JPS5937897B2 - selection gate circuit - Google Patents
selection gate circuitInfo
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- JPS5937897B2 JPS5937897B2 JP4805477A JP4805477A JPS5937897B2 JP S5937897 B2 JPS5937897 B2 JP S5937897B2 JP 4805477 A JP4805477 A JP 4805477A JP 4805477 A JP4805477 A JP 4805477A JP S5937897 B2 JPS5937897 B2 JP S5937897B2
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
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- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、Pチャンネル形路縁ゲート形電界効果トラ
ンジスタ(以下P形MO8Tと称する)とNチャンネル
形路縁ゲート形電界効果トランジスタ(以下N形MO8
Tと称する)との並列接続体からなる相補形絶縁ゲート
形電界効果トランジスタ(以下C−MO8Tと称する)
を−構成単位とする伝送ゲートを複数の入力端子と単一
の出力端子間に各入力端子数に対応した数だけ挿入し、
これらの伝送ゲートのうちの任意の1つの伝送ゲートを
選択的に導通させることにより、上記入力端子のそれぞ
れに入る複数の情報信号の中から1つの信号を選択的に
出力するようにした選択ゲート回路に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a P-channel edge-gate field effect transistor (hereinafter referred to as P-type MO8T) and an N-channel edge-gate field effect transistor (hereinafter referred to as N-type MO8T).
Complementary insulated gate field effect transistor (hereinafter referred to as C-MO8T) consisting of a parallel connection body with
- Insert transmission gates with a configuration unit between multiple input terminals and a single output terminal in a number corresponding to the number of each input terminal,
A selection gate that selectively outputs one signal from among a plurality of information signals input to each of the input terminals by selectively making any one of these transmission gates conductive. It is related to circuits.
一般に、C−MO8Tからなる伝送ゲートは、C−MO
8Tを構成する各MO8Tを同時に導通させるかまたは
非導通させるかにより、所定の情報信号をある点から他
の点へ伝送路tこ沿って選択的にゲートするために使用
されている。Generally, a transmission gate made of C-MO8T is
It is used to selectively gate a predetermined information signal from one point to another along the transmission path t by simultaneously making each MO8T making up the 8T conductive or nonconductive.
また、選択ゲート回路は、複数の情報信号の中から選択
的に1つの信号を出力端子に出力するために、複数の伝
送ゲートを用いて、上記選択された情報信号が入力端子
に印加されている伝送ゲートを選択的に導通せしめる回
路である。In addition, in order to selectively output one signal from among the plurality of information signals to the output terminal, the selection gate circuit uses a plurality of transmission gates to apply the selected information signal to the input terminal. This is a circuit that selectively turns on transmission gates.
第1図は、一般的なC−MO8Tにより構成された伝送
ゲートを説明するための回路図を示す。FIG. 1 shows a circuit diagram for explaining a transmission gate constructed of a general C-MO8T.
この伝送ゲート1はP形MO8TP1とN形MO8TN
1とにより構成され、このMO8Tは情報信号D1が印
加される入力端子■1と出力端子Outとの間に並列接
続されている。This transmission gate 1 is P type MO8TP1 and N type MO8TN.
1, and this MO8T is connected in parallel between the input terminal 1 to which the information signal D1 is applied and the output terminal Out.
また、図中、GplはP形MO8TP1のゲート端子、
GnlはN形MO8T N1のゲート端子であり、ゲー
ト端子Gp1にはケートへの制御信号S1が印加され、
ゲート端子Gn1には制御信号S1にインバータInv
lを介した反転信号S1が印加される。In addition, in the figure, Gpl is the gate terminal of P-type MO8TP1,
Gnl is the gate terminal of N-type MO8T N1, and the control signal S1 to the gate is applied to the gate terminal Gp1.
The control signal S1 is connected to the inverter Inv at the gate terminal Gn1.
An inverted signal S1 via l is applied.
第2図は、第1図に示す様な伝送ゲートを用いた従来の
選択ゲート回路を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional selection gate circuit using a transmission gate as shown in FIG.
この従来の選択ゲート回路は、3本の情報信号の中から
選択的に1つの信号を出力端子に出力できる回路を示し
た。This conventional selection gate circuit is a circuit that can selectively output one signal from among three information signals to an output terminal.
図中、第1図と同一または相当部分には同一符号を付し
た。In the figure, the same or corresponding parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.
また、伝送ゲート2はP形MO8TP2とN形MO8T
N2とにより構成され、このMOS Tは情報信号D2
が印加される入力端子■2と出力端子Outとの間に並
列接続されている。In addition, the transmission gate 2 is P type MO8TP2 and N type MO8T.
N2, and this MOS T receives the information signal D2.
is connected in parallel between the input terminal (2) to which is applied and the output terminal Out.
さらに、伝送ゲート3はP形MO8TP3とN形MO8
TN3とにより構成され、このMOS Tは情報信号D
3が印加される入力端子■3と出力端子Out との
間に並列接続される。Furthermore, the transmission gate 3 is P type MO8TP3 and N type MO8
TN3, and this MOS T receives the information signal D.
