JPS5940864B2 - 混合コレステリツク液晶およびその装置 - Google Patents
混合コレステリツク液晶およびその装置Info
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- JPS5940864B2 JPS5940864B2 JP751023A JP102375A JPS5940864B2 JP S5940864 B2 JPS5940864 B2 JP S5940864B2 JP 751023 A JP751023 A JP 751023A JP 102375 A JP102375 A JP 102375A JP S5940864 B2 JPS5940864 B2 JP S5940864B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混合コレステリツク液晶およびその装置に関し
、詳しくは明確なしきい値(閾値)を有し、応答速度が
速く、X−Yマトリクス表示装置に適した混合コレステ
リツク液晶とその装置に関するものである。
、詳しくは明確なしきい値(閾値)を有し、応答速度が
速く、X−Yマトリクス表示装置に適した混合コレステ
リツク液晶とその装置に関するものである。
従来より優れた表示特性を有する液晶材料の開発が望ま
れており、今1表示装置に使用可能なネマチツク液晶が
いくつか知られているとともに、製造販売もなされてい
る現状である。
れており、今1表示装置に使用可能なネマチツク液晶が
いくつか知られているとともに、製造販売もなされてい
る現状である。
しかしながら、これら従来の液晶には明確なしきい値が
ないという欠点がある。
ないという欠点がある。
これを改善するためにネマチツク液晶にコレステリン誘
導体を混合して明確なしきい値を持たせたものがあるけ
れども、この混合液晶は応答速度が極めて遅い欠点があ
る。
導体を混合して明確なしきい値を持たせたものがあるけ
れども、この混合液晶は応答速度が極めて遅い欠点があ
る。
これら従来の各液晶は多絵素表示に有利なX一Yマトリ
クス表示には使用できず、仮に使用できたとしてもその
表示性能は著るしく低下するものである。
クス表示には使用できず、仮に使用できたとしてもその
表示性能は著るしく低下するものである。
このことは、上記従来の各液晶は明確なるしきい値と良
好なる応答速度との両者を有するものではないことから
容易に理解できるであろう。X−Yマトリクス表示とは
、X方向に伸びた複数の平行帯状のX電極群と、X方向
に対して直角な方向に伸びた複数の平行帯状のY電極群
との交点にできるmn個(ここでmはX電極数を、nは
Y電極数をそれぞれ表わす)の絵素をX電極とY電極と
によつてアドレスして表示しようとするものである。こ
のようなX−Yマトリクス表示の利点はmn個の絵素制
御を極めて少ないリード線とドライバ回路とで制御し得
ることである。
好なる応答速度との両者を有するものではないことから
容易に理解できるであろう。X−Yマトリクス表示とは
、X方向に伸びた複数の平行帯状のX電極群と、X方向
に対して直角な方向に伸びた複数の平行帯状のY電極群
との交点にできるmn個(ここでmはX電極数を、nは
Y電極数をそれぞれ表わす)の絵素をX電極とY電極と
によつてアドレスして表示しようとするものである。こ
のようなX−Yマトリクス表示の利点はmn個の絵素制
御を極めて少ないリード線とドライバ回路とで制御し得
ることである。
すなわち、上記の絵素制御に必要なリード線はm+n本
でよく、またドライバ回路はm+n回路でよい。しかし
ながら、上記X−Yマトリクス表示においてはX電極群
中の1つのX電極とY電極群中の1っのY電極とによつ
てその交点の絵素を選択し・これらXY両電極間に電圧
Vを印加した場合、この交点を中心として十字状に並ぶ
各絵素にV2の電圧がそれぞれ印加され、不所望の絵素
が半選択状態になる、即ちクロストークが生ずる欠点が
ある。
