JPS5937486B2 - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
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- JPS5937486B2 JPS5937486B2 JP1136279A JP1136279A JPS5937486B2 JP S5937486 B2 JPS5937486 B2 JP S5937486B2 JP 1136279 A JP1136279 A JP 1136279A JP 1136279 A JP1136279 A JP 1136279A JP S5937486 B2 JPS5937486 B2 JP S5937486B2
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- waveguides
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光集積回路において導波された光波の強度およ
び導波される光路の選択を、電気的に制御する光スイッ
チに関するものである。
び導波される光路の選択を、電気的に制御する光スイッ
チに関するものである。
従来この種の代表的な素子としては、バランスブリッジ
形の光スイッチがある。
形の光スイッチがある。
この基本構造を第１図に示す。電気光学効果を有する基
板１の表面に、２本の同一の線路状光導波路２、３が作
成されている。光導波路２、３が平行近接する領域が２
か所あり、この部分は３ｄＢ結合部４、５となつている
。またその中間には光変調部６が存在し、電気光学効果
により光導波路２、３の間に位相差φを与えるための電
極Ｔ、８、９が設けられている。なお基板１としては電
気光学結晶であるＬｉＮｂ０３単結晶を用い、その分極
軸１０（矢印で示した）が基板内にあり、各電極の間隙
に集中する印加電界の方向と平行になる場合を示してい
る。このような構造の素子に、光導波路２の入射端１１
から単位強度の光を入射すると、３ｄＢ結合部４におい
て５０％の光エネルギーは光導波路３へ移行する。光変
調部６において電圧が印加されていない状態、すなわち
両導波路間の位相差φ■０の場合においては、つぎの３
ｄＢ結合部５において、さらに光結合が生じ、１００％
の光エネルギーが導波路３へ移行する。すなわち出射端
１２の光強度はｏ、出射端１３の光強度は１となる。一
方、光変調部６において、位相差φ＝πとなるように電
圧が印加された状態では、３ｄＢ結合部４で導波路３へ
移つた５０％の光波は３ｄＢ結合部５において導波路２
に戻り、出射端１２の光強度は１、出射端１３の光強度
は０となる。
板１の表面に、２本の同一の線路状光導波路２、３が作
成されている。光導波路２、３が平行近接する領域が２
か所あり、この部分は３ｄＢ結合部４、５となつている
。またその中間には光変調部６が存在し、電気光学効果
により光導波路２、３の間に位相差φを与えるための電
極Ｔ、８、９が設けられている。なお基板１としては電
気光学結晶であるＬｉＮｂ０３単結晶を用い、その分極
軸１０（矢印で示した）が基板内にあり、各電極の間隙
に集中する印加電界の方向と平行になる場合を示してい
る。このような構造の素子に、光導波路２の入射端１１
から単位強度の光を入射すると、３ｄＢ結合部４におい
て５０％の光エネルギーは光導波路３へ移行する。光変
調部６において電圧が印加されていない状態、すなわち
両導波路間の位相差φ■０の場合においては、つぎの３
ｄＢ結合部５において、さらに光結合が生じ、１００％
の光エネルギーが導波路３へ移行する。すなわち出射端
１２の光強度はｏ、出射端１３の光強度は１となる。一
方、光変調部６において、位相差φ＝πとなるように電
圧が印加された状態では、３ｄＢ結合部４で導波路３へ
移つた５０％の光波は３ｄＢ結合部５において導波路２
に戻り、出射端１２の光強度は１、出射端１３の光強度
は０となる。
したがつて電気光学効果を利用することにより、光スイ