It is connected in parallel between the input terminal 3 to which 3 is applied and the output terminal Out.
また、図中、GD3.GD3は夫々P形MO8TP2.
P3のゲート端子、GD2 、GD3は夫々N形MO8
TN2.N3のゲート端子であり、ゲート端子Gl)2
にはゲートへの制御信号S2が印加され、ゲート端
子Gn2には制御信号S2にインバータInv2を介し
た反転信号S2が印加され、ゲート端子Gp3にはゲー
トへの制御信号S3が印加され、ゲート端子Gn3には
制御信号S3にインバータInv3 を介した反転信号
S3が印加される。Also, in the figure, GD3. GD3 is P type MO8TP2.
The gate terminals of P3, GD2 and GD3 are each N-type MO8.
TN2. This is the gate terminal of N3, and the gate terminal Gl)2
A control signal S2 to the gate is applied to the gate, an inverted signal S2 of the control signal S2 via the inverter Inv2 is applied to the gate terminal Gn2, a control signal S3 to the gate is applied to the gate terminal Gp3, and the gate terminal An inverted signal S3 of the control signal S3 via an inverter Inv3 is applied to Gn3.
第1図の伝送ゲート1の動作は、制御信号S1の電位が
高電位レベル(以下Hレベルと称する)、即ちN形MO
8Tの閾値電圧より高い電位の時、P形MO8TP1の
ゲート端子Gp1にはHレベル信号が印加され、N形M
O8TN1のゲート端子Gn 1には低電位レベル(以
下Lレベルと称する)、即ち、P形MO8Tの閾値電圧
より低い電位の信号が印加されるため、C−MO8Tを
構成するP形MO8TP、及びN形MO8TN1が共に
オフ状態となるので、入力端子■1と出力端子Outと
の間は非導通となる。The operation of the transmission gate 1 shown in FIG.
When the potential is higher than the threshold voltage of 8T, an H level signal is applied to the gate terminal Gp1 of P-type MO8TP1, and the
Since a signal with a low potential level (hereinafter referred to as L level), that is, a potential lower than the threshold voltage of the P-type MO8T, is applied to the gate terminal Gn1 of the O8TN1, the P-type MO8TP and the N Since both MO8TN1 are in the off state, there is no conduction between the input terminal 1 and the output terminal Out.
従って、この伝送ゲート1は非導通状態になり、入力端
子■1へ印加された情報信号D1は出力端子Outに伝
達されないことになる。Therefore, this transmission gate 1 becomes non-conductive, and the information signal D1 applied to the input terminal 1 is not transmitted to the output terminal Out.
また、制御信号S1の電位がLレベルの時、P形MO8
TP1のゲート端子Gp1にはLレベル信号が印加され
、N形MO8TN1のゲート端子Gn1にはHレベル信
号が印加されるため、P形MO8TP1及びN形MO8
Tは共にオン状態になるので、入力端子■1と出力端子
Outとの間が導通になる。Furthermore, when the potential of the control signal S1 is at L level, the P-type MO8
Since an L-level signal is applied to the gate terminal Gp1 of TP1 and an H-level signal is applied to the gate terminal Gn1 of N-type MO8TN1, P-type MO8TP1 and N-type MO8
Since both terminals T are in the on state, conduction is established between the input terminal 1 and the output terminal Out.
従って、この伝送ゲート1は導通状態になり、入力端子
■□へ印加された情報信号D1が出力端子Out に
伝達されることになる。Therefore, this transmission gate 1 becomes conductive, and the information signal D1 applied to the input terminal □□ is transmitted to the output terminal Out.
以上のように従来の伝送ゲートは互いに導電形の異なる
2つのMO8T Pl、N1を並列接続し、夫々のゲー
トに互いに相補極性を有する制御信号を印加して上記2
つのMO8Tを同時に導通させたり非導通にさせたりす
ることにより、所定の情報信号D1を入力端子■1から
出力端子Out へ選択的にケートするようになされて
いる。As described above, in the conventional transmission gate, two MO8Ts Pl and N1 of different conductivity types are connected in parallel, and control signals having complementary polarities are applied to each gate.
By simultaneously making the two MO8T conductive or non-conductive, a predetermined information signal D1 is selectively routed from the input terminal 1 to the output terminal Out.
このように伝送ゲートをC−MO8慣苛成とするのは次
の様な理由による。The reason for using the C-MO8 conventional transmission gate as described above is as follows.
即ち、上記出力端子に接続されたキャパシタンスを含む
負荷に対してHレベル、Lレベルのいずれの値を有する
情報信号を伝送する場合にも、それに応じて伝送ゲート
に流れる電流方向に即していずれか一方のMO8Tが常
にソース接地として動作するようにし、これによって高
速且つ高効率な情報信号の伝送を可能にするためである
。In other words, when transmitting an information signal having either an H level or an L level to a load including a capacitance connected to the output terminal, the information signal is either H level or L level depending on the direction of the current flowing through the transmission gate. This is to ensure that one of the MO8Ts always operates as a source grounded, thereby enabling high-speed and highly efficient transmission of information signals.