でよく、またドライバ回路はm+n回路でよい。しかし
ながら、上記X−Yマトリクス表示においてはX電極群
中の1つのX電極とY電極群中の1っのY電極とによつ
てその交点の絵素を選択し・これらXY両電極間に電圧
Vを印加した場合、この交点を中心として十字状に並ぶ
各絵素にV2の電圧がそれぞれ印加され、不所望の絵素
が半選択状態になる、即ちクロストークが生ずる欠点が
ある。
X−Yマトリクス表示におけるクロストークを防止する
ためには、X電極群とY電極群との間に挟持される液晶
として、電圧Y2までは何ら視覚的変化たとえば光散乱
を起さない液晶すなわちしきい値を持つ液晶が必要とさ
れる。
ためには、X電極群とY電極群との間に挟持される液晶
として、電圧Y2までは何ら視覚的変化たとえば光散乱
を起さない液晶すなわちしきい値を持つ液晶が必要とさ
れる。
また、X−Yマトリクス表示においては、各絵素を順次
アドレスする走査手段が用いられるため応答速度の速い
液晶が要求される。
アドレスする走査手段が用いられるため応答速度の速い
液晶が要求される。
しかしながら、上述した従来液晶は明確なるしきい値と
良好なる応答速度との両者を有するものではありえない
ため、X−Yマトリクス表示には何ら用をなさないもの
である。
良好なる応答速度との両者を有するものではありえない
ため、X−Yマトリクス表示には何ら用をなさないもの
である。
したがつて、本発明の目的は、明確なしきい値を有し、
しかも応答速度が速く、X−Yマトリクス表示装置に適
した混合コレステリツク液晶とその装置を提供すること
にある。
しかも応答速度が速く、X−Yマトリクス表示装置に適
した混合コレステリツク液晶とその装置を提供すること
にある。
本発明にしたがえば、各種の液晶母体たとえばP−ネマ
チツク液晶およびn−ネマチツク液晶に光学活性(ト)
−p−アルコキシフエニル一φ−(2メチルブチル)ベ
ンゾエートが0.1重量%〜70重量%混合される。
チツク液晶およびn−ネマチツク液晶に光学活性(ト)
−p−アルコキシフエニル一φ−(2メチルブチル)ベ
ンゾエートが0.1重量%〜70重量%混合される。
液晶母体に光学活性(ト)−P−アルコキシフエニル一
P−(2−メチルブチル)ベンゾエート(以下説明の便
宜上この化合物をAP(2MB)Bとする)を0.1重
量%〜70重量%混合した混合コレステリツク液晶は明
確なしきい値を有し、しかも応答速度が速いことが本発
明者等によつて明らかにされた。
P−(2−メチルブチル)ベンゾエート(以下説明の便
宜上この化合物をAP(2MB)Bとする)を0.1重
量%〜70重量%混合した混合コレステリツク液晶は明
確なしきい値を有し、しかも応答速度が速いことが本発
明者等によつて明らかにされた。
本発明におけるAP(2MB)Bの混合比率の限定理由
は次のとおりである。
は次のとおりである。
AP(2MB)Bを0.1重量%以上含む混合コレステ
リツク液晶のしきい値は、AP(2MB)Bを含まない
液晶のそれよりも極めて明確である。
リツク液晶のしきい値は、AP(2MB)Bを含まない
液晶のそれよりも極めて明確である。
またAP(2MB)Bを70重量%以上にすると、しき
い値電圧が約70V以上になるため絶縁破壊が起りやす
くなり、使用困難になるからである。本発明に用いられ
るAP(2MB)Bとして、たとえば第1図に示す(ト
)−P−ヘキシルオキシフラエニル一P−(2−メチル
ブチル)ベンゾエート(コレステリツク液晶温度範囲2
4〜3『C)を含む混合コレステリツク液晶は全てコレ
ヌテリツク相を示し、しきい値を持つ。
い値電圧が約70V以上になるため絶縁破壊が起りやす
くなり、使用困難になるからである。本発明に用いられ
るAP(2MB)Bとして、たとえば第1図に示す(ト
)−P−ヘキシルオキシフラエニル一P−(2−メチル
ブチル)ベンゾエート(コレステリツク液晶温度範囲2
4〜3『C)を含む混合コレステリツク液晶は全てコレ
ヌテリツク相を示し、しきい値を持つ。