ッチングが可能となる。光変調部６においては、１導波
路間で光結合が生じず、２電気的に制御可能な位相差の
みが与えられるという二つの条件が不可欠である。
ッチングが可能となる。光変調部６においては、１導波
路間で光結合が生じず、２電気的に制御可能な位相差の
みが与えられるという二つの条件が不可欠である。
このために第１図に示す構造においては、両導波路間の
間隔を大きくする必要がある。この目的のためには、二
つの３ｄＢ結合部４，５と光変調部６とを接続するのに
曲がり、または折れ線状の導波路を用いることとなる。
しかしながら、例えばＬｌＮｂＯ３単結晶を基板として
、不純物拡散等により作成された光導波路では、屈折率
差が小さいので、曲がりによる光損失が大きかつた。
間隔を大きくする必要がある。この目的のためには、二
つの３ｄＢ結合部４，５と光変調部６とを接続するのに
曲がり、または折れ線状の導波路を用いることとなる。
しかしながら、例えばＬｌＮｂＯ３単結晶を基板として
、不純物拡散等により作成された光導波路では、屈折率
差が小さいので、曲がりによる光損失が大きかつた。
またこの曲がり部または折れ線部は、３ｄＢ結合部と光
変調部とを接続する作用のみで、光スイツチングの作用
には寄与しないうえ、光伝搬損失の原因、あるいは素子
の全長が大きくなる原因となつた。さらに３ｄＢ結合部
を作成する際、設計通り３ｄＢ結合とすることは極めて
困難であつた。従来、この曲線部をなくするものとして
、２本の直線導波路を用いて、２か所の３ｄＢ結合部お
よび光変調部を設ける構造がある。
変調部とを接続する作用のみで、光スイツチングの作用
には寄与しないうえ、光伝搬損失の原因、あるいは素子
の全長が大きくなる原因となつた。さらに３ｄＢ結合部
を作成する際、設計通り３ｄＢ結合とすることは極めて
困難であつた。従来、この曲線部をなくするものとして
、２本の直線導波路を用いて、２か所の３ｄＢ結合部お
よび光変調部を設ける構造がある。
この基本構成図を第２図に示す。第３図は第２図のＡ−
Ｎにおける断面図である。第２図および第３図において
、１は電気光学結晶からなる基板、２および３は基板１
の表面に作成された２本の同一の直線光導波路である。
Ｎにおける断面図である。第２図および第３図において
、１は電気光学結晶からなる基板、２および３は基板１
の表面に作成された２本の同一の直線光導波路である。
４および５はともに３ｄＢ結合部であり、６は光変調部
である。
である。
前述したように、光変調部においては１２本の導波路間
で光結合が生じず、２電気的に制御可能な位相差が与え
られるという二つの条件が不可欠である。後者は基板の
電気光学効果を利用すればよい。第２図および第３図に
おいては、電極は省略している。前者の条件を満足する
ため、光変調部６における導波路２，３の間隙部１４を
削り取り屈折率差を大きくし、結合度を弱める方法があ
る。基板１を削る方法としては、イオン・ミリングやス
パツタ・エツチなどの技術があるが、通常導波路間で結
合を行わせるのに要する間隙の大きさは数μｍであるか
ら、この微小な間隙部を精度よく削り取るというのは極
めて困難なことである。本発明は前述した問題点を解決
するため、直線部のみからなる１組の光導波路に、２か
所の３ｄＢ結合部および光変調部を一体として構成する
とともに、光変調部の作成をより簡単にしたものである
。
で光結合が生じず、２電気的に制御可能な位相差が与え
られるという二つの条件が不可欠である。後者は基板の
電気光学効果を利用すればよい。第２図および第３図に
おいては、電極は省略している。前者の条件を満足する
ため、光変調部６における導波路２，３の間隙部１４を
削り取り屈折率差を大きくし、結合度を弱める方法があ
る。基板１を削る方法としては、イオン・ミリングやス
パツタ・エツチなどの技術があるが、通常導波路間で結
合を行わせるのに要する間隙の大きさは数μｍであるか
ら、この微小な間隙部を精度よく削り取るというのは極
めて困難なことである。本発明は前述した問題点を解決
するため、直線部のみからなる１組の光導波路に、２か