第2図の従来回路の動作は、情報信号D1を出力端子O
ut に出力させる時には、第1図に示した伝送ゲート
において詳述した様に、制御信号S1をLレベル信号、
制御信号S2.S3をHレベル信号として、伝送ゲート
1を導通状態、伝送ゲート23を非導通状態にすればよ
い。The operation of the conventional circuit shown in FIG. 2 is to output the information signal D1 to the output terminal O.
When outputting the control signal S1 to the L level signal, as explained in detail in the transmission gate shown in FIG.
Control signal S2. S3 may be set as an H level signal to make the transmission gate 1 conductive and the transmission gate 23 non-conductive.
また、同様にして、情報信号D2を出力端子Outに出
力させる時には、制御信号S2をLレベル信号、制御信
号S1.S3をHレベル信号として、伝送ゲート2を導
通状態、伝送ゲート13を非導通状態にすればよい。Similarly, when outputting the information signal D2 to the output terminal Out, the control signal S2 is set to an L level signal, and the control signal S1. S3 may be set as an H level signal to make the transmission gate 2 conductive and the transmission gate 13 non-conductive.
即ち、制御信号S1がLレベル信号、制御信号S2.S
3がHレベル信号の時は、出力端子Out に情報信号
D1が出力され、制御信号S2がLレベル信号、制御信
号S7.S3がHレベル信号の時は、出力端子Out
に情報信号D2が出力され、制御信号S3がLレベル信
号、制御信号S1゜S2がHレベル信号の時は、出力端
子Outに情報信号D3が出力される。That is, the control signal S1 is an L level signal, the control signal S2. S
3 is an H level signal, the information signal D1 is output to the output terminal Out, the control signal S2 is an L level signal, and the control signal S7. When S3 is an H level signal, the output terminal Out
When the control signal S3 is an L level signal and the control signal S1°S2 is an H level signal, the information signal D3 is output to the output terminal Out.
従って、この選択ゲート回路では、3本の情報信号DI
、 D2 、 D3の中から選択的に1つの信号を出
力端子Out に出力するために、3個の伝送ゲー1
−123を用いて、上記選択された情報信号が入力端子
に印加されている伝送ゲートを選択的に導通せしめて出
力を得ている。Therefore, in this selection gate circuit, three information signals DI
, D2, and D3 to selectively output one signal to the output terminal Out.
-123 is used to selectively conduct the transmission gate to which the selected information signal is applied to the input terminal to obtain an output.
なお、この従来回路では、情報信号が3本の場合につい
て説明したが、一般的には同様な回路により、数本乃至
十数本の多数の情報信号の中から選択的に1つの信号を
出力端子に出力する選択ゲート回路を構成する。Although this conventional circuit has been described for the case where there are three information signals, generally a similar circuit is used to selectively output one signal from several to more than ten information signals. Configure a selection gate circuit that outputs to the terminal.
ところで、この様な複数の情報信号の中から選択的に1
つの信号を出力端子に出力する選択ゲート回路は、例え
ばROM(Read 0nly Memo−ry)を用
いたシステム、または液晶表示システムなどに用いられ
る。By the way, one of these multiple information signals can be selected selectively.
A selection gate circuit that outputs two signals to an output terminal is used, for example, in a system using a ROM (Read Only Memory) or a liquid crystal display system.
即ち、ROMを用いたシステムにおいては、ROMが発
生する信号を制御信号Sとして選択ゲート回路を構成す
る伝送ゲートに印加することにより、ROMからの信号
に応じた情報信号りを出力端子Out に出力している
。That is, in a system using a ROM, by applying a signal generated by the ROM as a control signal S to a transmission gate constituting a selection gate circuit, an information signal corresponding to the signal from the ROM is output to the output terminal Out. are doing.
また、液晶表示システムにおいては、液晶表示のための
セグメント信号を制御信号Sとして伝送ゲートに印加す
ることにより、この信号に応じて液晶の点灯信号または
消灯信号を情報信号りさして出力端子Out に出力
している。In addition, in a liquid crystal display system, by applying a segment signal for liquid crystal display to a transmission gate as a control signal S, a lighting signal or a turning-off signal for the liquid crystal is transmitted as an information signal according to this signal and output to the output terminal Out. are doing.
以上の様に、第2図に示した従来の選択ゲート回路をI
Cに組み込んだ場合、選択ゲート回路を構成する伝送ゲ
ート1〜3がC−MO8Tからなるので、P形MO8T
P、〜P3のゲート端子Gp1〜Gl)3に印加する制
御信号81〜S3からインバータInv1〜Inv3を
介してN形MO8TN1〜N3のケート端子Gn 1〜
Gn 3に印加する反転信号81〜S3を得る必要があ
り、ICを構成する回路の中に、制御信号81〜S3に
対応したインパークInv1〜Inv3を形成する必要
があった。As described above, the conventional selection gate circuit shown in FIG.
When incorporated in C, transmission gates 1 to 3 forming the selection gate circuit are made of C-MO8T, so P-type MO8T
Control signals 81-S3 applied to gate terminals Gp1-Gl)3 of P, ~P3 are applied to gate terminals Gn1-S3 of N-type MO8TN1-N3 via inverters Inv1-Inv3.
