリフエニルホスフインのよう
なトリアリールホスフイン、さらに置換されている場合
のある脂５彷族炭（ヒ水素基を置換基としてもつている
ホスフアイト例えばトリメチルホスフアイトのようなト
リ低級アルキルホスフアイト（これは一般には相当する
アルコール付カロ化合物の形にある）または置換されて
いる場合のある脂肪族炭化水素基を置換基としてもつて
いるりん酸トリアミド例えばヘキサメチル亜りん酸トリ
アミドのようなヘキサ・低級アルキル亜りん酸トリアミ
ド（これは好ましくはメタノール・付加物の形にある）
またはテトラシアノエチレンを使うことができる。上記
の一般には単離しないオゾニドを通常その製造に採用し
た条件の下で、すなわち適当な溶媒または溶媒混合物の
存在の下でそして冷却または僅かに加熱して分裂させる
。
またはパラジウム触媒（好ましくは炭酸カルシウムや炭
のような適当な指体上に和持する）のような貴金属水素
化触媒の存在下の水素、または化学的還元剤例えば貴金
属合金または貴金属アマルガムを含めた還元性貴金属例
えば水素給本例えば酢酸のような酸または低級アルカノ
ールのようなアルコールの存在下での亜鉛、還元性無機
塩例えば水素結体例えば酢酸のような酸の存在下でのよ
う化ナトリウムのようなアルカリ金属よう化物またはぎ
酸のような還元性有機化合物、還元性サルフアイド化合
物例えばジメチルサルフアイドのようなジ低級アルキル
サルフアイド、ホスフインのような還元性有機りん化合
物（これは置換されている場合のある脂肪族または芳香
族炭化水素基を置換基としてもつていることができる）
例えばトリ−ｎ−ブチルホスフインのようなトリ低級ア
ルキルホスフインまたはトリフエニルホスフインのよう
なトリアリールホスフイン、さらに置換されている場合
のある脂５彷族炭（ヒ水素基を置換基としてもつている
ホスフアイト例えばトリメチルホスフアイトのようなト
リ低級アルキルホスフアイト（これは一般には相当する
アルコール付カロ化合物の形にある）または置換されて
いる場合のある脂肪族炭化水素基を置換基としてもつて
いるりん酸トリアミド例えばヘキサメチル亜りん酸トリ
アミドのようなヘキサ・低級アルキル亜りん酸トリアミ
ド（これは好ましくはメタノール・付加物の形にある）
またはテトラシアノエチレンを使うことができる。上記
の一般には単離しないオゾニドを通常その製造に採用し
た条件の下で、すなわち適当な溶媒または溶媒混合物の
存在の下でそして冷却または僅かに加熱して分裂させる
。
このような混合物は式（Ｈ）の化合物と相当する１−オ
キシドとに分離することができ、またはそのものとして
も使うことができる。式（Ｈ）の化合物と相当する１−
オキシドとの混合物は常法により、例えば分別結晶化ま
たはクロマトグラフイ（例えば、カラムクロマトグラフ
イ、薄層クロマトグラフイ）によつて個個の成分に分け
ることができる。本発明方法に従つて式（４）の原料を
式（１）のエノール誘導体に変える場合、本発明方法で
は式（…）の原料をその製造後に単離する必要がない。
すなわち、式（）の化合物をその製造後に直接に好まし
くは粗反応混合物の形で式（１）の化合物に変えること
ができる。本発明による薬埋的に有用な化合物は、例え
ばこの活性物質の医薬として有効な量を経腸投与または
非経腸投与に適する無機または有機の固体または液体の
医薬的に有用な和体といつしよにまたは混合して含む医
薬用製剤の製造に使うことができる。
キシドとに分離することができ、またはそのものとして
も使うことができる。式（Ｈ）の化合物と相当する１−
オキシドとの混合物は常法により、例えば分別結晶化ま
たはクロマトグラフイ（例えば、カラムクロマトグラフ
イ、薄層クロマトグラフイ）によつて個個の成分に分け
ることができる。本発明方法に従つて式（４）の原料を
式（１）のエノール誘導体に変える場合、本発明方法で
は式（…）の原料をその製造後に単離する必要がない。
すなわち、式（）の化合物をその製造後に直接に好まし
くは粗反応混合物の形で式（１）の化合物に変えること
ができる。本発明による薬埋的に有用な化合物は、例え
ばこの活性物質の医薬として有効な量を経腸投与または
非経腸投与に適する無機または有機の固体または液体の
医薬的に有用な和体といつしよにまたは混合して含む医
薬用製剤の製造に使うことができる。
従つて、この活性物質を希釈剤例えば１１．ｍ、ぶどう
糖、しよ糖、マンニツト、ゾルピット、セルロースおよ
び（または）グリシンおよび潤滑剤例えばシリカ、タル
ク、ステアリン酸またはステアリン酸マグネシウムやス
テアリン酸カルシウムのようなステアリン酸塩および（
または）ポリエチレングリコールといつしよに含む錠剤
またはゼラチンカプセルを使う。錠剤としては、結合剤
例えばけい酸マグネシウムアルミニウム、でんぷん例え
ばとうもろこしでんぷん、小麦でんぷん、米でんぷんま
たはアロ一・ルートでんぷん、ゼラチン、トラガカント
ゴム、メチルセルロース、ナトリウムカルボキシメチル
セルロースおよび（または）ポリビニルピロリドンおよ
び所望ならば砕解剤例えばでんぷん、寒天、アルギン酸
またはアルギン酸ナトリウム、または起泡性混合物およ
び（または）吸着剤、染料、香料および甘味剤を含むこ
とができる。さらに、それら新薬理活性化合物を注射用
例えば静脈内投与用配合物または注入溶液の形で使うこ
とができる。このような溶液は等張性の水溶液または水
性懸濁体であるのが好ましく、これらは例えばその活性
物質だけを含むかまたは担体例えばマンニツトといつし
よに含む真空凍結乾燥された配合物から投与前に調製さ
れる。これら医薬用製剤を殺菌しそして（または）助剤
例えば防腐剤、安定剤、湿潤剤および（または）乳化剤
、可溶化剤、浸透圧を調整する塩および（または）緩衝
剤を含ませることができる。
糖、しよ糖、マンニツト、ゾルピット、セルロースおよ
び（または）グリシンおよび潤滑剤例えばシリカ、タル
ク、ステアリン酸またはステアリン酸マグネシウムやス
テアリン酸カルシウムのようなステアリン酸塩および（
または）ポリエチレングリコールといつしよに含む錠剤
またはゼラチンカプセルを使う。錠剤としては、結合剤
例えばけい酸マグネシウムアルミニウム、でんぷん例え
ばとうもろこしでんぷん、小麦でんぷん、米でんぷんま
たはアロ一・ルートでんぷん、ゼラチン、トラガカント
ゴム、メチルセルロース、ナトリウムカルボキシメチル
セルロースおよび（または）ポリビニルピロリドンおよ
び所望ならば砕解剤例えばでんぷん、寒天、アルギン酸
またはアルギン酸ナトリウム、または起泡性混合物およ
び（または）吸着剤、染料、香料および甘味剤を含むこ
とができる。さらに、それら新薬理活性化合物を注射用
例えば静脈内投与用配合物または注入溶液の形で使うこ
とができる。このような溶液は等張性の水溶液または水
性懸濁体であるのが好ましく、これらは例えばその活性
物質だけを含むかまたは担体例えばマンニツトといつし
よに含む真空凍結乾燥された配合物から投与前に調製さ
れる。これら医薬用製剤を殺菌しそして（または）助剤
例えば防腐剤、安定剤、湿潤剤および（または）乳化剤
、可溶化剤、浸透圧を調整する塩および（または）緩衝
剤を含ませることができる。
これら医薬用製剤はそれ自体公知の方法によつて、例え
ば慣用の場合、顆粒化、打錠、溶解または真空凍結乾燥
の方法によつて作られそして活性物質を約０．１〜１０
０％殊に約１〜５０％（真空凍結乾燥物は１００％まで
の量）の量で含みそして所望によつては他の薬理的に価
値ある物質を含むことができる。υソ なお、本明細書において、低級と示された有機基は特に
定義してない限り炭素原子を７個まで、好ましくは４個
までもつものである。
ば慣用の場合、顆粒化、打錠、溶解または真空凍結乾燥
の方法によつて作られそして活性物質を約０．１〜１０
０％殊に約１〜５０％（真空凍結乾燥物は１００％まで
の量）の量で含みそして所望によつては他の薬理的に価
値ある物質を含むことができる。υソ なお、本明細書において、低級と示された有機基は特に
定義してない限り炭素原子を７個まで、好ましくは４個
までもつものである。
アシル基は炭素原子を２０個まで、好ましくは１２個ま
でそして主として７個までもつものである。次に実施例
によつて本発明をさらに具体的に説明する。
でそして主として７個までもつものである。次に実施例
によつて本発明をさらに具体的に説明する。
例１
塩化メチレン２５０ｍ１に溶かした３−メチレン７β−
フエニルアセチルアミノーセフアム一４α一カルボン酸
ジフエニルメチルエステル１．０９の溶液を−７０℃で
酸素・オゾン混合物（毎分オゾン０．２６５ミリモル）
で８，５分間処理しそしてこの反応混合物をジメチルサ
ルフアイド１ｍ１と混合する。
フエニルアセチルアミノーセフアム一４α一カルボン酸
ジフエニルメチルエステル１．０９の溶液を−７０℃で
酸素・オゾン混合物（毎分オゾン０．２６５ミリモル）
で８，５分間処理しそしてこの反応混合物をジメチルサ
ルフアイド１ｍ１と混合する。
これを−７０℃で３０分間そして室温で１．５時間かき
まぜてから、減圧下で乾くまで蒸発する。こうして得た
７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−
４ξ一カノ因シ酸ジフエニルメチルルエステルと７β−
フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−４α一
カルボン酸ジフエニルメチルエステル一１−オキシドと
の混合物を含む残分をメタノール５０ｍ１に溶かして、
過剰量のジアゾメタン（ジエチルエーテル溶液の形で）
とＯ℃で混合する。
まぜてから、減圧下で乾くまで蒸発する。こうして得た
７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−
４ξ一カノ因シ酸ジフエニルメチルルエステルと７β−
フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−４α一
カルボン酸ジフエニルメチルエステル一１−オキシドと
の混合物を含む残分をメタノール５０ｍ１に溶かして、
過剰量のジアゾメタン（ジエチルエーテル溶液の形で）
とＯ℃で混合する。
これをＯ℃で１時間かきまぜてから減圧下で蒸発する。
残分をシリカゲル５０ｇ上でクロマトグラフ処理する。
トルエンと酢酸エチルとの４：１の混合物によつて、Ｒ
ｆ二０．５７（系：トルエン・酢酸エチル１：１）の３
−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一２−セフ
エム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル〔融
点１７４〜１７７℃（塩化メチレンとペンタンとの混合
物から結晶として取り出した後）紫外吸収スペクトル（
９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ一２５８ｍμ（
ε二４３１０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９６μ，５．６０μ，５．７１μ，５．９２μ
，６．１５μおよび６，６６μに特性バンド〕が溶離さ
れ、これに続いてＲｆ＝０．３７（系：トルエン・酢酸
エチル１：１）の３−メトキシー７β−フエニルアセチ
ルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル〔紫外吸収スペクトル（９５％エタノール
水溶液中）：λ［１１ａＸ＝２５８ｍμ（ε＝６３４０
）、λＩＴｌａＸ＝２６４ｍμ（ε＝６３５０）および
λ（肩）２６１ｍμ（ε＝５６００）、赤外吸収スペク
トノレ：２．９４μ，３．０２μ，５．６２μ，５．６
７μ（肩）、５．８１μ，５．９２μ，６．２３μおよ
び６．６７μに特性バンド〕が溶離されそして酢酸工チ
ルによつてＲｆ＝０．３１（系：酢酸エチル）の３−メ
トキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム
一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル一１−オキ
シド〔融点１５２〜１５５ルＣ（アセトンとジエチルエ
ーテルとの混合物から結晶として取り出した後）、紫外
吸収スペタトル（９５％エタノール水溶液中）λＲｒｌ
ａｘ＝２８８ｍμ（ε＝３６１０）およびλ（肩）：２
４７ｍμ、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２
．９４μ，５，５９μ，５．８１μ，５．９５μ，６．
２２μおよび６．６１μに特性バンド〕が溶離される。
トルエンと酢酸エチルとの４：１の混合物によつて、Ｒ
ｆ二０．５７（系：トルエン・酢酸エチル１：１）の３
−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一２−セフ
エム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル〔融
点１７４〜１７７℃（塩化メチレンとペンタンとの混合
物から結晶として取り出した後）紫外吸収スペクトル（
９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ一２５８ｍμ（
ε二４３１０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９６μ，５．６０μ，５．７１μ，５．９２μ
，６．１５μおよび６，６６μに特性バンド〕が溶離さ
れ、これに続いてＲｆ＝０．３７（系：トルエン・酢酸
エチル１：１）の３−メトキシー７β−フエニルアセチ
ルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル〔紫外吸収スペクトル（９５％エタノール
水溶液中）：λ［１１ａＸ＝２５８ｍμ（ε＝６３４０
）、λＩＴｌａＸ＝２６４ｍμ（ε＝６３５０）および
λ（肩）２６１ｍμ（ε＝５６００）、赤外吸収スペク
トノレ：２．９４μ，３．０２μ，５．６２μ，５．６
７μ（肩）、５．８１μ，５．９２μ，６．２３μおよ
び６．６７μに特性バンド〕が溶離されそして酢酸工チ
ルによつてＲｆ＝０．３１（系：酢酸エチル）の３−メ
トキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム
一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル一１−オキ
シド〔融点１５２〜１５５ルＣ（アセトンとジエチルエ
ーテルとの混合物から結晶として取り出した後）、紫外
吸収スペタトル（９５％エタノール水溶液中）λＲｒｌ
ａｘ＝２８８ｍμ（ε＝３６１０）およびλ（肩）：２
４７ｍμ、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２
．９４μ，５，５９μ，５．８１μ，５．９５μ，６．
２２μおよび６．６１μに特性バンド〕が溶離される。
前記原料は次のようにして作られる。
３−ヒドロキシメチルー７β−フエニルアセチルアミノ
一３−セフエム一４−カルボン酸の粗製ナトリウム塩〔
これは、バチルス・サブチリス（Ｂａｃｉｌｌｕｓｓｕ
ｂｔｉｌｌｓ）菌株ＡＴＣＣ６６３３からの精製した酵
素抽出物を使つて３−アセトキシメチルー７β−フエニ
ルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸のナ
トリウム塩を酵素脱アセチル化しそしてこの反応溶液を
真空凍結乾燥することによつて作られた〕１１．８２ｇ
を水２００ｍ１に溶かして酢酸エチル４００ｍ１で覆い
そして濃いりん酸水溶液を加えてＰＨ値を２に酸性とな
す。
一３−セフエム一４−カルボン酸の粗製ナトリウム塩〔
これは、バチルス・サブチリス（Ｂａｃｉｌｌｕｓｓｕ
ｂｔｉｌｌｓ）菌株ＡＴＣＣ６６３３からの精製した酵
素抽出物を使つて３−アセトキシメチルー７β−フエニ
ルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸のナ
トリウム塩を酵素脱アセチル化しそしてこの反応溶液を
真空凍結乾燥することによつて作られた〕１１．８２ｇ
を水２００ｍ１に溶かして酢酸エチル４００ｍ１で覆い
そして濃いりん酸水溶液を加えてＰＨ値を２に酸性とな
す。
水相を分けて酢酸エチル１５０ｍ１ずつで２回再抽出す
る。有機抽出液を合わせて水５０ｍ１ずつで４回洗い、
硫酸マグネシウムで乾かし、約４００ｍ１に濃縮する。
この溶液を過剰のジフエニルジアゾメタンと混合し、室
温で３時間放置してから、粒状結晶性沈殿をろ別する。
そのろ液を約２００ｍ１に濃縮し、熱時にシクロヘキサ
ンで希釈しそして室温に冷却した後に約４℃でしばらく
放置する。沈殿をろ別しそしてアセトンとシクロヘキサ
ンとの混合物から再結晶する。こうして得た３−ヒドロ
キシメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフ
エム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルは１７
６〜１７６．５ジＣ（未補正）で融解する。〔α〕も０
＝−６７±１５（クロロホルム中でｃ＝１．２３１％）
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素蒸気または
λ＝２５４ｍμの紫外線で検出）：Ｒｆ＝０．４２（系
：クロロホルム・アセトン４：１）、Ｒｆ＝０．４３（
系：トルエン・アセトン２：１）そしてＲｆ＝０．４１
（系：塩化メチレン・アセトン６：１）。３−ヒドロキ
シメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３＝セフエ
ム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル１．０３
９とＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジ
イミジウムアイオダイド１．０５ｆ１とを窒素の下で無
水テトラヒドロフラン２５ｍ１に溶かして、３５℃に１
時間加熱する。
る。有機抽出液を合わせて水５０ｍ１ずつで４回洗い、
硫酸マグネシウムで乾かし、約４００ｍ１に濃縮する。
この溶液を過剰のジフエニルジアゾメタンと混合し、室
温で３時間放置してから、粒状結晶性沈殿をろ別する。
そのろ液を約２００ｍ１に濃縮し、熱時にシクロヘキサ
ンで希釈しそして室温に冷却した後に約４℃でしばらく
放置する。沈殿をろ別しそしてアセトンとシクロヘキサ
ンとの混合物から再結晶する。こうして得た３−ヒドロ
キシメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフ
エム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルは１７
６〜１７６．５ジＣ（未補正）で融解する。〔α〕も０
＝−６７±１５（クロロホルム中でｃ＝１．２３１％）
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素蒸気または
λ＝２５４ｍμの紫外線で検出）：Ｒｆ＝０．４２（系
：クロロホルム・アセトン４：１）、Ｒｆ＝０．４３（
系：トルエン・アセトン２：１）そしてＲｆ＝０．４１
（系：塩化メチレン・アセトン６：１）。３−ヒドロキ
シメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３＝セフエ
ム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル１．０３
９とＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジ
イミジウムアイオダイド１．０５ｆ１とを窒素の下で無
水テトラヒドロフラン２５ｍ１に溶かして、３５℃に１
時間加熱する。
これにさらにＮ−メチル−Ｎ，Ｎ／−ジシクロヘキシル
カルボジイミジウムアイオダイド１．０５９を無水テト
ラヒドロフラン１５ｍ１に溶かして加えそして窒素の下
で室温で１７時間放置する。反応混合物を回転式蒸発器
内で減圧下で蒸発する。残分を塩化メチレンに溶かして
、シリカゲル（蒸留水１０％添加）５０９の塔でろ過す
る。これを塩化メチレン１００ｍ１ずつで４回洗う。こ
の溶離液を少量まで濃縮しそしてシリカゲルカラム（９
０９、蒸留水１０％を添加して不活性化した）でクロマ
トグラフ処理する。トルエンと塩化メチレンとの３：７
の混合物の全量９００ｍ１で無極性不純物を溶離する。
次に塩化メチレン２００ｍ１ずつの２つの溶離区劃から
３−ヨードメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３
−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル
が生成する。この薄層クロマトグラフイで均質な区劃を
ベンゼンから真空凍結乾燥する。赤外吸収スペクトル（
塩化メチレン中）：３．００μ，５．６２μ，５．８２
μ，５．９５μ，６．７０μ，７．３２μおよび８．１
６μに特性バンド。上記のよう素化剤は次のようにして
作られる。
カルボジイミジウムアイオダイド１．０５９を無水テト
ラヒドロフラン１５ｍ１に溶かして加えそして窒素の下
で室温で１７時間放置する。反応混合物を回転式蒸発器
内で減圧下で蒸発する。残分を塩化メチレンに溶かして
、シリカゲル（蒸留水１０％添加）５０９の塔でろ過す
る。これを塩化メチレン１００ｍ１ずつで４回洗う。こ
の溶離液を少量まで濃縮しそしてシリカゲルカラム（９
０９、蒸留水１０％を添加して不活性化した）でクロマ
トグラフ処理する。トルエンと塩化メチレンとの３：７
の混合物の全量９００ｍ１で無極性不純物を溶離する。
次に塩化メチレン２００ｍ１ずつの２つの溶離区劃から
３−ヨードメチルー７β−フエニルアセチルアミノ一３
−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル
が生成する。この薄層クロマトグラフイで均質な区劃を
ベンゼンから真空凍結乾燥する。赤外吸収スペクトル（
塩化メチレン中）：３．００μ，５．６２μ，５．８２
μ，５．９５μ，６．７０μ，７．３２μおよび８．１
６μに特性バンド。上記のよう素化剤は次のようにして
作られる。
電磁かきまぜ機と還流冷却器と直立した窒素気球とを備
えた２５０ｍ１の丸底フラスコ内で窒素の下で室温でよ
う化メチル９０ｍ１に新らしく蒸留したＮ，Ｎ′−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド４２９を溶かしそしてこの
無色の反応混合物を７『Ｃの浴温で７２時間かきまぜる
。この反応時間の後にこの赤褐色溶液から余分のよう化
メチルを減圧下で留去しそして粘稠な赤褐色残分を無水
トルエン１５０ｍ１に４０′Ｃで溶かす。こうして数時
間のうちに自然に晶出した結晶物質を空気を避けてガラ
スフイルタ一によつて直立した窒素気球を使つて母液か
ら分離し、反応容器を氷冷した無水トルエン２５ｍ１ず
つで３回すすぎそしてガラスフイルタ一上の淡黄色結晶
物質を同じトルエンで無色になるまで洗う。０．１ｍＴ
１ＬＨｇそして室温で２０時間乾かした後に、Ｎ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミジウムア
イオダイドが無色結晶の形で得られる。
えた２５０ｍ１の丸底フラスコ内で窒素の下で室温でよ
う化メチル９０ｍ１に新らしく蒸留したＮ，Ｎ′−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド４２９を溶かしそしてこの
無色の反応混合物を７『Ｃの浴温で７２時間かきまぜる
。この反応時間の後にこの赤褐色溶液から余分のよう化
メチルを減圧下で留去しそして粘稠な赤褐色残分を無水
トルエン１５０ｍ１に４０′Ｃで溶かす。こうして数時
間のうちに自然に晶出した結晶物質を空気を避けてガラ
スフイルタ一によつて直立した窒素気球を使つて母液か
ら分離し、反応容器を氷冷した無水トルエン２５ｍ１ず
つで３回すすぎそしてガラスフイルタ一上の淡黄色結晶
物質を同じトルエンで無色になるまで洗う。０．１ｍＴ
１ＬＨｇそして室温で２０時間乾かした後に、Ｎ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミジウムア
イオダイドが無色結晶の形で得られる。
融点１１１〜１１３℃、赤外吸収スペクトル（クロロホ
ルム中）：４．７２μおよび６．００μに特性バンド。
９０％の含水酢酸１５ｍ１に溶かした３−ヨードメチル
ー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−
カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．４００９の溶
液を氷浴中でＯ℃に冷却しそして十分にかきまぜながら
亜鉛末２．０９を少しずつ加える。
ルム中）：４．７２μおよび６．００μに特性バンド。
９０％の含水酢酸１５ｍ１に溶かした３−ヨードメチル
ー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−
カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．４００９の溶
液を氷浴中でＯ℃に冷却しそして十分にかきまぜながら
亜鉛末２．０９を少しずつ加える。
０℃で３０分間反応した後に未反応の亜鉛末をニユツチ
エ上でけいそう土製剤を使つてろ去する。
エ上でけいそう土製剤を使つてろ去する。
そのフイルタ一残分を新らしい塩化メチレン中に懸濁し
てろ遍する操作を何回も行う。それらろ液を合わせて減
圧下で濃縮し、無水トルエンと混合しそして減圧下で蒸
発乾燥する。残分をかきまぜながら塩化メチレン５０ｍ
１とりん酸水素ジカリウムの０．５モル水溶液３０ｄと
の間に分配し、水相を分けて塩化メチレン３０ｍ１ずつ
で２回抽出してから棄てる。有機抽出液を塩化ナトリウ
ムの飽和水溶液で数回洗い、硫酸マグネシウムで乾かし
そして減圧下で濃縮する。残分をシリカゲル（水１０％
添加）２２９の塔でクロマトグラフ処理する。塩化メチ
レンおよび酢酸メチル２％を含む塩化メチレンによつて
３−メチレンー７β−フエニルアセチルアミノーセフア
ム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを溶離
しそして塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶と
して取り出す。融点１４４〜１４７℃、〔α〕？−１８
出±１融（クロロホルム中でｃ＝０．７１５）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａ
ｘ＝２５４ｍμ（ε＝１５４０）および２６０ｍμ（ε
＝１５５０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）
：２．９４μ，５．６５μ，５．７４μ，５．９４μ，
６．２６μおよび６．６７μに特性バンド。例３ ３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セ
フエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステル０
．０６９とアニソール０．０５ｍ１とトリフルオル酢酸
１ｍ１との混合物を室温で５分間放置してから、減圧下
で蒸発する。
てろ遍する操作を何回も行う。それらろ液を合わせて減
圧下で濃縮し、無水トルエンと混合しそして減圧下で蒸
発乾燥する。残分をかきまぜながら塩化メチレン５０ｍ
１とりん酸水素ジカリウムの０．５モル水溶液３０ｄと
の間に分配し、水相を分けて塩化メチレン３０ｍ１ずつ
で２回抽出してから棄てる。有機抽出液を塩化ナトリウ
ムの飽和水溶液で数回洗い、硫酸マグネシウムで乾かし
そして減圧下で濃縮する。残分をシリカゲル（水１０％
添加）２２９の塔でクロマトグラフ処理する。塩化メチ
レンおよび酢酸メチル２％を含む塩化メチレンによつて
３−メチレンー７β−フエニルアセチルアミノーセフア
ム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを溶離
しそして塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶と
して取り出す。融点１４４〜１４７℃、〔α〕？−１８
出±１融（クロロホルム中でｃ＝０．７１５）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａ
ｘ＝２５４ｍμ（ε＝１５４０）および２６０ｍμ（ε
＝１５５０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）
：２．９４μ，５．６５μ，５．７４μ，５．９４μ，
６．２６μおよび６．６７μに特性バンド。例３ ３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セ
フエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステル０
．０６９とアニソール０．０５ｍ１とトリフルオル酢酸
１ｍ１との混合物を室温で５分間放置してから、減圧下
で蒸発する。
その残分にクロロホルムとトルエンとのｌ：１の混合物
を加えて乾くまで蒸発する操作を２回行いそしてシリカ
ゲル（水約５％を含む）５９上でクロマトグラフ処理す
る。アセトン３０〜５０％を含む塩化メチレンを使つて
無定形の３−メトキシ−７β−フエニルアセチルアミノ
−３−セフエム−４−カルボン酸が溶離されるから、こ
れをジオキサンから真空凍結乾燥する。紫外吸収スペク
トル（９５％エタノ一ル溶液）：λｎ］ａｘ＝２６５ｍ
μ（ε＝５８００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレ
ン溶液）：３．０３μ，５．６０μ，５．７４μ，５．
９２μ，６．２４μおよび６．６７μに特性バンド。同
様の方法により、３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−フエ
ニルグリシルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボン
酸を得ることができる。
を加えて乾くまで蒸発する操作を２回行いそしてシリカ
ゲル（水約５％を含む）５９上でクロマトグラフ処理す
る。アセトン３０〜５０％を含む塩化メチレンを使つて
無定形の３−メトキシ−７β−フエニルアセチルアミノ
−３−セフエム−４−カルボン酸が溶離されるから、こ
れをジオキサンから真空凍結乾燥する。紫外吸収スペク
トル（９５％エタノ一ル溶液）：λｎ］ａｘ＝２６５ｍ
μ（ε＝５８００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレ
ン溶液）：３．０３μ，５．６０μ，５．７４μ，５．
９２μ，６．２４μおよび６．６７μに特性バンド。同
様の方法により、３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−フエ
ニルグリシルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボン
酸を得ることができる。
この化合物は次のようにして得られる。３−アセチルオ
キシメチル−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノーα−フエニルアセチルーアミノ）−３−セ
フエム−４−カルボン酸においてそのアセチルオキシメ
チル基を酵素的に分裂させ、こうして得られた３−ヒド
ロキシメチル−７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノーα−フエニルアセチルーアミノ）−３−
セフエム−４−カルボン酸をジフエニルジアゾメタンと
混合し、そして得られた３−ヒドロキシメチル−７β一
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フ
エニルアセチルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボ
ン酸ジフエニルメチルエステルの３−ヒドロキシメチル
基においてその水酸基をＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシク
ロヘキシルーカルボジイミジウムアイオダイドで処理し
てよう素基に変える。
キシメチル−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノーα−フエニルアセチルーアミノ）−３−セ
フエム−４−カルボン酸においてそのアセチルオキシメ
チル基を酵素的に分裂させ、こうして得られた３−ヒド
ロキシメチル−７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノーα−フエニルアセチルーアミノ）−３−
セフエム−４−カルボン酸をジフエニルジアゾメタンと
混合し、そして得られた３−ヒドロキシメチル−７β一
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フ
エニルアセチルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボ
ン酸ジフエニルメチルエステルの３−ヒドロキシメチル
基においてその水酸基をＮ−メチル−Ｎ，Ｎ′−ジシク
ロヘキシルーカルボジイミジウムアイオダイドで処理し
てよう素基に変える。
こうして得られた３−ヨードメチル−７β一（Ｄ−α−
ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニルアセ
チルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボン酸ジフエ
ニルメチルエステルにおける３−ヨードメチル基を例え
ば９０％酢酸水溶液の存在下で亜鉛で処理することによ
り還元してメチレン基に変え、生成された３−メチレン
−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
ーα−フエニルアセチルアミノ）−セフアム−４α一カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルをオゾンによりそし
て次にジメチルサルフアイドにより７β一（Ｄ−α−ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニルアセチ
ルーアミノ）一セフアム−３−オン−４ξ一カルボン酸
ジフエニルメチルエステルとその１−オキシドとの混合
物に変える。
ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニルアセ
チルーアミノ）−３−セフエム−４−カルボン酸ジフエ
ニルメチルエステルにおける３−ヨードメチル基を例え
ば９０％酢酸水溶液の存在下で亜鉛で処理することによ
り還元してメチレン基に変え、生成された３−メチレン
−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
ーα−フエニルアセチルアミノ）−セフアム−４α一カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルをオゾンによりそし
て次にジメチルサルフアイドにより７β一（Ｄ−α−ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニルアセチ
ルーアミノ）一セフアム−３−オン−４ξ一カルボン酸
ジフエニルメチルエステルとその１−オキシドとの混合
物に変える。
この１−オキシドをクロマトグラフイで分離し、得られ
た７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルーアミ
ノーα−フエニルアセチルーアミノ一セフアム−３−オ
ン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルをジア
ゾメタンで処理し、そしてアニソールの存在下でトリフ
ルオル酢酸で処理すれば、前記３−メトキシ−７β一（
Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエ
ニルアセチルアミノ）−３−セフエムー４−カルボン酸
−ジフエニルメチルエステルから所望の３−メトキシ−
７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ）−３−セ
フエム−４−カルボン酸が得られる。同様にして３−メ
トキシ−７β−（Ｄ−α−フ工ニルグリシルーアミノ）
−３−セフエム−４−カルボン酸を得ることができる。
た７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルーアミ
ノーα−フエニルアセチルーアミノ一セフアム−３−オ
ン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルをジア
ゾメタンで処理し、そしてアニソールの存在下でトリフ
ルオル酢酸で処理すれば、前記３−メトキシ−７β一（
Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエ
ニルアセチルアミノ）−３−セフエムー４−カルボン酸
−ジフエニルメチルエステルから所望の３−メトキシ−
７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ）−３−セ
フエム−４−カルボン酸が得られる。同様にして３−メ
トキシ−７β−（Ｄ−α−フ工ニルグリシルーアミノ）
−３−セフエム−４−カルボン酸を得ることができる。
この化合物は次のようにして作られる。３−メトキシ−
７β−フエニルアセチルアミノ−３−セフエム−４−カ
ルボン酸一ジフエニルメチルエステルにおいてそのフエ
ニルアセチルアミノ基を約−１０℃においてピリジンの
存在下で、次に約−１５℃においてメタノ一ルの存在下
で５塩化りんで処理し、ｐＨ値約２で加水分解処理する
ことにより分裂させ、７β一アミノ−３−メトキシ−３