所の３ｄＢ結合部および光変調部を一体として構成する
とともに、光変調部の作成をより簡単にしたものである
。
以下図面により本発明を詳細に説明する。本発明の一実
施例の基本構成を第４図に示す。第５図は第４図のＢ−
Ｗにおける断面図である。第４図および５図において、
１は電気光学効果を有する物質からなる基板、２および
３は基板１の表面近傍に作成された２本の同一の直線光
導波路である。例えば基板としてＬｌＮｂＯ３単結晶を
用いた場合には、Ｔｉ金属を５００λ程度の厚みに蒸着
してパターン化し、大気中で１０００℃、１０時間熱拡
散すれば、Ｔｌ金属の幅が８μｍのとき、波長１．１５
μｍのレーザ光に対して単一モードのみを伝搬可能とす
る光導波路が作成できる。この光導波路間の間隙を数μ
ｍに設定することにより、両光導波路間に光結合が生じ
、一方の導波路を伝搬してきた光波は、次第に他方の導
波路へ移行していく。間隙を５μｍに設定した場合、１
００％の光波を移行するのに必要な結合長Ｔ。は５〜１
０顛となる。この場合の結合係数はＫ＝π／２ｔ０で定
義される。第４図において、４および５は２本の導波路
が平行近接した結合領域（本発明による素子の構造にお
いては素子の全長Ｔ，）を３分割した第１領域および第
３領域くあり、この領域の長さＴ２，ｔ３はともに１０
０％結合長の半分、すなわちＴＯ／２に設定する。
施例の基本構成を第４図に示す。第５図は第４図のＢ−
Ｗにおける断面図である。第４図および５図において、
１は電気光学効果を有する物質からなる基板、２および
３は基板１の表面近傍に作成された２本の同一の直線光
導波路である。例えば基板としてＬｌＮｂＯ３単結晶を
用いた場合には、Ｔｉ金属を５００λ程度の厚みに蒸着
してパターン化し、大気中で１０００℃、１０時間熱拡
散すれば、Ｔｌ金属の幅が８μｍのとき、波長１．１５
μｍのレーザ光に対して単一モードのみを伝搬可能とす
る光導波路が作成できる。この光導波路間の間隙を数μ
ｍに設定することにより、両光導波路間に光結合が生じ
、一方の導波路を伝搬してきた光波は、次第に他方の導
波路へ移行していく。間隙を５μｍに設定した場合、１
００％の光波を移行するのに必要な結合長Ｔ。は５〜１
０顛となる。この場合の結合係数はＫ＝π／２ｔ０で定
義される。第４図において、４および５は２本の導波路
が平行近接した結合領域（本発明による素子の構造にお
いては素子の全長Ｔ，）を３分割した第１領域および第
３領域くあり、この領域の長さＴ２，ｔ３はともに１０
０％結合長の半分、すなわちＴＯ／２に設定する。
この場合、作成された素子の１００％結合長Ｔ。の値を
明らかにしておく必要がある。その一つの方法は、一方
の導波路上に、導波路の屈折率より高い屈折率を有する
薄膜または金属膜をストリツプ状に装荷する。
明らかにしておく必要がある。その一つの方法は、一方
の導波路上に、導波路の屈折率より高い屈折率を有する
薄膜または金属膜をストリツプ状に装荷する。
その膜を端から順次除去して、そのつど光結合度を測定
することによりＴ。を求める。この方法は薄膜を装荷す
ることにより、２本の導波路の伝搬定数にずれが生じ、
結合がなくなることを利用している。したがつて薄膜が
除去された領域のみを有効な結合長とすることができる
訳である。この結果、第１領域４および第３領域５の長
さをともにＴ。／２にすることは容易にでき、３ｄＢ結
合部を作成することができる。６は残りの第２領域であ
り、光変調部として作用する。
することによりＴ。を求める。この方法は薄膜を装荷す
ることにより、２本の導波路の伝搬定数にずれが生じ、
結合がなくなることを利用している。したがつて薄膜が
除去された領域のみを有効な結合長とすることができる
訳である。この結果、第１領域４および第３領域５の長
さをともにＴ。／２にすることは容易にでき、３ｄＢ結
合部を作成することができる。６は残りの第２領域であ
り、光変調部として作用する。
これについては後で詳述する。なお７，８は電極、１１
は入射端、１２，１３は出射端、１５は削除領域、１６