It was necessary to obtain inverted signals 81 to S3 to be applied to Gn 3, and it was necessary to form inparks Inv1 to Inv3 corresponding to the control signals 81 to S3 in the circuit that constitutes the IC.
こめため、従来の選択ゲート回路をICに組み込んだ場
合、インパークI n v 1〜Inv3を構成する回
路及び制御信号81〜S3の反転信号81〜S3のライ
ンを形成する必要があるので、極めてパターンサイズが
大きくなるという欠点を有していた。Therefore, when a conventional selection gate circuit is incorporated into an IC, it is necessary to form circuits configuring imparks Inv 1 to Inv3 and lines for inverted signals 81 to S3 of control signals 81 to S3. This has the disadvantage that the pattern size becomes large.
従って、情報信号りの数が増加することにともなう制御
信号Sの数の増加により、この欠点は更に顕著なものと
なり、非常に大きな問題となっていた。Therefore, as the number of control signals S increases with the increase in the number of information signals, this drawback becomes even more noticeable and has become a very serious problem.
この発明は、上記欠点に鑑みなされ、選択ゲート回路に
おいては、選択ゲート回路を構成する複数の伝送ゲート
の中で選択的に所定の情報信号が印加されている1つの
伝送ゲートだけを導通させるために、C−MO8Tによ
り構成された伝送ゲートには二種類の制御信号が必要で
ある点に着目してなされ、選択ゲート回路としての機能
を損うことなく、新規な回路構成により、ICに組み込
んだ際に集積度を向上できるC−MO8Tからなる伝送
ゲートにより構成された改良された選択ゲートを提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and in a selection gate circuit, only one transmission gate to which a predetermined information signal is applied is selectively made conductive among a plurality of transmission gates constituting the selection gate circuit. This was done by focusing on the fact that two types of control signals are required for the transmission gate configured with C-MO8T, and by using a new circuit configuration, it was possible to incorporate it into an IC without impairing the function as a selection gate circuit. It is an object of the present invention to provide an improved selection gate constituted by a transmission gate made of C-MO8T, which can increase the degree of integration at the same time.
第3図は、この発明による選択ゲート回路に適用される
伝送ゲートを説明するための回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram for explaining a transmission gate applied to a selection gate circuit according to the present invention.
図中、第1図と同一または相当部分には同一符号を付し
た。In the figure, the same or corresponding parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.
この第3図に示した伝送ゲート11はP形MO8T p
Hのみで構成されており、Gpl、はP形MO8T R
1□ のゲート端子である。The transmission gate 11 shown in FIG. 3 is a P-type MO8T p
Consists of H only, Gpl is P type MO8T R
1□ gate terminal.
ゲート端子Gp itには制御信号S1が印加される。A control signal S1 is applied to the gate terminal Gpit.
第4図は、第3図に示した伝送ゲートを用いたこの発明
による選択ゲート回路の一実施例を示す回路である。FIG. 4 is a circuit showing an embodiment of the selection gate circuit according to the present invention using the transmission gate shown in FIG.
この実施例は、3本の情報信号D1〜D3の中から選択
的に1つの情報信号を出力端子Out に出力できる選
択ゲート回路であり、3個の伝送ゲート112131、
N形MO8T n□及びキャパシタC8より構成され
ている。This embodiment is a selection gate circuit that can selectively output one information signal from three information signals D1 to D3 to the output terminal Out, and includes three transmission gates 112131,
It is composed of an N-type MO8T n□ and a capacitor C8.
伝送ゲート11は第3図に示したものと同一であり、同
一符号を付しである。The transmission gate 11 is the same as that shown in FIG. 3 and is given the same reference numeral.
伝送ゲート21は、情報信号D2が印加される入力端子
I21と出力端子Out との間に接続され、P形M
O8T P2、より構成されている。The transmission gate 21 is connected between the input terminal I21 to which the information signal D2 is applied and the output terminal Out.
It is composed of O8T P2.
伝送ゲート31は、情報信号D3が印加される入力端子
I31 と出力端子Outとの間に接続され、P形MO
8TP3、より構成されている。The transmission gate 31 is connected between the input terminal I31 to which the information signal D3 is applied and the output terminal Out, and is connected to the P-type MO
It is composed of 8TP3.
また、GI)2□J Gps、は夫々P形MO8TP
21 + P 3tのゲート端子である。In addition, GI) 2□J GPS, each P type MO8TP
21 + P is the gate terminal of 3t.
さらに、ゲート端子Gp、1には制御信号S1が、Gp
21には制御信号S2が、Gp3□には制御信号S3が
夫々印加される。Further, a control signal S1 is applied to the gate terminal Gp,1, Gp
A control signal S2 is applied to 21, and a control signal S3 is applied to Gp3□.