以下、母体の液晶がP−ネマチツク液晶およびn−ネマ
チツク液晶の場合について説明する。
チツク液晶の場合について説明する。
P−ネマチツク液晶とは、液晶分子の長軸方向の誘電率
が直角方向の誘電率より大きいネマチツク液晶で、誘電
率異方向が正のネマチツク液晶のことである。このよう
な特性を持つP−ネマチツク液晶としては、たとえばP
−アルコキシベンジリデン−Pツーシアノアニリン、P
−シアノベンジリデン−Pアルコキシアニリン、P−ア
ルキルベンジリデtン一P−シアノアニリン、P−シア
ノベンジリデツン一P−アルキルアニリン、P−アシロ
キシベンツジリデン一P−シアノアニリン、P−シアノ
ベン!ジリデン一P−アシロキシアニリン、P−シアノ
!フエニール一P−アルキルベンゾエート、P−シアノ
フエニール一P−アルコキシベンゾエート、p−アルキ
ルフエニール一P−シアノベンゾエイフト、P−アルコ
キシフエニール一P−シアノベンゾエート、P−アルコ
キシベンジリデン−P−アミノベンゼン、n−アルキル
−P−シアノベンジ′リデン一P−アミノシナメイト、
P−n−アルキラル一P−n−アルキルアゾベンゼン、
P−アルキ!ル一P−シアノビフエニールおよびP−ア
ルコキ′シ一P−シアノビフエニール等がある。
が直角方向の誘電率より大きいネマチツク液晶で、誘電
率異方向が正のネマチツク液晶のことである。このよう
な特性を持つP−ネマチツク液晶としては、たとえばP
−アルコキシベンジリデン−Pツーシアノアニリン、P
−シアノベンジリデン−Pアルコキシアニリン、P−ア
ルキルベンジリデtン一P−シアノアニリン、P−シア
ノベンジリデツン一P−アルキルアニリン、P−アシロ
キシベンツジリデン一P−シアノアニリン、P−シアノ
ベン!ジリデン一P−アシロキシアニリン、P−シアノ
!フエニール一P−アルキルベンゾエート、P−シアノ
フエニール一P−アルコキシベンゾエート、p−アルキ
ルフエニール一P−シアノベンゾエイフト、P−アルコ
キシフエニール一P−シアノベンゾエート、P−アルコ
キシベンジリデン−P−アミノベンゼン、n−アルキル
−P−シアノベンジ′リデン一P−アミノシナメイト、
P−n−アルキラル一P−n−アルキルアゾベンゼン、
P−アルキ!ル一P−シアノビフエニールおよびP−ア
ルコキ′シ一P−シアノビフエニール等がある。
そして、これらのP−ネマチツク液晶をいくつか混合し
た混合体もP−ネマチツク液晶である。
た混合体もP−ネマチツク液晶である。
また、P−ネマチツク液晶としては、上記Pーネマチツ
ク液晶と後述するn−ネマチツク液晶とを混合したもの
がある。ここで、この混合液晶がP−ネマチツク液晶で
あるということは液晶の配向方向(分子の長軸方向)の
誘電率の平均値が、配向方向に対して直角な方向の誘電
率の平均値よりも大きいことによつて判定される。この
ため、混合されるn−ネマチツク液晶の混合量は調節す
る必要がある。例えばP−ネマチツク液晶に属するP−
ブトキシベンジリデン一P−シアノアニリンとn−ネマ
チツク液晶に属するP−メトキシベテンジリデン一p−
ブチルアニリンとを混合した混合液晶においては、P−
ブトキシベンジリデンP−シアノアニリンが5モル%以
上であればPネマチツク液晶になることが知られている
。
ク液晶と後述するn−ネマチツク液晶とを混合したもの
がある。ここで、この混合液晶がP−ネマチツク液晶で
あるということは液晶の配向方向(分子の長軸方向)の
誘電率の平均値が、配向方向に対して直角な方向の誘電
率の平均値よりも大きいことによつて判定される。この
ため、混合されるn−ネマチツク液晶の混合量は調節す
る必要がある。例えばP−ネマチツク液晶に属するP−
ブトキシベンジリデン一P−シアノアニリンとn−ネマ
チツク液晶に属するP−メトキシベテンジリデン一p−
ブチルアニリンとを混合した混合液晶においては、P−
ブトキシベンジリデンP−シアノアニリンが5モル%以
上であればPネマチツク液晶になることが知られている
。