は基板表面全体に作成されたバツフア層を示す。装荷す
る薄膜としては、導波路の屈折率より小さい屈折率を有
する薄膜、例えばＳｌＯ２やＡｔ２Ｏ３膜が利用される
。
は入射端、１２，１３は出射端、１５は削除領域、１６
は基板表面全体に作成されたバツフア層を示す。装荷す
る薄膜としては、導波路の屈折率より小さい屈折率を有
する薄膜、例えばＳｌＯ２やＡｔ２Ｏ３膜が利用される
。
バツフア層１６は金属電極７，８による光吸収を防ぐこ
とが目的であるから、少なくとも光変調部６のみに装荷
されていればよい。電極７，８は２本の導波路の真上に
作成された１組のプレーナ電極であり、その間隔は光導
波路の間隔とほぼ等しく、その長さは光変調部６の長さ
Ｔ４と一致する。なおこの場合矢印で示した電気光学結
晶の分極軸１０は基板表面に垂直である。電極７，８に
電圧が印加すると、深さ方向の電界が電極下に集中して
生じ、かつ電極７，８の真下における電界の符号が異な
る。この電界が集中する領域に導波路２，３が存在する
ので、導波路間に位相差φ９が生じる。基板をＬｉＮｂ
Ｏ３とすればＴＭモードの光に対しては位相差φ９はで
与えられる。
とが目的であるから、少なくとも光変調部６のみに装荷
されていればよい。電極７，８は２本の導波路の真上に
作成された１組のプレーナ電極であり、その間隔は光導
波路の間隔とほぼ等しく、その長さは光変調部６の長さ
Ｔ４と一致する。なおこの場合矢印で示した電気光学結
晶の分極軸１０は基板表面に垂直である。電極７，８に
電圧が印加すると、深さ方向の電界が電極下に集中して
生じ、かつ電極７，８の真下における電界の符号が異な
る。この電界が集中する領域に導波路２，３が存在する
ので、導波路間に位相差φ９が生じる。基板をＬｉＮｂ
Ｏ３とすればＴＭモードの光に対しては位相差φ９はで
与えられる。
ここでλは真空中におけるレーザ光波長、Ｎｅは導波路
の屈折率、Ｒ３３は電気光学係数、ｒは補正係数、Ｖは
印加電圧、９は電極間隔である。一方、光変調部６にお
いては、導波路３の外側に接する領域１５を削り取つて
あるので、導波路３の伝搬係数は導波路２に比べて大き
く変化している。
の屈折率、Ｒ３３は電気光学係数、ｒは補正係数、Ｖは
印加電圧、９は電極間隔である。一方、光変調部６にお
いては、導波路３の外側に接する領域１５を削り取つて
あるので、導波路３の伝搬係数は導波路２に比べて大き
く変化している。
その伝搬定数の差をΔβ、光変調部６を通過後の導波路
２，３の伝搬光の位相差をφ３一ＡΔβとする。Ａは定
数である。伝搬定数差Δβは２本の導波路間の本来の結
合係数Ｋに比べて十分大きくすることができる。この結
果、本来ならば両導波路間に光結合を生じるはずの光変
調部６において位相不整合となり、光波の移行は生じな
くなる。例えば１００％結合長Ｔ。を１０１ｇｔとすれ
ば、結合係数Ｋ＝π／２ｔ０よりＫ＝１．５Ｘ１０４μ
ｍ−１となる。また、ＬｉＮｂＯ３拡散導波路の一側面
に接する領域を削り取ることにより生じる伝搬定数の差
Δβは、第６図に示すように導波路を断面が８μｍ四角
の正方形とし、波長を１μｍと仮定し、前述のように削
り取つてあるから、導波路の一側面に接する領域の屈折
率を、基板の屈折率Ｎ２＝２．２から空気の屈折率ｎ１
＝１．０とすることにより、Δβ幸１．２Ｘ１０−３μ
ｍ−１となり、結合係数Ｋより１桁大きい。
２，３の伝搬光の位相差をφ３一ＡΔβとする。Ａは定
数である。伝搬定数差Δβは２本の導波路間の本来の結
合係数Ｋに比べて十分大きくすることができる。この結
果、本来ならば両導波路間に光結合を生じるはずの光変
調部６において位相不整合となり、光波の移行は生じな
くなる。例えば１００％結合長Ｔ。を１０１ｇｔとすれ
ば、結合係数Ｋ＝π／２ｔ０よりＫ＝１．５Ｘ１０４μ
ｍ−１となる。また、ＬｉＮｂＯ３拡散導波路の一側面
に接する領域を削り取ることにより生じる伝搬定数の差
Δβは、第６図に示すように導波路を断面が８μｍ四角
の正方形とし、波長を１μｍと仮定し、前述のように削
り取つてあるから、導波路の一側面に接する領域の屈折