また、少なくとも、制御信号81〜S3が全てHレベル
の時Lレベル信号が印加されるような入力端子ILと出
力端子OUTとの間にはN形MO8Tn□が、常に一定
レベル信号が印加されている端子IHと出力端子OUT
との間にはキャパシタC8が接続されている。Furthermore, at least between the input terminal IL and the output terminal OUT to which an L level signal is applied when all of the control signals 81 to S3 are at the H level, the N-type MO8Tn□ always applies a constant level signal. terminal IH and output terminal OUT
A capacitor C8 is connected between them.
ここで、上記入力端子ILは、IC外部から第1電位を
供給することにより、選択ゲート回路の機能を可能にす
る端子である。Here, the input terminal IL is a terminal that enables the function of the selection gate circuit by supplying a first potential from outside the IC.
GnoはN形MO8T nOのゲート端子であり、ゲー
ト端子Gn o には制御信号Tが印加される。Gno is a gate terminal of the N-type MO8T nO, and a control signal T is applied to the gate terminal Gno.
第5図は、第3図に示したこの発明の実施例をN個(N
は整数)の情報信号りを有する一般的な回路に適用した
場合の回路図を示す。FIG. 5 shows N embodiments of the invention shown in FIG.
is an integer) when applied to a general circuit having information signals.
図中、第3図と同一または相当部分には同一符号を付し
た。In the figure, the same or corresponding parts as in FIG. 3 are given the same reference numerals.
また、図中、D1〜DnはN個の情報信号、81〜Sn
はN個の制御信号、1121〜n1はN個の伝送ゲート
である。In addition, in the figure, D1 to Dn are N information signals, 81 to Sn
are N control signals, and 1121 to n1 are N transmission gates.
この伝送ゲートは夫々所定の制御信号が印加されるP形
MO8Tにより構成されている。The transmission gates each include a P-type MO8T to which a predetermined control signal is applied.
選択ゲート回路は、これを構成する複数の伝送ゲートの
中から選択された1つを導通させ、他の伝送ゲートを非
導通にして、この選択された伝送ゲートの入力端子に印
加される情報信号を出力端子に取り出す回路である。The selection gate circuit makes one selected from among the plurality of transmission gates making it conductive, makes the other transmission gates non-conductive, and outputs an information signal applied to the input terminal of the selected transmission gate. This is a circuit that takes out the signal to the output terminal.
そして、第2図に示した従来の選択ケート回路において
、情報信号D1を出力端子Oに取り出すためには、伝送
ゲート1に制御信号S1としてLレベル信号を印加し導
通させ、情報信号D1がLレベルの時はN形MO8TN
1が、情報信号D1がHレベルの時はP形MO8TP1
が、情報信号D1を出力端子OUTに取り出す役目をし
ている。In the conventional selection gate circuit shown in FIG. 2, in order to take out the information signal D1 to the output terminal O, an L level signal is applied to the transmission gate 1 as the control signal S1 to make it conductive, so that the information signal D1 becomes L. At level, N type MO8TN
1 is P-type MO8TP1 when the information signal D1 is at H level.
serves to take out the information signal D1 to the output terminal OUT.
従って、出力端子OUT をあらかじめLレベルにして
おけば、入力端子に印加される情報信号がLレベルの時
にはLレベルを出力端子OUT に取り出す必要がない
ので、伝送ゲートはP形MO8TPのみで構成されてよ
いわけである。Therefore, if the output terminal OUT is set to the L level in advance, when the information signal applied to the input terminal is at the L level, there is no need to take out the L level to the output terminal OUT. Therefore, the transmission gate is composed of only P-type MO8TP. That's fine.
この発明に適用される第3図に示した伝送ゲート11は
上述の点を利用したものである。The transmission gate 11 shown in FIG. 3 applied to the present invention utilizes the above-mentioned points.
即ち、第1図に示す従来の伝送ゲート1においては、制
御信号S1が印加されるP形MO8TP1と、上記制御
信号S1と相補関係にある反転信号瑠が印加されるN形
MO8T N1との並列接続体により構成されていた。That is, in the conventional transmission gate 1 shown in FIG. 1, a P-type MO8TP1 to which a control signal S1 is applied and an N-type MO8T N1 to which an inverted signal R complementary to the control signal S1 is applied are connected in parallel. It was composed of a connecting body.
これに対し、この発明になる伝送ゲート11は、第3図
に示されるように制御信号S1が印加されるP形MO8
TPIIのみで構成したものであり、出力端子OUT
をあらかじめLレベルにしておくことにより、第1図に
示した伝送ゲート1に対応した機能を有することになる
。On the other hand, the transmission gate 11 according to the present invention has a P-type MO88 to which the control signal S1 is applied, as shown in FIG.
It is composed only of TPII, and the output terminal OUT
By setting the gate to L level in advance, it has a function corresponding to the transmission gate 1 shown in FIG.
第4図に示した実施例回路の動作は、情報信号D1を出
力端子OUT に出力させる場合には、まず制御信号T
をHレベルとして、N形MOS T n 。The operation of the embodiment circuit shown in FIG. 4 is that when outputting the information signal D1 to the output terminal OUT, first the control signal T
is set to H level, N-type MOS T n .
