JPS5941279B2 - 電子レンジ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子レンジに関する。

従来電子レンジでは第１図に示すように外装置に加熱室
２を内蔵しこの加熱室２にマグネトロン３から導波管４
を通して高周波電波を供給してなると共に、加熱室２に
ターンテーブル５及びスタラーフアン６を設けかつスタ
ラー７アン６は加熱室上部の中心位置に大きく形成され
ていた。

第２図はスミス図表で、その周方向線に沿つて発振周波
の位相目盛を付してあると共にその径方向線に沿つて定
在波比目盛を付してあり、発振周波の位相に対応する定
在波比を知ることのできるものである。第２図に示すス
ミス図表は第３図に示すネットワークアナライザー装置
Ｎによつて観察されたものである。即ち、第３図に示す
ように所望とする加熱室２に負荷Ａを設けて更にこの加
熱室２に前記マグネトロン３と全く同一な構造を有する
模擬アンテナＢを固定し、この模擬アンテナＢにスイー
パＣから同軸ケーブルＤを通して発振周波信号を供給し
、模擬アンテナＢにおいて前記発振周波を放射すると共
に加熱室２で反射してきた反射波をキヤッチし、前記発
振周波及び反射波の合成されてなる定在波を同軸ケーブ
ルＤ上に発生し、この定在波をテストセットＥを通して
ネットワークアナライザー本体Ｆで受けてこの定在波に
基いてそのスコープＧに表わしてなり、これを観察して
なるものである。第４図はマグネトロンのラジォーテ１
ノビ等の受信周波数帯に対する不要輻射特性を示し、具
体的には不要輻射量を領域的に区画して示してなるもの
である。

第４図では、スミス図表の上に不要輻射領域を表わして
なり、かつ不要輻射領域を不要輻射発生量に対応して４
区に区画してなると共に、不要輻射量に対応して・・ツ
チング密度を変えてある。第４図では・・ツチング密度
の濃いもの程、不要輻射量の多い領域を示してある。第
４図のスミス図表は特定のマグネトロンの特性を示すも
のであり、マグネトロンメーカーから前記マグネトロソ
に添付してユーザーに提供されてなるものである。ユー
ザーは、所望とするマグネトロンに係る第４図と、所望
とする加熱室のインピーダンスに係る第２図とを比較す
ることによりー これらマグネトロン及び加熱室を結合
した場合の不要輻射量の大小を知り得る。従つてユーザ
ーは、所望とする加熱室のインピーダンスを、そのイン
ピーダンス軌跡が不要輻射の小なる領域に多く形成され
るように設定することにより、所望とする加熱室及びマ
グネトロンを組合せたときの不要輻射量を小さく設定す
ることができる。

伺、上記不要輻射は、加熱室２と電子レンジの外部との
間に形成されている全ての隙間、パンチング板にあつて
はそのパンチング孔を通して電子レンジの外部へ漏洩し
てなるものである。

ここで、従来の電子レンジに関する第２図と、不要輻射
領域に関する第４図とを対比して明らかなように、従来
の大形スタラーフアン６を備えた加熱室２は加熱室イン
ピーダンスに関しそのインピーダンス軌跡が不要輻射の
大なる領域を通過する頻度の大きいものであり、従つて
従来の加熱室２では第４図に係るマグネトロンと組み合
わせたとき多量の不要輻射を発生しこの不要輻射が電子
レンジから漏洩しラジオ、テレビ等に雑音障害を与えて
いた。

この発明は斯る点に鑑みてなされたもので以下一実施例
につき説明する。

第５図に於て、８は外装、９は外装置に内蔵されている
と共にその前面開口が図示しないドアで開閉される高周
波加熱室、１０は高周波電波を発生するためのマグネト
ロン、１１はマグネトロン１０で発生された電波を加熱
室９に導くための導波管、１２は部品収容室１３から吸
気しマグネトロン１０冷却後その風を加熱室９に送るよ
うに機能する送風機、１４は加熱室９に配置されている
スタラーフアン、１５は加熱室の底部に配置されモータ
ー１６によつて駆動されているターンテーブルである。

