JPS5935488B2 - ガス入りブツシング - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ブッシングに係ク、特に中心導電体を碍管
で支持し、かつ碍管の外周に碍管下部の接地側の電位傾
度を小さくするための環状接地シル下を配置した、ガス
入わブッシングに関する。

ガス入ヤプツシングは従来、例えば第１図に示すように
構成されている。すなわち、ガスの封入されたほぼ円筒
状の碍管１に、その縦方向中心軸線に絶縁被覆２で周囲
を被覆されている中心導電体３が配置されている。中心
導電体３と碍管１の下部フランジ４との間の電位傾度を
小さくするために、碍管１と中心導電体３との間には同
心的に円筒状内部接地シールド５が配置されまた碍管１
の外部の気中には同心的にすなわち環状に円筒状外部気
中接地シールド６が支持体７によつて支持され配置され
ている。また高圧側には、高圧側シールド８が碍管１の
外部の気中に同心的に配置されている。そして、外部気
中接地シールド６は、第２図から明らかなように長い１
本の金属パイプを円状に曲げて構成されている。

このような構成のガス入ヤプツシングのフイールドマツ
ーｅシダ時の電位傾度は、図中点線で示すような等電位
線で示される。

この等電位線から明らかなように、通常ガス入ヤプッシ
ングは内部絶縁のほうが外部絶縁よりも高くなるように
設計されている。すなわちブッシングの絶縁性は外部絶
縁によつて決定されることになる。換言すれば、気中の
接地シールド表面の電位傾度ならびに接地側の碍管表面
の電位傾度で制限される。ところで、標準型の碍管を用
いて構成したガス入クプツシングにおける電位傾度を下
げて絶縁性を向上せしめるためには、外部気中円筒状シ
ールド６を構成する金属パイプの径と、この金属パイプ
を円状に曲げて形成されるシールド６の径との比を小さ
くすることが必要である。

しかしながら、大径の金属パイプを小径の円状に曲げる
ことは金属の延性を考慮すると非常に困難であ虱したが
つて従来パイプ径と環状外部気中接地シールドの径との
比を小さくすることは著しく製作費を高めてしまうとい
う欠点があつた。

この発明の目的は、上記欠点を解消し、安価なガス入勺
ブツシングを提供することである。以下図面を参照して
この発明の実施例について説明する。第３図には、この
発明の一実施例が示されている。

すなわち、ガスの封入されたほぼ円筒状の碍管１１内に
はその縦方向中心軸線に絶縁被覆１２で周囲を被覆され
ている中心導電体１３が配置されている。碍管１１と中
心導電体１３との間には同心的に円筒状内部接地シール
ド１４が配置されまた碍管１１の外部の気中には同心的
にすなわち環状に外部気中接地シールド２１が配置され
ている。外部気中接地シールド２１は支持体１６によつ
て碍管下部のフランジ１７に固定されている。ところで
、外部気中接地シールド２１は、第４図を参照すると明
らかなように、それぞれ中空円筒体からなる複数の電極
ユニツト２２を環状支持体２３で環状に支持したものと
して構成されている。電極ユニツト２２は、例えば第５
図を参照すると明らかなように、絞ジ加工で作られた円
筒２５を２個突合せて溶接し溶接部２６を滑らかに研削
仕上げされたものより構成されている。

あるいは、第６図ないし第１１図に示されているような
ほぼ同一構造の一対の半円形構造体２７，２８を、支持
体２３を介して通常構造体２７を上側にまた構造体２８
を下側に複数配置して構造体２８の孔３０にボルトを挿
入し支持体２３を貫通させて構造体２７のタツプ３２に
ボルトで締付けることによね構成することもできる。

電極ユニツトすなわち舟形構造体として金型鋳物を用い
れば加工工程に要する作業が極めて簡単なものとなｂ製
品コストの低下につながる。

なお、舟形構造体２８の側壁に設けられている小孔３３
は水抜き用に用いられる。上記のような実施例によれば
、環状外部気中接フ地シールドの径とこの接地シールド
を構成する各電極ユニツトの径との比を小さくすること
ができるので、ガス入ｂブツシングの絶縁性を高めるこ
とができる。

以上の説明から明らかなように、この発明によれば、環
状外部気中接地シールドを、中空体から成る複数の電極
ユニツトを環状支持体によ勺貫通支持した環状構成のも
のとしたことにより１接地シールドの径と電極ユニツト
の径との比を小さくすることができ、ガス入シブツシン
グの絶縁性を向上せしめるとともに、作業性が良くまた
複数の環状外部気中接地シールドが同一の電極ユニツト
で構成可能となるため生産コストの低減された安価なガ
ス入シブツシングが提供される。

すなわちこの発明によれば接地シールドは複数の電極ユ
ニツトに環状支持体を貫通させて構成したものである。

したがつて、環状支持体の径を小さくすることによジ接
地シールドの径と電極ユニツトの径との比を小さな値に
設定することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のガス入Ｄブツシングの縦方向断面図、
第２図は第１図のブツシングをＡ−Ａ線に沿つてみた図
、第３図はこの発明によるガス入ｂブツシングの縦方向
断面図、第４図は第３図に示すブツシングをＢ−Ｂ線に
沿つてみた図、第５図は第４図に示すガス入Ｄブツシン
グに用いられる電極ユニツトの外観図、第６図は電極ユ
ニツトの他の例を示す図であつて、電極ユニツトを構成
する一対の半円舟形構造体の一方の平面図、第７図は第
６図に示す構造体をＸ−Ｘ線に沿つてみた図、第８図は
第６図に示す構造体をＸ−Ｘ線に沿つてみた図、第９図
は一対の半円舟形構造体の他方の平面図、第１０図は第
９図に示す構造体をＹ−Ｙ線に沿つてみた図、第１１図
は第９図に示す構造体をｙ−Ｙ線に沿つてみた図である
。 １１・・・碍管、１３・・・中心導電体、１４・・・内
部接地シールド、２１・・・外部気中接地シールド、２
２・・・電極ユニツト、２７，２８・・・舟形構造電極
ユニツト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ガスの封入されている中空の碍管と、前記碍管内に
   中心軸上に配置されている中心導電体と、前記碍管と前
   記中心導電体との間に同心的に配置されている内部接地
   シールドと、前記碍管の外部に前記中心軸に同心的に配
   置されている外部気中接地シールドと、を具備するガス
   入力ブッシングにおいて、前記外部気中接地シールドが
   それぞれ中空体から成る複数個の電極ユニットを環状支
   持体により貫通支持した環状構成から成ることを特徴と
   する、ガス入りブツシング。 ２ 前記電極ユニットが両端に支持体貫通孔を有するパ
   イプから成り、前記外部気中接地シールドが複数個の前
   記パイプを該パイプの前記貫通孔内に前記環状支持体を
   貫通させることにより環状構成されたものである、特許
   請求の範囲第１項に記載のガス入りブッシング。 ３ 前記電極ユニットは分割された一対の中空半円柱舟
   形部材から成り、前記外部気中接地シールドが前記一対
   の中空半円柱部材を前記支持体をはさんで締付け構成し
   たものである、特許請求の範囲第１項に記載のガス入り
   ブツシング。