を導通状態にし、キャパシタC6を充電して出力端子O
UTをLレベルにした後、制御信号TをLレベルとして
、N形MO8T n□を非導通状態にし、制御信号S1
をLレベル信号、制御信号S2.S3をHレベル信号と
して、伝送ゲート11を導通状態、伝送ゲート2131
を非導通状態とすればよむ)。conducts, charges the capacitor C6, and outputs the output terminal O.
After setting UT to L level, control signal T is set to L level, N-type MO8T n□ is made non-conductive, and control signal S1
as an L level signal and a control signal S2. S3 is set as an H level signal, transmission gate 11 is turned on, and transmission gate 2131 is turned on.
).
即ち、情報信号D1がHレベルの時は伝送ゲート口が導
通状態だから出力端子OUT にHレベルが出力され、
情報信号D1がLレベルのときは出力端子OUTが前に
Lレベルになっているので出力端子OUT にLレベル
が出力されることになる。That is, when the information signal D1 is at H level, the transmission gate port is in a conductive state, so H level is output to the output terminal OUT.
When the information signal D1 is at the L level, since the output terminal OUT was previously at the L level, the L level is output to the output terminal OUT.
また、同様にして、情報信号D2を出力端子OUT に
出力させる時には、制御信号S2をLレベル信号、制御
信号S1.S3をHレベル信号として、伝送ゲート21
を導通状態、伝送ゲート1131を非導通状態とすれば
よく、情報信号D3を出力端子OUTに出力させる時に
は、制御信号、S3をLレベル信号、制御信号S1.S
2をHレベル信号として、伝送ゲート31を導通状態、
伝送ゲーN121を非導通状態とすればよい。Similarly, when outputting the information signal D2 to the output terminal OUT, the control signal S2 is set to an L level signal, and the control signal S1. The transmission gate 21 uses S3 as an H level signal.
It is sufficient to make the transmission gate 1131 conductive and the transmission gate 1131 non-conductive. When outputting the information signal D3 to the output terminal OUT, the control signal S3 is set to an L level signal, and the control signal S1 . S
2 as an H level signal, the transmission gate 31 is in a conductive state,
The transmission game N121 may be rendered non-conductive.
従って、この実施例回路において、伝送ゲート1121
31へ印加する制御信号81〜83の電位は、第2図に
示した従来の選択ゲート回路におけるP形MO8TP1
〜P3に印加する制御信号81〜S3の電位と全く同様
となり、しかも、入力端子Ill〜I31には常に情報
信号D1〜D3が印加されているわけではないので、入
力端子11□〜■3□に情報信号D1〜D3が印加され
ていない時にN形MO8T n□を導通状態にすれば従
来回路と同様になる。Therefore, in this embodiment circuit, the transmission gate 1121
The potentials of the control signals 81 to 83 applied to the P-type MO8TP1 in the conventional selection gate circuit shown in FIG.
The potential is exactly the same as that of the control signals 81 to S3 applied to ~P3, and since the information signals D1 to D3 are not always applied to the input terminals Ill to I31, the input terminals 11□ to ■3□ If the N-type MO8T n□ is made conductive when the information signals D1 to D3 are not applied to the circuit, the circuit becomes similar to the conventional circuit.
以上の様に、従来回路においては、制御信号としてP形
MO8Tに印加する制御信号81〜S3と、N形MO8
Tに印加する制御信号S1〜S3と相補関係にある反転
信号81〜S3とが必要となるため、ICに組み込んだ
際に、制御信号のラインは6本必要となり、さらに、反
転信号を形成するためのインパーク回路が必要となって
いた。As described above, in the conventional circuit, the control signals 81 to S3 applied to the P-type MO8T as control signals and the control signals 81 to S3 applied to the N-type MO8T
Since inverted signals 81 to S3 that are complementary to the control signals S1 to S3 applied to T are required, six control signal lines are required when incorporated into an IC, and furthermore, inverted signals are formed. An impark circuit was required for this purpose.
ところが、この実施例回路においては、MOS Tを動
作させるための制御信号は81〜S3とTとなるため、
ICに組み込んだ際に、制御信号のラインは4本となり
、しかも、反転信号が不要となるためインバータ回路を
形成する必要がなくなった。However, in this embodiment circuit, the control signals for operating the MOS T are 81 to S3 and T.
When incorporated into an IC, the number of control signal lines is reduced to four, and since an inverted signal is not required, there is no need to form an inverter circuit.
従って、この実施例による選択ゲート回路では、パター
ンサイズの縮小が図れ、ICの集積度を向上できる効果
がある。Therefore, the selection gate circuit according to this embodiment has the effect of reducing the pattern size and improving the degree of integration of the IC.
第5図の回路では、N個の情報信号D1〜Dnの中から
選択的に1つの情報信号を出力端子OUTに出力させる
ためには、この選択された情報信号が入力端子に印加さ
れている伝送ゲートを構成するP形MOS Tへ印加す
る制御信号をLレベル信号とし、これを除く他の制御信
号をHレベル信号とすればよい。In the circuit of FIG. 5, in order to selectively output one information signal from the N information signals D1 to Dn to the output terminal OUT, this selected information signal is applied to the input terminal. The control signal applied to the P-type MOS T constituting the transmission gate may be an L-level signal, and the other control signals may be H-level signals.