上述したP−ネマチツク液晶を母体の液晶として、この
液晶母体と前記AP(2MB)Bとを混合したP−コレ
ステリツク混合液晶を2枚の透明電極間に挟持した電気
光学的特性を第2図に示す。い値電圧VthはAP(2
MB)Bの混合比率によつて変化する。
液晶母体と前記AP(2MB)Bとを混合したP−コレ
ステリツク混合液晶を2枚の透明電極間に挟持した電気
光学的特性を第2図に示す。い値電圧VthはAP(2
MB)Bの混合比率によつて変化する。
すなわち、AP(2MB)Bの混合比率が大きくなれば
なるほどしきい値電圧Vthは増加する。曲線の急激な
変化はコレステリツク相からネマチツク相への相転移を
表わすもので、しきい値電圧Vth以下においてはコレ
ステリツク相であり、飽和電圧Vsat以上においては
ネマチツク相である。同図の特性曲線からも明らかなよ
うにP−ネマチツク液晶とAP(2MB)Bとを所望の
混合比率範囲において混合することによつて、明確なし
きい値を有するP−コレステリツク混合液晶を得ること
ができた。
なるほどしきい値電圧Vthは増加する。曲線の急激な
変化はコレステリツク相からネマチツク相への相転移を
表わすもので、しきい値電圧Vth以下においてはコレ
ステリツク相であり、飽和電圧Vsat以上においては
ネマチツク相である。同図の特性曲線からも明らかなよ
うにP−ネマチツク液晶とAP(2MB)Bとを所望の
混合比率範囲において混合することによつて、明確なし
きい値を有するP−コレステリツク混合液晶を得ること
ができた。
(実施例1および実施例2参照)つぎにn−ネマチツク
液晶およびn−ネマチツク液晶とAP(2MB)Bとを
混合したn−コレステリツク混合液晶について述べる。
n−ネマチツク液晶とは、液晶分子の長軸方向の誘電率
がそれに直角な方向の誘電率より小さいネマチツク液晶
で、誘電率異方性が負のネマチツク液晶のことである。
液晶およびn−ネマチツク液晶とAP(2MB)Bとを
混合したn−コレステリツク混合液晶について述べる。
n−ネマチツク液晶とは、液晶分子の長軸方向の誘電率
がそれに直角な方向の誘電率より小さいネマチツク液晶
で、誘電率異方性が負のネマチツク液晶のことである。
このような特性を持つn−ネマチツク液晶としtては、
たとえば、P−アルコキシ−P−n−アルtキルアゾキ
シベンゼン、P−n−アルキル−Pアルコキシアゾキシ
ベンゼン、P−アルコキシツP−アルコキシアゾキシベ
ンゼン、P−n−アルツキル一P−アルコキシアゾベン
ゼン、P−アルコキシ一P−アルキルアゾベンゼン、P
−アルコキシ−P−アルコキシアゾベンゼン、P−アル
コキシベンジリデン一P−アシロキシアニリン、Pn−
アルキルベンジリデン−P−アシロキシアニリン、P−
n−アルキルベンジリデン−P−アルコキシアニリン、
P−アルコキシベンジリデン!P−n−アルキルアニリ
ン、およびP−n−アルキル一P−アシロキシアゾキシ
ベンゼン等がある。
たとえば、P−アルコキシ−P−n−アルtキルアゾキ
シベンゼン、P−n−アルキル−Pアルコキシアゾキシ
ベンゼン、P−アルコキシツP−アルコキシアゾキシベ
ンゼン、P−n−アルツキル一P−アルコキシアゾベン
ゼン、P−アルコキシ一P−アルキルアゾベンゼン、P
−アルコキシ−P−アルコキシアゾベンゼン、P−アル
コキシベンジリデン一P−アシロキシアニリン、Pn−
アルキルベンジリデン−P−アシロキシアニリン、P−
n−アルキルベンジリデン−P−アルコキシアニリン、
P−アルコキシベンジリデン!P−n−アルキルアニリ
ン、およびP−n−アルキル一P−アシロキシアゾキシ
ベンゼン等がある。
そして、これらのn−ネマチツタ液晶をいくつか混合し
た混合体もまたn−ネマチツク液晶である。上述したn
−ネマチツク液晶を母体の液晶として、この液晶母体と
前記AP(2MB)Bとを混合したn−コレステリツク
混合液晶を2枚の透明電極間に挟持して、その電気光学
的特性を第3図に示す。
た混合体もまたn−ネマチツク液晶である。上述したn
