JPS5941317B2 - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS5941317B2 JPS5941317B2 JP54130387A JP13038779A JPS5941317B2 JP S5941317 B2 JPS5941317 B2 JP S5941317B2 JP 54130387 A JP54130387 A JP 54130387A JP 13038779 A JP13038779 A JP 13038779A JP S5941317 B2 JPS5941317 B2 JP S5941317B2
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- semiconductor layer
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低しきい値電流を有し、かつしきい値電流の温
度特性の良い半導体レーザ装置の製造法法に関する。
度特性の良い半導体レーザ装置の製造法法に関する。
半導体レーザ装置でレーザ発振を生ずるしきい値電流を
小さくすることは極めて望ましく、このため構造はいく
つか知られているが単一モード発振の得られるＴＪＳ形
レーザ装置は特に優れたものである。
小さくすることは極めて望ましく、このため構造はいく
つか知られているが単一モード発振の得られるＴＪＳ形
レーザ装置は特に優れたものである。
第１図は従来のＴＪＳレーザ装置の基本的な構造を示す
斜視図で、図において１はＰ形砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）基板、２、３、４、５、および６はそれぞれＧａＡｓ
基板１の一方の主面上に液相成長法に依つて順次成長さ
れたＮ形ＧａＡｓ層、、ｐ形アルミニウム・ガリウム・
砒素（ＡＩＧａＡｓ）層、Ｎ形ＡｌＧａＡｓ層、Ｎ形Ｇ
ａＡｓ活性層、及びＮ形ＡｌＧａＡｓ層である。
斜視図で、図において１はＰ形砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）基板、２、３、４、５、および６はそれぞれＧａＡｓ
基板１の一方の主面上に液相成長法に依つて順次成長さ
れたＮ形ＧａＡｓ層、、ｐ形アルミニウム・ガリウム・
砒素（ＡＩＧａＡｓ）層、Ｎ形ＡｌＧａＡｓ層、Ｎ形Ｇ
ａＡｓ活性層、及びＮ形ＡｌＧａＡｓ層である。
７はＰ形
ＡｌＧａＡｓ層、８はこのＰ形ＡｌＧａＡｓ層からＧａ
Ａｓ基板１及びエピタキシャル層２〜６にフ Ｐ形不純
物を拡散して形成したＰ形層であり、９は活性層５にＰ
形不純物を拡散して形成された活性領域である。
Ａｓ基板１及びエピタキシャル層２〜６にフ Ｐ形不純
物を拡散して形成したＰ形層であり、９は活性層５にＰ
形不純物を拡散して形成された活性領域である。
また１０及び１１はそれぞれＮ側及びＰ側電極である。
第２図Ａ−Ｄはこの従来のＴＪＳレーザ装置の５ 製造
方法を示すための、その各階段における断面図であるが
、その大略は第１図についての装置の構成から明らかで
あるので、重複を避けて概説に止める。
第２図Ａ−Ｄはこの従来のＴＪＳレーザ装置の５ 製造
方法を示すための、その各階段における断面図であるが
、その大略は第１図についての装置の構成から明らかで
あるので、重複を避けて概説に止める。
まずＰ形ＧａＡｓ基板１の上に液相エピタキシヤル法に
依つて層２〜６をエピタキシヤル成長させる（第２図Ａ
）。そしてこの様にして得たウエハ上に窒化シリコン（
Ｓｉ３Ｎ４）膜などのマスク１５を形成する（第２図Ｂ
）。化学エツチング又はエピキシヤル成長前メルトエツ
チングに依りＳｉ３Ｎ４膜１５を形成していない部分を
ＧａＡｓ基板１に達するまでエツチングし溝部１６を形
成（第２図Ｃ）した後、Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層７を構部１