率を、基板の屈折率Ｎ２＝２．２から空気の屈折率ｎ１
＝１．０とすることにより、Δβ幸１．２Ｘ１０−３μ
ｍ−１となり、結合係数Ｋより１桁大きい。
従つてこの領域における導波路間の光結合は無視できる
程度に小さい。削除領域１５を削り取るには、スパツタ
・エツチングまたはイオン・ミリングの手法を用いれば
、容易に行うことができる。また第５図に示すように、
導波路の深さと同一の深さまで削り取る必要はなく、伝
搬定数の差Δβが十分に大きくなればよい。以上の結果
、電気光学効果および導波路の一側面に接する領域を削
り取ることに伴う合計の位相差φはとなる。
程度に小さい。削除領域１５を削り取るには、スパツタ
・エツチングまたはイオン・ミリングの手法を用いれば
、容易に行うことができる。また第５図に示すように、
導波路の深さと同一の深さまで削り取る必要はなく、伝
搬定数の差Δβが十分に大きくなればよい。以上の結果
、電気光学効果および導波路の一側面に接する領域を削
り取ることに伴う合計の位相差φはとなる。
一方、導波路２へ単位強度の光を入射した場合の導波路
２，３の出射端面１２，１３における光強度Ｐ，Ｑは結
合理論より、で与えられる。
２，３の出射端面１２，１３における光強度Ｐ，Ｑは結
合理論より、で与えられる。
Ｐ，Ｑの変化の様子を第７図に示す。したがつてφ３が
領域１５の削り取りにより一定の値となつた後、φ９が
１φＶＫπの範囲変化するのみで、Ｐ，ＱをＯから１ま
で変えることができ、光スイツチングが可能となる。
領域１５の削り取りにより一定の値となつた後、φ９が
１φＶＫπの範囲変化するのみで、Ｐ，ＱをＯから１ま
で変えることができ、光スイツチングが可能となる。
例えばφ３＝πとしたとき、必要とされる印加電圧Ｖ。
は、》Ｎｌｅ−００−嘴 で与えられる。
は、》Ｎｌｅ−００−嘴 で与えられる。
したがつて９＝５μＭ．ｔ４＝１０顛、λ＝１．１５μ
Ｍ．ｎｅ＝２．２、Ｒ３３＝３０．８Ｘ１０−６μｍ／
Ｖ．ｒ＝０．５としたときには、ＶＯ＝＝１．８Ｖで光
スイツチング動作が可能となる。この実施例においては
、分極軸１０が基板に垂直である場合を示したが、分極
軸１０が基板内にある場合も前述と同様である。この場
合の光変調部の断面図を第８図に示す。動作は第４図の
実施例と同一なので省く。第４図と異なる点は基板に平
行な電界を利用するので、電極７，８が一方の導波路２
をはさむように設けられている。第９図は本発明による
別の実施例の光変調部の断面を示し、電極および分極軸
は省いてある。
Ｍ．ｎｅ＝２．２、Ｒ３３＝３０．８Ｘ１０−６μｍ／
Ｖ．ｒ＝０．５としたときには、ＶＯ＝＝１．８Ｖで光
スイツチング動作が可能となる。この実施例においては
、分極軸１０が基板に垂直である場合を示したが、分極
軸１０が基板内にある場合も前述と同様である。この場
合の光変調部の断面図を第８図に示す。動作は第４図の
実施例と同一なので省く。第４図と異なる点は基板に平
行な電界を利用するので、電極７，８が一方の導波路２
をはさむように設けられている。第９図は本発明による
別の実施例の光変調部の断面を示し、電極および分極軸
は省いてある。
光変調部における一つの条件である「２本の導波路２，
３の間における光結合をなくす」のに必要とされる位相
不整合を実現するため、一方の導波路３の表面が削り取
られている。領域１５を削り取つて導波路の断面形状、
寸法を変えることにより、十分な伝搬定数の変化を誘起
することができる。例えば導波路の断面寸法を８μｍ四
角、基板と光導波路の屈折率差を０．００６、波長を１
μｍと仮定し、導波路表面を２μｍの深さだけ削り取る
ことにより、導波路寸法を６μｍ×８μｍとすれば、得
られる伝搬定数の変化Δβは約２．８８×１０−３μｍ
−１となる。１００％結合長Ｔ。
３の間における光結合をなくす」のに必要とされる位相
不整合を実現するため、一方の導波路３の表面が削り取
られている。領域１５を削り取つて導波路の断面形状、
寸法を変えることにより、十分な伝搬定数の変化を誘起
することができる。例えば導波路の断面寸法を８μｍ四