−ネマチツク液晶を母体の液晶として、この液晶母体と
前記AP(2MB)Bとを混合したn−コレステリツク
混合液晶を2枚の透明電極間に挟持して、その電気光学
的特性を第3図に示す。
同図の特性曲線からも明らかなようにn−コレステリツ
ク混合液晶には記憶作用があり、無印加時においては光
透過率は大きく、透明状態である。
ク混合液晶には記憶作用があり、無印加時においては光
透過率は大きく、透明状態である。
そして両電極間に直流もしくはある限界周波数Fc以下
の交流電圧を印加すると、同図の1で示す透明状態から
2で示す不透明な状態に変移し、この状態において印加
電圧を下げても3で示すように不透明な状態を持続する
。この3で示す不透明な状態下において、限界周波数F
c以上の交流電圧を印加すると、1で示す透明状態に戻
る。
の交流電圧を印加すると、同図の1で示す透明状態から
2で示す不透明な状態に変移し、この状態において印加
電圧を下げても3で示すように不透明な状態を持続する
。この3で示す不透明な状態下において、限界周波数F
c以上の交流電圧を印加すると、1で示す透明状態に戻
る。
そして、この限界周波数Fcは液晶の温度おびn−ネマ
チツク液晶の性質、たとえば、粘性、導電率および誘電
率等によつて変化する。
チツク液晶の性質、たとえば、粘性、導電率および誘電
率等によつて変化する。
上記限界周波数Fcは通常数10Hz〜数何zである。
上述したn−コレステリツク混合液晶の記憶作用はAP
(2MB)Bの含有量が10重量%以下の場合は少なく
なり、動的散乱を示すようになる。ただし、0.1重量
%以上のAP(2MB)Bを含む限りその液晶のしさい
値はAP(2MB)Bを含有しない場合と比較して極め
て鋭く、しかも明確である。このように、n−ネマチツ
ク液晶とAP(2MB)Bとを所望の混合比率範囲にお
いて混合することによつて、明確なしきい値を有するn
−コレステリツク混合液晶を得ることができた。
上述したn−コレステリツク混合液晶の記憶作用はAP
(2MB)Bの含有量が10重量%以下の場合は少なく
なり、動的散乱を示すようになる。ただし、0.1重量
%以上のAP(2MB)Bを含む限りその液晶のしさい
値はAP(2MB)Bを含有しない場合と比較して極め
て鋭く、しかも明確である。このように、n−ネマチツ
ク液晶とAP(2MB)Bとを所望の混合比率範囲にお
いて混合することによつて、明確なしきい値を有するn
−コレステリツク混合液晶を得ることができた。
(実施例3参照)以上の説明においてはP−コレステリ
ツク混合液晶とn−コレステリツク混合液晶とについて
述べたけれども、これらの各混合液晶にコレステリン誘
導体からなるコレステリツク液晶を加えたものも、それ
ぞれ電気光学的性質(第2図および第3図の特性)を示
し、コレステリン誘導体としてコレステリツクノナノエ
イトを加えた場合には、低いしきい値電圧を有すること
ができた。
ツク混合液晶とn−コレステリツク混合液晶とについて
述べたけれども、これらの各混合液晶にコレステリン誘
導体からなるコレステリツク液晶を加えたものも、それ
ぞれ電気光学的性質(第2図および第3図の特性)を示
し、コレステリン誘導体としてコレステリツクノナノエ
イトを加えた場合には、低いしきい値電圧を有すること
ができた。
(実施例4参照)コレステリン誘導体からなるコレステ
リツク液晶としては、たとえば塩化コレステロールと、
臭化コレステロールと、コレステルノナノエイト等のコ
レステリンカルボン酸エステルと、コレステリルオレイ
ルカーボネイト等のコレステリン炭酸エステルなどがあ
る。
リツク液晶としては、たとえば塩化コレステロールと、
臭化コレステロールと、コレステルノナノエイト等のコ
レステリンカルボン酸エステルと、コレステリルオレイ
ルカーボネイト等のコレステリン炭酸エステルなどがあ
る。
本発明は以上の説明並びに次に掲げる実施例の記載から
明らかなように、その第1の発明にしたがえば明確なし
きい値を有し、応答速度が速く、X−Yマトリクス表示