第６図に於て、１７はマグネトロン１０冷却後の風を加
熱室２に導入するための加熱室吸気孔、１８は吸気孔１
７を経て吸入された送風空気を指向しスタラーフアン１
４に吹き当てるようにスタラ一駆動風路１９を形成して
なるガイドである。

ガイド１８は誘電体損失の小さい素材で形成されている
と共に、その取着縁部１８ａにおいて加熱室天井壁２０
にビス止めされ斯る状態で加熱室壁２０と協働して風路
１９を形成してなる。２１はガイド１８に形成されてい
る通気孔で、風路１９通過後の送風を加熱室２の中央部
に導いて加熱室２内の蒸気と共に図示しない排気孔を通
して電子レンジの外部へ排出するように機能してなる。

２２は高周波反射板で、高周波給電口２３の下部に配置
されそこから加熱室２内方へ延設されてなるものである
。

而して前記スタラーフアン１４は第７図に示すように、
ポリプロピレン等の素材からなるスタラーシヤフト２４
にテフロン等の素材からなるスタラーシャフトボス部２
５を外嵌し、このスタラーシヤフトボス部２５に翼部２
６のボス部２７を回転自在に外嵌し、更にこのボス部２
７をワツシヤ２８及びナツト２９で抜け落ちないように
支持してなるものである。

更にこのスタラーフアン１４では、翼部２６を径方向一
辺の寸法Ｘ及び回転軸方向他辺の寸法Ｙに関し高周波電
波波長λの−（３２１ｎ０より小さく形成すると共に、
第８図及λび第９図に示すように給電口面２３′から一
だけ離れた個所において加熱室天井壁２０にナツト３０
止め啓れている。

かつ翼部２６はその少なくとも一部２６ａにおいて給電
口２３の前面部に張り出して高周波電波に直接当たるよ
うに設定されている。上記実施例においてターンテーブ
ル１５及びスタラーフアン１４を駆動して高周波加熱し
たときの負荷インピーダンス変化を第１０図に示す。

この実施例ではそのインピーダンス軌跡３１に関し、第
１０図に示すように、弧状の移動経路３１ａに沿つて小
さく自転しながら移動することが確認されている。かつ
弧状の移動経路３１ａに関してはそれがターンテーブル
１５の態様によつて変動すること、及び自転軌跡に関し
てはそれがスタラーフアン１４の態様によつて変動する
ことが確認されている。ここでターンテーブル１５は円
形であるためそれが回転したときでも外見上の移動がな
くインピーダンス特性に関し無関係に思われるが実際は
ターンテーブル１５の軸受け部（図示しない）に侵入し
た電波がこの軸受け部によつて低速で攪拌されるため、
インピーダンス特性に関し上記第１０図に示すように関
連を有してなる。

以下にこの一実施例の不要輻射防止に関連してなされる
設計手順について説明する。

この実施例では第４図に示される特性を有するマグネト
ロン１０を選択すると共に、斯るマグネトロン１０の特
性に合せて加熱室９のインピーダンスを設定する。

先ずターンテーブル１５の回動に係るインピーダンス移
動経路３１ａを、第４図の不要輻射の小なる領域に設定
する。

具体的にはターンテーブル１５の態様を調整したり又は
加熱室９に適当な反射板を設けたりして、前記移動経路
３１ａを設定する。次に、スタラーフアン１４の態様に
係る自転軌跡３１を設定する。ここでスタラーフアン１
４の翼部２６の寸法Ｘ，Ｙに関しこの寸法Ｘ，Ｙを変化
させた場合のインピーダンスの自転軌跡が以下のように
確認されている。