６にのみ選択的にエピタキシヤル成長する。
依つて層２〜６をエピタキシヤル成長させる（第２図Ａ
）。そしてこの様にして得たウエハ上に窒化シリコン（
Ｓｉ３Ｎ４）膜などのマスク１５を形成する（第２図Ｂ
）。化学エツチング又はエピキシヤル成長前メルトエツ
チングに依りＳｉ３Ｎ４膜１５を形成していない部分を
ＧａＡｓ基板１に達するまでエツチングし溝部１６を形
成（第２図Ｃ）した後、Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層７を構部１
６にのみ選択的にエピタキシヤル成長する。
またＰ形ＡｌＧａＡｓ層７を成長させ、その途中にＰ形
不純物をＧａＡｓ基板１及びエピタキシヤル層２〜６に
拡散させ、そこにＰ形層８を形成する（第２図Ｄ）。
不純物をＧａＡｓ基板１及びエピタキシヤル層２〜６に
拡散させ、そこにＰ形層８を形成する（第２図Ｄ）。
しかる後、Ｓｉ３Ｎ４膜１５を除去し、Ｎ側及びＰ側電
極を形成し、チツプ形状に分割して装置は完了する。と
ころが上記従来の装置ではその製造工程において、上述
の第２図Ｂに示したように、選択成長工程で選択成長マ
スク１５を必要とする。
極を形成し、チツプ形状に分割して装置は完了する。と
ころが上記従来の装置ではその製造工程において、上述
の第２図Ｂに示したように、選択成長工程で選択成長マ
スク１５を必要とする。
そしてこのマスク１５は、通常Ｓｉ３Ｎ４膜を使用する
が、Ｓｉ３Ｎ４膜は下地のＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ層
と熱膨張係数が異なるため、エピタキシヤル成長層に応
力がかかる。特にＳｉ３Ｎ４膜の付いた部分と付いてな
い部分との境界部には応力が集中し、 二選択成長工程
中にエピタキシヤル層に欠陥を発生させる。この欠陥は
ＧａＡｓ活性領域９にまで侵入して、レーザダイオード
の寿命を短かくし、しかも逆方向特性を悪くするなどの
問題があつた。また上記従来の装置ではＰ−Ｎ接合がチ
ツブ表面Ｊに露出しており、そのためＮ側電極１０がチ
ツプ表面に一溝にしか形成できない。そのため組立には
、レーザ発振動作中に発熱する活性領域９をチツプの上
方に位置させる所謂アツプサイドアツプ法にしか組立て
る事ができない。アツプサイドア５ツプ法では活性領域
９で発生する熱の拡散が厚みの厚い基板１を通してされ
ねばならない。このため従来の半導体レーザ装置では、
そのしきい値電流が増加するばかりでなく、発熱に依る
特性劣化が早く生じるなどの問題があつた。さらに、上
記４従来の装置の製造方法では、選択成長を行うために
一度エピタキシヤル成長したウエハを加工する工程を止
むなくされていた。そのため、選択成長用のマスクパタ
ーン１５の形成等の取扱い時にエピタキシヤルウエハに
歪が入つたり、汚染して、半導体レーザ装置の特性に悪
影響をもたらす原因となつた。また、選択成長工程で、
一度エピタキシヤル成長したウエハが再度高温雰囲気に
晒されるため、最初にエピタキシヤル成長したウエハの
表面が熱分解したり酸化して半導体レーザ装置の特性に
悪影響をおよぼすなどの問題があつた。この発明は、上
述の様な点に鑑みてなされたものであつて、エビタキシ
ヤル層への応力の発生原因となるＳｉ３Ｎ４膜等のマス
クを全く使用せず、またＰ−Ｎ接合がチツプの表面に形
成されず、従つてその全面に電極取付が可能であり、さ
らに一度のエピタキシヤル成長で活性領域まで形成する
ことのできる半導体レーザ装置の製造方法を提供するも
のである。第３図はこの発明に依る半導体レーザ装置の
一例の構造を示す斜視図である。
が、Ｓｉ３Ｎ４膜は下地のＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ層
と熱膨張係数が異なるため、エピタキシヤル成長層に応
力がかかる。特にＳｉ３Ｎ４膜の付いた部分と付いてな
い部分との境界部には応力が集中し、 二選択成長工程
中にエピタキシヤル層に欠陥を発生させる。この欠陥は