装置に適した混合コレステリツク液晶を提供することが
できる利点をもつている。
明らかなように、その第1の発明にしたがえば明確なし
きい値を有し、応答速度が速く、X−Yマトリクス表示
装置に適した混合コレステリツク液晶を提供することが
できる利点をもつている。
また、その第2の発明にしたがえば明確なしきい値を有
し、しかも応答速度が速く、X−Yマトリクス表示装置
に適した電気光学的液晶表示装置を提供することができ
る利点をもつている。
し、しかも応答速度が速く、X−Yマトリクス表示装置
に適した電気光学的液晶表示装置を提供することができ
る利点をもつている。
実施例 1P−ネマチツク液晶として、P−n−ヘキシ
ル童ベンジリデン−p−シアノアニリンを70重量%、
AP(2MB)Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキ費
ジフェニル−P−(2−メチルブチノ(ハ)ベンゾエー
ト(コレステリツク液晶温度範囲24〜3『C)を30
重量%混合して得た混合コレステリツク液晶は、温度2
0℃、電極間1隔6μで、矩形波250Hzの交流を印
加するとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電圧は1
2ボルトであつた。
ル童ベンジリデン−p−シアノアニリンを70重量%、
AP(2MB)Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキ費
ジフェニル−P−(2−メチルブチノ(ハ)ベンゾエー
ト(コレステリツク液晶温度範囲24〜3『C)を30
重量%混合して得た混合コレステリツク液晶は、温度2
0℃、電極間1隔6μで、矩形波250Hzの交流を印
加するとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電圧は1
2ボルトであつた。
また電圧20ボルトを印加したとき、立上り時間30m
sec1減衰時間15msecで速い応答速度を示した
。
sec1減衰時間15msecで速い応答速度を示した
。
ここで、AP(2MB)Bを2重量%以下にすると明確
なしきい値がなくなり、逆にAP(2MB)Bの混合比
率を70重量%以上にすると、しきい値電圧が約70V
以上になり、絶縁破壊が起りやく、使用困難となる。
なしきい値がなくなり、逆にAP(2MB)Bの混合比
率を70重量%以上にすると、しきい値電圧が約70V
以上になり、絶縁破壊が起りやく、使用困難となる。
実施例 2
P−ネマチツク液晶として、P−ブトキシベンジリデン
一p゛−シアノアニリンを30重量%、n−ネマチツク
液晶として、P−メトキシベンジリデン一p−ブチルア
ニリンを50重量%、AP(2MB)Bとして、(イ)
−P−メトキシフエニルP−(2−メチルブチル)ベン
ゾエートを20重量%、混合して得た混合コレステリツ
ク液晶は、温度20℃、電極間隔6μ、矩形波250H
zの交流を印加したとき、明確なしきい値を持ち、しき
い値電圧は16ボルトであつた。
一p゛−シアノアニリンを30重量%、n−ネマチツク
液晶として、P−メトキシベンジリデン一p−ブチルア
ニリンを50重量%、AP(2MB)Bとして、(イ)
−P−メトキシフエニルP−(2−メチルブチル)ベン
ゾエートを20重量%、混合して得た混合コレステリツ
ク液晶は、温度20℃、電極間隔6μ、矩形波250H
zの交流を印加したとき、明確なしきい値を持ち、しき
い値電圧は16ボルトであつた。
また電圧25ボルトを印加した時、立上り時間25ms
ec1減衰時間10msecで速い応答速度を示した。
ec1減衰時間10msecで速い応答速度を示した。
実施例 3
n−ネマチツク液晶として、P−メトキシベンジリデン
−P−n−ブチルアニリン−を70重量%、AP(2M
B)Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキシフエニル一