角、基板と光導波路の屈折率差を０．００６、波長を１
μｍと仮定し、導波路表面を２μｍの深さだけ削り取る
ことにより、導波路寸法を６μｍ×８μｍとすれば、得
られる伝搬定数の変化Δβは約２．８８×１０−３μｍ
−１となる。１００％結合長Ｔ。
を１０顛とすれば、結合係数Ｋ＝１．５×１０−４μｍ
−１となるので、結合係数Ｋより１桁大きい伝搬定数の
変化が生じていることになり、導波路間の光結合を無視
できる。第１０図および第１１図は、第９図に示す光変
調部に電極７，８を形成した実施例の断面図で、第１０
図は基板物質１の分極軸１０が基板１の表面に垂直な場
合、第１１図は分極軸１０が基板１の表面に平行な場合
を示す。
−１となるので、結合係数Ｋより１桁大きい伝搬定数の
変化が生じていることになり、導波路間の光結合を無視
できる。第１０図および第１１図は、第９図に示す光変
調部に電極７，８を形成した実施例の断面図で、第１０
図は基板物質１の分極軸１０が基板１の表面に垂直な場
合、第１１図は分極軸１０が基板１の表面に平行な場合
を示す。
１６はバツフア層である。
第１領域および第３領域の３ｄＢ結合部は前述した通り
であり、また光スイツチングの動作についても同様なの
で説明を省略する。
であり、また光スイツチングの動作についても同様なの
で説明を省略する。
なおここでは基板としては、ＬｉＮｂＯ３単結晶の場合
を例として説明したが、電気化学効果を有する物質であ
れば他のものでもよく、ＧａＡｓ等の半導体結晶も使用
することができる。
を例として説明したが、電気化学効果を有する物質であ
れば他のものでもよく、ＧａＡｓ等の半導体結晶も使用
することができる。
以上説明したように、本発明の光スイツチは直線部のみ
からなる１組の光導波路に、２か所の３曲結合部および
光変調部を一体として構成するとともに、光変調部にお
ける光結合をなくすため、２本の導波路の寸法、形状を
変化させることを利用したものであり、これにより光変
調部の作成が極めて容易（こなる利点がある。
からなる１組の光導波路に、２か所の３曲結合部および
光変調部を一体として構成するとともに、光変調部にお
ける光結合をなくすため、２本の導波路の寸法、形状を
変化させることを利用したものであり、これにより光変
調部の作成が極めて容易（こなる利点がある。
第１図は従来のバランス・ブリツジ形光スイツチの基本
構成図、第２図は従来の他の光スイツチの基本構成図、
第３図は第２図のＡ−Ｎにおける断面図、第４図は本発
明の一実施例の基本構成図、第５図は第４図のＢ−Ｗに
おける断面図、第６図は伝搬定数の計算に使用した光導
波路の断面図、第７図は導波路の出射端における光強度
の変化を示す図、第８図は本発明による他の実施例の光
変調部の断面図、第９図は本発明による別の実施例の光
変調部の断面略図、第１０図は第９図に示す光変調部に
電極を形成した光変調部（基板物質の分極軸が基板の表
面に垂直な場合）の断面図、第１１図は第９図に示す光
変調部に電極を形成した光変調部（基？物質の分極軸が
基板の表面に平行な場合）の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光導波路、３・・
・・・・光導波路、４・・・・・・３ｄＢ結合部、５・
・・・・・３ｄＢ結合部、６・・・・・・光変調部、７
・・・・・・電極、８・・・・・・電極、９・・・・・
・電極、１０・・・・・・分極軸、１１・・・・・・入
射端、１２・・・・・・出射端、１３・・・・・・出射
端、１４・・・・・・間隙部、１５・・・・・・削除領
域、１６・・・・・・バッフア層。
構成図、第２図は従来の他の光スイツチの基本構成図、
第３図は第２図のＡ−Ｎにおける断面図、第４図は本発
明の一実施例の基本構成図、第５図は第４図のＢ−Ｗに
おける断面図、第６図は伝搬定数の計算に使用した光導
波路の断面図、第７図は導波路の出射端における光強度
の変化を示す図、第８図は本発明による他の実施例の光
変調部の断面図、第９図は本発明による別の実施例の光
変調部の断面略図、第１０図は第９図に示す光変調部に