−セフエム−４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ルにおけるその遊離アミノ基をα−ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノーα−フエニル酢酸とクロルぎ酸−イソ
ブチルエステルとの混合無水物で処理することによりア
シル化し、そして３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−ｔ−
ブチルオキシカルボニルアミノー−４−カルボン酸ジフ
エニルメチルエステルにおけるそのアミノ基およびカル
ボキシル基をアニソールの存在下でトリフルオル酢酸で
遊離する。
７β−フエニルアセチルアミノ−３−セフエム−４−カ
ルボン酸一ジフエニルメチルエステルにおいてそのフエ
ニルアセチルアミノ基を約−１０℃においてピリジンの
存在下で、次に約−１５℃においてメタノ一ルの存在下
で５塩化りんで処理し、ｐＨ値約２で加水分解処理する
ことにより分裂させ、７β一アミノ−３−メトキシ−３
−セフエム−４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ルにおけるその遊離アミノ基をα−ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノーα−フエニル酢酸とクロルぎ酸−イソ
ブチルエステルとの混合無水物で処理することによりア
シル化し、そして３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−ｔ−
ブチルオキシカルボニルアミノー−４−カルボン酸ジフ
エニルメチルエステルにおけるそのアミノ基およびカル
ボキシル基をアニソールの存在下でトリフルオル酢酸で
遊離する。
例４塩化メチレン５００ｍｌに溶かして−７０℃に冷却
した３−メチレン−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノーα−フエニルアセチルアミノ）−セ
フアム−４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル５
．０９の溶液中に激しくかきまぜながら酸素・オゾン気
流（毎分オゾンＯ．２１ミリモルを含む）を１時間導入
する。
した３−メチレン−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノーα−フエニルアセチルアミノ）−セ
フアム−４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル５
．０９の溶液中に激しくかきまぜながら酸素・オゾン気
流（毎分オゾンＯ．２１ミリモルを含む）を１時間導入
する。
さらに１０分間後に反応混合物にジメチルサルフアイド
３ｍｌを加えて、−６５℃で１時間そして室温で２時間
かきまぜてから、減圧の下で蒸発する。こうして得た７
β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α
−フエニルアセチルーアミノ）−セフアム一３−オン−
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを含む粗生
成物をメタノール１５０７ＴＬ１に溶かして、過剰量の
ジアゾメタンのジエチルエーテル溶液をＯ′Ｃで加えそ
して１５分間かきまぜてから、蒸発する。こうして得た
黄色の発泡物質をシリカゲル２００θ上でクロマトグラ
フ処理する。トルエンと酢酸エチルとの３：１の混合物
，を使つて無定形の３−メトキシー７β−（Ｄ−α一ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチ
ルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸−ジフエ
ニルメチルエステルが溶離される。薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２２（系：トルエン・酢酸
エチル３：１）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９４μ，５．６０μ，５．８５μ，６．２３μ
および６．７０μに特性バンド。上記の原料は次のよう
にして作られる。
３ｍｌを加えて、−６５℃で１時間そして室温で２時間
かきまぜてから、減圧の下で蒸発する。こうして得た７
β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α
−フエニルアセチルーアミノ）−セフアム一３−オン−
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを含む粗生
成物をメタノール１５０７ＴＬ１に溶かして、過剰量の
ジアゾメタンのジエチルエーテル溶液をＯ′Ｃで加えそ
して１５分間かきまぜてから、蒸発する。こうして得た
黄色の発泡物質をシリカゲル２００θ上でクロマトグラ
フ処理する。トルエンと酢酸エチルとの３：１の混合物
，を使つて無定形の３−メトキシー７β−（Ｄ−α一ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチ
ルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸−ジフエ
ニルメチルエステルが溶離される。薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２２（系：トルエン・酢酸
エチル３：１）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９４μ，５．６０μ，５．８５μ，６．２３μ
および６．７０μに特性バンド。上記の原料は次のよう
にして作られる。
ンタロマトグラフ用カラム（直径３ＣＴＩＬ）に亜鉛粒
３５０９を充てんし、０．１Ｎの塩酸に溶かした塩化水
銀の０．１モル溶液で１０分間アマルガム化しそして十
分な水で洗つてから少量の１Ｎの塩酸で洗う。
３５０９を充てんし、０．１Ｎの塩酸に溶かした塩化水
銀の０．１モル溶液で１０分間アマルガム化しそして十
分な水で洗つてから少量の１Ｎの塩酸で洗う。
緑色の塩化タロム・６水和物５５９をン水５５ｍ１と２
Ｎの硫酸１１ｍ１との混合物に溶かして上記の還元反応
管に注ぎ入れそして純青色の塩化クロム溶液が窒素ガス
下に保持した反応容器内に滴加するように流速を調節す
る。この青色の塩化クロム溶液を空気を含まない水１８
０ｍ１にこ溶かした酢酸ナトリウム９２９の溶液と混合
する。こうして溶液の色は赤変して、微細な結晶性の酢
酸タロムが析出する。析出し終つたら、上澄み液を除い
て、酢酸クロムを空気を含まない水２５０ｍ１ずつで２
回洗う。
Ｎの硫酸１１ｍ１との混合物に溶かして上記の還元反応
管に注ぎ入れそして純青色の塩化クロム溶液が窒素ガス
下に保持した反応容器内に滴加するように流速を調節す
る。この青色の塩化クロム溶液を空気を含まない水１８
０ｍ１にこ溶かした酢酸ナトリウム９２９の溶液と混合
する。こうして溶液の色は赤変して、微細な結晶性の酢
酸タロムが析出する。析出し終つたら、上澄み液を除い
て、酢酸クロムを空気を含まない水２５０ｍ１ずつで２
回洗う。
５この湿つた酢酸タロムにジメチルスルホキシド２００
ｍ１に溶かした３−アセチルオキシメチルー７β一（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニ
ルアセチルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸
１０．０９の溶液を加えて、４この反応混合物を窒素ガ
スの下で室温で１５時間かきまぜる。
ｍ１に溶かした３−アセチルオキシメチルー７β一（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニ
ルアセチルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸
１０．０９の溶液を加えて、４この反応混合物を窒素ガ
スの下で室温で１５時間かきまぜる。
この反応混合物に空気を３０分間通じそしてＮａ５一型
のポリスチレンスルホン酸イオン交換体（ドウエクス５
０）１０００９と水１０００ｍ１とを加えて１時間かき
まぜる。イオン交換体を除き、６Ｎの塩酸を加えてＰＨ
値を２に調整しそしてこの水相を酢酸エチル２０００ｍ
１ずつで３回抽出する。これら有機抽出液を塩化ナトリ
ウムの飽和水溶液１０００ｍ１で１回洗い、硫酸マグネ
シウムで乾かしそして蒸発する。こうして得た粗生成物
をメタノール１００ｍ１に溶かしそしてジフエニルジア
ゾメタン６９のベンゼン３０ｍ１に溶かした溶液を加え
て室温で１時間かきませる。
のポリスチレンスルホン酸イオン交換体（ドウエクス５
０）１０００９と水１０００ｍ１とを加えて１時間かき
まぜる。イオン交換体を除き、６Ｎの塩酸を加えてＰＨ
値を２に調整しそしてこの水相を酢酸エチル２０００ｍ
１ずつで３回抽出する。これら有機抽出液を塩化ナトリ
ウムの飽和水溶液１０００ｍ１で１回洗い、硫酸マグネ
シウムで乾かしそして蒸発する。こうして得た粗生成物
をメタノール１００ｍ１に溶かしそしてジフエニルジア
ゾメタン６９のベンゼン３０ｍ１に溶かした溶液を加え
て室温で１時間かきませる。
蒸発して得た粗生成物をシリカゲル５００９上でタロマ
トグラフ処理する。こうして３−メチレンー７β−（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニ
ルアセチルアミノ）−セフアム一４α一カルボン酸ジフ
エニルメチルエステルが石油エーテルの４：１の混合物
およびジエチルエーテルによつて溶離される。この生成
物は塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶として
取り出した後に１５６〜１５８℃で融解する。〔α］Ｄ
＝−５０±１６（クロロホルム中でｃ−０．７１３）、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｒｒｌａｘ＝２５８μ（ε９９０）、赤外吸収スペクト
ル（塩化メチレン中）：２．９４μ，５．６４μ，５．
７４μ，５．８８μ（肩）および６．７１μに特性バン
ド。例５ ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチル−オキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルアセチルーアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ル２．４４９とアニソール２．１ｍ１とトリフルオル酢
酸４１ｍ１との混合物を室温で５分間放置してから蒸発
する。
トグラフ処理する。こうして３−メチレンー７β−（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニ
ルアセチルアミノ）−セフアム一４α一カルボン酸ジフ
エニルメチルエステルが石油エーテルの４：１の混合物
およびジエチルエーテルによつて溶離される。この生成
物は塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶として
取り出した後に１５６〜１５８℃で融解する。〔α］Ｄ
＝−５０±１６（クロロホルム中でｃ−０．７１３）、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｒｒｌａｘ＝２５８μ（ε９９０）、赤外吸収スペクト
ル（塩化メチレン中）：２．９４μ，５．６４μ，５．
７４μ，５．８８μ（肩）および６．７１μに特性バン
ド。例５ ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチル−オキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルアセチルーアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ル２．４４９とアニソール２．１ｍ１とトリフルオル酢
酸４１ｍ１との混合物を室温で５分間放置してから蒸発
する。
この残分をトルオールとクロロホルムとの３：１の混合
物２００Ｔｔ１１中に溶かし、蒸発し、そして高真空下
で乾かす。この褐色の残分を数回ジエチルエーテルで溶
かし出し、ろ過し、乾かす。こうして得られた３−メト
キシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ）−
３−セフエム一４−カルボン酸の淡褐色の粉末状のトリ
フルオルアセテートを、メタノール５ｍ１とジエチルエ
ーテル５ｍ１と水０．５ｍ１とから成る溶液に溶かし、
その溶液のＰＨ値をジエチルエーテルに溶かした３０％
トリエチルアミン水溶液の滴加により約４以上にする。
この時薄片状のやや褐色の沈殿物が生じる。さらにジエ
チルエーテルを加えるとこの沈殿が終了する。
物２００Ｔｔ１１中に溶かし、蒸発し、そして高真空下
で乾かす。この褐色の残分を数回ジエチルエーテルで溶
かし出し、ろ過し、乾かす。こうして得られた３−メト
キシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ）−
３−セフエム一４−カルボン酸の淡褐色の粉末状のトリ
フルオルアセテートを、メタノール５ｍ１とジエチルエ
ーテル５ｍ１と水０．５ｍ１とから成る溶液に溶かし、
その溶液のＰＨ値をジエチルエーテルに溶かした３０％
トリエチルアミン水溶液の滴加により約４以上にする。
この時薄片状のやや褐色の沈殿物が生じる。さらにジエ
チルエーテルを加えるとこの沈殿が終了する。
この沈殿物をろ別し、メタノールとジエチルエーテルと
の混合物から３回再沈殿させる。こうして得られた３−
メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ
）−３−セフエム一４−カルボン酸の無定形分子内塩は
薄層クロマトグラム（シリカゲル）においてＲｆ値約０
．１４（系：酢酸エチルエステル・ｎ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水４２：２１：２１：６：１０）を示す
。例６ 塩化メチレン２５００ｍ１に３−メチレンー７β−（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニ
ルーアセチルアミノ）−セフアム一４α一カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル２５．７９を溶かした水溶液を
−６０℃に冷却し、酸素とオゾンとの混合物の気流毎分
オゾン０．４５ミリモルを含む）で１１０分間処理する
。
の混合物から３回再沈殿させる。こうして得られた３−
メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルーアミノ
）−３−セフエム一４−カルボン酸の無定形分子内塩は
薄層クロマトグラム（シリカゲル）においてＲｆ値約０
．１４（系：酢酸エチルエステル・ｎ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水４２：２１：２１：６：１０）を示す
。例６ 塩化メチレン２５００ｍ１に３−メチレンー７β−（Ｄ
−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノーα−フエニ
ルーアセチルアミノ）−セフアム一４α一カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル２５．７９を溶かした水溶液を
−６０℃に冷却し、酸素とオゾンとの混合物の気流毎分
オゾン０．４５ミリモルを含む）で１１０分間処理する
。
この反応混合物にジメチルスルフアイド８ｍ１を加え、
−７０で１時間そして室温で２時間かきまぜ、減圧下で
蒸発する。この残分をメタノール２００ｍ１に溶かし、
この溶液（７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム
一３−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエス
テルを含む）に０℃でジアゾメタンを溶かしたジエチル
エーテルの水溶液を黄色が消えなくなるまで加える。こ
れを１５分間かきまぜてから減圧下で蒸発し、そしてそ
の残分をシリカゲル１１００９上でクロマトグラフ処理
する。生成した３−メトキシー７β−（Ｄ−α一ｔ−ブ
チルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチル
アミノ）−２−セフエム一４α一カルボン酸ジメチルエ
ステルをジエチルエーテルで溶離し、塩化メチレンとペ
ンタンとの混合物から結晶させる。融点：１６６〜１６
８℃、〔α〕２０ゝＤこ＋１７８Ｄ±１点（クロロホル
ム中でｃ＝０．７７１）、薄層クロマトグラム（シリカ
ゲル：よう素で検定）：Ｒｆ〜０．６１（系：ジエチル
エーテル）、紫外吸収スペクトル（エタノール中）：λ
１１１ａＸ＝２５７ｍμ（ξ＝３５５０）、赤外吸収ス
ペクトル（塩化メチレン中）：２．９６μ，５．６３μ
，５．７４μ，５．８５μ（肩）、５．９２μ，６．１
６μ，６．６４μ（肩）および６．７２μに特性バンド
。
−７０で１時間そして室温で２時間かきまぜ、減圧下で
蒸発する。この残分をメタノール２００ｍ１に溶かし、
この溶液（７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム
一３−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエス
テルを含む）に０℃でジアゾメタンを溶かしたジエチル
エーテルの水溶液を黄色が消えなくなるまで加える。こ
れを１５分間かきまぜてから減圧下で蒸発し、そしてそ
の残分をシリカゲル１１００９上でクロマトグラフ処理
する。生成した３−メトキシー７β−（Ｄ−α一ｔ−ブ
チルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチル
アミノ）−２−セフエム一４α一カルボン酸ジメチルエ
ステルをジエチルエーテルで溶離し、塩化メチレンとペ
ンタンとの混合物から結晶させる。融点：１６６〜１６
８℃、〔α〕２０ゝＤこ＋１７８Ｄ±１点（クロロホル
ム中でｃ＝０．７７１）、薄層クロマトグラム（シリカ
ゲル：よう素で検定）：Ｒｆ〜０．６１（系：ジエチル
エーテル）、紫外吸収スペクトル（エタノール中）：λ
１１１ａＸ＝２５７ｍμ（ξ＝３５５０）、赤外吸収ス
ペクトル（塩化メチレン中）：２．９６μ，５．６３μ
，５．７４μ，５．８５μ（肩）、５．９２μ，６．１
６μ，６．６４μ（肩）および６．７２μに特性バンド
。
さらにジエチルエーテルで溶離すると、無定形の３−メ
トキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸一ジフエニルメチルエステルが得ら
れ、これはジオキサンから凍結乾燥することができる。
薄層クロマトグラム（シリカゲル：よう素で検定）：Ｒ
ｆ〜０．３３（系：ジエチルエーテル）、〔α〕？＝１
０±１３（クロロホルム中でｃ＝０．９８）、紫外吸収
スペクトル（エタ，ノール中）：λＩＴｌａＸ＝２６４
ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：２．９４μ，５．６２μ，５．８４μ，５．
８８μ（肩）、６．２５μおよび６．７１μに特性バン
ド。例７ ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル８
．８９とアニソール８．６Ｔ１１１とトリフルオル酢酸
１４５ｄとの混合物をＯ℃で１５分間かきまぜ、冷えた
トルエン４００ｍ１と混合しそして減圧の下で蒸発する
。
トキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸一ジフエニルメチルエステルが得ら
れ、これはジオキサンから凍結乾燥することができる。
薄層クロマトグラム（シリカゲル：よう素で検定）：Ｒ
ｆ〜０．３３（系：ジエチルエーテル）、〔α〕？＝１
０±１３（クロロホルム中でｃ＝０．９８）、紫外吸収
スペクトル（エタ，ノール中）：λＩＴｌａＸ＝２６４
ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：２．９４μ，５．６２μ，５．８４μ，５．
８８μ（肩）、６．２５μおよび６．７１μに特性バン
ド。例７ ３−メトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル８
．８９とアニソール８．６Ｔ１１１とトリフルオル酢酸
１４５ｄとの混合物をＯ℃で１５分間かきまぜ、冷えた
トルエン４００ｍ１と混合しそして減圧の下で蒸発する
。
残分を高真空下で乾かし、ジエチルエーテルを加えて浸
出しそしてろ過する。こうして３−メトキシー７β−（
Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一
４−カルボン酸のトリフルオルアセテートが粉末の形で
得られる。これを水２０ｍ１に溶かす。これを酢酸エチ
ル２５ｍ１ずつで２回洗いそしてトリエチルアミンの２
０％メタノール溶液でＰＨ値を約５に調整すれば、無色
の沈殿が生成する。これを氷浴中で１時間かきまぜてか
ら、アセトン２０ｍｊを加えて約４℃で１６時間放置す
る。こうして生成した無色の沈殿をろ別し、アセトンお
よびジエチルエーテルで洗い、減圧下で乾かす。こうし
て微結晶性粉末の形で３−メトキシー７β−（Ｄ−α−
フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カル
ボン酸が分子内塩として得られる。これは水和物の形で
存在する。融点１７４〜１７６゜Ｃ（分解）、〔α〕２
０−＋１４９７（０．１Ｎの塩酸１Ｄ゜中でｃ−１．０
３）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で検出
）：Ｒｆ〜０．３６（系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４０：２４：６：３０）、紫外吸収スペクトル
（炭酸水素ナトリウムの０．１Ｎ水溶液中）：λＩＩｌ
ａＸ＝２６７ｍμ（ε６２００）、赤外吸収スペクトル
（鉱油中）：とりわけ５．７２μ，５．９４μ，６．２
３μおよび６．６０μに特性バンド。
出しそしてろ過する。こうして３−メトキシー７β−（
Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一
４−カルボン酸のトリフルオルアセテートが粉末の形で
得られる。これを水２０ｍ１に溶かす。これを酢酸エチ
ル２５ｍ１ずつで２回洗いそしてトリエチルアミンの２
０％メタノール溶液でＰＨ値を約５に調整すれば、無色
の沈殿が生成する。これを氷浴中で１時間かきまぜてか
ら、アセトン２０ｍｊを加えて約４℃で１６時間放置す
る。こうして生成した無色の沈殿をろ別し、アセトンお
よびジエチルエーテルで洗い、減圧下で乾かす。こうし
て微結晶性粉末の形で３−メトキシー７β−（Ｄ−α−
フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カル
ボン酸が分子内塩として得られる。これは水和物の形で
存在する。融点１７４〜１７６゜Ｃ（分解）、〔α〕２
０−＋１４９７（０．１Ｎの塩酸１Ｄ゜中でｃ−１．０
３）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で検出
）：Ｒｆ〜０．３６（系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４０：２４：６：３０）、紫外吸収スペクトル
（炭酸水素ナトリウムの０．１Ｎ水溶液中）：λＩＩｌ
ａＸ＝２６７ｍμ（ε６２００）、赤外吸収スペクトル
（鉱油中）：とりわけ５．７２μ，５．９４μ，６．２
３μおよび６．６０μに特性バンド。
例８
７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．０５０
！と１−メチル−３−（４−メチルフエニル）一トリア
ゼン０．０２０９とをベンゼン５ｍ１に溶かして還流の
下で２時間煮沸する。
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．０５０
！と１−メチル−３−（４−メチルフエニル）一トリア
ゼン０．０２０９とをベンゼン５ｍ１に溶かして還流の
下で２時間煮沸する。
この混合物を冷却した後に減圧下で蒸発し、残分を薄層
クロマトグラフ処理して精製する（シリカゲル、１×２
０ＣＴ！Ｌ．系：トルエン・酢酸エチル２：１）。紫外
線（λ−２５４ｍμ）下で肉眼視出来る帯域（Ｒｆ〜０
．１８）をアセトンで溶離すれば、３−メトキシー７β
−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボ
ン酸ジフエニルメチルエステルが得られる。紫外吸収ス
ペクトル（エタノール中）：λＲＴｌａｘ＝２６４ｍμ
（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン
中）：２．９４μ，５．６３μ，５．８３μ，５．９４
μ，６．２６μおよび６．６８μに特性バンド。上記の
原料は次のようにして作ることができる。
クロマトグラフ処理して精製する（シリカゲル、１×２
０ＣＴ！Ｌ．系：トルエン・酢酸エチル２：１）。紫外
線（λ−２５４ｍμ）下で肉眼視出来る帯域（Ｒｆ〜０
．１８）をアセトンで溶離すれば、３−メトキシー７β
−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボ
ン酸ジフエニルメチルエステルが得られる。紫外吸収ス
ペクトル（エタノール中）：λＲＴｌａｘ＝２６４ｍμ
（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン
中）：２．９４μ，５．６３μ，５．８３μ，５．９４
μ，６．２６μおよび６．６８μに特性バンド。上記の
原料は次のようにして作ることができる。
３−メチレンー７β−フエニルアセチルアミノーセフア
ム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．５
９をメタノール１００ｍ１中に溶かした溶液を−７０℃
で６．５分間酸素・オゾン気流（毎分オゾン０．１７５
ミリモルを含む）で処理する。
ム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．５
９をメタノール１００ｍ１中に溶かした溶液を−７０℃
で６．５分間酸素・オゾン気流（毎分オゾン０．１７５
ミリモルを含む）で処理する。
この残分にジメチルサルフアイド０．５ｍ１を加え、−
７０℃で１時間そして室温で２時間かきまぜ、次に蒸発
して乾かす。この残分を塩化メチレン中のシリカゲル１
５９上でタロマトグラフ処理する。次に塩化メチレンで
無定形の７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３
−オン−４ξ−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
溶離する。薄層クロマトグラフ（シリカゲル）：Ｒｆ−
０．４７（系：トルオール・アセトン・メタノール・酢
酸８０：１０：５：５）、紫外吸収スペクトル（塩化メ
チレン中）：２．９５μ，５．６１μ，５．７７μ，５
．８５μ，５．９５μ，６．２１μおよび６．８７μに
特性バンド。この化合物は陽性の塩化第２鉄反応を示す
。例９ ７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル２．０９を
メタノール７５ｍ１に溶かした溶液を０℃に冷却し、余
剰量のジアゾ−ｎ−ブタン（ジエチルエーテル溶液の形
で）を加える。
７０℃で１時間そして室温で２時間かきまぜ、次に蒸発
して乾かす。この残分を塩化メチレン中のシリカゲル１
５９上でタロマトグラフ処理する。次に塩化メチレンで
無定形の７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３
−オン−４ξ−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
溶離する。薄層クロマトグラフ（シリカゲル）：Ｒｆ−
０．４７（系：トルオール・アセトン・メタノール・酢
酸８０：１０：５：５）、紫外吸収スペクトル（塩化メ
チレン中）：２．９５μ，５．６１μ，５．７７μ，５
．８５μ，５．９５μ，６．２１μおよび６．８７μに
特性バンド。この化合物は陽性の塩化第２鉄反応を示す
。例９ ７β−フエニルアセチルアミノーセフアム一３−オン−
４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル２．０９を
メタノール７５ｍ１に溶かした溶液を０℃に冷却し、余
剰量のジアゾ−ｎ−ブタン（ジエチルエーテル溶液の形
で）を加える。
これをＯ℃で１５分間かきまぜ、減圧下で蒸発する。こ
の油状残分を分取薄層クロマトグラフ（シリカゲルプレ
ート、６×１００ＣＴＬ１系：トルオール・酢酸エチル
３：１）で精製する。この紫外線（λ−２５４ｍμ）下
で肉眼できる層を分離し、アセトンで繰返し容離する。
この帯域（Ｒｆ〜０．３３）は３一ｎ−ブチルオキシー
７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カ
ルボン酸−ジフエニルメチルエステルであり、塩化メチ
レンとジエチルエーテルとの混合物から結晶化した後１
６８〜１７０℃で無色の薄層の形で溶触する。〔α〕ｗ
＝＋５５０±１無（クロロホルム中でｃ＝０．３８）、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｒｒｌａｘ＝２６４ｍμ（εニ７３００）、赤外吸収ス
ペクトル（塩化メチレン中）：２．９８μ，５．６２μ
，５．８１μ，５．９２μ，６．２５μおよび６．６２
μに特性バンド。例１０ ３−メチレンー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム
一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル５ｆ！と
塩化メチレン５００ｍ１との混合物を前記の例に記載の
方法に従つて−７０℃でオゾン１．１５当量で処理して
から、ジメチルサルフアイド２ｍ１と混合して−７０℃
で１時間そして室温で２時間かきまぜてから減圧下で蒸
発する〇その残分〔７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカル
ボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）ーセフ
アム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを含む〕をメタノール１５０ｍ１に溶かしそして
Ｏ℃でジアゾ−ｎ−ブタンのジニチルエーテル溶液を黄
色が消えなくなるまで加える。
の油状残分を分取薄層クロマトグラフ（シリカゲルプレ
ート、６×１００ＣＴＬ１系：トルオール・酢酸エチル
３：１）で精製する。この紫外線（λ−２５４ｍμ）下
で肉眼できる層を分離し、アセトンで繰返し容離する。
この帯域（Ｒｆ〜０．３３）は３一ｎ−ブチルオキシー
７β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カ
ルボン酸−ジフエニルメチルエステルであり、塩化メチ
レンとジエチルエーテルとの混合物から結晶化した後１
６８〜１７０℃で無色の薄層の形で溶触する。〔α〕ｗ
＝＋５５０±１無（クロロホルム中でｃ＝０．３８）、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｒｒｌａｘ＝２６４ｍμ（εニ７３００）、赤外吸収ス
ペクトル（塩化メチレン中）：２．９８μ，５．６２μ
，５．８１μ，５．９２μ，６．２５μおよび６．６２
μに特性バンド。例１０ ３−メチレンー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム
一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル５ｆ！と
塩化メチレン５００ｍ１との混合物を前記の例に記載の
方法に従つて−７０℃でオゾン１．１５当量で処理して
から、ジメチルサルフアイド２ｍ１と混合して−７０℃
で１時間そして室温で２時間かきまぜてから減圧下で蒸
発する〇その残分〔７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカル
ボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）ーセフ
アム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを含む〕をメタノール１５０ｍ１に溶かしそして
Ｏ℃でジアゾ−ｎ−ブタンのジニチルエーテル溶液を黄
色が消えなくなるまで加える。
この溶液を１５分間後に減圧下で蒸発し、残分を分取薄
層タロマトグラフ処理して精製する（シリカゲル、厚み
１．５ｍｍ１プレートの寸法１６×１００へ系：トルエ
ン・酢酸エチル７５：２５）。紫外線下で肉眼視できる
Ｒｆ約０．３５の帯域から３−ｎ−ブトキシー７β−（
Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステルが得られる。これをシリカゲル
上で再度クロマトグラフ処理して精製しそしてジオキサ
ンから真空凍結乾燥する。〔α〕も０−＋１１０±１サ
（タロロホルム中でｃ二０．９８）、紫外吸収スペタト
ル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６４
ｍμ（ε＝６１００）、赤外吸収スペタトル（塩化メチ
レン中）：２．８８μ，５．６３μ，５．８４μ（肩）
、５．８８μ，６．２６μおよび６．７１μに特性バン
ド。例１１ ３−ｎ−ブチルオキシー７β一（Ｄ−α−ｔ一ブチルオ
キシカルボニルアミノ一α−フエニルアセチルーアミノ
）−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステル０．５９とアニソール１ｍ１と予冷したトリフル
オル酢酸１５ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間かきまぜ
、冷えたトルエン２００ｍ１と混合しそして減圧の下で
蒸発する。
層タロマトグラフ処理して精製する（シリカゲル、厚み
１．５ｍｍ１プレートの寸法１６×１００へ系：トルエ
ン・酢酸エチル７５：２５）。紫外線下で肉眼視できる
Ｒｆ約０．３５の帯域から３−ｎ−ブトキシー７β−（
Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステルが得られる。これをシリカゲル
上で再度クロマトグラフ処理して精製しそしてジオキサ
ンから真空凍結乾燥する。〔α〕も０−＋１１０±１サ
（タロロホルム中でｃ二０．９８）、紫外吸収スペタト
ル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６４
ｍμ（ε＝６１００）、赤外吸収スペタトル（塩化メチ
レン中）：２．８８μ，５．６３μ，５．８４μ（肩）
、５．８８μ，６．２６μおよび６．７１μに特性バン
ド。例１１ ３−ｎ−ブチルオキシー７β一（Ｄ−α−ｔ一ブチルオ
キシカルボニルアミノ一α−フエニルアセチルーアミノ
）−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステル０．５９とアニソール１ｍ１と予冷したトリフル
オル酢酸１５ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間かきまぜ
、冷えたトルエン２００ｍ１と混合しそして減圧の下で
蒸発する。
残分をジエチルエーテルを加えてかきまぜ、こうして生
成した無色の粉末状沈殿をろ別し、ジエチルエーテルで
洗いそして高真空下で乾かす。こうして得た３−ｎ−ブ
チルオキシー７β−（Ｄ−α一フエニルーグリシルアミ
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のトリフルオル酢
酸塩を水５ｍ１に溶かす。この溶液を酢酸エチル１０ｍ
１ずつで２回洗い、水相のＰＨをトリエチルアミンのメ
タノール溶液を加えて５．０に調整する。この溶液を減
圧下で蒸発し、残分を少量のアセトンに溶かしそして濁
りを生ずるまでジエチルエーテルで希釈する。こうして
分子内塩の形で３−ｎ−ブチルオキシー７β一（Ｄ−α
−フエニルーグリシルアミノ）−３一セフエム一４−カ
ルボン酸が結晶性沈殿として得られるから、これをろ別
する。融点１４１〜１４２℃、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル）：Ｒｆ〜０．２１（系：酢酸エチル・ピリジ
ン・酢酸・水６２：２１：６：１１）、紫外吸収スペク
トル（炭酸水素ナトリウムの０．１Ｎ水溶液中）：λＩ
Ｔｌａｘ２６７ｍμ（ε＝７３００）。例１２ メタノール１０ｍ１に溶かした３−メトキシー７β−フ
エニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸
０．２９の溶液をジアゾメタンのジエチルエーテル溶液
とＯ℃で黄色が消えなくなるまで混合してから、減圧下
で蒸発する。
成した無色の粉末状沈殿をろ別し、ジエチルエーテルで
洗いそして高真空下で乾かす。こうして得た３−ｎ−ブ
チルオキシー７β−（Ｄ−α一フエニルーグリシルアミ
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のトリフルオル酢
酸塩を水５ｍ１に溶かす。この溶液を酢酸エチル１０ｍ
１ずつで２回洗い、水相のＰＨをトリエチルアミンのメ