P−(2−メチルブチル)ベンゾエートを30重量%、
混合して得た混合コレステリツク液晶は、温度20℃、
電極間隔12μ、矩形波300Hzの交流電圧を印加し
たとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電圧は10ボ
ルトであつた。
−P−n−ブチルアニリン−を70重量%、AP(2M
B)Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキシフエニル一
P−(2−メチルブチル)ベンゾエートを30重量%、
混合して得た混合コレステリツク液晶は、温度20℃、
電極間隔12μ、矩形波300Hzの交流電圧を印加し
たとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電圧は10ボ
ルトであつた。
また、電圧20ボルトを印加したとき、立士り時間4m
sec1限界周波数Fcは700Hzであつた。
sec1限界周波数Fcは700Hzであつた。
さらに、矩形波2KIIz30Vの交流電圧を印加した
とき、消去時間800msecであつた。
とき、消去時間800msecであつた。
上記のような明確なしきい値と速い応答速度を小した。
実施例 4 P−ネマチツク液晶として、P−ヘキシルベンクジリデ
ン一P−シアノアニリンを60重量%、AP(2MB)
Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキシフエニル一P−
(2−メチルブチル)ベンゾエートを30重量%、コレ
ステリン誘導体からなるコレステリツク液晶として、コ
レステリツクノナノエイトを10重量%混合して得た混
合コレステリツク液晶は、第2図の電気光学的特性を示
し、温度20℃、電極間隔6μ、矩形波250Hzの交
流を印加したとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電
圧は8ボルトであつた。
実施例 4 P−ネマチツク液晶として、P−ヘキシルベンクジリデ
ン一P−シアノアニリンを60重量%、AP(2MB)
Bとして、(ト)−P−ヘキシルオキシフエニル一P−
(2−メチルブチル)ベンゾエートを30重量%、コレ
ステリン誘導体からなるコレステリツク液晶として、コ
レステリツクノナノエイトを10重量%混合して得た混
合コレステリツク液晶は、第2図の電気光学的特性を示
し、温度20℃、電極間隔6μ、矩形波250Hzの交
流を印加したとき、明確なしきい値を持ち、しきい値電
圧は8ボルトであつた。
また、電圧20ボルトを印O口したとき、立上り時間1
00msec、減衰時間80msecで速い応答速度を
示した。
00msec、減衰時間80msecで速い応答速度を
示した。
上記の各実施例の記載からも明らかなように、AP(2
MB)Bを各種の液晶母体に加えることによつて、明確
なしきい値を有し、しかも応答速度が速く、さらに種々
の特性を有する混合コレステリツク液晶を得ることがで
きた。
MB)Bを各種の液晶母体に加えることによつて、明確
なしきい値を有し、しかも応答速度が速く、さらに種々
の特性を有する混合コレステリツク液晶を得ることがで
きた。
さらに、混合コレステリツク液晶の性能向上のために、
液晶以外の化合物を上記液晶状態が壊れない程度に添加
することも可能である。
液晶以外の化合物を上記液晶状態が壊れない程度に添加
することも可能である。
ツ
例えば、P−n−アルキルベンジリデン−Pn−アルキ
ルアニリンを適量添加することによつて、固体から液晶
への転移温度を下げ、高速応答の特性を得ることもでき
る。
ルアニリンを適量添加することによつて、固体から液晶
への転移温度を下げ、高速応答の特性を得ることもでき
る。
また、適当な導電率を得るために、有機電解質を微量添
加してもよい。
加してもよい。
この有機電解質としては、トリメチルアンモニウムハラ
イド等が用いられる。なお、本発明に係る電気光学的液