ところで、従来回路によりN個の情報信号を有する選択
ゲート回路を構成した場合、制御信号はP形MOS T
に印加する制御信号81〜SnのN個と、N形MO8T
に印加し制御信号S1〜Soと相補関係にある反転信号
S、〜SnのN個とによる2N個必要になり、しかも、
反転信号【1〜S′r1を形成するために、N個のイン
バータ回路も必要であった。By the way, when a selection gate circuit having N information signals is constructed using a conventional circuit, the control signal is a P-type MOS T
N control signals 81 to Sn applied to the N-type MO8T
2N inverted signals S, ~Sn, which are applied to the control signals S1 to So and are complementary to each other, are required.
N inverter circuits were also required to form the inverted signals [1 to S'r1.
ところが、この第5図に示した実施例回路では、N+1
個の制御信号81〜SoとTで動作させることができ、
パターンサイズの縮小が図れ、ICの集積度を向上でき
る。However, in the embodiment circuit shown in FIG.
It can be operated with control signals 81 to So and T,
The pattern size can be reduced and the degree of integration of the IC can be improved.
以上第3図乃至第5図に示した実施例では、伝送ゲート
を1つのP形MOS 1成としたが、この発明はこれに
限られず、伝送ゲートをN形MO8Tにより構成し、選
択する情報信号が入力端子に印加されている伝送ゲート
を構成するN形MOS Tのケート端子に、制御信号と
してHレベル信号を印加し、他の伝送ゲートを構成する
N形MO8Tのゲート端子には制御信号としてLレベル
信号を印加し、制御信号Tで制御されるMOS TをP
形MO8Tにし、その制御信号としてLレベル信号を印
加し、情報信号vLに少なくとも、制御信号TがLレベ
ルの時に情報信号VHと同じHレベルを印加することに
よ−っても実現できる。In the embodiments shown in FIGS. 3 to 5, the transmission gate is made up of one P-type MOS, but the present invention is not limited to this, and the transmission gate is made up of N-type MO8T, and the selection information An H level signal is applied as a control signal to the gate terminal of the N-type MOS T constituting the transmission gate to which the signal is applied to the input terminal, and a control signal is applied to the gate terminal of the N-type MO8T constituting the other transmission gate. Apply an L level signal as P to the MOS T controlled by the control signal T.
This can also be realized by applying an L level signal as a control signal to the MO8T, and applying at least the same H level as the information signal VH to the information signal vL when the control signal T is at the L level.
以上の様に、この発明による選択ゲート回路では、N個
の情報信号入力端子と共通な1つの出力端子との間に接
続されたN個の伝送ゲートを、夫夫単一の第1導電形M
O8Tにより構成し、いずれか1つが第1電位にあると
き他は全て第2電位を保持するごとき電位関係を有する
N個の制御信号を上記具なる伝送ゲートの中の第1導電
形MO8Tのゲート端子に順次加えるようにしているの
で、選択的に導通させられる伝送ゲートの第1導電形M
O8Tのゲート端子に印加される制御信号の電位が第1
電位、他の制御信号の電位が第2電位となり、この第1
、第2電位の二種類の電位を有する制御信号を伝送ゲー
トを構成する単一の第1導電形MO8Tのゲート端子に
夫々印加するような新規な回路構成のため、選択ゲート
回路としての機能を損なうことなく、ICに組み込んだ
際に集積度を向上できる効果がある。As described above, in the selection gate circuit according to the present invention, the N transmission gates connected between the N information signal input terminals and one common output terminal are M
A gate of the first conductivity type MO8T among the transmission gates mentioned above is configured to transmit N control signals having a potential relationship such that when one of them is at the first potential, all the others are held at the second potential. The first conductivity type M of the transmission gate is selectively made conductive because it is applied to the terminals sequentially.
The potential of the control signal applied to the gate terminal of O8T is the first
The potential and the potential of other control signals become the second potential, and this first
Because of the novel circuit configuration in which control signals having two types of potentials, ie, the second potential, are applied to the gate terminals of the single MO8T of the first conductivity type constituting the transmission gate, the function as a selection gate circuit is It has the effect of improving the degree of integration when incorporated into an IC without any damage.
第1図は、一般的なC−MO8Tにより構成された伝送
ゲートを説明するための回路図、第2図は、従来の選択
ゲート回路を示す回路図、第3図は、この発明による選
択ゲート回路に適用される伝送ゲートを説明するための
回路図、第4図は、この発明による選択ゲート回路の一
実施例を示す回路図、第5図は、この発明によりN個の
伝送ゲートを用いた一般的な選択ゲート回路を示す回路
図を示す。
なお、図中、同一部分または相当部分には同一符号を付
した。
1121〜n1・・・・・・伝送ゲート、D・・・・・
・情報信号、P・・・・・・P形MO8T、S・・・・
・・制御信号、N・・・・・・N形MO8T、■・・・
・・・入力端子、OUT・・・・・・出力端子。FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a transmission gate constructed of a general C-MO8T, FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional selection gate circuit, and FIG. 3 is a selection gate according to the present invention. FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a transmission gate applied to a circuit. FIG. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of a selection gate circuit according to the present invention. FIG. A circuit diagram showing a general selection gate circuit is shown. In addition, in the figures, the same parts or corresponding parts are given the same reference numerals. 1121~n1...Transmission gate, D...