タノール溶液を加えて５．０に調整する。この溶液を減
圧下で蒸発し、残分を少量のアセトンに溶かしそして濁
りを生ずるまでジエチルエーテルで希釈する。こうして
分子内塩の形で３−ｎ−ブチルオキシー７β一（Ｄ−α
−フエニルーグリシルアミノ）−３一セフエム一４−カ
ルボン酸が結晶性沈殿として得られるから、これをろ別
する。融点１４１〜１４２℃、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル）：Ｒｆ〜０．２１（系：酢酸エチル・ピリジ
ン・酢酸・水６２：２１：６：１１）、紫外吸収スペク
トル（炭酸水素ナトリウムの０．１Ｎ水溶液中）：λＩ
Ｔｌａｘ２６７ｍμ（ε＝７３００）。例１２ メタノール１０ｍ１に溶かした３−メトキシー７β−フ
エニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン酸
０．２９の溶液をジアゾメタンのジエチルエーテル溶液
とＯ℃で黄色が消えなくなるまで混合してから、減圧下
で蒸発する。
残分をシリカゲル上でクロマトグラフ処理する。トルエ
ンと酢酸エチルとの３：１の混合物で３−メトキシー７
β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カル
ボン酸メチルエステルが溶離されるから、これを塩化メ
チレンとヘキサンとの混合物から再結晶する。融点１７
１〜１７４℃、〔α〕２０−＋ＤｌＯ２る±１点（タロ
ロホルム中でｃ＝０．９５）、紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６５ｍμ（
ε＝６２５０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９４μ，５．６２μ，５．７６μ，５．９３μ
，６．２４μおよび６．６５μに特性バンド。
ンと酢酸エチルとの３：１の混合物で３−メトキシー７
β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カル
ボン酸メチルエステルが溶離されるから、これを塩化メ
チレンとヘキサンとの混合物から再結晶する。融点１７
１〜１７４℃、〔α〕２０−＋ＤｌＯ２る±１点（タロ
ロホルム中でｃ＝０．９５）、紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６５ｍμ（
ε＝６２５０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中
）：２．９４μ，５．６２μ，５．７６μ，５．９３μ
，６．２４μおよび６．６５μに特性バンド。
例１３
粗製の７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一３
−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル
０．０２９とアセトン２ｍ１との混合物に硫酸ジメチル
０．１ｍ１と無水炭酸カリウムとを加え、室温で窒素雰
囲気下で１６時間かきまぜる。
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一３
−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル
０．０２９とアセトン２ｍ１との混合物に硫酸ジメチル
０．１ｍ１と無水炭酸カリウムとを加え、室温で窒素雰
囲気下で１６時間かきまぜる。
この反応混合物を減圧下で蒸発し、その残分を塩化メチ
レン中で取出し、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、
硫酸ナトリウム上で乾かし、減圧下で蒸発する。得られ
た残分を分取層クロマトグラフ（シリカゲル）で精製す
る。次に紫外線（λ＝２５４ｍμ）の下で肉眼視できる
その両帯域を単離する。こうしてＲｆ−０．６１（シリ
カゲル：系：ジエチルエーテル）により、３−メトキシ
ー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−２−セフエム一４
α一カルボン酸一ジフエニルメチルエステルが得られる
。このエステルの融点は塩化メチレンとペンタンとの混
合物から再結晶後において１６６〜１６８℃である。ま
たＲｆ−０．３１（シリカゲル：系：ジエチルエーテル
）により無定形の３−メトキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−
ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチル
アミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステルが得られる。例１４ 塩化メチレン８００ｍ１に溶かして−７０℃に冷却した
７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−
フエニルーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアム
一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル８．２９
の溶液を酸素・オゾン気流（毎分オゾン０．４９ミリモ
ル）で３４分間処理し、ジメチルサルフアイド３．５ｍ
１を加えて−７０℃でｌ時間そして室温で２時間かきま
ぜる。
レン中で取出し、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、
硫酸ナトリウム上で乾かし、減圧下で蒸発する。得られ
た残分を分取層クロマトグラフ（シリカゲル）で精製す
る。次に紫外線（λ＝２５４ｍμ）の下で肉眼視できる
その両帯域を単離する。こうしてＲｆ−０．６１（シリ
カゲル：系：ジエチルエーテル）により、３−メトキシ
ー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−２−セフエム一４
α一カルボン酸一ジフエニルメチルエステルが得られる
。このエステルの融点は塩化メチレンとペンタンとの混
合物から再結晶後において１６６〜１６８℃である。ま
たＲｆ−０．３１（シリカゲル：系：ジエチルエーテル
）により無定形の３−メトキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−
ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチル
アミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステルが得られる。例１４ 塩化メチレン８００ｍ１に溶かして−７０℃に冷却した
７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−
フエニルーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアム
一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル８．２９
の溶液を酸素・オゾン気流（毎分オゾン０．４９ミリモ
ル）で３４分間処理し、ジメチルサルフアイド３．５ｍ
１を加えて−７０℃でｌ時間そして室温で２時間かきま
ぜる。
減圧下で蒸発し、油状残分〔７β−（Ｄ−α−ｔ−ブト
キシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ
）−セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニル
メチルエステルを含む）をベンゼン３００ｍ１に溶かし
、１−エチル−３−（４−メチルフエニル）一トリアゼ
ン３．２８９と混合して、窒素ガスの下で還流状態で１
時間煮沸してから、減圧下で蒸発する。残分をシリカゲ
ル３６０９上△でクロマトグラフ処理する。トルエンと
酢酸エチルとの４：１の混合物で無定形の３−エトキシ
ー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α
−フエニルーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルが溶離される。薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．２８（系：
トルエン・酢酸エチル３：１）紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５８ｍμ（ε
＝７０００）およびλＲｎａｘ＝２６４ｍμ（ε＝６９
００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．
９６μ，５．６４μ，５．９０μ，６．２８μおよび６
，７３μに特性バンド。例１５ ３−エトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル２
，７０９とアニソール６．７ｄとぎ酸６．７ｍ１との混
合物を室温で１時間かきまぜ、トルエン２００ｍ１で希
釈してから、減圧下で蒸発し、残分を高真空中で乾かし
、ジエチルエーテルで浸出しそしてろ過する。
キシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ
）−セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニル
メチルエステルを含む）をベンゼン３００ｍ１に溶かし
、１−エチル−３−（４−メチルフエニル）一トリアゼ
ン３．２８９と混合して、窒素ガスの下で還流状態で１
時間煮沸してから、減圧下で蒸発する。残分をシリカゲ
ル３６０９上△でクロマトグラフ処理する。トルエンと
酢酸エチルとの４：１の混合物で無定形の３−エトキシ
ー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α
−フエニルーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルが溶離される。薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．２８（系：
トルエン・酢酸エチル３：１）紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５８ｍμ（ε
＝７０００）およびλＲｎａｘ＝２６４ｍμ（ε＝６９
００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．
９６μ，５．６４μ，５．９０μ，６．２８μおよび６
，７３μに特性バンド。例１５ ３−エトキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル２
，７０９とアニソール６．７ｄとぎ酸６．７ｍ１との混
合物を室温で１時間かきまぜ、トルエン２００ｍ１で希
釈してから、減圧下で蒸発し、残分を高真空中で乾かし
、ジエチルエーテルで浸出しそしてろ過する。
こうして褐色粉末として得られた３−エトキシー７β−
（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム
一４−カルボン酸のぎ酸塩を水８ｍ１に溶かし、この水
相を２Ｎの塩酸で酸性となし、酢酸エチル１０ｍ１で洗
い、トリエチルアミンの１０％メタノール溶液でＰＨを
約５に調整しそして減圧下で蒸発する。残分を少量のメ
タノールに溶かしそして塩化メチレンとジエチルエーテ
ルとを加えると、淡黄色無定形の３−エトキシー７β一
（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム
一４−カルボン酸が分子内塩として沈殿する。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．１７（系：酢酸
エチル・ピリジン・酢酸・水６２：２１：６：１１）、
紫外吸収スペクトル（炭酸水素ナトリウムの０．１モル
水溶液中）：λＩＴｌａＸ−２６３ｍμ（ε＝５５００
）。例１６塩化メチレン１５００ｍ１に溶かした３−メ
チレンー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミ
ノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一４α
一カルボン酸ジフエニルメチルエステル１５９の溶液を
−６５℃で酸素・オゾン混合物で６２分間処理し（毎分
オゾン０．５ミリモル）、次に−７０℃でジメチルサル
フアイド８．７ｍ１を加える。
（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム
一４−カルボン酸のぎ酸塩を水８ｍ１に溶かし、この水
相を２Ｎの塩酸で酸性となし、酢酸エチル１０ｍ１で洗
い、トリエチルアミンの１０％メタノール溶液でＰＨを
約５に調整しそして減圧下で蒸発する。残分を少量のメ
タノールに溶かしそして塩化メチレンとジエチルエーテ
ルとを加えると、淡黄色無定形の３−エトキシー７β一
（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム
一４−カルボン酸が分子内塩として沈殿する。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．１７（系：酢酸
エチル・ピリジン・酢酸・水６２：２１：６：１１）、
紫外吸収スペクトル（炭酸水素ナトリウムの０．１モル
水溶液中）：λＩＴｌａＸ−２６３ｍμ（ε＝５５００
）。例１６塩化メチレン１５００ｍ１に溶かした３−メ
チレンー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミ
ノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一４α
一カルボン酸ジフエニルメチルエステル１５９の溶液を
−６５℃で酸素・オゾン混合物で６２分間処理し（毎分
オゾン０．５ミリモル）、次に−７０℃でジメチルサル
フアイド８．７ｍ１を加える。
これを−７０℃で１時間そして室温で２時間かきまぜて
から減圧下で蒸発する。残分〔粗製の７β−（Ｄ−α−
ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチ
ルアミノ）−セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジ
フエニルメチルエステルを含む〕をベンゼン３５０ｍ１
に溶かし、１−ベンジル一３−（４−メチルフエニル）
一トリアゼン１１９と混合して、還流の下で４時間煮沸
する。これを冷却して、２Ｎの塩酸１００ｍ１および塩
化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、有機相を硫酸ナトリ
ウムで乾かしてから減圧下で蒸発する。残分をシリカゲ
ル６５０９上でクロマトグラフ処理する。酢酸エチル１
５％を含むトルエンで薄層クロマトグラフで純粋な無定
形の３−ベンジルオキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−プトキ
シカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルが溶離される。薄層クロマトグラム（シリカゲル、
よう素で検出）：Ｒｆ−０．３４（系：トルエン・酢酸
エチル３：１）、〔α〕２Ｄ０＋７ト±１ン（クロロホ
ルム中でｃ＝０．９７）、紫外吸収スペクトル（９５％
エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５８ｍμ（ε＝６
８００）および２６４ｍμ（ε二６８００）そしてλ（
肩）＝２８０ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクト
ル（塩化メチレン中）：２．９６μ、５．６３μ、５．
８８μ、６２６μおよび６．７２μに特性バンド。例１
７ ３−ベンジルオキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキ
シカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テル４．６ｆ！アニソール１０ｍ１と予冷したトリフル
オル酢酸１００ｍ１との混合物をｏ′ｃで１５分間かき
まぜ、冷えたトルエン２５０ｍ１と混合しそして減圧の
下で蒸発する。
から減圧下で蒸発する。残分〔粗製の７β−（Ｄ−α−
ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチ
ルアミノ）−セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジ
フエニルメチルエステルを含む〕をベンゼン３５０ｍ１
に溶かし、１−ベンジル一３−（４−メチルフエニル）
一トリアゼン１１９と混合して、還流の下で４時間煮沸
する。これを冷却して、２Ｎの塩酸１００ｍ１および塩
化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、有機相を硫酸ナトリ
ウムで乾かしてから減圧下で蒸発する。残分をシリカゲ
ル６５０９上でクロマトグラフ処理する。酢酸エチル１
５％を含むトルエンで薄層クロマトグラフで純粋な無定
形の３−ベンジルオキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−プトキ
シカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルが溶離される。薄層クロマトグラム（シリカゲル、
よう素で検出）：Ｒｆ−０．３４（系：トルエン・酢酸
エチル３：１）、〔α〕２Ｄ０＋７ト±１ン（クロロホ
ルム中でｃ＝０．９７）、紫外吸収スペクトル（９５％
エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５８ｍμ（ε＝６
８００）および２６４ｍμ（ε二６８００）そしてλ（
肩）＝２８０ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクト
ル（塩化メチレン中）：２．９６μ、５．６３μ、５．
８８μ、６２６μおよび６．７２μに特性バンド。例１
７ ３−ベンジルオキシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキ
シカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テル４．６ｆ！アニソール１０ｍ１と予冷したトリフル
オル酢酸１００ｍ１との混合物をｏ′ｃで１５分間かき
まぜ、冷えたトルエン２５０ｍ１と混合しそして減圧の
下で蒸発する。
残分を高真空下で乾／））し、ジエチルエーテルを加え
てかきまぜれば、３−ベンジルオキシー７β一（Ｄ−α
−フエニルグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カル
ボン酸のトリフルオル酢酸塩が粉末の形で得られる。こ
れをろ別しそして水とメタノールとの９：１の混合物に
溶かす。２Ｎの塩酸を加えてＰＨ値を１．７に調整する
。
てかきまぜれば、３−ベンジルオキシー７β一（Ｄ−α
−フエニルグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カル
ボン酸のトリフルオル酢酸塩が粉末の形で得られる。こ
れをろ別しそして水とメタノールとの９：１の混合物に
溶かす。２Ｎの塩酸を加えてＰＨ値を１．７に調整する
。
酢酸エチル３０ｍ１ずつで２回洗い（有機洗液をすてる
）そして水層にトリエチルアミンの１０％メタノール溶
液を加えてＰＨ値を５に調整する。これを減圧下で蒸発
し、残分をアセトンとジエチルエーテルとの混合物と共
にかきまぜ、粉末状生成物をろ別してアセトンそして次
にジエチルエーテルで洗う。こうして３−ベンジルオキ
シー７β−（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる
。薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ二０．１７
（系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・水６２：２１：６
：１１）、紫外吸収スペクトル（炭酸水素ナトリウムの
０．１Ｎ水溶液中）：λＭａｘ＝２２６戦（ε６５００
）。例１８ 塩化メチレン１５０ｍ１に溶かした７β−（５−ベンゾ
イルアミノ−５−ジフエニルメトキシカルボニルーバレ
リルーアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カル
ボン酸ジフエニルメチルエステル１．５９９の溶液を−
７０℃に冷却しそして激しくかきまぜながらオゾンと酸
素との混合物（毎分オゾン０．２ミリモルを含む）で１
２分４３秒間処理してからジメチルサルフアイド１ｍ１
で処理する。
）そして水層にトリエチルアミンの１０％メタノール溶
液を加えてＰＨ値を５に調整する。これを減圧下で蒸発
し、残分をアセトンとジエチルエーテルとの混合物と共
にかきまぜ、粉末状生成物をろ別してアセトンそして次
にジエチルエーテルで洗う。こうして３−ベンジルオキ
シー７β−（Ｄ−α−フエニルーグリシルアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる
。薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ二０．１７
（系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・水６２：２１：６
：１１）、紫外吸収スペクトル（炭酸水素ナトリウムの
０．１Ｎ水溶液中）：λＭａｘ＝２２６戦（ε６５００
）。例１８ 塩化メチレン１５０ｍ１に溶かした７β−（５−ベンゾ
イルアミノ−５−ジフエニルメトキシカルボニルーバレ
リルーアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カル
ボン酸ジフエニルメチルエステル１．５９９の溶液を−
７０℃に冷却しそして激しくかきまぜながらオゾンと酸
素との混合物（毎分オゾン０．２ミリモルを含む）で１
２分４３秒間処理してからジメチルサルフアイド１ｍ１
で処理する。
これを−７０℃で５分間そして室温で３０分間かきまぜ
てから、減圧下で蒸発する。その残分は７β−（５−ペ
ンゾイルアミノ一５−ジフエニルメトキシカルボニルー
バレリルーアミノ）ーセフアム一３−オン−４ξ一カル
ボン酸ジフエニルメチルエステルを含む。これをメタノ
ール４０ｍ１に溶かし、氷浴中で冷却しそしてジアゾメ
タンのジエチルエーテル溶液と黄色が消失しなくなるま
で混合する。この反応混合物を減圧下で蒸発しそして残
分をシリカゲル１００９上でクロマトグラフ処理する。
７β−（５−ベンゾイルアミン一５−ジフエニルメトキ
シカルボニルーバレリルーアミノ）−３−メトキシ−３
−セフエム４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
トルエンと酢酸エチルとの１：１の混合物で溶離される
。
てから、減圧下で蒸発する。その残分は７β−（５−ペ
ンゾイルアミノ一５−ジフエニルメトキシカルボニルー
バレリルーアミノ）ーセフアム一３−オン−４ξ一カル
ボン酸ジフエニルメチルエステルを含む。これをメタノ
ール４０ｍ１に溶かし、氷浴中で冷却しそしてジアゾメ
タンのジエチルエーテル溶液と黄色が消失しなくなるま
で混合する。この反応混合物を減圧下で蒸発しそして残
分をシリカゲル１００９上でクロマトグラフ処理する。
７β−（５−ベンゾイルアミン一５−ジフエニルメトキ
シカルボニルーバレリルーアミノ）−３−メトキシ−３
−セフエム４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
トルエンと酢酸エチルとの１：１の混合物で溶離される
。
これは無定形生成物として得られる。薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．４５（系：トルエン・酢
酸エチル１：１）、紫外吸収スペクトル（９５（！）エ
タノール水溶液）：λ肩−２５８ｍμ（ε＝７４５０）
、２６４ｍＩｔ（εニ７０５０）および２６８ｒｒｖｔ
（ε＝６７００）、赤外吸収スベクトル（塩化メチレン
中）：５．６５μ、５．７８μ、６．０３μおよび６．
６４μに特性バンド。上記の原料は次のようにして得ら
れる。りん酸水素ジリカリウムの１０％水溶液１５００
ｍ１に溶かしたセフアロスポリンＣのナトリウム塩５０
９の溶液をアセトン１２００ｍ１で希釈しそしてＯ℃で
塩化ベンゾイル２１９と混合する。
ム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．４５（系：トルエン・酢
酸エチル１：１）、紫外吸収スペクトル（９５（！）エ
タノール水溶液）：λ肩−２５８ｍμ（ε＝７４５０）
、２６４ｍＩｔ（εニ７０５０）および２６８ｒｒｖｔ
（ε＝６７００）、赤外吸収スベクトル（塩化メチレン
中）：５．６５μ、５．７８μ、６．０３μおよび６．
６４μに特性バンド。上記の原料は次のようにして得ら
れる。りん酸水素ジリカリウムの１０％水溶液１５００
ｍ１に溶かしたセフアロスポリンＣのナトリウム塩５０
９の溶液をアセトン１２００ｍ１で希釈しそしてＯ℃で
塩化ベンゾイル２１９と混合する。
これをＯ℃で３０分間そして２０℃で４５分間かきまぜ
る。この際、りん酸トリカリウムの５０（ｆ）水溶液を
加えて…値を８．５に一定に保持しておく。これを減圧
下で約半量に濃縮し、酢酸エチルで洗い、２０％りん酸
水溶液でＶｈｌ２、０に酸性となして酢酸エチルで抽出
する。その有機相を乾かしそして減圧下で蒸発する。残
分をアセトンから再結晶すれば、Ｎ−ベンゾイルーセフ
アロスポリンＣが得られる。融点１１７〜１１９℃、薄
層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．３７（系
：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７，５：２１）およ
びＲｆ＝０，０８（系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・
水６２：２１：６：１１）。Ｎ−ベンゾイルーセフアロ
スポリンＣの４．７９をりん酸水素ジカリウムの０．５
ミリモル水溶液８５ｍ１とジメチルホルムアミド９ｍ１
との混合物に溶かしてアルミニウムアマルガム４．７９
を加えてＰＨ６．Ｏそして４５℃で４５分間かきまぜる
。
る。この際、りん酸トリカリウムの５０（ｆ）水溶液を
加えて…値を８．５に一定に保持しておく。これを減圧
下で約半量に濃縮し、酢酸エチルで洗い、２０％りん酸
水溶液でＶｈｌ２、０に酸性となして酢酸エチルで抽出
する。その有機相を乾かしそして減圧下で蒸発する。残
分をアセトンから再結晶すれば、Ｎ−ベンゾイルーセフ
アロスポリンＣが得られる。融点１１７〜１１９℃、薄
層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．３７（系
：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７，５：２１）およ
びＲｆ＝０，０８（系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・
水６２：２１：６：１１）。Ｎ−ベンゾイルーセフアロ
スポリンＣの４．７９をりん酸水素ジカリウムの０．５
ミリモル水溶液８５ｍ１とジメチルホルムアミド９ｍ１
との混合物に溶かしてアルミニウムアマルガム４．７９
を加えてＰＨ６．Ｏそして４５℃で４５分間かきまぜる
。
この際、２０％のりん酸水溶液を加えてその…に一定に
保持する。これに氷１００ｍ１を加え、冷えた酢酸エチ
ルで覆いそして濃りん酸を加えて…２．０にする。この
混合物を塩化ナトリウムで飽和し、有機層を分けそして
水相を酢酸エチルで２回洗う。これら有機抽出液を合わ
せ、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、硫酸ナトリウ
ムで乾かし、減圧下で蒸発しそして残分を酢酸エチル中
で結晶化する。酢酸エチルとヘキサンとの２：３の混合
物１５ｍ１，でゆつくり希釈し、−５℃で２時間放フ置
した後にろ過しそして酢酸エチルとジエチルエーテルと
の１：４の混合物から結晶として取り出すことによつて
、７β−（５−ベンゾイルアミノ５−カルボキシーバレ
リルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボ
ン酸が得られる。融点８２〜８９℃（分解を伴う）、薄
層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．５３（系
：ｎ−プタノール・酢酸）水７５：７．５：２１）およ
びＲｆ＝０．０８Ｃ系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・
水６２：２１：６：１１）。上記のアルミニウムアマル
ガムは次のようにして作られる。
保持する。これに氷１００ｍ１を加え、冷えた酢酸エチ
ルで覆いそして濃りん酸を加えて…２．０にする。この
混合物を塩化ナトリウムで飽和し、有機層を分けそして
水相を酢酸エチルで２回洗う。これら有機抽出液を合わ
せ、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、硫酸ナトリウ
ムで乾かし、減圧下で蒸発しそして残分を酢酸エチル中
で結晶化する。酢酸エチルとヘキサンとの２：３の混合
物１５ｍ１，でゆつくり希釈し、−５℃で２時間放フ置
した後にろ過しそして酢酸エチルとジエチルエーテルと
の１：４の混合物から結晶として取り出すことによつて
、７β−（５−ベンゾイルアミノ５−カルボキシーバレ
リルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボ
ン酸が得られる。融点８２〜８９℃（分解を伴う）、薄
層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．５３（系
：ｎ−プタノール・酢酸）水７５：７．５：２１）およ
びＲｆ＝０．０８Ｃ系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・
水６２：２１：６：１１）。上記のアルミニウムアマル
ガムは次のようにして作られる。
粒状アルミニウム３．３９と水酸化ナトリウムの５０％
水溶液１００ｍ１との混合物を３０秒間振とうしそして
デカンテーシヨンした後に水３００ｍ１ずつで３回洗う
。
水溶液１００ｍ１との混合物を３０秒間振とうしそして
デカンテーシヨンした後に水３００ｍ１ずつで３回洗う
。
残分を塩化第２水銀の０。３％水溶液１３０ｍ１で３分
間処理してから、水３００ｍ１ずつで３回洗う。
間処理してから、水３００ｍ１ずつで３回洗う。
この操作をもう１回行い、こうして得たアルミニウムア
マルガムをテトラヒドロフランで３回洗う。この生成物
を反応容器に移すのに酢酸エチル約１５ｎ１１を使う。
ジオキサン２５ｍ１に溶かした７β−（５−ベンゾイル
アミノ−５−カルボキシーバレリルーアミノ）−３−メ
チレンーセフアム一４α一カルボン酸２．３９の溶液を
ｎ−ペンタン１０ｍ１中のジフエニルジアゾメタン２．
５９の溶液と１０分間で滴加混合する。これを室温で３
０分間かきまぜてから、酢酸（氷酢酸）の数滴を加えて
余分のジフエニルジアゾメタンを分解しそしてこの溶液
を減圧下で蒸発する。残分をシリカゲル８０９上でクロ
マトグラフ処理する。トルエンと酢酸エチルとの３：１
の混合物で７β−（５−ベンゾイルアミノ−５−ジフエ
ニルメトキシカルボニルパレリルーアミノ）−３−メチ
レンーセフアム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを溶離しそして酢酸メチルとシクロヘキサンとの
混合物から結晶として取り出す。融点１８０〜１８１℃
、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２４
（系：トルエン・酢酸エチル２：１）、紫外吸収スペク
トル（９５％のエタノール水溶液中）：特性バンドはな
し、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：５．６６
μ、５．７６μ、５．９５μ、６．０３μ、６．６４μ
および６．７０μに特性バンド。例１９塩化メチレン１
３ｍ１に溶かした７β−（５ーベンゾイルアミノ−５−
ジフエニルメトキシカルボニルーバレリルーアミノ）−
３−メトキシ−３ーセフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル０．２６３９の溶液を−１０℃に冷却
して、ピリジン０．１３２ｍ１および５塩化りんの８（
ｆｌ）塩化メチレン溶液３．５２ｍ１と混合する。
マルガムをテトラヒドロフランで３回洗う。この生成物
を反応容器に移すのに酢酸エチル約１５ｎ１１を使う。
ジオキサン２５ｍ１に溶かした７β−（５−ベンゾイル
アミノ−５−カルボキシーバレリルーアミノ）−３−メ
チレンーセフアム一４α一カルボン酸２．３９の溶液を
ｎ−ペンタン１０ｍ１中のジフエニルジアゾメタン２．
５９の溶液と１０分間で滴加混合する。これを室温で３
０分間かきまぜてから、酢酸（氷酢酸）の数滴を加えて
余分のジフエニルジアゾメタンを分解しそしてこの溶液
を減圧下で蒸発する。残分をシリカゲル８０９上でクロ
マトグラフ処理する。トルエンと酢酸エチルとの３：１
の混合物で７β−（５−ベンゾイルアミノ−５−ジフエ
ニルメトキシカルボニルパレリルーアミノ）−３−メチ
レンーセフアム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを溶離しそして酢酸メチルとシクロヘキサンとの
混合物から結晶として取り出す。融点１８０〜１８１℃
、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２４
（系：トルエン・酢酸エチル２：１）、紫外吸収スペク
トル（９５％のエタノール水溶液中）：特性バンドはな
し、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：５．６６
μ、５．７６μ、５．９５μ、６．０３μ、６．６４μ
および６．７０μに特性バンド。例１９塩化メチレン１
３ｍ１に溶かした７β−（５ーベンゾイルアミノ−５−
ジフエニルメトキシカルボニルーバレリルーアミノ）−
３−メトキシ−３ーセフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル０．２６３９の溶液を−１０℃に冷却
して、ピリジン０．１３２ｍ１および５塩化りんの８（
ｆｌ）塩化メチレン溶液３．５２ｍ１と混合する。
これを一１０℃で１時間かきまぜてから、−３０℃に冷
却し、−３０℃に冷却したメタノール２。２ｍ１を加え
て、−１０℃および−５℃でそれぞれ３０分間ずつかき
まぜる。
却し、−３０℃に冷却したメタノール２。２ｍ１を加え
て、−１０℃および−５℃でそれぞれ３０分間ずつかき
まぜる。
この反応混合物をりん酸ジ水素カリウムの０．５モル水
溶液６．５ｍ１と混合して室温で５分間かきまぜそして
相を分ける。水相を塩化メチレンで洗い、塩化メチレン
相を合わせて濃い塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナ
トリウムで乾かしそして減圧下で蒸発する。残分をメタ
ノールに溶かし、この溶液をジエチルエーテルと少し濁
るまで混合する。こうして７β−アミノ−３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルが無定形沈殿として得られる。薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：ＲｆＯ．ｌ７（系：酢酸エチル、よう
素で検出）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水
溶液中）：λＲｒｌａｘ＝２５８ｍμ（ε−５７００）
、赤外吸収スベクトル（ジオキサン中）：２．８７μ、
５．６２μ、５，８５μおよび６．２６μに特性バンド
。例２０塩化メチレン４０ｍ１に溶かしてＯ℃に冷却し
た７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−３ーメチレンーセ
フアム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０
．４００９の溶液を毎分オゾン０．２１ミリモルを含む
オゾン・酸素混合物で３．６分間処理してから、ジメチ
ルサルフアイド０．５ｍ１を混合しそして減圧の下で蒸
発する。
溶液６．５ｍ１と混合して室温で５分間かきまぜそして
相を分ける。水相を塩化メチレンで洗い、塩化メチレン
相を合わせて濃い塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナ
トリウムで乾かしそして減圧下で蒸発する。残分をメタ
ノールに溶かし、この溶液をジエチルエーテルと少し濁
るまで混合する。こうして７β−アミノ−３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルが無定形沈殿として得られる。薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：ＲｆＯ．ｌ７（系：酢酸エチル、よう
素で検出）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水
溶液中）：λＲｒｌａｘ＝２５８ｍμ（ε−５７００）
、赤外吸収スベクトル（ジオキサン中）：２．８７μ、
５．６２μ、５，８５μおよび６．２６μに特性バンド
。例２０塩化メチレン４０ｍ１に溶かしてＯ℃に冷却し