ＧａＡｓ活性領域９にまで侵入して、レーザダイオード
の寿命を短かくし、しかも逆方向特性を悪くするなどの
問題があつた。また上記従来の装置ではＰ−Ｎ接合がチ
ツブ表面Ｊに露出しており、そのためＮ側電極１０がチ
ツプ表面に一溝にしか形成できない。そのため組立には
、レーザ発振動作中に発熱する活性領域９をチツプの上
方に位置させる所謂アツプサイドアツプ法にしか組立て
る事ができない。アツプサイドア５ツプ法では活性領域
９で発生する熱の拡散が厚みの厚い基板１を通してされ
ねばならない。このため従来の半導体レーザ装置では、
そのしきい値電流が増加するばかりでなく、発熱に依る
特性劣化が早く生じるなどの問題があつた。さらに、上
記４従来の装置の製造方法では、選択成長を行うために
一度エピタキシヤル成長したウエハを加工する工程を止
むなくされていた。そのため、選択成長用のマスクパタ
ーン１５の形成等の取扱い時にエピタキシヤルウエハに
歪が入つたり、汚染して、半導体レーザ装置の特性に悪
影響をもたらす原因となつた。また、選択成長工程で、
一度エピタキシヤル成長したウエハが再度高温雰囲気に
晒されるため、最初にエピタキシヤル成長したウエハの
表面が熱分解したり酸化して半導体レーザ装置の特性に
悪影響をおよぼすなどの問題があつた。この発明は、上
述の様な点に鑑みてなされたものであつて、エビタキシ
ヤル層への応力の発生原因となるＳｉ３Ｎ４膜等のマス
クを全く使用せず、またＰ−Ｎ接合がチツプの表面に形
成されず、従つてその全面に電極取付が可能であり、さ
らに一度のエピタキシヤル成長で活性領域まで形成する
ことのできる半導体レーザ装置の製造方法を提供するも
のである。第３図はこの発明に依る半導体レーザ装置の
一例の構造を示す斜視図である。
１２は段差を設けたＮ形ＧａＡｓ基板、４はＮ形ＡｌＧ
ａＡｓ層、５はＮ形ＧａＡｓ活性層、６はＮ形ＡｌＧａ
Ａｓ層、３はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、２はＮ形ＧａＡｓ層
であり、７はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、１３はＰ形ＧａＡｓ
コンタクト層である。
ａＡｓ層、５はＮ形ＧａＡｓ活性層、６はＮ形ＡｌＧａ
Ａｓ層、３はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、２はＮ形ＧａＡｓ層
であり、７はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、１３はＰ形ＧａＡｓ
コンタクト層である。
また８はＰ形ＡｌＧａＡｓ層７からエピタキシヤル層４
，５，６，３及び２にＰ形不純物を拡散したＰ形層であ
る。１４はＧａＡｓ基板１２に形成されたＰ形ＧａＡｓ
層である。
，５，６，３及び２にＰ形不純物を拡散したＰ形層であ
る。１４はＧａＡｓ基板１２に形成されたＰ形ＧａＡｓ
層である。
９はＧａＡｓ活性層５の一部にＰ形不純物の拡散により
形成された活性領域である。
形成された活性領域である。
また１０及び１１はそれぞれＮ側及びＰ側電極である。
ここでＰ形ＧａＡｓ層１４及びＰ形ＡｌＧａＡｓ層３は
その各両側をＮ形層ではさんだＮ−Ｐ−Ｎ構造を形成し
ており、レーザ動作時には逆バイアスとなり電流が流れ
ず、活性領域９に有効に電流集中する構造になつている
。第４図Ａ−Ｄはこの発明になる製造方法の一実施例を
説明するための各段階における断面図である。
ここでＰ形ＧａＡｓ層１４及びＰ形ＡｌＧａＡｓ層３は
その各両側をＮ形層ではさんだＮ−Ｐ−Ｎ構造を形成し
ており、レーザ動作時には逆バイアスとなり電流が流れ
ず、活性領域９に有効に電流集中する構造になつている
。第４図Ａ−Ｄはこの発明になる製造方法の一実施例を
説明するための各段階における断面図である。
まずＮ形ＧａＡｓ基板１２の表面に拡散又はエピタキシ
ヤル成長にてＰ形層１４を形成したものに、ホトレジス
ト等のマスクを帯状に形成して化学エツチングに依り溝