電極を形成した光変調部（基板物質の分極軸が基板の表
面に垂直な場合）の断面図、第１１図は第９図に示す光
変調部に電極を形成した光変調部（基？物質の分極軸が
基板の表面に平行な場合）の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光導波路、３・・
・・・・光導波路、４・・・・・・３ｄＢ結合部、５・
・・・・・３ｄＢ結合部、６・・・・・・光変調部、７
・・・・・・電極、８・・・・・・電極、９・・・・・
・電極、１０・・・・・・分極軸、１１・・・・・・入
射端、１２・・・・・・出射端、１３・・・・・・出射
端、１４・・・・・・間隙部、１５・・・・・・削除領
域、１６・・・・・・バッフア層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気光学効果を有する物質から成る基板の表面近傍
に作成された２本の平行近接した同一の直線光導波路の
結合領域を３分割し、その第１領域および第３領域にお
ける光導波路間の光結合度が５０％となるようにし、か
つ第２領域における光導波路のいずれか一方の光導波路
の外側に接する領域を削り取ることにより、第２領域に
おける光導波路間に位相不整合を与え、第２領域におけ
る光導波路間の光結合を零とするとともに、第２領域に
おける光導波路間の位相差を電気的に変化させるため、
第２領域に１組の電極を設けたことを特徴とする光スイ
ッチ。 ２ 電気光学効果を有する物質から成る基板の表面近傍
に作成された２本の平行近接した同一の直線光導波路の
結合領域を３分割し、その第１領域および第３領域にお
ける光導波路間の光結合度が５０％となるようにし、か
つ第２領域における光導波路のいずれか一方の光導波路
の表面部分を削り取り、この光導波路の断面形状および
寸法を変えることにより、第２領域における光導波路間
に位相不整合を与え、第２領域における光導波路間の光
結合を零とするとともに、第２領域における光導波路間
の位相差を電気的に変化させるため、第２領域に１組の
電極を設けたことを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136279A JPS5937486B2 (ja) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136279A JPS5937486B2 (ja) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | 光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103521A JPS55103521A (en) | 1980-08-07 |
| JPS5937486B2 true JPS5937486B2 (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=11775907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136279A Expired JPS5937486B2 (ja) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937486B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015187636A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
-
1979
- 1979-02-05 JP JP1136279A patent/JPS5937486B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55103521A (en) | 1980-08-07 |
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