た７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−３ーメチレンーセ
フアム一４α一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０
．４００９の溶液を毎分オゾン０．２１ミリモルを含む
オゾン・酸素混合物で３．６分間処理してから、ジメチ
ルサルフアイド０．５ｍ１を混合しそして減圧の下で蒸
発する。
残分〔これは７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフア
ム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルを含む〕をメタノール１０ｍ１に溶かしそして黄色
が消失しなくなるまでジアゾメタンのジエチルエーテル
溶液と混合する。これを減圧下で蒸発し、残分を分取薄
層クロマトグラフ処理する（シリカゲル、系：トルエン
・酢酸エチル１：１、λ＝２５４ｍμの紫外線で同定）
。こうしてＲｆ値がどちらも０．５５である７β−（Ｄ
一α−ｔブチルオキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアアム一４α
一カルボン酸ジフエニルメチルエステルと７β−（Ｄ−
α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メトキシ−２−セフエム一４
α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルとの混合物、
次いでＲｆ値が０．４５の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチル
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル、そしてさらにＲｆ値が０．１
７の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミ
ノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステ
ル一１β−オキシドとＲｆ値が０．０７の相当する１α
−オキシドとの混合物が得られる。
ニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフア
ム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルを含む〕をメタノール１０ｍ１に溶かしそして黄色
が消失しなくなるまでジアゾメタンのジエチルエーテル
溶液と混合する。これを減圧下で蒸発し、残分を分取薄
層クロマトグラフ処理する（シリカゲル、系：トルエン
・酢酸エチル１：１、λ＝２５４ｍμの紫外線で同定）
。こうしてＲｆ値がどちらも０．５５である７β−（Ｄ
一α−ｔブチルオキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアアム一４α
一カルボン酸ジフエニルメチルエステルと７β−（Ｄ−
α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ一α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メトキシ−２−セフエム一４
α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルとの混合物、
次いでＲｆ値が０．４５の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチル
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル、そしてさらにＲｆ値が０．１
７の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミ
ノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステ
ル一１β−オキシドとＲｆ値が０．０７の相当する１α
−オキシドとの混合物が得られる。
この例において原料として７β−（Ｄ−α−ｔーブチル
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチルアミノ
）−３−メチレンーセフアム一４α−カルボン酸ジフエ
ニルメチルエステルの代りに、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブ
チルオキシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチル
アミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン酸
−４−ニトロベンジルエステルまたは７β−（Ｄ−α−
ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーア
セチルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α−カル
ボン酸−２，２，２−トリクロルエチルエステル〔これ
は７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メチレンーセ
フアム一４α一カルボン酸のナトリウム塩を４−ニトロ
ベンジルブロマイドで処理するか、または７β−（Ｄ−
α−ｔーブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α−
カルボン酸の反応性の混合無水物を２，２，２−トリク
ロルエタノールで処理することによつて作られる〕を使
いそしてそれぞれ７β−（Ｄ−α一ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セ
フアム一３−オン−４ξ一カルボン酸−４−ニトロベン
ジルエステルまたは７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）ー
セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸−２，２，２−
トリクロルエチルエステルを経由して、７β一（Ｄ−α
−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルー
アセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸−４−ニトロベンジルエステルまたは７β−
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フ
エニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸−２，２，２−トリクロルエチルエ
ステルが得られる。
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルアセチルアミノ
）−３−メチレンーセフアム一４α−カルボン酸ジフエ
ニルメチルエステルの代りに、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブ
チルオキシカルボニルアミノ一α−フエニルーアセチル
アミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン酸
−４−ニトロベンジルエステルまたは７β−（Ｄ−α−
ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーア
セチルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α−カル
ボン酸−２，２，２−トリクロルエチルエステル〔これ
は７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ
−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メチレンーセ
フアム一４α一カルボン酸のナトリウム塩を４−ニトロ
ベンジルブロマイドで処理するか、または７β−（Ｄ−
α−ｔーブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニル
ーアセチルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α−
カルボン酸の反応性の混合無水物を２，２，２−トリク
ロルエタノールで処理することによつて作られる〕を使
いそしてそれぞれ７β−（Ｄ−α一ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セ
フアム一３−オン−４ξ一カルボン酸−４−ニトロベン
ジルエステルまたは７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）ー
セフアム一３−オン−４ξ一カルボン酸−２，２，２−
トリクロルエチルエステルを経由して、７β一（Ｄ−α
−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルー
アセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸−４−ニトロベンジルエステルまたは７β−
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フ
エニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸−２，２，２−トリクロルエチルエ
ステルが得られる。
前記７β−（Ｄ−α−ｔーブチルオキシカルボニルアミ
ノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸−ｐ−ニトロベンジルエ
ステルに対し赤外吸収スペクトル（ニユジヨール）：３
．０１μ：５．６７μ：５．８４μ；５．９０μおよび
６。
ノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸−ｐ−ニトロベンジルエ
ステルに対し赤外吸収スペクトル（ニユジヨール）：３
．０１μ：５．６７μ：５．８４μ；５．９０μおよび
６。
０６μに特性バンド、前記７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチル
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸−
２，２，２−トリクロルエチルエステルに対し赤外吸収
スペクトル（塩化メチレン中）：３，０１μ；５．６０
μ；５．８４μ；５．９２μ；６。
オキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸−
２，２，２−トリクロルエチルエステルに対し赤外吸収
スペクトル（塩化メチレン中）：３，０１μ；５．６０
μ；５．８４μ；５．９２μ；６。
６９μに特性バンドを有する。
例２１粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフア
ム一３−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエ
ステル（例えば例４の方法に従つて得ることができる）
０．６１ｇを無水の塩化メチレン３０ｍ２中に溶かして
−１０℃に冷却した溶液をジイソプロピル−エチル−ア
ミン０．１２ｍ１およびトリメチルオキソニウムーテト
ラフルオルほう酸０．１９２９と混合し、−１０℃で窒
素雰囲気下で３０分間かきまぜると、そのオキソニウム
塩が徐徐に溶解する。
ニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−セフア
ム一３−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエ
ステル（例えば例４の方法に従つて得ることができる）
０．６１ｇを無水の塩化メチレン３０ｍ２中に溶かして
−１０℃に冷却した溶液をジイソプロピル−エチル−ア
ミン０．１２ｍ１およびトリメチルオキソニウムーテト
ラフルオルほう酸０．１９２９と混合し、−１０℃で窒
素雰囲気下で３０分間かきまぜると、そのオキソニウム
塩が徐徐に溶解する。
その反応混合物を氷と塩化ナトリウムの飽和水溶液との
混合物に注ぎ込む。得られた含水混合物を塩化メチレン
１００ｍ１で２回出し、その有機相を分離し、硫酸ナト
リウムで乾かし、そして減圧下で蒸発する。この残分を
分取薄層クロマトグラフ（シリカゲル、系：ジエチルエ
ーテル）で精製する。紫外線（λ−２５４ｍμ）の下で
肉眼視できる薄層クロマトグラフの均一な帯域を単離し
、ジエチルエーテル２０ｍ１を加えてかきまぜる。１６
時間かきまぜた後、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル）が微結晶の形で得られる。
混合物に注ぎ込む。得られた含水混合物を塩化メチレン
１００ｍ１で２回出し、その有機相を分離し、硫酸ナト
リウムで乾かし、そして減圧下で蒸発する。この残分を
分取薄層クロマトグラフ（シリカゲル、系：ジエチルエ
ーテル）で精製する。紫外線（λ−２５４ｍμ）の下で
肉眼視できる薄層クロマトグラフの均一な帯域を単離し
、ジエチルエーテル２０ｍ１を加えてかきまぜる。１６
時間かきまぜた後、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル）が微結晶の形で得られる。
この融点は１１８〜１２０℃である。例２２
粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）セフアム一３−
オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル（
例えば例４の方法に従つて得ることができる）０．１０
０９をニトロメタン５ｍ１に溶かした溶液をジイソプロ
ピル−エチル−アミン０．０３ｍ１とトリメチルオキソ
ニウムーテトラフルオルほう酸０．０３６ｆ１と混合し
、この混合物を−１０℃で窒素雰囲気下で３０分間かき
まぜる。
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）セフアム一３−
オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル（
例えば例４の方法に従つて得ることができる）０．１０
０９をニトロメタン５ｍ１に溶かした溶液をジイソプロ
ピル−エチル−アミン０．０３ｍ１とトリメチルオキソ
ニウムーテトラフルオルほう酸０．０３６ｆ１と混合し
、この混合物を−１０℃で窒素雰囲気下で３０分間かき
まぜる。
得られた反応混合物を例２８に記載の方法に従つて処理
し、その粗製物を分取薄層クロマトグラフで精製する。
こうして７β−（Ｄ−α一ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルエステル
が得られ、その融点は１１８〜１２０℃である。例２３ 粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一３
−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル
（例えば例４に記載の方法に従つて得ることができる）
０．１００ｇを塩化メチレン５ｍ１に溶かした溶液をジ
イソフ胎ピルーエチルーアミン０．０４５ｍ１とトリフ
ルオルメタンスルホン酸メチルエステル０．０３ｍ１と
混合し、この混合物を室温で窒素雰囲気下で３０分間か
きまぜる。
し、その粗製物を分取薄層クロマトグラフで精製する。
こうして７β−（Ｄ−α一ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルエステル
が得られ、その融点は１１８〜１２０℃である。例２３ 粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−セフアム一３
−オン−４ξ一カルボン酸−ジフエニルメチルエステル
（例えば例４に記載の方法に従つて得ることができる）
０．１００ｇを塩化メチレン５ｍ１に溶かした溶液をジ
イソフ胎ピルーエチルーアミン０．０４５ｍ１とトリフ
ルオルメタンスルホン酸メチルエステル０．０３ｍ１と
混合し、この混合物を室温で窒素雰囲気下で３０分間か
きまぜる。
得られた反応混合物を例２８に記載の方法に従つて処理
し、分取薄層クロマトグラフで精製する。こうして７β
−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−
フエニルアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルが得られ
、その融点は１１８〜１２０℃である。メチル化剤とし
て前記トリフルオルメタンスルホン酸−メチルエステル
の代りに、フルオルスル．ホン酸−メチルエステルを使
うことができる。
し、分取薄層クロマトグラフで精製する。こうして７β
−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−
フエニルアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルが得られ
、その融点は１１８〜１２０℃である。メチル化剤とし
て前記トリフルオルメタンスルホン酸−メチルエステル
の代りに、フルオルスル．ホン酸−メチルエステルを使
うことができる。
例２４７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３ーメトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエ・ニルメチルエ
ステル０．１００９を塩化メチレン０．５ｍ１に溶かし
た溶液をアニソール０．０９ＴＩ１１とトリフル酢酸０
．１００ｍ１と混合ＬＯ℃で１０分間かきまぜ、次にジ
エチルエーテルとペンタンとの１：１の混合物２０ｍ１
で希釈する。
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３ーメトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエ・ニルメチルエ
ステル０．１００９を塩化メチレン０．５ｍ１に溶かし
た溶液をアニソール０．０９ＴＩ１１とトリフル酢酸０
．１００ｍ１と混合ＬＯ℃で１０分間かきまぜ、次にジ
エチルエーテルとペンタンとの１：１の混合物２０ｍ１
で希釈する。
生成した微細な沈殿物をろ別し、ジエチルエーテルとペ
ンタンとの混合物で洗い、減圧下で乾かす。こうして７
β（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−
フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフ
エム一４−カルボン酸が無色の粉末の形で得られる。薄
層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ
−０．６４（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０
：２３）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶
液中）：λＭａｘ２６４ｍμ（ε＝４１００）、赤外吸
収スペクトル（塩化メチレン中）：３．００μ、５．６
４μ、５．９２μ、６．２５μおよび６．７２に特性バ
ンド。７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸−４−ニトローベンジ
ルエステルをパラジウム一炭素触媒の存在下で水で処理
し、または７β−（Ｄ−α第３−ブチルオキシカルボニ
ルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メト
キシ−３セフエム一４−カルボン酸−２，２，２−トリ
クロルエチルエステルを９０％酢酸水溶液の存在下で亜
鉛で処理すると、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸を得ること
ができる。
ンタンとの混合物で洗い、減圧下で乾かす。こうして７
β（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−
フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフ
エム一４−カルボン酸が無色の粉末の形で得られる。薄
層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ
−０．６４（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０
：２３）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶
液中）：λＭａｘ２６４ｍμ（ε＝４１００）、赤外吸
収スペクトル（塩化メチレン中）：３．００μ、５．６
４μ、５．９２μ、６．２５μおよび６．７２に特性バ
ンド。７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸−４−ニトローベンジ
ルエステルをパラジウム一炭素触媒の存在下で水で処理
し、または７β−（Ｄ−α第３−ブチルオキシカルボニ
ルアミノ一α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メト
キシ−３セフエム一４−カルボン酸−２，２，２−トリ
クロルエチルエステルを９０％酢酸水溶液の存在下で亜
鉛で処理すると、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸を得ること
ができる。
これは前記の生成物と同一のものである。例２５
塩化メチレン２５ｍ１中のＤ−α−ｔ−ブチルオキシカ
ルボニルアミノ−α−（２−チエニル）−酢酸０．２５
７９のＯ℃に冷却した溶液をＮ−メチルモルホリン０．
０９７ｍ１およびクロルぎ酸イソブチルエステル０．１
２９７１１１と混合しそして窒素ガスの下で３０分間か
きまぜてから、−１０℃に冷却しそしてこれに先ず７β
−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸−ジフエニルメチルエステル０．３００９そして次に
Ｎ−メチル−モルホリン０．０８５ｍ１で処理する。
ルボニルアミノ−α−（２−チエニル）−酢酸０．２５
７９のＯ℃に冷却した溶液をＮ−メチルモルホリン０．
０９７ｍ１およびクロルぎ酸イソブチルエステル０．１
２９７１１１と混合しそして窒素ガスの下で３０分間か
きまぜてから、−１０℃に冷却しそしてこれに先ず７β
−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸−ジフエニルメチルエステル０．３００９そして次に
Ｎ−メチル−モルホリン０．０８５ｍ１で処理する。
反応混合物を１０℃で３０分間そして次にＯ℃で３０分
間かきまぜてから、水２０ｍ１を混合しそしてりん酸水
素ジカリウムの４０％水溶液を加えてＰＨ値を７．９に
調整する。相を分離し、水相を塩化メチレンで抽出しそ
してそれら有機溶液を合わせて塩化ナトリウムの飽和水
溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾かしそして減圧下で蒸
発する。その油状残分を分取薄層クロマトグラフイによ
つて精製する（シリカゲル、系：ジエチルエーテル、λ
＝２５４ｍμの紫外線で同定）。こうして無定形の７β
−〔Ｄα−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α一（
２−チエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ルが薄層クロマトグラフによれば均一な生成物として得
られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、λ−２５４
ｍμの紫外線で同定）：Ｒｆ＝０．３４（系：ジエチル
エーテル）、〔α〕２０−＋２６０±１４（クロロホル
ム中でｃ−０．８６）、紫外吸収スペクトル（９５％の
エタノール水溶液）：λＭａｘ＝２４０ｍμ（ε＝１２
５００）および２８０ｍμ（ε＝６０００）、赤外吸収
スペクトル（塩化メチレン溶液）：２．９４′Ｔｌ５。
６２μ、５．８５μ、６．２６μ、および６．７２μに
特性バンド。
間かきまぜてから、水２０ｍ１を混合しそしてりん酸水
素ジカリウムの４０％水溶液を加えてＰＨ値を７．９に
調整する。相を分離し、水相を塩化メチレンで抽出しそ
してそれら有機溶液を合わせて塩化ナトリウムの飽和水
溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾かしそして減圧下で蒸
発する。その油状残分を分取薄層クロマトグラフイによ
つて精製する（シリカゲル、系：ジエチルエーテル、λ
＝２５４ｍμの紫外線で同定）。こうして無定形の７β
−〔Ｄα−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α一（
２−チエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸−ジフエニルメチルエステ
ルが薄層クロマトグラフによれば均一な生成物として得
られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、λ−２５４
ｍμの紫外線で同定）：Ｒｆ＝０．３４（系：ジエチル
エーテル）、〔α〕２０−＋２６０±１４（クロロホル
ム中でｃ−０．８６）、紫外吸収スペクトル（９５％の
エタノール水溶液）：λＭａｘ＝２４０ｍμ（ε＝１２
５００）および２８０ｍμ（ε＝６０００）、赤外吸収
スペクトル（塩化メチレン溶液）：２．９４′Ｔｌ５。
６２μ、５．８５μ、６．２６μ、および６．７２μに
特性バンド。
例２６
７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（２−チエニル）−アセチルアミノ〕３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テル０．２００９とアニソール０．５ｍ１と予冷したト
リフルオル酢酸１０ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間か
きまぜ、冷えたトルエン５０ｍ１と混合しそして減圧の
下で蒸発する。
α−（２−チエニル）−アセチルアミノ〕３−メトキシ
−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テル０．２００９とアニソール０．５ｍ１と予冷したト
リフルオル酢酸１０ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間か
きまぜ、冷えたトルエン５０ｍ１と混合しそして減圧の
下で蒸発する。
残分をジエチルエーテルを加えてかきまぜ、こうして生
成した粉末状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β
−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−チエニノ（ハ）−アセ
チルアミノ〕−３−メトキシ−３ーセフエム一４−カル
ボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約６ｍ１に溶かし、こ
の溶液のＰＨを２Ｎの塩酸で１．５に調整しそしてこの
水溶液を酢酸エチル２０ｍｊで洗つてから、トリエチル
アミンの２０％メタノール溶液を滴加してＰＨを５．０
に調整する。アセトン２０ｍ１で希釈して、この混合物
を００Ｃで１６時間放置する。こうして生成した微細な
無色の微結晶性粉末をろ別し、アセトンで洗いそして乾
かせば、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２チエニル）
−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸が融点１４０シＣ（分解）の分子内塩の形
で得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素
で同定）：Ｒｆ〜０．２２（系：ブタノール・酢酸・水
６７：１０：２３）およびＲｆ−０．５３（系：イソプ
ロパノール・ぎ酸・水７JメF４：１９）、紫外吸収スペ
クトル：λＭａｘ＝２３５ｍμ（ε−１１４００）およ
びλ肩＝２７２ｒｒＬμ（ε＝６１００）（０．１Ｎの
塩酸中）そしてλＭａｘ＝２３８ｍμ（ε−１１８００
）およびλ肩＝２６７７ＴＬμ（ε＝６５００）（０．
１Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液中）。例２７（参考例
） 粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）セフアム一３−
オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．
２５１９と塩化メチレン１２．５ｍ１との混合物をＯ℃
でジイソプロピル−エチル−アミン０．０４４ｍ１およ
びクロルぎ酸メチルエステル０．０３８ｍ１と混合して
、窒素ガスの下でＯ℃で３０分間そして室温で１．５時
間かきまぜる。
成した粉末状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β
−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−チエニノ（ハ）−アセ
チルアミノ〕−３−メトキシ−３ーセフエム一４−カル
ボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約６ｍ１に溶かし、こ
の溶液のＰＨを２Ｎの塩酸で１．５に調整しそしてこの
水溶液を酢酸エチル２０ｍｊで洗つてから、トリエチル
アミンの２０％メタノール溶液を滴加してＰＨを５．０
に調整する。アセトン２０ｍ１で希釈して、この混合物
を００Ｃで１６時間放置する。こうして生成した微細な
無色の微結晶性粉末をろ別し、アセトンで洗いそして乾
かせば、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２チエニル）
−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸が融点１４０シＣ（分解）の分子内塩の形
で得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素
で同定）：Ｒｆ〜０．２２（系：ブタノール・酢酸・水
６７：１０：２３）およびＲｆ−０．５３（系：イソプ
ロパノール・ぎ酸・水７JメF４：１９）、紫外吸収スペ
クトル：λＭａｘ＝２３５ｍμ（ε−１１４００）およ
びλ肩＝２７２ｒｒＬμ（ε＝６１００）（０．１Ｎの
塩酸中）そしてλＭａｘ＝２３８ｍμ（ε−１１８００
）およびλ肩＝２６７７ＴＬμ（ε＝６５００）（０．
１Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液中）。例２７（参考例
） 粗製の７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）セフアム一３−
オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．
２５１９と塩化メチレン１２．５ｍ１との混合物をＯ℃
でジイソプロピル−エチル−アミン０．０４４ｍ１およ
びクロルぎ酸メチルエステル０．０３８ｍ１と混合して
、窒素ガスの下でＯ℃で３０分間そして室温で１．５時
間かきまぜる。
その有機層を分離して塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗
い、硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。残分をシ
リカゲル２０ｇ上でクロマトグラフ処理すれば）酢酸エ
チル２０％を含むトルエンによつて７β−（Ｄ−α−ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセ
チルアミノ）一３−メトキシカルボニルオキシ−３−セ
フエム４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルが溶離
される。こうして得た薄層クロマトグラフ的に均質な化
合物をベンゼンから真空凍結乾燥する。薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ〜０．３１（
系：トルエン・酢酸エチル３：１）紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中〕：λＭａｘ＝２５２ｍμ
（ε＝５１００）および２５７ｍμ（ε−５１００）、
赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．９４μ、
５．５８μ、５．６４μ、（肩）、５）８１μ（肩）、
５．８８μおよび６．６８μに特性バンド。例２８ 同様の方法によつて、適当な原料を使いそして場合によ
つては得られた生成物をさらに変えることによつて、次
の化合物が得られる。
い、硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。残分をシ
リカゲル２０ｇ上でクロマトグラフ処理すれば）酢酸エ
チル２０％を含むトルエンによつて７β−（Ｄ−α−ｔ
−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フエニルーアセ
チルアミノ）一３−メトキシカルボニルオキシ−３−セ
フエム４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルが溶離
される。こうして得た薄層クロマトグラフ的に均質な化
合物をベンゼンから真空凍結乾燥する。薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ〜０．３１（
系：トルエン・酢酸エチル３：１）紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中〕：λＭａｘ＝２５２ｍμ
（ε＝５１００）および２５７ｍμ（ε−５１００）、
赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．９４μ、
５．５８μ、５．６４μ、（肩）、５）８１μ（肩）、
５．８８μおよび６．６８μに特性バンド。例２８ 同様の方法によつて、適当な原料を使いそして場合によ
つては得られた生成物をさらに変えることによつて、次
の化合物が得られる。
７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（１．４−シクロヘキサジエニル）−アセチルアミ
ノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル（無定形の生成物）、薄層クロ
マトグラム（シリカゲル、ジエチルエーテルで同定）：
Ｒｆ〜０．３９（系；ジエチルエーテル）、〔α］２０
＝＋１し±１Ｄ口ホルム中でｃ−０．７４５）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ
−２６３ｍμ（ε＝６７００）およびλ（肩）＝２８０
ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：２．９６μ、５．６４μ、５．８６μ、５．
９０μ（肩）、６．２７μおよび６．７３μに特性バン
ド。
α−（１．４−シクロヘキサジエニル）−アセチルアミ
ノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル（無定形の生成物）、薄層クロ
マトグラム（シリカゲル、ジエチルエーテルで同定）：
Ｒｆ〜０．３９（系；ジエチルエーテル）、〔α］２０
＝＋１し±１Ｄ口ホルム中でｃ−０．７４５）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ
−２６３ｍμ（ε＝６７００）およびλ（肩）＝２８０
ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：２．９６μ、５．６４μ、５．８６μ、５．
９０μ（肩）、６．２７μおよび６．７３μに特性バン
ド。
これを次のようにして７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（
１，４−シクロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸に変える
ことができる。７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−（１，４−シクロヘキサジエニル）
−アセチルアミノ］−３−メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．２００９と
アニソール０．５ｍ１と予冷したトリフルオル酢酸１０
ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間かきまぜてから、冷え
たトルエン５０ｍ１と混合しそして減圧の下で蒸発する
。
１，４−シクロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸に変える
ことができる。７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−（１，４−シクロヘキサジエニル）
−アセチルアミノ］−３−メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．２００９と