１６を形成後、レジストマスクを除去して表面を清浄に
する（第４図Ａ）。次に上記溝１６を設けた基板全面に
、エピタキシヤル成長を行う。まず、ＧａＡｓ基板１２
を設けた溝に添つてＮ形ＡｌＧａＡｓ層４、Ｎ形ＧａＡ
ｓ活性層５、Ｎ形ＡｌＧａＡｓ層６、及びＰ形ＡｌＧａ
Ａｓ層３を設け、次に溝１６を埋める様に、Ｎ形ＧａＡ
ｓ層２をエピタキシヤル成長する（第４図Ｂ）。
ヤル成長にてＰ形層１４を形成したものに、ホトレジス
ト等のマスクを帯状に形成して化学エツチングに依り溝
１６を形成後、レジストマスクを除去して表面を清浄に
する（第４図Ａ）。次に上記溝１６を設けた基板全面に
、エピタキシヤル成長を行う。まず、ＧａＡｓ基板１２
を設けた溝に添つてＮ形ＡｌＧａＡｓ層４、Ｎ形ＧａＡ
ｓ活性層５、Ｎ形ＡｌＧａＡｓ層６、及びＰ形ＡｌＧａ
Ａｓ層３を設け、次に溝１６を埋める様に、Ｎ形ＧａＡ
ｓ層２をエピタキシヤル成長する（第４図Ｂ）。
ここでＧａＡｓ基板１２に設けた溝に添つて成長させる
には、成長時の徐冷速度を０．５ｄｅ９／Ｍｍ以上にす
ればよく、上記溝を埋める様に成長させるには、成長時
の徐冷速度を０．３ｄｅ９／Ｍｍ以下にすればよい。こ
の様にしてエピタキシヤル成長したウエハをその表面か
ら各エピタキシヤル層４，５，６，３，２の少なくとも
各一部に達するまでメルトエツチングに衣り除去し（第
４図Ｃ）、引き続いてＰ形ＡｌＧａＡｓ層７及びＰ形Ｇ
ａＡｓ層１３を成長する。なおＰ形ＡｌＧａＡｓ層７の
ドーパントにはＺｎやＣｄ等Ｐ形不純物でかつ結晶中へ
の拡散速度の早いものを使用することに依り、上記Ｐ形
ＡｌＧａＡｓ層７及びＰ形ＧａＡｓコンタクト層１３の
成長中に前記エピタキシヤル層に拡散されＰ層８が形成
される。（第４図Ｄ）。しかる後、Ｐ形ＧａＡｓコンタ
クト層１３及びＮ形ＧａＡｓ基板１２にそれぞれＰ側及
びＮ側電極を付けチツプ状に分離することに依りレーザ
装置が完成する。尚、上記実施例ではＧａＡｓ−ＡｊＧ
ａＡｓ系結晶を用いた場合について述べたが、一般に禁
制帯巾の異なる半導体結晶を用いた半導体レーザ装置に
広く適用できる。
には、成長時の徐冷速度を０．５ｄｅ９／Ｍｍ以上にす
ればよく、上記溝を埋める様に成長させるには、成長時
の徐冷速度を０．３ｄｅ９／Ｍｍ以下にすればよい。こ
の様にしてエピタキシヤル成長したウエハをその表面か
ら各エピタキシヤル層４，５，６，３，２の少なくとも
各一部に達するまでメルトエツチングに衣り除去し（第
４図Ｃ）、引き続いてＰ形ＡｌＧａＡｓ層７及びＰ形Ｇ
ａＡｓ層１３を成長する。なおＰ形ＡｌＧａＡｓ層７の
ドーパントにはＺｎやＣｄ等Ｐ形不純物でかつ結晶中へ
の拡散速度の早いものを使用することに依り、上記Ｐ形
ＡｌＧａＡｓ層７及びＰ形ＧａＡｓコンタクト層１３の
成長中に前記エピタキシヤル層に拡散されＰ層８が形成
される。（第４図Ｄ）。しかる後、Ｐ形ＧａＡｓコンタ
クト層１３及びＮ形ＧａＡｓ基板１２にそれぞれＰ側及
びＮ側電極を付けチツプ状に分離することに依りレーザ
装置が完成する。尚、上記実施例ではＧａＡｓ−ＡｊＧ
ａＡｓ系結晶を用いた場合について述べたが、一般に禁
制帯巾の異なる半導体結晶を用いた半導体レーザ装置に
広く適用できる。
更に各部分の伝導形はこの実施例を逆にしてもよい事は
自明である。またＰ形ＧａＡｓ層１４及びＰ形ＡｌＧａ
Ａｓ層３は無効電流の流れるのを防止するために形成し
たものであるが、これらの層は１０Ω？以上の高比抵抗
層であつても効果は全く同様である。
自明である。またＰ形ＧａＡｓ層１４及びＰ形ＡｌＧａ
Ａｓ層３は無効電流の流れるのを防止するために形成し
たものであるが、これらの層は１０Ω？以上の高比抵抗
層であつても効果は全く同様である。
また上記実施例ではシングルヘテロ接合形ＴＪＳレーザ
の構造に限つて述べたが、Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層７をｐ＋
形拡散層とするホモ接合形においても本発明の効果は同