即ち翼部２６の一辺及び又は他辺の寸法Ｘ，λＹを一に
するとその自転軌跡態様は丁度第１０図λに示す態様と
なり、かつＸ，Ｙを一から次第に小づくすると自転直径
ａが次第に縮小し、逆にＸ，λＹを一から次第に大きく
すると自転直径ａは次第に伸長する力咄転軌跡形状は従
来例の軌跡形状と同様に大きく乱れてくることが確認さ
れている。

そこでこの実施例では先ず上記Ｘ，Ｙ寸法を自転λ軌跡
３１形状を乱さないように、一以下に設定することを検
討する。

向、上記自転軌跡の態様については、翼部２６λの寸法
Ｘ，Ｙを一から次第に大きくするとその自転軌跡が拡大
し不要輻射の小なる領域からはみ出すようになりかつそ
の形状も複雑となり、更に寸λ法Ｘ，Ｙを一に致らしめ
たときその自転軌跡は全く規則性を有しなくなることが
確認？れている。

更に、翼部２６の寸法Ｘ，Ｙは一λにするのが好ましい
が、−λにすると翼部２６と加熱室壁２０との間で放電
が生じてしまうこと、また翼部２６の寸法Ｘ，Ｙの下限
については電波攪拌作用等を考慮して実験したところ、
２０關までが好ましいことが確認されている。そこでこ
の実施例でλは上記Ｘ，Ｙ寸法を更に限定して一未満〜
２０ｍｍの範囲における適当値に設定する。

上述のようにスタラ一寸法Ｘ，Ｙを決めた後で、スタラ
ーフアン１４の取付位置を設定する。

スタラーフアン１４の取付位置に関して実験したところ
、翼部２６の一部２６ａを給電口２３の前面部に張り出
しかつ給電口面２３′と翼部２６と・の距離λｚを一と
したとき、取付位置に関し、自転直径Ａが最大となり従
つて電波攪拌効果が最大となることが確認された。

向、スタラーフアン１４の取付位置にともなう自転直径
ａの変化量は極めて小さλく、従つて距離ｚを一とした
ときでもその自転軌跡態様は第４図に示すものと比べそ
の大きさに関しあまり変化のないことが確認されている
。

そこでこの実施例では．スタラーフアン１４の翼部２６
をその径方向一辺及び回転方向他辺の寸λ法Ｘ，Ｙに関
し一より小さく形成すると共に、斯るスタラーフアン１
４を給電口面２３′からほぼλ一だけ離れた個所に配置
してある。

この発明は以上の様に構成したから、不要輻射を抑えて
雑音電波の発生を防止できると共に、スタラーフアンを
小さくしその分だけ加熱室の被加熱物の収容容積を大き
くできる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従米例の概略的正面図、第２図は従米例に関し
てネツトワークアナライザーを利用して見た負荷インピ
ーダンス特性直視図、第３図は加熱室のインピーダンス
の測定方法の説明図、第４図は不要輻射領域を示す図、
第５図はこの発明の一実施例の概略的正面図、第６図は
同実施例の一部の透視的斜視図、第７図は同実施例の要
部部品の正面図、第８図は同実施例の要部の平面図、第
９図は同実施例の一剖の概略的側面図、第１０図は同実
施例に関する負荷インピーダンス特性直視図である。 ９・・・高周波加熱室、１４・・・スタラーフアン、１
５・・・ターンテーブル、２３′・・・給電口面、２６
・・・翼部、Ｘ・・・径方向一辺の寸法、Ｙ・・・回転
軸方向他辺の寸法。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 高周波加熱室にスタラーファン及びターンテーブル
   を設けてなるものに於て、前記スタラーファンの翼部を
   その径方向一辺及び回転軸方向他辺の寸法に関し高周波
   電波波長の（１／４）より小さく形成すると共に、斯る
   スタラーファンを給電口面からほぼ高周波波長の（１／
   ４）だけ離れた個所に配置してなることを特徴とする電
   子レンジ。