アニソール０．５ｍ１と予冷したトリフルオル酢酸１０
ｍ１との混合物をＯ℃で１５分間かきまぜてから、冷え
たトルエン５０ｍ１と混合しそして減圧の下で蒸発する
。
残分にジエチルエーテルを加えてかきまぜ、こうして生
成した粉状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β−
〔Ｄ−α一アミノ一α−（１，４−シクロヘキサジエニ
ル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約６ｍ１に
溶かし、この溶液に２Ｎの塩酸を加えてＰＨゞ）値を１
．慣ｑ頁整し、そしてこの水溶液を酢酸エチル２０ｍ１
で洗いそしてトリエチルアミンの２０％メタノール溶液
を滴加してＰＨ５．Ｏに調整する。
成した粉状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β−
〔Ｄ−α一アミノ一α−（１，４−シクロヘキサジエニ
ル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約６ｍ１に
溶かし、この溶液に２Ｎの塩酸を加えてＰＨゞ）値を１
．慣ｑ頁整し、そしてこの水溶液を酢酸エチル２０ｍ１
で洗いそしてトリエチルアミンの２０％メタノール溶液
を滴加してＰＨ５．Ｏに調整する。
これをアセトン２０ｍ１およびジエチルエーテル１０ｍ
１で希釈しそしてこの混合物をＯ℃で１６時間放Ｊ置す
る。こうして生成した沈殿をろ別し、アセトンおよびジ
エチルエーテルで洗いそして乾かす。こうして７β−〔
Ｄ−α−アミノ−α−（１，４−シクロヘキサジエニル
）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる。融点１７『
Ｃ（分解を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、
よう素で同定）：Ｒｆ−０．２６（系：ｎ−ブタノール
・酢酸・水６７：１０：２３）およびＲｆ−０．５８（
系：イソプロパノール・ぎ酸・水７JメF４：１９）、４
紫外吸収スペクトル：λＭａｘ−２６７ｍμ（ε＝６１
００）（０．１Ｎの塩酸中）そしてλＭａｘ＝２６８ｍ
μ（ε＝６６００）（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム水
溶液中）。７β−〔Ｄ−α−アミノ−α一（１，４−シ
クロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸二水塩（ＰＨ．５．
７の水およびアセトンから分子塩を再結晶することによ
つて得る）；〔α〕＝＋８７±１結（Ｃ＝Ｄｌ．Ｏ９３
；０．１ＮＨＣＩ）；Ｕスペクトル：０．１ＮＨＣＩ中
のλＭａｘ−２６８ｍμ（ε＝６７００）；０．１ＮＮ
ａＨＣ０３溶液中のλＭａｘ＝２６９ｍμ（ε＝７１０
０）。
１で希釈しそしてこの混合物をＯ℃で１６時間放Ｊ置す
る。こうして生成した沈殿をろ別し、アセトンおよびジ
エチルエーテルで洗いそして乾かす。こうして７β−〔
Ｄ−α−アミノ−α−（１，４−シクロヘキサジエニル
）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる。融点１７『
Ｃ（分解を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、
よう素で同定）：Ｒｆ−０．２６（系：ｎ−ブタノール
・酢酸・水６７：１０：２３）およびＲｆ−０．５８（
系：イソプロパノール・ぎ酸・水７JメF４：１９）、４
紫外吸収スペクトル：λＭａｘ−２６７ｍμ（ε＝６１
００）（０．１Ｎの塩酸中）そしてλＭａｘ＝２６８ｍ
μ（ε＝６６００）（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム水
溶液中）。７β−〔Ｄ−α−アミノ−α一（１，４−シ
クロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸二水塩（ＰＨ．５．
７の水およびアセトンから分子塩を再結晶することによ
つて得る）；〔α〕＝＋８７±１結（Ｃ＝Ｄｌ．Ｏ９３
；０．１ＮＨＣＩ）；Ｕスペクトル：０．１ＮＨＣＩ中
のλＭａｘ−２６８ｍμ（ε＝６７００）；０．１ＮＮ
ａＨＣ０３溶液中のλＭａｘ＝２６９ｍμ（ε＝７１０
０）。
７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α一（４−ヒドロキシフエニル）−アセチルアミノ〕−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル、薄層クロマトグラム（シリカゲル：
よう素で同定）：Ｒｆ〜０．３５（系：トルエン・酢酸
エチル１：１）、〔α〕２ぽ一１：±１エ（クロロホル
ム中でＣ−０．５６６）、紫外吸収スペタトル（９５％
エタノール水溶液中）：λＭａｘ−２７６ｍμ（ε＝７
４００）、赤外吸収スペタトル（塩化メチレン中）：２
．８３μ、２．９６μ、５．６４μ、５．８６μ、５．
９１μ、（肩）、６．２３μ、６．２８μ、６．６５μ
および６．７２μに特性バンド。
α一（４−ヒドロキシフエニル）−アセチルアミノ〕−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステル、薄層クロマトグラム（シリカゲル：
よう素で同定）：Ｒｆ〜０．３５（系：トルエン・酢酸
エチル１：１）、〔α〕２ぽ一１：±１エ（クロロホル
ム中でＣ−０．５６６）、紫外吸収スペタトル（９５％
エタノール水溶液中）：λＭａｘ−２７６ｍμ（ε＝７
４００）、赤外吸収スペタトル（塩化メチレン中）：２
．８３μ、２．９６μ、５．６４μ、５．８６μ、５．
９１μ、（肩）、６．２３μ、６．２８μ、６．６５μ
および６．７２μに特性バンド。
これを次のようにして７β一〔Ｄ−α−アミノ−α−（
４−ヒドロキシフエニル）アセチルアミノ〕−３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸に変えることがで
きる。７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−（４−ヒドロキシフエニル）−アセチルアミ
ノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル０．０９５θとアニソール０．
２５ｍ１と予冷したトリフルオル酢酸５ｍ１との混合物
をＯ℃で１５分間かきまぜ、冷えたトルエン５０ｍ１と
混合しそして減圧の下で蒸発する。
４−ヒドロキシフエニル）アセチルアミノ〕−３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸に変えることがで
きる。７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルア
ミノ−α−（４−ヒドロキシフエニル）−アセチルアミ
ノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
フエニルメチルエステル０．０９５θとアニソール０．
２５ｍ１と予冷したトリフルオル酢酸５ｍ１との混合物
をＯ℃で１５分間かきまぜ、冷えたトルエン５０ｍ１と
混合しそして減圧の下で蒸発する。
残分をジエチルエーテルを加えてかきまぜ、こうして生
成した粉末状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β
一〔Ｄ−α−アミノ−α（４−ヒドロキシフエニル）−
アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約５ｍ１に溶かし
、この溶液のＰＨを２Ｎの塩酸で１．５に調整しそして
この水溶液を酢酸エチル２０ｍ１で洗つてから、トリエ
チルアミンの２０％メタノール溶液を滴加してＰＨを５
．０に調整すれば、無色の沈殿が生成する。これをアセ
トン８ｍ１で希釈してこの混合物をＯ℃で１６時間放置
する。この沈殿をろ別し、アセトンおよびジエチルエー
テルで洗いそして減圧の下で乾かせば、７β−〔Ｄ−α
−アミノ−α−（４一ヒドロキシフエニル）−アセチル
アミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸が融点（１８『Ｃ（分解）の分子内塩の形で得られる
。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で同定）：
Ｒｆ〜０．２４（系：ブタノール・酢酸・水６７：１０
：２３）およびＲｆ〜０．５７（系：イソプロパノール
・ぎ酸・水７JメF４：１９）、紫外吸収スペクトル：λ
Ｍａｘ−２２８ｍμ（ε＝１２０００）および２７１ｍ
μ（ε＝６８００）（０．１Ｎの塩酸中そしてλＭａｘ
＝２２７ｍμ（ε＝１０５００）およびλ（肩）聴２６
２ｍμ（ε−８０００）（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウ
ム水溶液中）。相当する７β−アシルアミノ−３−ヒド
ロキシ３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチル
エステルをジアゾメタンのエーテル溶液で処理し、そし
て遊離酸を所望する場合には、得られる７β−アシルア
ミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
メチルエステルをトリフルオル酢酸およびアニソールで
処理することによつて、以下の化合物を得ることができ
る。
成した粉末状沈殿をろ別して乾かす。こうして得た７β
一〔Ｄ−α−アミノ−α（４−ヒドロキシフエニル）−
アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸のトリフルオル酢酸塩を水約５ｍ１に溶かし
、この溶液のＰＨを２Ｎの塩酸で１．５に調整しそして
この水溶液を酢酸エチル２０ｍ１で洗つてから、トリエ
チルアミンの２０％メタノール溶液を滴加してＰＨを５
．０に調整すれば、無色の沈殿が生成する。これをアセ
トン８ｍ１で希釈してこの混合物をＯ℃で１６時間放置
する。この沈殿をろ別し、アセトンおよびジエチルエー
テルで洗いそして減圧の下で乾かせば、７β−〔Ｄ−α
−アミノ−α−（４一ヒドロキシフエニル）−アセチル
アミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸が融点（１８『Ｃ（分解）の分子内塩の形で得られる
。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で同定）：
Ｒｆ〜０．２４（系：ブタノール・酢酸・水６７：１０
：２３）およびＲｆ〜０．５７（系：イソプロパノール
・ぎ酸・水７JメF４：１９）、紫外吸収スペクトル：λ
Ｍａｘ−２２８ｍμ（ε＝１２０００）および２７１ｍ
μ（ε＝６８００）（０．１Ｎの塩酸中そしてλＭａｘ
＝２２７ｍμ（ε＝１０５００）およびλ（肩）聴２６
２ｍμ（ε−８０００）（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウ
ム水溶液中）。相当する７β−アシルアミノ−３−ヒド
ロキシ３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチル
エステルをジアゾメタンのエーテル溶液で処理し、そし
て遊離酸を所望する場合には、得られる７β−アシルア
ミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジ
メチルエステルをトリフルオル酢酸およびアニソールで
処理することによつて、以下の化合物を得ることができ
る。
７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α一（４−イソチアゾリル）−アセチルアミノ］−３−
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル（無定形）、〔α潔＝＋２６ニ±１チ（ク
ロロホルム中でＣ：０．６５）、薄層クロマトグラム（
シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ〜０．４３（系：ト
ルエン・酢酸エチル１：１）、紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５０ｍμ（ε
−１２２００）および２８０ｍμ（ε−５９００）、赤
外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．９−４μ、
５．６５μ、５．７１μ（肩）、５．８８μ、６．２８
μおよび６．７３μに特性バンド。
α一（４−イソチアゾリル）−アセチルアミノ］−３−
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル（無定形）、〔α潔＝＋２６ニ±１チ（ク
ロロホルム中でＣ：０．６５）、薄層クロマトグラム（
シリカゲル、よう素で同定）：Ｒｆ〜０．４３（系：ト
ルエン・酢酸エチル１：１）、紫外吸収スペクトル（９
５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５０ｍμ（ε
−１２２００）および２８０ｍμ（ε−５９００）、赤
外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２．９−４μ、
５．６５μ、５．７１μ（肩）、５．８８μ、６．２８
μおよび６．７３μに特性バンド。
３−メトキシー７β−メトキシカルボニルアセチルアミ
ノ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：酢酸エチル・酢酸９：１）：Ｒｆ
＝０．５〜０．６、紫外吸収スベクトル（メタノール中
）：λＭａｘ＝２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油
中）：５．６６μに特性バンド・７β−ブロムアセチル
アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノー
ル・酢酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．２５〜
０．３５、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶
液）：λＭａｘ＝２６４ｍ１ｔ０３−メトキシー７β−
フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン
酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜
０．４、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液
中）：λＭａｘ＝２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱
油中：：５．６６μに特性バンド。
ノ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：酢酸エチル・酢酸９：１）：Ｒｆ
＝０．５〜０．６、紫外吸収スベクトル（メタノール中
）：λＭａｘ＝２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油
中）：５．６６μに特性バンド・７β−ブロムアセチル
アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノー
ル・酢酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．２５〜
０．３５、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶
液）：λＭａｘ＝２６４ｍ１ｔ０３−メトキシー７β−
フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カルボン
酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜
０．４、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液
中）：λＭａｘ＝２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱
油中：：５．６６μに特性バンド。
３−メトキシー７β−（２−チエニル）−アセチルアミ
ノ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸
・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．５〜０．６、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｍａｘ−２３５および２６４ｍμ０７β−アセトアセチ
ルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水７５：５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜０．
４、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）
：λＭａｘ２３８ｍμおよび２６５ｗｖｔ０７β−シア
ノアセチルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ
−ブタノール・ピリジン゜酢酸・水３８：２４：８：３
０）：Ｒｆ＝０．３５〜０．４５、紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ−２６４ｗｖ
ｔ１赤外吸収スベクトル（鉱油中）：４．３２μおよび
５．６５μに特性バンド。
ノ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸
・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．５〜０．６、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｍａｘ−２３５および２６４ｍμ０７β−アセトアセチ
ルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水７５：５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜０．
４、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）
：λＭａｘ２３８ｍμおよび２６５ｗｖｔ０７β−シア
ノアセチルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ
−ブタノール・ピリジン゜酢酸・水３８：２４：８：３
０）：Ｒｆ＝０．３５〜０．４５、紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ−２６４ｗｖ
ｔ１赤外吸収スベクトル（鉱油中）：４．３２μおよび
５．６５μに特性バンド。
７β−（α−シアノ−プロピオニルアミノ）−３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢
酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ−０．４〜０．５
、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：
λＭａｘ−２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）
：４．４４μおよび５．６６μに特性バンド。
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢
酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ−０．４〜０．５
、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：
λＭａｘ−２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）
：４．４４μおよび５．６６μに特性バンド。
７β−（α−シアノ−α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢
酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜０．４、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｍａｘ−２６７７７１μ、赤外吸収スペクトル（鉱油中
）：４．４２μおよび５．６５μに特性バンド。
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢
酸・水７５：７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３〜０．４、
紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ
Ｍａｘ−２６７７７１μ、赤外吸収スペクトル（鉱油中
）：４．４２μおよび５．６５μに特性バンド。
７β一（２−タロルエチルアミノーカルボニルアミノ）
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．３〜０．４
（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７，５：２１）
、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸中）：λＭａｘ
＝２６６ｍｔｔ０７β−ジクロルアセチルアミノ−３−
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマ
トグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水
７５：７．５：２１）：Ｒｆ−０６４０１紫外吸収スペ
クトル（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ２６４
ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６７μに特
性バンド。
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．３〜０．４
（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７，５：２１）
、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸中）：λＭａｘ
＝２６６ｍｔｔ０７β−ジクロルアセチルアミノ−３−
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマ
トグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水
７５：７．５：２１）：Ｒｆ−０６４０１紫外吸収スペ
クトル（９５％エタノール水溶液中）：λＭａｘ２６４
ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６７μに特
性バンド。
３−メトキシー７β−（α−スルホ−α−フニニルーア
セチルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のジナ
トリウム塩、薄層クロマトグラム（シリカゲノ（ハ）：
Ｒｆ−０．１０−０．２０（系：ｎ−ブタノール・酢酸
・水６７：１０：２３）。
セチルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のジナ
トリウム塩、薄層クロマトグラム（シリカゲノ（ハ）：
Ｒｆ−０．１０−０．２０（系：ｎ−ブタノール・酢酸
・水６７：１０：２３）。
３−メトキシー７β−（α−フエニルアミノカルボニル
ーアセチルアミノ）−３−セフエム一４カルボン酸、薄
層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・
酢酸・水６７：１０：２３）：Ｒｆ−０．３０、紫外吸
収スペクトル（エタノール中）：λＭａｘ＝２４１ｍμ
および２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
．６５μに特性バンド。
ーアセチルアミノ）−３−セフエム一４カルボン酸、薄
層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・
酢酸・水６７：１０：２３）：Ｒｆ−０．３０、紫外吸
収スペクトル（エタノール中）：λＭａｘ＝２４１ｍμ
および２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
．６５μに特性バンド。
３−メトキシー７β−メトキシアセチルアミノ３−セフ
エム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲ
ル、系：酢酸エチル・ピリジン゛酢酸３水６０：２０：
６：１１）：Ｒｆ＝０．３０、赤外吸収スペクトル（鉱
油中）：５．６５μに特性バンド３−メトキシー７β−
（α−４−メチルフエニルチオーアセチルアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０：
２３）：Ｒｆ−０．４５、紫外吸収スペクトル（エタノ
ール・中）：λＩｎａｘ−２６４ｍμ、赤外吸収スペク
トル（鉱油中）：５．６３μに特性バンド。
エム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲ
ル、系：酢酸エチル・ピリジン゛酢酸３水６０：２０：
６：１１）：Ｒｆ＝０．３０、赤外吸収スペクトル（鉱
油中）：５．６５μに特性バンド３−メトキシー７β−
（α−４−メチルフエニルチオーアセチルアミノ）−３
−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０：
２３）：Ｒｆ−０．４５、紫外吸収スペクトル（エタノ
ール・中）：λＩｎａｘ−２６４ｍμ、赤外吸収スペク
トル（鉱油中）：５．６３μに特性バンド。
７β−ベンゾイルアセチルアミノ一３−メトキシ−３−
セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリ
カゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８
：２４：８：３０）：Ｒｆ一０．４０、紫外吸収スペタ
トル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６
７ｍμ，赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６６μに
特性バンド。
セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリ
カゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８
：２４：８：３０）：Ｒｆ一０．４０、紫外吸収スペタ
トル（９５％エタノール水溶液中）：λＮｌａｘ＝２６
７ｍμ，赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６６μに
特性バンド。
７β−（３−クロルプロピオニルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：
７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３０、紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中）：λ＝２６５ｍμ、赤外
吸収スペタトル（鉱０ｍａｘ油中）：５．６５μに特性
バンド。
シ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：
７．５：２１）：Ｒｆ＝０．３０、紫外吸収スペクトル
（９５％エタノール水溶液中）：λ＝２６５ｍμ、赤外
吸収スペタトル（鉱０ｍａｘ油中）：５．６５μに特性
バンド。
７β−クロルアセチルアミノ−３−メトキシ３−セフエ
ム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル
、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８：２４
：８：３０）：Ｒｆ＝０．５０１紫外吸収スペクトル（
９５％エタノール水溶液中）：λＭｌａｘ−２６６ｍμ
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６５μに特性バ
ンド。
ム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル
、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８：２４
：８：３０）：Ｒｆ＝０．５０１紫外吸収スペクトル（
９５％エタノール水溶液中）：λＭｌａｘ−２６６ｍμ
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６５μに特性バ
ンド。
７β−（３−ブテノイルーアミノ）−３−メトキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３
８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．６５。
−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シ
リカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３
８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．６５。
７β−（α−メチルチオ−アセチルアミノ）一３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢
酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．６０、紫外
吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＲｒ
）Ａｘ＝２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：
５．７μに特性バンド。
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグ
ラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢
酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ＝０．６０、紫外
吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λＲｒ
）Ａｘ＝２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：
５．７μに特性バンド。
７β−（ビス−メトキシカルボニル−アセチルアミノ）
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル、系：ｏ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ−０．
４５、紫外吸収スベクトル（０．１モルの炭酸水素ナト
リウム水溶液中〕：λ＝２６８ｍμ、赤外吸収スペクト
ル（鉱″Ｍａｘ油中）：５．６４μに特性バンド。
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル、系：ｏ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水３８：２４：８：３０）：Ｒｆ−０．
４５、紫外吸収スベクトル（０．１モルの炭酸水素ナト
リウム水溶液中〕：λ＝２６８ｍμ、赤外吸収スペクト
ル（鉱″Ｍａｘ油中）：５．６４μに特性バンド。
７β−ジブロムアセチルアミノ−３−メトキシ−３−セ
フエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカ
ゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７．５：２
１）：Ｒｆ＝０．３〜０．４、紫外吸収スペクトル（０
．１モルの炭酸水素ナトリウム水溶液中）：λＲｒｌａ
ｘ＝２６４ｍμ、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．
６３μに特性バンド。
フエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカ
ゲル、系：ｎ−ブタノール・酢酸・水７５：７．５：２
１）：Ｒｆ＝０．３〜０．４、紫外吸収スペクトル（０
．１モルの炭酸水素ナトリウム水溶液中）：λＲｒｌａ
ｘ＝２６４ｍμ、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．
６３μに特性バンド。
３−メトキシー７β−ピバリルアミノ一３−セフエム一
４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ〜０．５−０．６（系：ｎ−ブタノール・ピリジン
・酢酸・水３８：２４：８：３０）、紫外吸収スペクト
ル（９５％エタノール水溶液中）：稲Ａｘ〜２６５ｍμ
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６６μに特性バ
ンド。
４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ〜０．５−０．６（系：ｎ−ブタノール・ピリジン
・酢酸・水３８：２４：８：３０）、紫外吸収スペクト
ル（９５％エタノール水溶液中）：稲Ａｘ〜２６５ｍμ
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６６μに特性バ
ンド。
７β一（α−アチド一α−フエニルーアセチルアミノ）
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．４−０．５
（系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８：２４
：８：３０）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール
水溶液中）：λＲｒｌａｘ〜２６７ｍμ、赤外吸収スペ
クトル（鉱油中）：４．６６μおよび５．６５μに特性
バンド。
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．４−０．５
（系：ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水３８：２４
：８：３０）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール
水溶液中）：λＲｒｌａｘ〜２６７ｍμ、赤外吸収スペ
クトル（鉱油中）：４．６６μおよび５．６５μに特性
バンド。
７β−（α−０，０−ジメチルーホスホノ一αーフエニ
ルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ−０．４（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１
０：２３）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール中
）：λＲｒｌａｘ〜２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（
鉱油中）：５．６６μに特性バンド。
ルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ−０．４（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１
０：２３）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール中
）：λＲｒｌａｘ〜２６６ｍμ、赤外吸収スペクトル（
鉱油中）：５．６６μに特性バンド。
３−メトキシー７β−（５−メチル−３−フエニル一４
−イソオキサゾリル−カルボニルアミノ）一３−セフエ
ム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル
）：Ｒｆ〜０．３−０．４（系：ｎ−ブタノール・酢酸
・水６７：１０：２３）、赤外吸収スペクトル（鉱油中
）：５．６５μに特性バンド。
−イソオキサゾリル−カルボニルアミノ）一３−セフエ
ム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル
）：Ｒｆ〜０．３−０．４（系：ｎ−ブタノール・酢酸
・水６７：１０：２３）、赤外吸収スペクトル（鉱油中
）：５．６５μに特性バンド。
７β−（４−アミノメチルフエニルーアセチルアミノ）
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．２５−０．
３（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０：２３）
、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸中）：λＭａｘ