様である。ホモ接合形ＴＪＳレーザを製造するには、第
４図Ｂを形成後、第５図に示すようにエピタキシヤル成
長表面の全面よりｐ＋拡散を行つてｐ＋拡散層１７を形
成し、引き続いてドライブに依りＰ形層を形成すればよ
い。
の構造に限つて述べたが、Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層７をｐ＋
形拡散層とするホモ接合形においても本発明の効果は同
様である。ホモ接合形ＴＪＳレーザを製造するには、第
４図Ｂを形成後、第５図に示すようにエピタキシヤル成
長表面の全面よりｐ＋拡散を行つてｐ＋拡散層１７を形
成し、引き続いてドライブに依りＰ形層を形成すればよ
い。
また上記実施例では活性領域９をヘキ開端面に垂直に直
線状に形成した場合について述べたが、上記Ｐ形ＧａＡ
ｓ活性領域９は前述の様に、屈折率の小さいＡｌＧａＡ
ｓ層４，６，７とＮ形ＧａＡｓ層５で囲まれているゐで
強いインデイツクスガイデイング構造となる。そのため
活性領域はガイドの強さに応じて曲率を持たせる事がで
き、これを円形にすればリングレーザとして使用する事
も可能である。以上説明した様に、この発明に係る半導
体レーザ装置及びその製造方法では、エピタキシヤル成
長前に基板に溝を形成して、その溝部を利用して活性領
域を形成するため、Ｓｉ３Ｎ４膜などのマスクを必要と
しないので、Ｓｉ３Ｎ４膜と半導体層との熱膨張係数の
差異による悪影響がさけられる。
線状に形成した場合について述べたが、上記Ｐ形ＧａＡ
ｓ活性領域９は前述の様に、屈折率の小さいＡｌＧａＡ
ｓ層４，６，７とＮ形ＧａＡｓ層５で囲まれているゐで
強いインデイツクスガイデイング構造となる。そのため
活性領域はガイドの強さに応じて曲率を持たせる事がで
き、これを円形にすればリングレーザとして使用する事
も可能である。以上説明した様に、この発明に係る半導
体レーザ装置及びその製造方法では、エピタキシヤル成
長前に基板に溝を形成して、その溝部を利用して活性領
域を形成するため、Ｓｉ３Ｎ４膜などのマスクを必要と
しないので、Ｓｉ３Ｎ４膜と半導体層との熱膨張係数の
差異による悪影響がさけられる。
また、電流を活性領域に効率よく集中させるために、無
効電流の流れやすい部分に逆バイアス層を設けた構造で
ある。また、本発明に依れば、エピタキシヤル成長工程
を一回の成長工程で行えるので、再現性が良くしかも途
中工程での汚染がない。さらに、本構造ではＰ−Ｎ接合
が半導体チツプ表面に出て来ないので、全面に電極が形
成でき、放熱の良いアツプサイドダウンマウント法も可
能となる。以上示した様に本発明に依れば、レーザ発振
時におけるしきい値電流が低く、温度特性が良く、しか
も寿命の長い半導体レーザ装置を製造し得る。
効電流の流れやすい部分に逆バイアス層を設けた構造で
ある。また、本発明に依れば、エピタキシヤル成長工程
を一回の成長工程で行えるので、再現性が良くしかも途
中工程での汚染がない。さらに、本構造ではＰ−Ｎ接合
が半導体チツプ表面に出て来ないので、全面に電極が形
成でき、放熱の良いアツプサイドダウンマウント法も可
能となる。以上示した様に本発明に依れば、レーザ発振
時におけるしきい値電流が低く、温度特性が良く、しか
も寿命の長い半導体レーザ装置を製造し得る。
第１図は従来のＴＪＳ形半導体レーザ装置の基本的な構
造を示す斜視図、第２図Ａ−Ｄはこの従来装置の製造方
法を示すためのその各段階における断面図、第３図は本
発明に係る半導体レーザ装置の一例の構造を示す斜視図
、第４図Ａ−Ｄはこの発明に係る製造方法の一実施例を
説明するためのその各段階における断面図、第５図は本
発明の他の実施例を示す断面図である。 図において、１２はＮ形ＧａＡｓ基板、１６は溝、５は
活性層、４，６はＮ形ＡｌＧａＡ８層、１４，３は無効
電流防止用Ｐ形層、７はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、８はＰ形
拡散層、９は活性領域である。