晶表示装置として透過型の表示装置について説明したけ
れども、混合コレステリツク液晶を挟持する2枚の電極
のうちの一方の電極を鏡面等の反射面にすることによつ
て反射型の表示装置にしてもよいことは云うまでもない
。以上の説明から明らかなように、本発明は明確なしき
い値を有し、応答速度が速く、多絵素表示に有利なX−
Yマトリクス表示装置を実現させるものであり、さらに
、他の表示装置に用いても優れた性能を発揮する顕著な
効果をもつている。
イド等が用いられる。なお、本発明に係る電気光学的液
晶表示装置として透過型の表示装置について説明したけ
れども、混合コレステリツク液晶を挟持する2枚の電極
のうちの一方の電極を鏡面等の反射面にすることによつ
て反射型の表示装置にしてもよいことは云うまでもない
。以上の説明から明らかなように、本発明は明確なしき
い値を有し、応答速度が速く、多絵素表示に有利なX−
Yマトリクス表示装置を実現させるものであり、さらに
、他の表示装置に用いても優れた性能を発揮する顕著な
効果をもつている。
第1図は光学活性…−P−ヘキシルオキシフエニル一P
−(2−メチルブチル)ベンゾエートの化学構造式、第
2図はP−コレステリツク混合液晶の電気光学的特性図
、第3図はn−コレステリツタ混合液晶の電気光学的特
性図である。
−(2−メチルブチル)ベンゾエートの化学構造式、第
2図はP−コレステリツク混合液晶の電気光学的特性図
、第3図はn−コレステリツタ混合液晶の電気光学的特
性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光学活性(+)−P−アルコキシフエニル−■−(
2−メチルブチル)ベンゾエートを0.1重量%及至7
0重量%含有することを特徴とする混合コレステリツク
液晶。 2 前項記載の混合コレステリツク液晶を2枚の電極間
に挟持し、これら電極のうち少なくとも一方を透明電極
にしてなることを特徴とする電気光学的液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP751023A JPS5940864B2 (ja) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | 混合コレステリツク液晶およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP751023A JPS5940864B2 (ja) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | 混合コレステリツク液晶およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5178791A JPS5178791A (en) | 1976-07-08 |
| JPS5940864B2 true JPS5940864B2 (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=11489959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP751023A Expired JPS5940864B2 (ja) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | 混合コレステリツク液晶およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940864B2 (ja) |
-
1974
- 1974-12-30 JP JP751023A patent/JPS5940864B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5178791A (en) | 1976-07-08 |
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