〜２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６
８μに特性バンド。
−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層
クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．２５−０．
３（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０：２３）
、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸中）：λＭａｘ
〜２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６
８μに特性バンド。
７β一（２，６−ジメトキシーベンゾイルアミノ）−３
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．５０（系：ｎ−
ブタノール・ピリジン・酢酸・水４０：２４：６：３０
）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）
：λＲｒ］Ａｘ−２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱
油中）：５．６４μに特性バンド。
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．５０（系：ｎ−
ブタノール・ピリジン・酢酸・水４０：２４：６：３０
）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）
：λＲｒ］Ａｘ−２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱
油中）：５．６４μに特性バンド。
７β−〔Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ一α−
（３−チエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステ
ル、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．３
−０．４（系：ジエチルエーテル）、紫外吸収スペクト
ル（９５％エタノール水溶液中）：λ１１１ａＸ＝２３
８および２７６ｍＩｔ０７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−
（３−チエニル〕−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（
シリカゲル）：Ｒｆ−０．２−０．３（系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収スベクト
ル（０．１Ｎの塩酸中）：λＲｌｌａｘ−２３５および
２７０ｍ！ＴＯ７β一〔Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ一α−（２−フリル）−アセチルアミノ］−３
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒ
ｆ〜０．３５（系：ジエチルエーテル）、紫外吸収スペ
クトル（９５％エタノール水溶液中）：λ［１１ａＸ〜
２６５ｍμ０７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−フリ
ル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸、薄層クロマトグウム（シリカゲル）
：Ｒｆ〜０．２５（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７
：１０：２３）、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸
中）：λＲｒｌａｘ〜２６５ｍμ。
（３−チエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステ
ル、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．３
−０．４（系：ジエチルエーテル）、紫外吸収スペクト
ル（９５％エタノール水溶液中）：λ１１１ａＸ＝２３
８および２７６ｍＩｔ０７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−
（３−チエニル〕−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマトグラム（
シリカゲル）：Ｒｆ−０．２−０．３（系：ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収スベクト
ル（０．１Ｎの塩酸中）：λＲｌｌａｘ−２３５および
２７０ｍ！ＴＯ７β一〔Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ一α−（２−フリル）−アセチルアミノ］−３
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメ
チルエステル、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒ
ｆ〜０．３５（系：ジエチルエーテル）、紫外吸収スペ
クトル（９５％エタノール水溶液中）：λ［１１ａＸ〜
２６５ｍμ０７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−フリ
ル）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸、薄層クロマトグウム（シリカゲル）
：Ｒｆ〜０．２５（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７
：１０：２３）、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸
中）：λＲｒｌａｘ〜２６５ｍμ。
７β一（Ｄ−α−ヒドロキシ−α−フエニルーアセチル
アミノ）−３−メトキシ−３−セフエム４−カルボン酸
（ジオキサンから凍結真空乾燥）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．３５（系：ｎ−ブタノール
・ピリジン・酢酸・水４０：２４：６：３０）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λｒ］１
ａｘ〜２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
．６６μに特性バンド。
アミノ）−３−メトキシ−３−セフエム４−カルボン酸
（ジオキサンから凍結真空乾燥）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ〜０．３５（系：ｎ−ブタノール
・ピリジン・酢酸・水４０：２４：６：３０）、紫外吸
収スペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λｒ］１
ａｘ〜２６５ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
．６６μに特性バンド。
７β一（１−アミノ−シクロヘキシル−カルボニルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸（
分子内塩として、無定形の形で）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ−０．２一０．２５（系：ｎ−ブ
タノール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収スペ
クトル（０．１Ｎの塩酸中）：λ１Ｔ１ａＸ〜２６４ｍ
μ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．５６μに特性
バンド。
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸（
分子内塩として、無定形の形で）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ−０．２一０．２５（系：ｎ−ブ
タノール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収スペ
クトル（０．１Ｎの塩酸中）：λ１Ｔ１ａＸ〜２６４ｍ
μ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．５６μに特性
バンド。
３−メトキシー７β−（４−ピリジルチオ−アセチルア
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層タロマト
グラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０．２５〜０
．３０１赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６５μに
特性バンド。
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層タロマト
グラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０．２５〜０
．３０１赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５．６５μに
特性バンド。
７β−（α−４−アミノ−ピリジニウム−アセチルアミ
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸（
分子内塩として、無定形の形で）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２０〜０．３（系：ｎ−ブ
タノール・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６５μに特性バ
ンド。
ノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸（
分子内塩として、無定形の形で）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．２０〜０．３（系：ｎ−ブ
タノール・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）
、赤外吸収スベクトル（鉱油中）：５．６５μに特性バ
ンド。
３−メトキシー７β−（１−テトラゾリル−アセチルア
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマト
グラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０．３５〜０
．４５。
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸、薄層クロマト
グラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノール・ピリジン・
酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０．３５〜０
．４５。
３−メトキシー７β−（１−メチル−２−イミダゾリル
チオ−アセチルアミノ）−３−セフエム４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノー
ル・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ
＝０．３〜０．４、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
，６６μに特性バンド。
チオ−アセチルアミノ）−３−セフエム４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−ブタノー
ル・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ
＝０．３〜０．４、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：５
，６６μに特性バンド。
３−メトキシー７β−（１，２，４−トリアゾール−３
−イルチオーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−
ブタノール・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０
）：Ｒｆ−０．３〜０．４、および７β−アチドアセチ
ルアミノ一３−メトキシ３−セフエム一４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ブタノール・
ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０
．４０１紫外吸収スペクトル（エタノール中）：篇Ａｘ
一２６４ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：４．６
５μおよび５．６４μに特性バンド。
−イルチオーアセチルアミノ）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ｎ−
ブタノール・ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０
）：Ｒｆ−０．３〜０．４、および７β−アチドアセチ
ルアミノ一３−メトキシ３−セフエム一４−カルボン酸
、薄層クロマトグラム（シリカゲル、系：ブタノール・
ピリジン・酢酸・水４２：２４：４：３０）：Ｒｆ−０
．４０１紫外吸収スペクトル（エタノール中）：篇Ａｘ
一２６４ｍμ、赤外吸収スペクトル（鉱油中）：４．６
５μおよび５．６４μに特性バンド。
例２９アセトン１０ｍ１中の７β−（Ｄ−α−アミノ−
α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフエム一４−カルボン酸１．０９の混合物をトリエチ
ルアミン０．８７ＩＬ１と混合する。
α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフエム一４−カルボン酸１．０９の混合物をトリエチ
ルアミン０．８７ＩＬ１と混合する。
これを室温で２４時間かきまぜ、ろ過しそしてろ液を蒸
発する。残分を水に溶かし、２Ｎの塩酸を加えてＰＨ値
を２．５に調整しそして沈殿をろ別して乾かす。こうし
て無色の生成物として得られた７β−（２，２−ジメチ
ル−５−オキソ一４−フエニル一１，３−ジアザ−１−
シクロペンチル）−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸は薄層クロマトグラム（シリカゲル）におい
てＲｆ値が０．４０である（系：ｎ−ブタノール・ピリ
ジン・酢酸・水４０：２４：６：３０）。例３０ 無水塩化メチレン５ｍ１中の７β−（Ｄ−α−アミノ−
α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフエム一４−カルボン酸０．１００９懸濁体をトリエ
チルアミン０．０３６４９と混合して１０分間かきまぜ
る。
発する。残分を水に溶かし、２Ｎの塩酸を加えてＰＨ値
を２．５に調整しそして沈殿をろ別して乾かす。こうし
て無色の生成物として得られた７β−（２，２−ジメチ
ル−５−オキソ一４−フエニル一１，３−ジアザ−１−
シクロペンチル）−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸は薄層クロマトグラム（シリカゲル）におい
てＲｆ値が０．４０である（系：ｎ−ブタノール・ピリ
ジン・酢酸・水４０：２４：６：３０）。例３０ 無水塩化メチレン５ｍ１中の７β−（Ｄ−α−アミノ−
α−フエニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフエム一４−カルボン酸０．１００９懸濁体をトリエ
チルアミン０．０３６４９と混合して１０分間かきまぜ
る。
こうしてほとんどのものが溶ける。これを−５℃に冷却
しそしてトリエチルアミン・３酸化いおう錯体（融点８
９〜９０℃）の全部で０．０６５２９を少しずつ加える
。０゜Ｃで５分間そして２０℃で２時間かきまぜる。
しそしてトリエチルアミン・３酸化いおう錯体（融点８
９〜９０℃）の全部で０．０６５２９を少しずつ加える
。０゜Ｃで５分間そして２０℃で２時間かきまぜる。
この溶液をα一エチルヘキサン酸ナトリウム０．９ミリ
モルで処理し、析出した生成物をろ別する。塩化メチレ
ンとジエチルエーテルとで洗つた後に、３−メトキシー
７β一（Ｄ−α−スルホアミノ−α−フエニルーアセチ
ルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のジナトリ
ウム塩を含む粉末状残分を高真空下で乾かす。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．１０（系：ｎ−
ブタノール・酢酸・水７１．５：７．５：２１）、紫外
吸収スペクトル（水中）：λＭａｘ−２６７ｍＩｉ０例
３１水０．６ｍ１に溶かした４−グアニルセミカルバチ
ド・ジ塩酸塩０．１００９の冷溶液に水０．４ｍ１に溶
かした亜硝酸ナトリウム０．０３７９の溶液をかきまぜ
ながら加え、０℃でさらに十分間かきまぜてから、水４
ｍ１に溶かしてトリエチルアミンでＰＨ７．５に調整し
た７β−（Ｄ−α−アミノ−α−フエニルーアセチルア
ミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸
０．１８６９の溶液にＯ℃で滴加する。
モルで処理し、析出した生成物をろ別する。塩化メチレ
ンとジエチルエーテルとで洗つた後に、３−メトキシー
７β一（Ｄ−α−スルホアミノ−α−フエニルーアセチ
ルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸のジナトリ
ウム塩を含む粉末状残分を高真空下で乾かす。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ−０．１０（系：ｎ−
ブタノール・酢酸・水７１．５：７．５：２１）、紫外
吸収スペクトル（水中）：λＭａｘ−２６７ｍＩｉ０例
３１水０．６ｍ１に溶かした４−グアニルセミカルバチ
ド・ジ塩酸塩０．１００９の冷溶液に水０．４ｍ１に溶
かした亜硝酸ナトリウム０．０３７９の溶液をかきまぜ
ながら加え、０℃でさらに十分間かきまぜてから、水４
ｍ１に溶かしてトリエチルアミンでＰＨ７．５に調整し
た７β−（Ｄ−α−アミノ−α−フエニルーアセチルア
ミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸
０．１８６９の溶液にＯ℃で滴加する。
これをＯ℃で１時間かきまぜ、生成した沈殿をろ別し、
水で洗いそして乾かす。こうして粗製の７β−〔Ｄ−α
一（３−グアニルウレイド）−α−フエニルーアセチル
アミノ〕一３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸が得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう
素蒸気で検出）：Ｒｆ−０．２０〜０．３０（系：ｎ−
ブタノール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収ス
ペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ１ｎａｘ−
２６５ｍμ。参考例 ３２ ３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セ
フエム一４−カルボン酸０．５９を含む乾燥アンプルま
たはバイアルを次のようにして作る。
水で洗いそして乾かす。こうして粗製の７β−〔Ｄ−α
一（３−グアニルウレイド）−α−フエニルーアセチル
アミノ〕一３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸が得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう
素蒸気で検出）：Ｒｆ−０．２０〜０．３０（系：ｎ−
ブタノール・酢酸・水６７：１０：２３）、紫外吸収ス
ペクトル（９５％エタノール水溶液中）：λ１ｎａｘ−
２６５ｍμ。参考例 ３２ ３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セ
フエム一４−カルボン酸０．５９を含む乾燥アンプルま
たはバイアルを次のようにして作る。
３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ一３−セ
フエム一４−カルボン酸とマンニツトとを含む殺菌水溶
液を無菌条件の下で５ｍ１のアンプルまたは５ｍ１のバ
イアルの中で凍結乾燥しそしてこれらアンプルまたはバ
イアルを封じて検査する。
フエム一４−カルボン酸とマンニツトとを含む殺菌水溶
液を無菌条件の下で５ｍ１のアンプルまたは５ｍ１のバ
イアルの中で凍結乾燥しそしてこれらアンプルまたはバ
イアルを封じて検査する。
参考例 ３３
３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルアミ
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩０．５
９を含む乾燥アンプルまたはバイアルを次のようにして
作る。
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩０．５
９を含む乾燥アンプルまたはバイアルを次のようにして
作る。
３−メトキシー７β一（Ｄ−α−フエニルグリシルアミ
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩とマン
ニツトとを含む殺菌水溶液を無菌条件の下で５ｍ１アン
プルまたは５ｍ１バイアルの中で凍結乾燥して、これら
アンプルまたはバイアルを封じそして試験する。
ノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩とマン
ニツトとを含む殺菌水溶液を無菌条件の下で５ｍ１アン
プルまたは５ｍ１バイアルの中で凍結乾燥して、これら
アンプルまたはバイアルを封じそして試験する。
参考例 ３４
３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルーグリシルア
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩０．
２５９を含むカプセルを次のようにして作る。
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩０．
２５９を含むカプセルを次のようにして作る。
３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルーグリシルア
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩とと
うもろこしでんぷんとを混合しそしてエタノール５０Ｖ
に溶かしたポリビニルピロリドンの溶液で湿らせる。
ミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子内塩とと
うもろこしでんぷんとを混合しそしてエタノール５０Ｖ
に溶かしたポリビニルピロリドンの溶液で湿らせる。
この湿つた軟塊を３ｍｍメツシユのふるいに通して４５
℃で乾かす。この乾いた顆粒を１ｍ７１Ｌメツシユのふ
るいに通してステアリン酸マグネシウム５９と混合する
。この混合物の０．３２０９ずつを寸法０の差込みカプ
セルに充でんする。例３５ ３−メトキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル２
５６．３ｇをアニソール２５０ｍ１と塩化メチレン１２
００ｍ１との混合物中に混合しそして０℃に予冷したト
リフルオル酢酸１２００ｍ１でＯ℃で処理する。
℃で乾かす。この乾いた顆粒を１ｍ７１Ｌメツシユのふ
るいに通してステアリン酸マグネシウム５９と混合する
。この混合物の０．３２０９ずつを寸法０の差込みカプ
セルに充でんする。例３５ ３−メトキシー７β一（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアミノ−α−フエニルーアセチルアミノ）−３−
セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル２
５６．３ｇをアニソール２５０ｍ１と塩化メチレン１２
００ｍ１との混合物中に混合しそして０℃に予冷したト
リフルオル酢酸１２００ｍ１でＯ℃で処理する。
この反応混合物を０℃で３０分間放置してから、ジエチ
ルエーテルと石油エーテルとのＯ℃に冷却した１：１の
混合物１２０００ｍ１で１５分間のうちに希釈する。こ
うして析出した３−メトキシー７β−（Ｄ−αフエニル
ーグリシルアミノ）−３−セフエム一４一カルボン酸の
トリフルオル酢酸塩をろ別し、ジエチルエーテルで洗い
、減圧下で乾かしそして水１９００ｍ１に溶かず。黄色
の不純物を除去するために酢酸エチル９００ｍ１で洗い
、この有機洗液を棄てそして水溶液（ＰＨ〜１．５）を
トリエチルアミンの２０％メタノール溶液を加えてＰＨ
を４．５にする。こうして３−メトキシー７β−（Ｄ−
α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−
カルボン酸の分子内塩が２水和物として無色プリズムの
形で晶出するから、これをアセトン１８００ｍ１と混合
しそしてＯ℃で２時間かきまぜた後にろ別する。融点１
７５〜１７７℃（分解を伴う）、〔α〕２０−＋１３８
１±１℃（０．１Ｎの塩酸中でＣＤｌ）、紫外吸収スペ
クトル（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液中）：λ
ＩＴｌａＸ＝２６５ｍμ（ε−６５００）、赤外吸収ス
ペクトル（鉱油中）：２．７２μ、２．８７μ、３．１
４μ、３．６５μ、５．６８μ、５．９０μ、６．１８
μ、６．２７μ、６．３７μ、６．５６μ、６．９２μ
、７．１６μ、７．５８μ、７．７４μ、７．８０μ、
８．１２μ、８．３０μ、８．４３μ、８．５２μ、８
．６５μ、８．９５μ、９．３６μ、９．５５μ、９．
７０μ、１０．０２μ、１０．３８μ、１０．７７μ、
１１．７０μ、１２．０１μ、１２．１５μ、１２．４
８μ、１２。
ルエーテルと石油エーテルとのＯ℃に冷却した１：１の
混合物１２０００ｍ１で１５分間のうちに希釈する。こ
うして析出した３−メトキシー７β−（Ｄ−αフエニル
ーグリシルアミノ）−３−セフエム一４一カルボン酸の
トリフルオル酢酸塩をろ別し、ジエチルエーテルで洗い
、減圧下で乾かしそして水１９００ｍ１に溶かず。黄色
の不純物を除去するために酢酸エチル９００ｍ１で洗い
、この有機洗液を棄てそして水溶液（ＰＨ〜１．５）を
トリエチルアミンの２０％メタノール溶液を加えてＰＨ
を４．５にする。こうして３−メトキシー７β−（Ｄ−
α−フエニルーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−
カルボン酸の分子内塩が２水和物として無色プリズムの
形で晶出するから、これをアセトン１８００ｍ１と混合
しそしてＯ℃で２時間かきまぜた後にろ別する。融点１
７５〜１７７℃（分解を伴う）、〔α〕２０−＋１３８
１±１℃（０．１Ｎの塩酸中でＣＤｌ）、紫外吸収スペ
クトル（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液中）：λ
ＩＴｌａＸ＝２６５ｍμ（ε−６５００）、赤外吸収ス
ペクトル（鉱油中）：２．７２μ、２．８７μ、３．１
４μ、３．６５μ、５．６８μ、５．９０μ、６．１８
μ、６．２７μ、６．３７μ、６．５６μ、６．９２μ
、７．１６μ、７．５８μ、７．７４μ、７．８０μ、
８．１２μ、８．３０μ、８．４３μ、８．５２μ、８
．６５μ、８．９５μ、９．３６μ、９．５５μ、９．
７０μ、１０．０２μ、１０．３８μ、１０．７７μ、
１１．７０μ、１２．０１μ、１２．１５μ、１２．４
８μ、１２。
６０μ、１２．８７μ、１３．４５μおよび１４．３０
μに特性バンド、微量分量（Ｃｌ６Ｈｌ７Ｏ５Ｎ３Ｓ・
２Ｈ２０１分子量３９９．４２）計算値：Ｃ４８．ｌｌ
％、Ｈ５．３Ｏ％、ＮｌＯ．５２？そしてＳ８．Ｏ３％
：実測値：Ｃ４７．８６％、Ｈ５．２７％、ＮｌＯ．４
７％そしてＳ８．ＯＯ％。
μに特性バンド、微量分量（Ｃｌ６Ｈｌ７Ｏ５Ｎ３Ｓ・
２Ｈ２０１分子量３９９．４２）計算値：Ｃ４８．ｌｌ
％、Ｈ５．３Ｏ％、ＮｌＯ．５２？そしてＳ８．Ｏ３％
：実測値：Ｃ４７．８６％、Ｈ５．２７％、ＮｌＯ．４
７％そしてＳ８．ＯＯ％。
例３６メタノール１２Ｔ１１に溶解した７β−〔Ｄ−α
一第三−ブトキシカルボニルアミノ一α−（１，４シク
ロヘキサジエニノ（ハ）−アセチルアミノ〕３−ヒドロ
キシ−３−セフエム一４ξ一カルボン酸ジフエニルメチ
ルエステル６１５ηの溶液を、ジエチルエーテルに溶解
した過剰のジアゾメタンを用いＯ℃で処理し、次いで該
温度で３０分間撹拌する。
一第三−ブトキシカルボニルアミノ一α−（１，４シク
ロヘキサジエニノ（ハ）−アセチルアミノ〕３−ヒドロ
キシ−３−セフエム一４ξ一カルボン酸ジフエニルメチ
ルエステル６１５ηの溶液を、ジエチルエーテルに溶解
した過剰のジアゾメタンを用いＯ℃で処理し、次いで該
温度で３０分間撹拌する。
反応混合物を酢酸１〜２ｍ１で処理し、減圧下で蒸発さ
せる。残渣を、トルエン／酢酸エチル１：１を用いて厚
いシリカゲルプレートでクロマトグラフイ一処理する。
２５４ｎｍ０Ｕ光で検知できる帯域の溶出は、７β−〔
Ｄ−α一第三ブトキシカルボニルアミノ一α（１，４−
シクロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチル
エステルをもたらし、これは薄層クロマトグラフイ一に
より純粋なものとなり無定形生成物として得られる：薄
層クロマトグラム（シリカゲル；ジエチルエーテルで同
定）：Ｒｆ−０．３９（系：ジエチルエーテノ（ハ）；
〔α〕ｗ＝±１９±１：（タロロホルム中でＣ＝０．７
４５）；紫外線吸収スペクトル（９５％強度のエタノー
ル水溶液中）：λＩＴｌａＸ−２６３ｍμ（ε−６７０
０）およびλ８ｈ０ＵＩｄ０ｒ−２８０ｍμ（ε＝６３
００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２，
９６μ，５．６４μ，５．８６μ，５．９０μ（肩）、
６．２７μおよび６．７３μに特性バンド。
せる。残渣を、トルエン／酢酸エチル１：１を用いて厚
いシリカゲルプレートでクロマトグラフイ一処理する。
２５４ｎｍ０Ｕ光で検知できる帯域の溶出は、７β−〔
Ｄ−α一第三ブトキシカルボニルアミノ一α（１，４−
シクロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３−メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチル
エステルをもたらし、これは薄層クロマトグラフイ一に
より純粋なものとなり無定形生成物として得られる：薄
層クロマトグラム（シリカゲル；ジエチルエーテルで同
定）：Ｒｆ−０．３９（系：ジエチルエーテノ（ハ）；
〔α〕ｗ＝±１９±１：（タロロホルム中でＣ＝０．７
４５）；紫外線吸収スペクトル（９５％強度のエタノー
ル水溶液中）：λＩＴｌａＸ−２６３ｍμ（ε−６７０
０）およびλ８ｈ０ＵＩｄ０ｒ−２８０ｍμ（ε＝６３
００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２，
９６μ，５．６４μ，５．８６μ，５．９０μ（肩）、
６．２７μおよび６．７３μに特性バンド。
出発物質は次のようにして製造できる：（１）無水塩化
メチレン８０ｍ１に溶解した３−メチレンー７β−フエ
ニルアセチルアミノーセフアム一４α一カルボン酸ジフ
エニルメチルエステル２．０９の−１５゜Ｃに冷却した
溶液を、塩化メチレンに溶解した五塩化燐の８％強度の
溶液３２ｍ１並びに無水ピリジン３．２ｍ１と混合し、
次いで−１００Ｃないし−５ンＣの温度で窒素雰囲気中
１時間撹拌する。
メチレン８０ｍ１に溶解した３−メチレンー７β−フエ
ニルアセチルアミノーセフアム一４α一カルボン酸ジフ
エニルメチルエステル２．０９の−１５゜Ｃに冷却した
溶液を、塩化メチレンに溶解した五塩化燐の８％強度の
溶液３２ｍ１並びに無水ピリジン３．２ｍ１と混合し、
次いで−１００Ｃないし−５ンＣの温度で窒素雰囲気中
１時間撹拌する。
次いで反応混合物を−２５℃に冷却し、無水メタノール
２５ｍ１と混合し次いで−１『Ｃで１時間次いで室温で
１．５時間撹拌する。次いで、燐酸二水素カリウムの０
．５モル水溶性８０ｍ１を添加し、２０％強度の燐酸水
溶液でＰＨ値を２に調整し、次いで混合物を室温で３０
分間撹拌する。有機層を分離し：ー度に塩化メチレン１
５０ｍ１を用い水層を２回再抽出し、次いで有機層を集
め、硫酸ナトリウムで乾燥しそして蒸発させる。
２５ｍ１と混合し次いで−１『Ｃで１時間次いで室温で
１．５時間撹拌する。次いで、燐酸二水素カリウムの０
．５モル水溶性８０ｍ１を添加し、２０％強度の燐酸水
溶液でＰＨ値を２に調整し、次いで混合物を室温で３０
分間撹拌する。有機層を分離し：ー度に塩化メチレン１
５０ｍ１を用い水層を２回再抽出し、次いで有機層を集
め、硫酸ナトリウムで乾燥しそして蒸発させる。
油状残渣を、酢酸エチル２５ｍ１で吸収し、次いで酢酸
エチル２５ｍ１に溶解した４−メチルフエニルスルホン
酸一水和物１．１４９の溶液を０℃で添加する。大きな
沈殿物が析出し、冷酢酸エチルおよびジエチルエーテル
で洗浄し、乾燥し次いで塩化メチレンおよびジエチルエ
ーテルの混合物から再結晶する。かくして、７β一アミ
ノ一３−メチレンセフアム一４α一カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルの４−メチルフエニルスルホネートを
無色の針状形で得る：融点１５３〜１５５℃；〔α〕。
一一１４る土１（メタノール中Ｃ＝０．９７）；紫外線
吸収スペクトル（エタノール中）：λＩＴｌａｘ＝２５
７μ（ε＝１５００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：３．５μ，５．６０μ，５．７３μ，８，５
０μ，９．６８μおよび９．９２μに特性バンド。（２
）酸素およびオゾン（毎分オゾン０．３５ｍｍ０１を含
有）流を、メタノール５０ｍ１に溶解した７β−アミノ
−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルの４−メチルフエニルスルホネート０
．５５３９の溶液（−６０℃に冷却）中に４分間通過さ
せる。
エチル２５ｍ１に溶解した４−メチルフエニルスルホン
酸一水和物１．１４９の溶液を０℃で添加する。大きな
沈殿物が析出し、冷酢酸エチルおよびジエチルエーテル
で洗浄し、乾燥し次いで塩化メチレンおよびジエチルエ
ーテルの混合物から再結晶する。かくして、７β一アミ
ノ一３−メチレンセフアム一４α一カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルの４−メチルフエニルスルホネートを
無色の針状形で得る：融点１５３〜１５５℃；〔α〕。
一一１４る土１（メタノール中Ｃ＝０．９７）；紫外線
吸収スペクトル（エタノール中）：λＩＴｌａｘ＝２５
７μ（ε＝１５００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチ
レン中）：３．５μ，５．６０μ，５．７３μ，８，５
０μ，９．６８μおよび９．９２μに特性バンド。（２
）酸素およびオゾン（毎分オゾン０．３５ｍｍ０１を含
有）流を、メタノール５０ｍ１に溶解した７β−アミノ
−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルの４−メチルフエニルスルホネート０
．５５３９の溶液（−６０℃に冷却）中に４分間通過さ
せる。
更に５分後、薄い青色溶液をジメチルスルフイド０．３
ｍ１で処理する。混合物を−７０℃で１５分間、−１２
℃で１時間そして氷浴中で１時間撹拌し、次いで蒸発さ
せる。残渣を、少量の塩化メチレンで吸収し、次いで混
合物が雲り状となるまでジエチルエーテルを添加し、次
いで混合物を放置する。微晶質の、帯赤色粉末状沈殿物
を淵過し、そして７β−アミノーセフアム一３オン−４
α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルの４−メチル
フエニルスルホネートを得るが、これは７β−アミノ−
３−セフエム一３ーオール−４−カルボン酸ジフエニル
メチルエステルの４−メチルフエニルスルホネートとし
てエノール形で主に存在する。融点１４３と〜１４５℃
（分解）；薄層クロマトグラム（シリカゲル）Ｒｆ〜０
．２８（系：酢酸エチル／ピリジン／水，８５：１０：
５）；紫外線吸収スベクトル（エタノール中）：稲Ａｘ
−２６２ｍμ（ε＝３０５０）および２８２ｍμ（ε３
０２０）：赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：５
．５８μ，５．７７μ（肩）、６．０２μおよび６．２
２μに特性バンド。
ｍ１で処理する。混合物を−７０℃で１５分間、−１２
℃で１時間そして氷浴中で１時間撹拌し、次いで蒸発さ
せる。残渣を、少量の塩化メチレンで吸収し、次いで混
合物が雲り状となるまでジエチルエーテルを添加し、次