造を示す斜視図、第２図Ａ−Ｄはこの従来装置の製造方
法を示すためのその各段階における断面図、第３図は本
発明に係る半導体レーザ装置の一例の構造を示す斜視図
、第４図Ａ−Ｄはこの発明に係る製造方法の一実施例を
説明するためのその各段階における断面図、第５図は本
発明の他の実施例を示す断面図である。 図において、１２はＮ形ＧａＡｓ基板、１６は溝、５は
活性層、４，６はＮ形ＡｌＧａＡ８層、１４，３は無効
電流防止用Ｐ形層、７はＰ形ＡｌＧａＡｓ層、８はＰ形
拡散層、９は活性領域である。
Claims (1)
- １ 第１の導電形の半導体基板の一方の主面の一部に段
差を設け、上記半導体基板の上記主面上に上記段差に沿
つて第１の導電形を有する第１の半導体層と、上記第１
の半導体層より禁制帯巾の狭い第１の導電形の第２の半
導体層と、上記第２の半導体層より禁制帯巾の広い第１
の導電形の第３の半導体層と、上記第２の半導体層より
禁制帯巾の広い第２の導電形を有する半導体または高比
抵抗体からなる第４の層を形成し、上記第４の層の表面
上にその段差を減少するように上記第１の半導体層より
禁制帯巾の狭い第１の導電形を有する第５の半導体層を
形成した後、上記第５の半導体層の表面からエッチング
に依り上記第１乃至第５の層の少なくとも各一部を露出
させ、その露出表面全面から所定深さに第２の導電形決
定不純物を導入して、この表面上に上記第２の半導体層
より禁制帯巾の広い第２の導電形を有する第６の半導体
層と、上記第６の半導体層より禁制帯巾の狭い第２の導
電形を有する第７のコンタクト層を形成して成る半導体
レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54130387A JPS5941317B2 (ja) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54130387A JPS5941317B2 (ja) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654086A JPS5654086A (en) | 1981-05-13 |
| JPS5941317B2 true JPS5941317B2 (ja) | 1984-10-05 |
Family
ID=15033100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54130387A Expired JPS5941317B2 (ja) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941317B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150308A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ付き発光素子 |
| JPS62150307A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ付受光素子 |
-
1979
- 1979-10-09 JP JP54130387A patent/JPS5941317B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150308A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ付き発光素子 |
| JPS62150307A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ付受光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654086A (en) | 1981-05-13 |
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