・Information signal, P...P type MO8T, S...
...Control signal, N...N type MO8T, ■...
...Input terminal, OUT...Output terminal.
Claims (1)
の出力端子との間にそれぞれ接続されかつ各ゲート端子
にいずれか1つが第1電位にあるとき他は全て第2電位
を保持する電位関係を有するN個の制御信号が順次印加
される単一の第1導電形電界トランジスタにより構成さ
れる伝送ゲートと、外部から第1電位が供給される入力
端子と前記出力端子との間に接続されかつゲート端子に
前記第1導電形電界効果トランジスタの各ゲート端子の
いずれかのゲート端子に第1電位の制御信号が印加され
たとき第1電位の制御信号が印加される第2導電形電界
効果トランジスタと、第1電位または第2電位を保つ端
子と前記出力端子との間に接続されたキャパシタとを備
え、前記第1および第2電位の二種類の電位を有する制
御信号を前記伝送ゲートを構成する単一の第1導電形電
界効果トランジスタの各ゲート端子に印加し、これらの
伝送ゲートのうち任意の1つのものを選択的に導通させ
ることにより前記N個の情報信号の中から1つの信号を
前記出力端子へ選択的に出力するようにしたことを特徴
とする選択ゲート回路。 2、特許請求の範囲第1項に記載の選択ゲート回路にお
いて、第1導電形電界効果トランジスタとしてPチャン
ネル形電界効果トランジスタを、第2導電形電界効果ト
ランジスタとしてNチャンネル形電界効果トランジスタ
を用いて、第1電位を前記Pチャンネル形電界効果トラ
ンジスタを導通せしめる電位、第2電位を前記Nチャン
ネル形電界効果トランジスタを導通せしめる電位とした
ことを特徴とする選択ゲート回路。 3 特許請求の範囲第1項に記載の選択ゲート回路にお
いて、第1導電形電界効果トランジスタとしてNチャン
ネル形電界効果トランジスタを、第2導電形電界効果ト
ランジスタとしてPチャンネル形電界効果トランジスタ
を用いて、第1電位を前記Nチャンネル形電界効果トラ
ンジスタを導通せしめる電位、第2電位を前記Pチャン
ネル形電界効果トランジスタを導通せしめる電位とした
こ七を特徴とする選択ゲート回路。[Claims] 1. Each gate terminal is connected between N (N is an integer) information signal input terminals and one common output terminal, and when one of the gate terminals is at the first potential, the others are a transmission gate constituted by a single first conductivity type field transistor to which N control signals having a potential relationship that all hold a second potential are sequentially applied; and an input terminal to which the first potential is supplied from the outside. When a control signal at a first potential is applied to any one of the gate terminals of the first conductivity type field effect transistor connected between the output terminal and the gate terminal, the control signal at the first potential is applied. a second conductivity type field effect transistor to which a voltage is applied; and a capacitor connected between a terminal that maintains a first potential or a second potential and the output terminal; A control signal having N 1. A selection gate circuit, characterized in that one signal from among the information signals is selectively outputted to the output terminal. 2. In the selection gate circuit according to claim 1, a P-channel field-effect transistor is used as the first conductivity-type field-effect transistor, and an N-channel field-effect transistor is used as the second conductivity-type field-effect transistor. . A selection gate circuit, characterized in that the first potential is a potential that makes the P-channel field effect transistor conductive, and the second potential is a potential that makes the N-channel field effect transistor conductive. 3. In the selection gate circuit according to claim 1, an N-channel field effect transistor is used as the first conductivity type field effect transistor, and a P channel field effect transistor is used as the second conductivity type field effect transistor, A selection gate circuit characterized in that the first potential is a potential that makes the N-channel field effect transistor conductive, and the second potential is a potential that makes the P-channel field effect transistor conductive.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4805477A JPS5937897B2 (en) | 1977-04-25 | 1977-04-25 | selection gate circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4805477A JPS5937897B2 (en) | 1977-04-25 | 1977-04-25 | selection gate circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53132969A JPS53132969A (en) | 1978-11-20 |
| JPS5937897B2 true JPS5937897B2 (en) | 1984-09-12 |
Family
ID=12792619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4805477A Expired JPS5937897B2 (en) | 1977-04-25 | 1977-04-25 | selection gate circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937897B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356413A (en) * | 1980-08-20 | 1982-10-26 | Ibm Corporation | MOSFET Convolved logic |
| JPS60154393A (en) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Seiko Epson Corp | Semiconductor storage |
| JPS60224187A (en) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Seiko Epson Corp | address selection circuit |
-
1977
- 1977-04-25 JP JP4805477A patent/JPS5937897B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53132969A (en) | 1978-11-20 |
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