いで混合物を放置する。微晶質の、帯赤色粉末状沈殿物
を淵過し、そして７β−アミノーセフアム一３オン−４
α一カルボン酸ジフエニルメチルエステルの４−メチル
フエニルスルホネートを得るが、これは７β−アミノ−
３−セフエム一３ーオール−４−カルボン酸ジフエニル
メチルエステルの４−メチルフエニルスルホネートとし
てエノール形で主に存在する。融点１４３と〜１４５℃
（分解）；薄層クロマトグラム（シリカゲル）Ｒｆ〜０
．２８（系：酢酸エチル／ピリジン／水，８５：１０：
５）；紫外線吸収スベクトル（エタノール中）：稲Ａｘ
−２６２ｍμ（ε＝３０５０）および２８２ｍμ（ε３
０２０）：赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：５
．５８μ，５．７７μ（肩）、６．０２μおよび６．２
２μに特性バンド。
（３）メタノール２５ｍ１に溶解した７β−アミノセフ
アム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルの４−メチルフエニルスルホネート（これは、エ
ノール形として、すなわち、７β−アミノ−３−セフエ
ム一３−オール−４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルの４−メチルフエニルスルホネートとして優先的に
存在する）５０ｇの溶液を、黄色が持続するまでジエチ
ルエーテルに溶解したジアゾメタンの溶液を用いＯ℃で
処理する。
アム一３−オン−４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルの４−メチルフエニルスルホネート（これは、エ
ノール形として、すなわち、７β−アミノ−３−セフエ
ム一３−オール−４−カルボン酸ジフエニルメチルエス
テルの４−メチルフエニルスルホネートとして優先的に
存在する）５０ｇの溶液を、黄色が持続するまでジエチ
ルエーテルに溶解したジアゾメタンの溶液を用いＯ℃で
処理する。
混合物を、氷浴中で１０分間撹拌し次いで蒸発させる。
残渣をシリカゲルでクロマトグラフイ一処理する。油状
の７β−ジメチルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを、トルエ
ンおよび酢酸エチルの２：１混合物で溶離する。薄層ク
ロマトグラム（シリカゲル；ヨウ素蒸気で展開）：Ｒｆ
−０．３９（系：酢酸エチル）；紫外線吸収スペクトル
（エタノール中）：λＲｎａｘ＝２６５μ（ε６１００
）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：３．３３
μ，５．６３μ，５．８１μおよび６．２３μに特性バ
ンド。酢酸エチルで更に溶離し、油状の７β−アミノ−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルを得る。
残渣をシリカゲルでクロマトグラフイ一処理する。油状
の７β−ジメチルアミノ−３−メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを、トルエ
ンおよび酢酸エチルの２：１混合物で溶離する。薄層ク
ロマトグラム（シリカゲル；ヨウ素蒸気で展開）：Ｒｆ
−０．３９（系：酢酸エチル）；紫外線吸収スペクトル
（エタノール中）：λＲｎａｘ＝２６５μ（ε６１００
）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：３．３３
μ，５．６３μ，５．８１μおよび６．２３μに特性バ
ンド。酢酸エチルで更に溶離し、油状の７β−アミノ−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルを得る。
薄層タロマトグラム（シリカゲルリヨウ素蒸気で展開）
Ｒｆ〜０．２０（系：酢酸エチル）：紫外線吸収スペク
トル（エタノール）：λＲｒ］Ａｘ−２６５μ（ε＝５
９００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２
．９８μ，３．３３μ，５．６２μ，５．８１μおよび
６．２４μに吸収バンド。４）塩化メチレン２５ｍ１に
溶解した７β−アミノーセフアム一３−オン−４ξ一カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルの４−メチルフエニ
ルスルホン酸２．１７９（４．１６ｍｍ０１）の溶液を
、ビス−トリメチルシリルアセトアミド１．０４ｍ１（
４．１６ｍｍ０１）で処理し次いで窒素中室温で４５分
間撹拌する（溶液Ａ）。
Ｒｆ〜０．２０（系：酢酸エチル）：紫外線吸収スペク
トル（エタノール）：λＲｒ］Ａｘ−２６５μ（ε＝５
９００）；赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：２
．９８μ，３．３３μ，５．６２μ，５．８１μおよび
６．２４μに吸収バンド。４）塩化メチレン２５ｍ１に
溶解した７β−アミノーセフアム一３−オン−４ξ一カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステルの４−メチルフエニ
ルスルホン酸２．１７９（４．１６ｍｍ０１）の溶液を
、ビス−トリメチルシリルアセトアミド１．０４ｍ１（
４．１６ｍｍ０１）で処理し次いで窒素中室温で４５分
間撹拌する（溶液Ａ）。
一２０間Ｃの塩化メチレン２４ＴｆＬ１およびＤ−α一
第三ブチロキシカルボニルアミノ一α−（１，４−シク
ロヘキサジエニル）一酢酸１．４７９（５．８３ｍｍ０
１）の混合物を、Ｎ−メチル−モルホリン０．６５ｍ１
およびタロル蟻酸イソブチルエステル０．８０ｍ１で処
理し次いで窒素中−２０で４５分間撹拌する（溶液Ｂ）
。
第三ブチロキシカルボニルアミノ一α−（１，４−シク
ロヘキサジエニル）一酢酸１．４７９（５．８３ｍｍ０
１）の混合物を、Ｎ−メチル−モルホリン０．６５ｍ１
およびタロル蟻酸イソブチルエステル０．８０ｍ１で処
理し次いで窒素中−２０で４５分間撹拌する（溶液Ｂ）
。
溶液Ａを−２０℃に冷却し、次いで溶液Ｂを添加し、し
かる後一緒にした溶液をＯ℃で２，５時間撹拌する。
かる後一緒にした溶液をＯ℃で２，５時間撹拌する。
反応混合物を水で洗浄し、食塩水で飽和し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、次いで減圧下で蒸発させる。残渣を、ト
ルエン／酢酸エチル４：１を用いシリカゲル７０９によ
るクロマトグラフイ一に委ね、７β−〔−α一第三ブト
キシカルボニルアミノ一α−（１，４−シタロヘキサジ
エニル）−アセチルアミノ〕−３−ヒドロキシ−３−セ
フエム一４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
得る；Ｒｆ一０．３５（シリカゲル：酢酸エチル）；Ｉ
Ｒ−スベクトル（クロロホルム）；３３８０；１７８０
；１６９０；１６１０：１５９０，１４７０ＣＴｆ１−
１にバンド。以上、本発明を詳細に説明したが本発明の
構成の具体例を要約すれば次のようである。
ウムで乾燥し、次いで減圧下で蒸発させる。残渣を、ト
ルエン／酢酸エチル４：１を用いシリカゲル７０９によ
るクロマトグラフイ一に委ね、７β−〔−α一第三ブト
キシカルボニルアミノ一α−（１，４−シタロヘキサジ
エニル）−アセチルアミノ〕−３−ヒドロキシ−３−セ
フエム一４ξ一カルボン酸ジフエニルメチルエステルを
得る；Ｒｆ一０．３５（シリカゲル：酢酸エチル）；Ｉ
Ｒ−スベクトル（クロロホルム）；３３８０；１７８０
；１６９０；１６１０：１５９０，１４７０ＣＴｆ１−
１にバンド。以上、本発明を詳細に説明したが本発明の
構成の具体例を要約すれば次のようである。
（１）式（）の原料として、基Ｒ合がアミノ保護基、殊
にアシル基ＡＣであつて、この基中に存在する場合のあ
る遊離官能性基は保護されていることができるものとし
、Ｒトが水素原子であり、そしてＲ会がエステル化され
たカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに形成
しているエーテル化された水酸基であつて、このエステ
ル化されたカルボキシル基−Ｃ（−０）−Ｒ令中に存在
する場合のある遊離官能性基は保護されていることがで
きる化合物を使う前記特許請求の範囲に記載の方法。
にアシル基ＡＣであつて、この基中に存在する場合のあ
る遊離官能性基は保護されていることができるものとし
、Ｒトが水素原子であり、そしてＲ会がエステル化され
たカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）一といつしよに形成
しているエーテル化された水酸基であつて、このエステ
ル化されたカルボキシル基−Ｃ（−０）−Ｒ令中に存在
する場合のある遊離官能性基は保護されていることがで
きる化合物を使う前記特許請求の範囲に記載の方法。
（２）基Ｒ合としてジフエニルメトキシ基のような置換
されている場合のある１−フエニル低級アルコキシ基を
使う前項（１）に記載の方法。
されている場合のある１−フエニル低級アルコキシ基を
使う前項（１）に記載の方法。
（３）基Ｒ合としてハロゲン置換されている場合のある
低級アルコキシ基、例えばｔ−ブチルオキシ基のような
α一位置で高度に分枝した低級アルコキシ基または２，
２，２−トリクロルエトキシ基のような２−ハロゲノ一
低級アルコキシ基を使う前項（１）に記載の方法。（４
）式（）の原料を、アルキル基またはアラルキル基Ｒ３
に相当する式Ｒ３−Ｎ２（） で表わされるジアゾ化合物で処理することによつて、エ
ノールエーテルを作る前記特許請求の範囲および前項（
１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
低級アルコキシ基、例えばｔ−ブチルオキシ基のような
α一位置で高度に分枝した低級アルコキシ基または２，
２，２−トリクロルエトキシ基のような２−ハロゲノ一
低級アルコキシ基を使う前項（１）に記載の方法。（４
）式（）の原料を、アルキル基またはアラルキル基Ｒ３
に相当する式Ｒ３−Ｎ２（） で表わされるジアゾ化合物で処理することによつて、エ
ノールエーテルを作る前記特許請求の範囲および前項（
１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
（５）ジアゾメタンのようなジアゾ低級アルカン、また
は１−フエニルジアゾ低級アルカン例えばフエニルジア
ゾメタンまたはジフエニルジアゾメタンのようなフエニ
ルジアゾ低級アルカンを使う前項（４）に記載の方法。
（６）式（）の原料を、アルキル基またはアラルキル基
Ｒ３に相当する式Ｒ３−０Ｈ（） で表わされるアルコールの反応性エステルで処理するこ
とにより、エノールエーテルを作る前記特許請求の範囲
および前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
は１−フエニルジアゾ低級アルカン例えばフエニルジア
ゾメタンまたはジフエニルジアゾメタンのようなフエニ
ルジアゾ低級アルカンを使う前項（４）に記載の方法。
（６）式（）の原料を、アルキル基またはアラルキル基
Ｒ３に相当する式Ｒ３−０Ｈ（） で表わされるアルコールの反応性エステルで処理するこ
とにより、エノールエーテルを作る前記特許請求の範囲
および前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
（７）式Ｒ３−０Ｈのアルコールのエステルとして、強
い無機または有機酸例えば塩酸、臭化水素酸またはよう
化水素酸のようなハロゲン化水素酸、硫酸またはフルオ
ル硫酸のようなハロゲノ硫酸あるいは強い有機スルホン
酸例えばメタンスルホン酸、トリフルオルメタンスルホ
ン酸またはｐ−トルエンスルホン酸とのエステルを場合
によつては適当な縮合剤例えば銀塩、アルカリ金属の重
炭酸塩または有機塩基例えば一般に立体障害のあるトリ
低級アルキルアミンの存在の下で使う前項（６）に記載
の方法。
い無機または有機酸例えば塩酸、臭化水素酸またはよう
化水素酸のようなハロゲン化水素酸、硫酸またはフルオ
ル硫酸のようなハロゲノ硫酸あるいは強い有機スルホン
酸例えばメタンスルホン酸、トリフルオルメタンスルホ
ン酸またはｐ−トルエンスルホン酸とのエステルを場合
によつては適当な縮合剤例えば銀塩、アルカリ金属の重
炭酸塩または有機塩基例えば一般に立体障害のあるトリ
低級アルキルアミンの存在の下で使う前項（６）に記載
の方法。
（８）式（）の原料を、式Ｒ３−０−（のエーテル化さ
れた水酸基２〜３個を脂肪族性の同一炭素原子に有する
化合物で酸性剤の存在下で処理することによつて、エノ
ールエーテルを作る前記特許請求の範囲および前項（１
）〜（３）のいずれかに記載の方法。
れた水酸基２〜３個を脂肪族性の同一炭素原子に有する
化合物で酸性剤の存在下で処理することによつて、エノ
ールエーテルを作る前記特許請求の範囲および前項（１
）〜（３）のいずれかに記載の方法。
（９）強い有機スルホン酸の存在下で２，２−ジメトキ
シ−プロパンのようなＧｅｍＨ氏級アルキルオキシ一低
級アルカンまたは強い無機酸の存在下でオルトぎ酸低級
アルキルエステルを使う前項（８）に記載の方法。
シ−プロパンのようなＧｅｍＨ氏級アルキルオキシ一低
級アルカンまたは強い無機酸の存在下でオルトぎ酸低級
アルキルエステルを使う前項（８）に記載の方法。
００）式（）の原料を、式
（Ｒ３ノ．ｏ１ぐ？→（この式でＡは酸の陰イオンであ
る）で表わされるトリ−Ｒ３−オキソニウム塩で処理す
ることにより、エノールエーテルを作る前記特許請求の
範囲および前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法
。
る）で表わされるトリ−Ｒ３−オキソニウム塩で処理す
ることにより、エノールエーテルを作る前記特許請求の
範囲および前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法
。
（４）トリ一低級アルキルーオキソニウム塩殊に相当す
るテトラフルオルボレート、ヘキサフルオルホスフエー
ト、ヘキサフルオルアンチモネートまたはヘキサタロル
アンチモネートを使う前項ＡＯ）に記載の方法。
るテトラフルオルボレート、ヘキサフルオルホスフエー
ト、ヘキサフルオルアンチモネートまたはヘキサタロル
アンチモネートを使う前項ＡＯ）に記載の方法。
２）式（Ｈ）の原料を、式
で表わされるジ一Ｒ３Ｏ−カルベニウム塩、または式（
これらの式でＡは酸の陰イオンでありそしてＨａｌはブ
ロモニウムイオンのようなハロニウムイオンである）で
表わされるジ一Ｒ３−ハロニウム塩で処理することによ
り、エノールエーテルを作る前記特許請求の範囲および
前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
これらの式でＡは酸の陰イオンでありそしてＨａｌはブ
ロモニウムイオンのようなハロニウムイオンである）で
表わされるジ一Ｒ３−ハロニウム塩で処理することによ
り、エノールエーテルを作る前記特許請求の範囲および
前項（１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
（自）ジ低級アルコキシカルベニウム塩またはジ低級ア
ルキルハロニウム塩殊に錯ふつ素含有酸との相当する塩
例えば相当するテトラフルオルボレート、ヘキサフルオ
ルホスフエート、ヘキサフルオルアンチモネートまたは
へキサクロルアンチモネートを使う前項（自）に記載の
方法。
ルキルハロニウム塩殊に錯ふつ素含有酸との相当する塩
例えば相当するテトラフルオルボレート、ヘキサフルオ
ルホスフエート、ヘキサフルオルアンチモネートまたは
へキサクロルアンチモネートを使う前項（自）に記載の
方法。
０４）式（？原料を３一置換−１−Ｒ３−トリアゼン化
合物０）で処理することにより、エノールエーテルを作
る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（３）のいず
れかに記載の方法。
合物０）で処理することにより、エノールエーテルを作
る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（３）のいず
れかに記載の方法。
０５）３−アリール−１一低級アルキルートリアゼン、
３−アリール−１一低級アルケニルートリアゼンまたは
３−アリール−１−フエニル低級アルキルートリアゼン
（アリールは置換されている場合のあるフエニル例えば
低級アルキルフエニルであるのが好ましい）を使う前項
（自）に記載の方法。
３−アリール−１一低級アルケニルートリアゼンまたは
３−アリール−１−フエニル低級アルキルートリアゼン
（アリールは置換されている場合のあるフエニル例えば
低級アルキルフエニルであるのが好ましい）を使う前項
（自）に記載の方法。
（自）および（自）欠番
（自）基ｍｌまたはＲ１）がアシル基である得られた化
合物において、これをイミドハライド形成剤で処理し、
こうして得たイミドハライドをアルコールで処理しそし
てこうして生成したイミノニーテルを分裂することによ
つて、適当なアシル基を分裂して水素原子で置換し、そ
して得られた化合物において遊離アミノ基を保護例えば
アシル化する前記特許請求の範囲および前項（１）〜（
自）のいずれかに記載の方法。
合物において、これをイミドハライド形成剤で処理し、
こうして得たイミドハライドをアルコールで処理しそし
てこうして生成したイミノニーテルを分裂することによ
つて、適当なアシル基を分裂して水素原子で置換し、そ
して得られた化合物において遊離アミノ基を保護例えば
アシル化する前記特許請求の範囲および前項（１）〜（
自）のいずれかに記載の方法。
（自）本発明方法においてまたは実施する場合のある所
望の追加工程において原料または得られた化合物中の当
該反応に関与しない遊離官能性基を保護しそして当該反
応の後に所望ならば遊離させる前記特許請求の範囲およ
び前項（１）〜（自）のいずれかに記載の方法。
望の追加工程において原料または得られた化合物中の当
該反応に関与しない遊離官能性基を保護しそして当該反
応の後に所望ならば遊離させる前記特許請求の範囲およ
び前項（１）〜（自）のいずれかに記載の方法。
（至）中間体として得られた化合物を原料として使いそ
して残りの工程段階をこの中間体を使つて行うか、また
は工程を任意段階で中断する前記特許請求の範囲および
前項（１）〜０９）のいずれかに記載の方法。
して残りの工程段階をこの中間体を使つて行うか、また
は工程を任意段階で中断する前記特許請求の範囲および
前項（１）〜０９）のいずれかに記載の方法。
（社）原料を誘導体の形で使うかまたはその反応中に生
成させる前記特許請求の範囲および前項（１）〜（至）
のいずれかに記載の方法。
成させる前記特許請求の範囲および前項（１）〜（至）
のいずれかに記載の方法。
（２２）式（１）においてＲ↑が６β−アミノーペナム
一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３一セフ
エム一４−カルボン酸化合物の酸酵によつてまたは生合
成、半合成または全合成によつて製造できるＮ−アシル
誘導体中に含まれるアシル基であり、積が水素原子であ
り、Ｒ２が水酸基、置換されている場合のある低級アル
コキシ基、アシルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオ
キシ基または置換されている場合のあるアミノ基または
ヒドラジノ基であり、そしてＲ３が低級アルキル基、置
換されている場合のあるフエニル低級アルキル基である
か、またはＲ２とＲ３とが上記の意味をもちそしてｍｌ
とＲヤとがその両方で２一位置で好ましくは置換されそ
して４一位置で場合によつては置換されているｌ−オキ
ソ一３−アザ−１，４−ブチレン基である３−セフエム
化合物または塩形成基をもつこのような化合物の塩を製
造する前記特許請求の範囲および前項（１）〜Ｃ？１）
のいずれかに記載の方法。
一３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３一セフ
エム一４−カルボン酸化合物の酸酵によつてまたは生合
成、半合成または全合成によつて製造できるＮ−アシル
誘導体中に含まれるアシル基であり、積が水素原子であ
り、Ｒ２が水酸基、置換されている場合のある低級アル
コキシ基、アシルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオ
キシ基または置換されている場合のあるアミノ基または
ヒドラジノ基であり、そしてＲ３が低級アルキル基、置
換されている場合のあるフエニル低級アルキル基である
か、またはＲ２とＲ３とが上記の意味をもちそしてｍｌ
とＲヤとがその両方で２一位置で好ましくは置換されそ
して４一位置で場合によつては置換されているｌ−オキ
ソ一３−アザ−１，４−ブチレン基である３−セフエム
化合物または塩形成基をもつこのような化合物の塩を製
造する前記特許請求の範囲および前項（１）〜Ｃ？１）
のいずれかに記載の方法。
！３）式（１）においてＲ↑が６β−アミノーペナム一
３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸化合物の醗酵によつてまたは生合成
によつて作られるＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基
または６β−アミノーペナム一３−カルボン酸化合物ま
たは７β一アミノ一３−セフエム一４−カルボン酸化合
物の高活性なＮ−アシル誘導体において存在するアシル
基であり、Ｒりが水素原子であり、Ｒ２が水酸基、低級
アルコキシ基、２−ハロゲノ低級アルコキシ基、フエナ
シルオキシ基、低級アルコキシ基またはニトロ基で置換
されている場合のあるフエニル基１〜３個をもつｌ−フ
エニル低級アルコキシ基、低級アルカノイルオキシメト
キシ基、α−アミノ低級アルカノイルオキシメトキシ基
、低級アルコキシカルボニルオキシ基または低級アルカ
ノイルオキシ基でありそしてＲ３が低級アルキル基、１
−フエニル低級アルキル基であるか、またはＲ２とＲ３
とが上記の意味をもちそしてＲ↑と蹟とが両方で置換さ
れている場合のあるフエニル基によつて２−位置が置換
されているｌ−オキソ一３−アザ−１，４−ブチレン基
（これは４一位置に場合によつては低級アルキル基２個
をもつている）を表わすような３−セフエム化合物また
は塩形成基をもつこのような化合物の塩を製造する前記
特許請求の範囲および前項（１）〜（社）のいずれかに
記載の方法。
３−カルボン酸化合物または７β−アミノ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸化合物の醗酵によつてまたは生合成
によつて作られるＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基
または６β−アミノーペナム一３−カルボン酸化合物ま
たは７β一アミノ一３−セフエム一４−カルボン酸化合
物の高活性なＮ−アシル誘導体において存在するアシル
基であり、Ｒりが水素原子であり、Ｒ２が水酸基、低級
アルコキシ基、２−ハロゲノ低級アルコキシ基、フエナ
シルオキシ基、低級アルコキシ基またはニトロ基で置換
されている場合のあるフエニル基１〜３個をもつｌ−フ
エニル低級アルコキシ基、低級アルカノイルオキシメト
キシ基、α−アミノ低級アルカノイルオキシメトキシ基
、低級アルコキシカルボニルオキシ基または低級アルカ
ノイルオキシ基でありそしてＲ３が低級アルキル基、１
−フエニル低級アルキル基であるか、またはＲ２とＲ３
とが上記の意味をもちそしてＲ↑と蹟とが両方で置換さ
れている場合のあるフエニル基によつて２−位置が置換
されているｌ−オキソ一３−アザ−１，４−ブチレン基
（これは４一位置に場合によつては低級アルキル基２個
をもつている）を表わすような３−セフエム化合物また
は塩形成基をもつこのような化合物の塩を製造する前記
特許請求の範囲および前項（１）〜（社）のいずれかに
記載の方法。
（有）式（１）においてＲりとＲ２とＲ３とが前項（２
３）で与えた意味をもちそしてｍｌが式〔この式でｎは
ＯでありそしてＲＩは水素原子または置換されている場
合のある脂環式または芳香族炭化水素基、置換されてい
る場合のあるそして好ましくは芳香族性をもつ複素環式
基、官能的に変形例えばエステル化またはエーテル化さ
れている水酸基またはメルカプト基あるいは置換されて
いる場合のあるアミノ基であるか、またはｎはｌであり
、ＲＩは水素原子または置換されている場合のある脂肪
族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の
炭化水素基、その複素環式基が好ましくは芳香族性をも
ちそして（または）第４級窒素原子をもつている置換さ
れている場合のある複素環式基または複素環一脂肪族基
、官能的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル
化）されている場合のある水酸基またはメルカプト基、
官能的に変形されている場合のあるカルボキシル基、ア
シル基、置換されている場合のあるアミノ基またはアチ
ド基でありそして基ＲＨ（５Ｒｍとがいずれも水素原子
であるか、またはｎは１であり、Ｒ１は置換されている
場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族また
は芳香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ま
しくは芳香族性を有する置換されている場合のある複素
環式または複素環一脂肪族基であり、Ｒは官能的に変形
例えばエステル化またはエーテル化されている場合のあ
る水酸基またはメルカプト基、置換されている場合のあ
るアミノ基、官能的に変形されている場合のあるカルボ
キシル基またはスルホ基、Ｏ−モノ置換または０，α−
ジ置換されている場合のあるホスホノ基、アチド基また
はハロゲン原子でありそしてＲは水素原子でありか、ま
たはｎはｌであり、基ＲＩ（！：Ｒ１とがそれぞれ官能
的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル化）さ
れた水酸基または官能的に変形されている場合のあるカ
ルボキシル基でありそしてＲは水素原子であるか、また
はｎはｌであり、ＲＩは水素原子または置換されている
場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族また
は芳香脂肪族の炭化水素基でありそしてＲ川とＲとはそ
の両方で置換されている場合のあるそして２重結合によ
つて式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環式、脂
環一脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基であるか、ま
たはｎはｌであり、ＲＩは置換されている場合のある脂
肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族
の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは芳香族
性を有する置換されている場合のある複素環式または複
素環一脂肪族基であり、Ｒは置換されている場合のある
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪
族の炭化水素基でありそしてＲは水素原子または置換さ
れている場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕で示される
基であるか、またはＲ２とＲ３とが前項・″２３）で与
えた意味をもちそしてＲ↑とＲｂ！とがその両方で置換
されている場合のあるフエニル基で２一位置が置換され
ている１−オキソ一３−アザ−１，４−ブチレン基（こ
れは４一位置において場合によつては低級アルキル基２
個をもつ）を表わすような３−セフエム化合物または塩
形成基をもつこのような化合物の塩を製造する前記特許
請求の範囲および前項（１）〜（社）のいずれかに記載
の方法。
３）で与えた意味をもちそしてｍｌが式〔この式でｎは
ＯでありそしてＲＩは水素原子または置換されている場
合のある脂環式または芳香族炭化水素基、置換されてい
る場合のあるそして好ましくは芳香族性をもつ複素環式
基、官能的に変形例えばエステル化またはエーテル化さ
れている水酸基またはメルカプト基あるいは置換されて
いる場合のあるアミノ基であるか、またはｎはｌであり
、ＲＩは水素原子または置換されている場合のある脂肪
族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の
炭化水素基、その複素環式基が好ましくは芳香族性をも
ちそして（または）第４級窒素原子をもつている置換さ
れている場合のある複素環式基または複素環一脂肪族基
、官能的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル
化）されている場合のある水酸基またはメルカプト基、
官能的に変形されている場合のあるカルボキシル基、ア
シル基、置換されている場合のあるアミノ基またはアチ
ド基でありそして基ＲＨ（５Ｒｍとがいずれも水素原子
であるか、またはｎは１であり、Ｒ１は置換されている
場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族また
は芳香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ま
しくは芳香族性を有する置換されている場合のある複素
環式または複素環一脂肪族基であり、Ｒは官能的に変形
例えばエステル化またはエーテル化されている場合のあ
る水酸基またはメルカプト基、置換されている場合のあ
るアミノ基、官能的に変形されている場合のあるカルボ
キシル基またはスルホ基、Ｏ−モノ置換または０，α−
ジ置換されている場合のあるホスホノ基、アチド基また
はハロゲン原子でありそしてＲは水素原子でありか、ま
たはｎはｌであり、基ＲＩ（！：Ｒ１とがそれぞれ官能
的に変形（好ましくはエーテル化またはエステル化）さ
れた水酸基または官能的に変形されている場合のあるカ
ルボキシル基でありそしてＲは水素原子であるか、また
はｎはｌであり、ＲＩは水素原子または置換されている
場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族また
は芳香脂肪族の炭化水素基でありそしてＲ川とＲとはそ
の両方で置換されている場合のあるそして２重結合によ
つて式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環式、脂
環一脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基であるか、ま
たはｎはｌであり、ＲＩは置換されている場合のある脂
肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族
の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは芳香族
性を有する置換されている場合のある複素環式または複
素環一脂肪族基であり、Ｒは置換されている場合のある
脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪
族の炭化水素基でありそしてＲは水素原子または置換さ
れている場合のある脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕で示される
基であるか、またはＲ２とＲ３とが前項・″２３）で与
えた意味をもちそしてＲ↑とＲｂ！とがその両方で置換
されている場合のあるフエニル基で２一位置が置換され
ている１−オキソ一３−アザ−１，４−ブチレン基（こ
れは４一位置において場合によつては低級アルキル基２
個をもつ）を表わすような３−セフエム化合物または塩
形成基をもつこのような化合物の塩を製造する前記特許
請求の範囲および前項（１）〜（社）のいずれかに記載
の方法。
（２５）式（１）においてＲＶが水素原子であり、闇が
式１１υ （この式でＲａはフエニル基、ヒドロキシフニニル基、
ヒドロキシータロルフエニル基、ピリジル基、アミノピ
リジニウム基、フリル基、イソチアゾリル基、テトラゾ
リル基、１，４−シクロヘキサジエニル基または２−チ
エニル基であつて、これらの基における水酸基はアシル
基によつて保護されていることができるものとし、ｘは
酸素またはいおう原子であり、ｍは０または１であり、
そしてＲｂは水素原子またはｍかＯである場合に保護さ
れている場合のあるアミノ基、カルボキシ基、スルホ基
または水酸基、またはＯ一低級アルキルホスホノ基また
は！０，α−ジ低級アルキルーホスホノ基である）で示
されるアシル基またはそのアミノ基およびカルボキシル
基が場合によつては保護されていることのできる５−ア
ミノ−５−カルボキシバレリル基であり、そしてＲ２が
水酸基、低級ア１ルコキシ基、２−ハロゲノ低級アルコ
キシ基、置換されている場合のあるジフエニルメトキシ
基またはトリ低級アルキルシリルオキシ基でありそして
Ｒ３が低級アルキル基、フエニル低級アルキル基である
３−セフエム化合物または塩１形成基をもつこのような
化合物の塩を製造する前記特許請求の範囲および前項（
１）〜（社）のいずれかに記載の方法。
式１１υ （この式でＲａはフエニル基、ヒドロキシフニニル基、
ヒドロキシータロルフエニル基、ピリジル基、アミノピ
リジニウム基、フリル基、イソチアゾリル基、テトラゾ
リル基、１，４−シクロヘキサジエニル基または２−チ
エニル基であつて、これらの基における水酸基はアシル
基によつて保護されていることができるものとし、ｘは
酸素またはいおう原子であり、ｍは０または１であり、
そしてＲｂは水素原子またはｍかＯである場合に保護さ
れている場合のあるアミノ基、カルボキシ基、スルホ基
または水酸基、またはＯ一低級アルキルホスホノ基また
は！０，α−ジ低級アルキルーホスホノ基である）で示
されるアシル基またはそのアミノ基およびカルボキシル
基が場合によつては保護されていることのできる５−ア
ミノ−５−カルボキシバレリル基であり、そしてＲ２が
水酸基、低級ア１ルコキシ基、２−ハロゲノ低級アルコ
キシ基、置換されている場合のあるジフエニルメトキシ
基またはトリ低級アルキルシリルオキシ基でありそして
Ｒ３が低級アルキル基、フエニル低級アルキル基である
３−セフエム化合物または塩１形成基をもつこのような
化合物の塩を製造する前記特許請求の範囲および前項（
１）〜（社）のいずれかに記載の方法。
（２６）式（１）においてＲ１が前項（２５）に記載の
式（Ｂ）のアシル基（この式でＲａはフエニル基であり
、Ｘ２は酸素原子であり、ｍは０またはｌであり、そし
てＲは水素原子またはｍがＯである場合に保護されてい
る場合のあるアミノ基または水酸基である）またはその
アミノ基およびカルボキシル基が保護されている場合の
ある５−アミノ−２５−カルボキシーバレリル基であり
、蹟が水素原子であり、Ｒ２が水酸基、２一位置でハロ
ゲン置換されている場合のある低級アルコキシ基、低級
アルコキシ置換されている場合のあるジフエニルメトキ
シ基またはトリ低級アルキル５シリルオキシ基でありそ
してＲ３が低級アルキル基、またはフエニル低級アルキ
ル基である３セフエム化合物または塩形成基をもつこの
ような化合物の塩を製造する前記特許請求の範囲および
前項（１）〜Ａ５および（自）〜（社）のいずれかに記
５載の方法。
式（Ｂ）のアシル基（この式でＲａはフエニル基であり
、Ｘ２は酸素原子であり、ｍは０またはｌであり、そし
てＲは水素原子またはｍがＯである場合に保護されてい
る場合のあるアミノ基または水酸基である）またはその
アミノ基およびカルボキシル基が保護されている場合の
ある５−アミノ−２５−カルボキシーバレリル基であり
、蹟が水素原子であり、Ｒ２が水酸基、２一位置でハロ
ゲン置換されている場合のある低級アルコキシ基、低級
アルコキシ置換されている場合のあるジフエニルメトキ
シ基またはトリ低級アルキル５シリルオキシ基でありそ
してＲ３が低級アルキル基、またはフエニル低級アルキ
ル基である３セフエム化合物または塩形成基をもつこの
ような化合物の塩を製造する前記特許請求の範囲および
前項（１）〜Ａ５および（自）〜（社）のいずれかに記
５載の方法。
（２７）７β一（Ｄ−α−アミノ−α−Ｒａ−アセチル
アミノ）−３一低級アルコキシ−３−セフエム一４−カ
ルボン酸（Ｒａはフエニル基、４一ヒドロキシフエニル
基、２−チエニル基または４１，４−シクロヘキサジエ
ニル基でありそして低級アルコキソ基は炭素原子４個ま
でをもつとする）またはそれらの分子内を作る前記特許
請求の範囲および前項（１）〜（自）および（自）〜（
社）のいずれかに記載の方法。
アミノ）−３一低級アルコキシ−３−セフエム一４−カ
ルボン酸（Ｒａはフエニル基、４一ヒドロキシフエニル
基、２−チエニル基または４１，４−シクロヘキサジエ
ニル基でありそして低級アルコキソ基は炭素原子４個ま
でをもつとする）またはそれらの分子内を作る前記特許
請求の範囲および前項（１）〜（自）および（自）〜（
社）のいずれかに記載の方法。
）．８）３−メトキシー７β−フエニルアセチルアミノ
一３−セフエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前
記特許請求の範囲および前項（１）〜Ａ５）および（自
）〜（２１のいずれかに記載の方法っ）．９）３−メト
キシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ
一α−フエニルアセチルアミノ）−３−セフエム一４−
カルボン酸ジフエニルメチルエステルを作る前記特許請
求の範囲および前項（１）〜Ａ５）および（自）〜Ｃ９
Ｄのいずれかに記載の方法。
一３−セフエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前
記特許請求の範囲および前項（１）〜Ａ５）および（自
）〜（２１のいずれかに記載の方法っ）．９）３−メト
キシー７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ
一α−フエニルアセチルアミノ）−３−セフエム一４−
カルボン酸ジフエニルメチルエステルを作る前記特許請
求の範囲および前項（１）〜Ａ５）および（自）〜Ｃ９
Ｄのいずれかに記載の方法。
（財）３−メトキシー７β−（Ｄ−α−フエニルグリシ
ルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜Ａ５
）およびＡ８）〜（２１）のいずれかに記載の方法。
ルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜Ａ５
）およびＡ８）〜（２１）のいずれかに記載の方法。
（３１）３−メトキシー７β一（Ｄ−α−フエニルグリ
シルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子
内塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（１
５）および（自）〜ｅｌ）のいずれかに記載の方法。
シルーアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸の分子
内塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（１
５）および（自）〜ｅｌ）のいずれかに記載の方法。
（３２）３−ｎ−ブトキシー７β−（Ｄ−α−フエニル
ーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ま
たはその塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）
〜Ａ５）および（自）〜（２Ｄのいずれかに記載の方法
。
ーグリシルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸ま
たはその塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）
〜Ａ５）および（自）〜（２Ｄのいずれかに記載の方法
。
（３３）７β−〔ｎ−α−アミノ−α−（２−チエニル
）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲
および前項（１）〜（１５）および（自）〜（社）のい
ずれかに記載の方法。
）−アセチルアミノ〕−３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲
および前項（１）〜（１５）および（自）〜（社）のい
ずれかに記載の方法。
Ｃ４）７β一〔Ｄ−α−アミノ−α−（４−ヒドロキシ
フエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキン一３−セ
フエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請
求の範囲および前項（１）〜（１５）および（自）〜（
社）のいずれかに記載の方法。
フエニル）−アセチルアミノ〕−３−メトキン一３−セ
フエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請
求の範囲および前項（１）〜（１５）および（自）〜（
社）のいずれかに記載の方法。
］３５）３−エトキシー７β−（Ｄ−α−フェニルグリ
シルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（１
５）および（自）〜（社）のいずれかに記載の方法。［
３６）３−ベンジルオキシー７β一（Ｄ−α−フエニル
グリシルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸また
はその塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜
（自）および０８）〜（社）のいずれかに記載の方法。
シルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（１
５）および（自）〜（社）のいずれかに記載の方法。［
３６）３−ベンジルオキシー７β一（Ｄ−α−フエニル
グリシルアミノ）−３−セフエム一４−カルボン酸また
はその塩を作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜
（自）および０８）〜（社）のいずれかに記載の方法。
（３７）７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（１，４−シク
ロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前記
特許請求の範囲および前項（１）〜（自）および（自）
〜（有）のいずれかに記載の方法。
ロヘキサジエニル）−アセチルアミノ〕−３メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸またはその塩を作る前記
特許請求の範囲および前項（１）〜（自）および（自）
〜（有）のいずれかに記載の方法。
（３８）７β−（５−ベンゾイルアミノ一５−ジフエニ
ルメトキシカルボニルーバレリルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（
至）および峙〜（社）のいずれかに記載の方法。
ルメトキシカルボニルーバレリルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲および前項（１）〜（
至）および峙〜（社）のいずれかに記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒ
ａはフェニル、ヒドロキシフェニル、チエニル又はシク
ロヘキサジエニルであり、ｍは０又は１であり、Ｒｂは
水素であるか、又はｍが０である場合またアミノ、低級
アルコキシカルボニルによつて保護されたアミノ、又は
ヒドロキシであり、Ｒ＿２はヒドロキシ又は、基Ｏ＝Ｃ
−と一緒になつて保護されたカルボキシル基を形成する
アリール−低級アルコキシ又はハロゲン−低級アルコキ
シ基Ｒ＿２＾Ａであり、さらにＲ＿３は低級アルキル又
はフェニル−低級アルキルである）で表わされるＯ−置
換された７β−アミノ−３−セフェム−３−オール−４
−カルボン酸化合物、又はその１−オキシド−又は塩形
成基をもつこのような化合物の塩の製造方法であつて、
式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、ｍ、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ＿２＾Ａは先に定義した意味を有
する）で表わされる３−ヒドロキシ−３−セフェム化合
物もしくは相当するセファム−３−オン化合物又はそれ
らの１−オキシドを、低級アルキル又はフェニル−低級
アルキル基Ｒ＿３を導入する試剤で処理し、次いで得ら
れるＯ−置換された７β−アミノ３−セフェム−３−オ
ール−４カルボン酸又はそれらの１−オキシドを単離し
、更に所望により、得られた塩形成基をもつ化合物を塩
に変えまたは得られた塩を遊離の化合物に変え、そして
（または）所望により、得られた異性体混合物を各異性
体に分離することを特徴とする、前記方法。 ２ 式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒ
ａはフェニル、ヒドロキシフェニル、チエニル又はシク
ロヘキサジエニルであり、ｍは０又は１であり、Ｒｂは
水素であるか、又はｍが０である場合またアミノ、低級
アルコキシカルボニルによつて保護されたアミノ、又は
ヒドロキシであり、Ｒ＿２はヒドロキシであり、さらに
Ｒ＿３は低低アルキル又はフェニル−低級アルキルであ
る）で表わされるＯ−置換された７β−アミノ−３−セ
フェム−３−オール−４−カルボン酸化合物、又はその
１−オキシド、又は塩形成基をもつこのような化合物の
塩の製造方法であつて、式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、ｍ、
Ｒａ、およびＲｂは先に定義した意味を有し更に、Ｒ＿
２＾Ａは基▲数式、化学式、表等があります▼と一緒に
なつて保護されたカルボキシル基を形成するアリール低
級アルコキシ又はハロゲン−低級アルコキシ基である。 ）で表わされる３−ヒドロキシ−３−セフェム化合物も
しくは相当するセファム−３−オン化合物又はそれらの
１−オキシドを、低級アルキル又はフェニル−低級アル
キル基Ｒ＿３を導入する試剤で処理し、次いで得られる
Ｏ−置換された７β−アミノ−３−セファム−３−オー
ル−４−カルボン酸又はそれらの１−オキシドを単離し
、得られた化合物において式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ＿２＾Ａ
（Ｒ＿２＾Ａは先に定義した意味を有する）の保護され
たカルボキシル基を遊離のカルボキシル基に変え、更に
所望により、塩形成基をもつ得られた化合物を塩に変え
または得られた塩を遊離ひ化合物に変え、そして（また
は）所望により、得られた異性体混合物を各異性体に分
離することを特徴とする、前記方法。 ３ 式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒ
＿３はフェニル、ヒドロキシフェニル、チエニル又はシ
クロヘキサジエニルであり、ｍは０であり、Ｒｂはアミ
ノであり、Ｒ＿２はヒドロキシであり、さらにＲ＿３は
低級アルキル又はフェニル−低級アルキルである）で表
わされるＯ−置換された７β−アミノ−３−セフェム−
３−オール−４−カルボン酸化合物、又はその１−オキ
シド、又は塩形成基をもつこのような化合物の塩の製造
方法であつて、式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、Ｒ＿
３、およびｍは先に定義した意味を有し、Ｒ＿２＾Ａは
基▲数式、化学式、表等があります▼と一緒になつて保
護されたカルボキシル基を形成するアリール−低級アル
コキシ又はハロゲン−低級アルコキシ基であり、更にＲ
ｂは低級アルコキシカルボニルによつて保護されたアミ
ンを表わす）で表わされる３−ヒドロキシ−３−セフェ
ム低合物もしくは相当するセファム−３−オン化合物又
はそれらの１−オキシドを、低級アルキル又はフェニル
−低級アルキル基Ｒ＿３を導入する試剤で処理し、得ら
れるＯ−置換された７β−アミノ−３−セフェム−３−
オール−４−カルボン酸エステル又はそれらの１−オキ
シドにおける保護されたアミノ基Ｒｂを遊離アミノ基に
変え、保護されたカルボン酸基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ＿２＾
Ａ（Ｒ＿２＾Ａは先に定義した意味である）を遊離カル
ボン酸に変え、更に所望により、得られた化合物を塩に
変えまたは得られた塩を遊離の化合物に変え、そして（
または）所望により、得られた異性体混合物を各異性体
に分離することを特徴とする、前記方法。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH978872 | 1972-06-29 | ||
| CH978872A CH587268A5 (en) | 1972-06-29 | 1972-06-29 | Substd carboxylic acid derivs - broad spectrum antibiotics and inters |
| CH1219572 | 1972-08-17 | ||
| CH1219572 | 1972-08-17 | ||
| CH1872272A CH605987A5 (en) | 1972-12-22 | 1972-12-22 | Substd carboxylic acid derivs |
| CH1872272 | 1972-12-22 | ||
| CH265573 | 1973-02-23 | ||
| CH265573A CH605988A5 (en) | 1973-02-23 | 1973-02-23 | Substd 7-beta-amino ceph-3-em-3-ol 4-carboxylic acids |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS4949986A JPS4949986A (ja) | 1974-05-15 |
| JPS5934716B2 true JPS5934716B2 (ja) | 1984-08-24 |
Family
ID=27428472
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48074354A Expired JPS5933598B2 (ja) | 1972-06-29 | 1973-06-29 | θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 |
| JP48074355A Expired JPS5933599B2 (ja) | 1972-06-29 | 1973-06-29 | Ｏ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 |
| JP48074353A Expired JPS5934716B2 (ja) | 1972-06-29 | 1973-06-29 | θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48074354A Expired JPS5933598B2 (ja) | 1972-06-29 | 1973-06-29 | θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 |
| JP48074355A Expired JPS5933599B2 (ja) | 1972-06-29 | 1973-06-29 | Ｏ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 |
Country Status (26)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4405778A (ja) |
| JP (3) | JPS5933598B2 (ja) |
| AR (6) | AR206201A1 (ja) |
| AT (5) | AT356809B (ja) |
| BE (1) | BE801597A (ja) |
| BG (1) | BG24954A3 (ja) |
| CA (1) | CA1110230A (ja) |
| DD (3) | DD106187A5 (ja) |
| DE (1) | DE2331133C2 (ja) |
| DK (1) | DK153324B (ja) |
| FI (3) | FI59601C (ja) |
| FR (1) | FR2190418B1 (ja) |
| GB (1) | GB1435111A (ja) |
| HK (1) | HK73778A (ja) |
| HU (3) | HU167726B (ja) |
| IE (1) | IE37767B1 (ja) |
| IL (1) | IL42506A (ja) |
| LU (3) | LU67888A1 (ja) |
| MY (1) | MY7900008A (ja) |
| NL (3) | NL7309137A (ja) |
| NO (3) | NO145241C (ja) |
| PH (1) | PH18567A (ja) |
| PL (1) | PL91608B1 (ja) |
| RO (4) | RO64419A (ja) |
| SE (5) | SE417099B (ja) |
| YU (8) | YU39909B (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| YU36970B (en) * | 1973-02-23 | 1984-08-31 | Lilly Co Eli | Process for obtaining 7-(amino)-acylamido-3-halocephalosporins |
| US4301278A (en) * | 1974-02-26 | 1981-11-17 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the manufacture of enol derivatives |
| AU498131B2 (en) * | 1974-02-26 | 1979-02-15 | Ciba-Geigy Ag | Production of cephems by cyclization |
| US3928334A (en) * | 1974-06-06 | 1975-12-23 | Bristol Myers Co | Process for the production of cefamandole |
| US4045435A (en) * | 1974-10-09 | 1977-08-30 | Eli Lilly And Company | Preparation of cephalosporin ethers |
| AT342197B (de) * | 1975-02-20 | 1978-03-28 | Ciba Geigy Ag | Neues verfahren zur herstellung von 3-cephemverbindungen |
| US4147864A (en) * | 1975-02-20 | 1979-04-03 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the manufacture of 7β-amino-3-cephem-3-ol-4 carboxylic acid compounds |
| CH622802A5 (ja) * | 1975-08-20 | 1981-04-30 | Ciba Geigy Ag | |
| PH17188A (en) * | 1977-03-14 | 1984-06-14 | Fujisawa Pharmaceutical Co | New cephem and cepham compounds and their pharmaceutical compositions and method of use |
| US4604386A (en) * | 1984-07-09 | 1986-08-05 | Eli Lilly And Company | 3-(alkynylalkyloxy) cephalosporins |
| ATE60605T1 (de) | 1985-04-30 | 1991-02-15 | Lilly Co Eli | 7-substituierte bicyclische pyrazolidinone. |
| ATE111468T1 (de) * | 1987-02-27 | 1994-09-15 | Banyu Pharma Co Ltd | Cephalosporinderivate, verfahren zu ihrer herstellung und antibakterielle mittel. |
| JP2676763B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1997-11-17 | 萬有製薬株式会社 | セファロスポリン誘導体 |
| JPS63255800A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | 礒井 誠二郎 | 警報装置 |
| AU618029B2 (en) * | 1987-11-02 | 1991-12-12 | Imperial Chemical Industries Plc | Polypeptide compounds |
| GB8813356D0 (en) * | 1988-06-06 | 1988-07-13 | Ici Plc | Polypeptide compounds |
| DE59207226D1 (de) | 1991-07-03 | 1996-10-31 | Ciba Geigy Ag | Pharmakologisch wirksame Hydrazinderivate und Verfahren zu deren Herstellung |
| GB9115203D0 (en) * | 1991-07-15 | 1991-08-28 | Biochemie Gmbh | Improvements in or relating to beta lactam production |
| MXPA01009808A (es) * | 1999-04-01 | 2002-04-24 | Dsm Nv | Aglomerados por cristalizacion. |
| US6627556B1 (en) | 2002-04-24 | 2003-09-30 | Lsi Logic Corporation | Method of chemically altering a silicon surface and associated electrical devices |
| CN102268023B (zh) * | 2011-08-15 | 2013-04-17 | 南京丰融化学技术有限公司 | 头孢类衍生物cxd的晶型 |
| AU2021219053A1 (en) | 2020-02-10 | 2022-07-28 | Virox Technologies Inc. | Antimicrobial compositions containing peroxyphthalic acid and/or salt thereof |
| CN115160097B (zh) * | 2022-07-22 | 2024-05-28 | 温州大学 | 一种硫代乙酸还原n-o键合成酰胺的方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1308822A (en) * | 1970-04-14 | 1973-03-07 | Beecham Group Ltd | 4-isopropylidene-3-oxocephams |
| GB1348985A (en) * | 1970-06-16 | 1974-03-27 | Merck & Co Inc | Esters of cephalosporin compounds |
| IL37879A (en) * | 1970-10-27 | 1974-12-31 | Ciba Geigy Ag | 3-unsubstituted cephalosporin derivatives,process for their manufacture and compositions containing them |
| US3704297A (en) * | 1971-03-05 | 1972-11-28 | American Home Prod | 7 - (1,4 - cyclohexadienylacylamido)cephalosporanic acids and related compounds |
| US3741962A (en) * | 1971-05-21 | 1973-06-26 | Squibb & Sons Inc | Alpha-thioureidocephalosporanic acid compounds |
| US3846417A (en) * | 1972-06-23 | 1974-11-05 | Squibb & Sons Inc | 1,4-cyclohexadienyl imidazolidinyl cephalosporanic acids and derivatives thereof |
| US3917587A (en) * | 1972-11-28 | 1975-11-04 | Lilly Co Eli | Cephalosporin ethers |
| US3917588A (en) * | 1972-11-28 | 1975-11-04 | Lilly Co Eli | {60 -Aminoacyl cephalosporin ethers |
| US3907786A (en) * | 1973-09-04 | 1975-09-23 | Bristol Myers Co | 7-{8 {60 -(2-aminomethyl-1,4-cyclohexadienyl)acetamido{9 -3-heterocyclic-thiomethyl-3-cephem-4-carboxylic acids and salts |
-
1973
- 1973-01-01 AR AR248828A patent/AR206201A1/es active
- 1973-05-30 FI FI1750/73A patent/FI59601C/fi active
- 1973-05-30 FI FI1752/73A patent/FI60870C/fi active
- 1973-05-30 FI FI1751/73A patent/FI59602C/fi active
- 1973-06-07 IE IE914/73A patent/IE37767B1/xx unknown
- 1973-06-12 SE SE7308234A patent/SE417099B/xx unknown
- 1973-06-12 SE SE7308237A patent/SE7308237L/sv unknown
- 1973-06-12 SE SE7308233A patent/SE417429B/sv unknown
- 1973-06-12 SE SE7308235A patent/SE417430B/xx unknown
- 1973-06-14 RO RO7386374A patent/RO64419A/ro unknown
- 1973-06-14 RO RO7375138A patent/RO64226A/ro unknown
- 1973-06-14 RO RO7384759A patent/RO73345A/ro unknown
- 1973-06-14 RO RO7300860064A patent/RO63761A/ro unknown
- 1973-06-15 IL IL42506A patent/IL42506A/xx unknown
- 1973-06-19 DE DE2331133A patent/DE2331133C2/de not_active Expired
- 1973-06-26 FR FR7323235A patent/FR2190418B1/fr not_active Expired
- 1973-06-27 GB GB3053773A patent/GB1435111A/en not_active Expired
- 1973-06-27 LU LU67888A patent/LU67888A1/xx unknown
- 1973-06-27 LU LU67891A patent/LU67891A1/xx unknown
- 1973-06-27 LU LU67887A patent/LU67887A1/xx unknown
- 1973-06-27 BG BG024001A patent/BG24954A3/xx unknown
- 1973-06-28 AT AT569473A patent/AT356809B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-06-28 DK DK358873AA patent/DK153324B/da not_active Application Discontinuation
- 1973-06-28 NO NO2682/73A patent/NO145241C/no unknown
- 1973-06-28 DD DD171906A patent/DD106187A5/xx unknown
- 1973-06-28 NO NO2681/73A patent/NO145240C/no unknown
- 1973-06-28 BE BE132845A patent/BE801597A/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-06-28 AT AT569573A patent/AT356810B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-06-28 AT AT57675*A patent/ATA57675A/de unknown
- 1973-06-28 NO NO2683/73A patent/NO145242C/no unknown
- 1973-06-28 CA CA175,100A patent/CA1110230A/en not_active Expired
- 1973-06-28 HU HUCI1393A patent/HU167726B/hu unknown
- 1973-06-28 HU HUCI1392A patent/HU168017B/hu unknown
- 1973-06-28 PH PH14784A patent/PH18567A/en unknown
- 1973-06-28 HU HUCI1391A patent/HU169032B/hu unknown
- 1973-06-28 DD DD171903A patent/DD106184A5/xx unknown
- 1973-06-28 AT AT569673A patent/AT329745B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-06-28 AT AT57675*7A patent/AT329762B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-06-28 DD DD171905A patent/DD107470A5/xx unknown
- 1973-06-29 AR AR248827A patent/AR212317A1/es active
- 1973-06-29 YU YU1792/73A patent/YU39909B/xx unknown
- 1973-06-29 JP JP48074354A patent/JPS5933598B2/ja not_active Expired
- 1973-06-29 YU YU1793/73A patent/YU39910B/xx unknown
- 1973-06-29 NL NL7309137A patent/NL7309137A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-06-29 NL NL7309136A patent/NL7309136A/xx unknown
- 1973-06-29 JP JP48074355A patent/JPS5933599B2/ja not_active Expired
- 1973-06-29 JP JP48074353A patent/JPS5934716B2/ja not_active Expired
- 1973-06-29 YU YU1795/73A patent/YU39911B/xx unknown
- 1973-06-29 NL NL7309139A patent/NL7309139A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-06-29 PL PL1973163719A patent/PL91608B1/pl unknown
- 1973-06-29 AR AR248826A patent/AR212576A1/es active
-
1975
- 1975-09-30 AR AR264921A patent/AR212028A1/es active
-
1976
- 1976-02-13 US US05/657,904 patent/US4405778A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-02-13 US US05/657,908 patent/US4073902A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-09-30 AR AR264922A patent/AR211871A1/es active
- 1976-09-30 AR AR264920A patent/AR211870A1/es active
- 1976-10-29 SE SE7612053A patent/SE435289B/xx not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-12-14 HK HK737/78A patent/HK73778A/xx unknown
-
1979
- 1979-12-30 MY MY8/79A patent/MY7900008A/xx unknown
-
1980
- 1980-11-03 YU YU02807/80A patent/YU280780A/xx unknown
- 1980-11-06 YU YU02842/80A patent/YU284280A/xx unknown
-
1981
- 1981-09-16 YU YU02237/81A patent/YU223781A/xx unknown
- 1981-09-16 YU YU02238/81A patent/YU223881A/xx unknown
- 1981-09-16 YU YU02236/81A patent/YU223681A/xx unknown
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5934716B2 (ja) | θ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 | |
| US4110533A (en) | Process for the manufacture of enol derivatives | |
| US4147864A (en) | Process for the manufacture of 7β-amino-3-cephem-3-ol-4 carboxylic acid compounds | |
| US4668781A (en) | Ceph-3-one compounds and process for their manufacture | |
| DE2506330A1 (de) | Verfahren zur herstellung von enolderivaten | |
| US4735937A (en) | 8-oxo-5-thia-1-azabicyclo(4,2,0)oct-2-ene compounds | |
| US3989695A (en) | 7β-Amino-cepham-3-ol-4-carboxylic acid compounds | |
| US4013650A (en) | Process for the manufacture of 3-methylene-cepham compounds | |
| JPS6124398B2 (ja) | ||
| US4269977A (en) | Process for the manufacture of 8-oxo-5-thia-1-azabicyclo [4,2,0]oct-2-ene or 3-ene compounds | |
| JPS6019916B2 (ja) | ０−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 | |
| US4550162A (en) | Process for the manufacture of enol derivatives | |
| US4255328A (en) | Sulfide intermediates for the manufacture of enol derivatives | |
| US4434287A (en) | Cephalosporin derivatives | |
| US4301278A (en) | Process for the manufacture of enol derivatives | |
| US4430498A (en) | 8-Oxo-5-thia-1-azabicyclo(4,2,0)oct-2-ene compounds | |
| US4579684A (en) | Process for the manufacture of enol derivatives | |
| JPH0258266B2 (ja) | ||
| US4172832A (en) | Mercaptoalcohols and process for their manufacture | |
| US4458069A (en) | Cephalosporin compounds | |
| CS228101B2 (cs) | Způsob výroby derivátů Z^-aminocefam-a-on-á-karboxylové kyseliny | |
| JPS60214772A (ja) | ７β‐アミノ‐３（または‐２）‐セフエム‐３‐オール‐４‐カルボン酸化合物または２‐オキソアゼチジン化合物の製法 | |
| CH609987A5 (en) | Process for the preparation of N- and O-substituted 7 beta -aminocephem-3-ol-4-carboxylic acid compounds | |
| CH605737A5 (en) | 7-Amino-3-hydroxy-2(or 3)-cephem-4-carboxylic acid derivs prepn |